JPH02232625A - カイラルスメクチック液晶素子ユニットおよびカイラルスメクチック液晶パネルの支持方法 - Google Patents
カイラルスメクチック液晶素子ユニットおよびカイラルスメクチック液晶パネルの支持方法Info
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- JPH02232625A JPH02232625A JP1052878A JP5287889A JPH02232625A JP H02232625 A JPH02232625 A JP H02232625A JP 1052878 A JP1052878 A JP 1052878A JP 5287889 A JP5287889 A JP 5287889A JP H02232625 A JPH02232625 A JP H02232625A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133308—Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ca業上の利用分野]
本発明は、液晶表示や液晶一光シャッター等で用いる強
誘電性液晶素子ユニットおよび強認電性液晶パネルの支
持方法に関し、詳しくは配向の均一性を著しく向上させ
、液晶ユニットの耐久性を向上させ、かつ暗状態と明状
態のコントラストを向上させることのできる強誘電性液
晶素子ユニットおよび強誘電性液晶パネルの支持方法に
関する. [従来技術] 強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用して、偏光嵩子
との組み合せにより透過光線を制御する型の表示素子が
クラーク(Clark)及びラガーウオル( Laga
r胃all)により提案されている(特開昭56−10
7216号公報、米国特許第4367924号明細書等
).この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域において
カイラルスメクチックC相(Syn″C)またはH相(
Sm″H)を有し、バルク状態でらせん配列構造を生じ
るカイラルスメクチックCまたはH相の温度下の液晶を
、らせん配列構造の形成を抑!IIIするのに十分に小
さい距離に設定した一対の基板間隔に配置させたもので
ある.このように構成することにより、強誘電性液晶は
双安定性配向状態となり、加えられる電界に応答して第
1の光学的安定状態と第2の光学的安定状態のいずれか
を取る.そして、電界の印加のないときはその状態を維
持するメモリー特性を有し、また電界の変化に対して高
速応答特性を有するため、高速ならびに記憶型の表示素
子としての広い利用が期待されている. [発明が解決しようとする課1!!!]ところで、この
ような双安定性配向状態を生じた強誘電性スメクチック
液晶を用いた光学変調素子が製品として前述のメモリー
特性および高速応答特性を発揮するためには、双安定性
配向状態が安定に均一に存在し、かつ素子としての耐久
性に優れている必要があった. しかしながら、上述の双安定性配向状態の強話電性スメ
クチック液晶素子は、その配向状態が均一であることか
ら、液晶分子が高い秩序度の配列を生じている.そして
、この液晶分子の高い秩序度の配列状態は、セル外郎か
らの応力、例えば衝撃力や歪み力に対しては、もろい性
質をもっており、かかる力が印加された時には液晶分子
の配列状態に乱れを生じ、代表的にはサンデツド・テク
スチ? − ( sanded textura)を発
生する。衝撃力によるサンデッド・テクスチャーの発生
は、例えば^.Tsuboyamaそのほかの米国特許
第4874839号で明らかにされている. そこで本発明の目的は、衝撃または歪みに対して強い安
定度を示す均一な双安定性配内状態の強誘電性スメクチ
ック液晶素子ユニットおよび強誦電性液晶パネルの支持
方法を提供することにある. [課題を解決するための手段および作用]上記の目的を
達成するため、本発明は、強読電性液晶パネルを支持し
組み込んだ強屈電性液晶素子ユニットにおいて、そのS
m″C相の層の法線方向と交わってでき゛る鋭角θ1が
、 03≦θ, <25@ になるような2辺以上で支持することを特徴上する.ま
た、本発明に係る強誘電性液晶パネルの支持方法は、同
様に、強誘電性液晶を用いた液晶パネルのSm″C相の
液晶層の法線方向と交わってできる鋭角θ1が 01≦θ, <25’ となるような2辺で液晶パネルを支持することを特徴と
する. この鋭角θ1は0゜≦θ1〈15゜が好ましく、ざらに
θINO°好ましい. 以下、図面を用いて本発明を詳しく説明する.先ず本発
明者らは、前述の問題点に対して実験検討を行ったとこ
ろ以下の点が判明した。
誘電性液晶素子ユニットおよび強認電性液晶パネルの支
持方法に関し、詳しくは配向の均一性を著しく向上させ
、液晶ユニットの耐久性を向上させ、かつ暗状態と明状
態のコントラストを向上させることのできる強誘電性液
晶素子ユニットおよび強誘電性液晶パネルの支持方法に
関する. [従来技術] 強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用して、偏光嵩子
との組み合せにより透過光線を制御する型の表示素子が
クラーク(Clark)及びラガーウオル( Laga
r胃all)により提案されている(特開昭56−10
7216号公報、米国特許第4367924号明細書等
).この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域において
カイラルスメクチックC相(Syn″C)またはH相(
Sm″H)を有し、バルク状態でらせん配列構造を生じ
るカイラルスメクチックCまたはH相の温度下の液晶を
、らせん配列構造の形成を抑!IIIするのに十分に小
さい距離に設定した一対の基板間隔に配置させたもので
ある.このように構成することにより、強誘電性液晶は
双安定性配向状態となり、加えられる電界に応答して第
1の光学的安定状態と第2の光学的安定状態のいずれか
を取る.そして、電界の印加のないときはその状態を維
持するメモリー特性を有し、また電界の変化に対して高
速応答特性を有するため、高速ならびに記憶型の表示素
子としての広い利用が期待されている. [発明が解決しようとする課1!!!]ところで、この
ような双安定性配向状態を生じた強誘電性スメクチック
液晶を用いた光学変調素子が製品として前述のメモリー
特性および高速応答特性を発揮するためには、双安定性
配向状態が安定に均一に存在し、かつ素子としての耐久
性に優れている必要があった. しかしながら、上述の双安定性配向状態の強話電性スメ
クチック液晶素子は、その配向状態が均一であることか
ら、液晶分子が高い秩序度の配列を生じている.そして
、この液晶分子の高い秩序度の配列状態は、セル外郎か
らの応力、例えば衝撃力や歪み力に対しては、もろい性
質をもっており、かかる力が印加された時には液晶分子
の配列状態に乱れを生じ、代表的にはサンデツド・テク
スチ? − ( sanded textura)を発
生する。衝撃力によるサンデッド・テクスチャーの発生
は、例えば^.Tsuboyamaそのほかの米国特許
第4874839号で明らかにされている. そこで本発明の目的は、衝撃または歪みに対して強い安
定度を示す均一な双安定性配内状態の強誘電性スメクチ
ック液晶素子ユニットおよび強誦電性液晶パネルの支持
方法を提供することにある. [課題を解決するための手段および作用]上記の目的を
達成するため、本発明は、強読電性液晶パネルを支持し
組み込んだ強屈電性液晶素子ユニットにおいて、そのS
m″C相の層の法線方向と交わってでき゛る鋭角θ1が
、 03≦θ, <25@ になるような2辺以上で支持することを特徴上する.ま
た、本発明に係る強誘電性液晶パネルの支持方法は、同
様に、強誘電性液晶を用いた液晶パネルのSm″C相の
液晶層の法線方向と交わってできる鋭角θ1が 01≦θ, <25’ となるような2辺で液晶パネルを支持することを特徴と
する. この鋭角θ1は0゜≦θ1〈15゜が好ましく、ざらに
θINO°好ましい. 以下、図面を用いて本発明を詳しく説明する.先ず本発
明者らは、前述の問題点に対して実験検討を行ったとこ
ろ以下の点が判明した。
第1図は、この実験で用いた強誘電性液晶セルの1列を
模式的に描いたものである。同図の構造の液晶パネルを
本発明に係る支持方法または別の支持方法で支持しその
強度等を測定した.同図において、llaとI1bはそ
れぞれIn20,やI T O (Indium Ti
n Oxide)等のストライブ状透明電極12aと1
2bが被覆された基板(ガラス板)であり、その基板上
に200人〜1000人厚の絶縁膜13aと13b(S
iO2膜、T i O s膜、Ta20@膜等)および
ポリイミド、ボリアミド、ポリエステル等で形成した5
0人〜1000人厚の配向制御腹14aと14bとがそ
れぞれ積層されている. 配向制御膜14aと14bとはそれぞれ図の矢印Ra方
向(ストライブ状電極12aの方向(紙面の左右方向)
と平行な方向)および矢印Rb方向(ストライブ状電極
12bの方向(紙面に垂直な方向)に垂直な方向)にラ
ビング処理されており、またラビング処理の方向が平行
かつ同一向き(矢印Ra,Rb方向)になるように配置
されている.基板flaとllbとの間には、強訝電性
スメクチック液晶15が配置されている.基板11aと
llbとの間の距離は強話電性スメクチック液晶15の
らせん配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい距I
II(例えば0.1 lim 〜3 μrn)に設定さ
れており、強誘電性スメクチック液晶15は双安定性配
向状態を生じている.上述の十分に小さい距離は基板1
1aと11bとの間に配置したビーズスベーサ−16(
シリカビーズまたはアルミナビーズ)によって保持され
る.17&は偏光子(バックライト側の偏光板)、17
bは検光子(表示側の偏光板)である. 第2図〜第4図は、上述の構造の強誘電性液晶パネルを
それぞれ別々の支持方法で支持したものである.第2図
は本発明に係る支持方法を用いたもので、Sm’ C層
の法線方向に対して平行な2辺でパネルを支持するもの
である。また、第3図はSm″C層の法線方向に対して
垂直な2辺でパネルを支持するもの、第4図はSm*C
層の法線方向に対して垂直および平行な4辺でパネルを
支持するものである.これらの図において、21は液晶
パネル、22は液晶層の方向、23は液晶層の法東方向
を示す矢印、24はラビング方向を示す矢印である. 本発明者らはかかる第2図、第3図および第4図に示す
支持方法で液晶パネルを支持した液晶ユニットに対し落
下耐久試験機(吉田精機社製、商品名rDT−504
)による衝撃耐久試験を行なウた.この際、落下’11
Mはそれぞれ20Gから10Gずつ増加させて試験を行
なった.その結果、第3図に示した支持方法によるもの
ではパネル上15Gの落下衝撃にて液晶に配向の劣化(
サンデッド・テクスチャー)が生じた.第5図(a)は
衝撃を加える前の液晶の配向状態を示す写真、第5図(
b)は衝箪を加えサンデット・テクスチャーになった部
分の液晶の配内状態を示す写真である。
模式的に描いたものである。同図の構造の液晶パネルを
本発明に係る支持方法または別の支持方法で支持しその
強度等を測定した.同図において、llaとI1bはそ
れぞれIn20,やI T O (Indium Ti
n Oxide)等のストライブ状透明電極12aと1
2bが被覆された基板(ガラス板)であり、その基板上
に200人〜1000人厚の絶縁膜13aと13b(S
iO2膜、T i O s膜、Ta20@膜等)および
ポリイミド、ボリアミド、ポリエステル等で形成した5
0人〜1000人厚の配向制御腹14aと14bとがそ
れぞれ積層されている. 配向制御膜14aと14bとはそれぞれ図の矢印Ra方
向(ストライブ状電極12aの方向(紙面の左右方向)
と平行な方向)および矢印Rb方向(ストライブ状電極
12bの方向(紙面に垂直な方向)に垂直な方向)にラ
ビング処理されており、またラビング処理の方向が平行
かつ同一向き(矢印Ra,Rb方向)になるように配置
されている.基板flaとllbとの間には、強訝電性
スメクチック液晶15が配置されている.基板11aと
llbとの間の距離は強話電性スメクチック液晶15の
らせん配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい距I
II(例えば0.1 lim 〜3 μrn)に設定さ
れており、強誘電性スメクチック液晶15は双安定性配
向状態を生じている.上述の十分に小さい距離は基板1
1aと11bとの間に配置したビーズスベーサ−16(
シリカビーズまたはアルミナビーズ)によって保持され
る.17&は偏光子(バックライト側の偏光板)、17
bは検光子(表示側の偏光板)である. 第2図〜第4図は、上述の構造の強誘電性液晶パネルを
それぞれ別々の支持方法で支持したものである.第2図
は本発明に係る支持方法を用いたもので、Sm’ C層
の法線方向に対して平行な2辺でパネルを支持するもの
である。また、第3図はSm″C層の法線方向に対して
垂直な2辺でパネルを支持するもの、第4図はSm*C
層の法線方向に対して垂直および平行な4辺でパネルを
支持するものである.これらの図において、21は液晶
パネル、22は液晶層の方向、23は液晶層の法東方向
を示す矢印、24はラビング方向を示す矢印である. 本発明者らはかかる第2図、第3図および第4図に示す
支持方法で液晶パネルを支持した液晶ユニットに対し落
下耐久試験機(吉田精機社製、商品名rDT−504
)による衝撃耐久試験を行なウた.この際、落下’11
Mはそれぞれ20Gから10Gずつ増加させて試験を行
なった.その結果、第3図に示した支持方法によるもの
ではパネル上15Gの落下衝撃にて液晶に配向の劣化(
サンデッド・テクスチャー)が生じた.第5図(a)は
衝撃を加える前の液晶の配向状態を示す写真、第5図(
b)は衝箪を加えサンデット・テクスチャーになった部
分の液晶の配内状態を示す写真である。
本発明者らは落下衝撃後、第5図(b)の写真に示す配
向劣化を生じた部分に第6図に示すマルチブレクシング
方式による書き込みをフレーム周波数10KHzで行っ
た.しかし、全くスイッチングせず完全に双安定性を失
なっていた.次に第4図に示した支持方法によるもので
は、パネル上30Gの落下衝撃にて配向の劣化(サンデ
ッド・テクスチャー)が生じた. 第2図に示した本発明に係る支持方法によるものではパ
ネル上90Gの落下衝撃を加えても配向の劣化が生じな
かった.そして、このパネルに対して第6図に示すマル
チブレクシング方式による書き込みをフレーム周波数1
0KHzにて行ったが、良好なスイッチング特性を示し
た.[実施例] 以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する. 五妻しI± 先ず、2枚の20(lma+ X200■, 1.1m
s厚のガラス板を用意し、それぞれのガラス板上にIT
Oのストライブ状電極(第1図付番12a,f2b)を
形成した.この基板にモリブデンで形成したメタル配線
を第1図の低抵抗接続線13a,t3bのようにITO
電極と画素間にまたがって1000人の厚みで形成した
.さらに、上下電極のショート防止層としてS102を
スバッタ法により500人の厚みで形成した. その上にアミノシランo.nx P A (イソブロビ
ルアルコールン溶液を回転数2000rpmのスビンナ
ーで15秒間塗布し、150℃で焼成後、ポリイミド形
成液(東レ社製、SP510)2%溶液(NMP :
nプチルセロソルブ=2:1)を回転数300Orpm
のスビンナーで30秒間塗布した.成膜後、300℃で
約1時間加熱焼成処理を施してポリイミド配向膜(第1
図付番14a,14b)を形成した.この塗膜の膜厚は
200人のポリイミド膜であった. 次に、一方のガラス板(第1図の第1の基板11a)に
は、焼成後のポリイミドの被flJ 1 4 aに対し
て第1図矢印Ra方向にラビング処理を施した.そして
、他方のガラス板(第1図の第2の基板11b)には、
焼成後のポリイミド被1l14bに対して第1図矢印R
b方向にラビング処理を施した. しかる後、平均粒径約1.5μmのアルミナビーズ(第
1図付番16)を一方のガラス板上に散布した後、それ
ぞれのラビング処理軸およびその方向がNl図のような
平行ラビングとなるように一方と他方のガラス板をはり
合わせ液晶セルを作成した.このセルのセル厚をベレッ
ク位相板(位相差による測定)によって測定したところ
、約1.5μm厚であった.このセル内にチッソ(株)
社製r c S l014J (商品名)を等方相下
で真空注入してから、等方相から0.5℃/hで60℃
まで除冷することにより配向させることができた.以後
の実験は25℃で行った. なお、前述したrcs−1014J (商品名)の相
変化は下記のとおりであった. −21t 54.4 ℃ 69.1℃
80.5℃Cry. 一−−*S+*”C−−−*S*
^ 一− →Ch7−−* Iso(Sm^;スメクチ
ックA相、Ch; コレステリツク相Iso H等方
相を示す). 直交ニコル下でこの液晶セルを観察すると、様で欠陥の
ない非らせん構造のカイラルスメクチックC相を形成し
たモノドメインが得られていた. また、この液晶素子を60℃に保温してSmAの配向状
態にし、直交クロスニコルにした偏光顕微鏡観察下、S
mAの状態で液晶分子が層に直角方向に並ぶことを利用
して層の方向を測定した。
向劣化を生じた部分に第6図に示すマルチブレクシング
方式による書き込みをフレーム周波数10KHzで行っ
た.しかし、全くスイッチングせず完全に双安定性を失
なっていた.次に第4図に示した支持方法によるもので
は、パネル上30Gの落下衝撃にて配向の劣化(サンデ
ッド・テクスチャー)が生じた. 第2図に示した本発明に係る支持方法によるものではパ
ネル上90Gの落下衝撃を加えても配向の劣化が生じな
かった.そして、このパネルに対して第6図に示すマル
チブレクシング方式による書き込みをフレーム周波数1
0KHzにて行ったが、良好なスイッチング特性を示し
た.[実施例] 以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する. 五妻しI± 先ず、2枚の20(lma+ X200■, 1.1m
s厚のガラス板を用意し、それぞれのガラス板上にIT
Oのストライブ状電極(第1図付番12a,f2b)を
形成した.この基板にモリブデンで形成したメタル配線
を第1図の低抵抗接続線13a,t3bのようにITO
電極と画素間にまたがって1000人の厚みで形成した
.さらに、上下電極のショート防止層としてS102を
スバッタ法により500人の厚みで形成した. その上にアミノシランo.nx P A (イソブロビ
ルアルコールン溶液を回転数2000rpmのスビンナ
ーで15秒間塗布し、150℃で焼成後、ポリイミド形
成液(東レ社製、SP510)2%溶液(NMP :
nプチルセロソルブ=2:1)を回転数300Orpm
のスビンナーで30秒間塗布した.成膜後、300℃で
約1時間加熱焼成処理を施してポリイミド配向膜(第1
図付番14a,14b)を形成した.この塗膜の膜厚は
200人のポリイミド膜であった. 次に、一方のガラス板(第1図の第1の基板11a)に
は、焼成後のポリイミドの被flJ 1 4 aに対し
て第1図矢印Ra方向にラビング処理を施した.そして
、他方のガラス板(第1図の第2の基板11b)には、
焼成後のポリイミド被1l14bに対して第1図矢印R
b方向にラビング処理を施した. しかる後、平均粒径約1.5μmのアルミナビーズ(第
1図付番16)を一方のガラス板上に散布した後、それ
ぞれのラビング処理軸およびその方向がNl図のような
平行ラビングとなるように一方と他方のガラス板をはり
合わせ液晶セルを作成した.このセルのセル厚をベレッ
ク位相板(位相差による測定)によって測定したところ
、約1.5μm厚であった.このセル内にチッソ(株)
社製r c S l014J (商品名)を等方相下
で真空注入してから、等方相から0.5℃/hで60℃
まで除冷することにより配向させることができた.以後
の実験は25℃で行った. なお、前述したrcs−1014J (商品名)の相
変化は下記のとおりであった. −21t 54.4 ℃ 69.1℃
80.5℃Cry. 一−−*S+*”C−−−*S*
^ 一− →Ch7−−* Iso(Sm^;スメクチ
ックA相、Ch; コレステリツク相Iso H等方
相を示す). 直交ニコル下でこの液晶セルを観察すると、様で欠陥の
ない非らせん構造のカイラルスメクチックC相を形成し
たモノドメインが得られていた. また、この液晶素子を60℃に保温してSmAの配向状
態にし、直交クロスニコルにした偏光顕微鏡観察下、S
mAの状態で液晶分子が層に直角方向に並ぶことを利用
して層の方向を測定した。
その結果、ラビング方向に直角であることが確認された
。
。
次に、このように作成した強訪電性液晶パネルを第7図
に示すようにSm”C相の層の法線方向と交わってでき
る鋭角がθl=0゜になるような2辺で筐体に固定して
液晶素子ユニットを作製した.同図(a)はこの液晶素
子ユニットの斜視図、同図(b)は液晶層の法線方向と
液晶パネルの支持方向を示す上面図である.これらの図
において、31はアルミ筐体、32はゴム板、33は固
定ネジ、34は液晶パネルの支持方向を示す矢印である
. このような液晶素子ユニットに対し、上述したのと同様
な落下i撃試験を行ったところ、100Gの落下itに
て配向劣化(サンデッド・テクスチャー)が生じた.し
かしながら、90Gの落下衝撃では全く配向の劣化はみ
られなかった.え五里ユ 次に、ラビング処理の方向を25゜傾けた他は実施例1
と全く同様の方法で液晶セルを作成した.また、この液
晶素子を60℃に保温し、SmAの配向状態にし、直交
クロスニフルにした偏光顕微鏡観察下、SmAの状態で
液晶分子が1に直角方向に並ぶことを利用して層の方向
を測定した.その結果、ラビング方向に直角であること
が確認された. 次に、このように作成した強誘電性液晶パネルを第8図
に示すようにSm*C相の液晶層の法線方向と交わって
できる鋭角が01=25゜になるような2辺で筐体に固
定して液晶素子ユニットを作製した.同図(a)はこの
液晶素子ユニットの斜視図、同図(b)は液晶層の法線
方向と液晶バネルの支持方向を示す上面図である.付番
は第7図と共通とする. このような液晶素子ユニットに対し、上述したのと同様
な落下衝撃試験を行ったところ、50Gの落下衝撃にて
配向劣化(サンデッド・テクスチャー)が生じた. 比j口11 セルの固定法を第9図のように、Sm”C相の液晶層の
法線方向と交わってできる鋭角がθ窩90゜になるよう
に2辺で支持した以外は実施例1と全く同様の方法で液
晶素子ユニットを作成し実施例lと同様のテストを行フ
た. 落下衝撃試験を行ったところ15Gの落下iiにて配向
劣化(サンデットテクスチャー)が生じた. ル』口Iユ 次に、ラビング処理の方向を65゜傾けた他は実施例1
と全く同様の方法で液晶セルを作成した.また、この液
晶素子を60℃に保温し、SmAの配向状態にし、直交
クロスニフルにした偏光顕@鏡観察下、Srr+Aの状
態で液晶分子が層に直角方向に並ぶことを利用して層の
方向を測定した.その結果、ラビング方向に直角である
ことが確認された. 次に、このように作成した強誘電性液晶パネルを第10
図に示すようにSm″C相の液晶層の法線方向と交わっ
てできる鋭角がθl;65゜になるような2辺で筐体に
固定して液晶素子ユニットを作製した. このような液晶素子ユニットに対し、上述したのと同様
な落下衝撃試験を行ったところ、16Gの落下衝撃にて
配向劣化(サンデッド・テクスチャー)が生じた. [発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、強誘電性液晶を
用いた液晶パネルのSm’ C相の液晶層の法線方向と
交わってで牲る鋭角θ1を所定の範囲に収めているので
、支持衝撃または歪みに対して強い安定度を示す均一な
双安定性配向状態の強誘電性スメクチック液晶素子ユニ
ットおよび強誘電性液晶パネルの支持方法が提供される
.
に示すようにSm”C相の層の法線方向と交わってでき
る鋭角がθl=0゜になるような2辺で筐体に固定して
液晶素子ユニットを作製した.同図(a)はこの液晶素
子ユニットの斜視図、同図(b)は液晶層の法線方向と
液晶パネルの支持方向を示す上面図である.これらの図
において、31はアルミ筐体、32はゴム板、33は固
定ネジ、34は液晶パネルの支持方向を示す矢印である
. このような液晶素子ユニットに対し、上述したのと同様
な落下i撃試験を行ったところ、100Gの落下itに
て配向劣化(サンデッド・テクスチャー)が生じた.し
かしながら、90Gの落下衝撃では全く配向の劣化はみ
られなかった.え五里ユ 次に、ラビング処理の方向を25゜傾けた他は実施例1
と全く同様の方法で液晶セルを作成した.また、この液
晶素子を60℃に保温し、SmAの配向状態にし、直交
クロスニフルにした偏光顕微鏡観察下、SmAの状態で
液晶分子が1に直角方向に並ぶことを利用して層の方向
を測定した.その結果、ラビング方向に直角であること
が確認された. 次に、このように作成した強誘電性液晶パネルを第8図
に示すようにSm*C相の液晶層の法線方向と交わって
できる鋭角が01=25゜になるような2辺で筐体に固
定して液晶素子ユニットを作製した.同図(a)はこの
液晶素子ユニットの斜視図、同図(b)は液晶層の法線
方向と液晶バネルの支持方向を示す上面図である.付番
は第7図と共通とする. このような液晶素子ユニットに対し、上述したのと同様
な落下衝撃試験を行ったところ、50Gの落下衝撃にて
配向劣化(サンデッド・テクスチャー)が生じた. 比j口11 セルの固定法を第9図のように、Sm”C相の液晶層の
法線方向と交わってできる鋭角がθ窩90゜になるよう
に2辺で支持した以外は実施例1と全く同様の方法で液
晶素子ユニットを作成し実施例lと同様のテストを行フ
た. 落下衝撃試験を行ったところ15Gの落下iiにて配向
劣化(サンデットテクスチャー)が生じた. ル』口Iユ 次に、ラビング処理の方向を65゜傾けた他は実施例1
と全く同様の方法で液晶セルを作成した.また、この液
晶素子を60℃に保温し、SmAの配向状態にし、直交
クロスニフルにした偏光顕@鏡観察下、Srr+Aの状
態で液晶分子が層に直角方向に並ぶことを利用して層の
方向を測定した.その結果、ラビング方向に直角である
ことが確認された. 次に、このように作成した強誘電性液晶パネルを第10
図に示すようにSm″C相の液晶層の法線方向と交わっ
てできる鋭角がθl;65゜になるような2辺で筐体に
固定して液晶素子ユニットを作製した. このような液晶素子ユニットに対し、上述したのと同様
な落下衝撃試験を行ったところ、16Gの落下衝撃にて
配向劣化(サンデッド・テクスチャー)が生じた. [発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、強誘電性液晶を
用いた液晶パネルのSm’ C相の液晶層の法線方向と
交わってで牲る鋭角θ1を所定の範囲に収めているので
、支持衝撃または歪みに対して強い安定度を示す均一な
双安定性配向状態の強誘電性スメクチック液晶素子ユニ
ットおよび強誘電性液晶パネルの支持方法が提供される
.
第1図は、強誘電性液晶セルの構造を示す模式図、
!2図〜第4図は、第1図の構造の強話電性液晶パネル
をそれぞれの支持方法で支持した液晶素子ユニットを示
す斜視図、 第5図は、衝撃を加える前後の粒子構造(液晶の配向状
態)を示す写真、 第6図は、マルチブレクシング方式による液晶パネルへ
の書き込み波形図、 第7図〜第10図は、液晶層の法線方向と交わってでき
る鋭角がそれぞれθ富=0゜ θ,=25゜ θ,−9
0゜またはθ,=65°になるような2辺で筐体に固定
した液晶素子ユニットの斜視図および上面図である. 11a,llb:基板、 12a.12b:透明電極、 14a.14b:配向膜、 5:強屈電性液晶、 7a:偏光子、 7b=検光子、 1;液晶パネル、 2:層の方向、 3層の法線方向、 4,Ra,Rb:ラビング方向、 1アルミ筐体、 2:ゴム板、 3:固定ネジ. 17a
をそれぞれの支持方法で支持した液晶素子ユニットを示
す斜視図、 第5図は、衝撃を加える前後の粒子構造(液晶の配向状
態)を示す写真、 第6図は、マルチブレクシング方式による液晶パネルへ
の書き込み波形図、 第7図〜第10図は、液晶層の法線方向と交わってでき
る鋭角がそれぞれθ富=0゜ θ,=25゜ θ,−9
0゜またはθ,=65°になるような2辺で筐体に固定
した液晶素子ユニットの斜視図および上面図である. 11a,llb:基板、 12a.12b:透明電極、 14a.14b:配向膜、 5:強屈電性液晶、 7a:偏光子、 7b=検光子、 1;液晶パネル、 2:層の方向、 3層の法線方向、 4,Ra,Rb:ラビング方向、 1アルミ筐体、 2:ゴム板、 3:固定ネジ. 17a
Claims (4)
- (1)強誘電性液晶を用いた液晶パネルと、該強誘電性
液晶のSm^*C相の液晶層の法線方向と交わってでき
る鋭角θ_1が 0°≦θ_1<25° となるような2辺で、上記液晶パネルを支持する手段と を具備することを特徴とする強誘電性液晶素子ユニット
。 - (2)前記鋭角θ_1が 0°≦θ_1<15° である請求項1に記載の強誘電性液晶素子ユニット。
- (3)前記鋭角θ_1が θ_1=0° である請求項1に記載の強誘電性液晶素子ユニット。
- (4)強誘電性液晶を用いた液晶パネルの Sm^*C相の液晶層の法線方向と交わってできる鋭角
θ_1が 0°≦θ_1<25° となるような2辺で上記液晶パネルを支持することを特
徴とする強誘電性液晶パネルの支持方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1052878A JP2623137B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | カイラルスメクチック液晶素子ユニットおよびカイラルスメクチック液晶パネルの支持方法 |
US07/489,338 US5109294A (en) | 1989-03-07 | 1990-03-06 | Liquid crystal apparatus having a liquid crystal panel and a panel supporting means |
US07/834,987 US5293544A (en) | 1989-03-07 | 1992-02-14 | Liquid crystal apparatus including panel having plural bent layers of liquid crystal molecules |
US08/200,461 US5523872A (en) | 1989-03-07 | 1994-02-23 | Process for assembling a chiral smectic liquid crystal panel with a housing therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02232625A true JPH02232625A (ja) | 1990-09-14 |
JP2623137B2 JP2623137B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=12927140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1052878A Expired - Fee Related JP2623137B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | カイラルスメクチック液晶素子ユニットおよびカイラルスメクチック液晶パネルの支持方法 |
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Country | Link |
---|---|
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Families Citing this family (14)
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---|---|---|---|---|
US5293544A (en) * | 1989-03-07 | 1994-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal apparatus including panel having plural bent layers of liquid crystal molecules |
JP2826772B2 (ja) * | 1991-01-07 | 1998-11-18 | キヤノン株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3076085B2 (ja) * | 1991-04-27 | 2000-08-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶電気光学装置 |
JPH0534697A (ja) * | 1991-07-25 | 1993-02-12 | Canon Inc | 強誘電性液晶表示素子 |
DE69216548T2 (de) * | 1991-10-30 | 1997-07-31 | Canon Kk | Flüssigkristallvorrichtung und Anzeigevorrichtung |
DE69320073T2 (de) * | 1992-01-24 | 1999-02-25 | Canon Kk | Verfahren zur Behandlung einer chiralen smektischen Flüssigkristallvorrichtung |
US5285304A (en) * | 1992-01-24 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device having spacers including the thermosetting adhesive particles and the thermoplastic polymer particles |
US5467209A (en) * | 1992-01-24 | 1995-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device with particular layer thicknesses at non-pixel portions and pixel portions |
JPH05203961A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
JP2942161B2 (ja) * | 1993-12-28 | 1999-08-30 | キヤノン株式会社 | 液晶の配向処理方法、該方法を用いた液晶素子の製造方法、並びに液晶素子 |
US5999157A (en) * | 1995-12-27 | 1999-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Suppressing liquid crystal movement based on the relationship between a display pattern and a driving waveform |
JP3455365B2 (ja) * | 1996-05-24 | 2003-10-14 | シャープ株式会社 | スメクティック液晶素子およびその製造方法 |
US5956010A (en) * | 1996-05-31 | 1999-09-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal apparatus and driving method |
US6670937B1 (en) | 1999-03-01 | 2003-12-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS63123017A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Canon Inc | 液晶素子 |
Family Cites Families (8)
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---|---|---|---|---|
JPS5575679A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-07 | Citizen Watch Co Ltd | Mounting construction for display cell |
US4367924A (en) * | 1980-01-08 | 1983-01-11 | Clark Noel A | Chiral smectic C or H liquid crystal electro-optical device |
JPS60156043A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-16 | Canon Inc | カイラルスメクティック液晶素子 |
JPS6259922A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-16 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
JP2547984B2 (ja) * | 1986-01-07 | 1996-10-30 | セイコーエプソン株式会社 | 投写型表示装置 |
US4820026A (en) * | 1986-03-20 | 1989-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device with modified polyvinyl alcohol alignment film |
DE3684784D1 (de) * | 1986-10-07 | 1992-05-14 | Lagerwall S T Sarl | Vorrichtung fuer submikrosekunden-elektrooptische modulation in der smektischen a-fluessigkristallphase. |
US4906074A (en) * | 1987-09-28 | 1990-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | FLC liquid crystal electro-optical device having microdomains within pixels |
-
1989
- 1989-03-07 JP JP1052878A patent/JP2623137B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-03-06 US US07/489,338 patent/US5109294A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6364022A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
JPS63123017A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Canon Inc | 液晶素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5109294A (en) | 1992-04-28 |
JP2623137B2 (ja) | 1997-06-25 |
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Legal Events
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |