JPH02236269A - 窒化ホウ素膜の形成方法 - Google Patents
窒化ホウ素膜の形成方法Info
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- JPH02236269A JPH02236269A JP5667689A JP5667689A JPH02236269A JP H02236269 A JPH02236269 A JP H02236269A JP 5667689 A JP5667689 A JP 5667689A JP 5667689 A JP5667689 A JP 5667689A JP H02236269 A JPH02236269 A JP H02236269A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
この発明は、たとえば切削工具および研磨工具などの被
覆膜ならびにヒートシンクの材料などとして好適に用い
られる窒化ホウ素膜の形成方法に関するものである。
覆膜ならびにヒートシンクの材料などとして好適に用い
られる窒化ホウ素膜の形成方法に関するものである。
(従来の技術〕
窒化ホウ素は、結晶積造によって主に3種類に分けられ
る.それらは、六方品窒化ホウ素(以下rh−BNJと
いう.)、六方最密充填窒化ホウ素,および立方晶窒化
ホウ素(以下rc−BNJという.)である.このなか
で、c−BNは、熱伝導率.硬度,耐熱性,耐摩耗性.
および絶縁性に優れており、たとえば切削工具および研
磨工具などの被覆膜ならびにヒートシンクの材料などと
して注目されている.これまで、c−BNは高温・高圧
下で合成されてきたが、その用途を拡大するために、最
近では基体上に薄膜化して形成する研究が行われるよう
になってきている.基体表面に窒化ホウ素膜を形成する
方法としては、化学薫着(CVD)法および物理蒸着(
PVD)法がよく知られている.しかしながら、cVD
法では、作製した膜はh−BNが主体となり、c−BN
主体の膜を形成するのが困難であるとともに、膜と基体
との間の密着性が悪いという問題がある, PVD法には、たとえばイオン化された原子を加速,減
速して基体表面に堆積させるイオンビーム・デポジショ
ン法、クラスターイオンを加速して基体上に堆積させる
クラスターイオンブレーティング法、その他イオンビー
ムスパッタリング法などがあるが、これらの方法によっ
てもやはりC−BN主体の膜を形成するのは困難である
.しかも、これらのPVD法では、基体に照射されるイ
オンの運動エネルギーが数eV〜数百eVの比較的低い
範囲にあり、このためイオン種の基体内部への注入は期
待し得す、したがって膜と基体との密着性が悪いという
問題がある. そこで、近年ではエネルギーを数十〜数百keVとした
イオン種を用いて成膜を行うイオン注入法やイオンミキ
シング法が注目されている.とくに、ホウ素系の物質の
蕉着と同時または交互に数十〜数百keVに加速したイ
オン種を基体に照射するようにして、基体表面に基体の
材料とホウ素とイオンとの混合層を形成するようにした
イオンミキシング法では、c−BNを多く含む膜を基体
に対して強固に密着させて形成できるという報告がなさ
れている. (発明が解決しようとする諜B) しかしながら、上記イオンミキシング法によって形成さ
れる窒化ホウ素膜には、c−BNとともにh−BNもま
た含まれており、したがっていわばc−BNとh−BN
との混在膜が得られるに過ぎない,h−BNは高潤滑性
および低硬度などのc−BNとは相反する性質をいくつ
か有しており、このため上記イオンミキシング法によっ
て形成した窒化ホウ素膜ではc−BNの特徴を充分に発
運させることができず、結果として良好な膜質を有する
ことができなかった. この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、ll!
質を格段に向上することができる窒化ホウ素膜の形成方
法を提供することである. 〔課題を解決するための手段〕 この発明の窒化ホウ素膜の形成方法は、ホウ素を含む物
質の蒸着と、窒素イオン.窒素化合物イオン.および不
活性ガスイオンのなかの少なくとも1種のイオンの照射
と、水素イオンの照射とを併用して、基体表面に窒化ホ
ウ素膜を形成することを特徴とする. 第1図はこの発明の実施のために用いられる薄膜形成装
置の構成例を示す概念図である.窒化ホウ素膜を形成す
べき基体1はホルダ2表面に固定して配置され、この基
体1に対向して蒸発源3およびイオン源4.5が配置さ
れる.ホルダ2,蒸発源3,およびイオン源4,5など
は図示しない真空槽内に収められており、この真空槽内
は成膜に適した圧力に保たれる. このような薄膜形成装置によって、蒸発源3からは、ホ
ウ素や窒化ホウ素などのホウ素を含む物質が蒸発させら
れる.このようにして、ホウ素を含む物質の蒸着が行わ
れるのと同時または交互に、イオン源4からは、窒素イ
オン,窒素化合物イオン,および不活性ガスイオンのな
かの少なくとも1種のイオンが基体1に向けて照射され
る.前記窒素化合物とは、たとえばアンモニアなどであ
る.このようにして、基体1の表面に窒化ホウ素膜が堆
積される.ただし、イオン源4からのイオンが不活性ガ
スイオンのみであるときには、蒸発源3からは窒化ホウ
素などの窒素とホウ素とを含む物質が蒸発させられる. 上述のような窒化ホウ素膜の堆積と、同時または交互に
、イオン源5からは水素イオンが照射される.このよう
にして、蒸発源3から蒸発させられる物質の蒸着と、イ
オン源4.5からのイオンの照射とを併用することによ
って基体1上に窒化ホウ素膜が形成される. このような窒化ホウ素膜の形成は、以下に例示するよう
な種々の形態で行うことができる。
る.それらは、六方品窒化ホウ素(以下rh−BNJと
いう.)、六方最密充填窒化ホウ素,および立方晶窒化
ホウ素(以下rc−BNJという.)である.このなか
で、c−BNは、熱伝導率.硬度,耐熱性,耐摩耗性.
および絶縁性に優れており、たとえば切削工具および研
磨工具などの被覆膜ならびにヒートシンクの材料などと
して注目されている.これまで、c−BNは高温・高圧
下で合成されてきたが、その用途を拡大するために、最
近では基体上に薄膜化して形成する研究が行われるよう
になってきている.基体表面に窒化ホウ素膜を形成する
方法としては、化学薫着(CVD)法および物理蒸着(
PVD)法がよく知られている.しかしながら、cVD
法では、作製した膜はh−BNが主体となり、c−BN
主体の膜を形成するのが困難であるとともに、膜と基体
との間の密着性が悪いという問題がある, PVD法には、たとえばイオン化された原子を加速,減
速して基体表面に堆積させるイオンビーム・デポジショ
ン法、クラスターイオンを加速して基体上に堆積させる
クラスターイオンブレーティング法、その他イオンビー
ムスパッタリング法などがあるが、これらの方法によっ
てもやはりC−BN主体の膜を形成するのは困難である
.しかも、これらのPVD法では、基体に照射されるイ
オンの運動エネルギーが数eV〜数百eVの比較的低い
範囲にあり、このためイオン種の基体内部への注入は期
待し得す、したがって膜と基体との密着性が悪いという
問題がある. そこで、近年ではエネルギーを数十〜数百keVとした
イオン種を用いて成膜を行うイオン注入法やイオンミキ
シング法が注目されている.とくに、ホウ素系の物質の
蕉着と同時または交互に数十〜数百keVに加速したイ
オン種を基体に照射するようにして、基体表面に基体の
材料とホウ素とイオンとの混合層を形成するようにした
イオンミキシング法では、c−BNを多く含む膜を基体
に対して強固に密着させて形成できるという報告がなさ
れている. (発明が解決しようとする諜B) しかしながら、上記イオンミキシング法によって形成さ
れる窒化ホウ素膜には、c−BNとともにh−BNもま
た含まれており、したがっていわばc−BNとh−BN
との混在膜が得られるに過ぎない,h−BNは高潤滑性
および低硬度などのc−BNとは相反する性質をいくつ
か有しており、このため上記イオンミキシング法によっ
て形成した窒化ホウ素膜ではc−BNの特徴を充分に発
運させることができず、結果として良好な膜質を有する
ことができなかった. この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、ll!
質を格段に向上することができる窒化ホウ素膜の形成方
法を提供することである. 〔課題を解決するための手段〕 この発明の窒化ホウ素膜の形成方法は、ホウ素を含む物
質の蒸着と、窒素イオン.窒素化合物イオン.および不
活性ガスイオンのなかの少なくとも1種のイオンの照射
と、水素イオンの照射とを併用して、基体表面に窒化ホ
ウ素膜を形成することを特徴とする. 第1図はこの発明の実施のために用いられる薄膜形成装
置の構成例を示す概念図である.窒化ホウ素膜を形成す
べき基体1はホルダ2表面に固定して配置され、この基
体1に対向して蒸発源3およびイオン源4.5が配置さ
れる.ホルダ2,蒸発源3,およびイオン源4,5など
は図示しない真空槽内に収められており、この真空槽内
は成膜に適した圧力に保たれる. このような薄膜形成装置によって、蒸発源3からは、ホ
ウ素や窒化ホウ素などのホウ素を含む物質が蒸発させら
れる.このようにして、ホウ素を含む物質の蒸着が行わ
れるのと同時または交互に、イオン源4からは、窒素イ
オン,窒素化合物イオン,および不活性ガスイオンのな
かの少なくとも1種のイオンが基体1に向けて照射され
る.前記窒素化合物とは、たとえばアンモニアなどであ
る.このようにして、基体1の表面に窒化ホウ素膜が堆
積される.ただし、イオン源4からのイオンが不活性ガ
スイオンのみであるときには、蒸発源3からは窒化ホウ
素などの窒素とホウ素とを含む物質が蒸発させられる. 上述のような窒化ホウ素膜の堆積と、同時または交互に
、イオン源5からは水素イオンが照射される.このよう
にして、蒸発源3から蒸発させられる物質の蒸着と、イ
オン源4.5からのイオンの照射とを併用することによ
って基体1上に窒化ホウ素膜が形成される. このような窒化ホウ素膜の形成は、以下に例示するよう
な種々の形態で行うことができる。
■ 金属ホウ素の蒸着の後に窒素イオンの照射を行い、
この後にさらに水素イオンの照射を行うという一連の操
作を反復して行う。
この後にさらに水素イオンの照射を行うという一連の操
作を反復して行う。
■ 窒化ホウ素の痕着の後に不活性ガスイオンの照射を
行い、この後にさらに水素イオンの照射を行うという一
連の操作を反復して行う。
行い、この後にさらに水素イオンの照射を行うという一
連の操作を反復して行う。
■ 金属ホウ素の萎着と同時に窒素イオンの照射を行っ
て窒化ホウ素膜を堆積させ、この窒化ホウ素膜の堆積後
に水素イオンの照射を行うという一連の操作を反復して
行う。
て窒化ホウ素膜を堆積させ、この窒化ホウ素膜の堆積後
に水素イオンの照射を行うという一連の操作を反復して
行う。
■ 窒化ホウ素の蒸着と同時に不活性ガスイオンの照射
を行って窒化ホウ素膜を堆積させ、この窒化ホウ素膜の
堆積後に水素イオンの照射を行うという一連の操作を反
復して行う。
を行って窒化ホウ素膜を堆積させ、この窒化ホウ素膜の
堆積後に水素イオンの照射を行うという一連の操作を反
復して行う。
■ 窒化ホウ素の草着と同時に不活性ガスイオンの照射
を行って窒化ホウ素膜を堆積させ、この窒化ホウ素膜の
堆積と同時に水素イオンの照射を行う. なお、第1図に示された構成では、イオン源が2個設け
られているが、イオン源は1個でもよく、たとえば共通
のイオン源から窒素ガスイオンなどと水素イオンとの照
射を交互に行わせるようにすれば、上記■〜■などの形
態で窒化ホウ素膜を基体表面に形成することができる. 〔作用] 上述のような窒化ホウ素膜の形成方法によれば、基体1
の表面では、蒸発′a3からの蒸発物がイオン源4.5
からのイオンにより基体1の内部に押し込まれ、またイ
オン源4.5からのイオンが基体1の内部に侵入するこ
とにより、基体lの材料と蒸発源3から蒸発される物質
と前記照射されるイオンとが混合した混合層が形成され
、これによって窒化ホウ素膜は基体1の表面に強固に密
着して形成されることになる. また、イオンR5から照射される水素イオンは、前記窒
化ホウ素腹中に存在するSPまたはSP”混成軌道を持
った核(これらは、非立方晶窒化ホウ素を成長させる.
)と反応して、これらをSP”結合の核に変換して、c
−BNの生成を促進する.さらに、前記水素イオンは、
水素一ホウ素化合物や水素一窒化ホウ素を生成すること
により、腹中のh−BNを選択的に除去する働きをも脊
している.さらにまた、膜中の未反応ホウ素や窒素原子
を除去して膜を清浄化する役割も果たし、ホウ素と窒素
とが結合する際にSP3結合を生じるに充分な励起状態
となるエネルギーを与える.また水素イオンによって、
膜中のc−BN以外の窒素ホウ素構造物や単体原子1単
体金属が除去され、これによって膜中におけるc−BN
の割合が大きくなり、膿の特性がc−BNにより支配さ
れるようになる. このようにして、熱伝導率,硬度,耐熱性,耐摩耗性.
および絶縁性に優れた窒化ホウ素膜が基体1上に形成さ
れることになる。
を行って窒化ホウ素膜を堆積させ、この窒化ホウ素膜の
堆積と同時に水素イオンの照射を行う. なお、第1図に示された構成では、イオン源が2個設け
られているが、イオン源は1個でもよく、たとえば共通
のイオン源から窒素ガスイオンなどと水素イオンとの照
射を交互に行わせるようにすれば、上記■〜■などの形
態で窒化ホウ素膜を基体表面に形成することができる. 〔作用] 上述のような窒化ホウ素膜の形成方法によれば、基体1
の表面では、蒸発′a3からの蒸発物がイオン源4.5
からのイオンにより基体1の内部に押し込まれ、またイ
オン源4.5からのイオンが基体1の内部に侵入するこ
とにより、基体lの材料と蒸発源3から蒸発される物質
と前記照射されるイオンとが混合した混合層が形成され
、これによって窒化ホウ素膜は基体1の表面に強固に密
着して形成されることになる. また、イオンR5から照射される水素イオンは、前記窒
化ホウ素腹中に存在するSPまたはSP”混成軌道を持
った核(これらは、非立方晶窒化ホウ素を成長させる.
)と反応して、これらをSP”結合の核に変換して、c
−BNの生成を促進する.さらに、前記水素イオンは、
水素一ホウ素化合物や水素一窒化ホウ素を生成すること
により、腹中のh−BNを選択的に除去する働きをも脊
している.さらにまた、膜中の未反応ホウ素や窒素原子
を除去して膜を清浄化する役割も果たし、ホウ素と窒素
とが結合する際にSP3結合を生じるに充分な励起状態
となるエネルギーを与える.また水素イオンによって、
膜中のc−BN以外の窒素ホウ素構造物や単体原子1単
体金属が除去され、これによって膜中におけるc−BN
の割合が大きくなり、膿の特性がc−BNにより支配さ
れるようになる. このようにして、熱伝導率,硬度,耐熱性,耐摩耗性.
および絶縁性に優れた窒化ホウ素膜が基体1上に形成さ
れることになる。
なお、窒化ホウ素膜の形成時において、窒素イオン,窒
素化合物イオン.不活性ガスイオン.および水素イオン
の加速エネルギーは、0.1〜50keVとされるのが
好ましく、より好ましくは0.2〜20keVとされる
のがよい.加速エネルギーが0.1keV未満であると
きには、窒化ホウ素膜を基体1に対して充分強固に密着
させることができず、また2QkeV以上の加速工不ル
ギーを有するイオンを照射すると、窒化ホウ素膜中にc
−BNが形成されにくくなる. さらに、窒素イオン,窒素化合物イオン,または不活性
ガスイオンの照射IXに対する水素イオンの照射i1Y
の比(X/Y)は、0.1〜lOOに選ばれるのがよく
、より好ましくは0.5〜10の範囲に選ばれるのがよ
い.この比(X/Y)が、0.1〜100の範囲から逸
脱すると、c−BNが形成されにくくなる. また、蒸発lfI3からホウ素を含む吻貿を莫発させ、
イオン源4から窒素イオンを含むイオンを照射する場合
に、基体1の表面におけるホウ素原子と窒素原子との比
(B/N)は0. 1〜60の範囲に選ばれるのが好ま
しく、より好ましくは0.5〜40に選ばれるのがよい
.この比(B/N)が、0.1〜60の範囲から逸脱す
ると、c−BNが形成されにくくなる. 〔実施例1〕 第1図に示された構成において、基体1としてシリコン
基板を用い、このシリコン基板表面に対して蒸発fl3
からの金属ホウ素の蒸着と同時にイオン源4から窒素イ
オンの照射を行って窒化ホウ素膜を堆積させ、この窒化
ホウ素膜の堆積と同時にイオン源5から水素イオンを照
射して、前記シリコン基板表面に膜厚3000人の窒化
ホウ素膜を形成した試料を作製した.このとき窒素イオ
ンおよび水素イオンの各加速エネルギーは0.2keV
とし、また基板表面でのホウ素原子と窒素原子との比(
B/N)を1とし、水素イオンと窒素イオンとの照射量
の比(水素イオン/窒素イオン)を0.5とした.また
比較のために、水素イオンの照射を行わず、他は前述と
同様な条件で比較用試料を作製した. 上記2つの試料に関して、X線回折による分析を行った
ところ、上記比較用試料では回折角2θ−43.9’,
43.3゜の2点でX線回折強度のピークが検出された
.回折角2θ= 4 3. 9°での回折ピークはh−
BNの存在を表し、回折角2θ=4 3. 3 ”での
回折ピークはc−BNの存在を表している.したがって
上記比較用試料ではc−BNとh−BNとが混在した混
在膜がシリコン基板表面に形成されていることが判る.
これに対して、この実施例に従って作製した試料では、
回折角2θ−43.3″″でのみX線回折強度のピーク
が検出されており、したがってこの実施例に従って作製
した試料では、シリコン基板表面にc−BNのみを含む
窒化ホウ素膜が形成されていることが判る. また、10g荷重ビッカース硬度は、前記比較用試料で
は4000Hvであったのに対し、この実施例に従って
作製した試料では5500Hvであった.したがって、
この実施例によれば硬度が極めて高い窒化ホウ素膜を形
成することができることが理解される. 〔実施例2〕 上記実施例1において、窒素イオンの照射エネルギーを
5 keVとし、他は同様の条件でシリコン基板表面に
窒化ホウ素膜を形成した試料を作製した.また、同様な
条件で水素イオンの照射を行わずにシリコン基板表面に
窒化ホウ素膜を形成した比較用試料を作製した. この2つの試料に関してX線回折による分析を行ったと
ころ、上記比較用試料では回折角2θ一43.9°,4
3.3’の2点でX線回折強度のピークが検出されたの
に対し、この実施例に従って作製した試料では、回折角
2θ= 4 3. 3 ”でのみそのピークが検出され
た.また、10g荷重ビッカース硬度を測定したところ
、上記比較用試料では3950Hvであったのに対し、
この実施例に従って作製した試料では5800Hvであ
った。
素化合物イオン.不活性ガスイオン.および水素イオン
の加速エネルギーは、0.1〜50keVとされるのが
好ましく、より好ましくは0.2〜20keVとされる
のがよい.加速エネルギーが0.1keV未満であると
きには、窒化ホウ素膜を基体1に対して充分強固に密着
させることができず、また2QkeV以上の加速工不ル
ギーを有するイオンを照射すると、窒化ホウ素膜中にc
−BNが形成されにくくなる. さらに、窒素イオン,窒素化合物イオン,または不活性
ガスイオンの照射IXに対する水素イオンの照射i1Y
の比(X/Y)は、0.1〜lOOに選ばれるのがよく
、より好ましくは0.5〜10の範囲に選ばれるのがよ
い.この比(X/Y)が、0.1〜100の範囲から逸
脱すると、c−BNが形成されにくくなる. また、蒸発lfI3からホウ素を含む吻貿を莫発させ、
イオン源4から窒素イオンを含むイオンを照射する場合
に、基体1の表面におけるホウ素原子と窒素原子との比
(B/N)は0. 1〜60の範囲に選ばれるのが好ま
しく、より好ましくは0.5〜40に選ばれるのがよい
.この比(B/N)が、0.1〜60の範囲から逸脱す
ると、c−BNが形成されにくくなる. 〔実施例1〕 第1図に示された構成において、基体1としてシリコン
基板を用い、このシリコン基板表面に対して蒸発fl3
からの金属ホウ素の蒸着と同時にイオン源4から窒素イ
オンの照射を行って窒化ホウ素膜を堆積させ、この窒化
ホウ素膜の堆積と同時にイオン源5から水素イオンを照
射して、前記シリコン基板表面に膜厚3000人の窒化
ホウ素膜を形成した試料を作製した.このとき窒素イオ
ンおよび水素イオンの各加速エネルギーは0.2keV
とし、また基板表面でのホウ素原子と窒素原子との比(
B/N)を1とし、水素イオンと窒素イオンとの照射量
の比(水素イオン/窒素イオン)を0.5とした.また
比較のために、水素イオンの照射を行わず、他は前述と
同様な条件で比較用試料を作製した. 上記2つの試料に関して、X線回折による分析を行った
ところ、上記比較用試料では回折角2θ−43.9’,
43.3゜の2点でX線回折強度のピークが検出された
.回折角2θ= 4 3. 9°での回折ピークはh−
BNの存在を表し、回折角2θ=4 3. 3 ”での
回折ピークはc−BNの存在を表している.したがって
上記比較用試料ではc−BNとh−BNとが混在した混
在膜がシリコン基板表面に形成されていることが判る.
これに対して、この実施例に従って作製した試料では、
回折角2θ−43.3″″でのみX線回折強度のピーク
が検出されており、したがってこの実施例に従って作製
した試料では、シリコン基板表面にc−BNのみを含む
窒化ホウ素膜が形成されていることが判る. また、10g荷重ビッカース硬度は、前記比較用試料で
は4000Hvであったのに対し、この実施例に従って
作製した試料では5500Hvであった.したがって、
この実施例によれば硬度が極めて高い窒化ホウ素膜を形
成することができることが理解される. 〔実施例2〕 上記実施例1において、窒素イオンの照射エネルギーを
5 keVとし、他は同様の条件でシリコン基板表面に
窒化ホウ素膜を形成した試料を作製した.また、同様な
条件で水素イオンの照射を行わずにシリコン基板表面に
窒化ホウ素膜を形成した比較用試料を作製した. この2つの試料に関してX線回折による分析を行ったと
ころ、上記比較用試料では回折角2θ一43.9°,4
3.3’の2点でX線回折強度のピークが検出されたの
に対し、この実施例に従って作製した試料では、回折角
2θ= 4 3. 3 ”でのみそのピークが検出され
た.また、10g荷重ビッカース硬度を測定したところ
、上記比較用試料では3950Hvであったのに対し、
この実施例に従って作製した試料では5800Hvであ
った。
〔発明の効果]
以上のようにこの発明の窒化ホウ素膜の形成方法によれ
ば、基体と窒化ホウ素膜との界面では、基体に蒸着され
るホウ素を含む物質が基体表面に向けて照射されるイオ
ンによって基体の内部に押し込まれ、また前記照射され
るイオンが基体内に.侵入することにより、基体の材料
と前記ホウ素を含む物質と前記照射されるイオンとが混
合した混合層が形成される.この混合層の働きによって
、窒化ホウ素膜は基体に対して強固に密着して形成され
ることになる. 基体表面に堆積された窒化ホウ素膜には、水素イオンが
照射されるが、この水素イオンは、前記窒化ホウ素腹中
でのc−BNの生成を促進し、さらに窒化ホウ素膜中に
存在するc−BN以外のものを除去する働きを有し、こ
れによって、基体表面にはc−BNの割合が極めて大き
い窒化ホウ素膜が形成されることになる.したがうて、
膜の特性がc−BNにより支配されるようになり、熱伝
導率.硬度,耐熱性,耐摩耗性,および絶縁性に優れた
窒化ホウ素膜を基体表面に形成することができるように
なる。
ば、基体と窒化ホウ素膜との界面では、基体に蒸着され
るホウ素を含む物質が基体表面に向けて照射されるイオ
ンによって基体の内部に押し込まれ、また前記照射され
るイオンが基体内に.侵入することにより、基体の材料
と前記ホウ素を含む物質と前記照射されるイオンとが混
合した混合層が形成される.この混合層の働きによって
、窒化ホウ素膜は基体に対して強固に密着して形成され
ることになる. 基体表面に堆積された窒化ホウ素膜には、水素イオンが
照射されるが、この水素イオンは、前記窒化ホウ素腹中
でのc−BNの生成を促進し、さらに窒化ホウ素膜中に
存在するc−BN以外のものを除去する働きを有し、こ
れによって、基体表面にはc−BNの割合が極めて大き
い窒化ホウ素膜が形成されることになる.したがうて、
膜の特性がc−BNにより支配されるようになり、熱伝
導率.硬度,耐熱性,耐摩耗性,および絶縁性に優れた
窒化ホウ素膜を基体表面に形成することができるように
なる。
Claims (1)
- ホウ素を含む物質の蒸着と、窒素イオン、窒素化合物イ
オン、および不活性ガスイオンのなかの少なくとも1種
のイオンの照射と、水素イオンの照射とを併用して、基
体表面に窒化ホウ素膜を形成することを特徴とする窒化
ホウ素膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1056676A JP2850352B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 窒化ホウ素膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1056676A JP2850352B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 窒化ホウ素膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02236269A true JPH02236269A (ja) | 1990-09-19 |
JP2850352B2 JP2850352B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=13034027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1056676A Expired - Fee Related JP2850352B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 窒化ホウ素膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2850352B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS582022A (ja) * | 1981-06-27 | 1983-01-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成方法 |
JPS60169559A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 高硬度窒化ホウ素膜の製法 |
-
1989
- 1989-03-07 JP JP1056676A patent/JP2850352B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS582022A (ja) * | 1981-06-27 | 1983-01-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成方法 |
JPS60169559A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 高硬度窒化ホウ素膜の製法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2850352B2 (ja) | 1999-01-27 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |