JPH02232577A - 出力回路 - Google Patents

出力回路

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JPH02232577A
JPH02232577A JP1051963A JP5196389A JPH02232577A JP H02232577 A JPH02232577 A JP H02232577A JP 1051963 A JP1051963 A JP 1051963A JP 5196389 A JP5196389 A JP 5196389A JP H02232577 A JPH02232577 A JP H02232577A
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JP
Japan
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output
circuit
test
state
control signal
Prior art date
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JP1051963A
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English (en)
Inventor
Satoshi Tanoi
聡 田野井
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体集積回路の出力回路に関し、さらに詳し
くは直流テストを容易にする機能を備えた出力回路に関
する。
[従来の技術] 一般に、半導体集積回路は相互に接続された入力回路、
内部論理回路及び出力回路から構成されている。
この半導体集禎回路のテストとしては、内部論理回路の
論理機能を確認するa!能テスト及び直流テスト等があ
る。機能テストは半導体集積回路の動作周波数(1〜5
0MHz )又は動作周波数に近い周波数のクロック信
号を半導体集積回路に加えることにより行なう。又、直
流テストは、例えば出力回路の出力がローレベルrLJ
になるように、出力回路への人力信号の論理レベル及び
内部論理回路の状態を設定しておき、一定のシンク電流
条件下で実際の出力回路の論理レベルを測定し、出力回
路の良、不良を判定するテストである。
直流テストは全く別に新たに内部論理回路の状態を設定
する手順が必要なので、機能テストとは手順を別けて別
に行なう。
なお、直流テストはテストする装置の制約等から一つの
出力回路毎に行ない、一つの出力回路のテストに数票S
程度を要する。
ところで、内部論理回路が高集積化、複雑化した今日に
おいては、出力回路がテスト用の論理レベル、即ちハイ
レベル『H』、ローレベルrLJ及びハイインピーダン
スrZJ等を出力するように、内部論理回路の状態を設
定するためには、多くのクロック信号及び複雑な手順が
必要になっている。
この結果、直流テストに要する時間が非常に長くなって
しまう。雪のため、内部論理ロ路の状態に拘らず、出力
回路を任意の論理レベルに設定できる出力回路が提案さ
れている。
第2図は特開昭82−2B94.18号公報に記載され
ている出力回路の回路図である。この出力回路は選択回
路40、出力ドライバ制御回路50及び出力ドライブ回
路60から構成されている。
選択回路40はトライステートインバータ41、42及
びインバータ43から構成されており、テスト制御信号
T。一制御により、内部論理回路(図示せず)からの出
力信号(以下、単に出力信号という)”In及びテスト
専用出力信号TD1nのうち、いずれか一方を出力する
。選択回路40はテスト制御信号” OBがハイレベル
『H』 (又は、ローレベルrLJ )のときは出力信
号T1nを、テスト制御信号ToEがローレベルrLJ
  (又はハイレベル『H」)のときはテスト専用出力
信号TD, nを接続端子Qに出力する。
なお、接続端子Qは接続端子Cがハイインピーダンスで
ない状態のときに、ローレベルrLJの状態又はハイレ
ベルrHJの状態を切り換える信号を入力する端子であ
る。
出力ドライバ制御回路50はN O R 51及び52
から構成されており、テスト制御信号T。E及びリセッ
ト信号RSTに基づいて、接続端子Cからトライステー
ト制御信号D。Eをそのまま出力し、又はトライステー
ト制御信号DoEと無関係にハイレベルrHJ又はロー
レベルrLJを出力するかを制御する。
出力ドライブ回路BOはNAND6L82、インバータ
63、NMOS }ランジスタ64及びNMOS トラ
ンジスタB5から構成されており、選択回路40及び出
力ドライバ制a回路50の制御に従って、出力端子OU
Tにハイレベル『H』、ローレベルrLJ又はハイイン
ピーダンスrZJの3状態のうち、いずれか一つの状態
を出力する。即ち、出力ドライブ回路60はトライステ
ート出力回路である。
このように、従来の出力回路は出方信号Dir+及びト
ライステート1リ御信号D。。を選択回路4o及び出力
ドライバ制御回路50を介して出力ドライブ回路60に
出力するので、内部論理回路の状態に拘らず、3本のテ
スト信号線”Jn’ ” OE及びRSTにより直接、
出力ドライブ回路6oの出力端子OUTをハイレベル『
H』、ローレベルrLJ又はハイインピーダンスrZJ
の状態.1ζ設定できる。
[発明が解決しようとする課題] しかし、上記構成の従来の出力回路は全部で34個のM
OS }ランジスタから構成されている。即ち、トライ
ステートインバータ41及び42が4個、NAND43
が4個、NOR51及び52が3個、NAND81, 
132が3個、インバータB3、B4が4個、出力トラ
ンジスタ65及びB6が1個のMOsトランジスタがら
それぞれ構成されている。このため、出力回路の構成が
複雑になるという問題点があった。
なお、トライステートインバータ41及び42を第3図
に示すように素子数の少ないクロックド・インバー夕で
それぞれ実現するものとして、出力回路の素子数を数え
た。
このように出力回路を構成する素子数が多いことは、特
に多数の入出力回路から構成されているゲートアレイ等
において、集積度の向上を妨げ、又歩留まりを低下させ
る要因になる。
さらに、出力信号D1nは出力端子outに到達するま
でに、4段のゲートを通るので、実際に出力回路を動作
させるときに、動作速度が遅くなるという問題点があっ
た。
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、
素子数が少なく、高速動作が可能な、テストが容易にで
きる出力回路を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明に係る出力回路は、トライステート制御信号及び
第1のテスト制御信号が入力され、ノーマルモードのと
きは、トライステート制御信号を反転出力し、テストモ
ードのときは、ハイレベルの状態を出力するドライバ制
御回路と、内部論理回路からの出力信号、ドライバ制御
回路の反転出力信号及び第2のテスト!1御信号が入力
され、ノーマルモードのときは、出力信号を反転出力し
、テストモードのときは、ローレベルの状態を出力する
第1の複合ゲートと、出力信号、ドライバ制御回路の出
力信号及び第3のテスト制御信号が入力され、ノーマル
モードのときは、出力信号を反転出力し、テストモード
のときは、ハイレベルの状態を出力する第2の複合ゲー
トと、複合ゲート及びの出力が入力され、ノーマルモー
ドのときは、出力信号及びトライステート制御信号に応
じて、ハイレベル、ローレベル及びハイインピーダンス
のうち、いずれか一つの状態を出力し、テストモードの
ときは、第1のテスト制御信号、第2のテスト制御信号
及び第3のテスト制御信号の状態に応じて、ハイレベル
、ローレベル及びハイインピーダンスのうち、いずれか
一つの状態を出力する出力手段とを備えている。
[作 用コ 上記構成の出力回路は、ノーマルモードの場合、ドライ
バ制御回路がトライステート$I1御信号を反転出力し
、第1の複合ゲート及び第2の複合ゲートが出力信号を
反転出力し、出力手段が出力信号及びトライステート制
御信号に応じて、ハイレベル、ローレベル及びハイイン
ピーダンスのいずれか一つの状態を出力する。
又、テストモードの場合、ドライバ制御回路がハイレベ
ルの状態を出力し、第1の複合ゲートがローレベルの状
態を出力し、第2の複合ゲートがハイレベルの状態を出
力し、出力手段が第1のテスト制御信号、第2のテスト
制御信号及び第3のテスト制御信号の状態に応じて、ハ
イレベル、ローレベル及びハイインピーダンスのいずれ
が一つの状態を出力する。
[実施例] 以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して詳細に説
明する。
第1図は本発明の一実施例に係る出力回路の回路図であ
る。本実施例に係る出力回路は第1図に示すように、ド
ライバ制陣回路to及び出力ドライブ回路20から構成
されている。
ドライバ制御回路lOは2人力NANDにより構成され
ており、一方の入力にトライステート制御信号DoEが
、他方の入力にテスト制御信号Qがそれぞれ入力される
ドライバ制御回路10はテスト制御信号Qがハイレベル
rI{Jのときは、トライステート制御信号DoEを反
転して接続端子Cに出力し、テスト制御信MQがローレ
ベルrLJのときは、トライステート制御信号DoEに
無関係に、ハイレベルrHJを接続端子でに出力する。
ドライバ制御回路20は複合ゲート2L. 22、イン
バータ23、PMOS }ランジスタ24及びNMOS
 トランジスタ25から構成されている。
複合ゲート2lは2人力AND及び2人力NORを接続
した構成になっており、一方の入力端子a1に出力信号
plnが入力され、他方の入力端子a2にインバータ2
3を介してドライバ制御回路10の状態が入力される。
さらに、制御端子b1にテスト制御信号Rが入力される
又、複合ゲート22は2人力OR及び2人力NANDを
接続した構成になっており、一方の入力端子C に出力
信号DInが入力され、他方の入力端子C2にドライバ
制御回路10の状態が入力される。
さらに、制御端子d1にテスト制御信号Sが入力される
第4図及び第5図は複合ゲート21及び22の回路図で
ある。なお、これらの回路の動作は周知であるので、そ
の説明は省略する。第4図及び第5図に示すように、複
合ゲート21はローレベルrLJのテスト制御信号Rを
入力にすることにより、NANDとして動作し、複合ゲ
ート22はハイレベルrHJのテスト制御信号Sを入力
にすることにより、NORとして動作することになる。
第6図はテスト制御信号Q..R及びSを出力するテス
ト制御信号発生回路の回路図である。このテスト制御信
号発生回路は2本のテスト制御入力信号TESTO 、
TESTIによってテスト制御信号Q,R及びSを発生
する。
第1表はテスト制御信号発生回路の真理値表である。な
お、テスト制御入力信号TESTO 、TESTIの各
条件に対応する出力回路の動作状態も併せて示す。
第1表 上述したテスト制御信号発生回路を一つ設けることによ
り、複数の出力回路を接続して同時に制御できるので、
集積回路全体の素子数が著しく増えるということがなく
、テストの制御をより単純な信号の組み合わせで行なう
ことができる。
PMOS }ランジスタ24及びNMOS }ランジス
タ25はそれぞれゲート電極に複合ゲート21の出力n
1及び複合ゲート22の出力n2が接続されており、出
力n 及びn2により、それぞれオン・オフ動作をする
又、PMOSトランジスタ24のソース電極は電源電圧
Vccに、NMOSトランジスタ25のソース電極は接
地電位GNDにそれぞれ接続されている。
さらに、PMOS }ランジスタ24及びNMOS }
ランジスタ25はドレイン電極が出力端子outにそれ
ぞれ接続されている。出力端子outは出力回路が良品
であるか否かを示す信号を出力する。
なお、第1図に示した出力回路はドライバ制御回路10
、複合ゲート21を構成するPMOS トランジスタ2
6、NMOS }ランジスタ27及び複合ゲート22を
構成するPMOSトランジスタ28、IIHOS }ラ
ンジスタ29がテスト制御回路として動作する。
次に、第1図に示した出力回路の動作について、第2表
の真理値表を参照して説明する。
第2表 まず、通常の出力回路として動作する場合について説明
する。
第2表の真理値表に示すように、テスト制御信号Q,R
及びSがそれぞれハイレベル『H』、ローレベルrLJ
及びハイレベルrHJのときは、出力回路は通常動作状
態になる。
従って、トライステート制御信号DoEがハイレベルr
HJのときは、内部論理回路の出力信号DInの論理レ
ベルと出力OUTの論理レベルとは同じになる。
又、トライステート制御信号DoEがローレベルrLJ
のときは、出力OUTはハイインピーダンスになる。
次に、出力回路をテストする場合の動作について説明す
る。
端子QがローレベルrLJになると、端子ではトライス
テート制御信号DoEの論理レベルに関わりなくハイレ
ベルrHJになり、出力回路がテスト状態になる。
まず、テスト制御信号R及びSがともにハイレベルrH
Jのときは、複合ゲート21は出力信号D に無関係に
、出力n1がローレベルrLJにIn なり、PMOSトランジスタ24がオンになる。
又、複合ゲート22はC 及びC2を入力とするl 2人力NORとして動作することになり、入力C がハ
イレベルrHJなので、出力信号D r , l:無関
係に出力n2がローレベルrLJになり、NMOSトラ
ンジスタ25がオフになる。
従って、出力OUTはハイレベルrHJになり、ハイレ
ベルrHJのテストができる。
次に、テスト制御信号R及びSがともにローレベルrL
Jのときは、複合ゲート21は人力をah及びa2とす
る2人力NANDとして動作することになり、入力a2
がローレベルrLJなので、出力信号D に無関係に出
力nlがハイレベルIn rHJになり、PMOS}ランジスタ24はオフになる
又、複合ゲート22は入力C2がハイレベルrHJなの
で、出力信号D に無関係に出力n2がハイin レベルrHJになり、NMOSトランジスタ25がオン
になる。
従って、出力OUTはローレベルrLJになり、ローレ
ベルrLJのテストができる。
次に、テスト制御信号R及びSがそれぞれローレベルr
LJ及びハイレベルrHJになると、複合ゲート2lは
a 及びa2を入力とする2人力NANDとして動作す
るとともに、複合ゲート22はC 及びC2を入力とす
る2人力NORとして■ 動作する。
端子でかハイレベルrHJになっているので、複合ゲー
ト2lは内部論理回路の出力信号D1nの論理レベルに
関係なく、出力ntがハイレベルrHJになる。又、複
合ゲート22は出力n2がローレベルrLJになる。
従って、出力OUTはハイインピーダンスrZJになり
、ハイインピーダンスrZJのテストかできる。
このように、複合ゲート21及び複合ゲート22は端子
での論理レベルにより、出力n 及びn2のl 論理レベルが決まり、出力回路はテスト機能がないトラ
イステートドライブ回路と同じ動作をすることになる。
上述したように、出力回路はテストのときは、内部論理
回路に対して完全に独立し、テスト制御信号Q,R及び
SによりハイレベルrHJ 、O−レベルrLJ及びハ
イインピーダンスrZJの各状態のテストができる。
なお、本実施例に係る出力回路はl8トランジスタで構
成され、32トランジスタで構成されている従来の出力
回路に比べて素子数が大幅に減少している。
又、出力信号D1nは2段のゲートを通るだけで出力端
子0υTに到達するので、4段のゲートを通る従来の出
力回路に比べて高速動作が可能になる。
ところで、出力回路のテストを容易にするためには、N
MOSトランジスタ24及びPMOSトランジスタ25
をトライステート制御信号D。E及び出力信号Dlnと
は無関係にオン・オフできればよいことになる。
従来の出力回路は第2図に示すように、テストをしてい
る間に出力ドライブ回路60の接続端子Q及びCをトラ
イステート制御信号D。一び出力信号Dlnとは無関係
に強制的にハイレベルrHJ及びローレベルrLJにす
ることにより、NMOSトランジスタ65及びPMOS
 }ランジスタ6Bをオン・オフしていた。
このため、トライステート制御信号DoEが接続端子C
に、出力信号D1nが接続端子Qに、それぞれ到達する
までに2段以上の論理ゲート、選択回路等素子数の多い
回路を通っていた。
本発明では、出力ドライブ回路60の接続端子てをテス
トをしている間、強制的にローレベルrLJにしておく
と、PMOSトランジスタ64及びIIIMOS トラ
ンジスタ65はいずれもオフになることを利用して、接
続端子での直前及び各トランジスタ84、65のゲ−4
電極の直前の3か所にテスト制御信号R, S及びTに
より制御されるテスト制御回路を設けている。
テスト制御回路を設けることにより、PMOS }ラン
ジスタ64のゲートと2人力NANDとの間に設けられ
たテスト制御回路は、ハイレベルrHJのテストのとき
に、PMOSトランジスタ64のゲートを強制的にロー
レベルrLJにするだけでよいことになる。
即ち、強制的にハイレベルrHJ及びローレベルrLJ
にする必要がないので、各テスト$1御回路が簡単な構
成になり、素子数を減らすことができるのである。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、ノーマルモードの
場合、ドライバ制御回路によるトライステート制御信号
を反転出力、第1の複合ゲート及び第2の複合ゲートに
よる出力信号の反転出力により、出力手段が出力信号及
びトライステート制御信号の応じて、ハイレベル、ロー
レベル及びハイインピーダンスのいずれか一つの状態を
出力し、又、テストモードの場合、ドライバ制御回路に
よるハイレベルの状態の出力、第1の複合ゲートによる
ローレベルの状態の出力、第2の複合ゲートによるハイ
レベルの状態の出力により、出力手段が第1のテスト制
御信号、第2のテスト制御信号及び第3のテスト制御信
号の状態に応じて、ハイレベル、ローレベル及びハイイ
ンピーダンスのいずれか一つの状態を出力するようにし
たので、素子数が少なく、高速動作が可能な、テストが
容易にできる出力回路が得られるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係る出力回路の回路図、第
2図は従来の出力回路の回路図、第3図は第2図に示し
たバスドライバの回路図、第4図及び第5図は第1図に
示した複合ゲートの回路図、第6図は第1図に示した出
力回路に入力するテスト制御信号を発生する回路の回路
図である。 10・・・ドライバ制御回路、20・・・出力ドライブ
回路、21, 22・・・複合ゲート、23・・・イン
バータ、24・・・PMOSトランジスタ、25・・・
NMOS }ランジスタ。 本発明の一実施例 第1図 複合ゲート11の回路 第4図 複合ゲート12の回路 第5図 テスト制御信号発生回路 第6図 手続補正書 (自発) 平成  年

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 トライステート制御信号及び第1のテスト制御信号が入
    力され、ノーマルモードのときは、該トライステート制
    御信号を反転出力し、テストモードのときは、ハイレベ
    ルの状態を出力するドライバ制御回路と、 内部論理回路からの出力信号、前記ドライバ制御回路の
    反転出力信号及び第2のテスト制御信号が入力され、ノ
    ーマルモードのときは、出力信号を反転出力し、テスト
    モードのときは、ローレベルの状態を出力する第1の複
    合ゲートと、 前記出力信号、前記ドライバ制御回路の出力信号及び第
    3のテスト制御信号が入力され、ノーマルモードのとき
    は、該出力信号を反転出力し、テストモードのときは、
    ハイレベルの状態を出力する第2の複合ゲートと、 前記第1の複合ゲート及び前記第2の複合ゲートの出力
    が入力され、ノーマルモードのときは、前記出力信号及
    び前記トライステート制御信号に応じて、ハイレベル、
    ローレベル及びハイインピーダンスのうち、いずれか一
    つの状態を出力し、テストモードのときは、前記第1の
    テスト制御信号、前記第2のテスト制御信号及び前記第
    3のテスト制御信号の状態に応じて、ハイレベル、ロー
    レベル及びハイインピーダンスのうち、いずれか一つの
    状態を出力する出力手段と、 を備えたことを特徴とする出力回路。
JP1051963A 1989-03-06 1989-03-06 出力回路 Pending JPH02232577A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7463063B2 (en) 2006-05-23 2008-12-09 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JP2013009309A (ja) * 2011-05-20 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置

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