JPH02240914A - Formation of pattern - Google Patents
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Landscapes
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電子ビームリソグラフィを用いたパターン形
成方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a pattern forming method using electron beam lithography.
（従来の技術）
近年、半導体分野において、電子ビームリソグラフィを
用い、光露光用マスク基板もしくは半導体基板上に半導
体素子のパターンを描画する技術が広く用いられている
。また、将来技術として注目されているＸ線リソグラフ
ィにおいても、電子ビームリソグラフィはＸ線露光用マ
スク基板に半導体素子のパターンを描画する手段として
必須の技術である。(Prior Art) In recent years, in the semiconductor field, a technique of drawing a pattern of a semiconductor element on a mask substrate for light exposure or a semiconductor substrate using electron beam lithography has been widely used. Furthermore, in X-ray lithography, which is attracting attention as a future technology, electron beam lithography is an essential technology as a means for drawing a pattern of a semiconductor element on a mask substrate for X-ray exposure.
現在、集積回路素子はますます高密度化が進む傾向にあ
り、従って、集積回路素子内の各部の寸法も微細化が進
む傾向にある。また、ディスクリート素子においても性
能を向上するために、同様の傾向にある。従って、電子
ビームリソグラフィ技術には、より高密度で微細なパタ
ーンを形成する能力が求められている。Currently, there is a tendency for integrated circuit elements to become more and more densely packed, and accordingly, the dimensions of various parts within the integrated circuit elements also tend to become smaller. A similar trend is also occurring in discrete elements in order to improve their performance. Therefore, electron beam lithography technology is required to have the ability to form finer patterns with higher density.
以下、従来のパターン形成方法を、Ｘ線露光用マスクの
タングステンの微細パターン形成を例として、第３図（
ａ）ないしくｄ）により説明する。Hereinafter, we will explain the conventional pattern forming method by taking as an example the formation of a fine pattern of tungsten for an X-ray exposure mask.
This will be explained using a) to d).
第３図（ａ）において、パターンを形成する基板は、窒
化ケイ素膜１の上にタングステン膜２．下層レジスト膜
３および電子ビームレジスト膜４が順次積層するように
形成されている。なお、上記の電子ビームレジスト膜４
は、酸素プラズマに耐性を有するネガ形である。In FIG. 3(a), a substrate on which a pattern is formed is a silicon nitride film 1 and a tungsten film 2. A lower resist film 3 and an electron beam resist film 4 are formed to be sequentially laminated. Note that the above electron beam resist film 4
is a negative type that is resistant to oxygen plasma.
まず、パターンに沿って電子ビーム５を照射し。First, an electron beam 5 is irradiated along the pattern.
電子ビームレジスト膜４を露光〔第３図（ａ））した後
、現像する〔第３図（ｂ））、次に、酸素を用いた活性
ガスイオンエツチングにより、上記の現像された電子ビ
ームレジスト膜４をマスクとして下層レジスト膜３をエ
ツチングして除去する〔第３図（ｃ））、次に、上記の
電子ビームレジスト膜４と下層レジスト膜３のパターン
をマスクとして、六フッ化イオウと四塩化炭素の混合ガ
スを用いた活性ガスイオンエツチングにより、タングス
テン膜２をエツチングして除去した後、下層レジスト膜
３を酸素プラズマによって灰化して除去すると、タング
ステンの微細パターン６が得られる〔第３図（ｄ））。After exposing the electron beam resist film 4 [FIG. 3(a)], it is developed [FIG. 3(b)), and then the developed electron beam resist film 4 is etched by active gas ion etching using oxygen. Using the film 4 as a mask, the lower resist film 3 is etched and removed (FIG. 3(c)). Next, using the pattern of the electron beam resist film 4 and the lower resist film 3 as a mask, sulfur hexafluoride is etched. After the tungsten film 2 is etched and removed by active gas ion etching using a mixed gas of carbon tetrachloride, the lower resist film 3 is incinerated and removed by oxygen plasma to obtain a fine tungsten pattern 6. Figure 3 (d)).
（発明が解決しようとする課題）
電子ビームを物質に照射すると、入射された電子は物質
の構成原子と衝突して散乱するた−め、入射電子による
物質内の蓄積エネルギは、入射点を中心に広がりを持っ
て分布する。このために、電子ビーム５によって電子ビ
ームレジスト膜４にパターンを描画すると、電子ビーム
５が照射された以外の部分の電子ビームレジスト膜４も
露光されてレジストパターンの精度が劣化する。この現
象を近接効果と呼んでいる。(Problem to be solved by the invention) When a substance is irradiated with an electron beam, the incident electrons collide with constituent atoms of the substance and are scattered, so the energy stored in the substance due to the incident electrons is centered around the point of incidence. It is distributed widely. For this reason, when a pattern is drawn on the electron beam resist film 4 by the electron beam 5, parts of the electron beam resist film 4 other than those irradiated with the electron beam 5 are also exposed, and the precision of the resist pattern deteriorates. This phenomenon is called the proximity effect.
電子の散乱による蓄積エネルギの広がりは、電子ビーム
５の加速電圧や被露光基板の構成に大きく依存するが、
２５ｋｅＶで片側十数μ鶴、５０ ｋ ｅＶで片側二十
数μ−に達する。特に、電子ピームシシスト膜４の下地
が重い元素で構成される程、後方散乱する電子が多く、
電子ビーム５が照射された場所以外の電子ビームレジス
ト膜４も強く露光される。The spread of stored energy due to electron scattering largely depends on the accelerating voltage of the electron beam 5 and the configuration of the substrate to be exposed.
At 25 keV, it reaches more than 10 μ- on one side, and at 50 keV, it reaches more than 20 μ- on one side. In particular, the heavier the underlying element of the electron beam cyst film 4 is, the more electrons will be backscattered.
The electron beam resist film 4 other than the areas irradiated with the electron beam 5 is also strongly exposed.
この対策としては、部分的に電子ビーム５の照射量を変
化させる方法、もしくは第３図（ａ）に示すように、タ
ングステン膜２と電子ビームレジスト膜４の間に下層レ
ジスト膜３を設けて、タングステン膜２からの後方散乱
電子の強度を弱める方法がとられている。As a countermeasure against this, there is a method of partially changing the irradiation amount of the electron beam 5, or a method of providing a lower resist film 3 between the tungsten film 2 and the electron beam resist film 4 as shown in FIG. 3(a). , a method is used to weaken the intensity of backscattered electrons from the tungsten film 2.
しかしながら、前者は、計算機を用いて任意形状のパタ
ーンに対して最適露光量を求めることは可能であるが、
計算時間が長く非実用的であるという問題があった。ま
た、従来採用されている下層レジスト膜３の主要構成元
素が炭素、酸素、水素という軽元素であるために、後方
散乱電子の強度を十分に弱められないため、第３図（ｂ
）に示すように１両端の電子ビーム５による後方散乱電
子が中央の電子ビーム５で照射される場所を露光するた
めに、現像後の電子ビームレジスト膜４の幅寸法が両側
のパターンで細く、中央のパターンが太くなるという問
題があった。However, in the former case, although it is possible to use a computer to determine the optimal exposure amount for a pattern of arbitrary shape,
There was a problem that the calculation time was long and it was impractical. Furthermore, since the main constituent elements of the conventionally employed lower resist film 3 are light elements such as carbon, oxygen, and hydrogen, the intensity of backscattered electrons cannot be sufficiently weakened.
), in order to expose the area where the backscattered electrons from the electron beams 5 at both ends are irradiated by the electron beam 5 at the center, the width dimension of the electron beam resist film 4 after development is narrow in the patterns on both sides. There was a problem that the pattern in the center became thick.
第３図（ａ）において、下層レジスト膜３の膜厚を厚く
すれば、近接効果の低減には効果があるが。In FIG. 3(a), increasing the thickness of the lower resist film 3 is effective in reducing the proximity effect.
第３図（ｃ）で下層レジスト膜３をエツチングする際に
、電子ビームレジスト膜４のパターンを正確に転写する
ことが困難になる。また、ｘＩ＠露光用マスクで要求さ
れる幅が０．２５μ−程度のパターンを形成する場合、
下層レジスト膜３の膜厚は１μ腫程度が上限で、それ以
上ではエツチング中にパターンが倒れてしまう可能性が
大きくなるという問題もあった。When etching the lower resist film 3 in FIG. 3(c), it becomes difficult to accurately transfer the pattern of the electron beam resist film 4. In addition, when forming a pattern with a width of about 0.25μ as required by xI@exposure mask,
The upper limit of the thickness of the lower resist film 3 is about 1 μm, and if it is more than that, there is a problem that the pattern is likely to collapse during etching.
本発明は上記の問題を解決するもので、近接効果を抑制
して、高い転写精度が得られるパターン形成方法を提供
するものである。The present invention solves the above problems and provides a pattern forming method that suppresses the proximity effect and provides high transfer accuracy.
（課題を解決するための手段）
上記の課題を解決するため１本発明は、軽元素で構成さ
れる下層レジスト膜と下地の重金属膜の間に、後方散乱
電子を遮蔽する保護膜を設けるものである。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, one aspect of the present invention is to provide a protective film for shielding backscattered electrons between the lower resist film composed of light elements and the underlying heavy metal film. It is.
（作 用）
上記の構成により、下地の重金属膜からの後方散乱電子
は保護膜中で捕獲または散乱するため、電子ビームレジ
ストに到達する後方散乱電子の強度が弱くなる。この場
合、保護膜は下層レジスト膜の構成元素よりも重い元素
で構成されるので、保護膜からも後方散乱電子が発生す
る。しかし。(Function) With the above configuration, backscattered electrons from the underlying heavy metal film are captured or scattered in the protective film, so that the intensity of backscattered electrons reaching the electron beam resist is weakened. In this case, since the protective film is composed of an element heavier than the constituent elements of the lower resist film, backscattered electrons are also generated from the protective film. but.
電子の弾性散乱断面積および非弾性散乱断面積は、電子
の運動エネルギが小さい程大きくなる。言い換えれば、
電子は物質中でエネルギを失うにつれて大きく散乱する
ばかりでなく、単位長さを進む間に失うエネルギも大き
くなる。ので、入射電子よりもエネルギの一部を失った
重金属膜からの後方散乱電子の方が保護膜内で大きな散
乱と減速を受ける。従って、保護膜は、重金属膜からの
後方散乱電子は効果的に遮蔽される。The elastic scattering cross section and inelastic scattering cross section of electrons become larger as the kinetic energy of the electrons becomes smaller. In other words,
Not only do electrons scatter more as they lose energy in a material, but they also lose more energy while traveling a unit length. Therefore, the backscattered electrons from the heavy metal film that have lost part of their energy undergo greater scattering and deceleration within the protective film than the incident electrons. Therefore, the protective film effectively blocks backscattered electrons from the heavy metal film.
（実施例）
本発明による実施例二側について、第１図および第２図
により説明する。(Example) A second example according to the present invention will be explained with reference to FIGS. 1 and 2.
まず１本発明による第１の実施例を、Ｘ線露光用マスク
の吸収体パターン形成を例として、第１図（ａ）ないし
くｅ）の各形成工程を示す要部断面図により説明する。First, a first embodiment according to the present invention will be explained by taking the formation of an absorber pattern of an X-ray exposure mask as an example, with reference to main part sectional views showing each forming process in FIGS. 1(a) to 1(e).
なお、第３図に示す従来例と同じ構成部品には同一符号
を付す。Note that the same components as in the conventional example shown in FIG. 3 are given the same reference numerals.
第１図（ａ）において、電子ビームレジスト膜４は、ケ
イ素を含有するネガ形の電子ビームレジストを用い、膜
厚が０．１３μｍないし０．２５μ醜となるように形成
した。下層レジスト膜３は、ノボラック系レジストを用
い、膜厚が０．５μ−ないし１．０μ−になるように塗
布した後、温度２７０℃の定温乾燥炉で３０分間ベーク
して形成した。ポリシリコンｌｌｌ７は上述の保護膜と
して働くもので、高周波スパッタ法により、膜厚０．５
μｍないし１．０μｍに形成した。タングステン膜２は
Ｘ線吸収体となるもので、高周波スパッタ法で形成した
。窒化ケイ素膜１はＸ線露光用マスク基板となるもので
、まず、シリコン基板の表面にモノシランと窒素の混合
ガスを用いたプラズマ化学的気相成長法により、膜厚１
．５μ園ないし２．０μ−堆積した後、水酸化カリウム
水溶液によってシリコン基板を除去して形成した。In FIG. 1(a), the electron beam resist film 4 was formed using a silicon-containing negative type electron beam resist to have a film thickness of 0.13 μm to 0.25 μm. The lower resist film 3 was formed by applying a novolak resist to a film thickness of 0.5 μm to 1.0 μm, and then baking it in a constant temperature drying oven at a temperature of 270° C. for 30 minutes. The polysilicon lll7 acts as the above-mentioned protective film, and is made to a thickness of 0.5 by high-frequency sputtering.
It was formed to have a thickness of μm to 1.0 μm. The tungsten film 2 serves as an X-ray absorber and was formed by high frequency sputtering. The silicon nitride film 1 serves as a mask substrate for X-ray exposure, and is first deposited on the surface of the silicon substrate to a thickness of 1 by plasma chemical vapor deposition using a mixed gas of monosilane and nitrogen.
．． After depositing 5 to 2.0 microns, the silicon substrate was removed using an aqueous potassium hydroxide solution.
まず、電子ビームレジスト＠４に、２５ｋａＶの電子ビ
ーム５でパターンを描きながら露光する。この際、タン
グステン膜２からの後方散乱電子はポリシリコン膜７で
遮蔽される〔第１図（ａ））。First, an electron beam resist@4 is exposed to a 25 kaV electron beam 5 while drawing a pattern. At this time, backscattered electrons from the tungsten film 2 are blocked by the polysilicon film 7 [FIG. 1(a)].
次に、電子ビームレジスト膜４を、メチルエチルケトン
とイソプロピルアルコールの１＝１混合液によって現像
する（第１図（ｂ））。Next, the electron beam resist film 4 is developed using a 1=1 mixture of methyl ethyl ketone and isopropyl alcohol (FIG. 1(b)).
最後に、現像された電子ビームレジスト膜４のパターン
をマスクとして酸素ガスを用いた活性ガスイオンエツチ
ングにより、下層レジスト膜３をエツチングして除去し
た〔第１図（ｃ））、なお、電極は共にカーボンである
。Finally, the lower resist film 3 was etched and removed by active gas ion etching using oxygen gas using the pattern of the developed electron beam resist film 4 as a mask [Fig. 1(c)]. Both are carbon.
続いて、下層レジスト［ｌＩ３をマスクとして六フッ化
イオウと四塩化炭素の混合ガスを用いた活性ガスイオン
エツチングにより、ポリシリコン膜７をエツチングして
除去する〔第１図（ｄ））、なお。Subsequently, the polysilicon film 7 is etched and removed by active gas ion etching using a mixed gas of sulfur hexafluoride and carbon tetrachloride using the lower resist [lI3] as a mask [FIG. 1(d)]. .
上部電極にステンレス鋼を、下部電極に石英をそれぞれ
使用した。Stainless steel was used for the upper electrode, and quartz was used for the lower electrode.
次に、下層レジスト膜３およびポリシリコン膜７をマス
クとして六フッ化イオウと四塩化炭素の混合ガスを用い
た活性ガスイオンエツチングにより、タングステン膜２
をエツチングして除去した。Next, the tungsten film 2 is etched by active gas ion etching using a mixed gas of sulfur hexafluoride and carbon tetrachloride using the lower resist film 3 and the polysilicon film 7 as masks.
was removed by etching.
なお、上部電極にステンレス鋼を、下部電極嘉；石英を
それぞれ使用した。続いて、下層レジスト膜３を酸素プ
ラズマによって灰化すると、最上層の電子ビームレジス
ト膜４とともに除去され、タングステンの微細パターン
６からなるＸ線マスク吸収体パターンが得られた（第１
図（ｅ））。Note that stainless steel was used for the upper electrode, and quartz was used for the lower electrode. Subsequently, when the lower resist film 3 was ashed by oxygen plasma, it was removed together with the uppermost electron beam resist film 4, and an X-ray mask absorber pattern consisting of a fine tungsten pattern 6 was obtained (first
Figure (e)).
なお、タングステンの微細パターン６の上面に残留する
ポリシリコン膜７は、Ｘ線露光中に微細パターン６内で
発生する２次電子の吸収体として働く効果がある。The polysilicon film 7 remaining on the upper surface of the fine tungsten pattern 6 has the effect of acting as an absorber for secondary electrons generated within the fine pattern 6 during X-ray exposure.
次に、本発明の第２の実施例を、集積回路のタングステ
ン配線パターン膳成に例として、第２図（ａ）ないしく
ｅ）の各形成工程を示す要部断面図により説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described using tungsten wiring pattern preparation for an integrated circuit as an example, with reference to main part sectional views showing each forming process in FIGS. 2(a) to 2(e).
第２図（ａ）において、第２の実施例が、第１図（ａ）
に示した第１の実施例と異なる点は、図示してないが、
表面にＳＯＧ膜およびＢＰＳＧ膜の絶縁膜が形成された
、傾斜面でつながる凹凸を有する半導体基板８の上に、
化学的気相成長法により膜厚が０．５μｍないし１．Ｏ
ｐ謹のケイ化タングステン膜９を形成した点と、上記の
ケイ化タングステン膜９を覆う保護膜に、膜厚が０．３
μ飄ないし０．５μ−のアルミニウム膜１０を高速スパ
ッタ法により形成した点と、下層レジストＩＩ！Ｉ３に
より上記の凹凸を平坦化した点である。その他は第１の
実施例と変わらないので、同じ構成部品には同一符号を
付してその説明を省略する。In FIG. 2(a), the second embodiment is as shown in FIG. 1(a).
Although not shown, the differences from the first embodiment shown in FIG.
On a semiconductor substrate 8 having unevenness connected by an inclined surface, on which an insulating film of an SOG film and a BPSG film is formed,
The film thickness is 0.5 μm to 1.5 μm by chemical vapor deposition. O
The thickness of the protective film covering the tungsten silicide film 9 is 0.3.
The aluminum film 10 with a thickness of μ to 0.5μ is formed by high-speed sputtering, and the lower resist II! This is the point where the above-mentioned unevenness is flattened by I3. Since the rest is the same as the first embodiment, the same components are given the same reference numerals and their explanations will be omitted.
まず、２５ｋｅＶの電子ビーム５でパターンを描きなが
ら電子ビームレジスト膜４を露光する。この際、ケイ化
タングステン膜９からの後方散乱電子はアルミニウム膜
ｌＯによって遮蔽される〔第２図（ａ））、次に、電子
ビームレジスト膜４を現像する【第２図（ｂ））、次に
、現像された電子ビームレジスト膜４をマスクとして酸
素ガスを用いた活性ガスイオンエツチングによって、下
層レジスト膜３をエツチングして除去する【第２図（ｃ
））、なお。First, the electron beam resist film 4 is exposed with a 25 keV electron beam 5 while drawing a pattern. At this time, the backscattered electrons from the tungsten silicide film 9 are blocked by the aluminum film 10 [FIG. 2(a)], and then the electron beam resist film 4 is developed [FIG. 2(b)]. Next, the lower resist film 3 is etched and removed by active gas ion etching using oxygen gas using the developed electron beam resist film 4 as a mask [Fig.
)),In addition.
上記のエツチング条件は第１の実施例と同じである。The above etching conditions are the same as in the first embodiment.
次に、アルミニウム膜ｌＯを四塩化炭素を用いた活性ガ
スイオンエツチングによりエツチングして除去する〔第
２図（ｄ））。Next, the aluminum film IO is etched and removed by active gas ion etching using carbon tetrachloride [FIG. 2(d)].
次に、六フッ化イオウと四塩化炭素の混合ガスを用いた
活性ガスイオンエツチングにより、ケイ化タングステン
ｓ９をエツチングした後、下層レジスト膜３を酸素プラ
ズマによって灰化し除去すると、電子ビームレジスト膜
４も同時に除去され。Next, after etching the tungsten silicide S9 by active gas ion etching using a mixed gas of sulfur hexafluoride and carbon tetrachloride, the lower resist film 3 is incinerated and removed by oxygen plasma, and the electron beam resist film 4 was also removed at the same time.
ケイ化タングステンの微細パターン１１による配線パタ
ーンが形成される【第２図（ｅ））。A wiring pattern is formed using the fine pattern 11 of tungsten silicide (FIG. 2(e)).
なお、ケイ化タングステンの微細パターン１１の上面に
残留するアルミニウム膜ｌＯは、ケイ化タングステン配
線の抵抗を低くする効果がある。Note that the aluminum film 10 remaining on the upper surface of the fine tungsten silicide pattern 11 has the effect of lowering the resistance of the tungsten silicide wiring.
なお、第２の実施例で、保護膜としてアルミニウム膜１
０を用いたが、リンをドープしたポリシリコン膜を用い
ても同様の結果が得られる。この場合は、活性ガスイオ
ンエツチングでケイ化タングステン１１９と同じエツチ
ングガスが使用できる。Note that in the second embodiment, the aluminum film 1 is used as a protective film.
Although 0 was used, similar results can be obtained using a polysilicon film doped with phosphorus. In this case, the same etching gas as tungsten silicide 119 can be used in active gas ion etching.
（発明の効果）
以上説明したように１本発明によれば、後方散乱電子に
よる近接効果が大幅に軽減され、優れた転写精度を有す
る高精度のパターン形成法が得られる。(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, the proximity effect due to backscattered electrons is significantly reduced, and a highly accurate pattern forming method with excellent transfer accuracy can be obtained.
第１図（、）ないしくｅ）は本発明によるＸ線露光用マ
スク吸収体パターン形成の各形成工程を示す要部断面図
、第２図（ａ）ないしくｅ）は本発明によるケイ化タン
グステン配線パターン形成の各形成工程を示す要部断面
図、第３図（ａ）ないしくｄ）は従来のＸ線露光用マス
ク吸収体パターン形成の各形成工程を示す要部断面図で
ある。
１・・・窒化ケイ素膜、 ２・・・タングステン膜。
３・・・下層レジスト膜、 ４・・・電子ビームレジス
ト膜、 ５・・・電子ビーム、 ６・・・タングステン
の微細パターン、 ７・・・ポリシリコン膜、 ８・
・・半導体基板、 ９・・・ケイ化タングステン膜、
１０・・・アルミニウム膜、１１・・・ケイ化タング
ステンの微細パターン。
第１図
特許出願人 松下電子工業株式会社
第
図
第
図FIGS. 1(a) to 1e) are cross-sectional views of main parts showing each formation process of the X-ray exposure mask absorber pattern formation according to the present invention, and FIGS. 2(a) to e) are silicification according to the present invention. FIGS. 3(a) to 3d) are cross-sectional views of main parts showing each forming process of forming a tungsten wiring pattern. FIGS. 3A to 3D are cross-sectional views of main parts showing each forming process of conventional X-ray exposure mask absorber pattern formation. 1...Silicon nitride film, 2...Tungsten film. 3... Lower resist film, 4... Electron beam resist film, 5... Electron beam, 6... Tungsten fine pattern, 7... Polysilicon film, 8.
... Semiconductor substrate, 9... Tungsten silicide film,
10... Aluminum film, 11... Fine pattern of tungsten silicide. Figure 1 Patent applicant: Matsushita Electronics Co., Ltd. Figure 1
Claims (2)
スト膜を積層して形成した基板に、電子ビームリソグラ
フィを用いてパターンを形成するパターン形成方法にお
いて、上記の重金属膜と下層レジスト膜の間に、上記の
重金属膜および下層レジスト膜のそれぞれの平均原子量
の中間の平均原子量を有する材料からなる保護膜を形成
することを特徴とするパターン形成方法。(1) In a pattern forming method in which a pattern is formed using electron beam lithography on a substrate formed by laminating a heavy metal film, a lower resist film, and an electron beam resist film, between the heavy metal film and the lower resist film, A pattern forming method comprising forming a protective film made of a material having an average atomic weight between the average atomic weights of the heavy metal film and the lower resist film.
ミニウム、シリコン、窒化ケイ素もしくは酸化ケイ素を
用いたことを特徴とする請求項（１）記載のパターン形
成方法。(2) The pattern forming method according to claim (1), wherein aluminum, aluminum silicide, silicon, silicon nitride, or silicon oxide is used as the protective film.
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|---|---|---|---|
| JP1060867A JP2739492B2 (en) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | Pattern formation method |
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| JP (1) | JP2739492B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011024315A1 (en) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | 株式会社東芝 | Substrate for electron beam lithography |
| CN112394614A (en) * | 2019-08-15 | 2021-02-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Mask, mask defect repairing method, mask using method and semiconductor structure |
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| JPS5852641A (en) * | 1981-09-25 | 1983-03-28 | Toshiba Corp | Mask blank for drawing |
| JPS6354726A (en) * | 1986-08-25 | 1988-03-09 | Fujitsu Ltd | Method of etching resist film |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1060867A patent/JP2739492B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPWO2011024315A1 (en) * | 2009-08-31 | 2013-01-24 | 株式会社東芝 | Electron beam drawing substrate |
| CN112394614A (en) * | 2019-08-15 | 2021-02-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Mask, mask defect repairing method, mask using method and semiconductor structure |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2739492B2 (en) | 1998-04-15 |
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