JPH02228037A - Surface treatment device for semiconductor wafer - Google Patents
Surface treatment device for semiconductor waferInfo
- Publication number
- JPH02228037A JPH02228037A JP4946189A JP4946189A JPH02228037A JP H02228037 A JPH02228037 A JP H02228037A JP 4946189 A JP4946189 A JP 4946189A JP 4946189 A JP4946189 A JP 4946189A JP H02228037 A JPH02228037 A JP H02228037A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- semiconductor wafer
- silicon wafer
- electrolyte
- stirrer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 42
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 42
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 37
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 18
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 56
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100130497 Drosophila melanogaster Mical gene Proteins 0.000 description 1
- 101100345589 Mus musculus Mical1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、たとえばシリコンウェハなどの半導体ウェ
ハの表面を多孔質化する半導体ウェハの表面処理装置に
関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a semiconductor wafer surface treatment apparatus for making the surface of a semiconductor wafer, such as a silicon wafer, porous.
［従来の技術］
多孔質化したシリコンウェハは、５ｏｌ（Ｓｉ１ｉｃｏ
ｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ）構造の作製や、Ｇ
ａＡｓ、ＣｏＳ ｉ２などのへテロエピタキシャルの基
板材料に利用され始めている。このような多孔質化シリ
コンウェハは、シリコンの特殊な形態であり、シリコン
ウェハを陽極とし、フッ酸水溶液中で電気分解すること
により作製することができる。このようにして得られる
多孔質シリコンは、全体としては結晶性を残した状態で
、数１０人程度の微少な孔を多数有した形態で得られる
。[Prior art] A porous silicon wafer is made of 5ol (Si1ico
(n on In5ulator) structure and G
It is beginning to be used for heteroepitaxial substrate materials such as aAs and CoS i2. Such a porous silicon wafer is a special form of silicon, and can be produced by electrolysis in a hydrofluoric acid aqueous solution using a silicon wafer as an anode. The porous silicon thus obtained has a large number of minute pores of about several tens in size while remaining crystalline as a whole.
シリコンウェハの表面を多孔質化する従来装置は、たと
えばＪａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、Ｖ。A conventional device for making the surface of a silicon wafer porous is, for example, the Japanese Journal of Ap
plied Physics, V.
１１５、Ｎｏ、９ （１９７６）Ｐ、１６５５−１６６
４やＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅ
ｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ、Ｖｏｌ１２５゜Ｎｏ、
８ （１９７ｇ）Ｐ、１３３９〜１３４４などに開示さ
れている。115, No. 9 (1976) P, 1655-166
4 and Journal of Electroche
mical 5ociety, Vol125°No,
8 (197g) P, 1339-1344.
第３図は、従来の装置の一例を示す断面図である。第３
図において、容器５内には電解液３が入れられており、
該電解液３内には、多孔質化の不要な部分をワックス４
で覆ったシリコン１が浸漬されている。また、白金電極
２が電解液３に浸けられており、白金電極２を陰極とし
、シリコンウェハ１を陽極とするよう接続されている。FIG. 3 is a sectional view showing an example of a conventional device. Third
In the figure, an electrolytic solution 3 is placed in a container 5,
In the electrolytic solution 3, parts that do not need to be made porous are filled with wax 4.
The silicon 1 covered with is immersed. Further, a platinum electrode 2 is immersed in an electrolytic solution 3, and connected so that the platinum electrode 2 serves as a cathode and the silicon wafer 1 serves as an anode.
容器５は、超音波発振器７内の水６中に入れられている
。The container 5 is placed in water 6 within an ultrasonic oscillator 7.
以上のようにして、電気分解を行なうことにより、ワッ
クス４から露出しているシリコンウェハ１の表面が多孔
質化される。なお、電気分解の際、シリコンウェハ１の
表面から水素ガスが発生する。By performing electrolysis as described above, the surface of the silicon wafer 1 exposed from the wax 4 is made porous. Note that hydrogen gas is generated from the surface of the silicon wafer 1 during electrolysis.
この水素ガスがシリコンウェハ１の表面に付着するのを
防止するため、超音波発振器７により、容器５全体に超
音波をかける。In order to prevent this hydrogen gas from adhering to the surface of the silicon wafer 1, an ultrasonic oscillator 7 applies ultrasonic waves to the entire container 5.
第４図は、従来の装置の他の例を示す断面図であり、シ
リコンウェハを水平方向に配置する装置を示している。FIG. 4 is a sectional view showing another example of the conventional apparatus, and shows an apparatus for horizontally arranging silicon wafers.
第４図において、容器１３内には、下部が円板状である
白金電極１２が設けられている。この白金電極１２の上
方の棒状部分は、容器１３の蓋２１の中心孔に通されて
いる。シリコンウェハ１１は、容器１３の底部の開口部
１３ａと、押え部材］７との間に挾まれて位置している
。シリコンウェハ１１と容器１３との間には０リング１
４が介在している。シリコンウェハ１１の裏面には、ア
ルミニウムを蒸着するかまたはアルミニウム箔を接触さ
せて形成した電極１６が取付けられている。この電極１
６と押え部材１７との間にはＯリング１５が介在してい
る。押え部材１７は、固定具１８および１９により容器
１３の底部に固定されており、これによりシリコンウェ
ハ１１が、０リング１４およびＯリング１５を介して挾
持されている。また、電極１６には、外部電源に接続す
るためのリード線２０が接続されている。In FIG. 4, a platinum electrode 12 having a disk-shaped lower part is provided inside a container 13. The upper rod-shaped portion of the platinum electrode 12 is passed through the center hole of the lid 21 of the container 13. The silicon wafer 11 is sandwiched between the opening 13a at the bottom of the container 13 and the holding member]7. An O ring 1 is placed between the silicon wafer 11 and the container 13.
4 is intervening. An electrode 16 formed by vapor-depositing aluminum or contacting aluminum foil is attached to the back surface of the silicon wafer 11. This electrode 1
An O-ring 15 is interposed between the holding member 6 and the holding member 17. The holding member 17 is fixed to the bottom of the container 13 by fixtures 18 and 19, and thereby the silicon wafer 11 is held between the O-ring 14 and the O-ring 15. Further, a lead wire 20 for connecting to an external power source is connected to the electrode 16.
容器１３内に、電解液が入れられ、白金電極１２を陰極
とし、シリコンウェハ１１に接続した電極１６を陽極に
接続することによって電気分解が行なわれる。なお、電
解液としては、消泡剤としてエチルアルコールを含有し
たフッ酸水溶液が通常用いられる。An electrolytic solution is placed in the container 13, and electrolysis is performed by using the platinum electrode 12 as a cathode and connecting the electrode 16 connected to the silicon wafer 11 as an anode. Note that as the electrolytic solution, a hydrofluoric acid aqueous solution containing ethyl alcohol as an antifoaming agent is usually used.
［発明が解決しようとする課題］
第３図に示す従来の装置では、シリコンウェハ表面に発
生した水素ガスが気泡として表面に付着するのを防止す
るため超音波をかけており、また第４図に示す従来の装
置では、電解液にエタノールを添加することにより水素
ガスの気泡の付着を防止している。しかしながら、これ
らの方法では、いずれも水素ガスの気泡付着防止が十分
ではなく、付着部分において電気分解が起こらないため
、形成される多孔質層が不均一になるという問題があっ
た。[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional device shown in FIG. 3, ultrasonic waves are applied to prevent hydrogen gas generated on the silicon wafer surface from adhering to the surface as bubbles. In the conventional device shown in , ethanol is added to the electrolyte to prevent hydrogen gas bubbles from adhering. However, in all of these methods, prevention of hydrogen gas bubble adhesion is not sufficient, and electrolysis does not occur in the adhering portion, so there is a problem that the formed porous layer becomes non-uniform.
また、これらの従来の装置では、電気分解の間、電解液
の撹拌が十分にはされておらず、反応種の濃度分布が不
均一になり、多孔質層の形成が不均一になるという問題
を生じた。Additionally, in these conventional devices, the electrolyte solution is not sufficiently stirred during electrolysis, resulting in uneven concentration distribution of reactive species and uneven formation of a porous layer. occurred.
この発明の目的は、発生した水素ガスの半導体ウェハ表
面への付着を完全に防止し、しかも、電解液の濃度分布
を均一にできるよう撹拌が可能な半導体ウェハの表面処
理装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer surface treatment apparatus that completely prevents generated hydrogen gas from adhering to the surface of a semiconductor wafer and is capable of stirring to uniformize the concentration distribution of an electrolytic solution. be.
［課題を解決するための手段］
この発明の表面処理装置では、電解液が入れられる容器
の底部に半導体ウェハをほぼ水平方向に配置して、半導
体ウェハ表面に電解液を接触させ、半導体ウェハを陽極
として、陰極部材との間で電気分解し、半導体ウェハ表
面を多孔質化するしており、陰極部材が、容器内で回転
し半導体ウェハ表面近傍の電解液を撹拌するように設け
られていることを特徴としている。[Means for Solving the Problems] In the surface treatment apparatus of the present invention, a semiconductor wafer is placed in a substantially horizontal direction at the bottom of a container into which an electrolytic solution is placed, and the electrolytic solution is brought into contact with the surface of the semiconductor wafer. As an anode, it electrolyzes with a cathode member to make the surface of the semiconductor wafer porous, and the cathode member is provided so that it rotates within the container and stirs the electrolyte near the surface of the semiconductor wafer. It is characterized by
［作用］
この発明の表面処理装置では、陰極部材が容器内で回転
することにより、半導体ウェハ表面近傍の電解液を撹拌
する。このため、半導体ウェハ表面に付着しようとする
水素ガスの気泡を、電解液の撹拌によって半導体ウェハ
表面から遠ざけて除去することができる。このため、半
導体ウェハ表面には水素ガスの気泡がほとんど付着する
ことはない。[Function] In the surface treatment apparatus of the present invention, the cathode member rotates within the container to agitate the electrolytic solution near the surface of the semiconductor wafer. Therefore, hydrogen gas bubbles that tend to adhere to the surface of the semiconductor wafer can be removed away from the surface of the semiconductor wafer by stirring the electrolytic solution. Therefore, almost no hydrogen gas bubbles adhere to the surface of the semiconductor wafer.
また、半導体ウェハ表面近傍の電解液を撹拌するので、
電解液の濃度分布が電気分解の進行中において均一にな
る。In addition, since the electrolyte near the semiconductor wafer surface is stirred,
The concentration distribution of the electrolyte becomes uniform during the progress of electrolysis.
［実施例］
第１図は、この発明の一実施例を示す断面図である。第
１図において、容器３３の底部には、傾斜面を有した開
口部が形成されており、この開口部の上には、陰極部材
４０が設けられている。陰極部材４０は、円板状のスタ
ーラ部４１および白金支持部４２から構成されている。[Embodiment] FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention. In FIG. 1, an opening having an inclined surface is formed at the bottom of the container 33, and a cathode member 40 is provided above the opening. The cathode member 40 includes a disk-shaped stirrer section 41 and a platinum support section 42 .
第２図は、スターラ部４１を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the stirrer section 41. FIG.
スターラ部４１の中央には中心孔４５が形成されており
、また周辺には複数の周辺孔４６が形成されている。A center hole 45 is formed in the center of the stirrer section 41, and a plurality of peripheral holes 46 are formed around the periphery.
第１図に示すように、周辺孔４６は、下方部から上方部
に向かうにつれて外側に延びるように形成されている。As shown in FIG. 1, the peripheral hole 46 is formed so as to extend outward from the lower part toward the upper part.
また、中心孔４５のまわりには、白金網状電極部４３が
設けられており、この白金網状電極部４３は、白金支持
部４２の下方端と接続している。また、白金支持部４２
の上方の棒状部分は、蓋５１の中心孔に通されており、
その先端は外部の陰極電源に接続されている。Further, a platinum mesh electrode section 43 is provided around the center hole 45, and this platinum mesh electrode section 43 is connected to the lower end of the platinum support section 42. In addition, the platinum support portion 42
The upper rod-shaped part is passed through the center hole of the lid 51,
Its tip is connected to an external cathode power source.
第１図に示すように、シリコンウェハ３１は、容器３３
の下方部に設けられており、シリコンウェハ３１と容器
３３との間には０リング３４が介在している。またシリ
コンウェハ３１の裏面には、従来と同様にアルミニウム
を蒸着するかまたはアルミニウム箔を接触させて電極３
６が形成されている。電極３６と押え部材３７との間に
は、０リング３５が介在している。シリコンウェハ３１
は、０リング３４および０リング３５を介して、容器３
３の底部と押え部材３７により挾持されている。As shown in FIG. 1, the silicon wafer 31 is placed in a container 33.
An O-ring 34 is provided between the silicon wafer 31 and the container 33. Further, on the back side of the silicon wafer 31, aluminum is vapor-deposited as in the past, or aluminum foil is brought into contact with the electrode 3.
6 is formed. An O-ring 35 is interposed between the electrode 36 and the holding member 37. silicon wafer 31
is connected to the container 3 via the O-ring 34 and the O-ring 35.
3 and a presser member 37.
押え部材３７は、固定具３８および固定具３９により、
容器３３の底部に固定されている。The holding member 37 is held by a fixture 38 and a fixture 39.
It is fixed to the bottom of the container 33.
スターラ部４１内には、永久磁石４４が埋め込まれてい
る。そしてこの永久磁石４４の外側に位置する容器３３
の側壁部分には、電磁コイル３２が設けられている。こ
の電磁コイル３２とスターラ部４１に埋め込まれた永久
磁石４４により、スターラ部４１が容器３３内で回転可
能にされている。またこのスターラ部４１の回転により
、白金網状電極部４３を介して接続されている白金支持
部４２も回転する。A permanent magnet 44 is embedded within the stirrer section 41. And the container 33 located outside this permanent magnet 44
An electromagnetic coil 32 is provided on the side wall portion of. The electromagnetic coil 32 and the permanent magnet 44 embedded in the stirrer section 41 allow the stirrer section 41 to rotate within the container 33. Further, as the stirrer section 41 rotates, the platinum support section 42 connected via the platinum mesh electrode section 43 also rotates.
容器３３内に電解液を入れ、白金支持部４２の外側先端
を外部の陰極電源に接続し、シリコンウェハ３１の電極
３６に接続されたリード線５０の先端を外部の陽極電極
に接続して、電気分解が行なわれる。この際、電磁コイ
ル３２に電流を流し、スターラ部４１を回転させる。こ
のスターラ部４１の回転により、周辺孔４６は、上方に
向かって外側に延びるよう形成されているため、周辺孔
４６内の電解液は遠心力により矢印Ａで示すように上方
に排出される。この電解液の流れにより、中心孔４５内
の電解液は、矢印Ｂのようにシリコンウェハ３１表面上
を流れる。また、さらに中心孔４５の上方では矢印Ｃの
ように電解液が中心孔４５内に流れ込み、この電解液が
シリコンウェハ３１表面上に供給される。An electrolytic solution is placed in the container 33, the outer tip of the platinum support part 42 is connected to an external cathode power source, and the tip of the lead wire 50 connected to the electrode 36 of the silicon wafer 31 is connected to an external anode electrode. Electrolysis takes place. At this time, current is passed through the electromagnetic coil 32 to rotate the stirrer section 41. As the stirrer portion 41 rotates, the electrolyte in the peripheral hole 46 is discharged upward as shown by arrow A due to centrifugal force, since the peripheral hole 46 is formed to extend upward and outward. Due to this flow of the electrolyte, the electrolyte in the center hole 45 flows over the surface of the silicon wafer 31 as shown by arrow B. Further, above the center hole 45, an electrolytic solution flows into the center hole 45 as indicated by arrow C, and this electrolytic solution is supplied onto the surface of the silicon wafer 31.
この実施例の装置では、容器３３内の電解液は、スター
ラ部４１の回転により常に撹拌されているので、濃度は
均一になっている。また、シリコンウェハ３１表面上の
電解液は、常に中心孔４５から供給され、周辺孔４６か
ら排出されるので、シリコンウェハ３１表面上には常に
新鮮な電解液が存在する。このため、従来のように電解
液の濃度分布が不均一になることはない。In the device of this embodiment, the electrolyte in the container 33 is constantly stirred by the rotation of the stirrer section 41, so that the electrolyte has a uniform concentration. Moreover, the electrolyte on the surface of the silicon wafer 31 is always supplied from the center hole 45 and discharged from the peripheral hole 46, so that fresh electrolyte is always present on the surface of the silicon wafer 31. Therefore, the concentration distribution of the electrolytic solution does not become non-uniform as in the conventional case.
また、シリコンウェハ３１表面上を常に電解液が流れる
ので、シリコンウェハ３１表面上に発生した水素ガスは
、この電解液によって除去され、シリコンウェハ３１表
面上に付着することはない。Furthermore, since the electrolyte always flows over the surface of the silicon wafer 31, hydrogen gas generated on the surface of the silicon wafer 31 is removed by the electrolyte and does not adhere to the surface of the silicon wafer 31.
また、スターラ部４１の電極部分である白金網状電極部
４３と、シリコンウェハ３１との間の距離は、常にほぼ
一定に保たれているので、電界が均一となり、生じる多
孔質層も均一にすることができる。白金網状電極部４３
とシリコンウェハ３１との間の距離は、具体的には、シ
リコンウェハ３１の多孔質化する部分の直径の１／１０
以下にすることが好ましい。Further, since the distance between the platinum mesh electrode part 43, which is the electrode part of the stirrer part 41, and the silicon wafer 31 is always kept almost constant, the electric field becomes uniform, and the resulting porous layer is also made uniform. be able to. Platinum mesh electrode part 43
Specifically, the distance between the silicon wafer 31 and the silicon wafer 31 is 1/10 of the diameter of the portion of the silicon wafer 31 to be made porous.
It is preferable to do the following.
第１図に示す実施例の装置を用いて、ｐ型のシリコンウ
ェハを多孔質化した。シリコンウェハとしては、比抵抗
０．０１Ω・ｃｍの低抵抗のものを用いた。シリコンウ
ェハの裏面には、アルミニウムを蒸着しさらに銅板をあ
てて電極とした。電解液としては、フッ酸、水およびエ
タノールの混合液を用いた。容器としてはテフロン容器
を用い、陰極部材の回転数は５０ｒｐｍとした。シリコ
ンウェハの多孔質化する部分の直径は２０ｍｍとし、シ
リコンウェハと白金網状電極部との間の距離は、２ｍｍ
とした。電気分解の条件としては、電流密度を２０ｍＡ
／ａｍ２とし、２０分間電気分解を行ない多孔質化した
。A p-type silicon wafer was made porous using the apparatus of the example shown in FIG. The silicon wafer used had a low resistance of 0.01 Ω·cm. On the back side of the silicon wafer, aluminum was vapor-deposited and a copper plate was applied to form an electrode. A mixed solution of hydrofluoric acid, water, and ethanol was used as the electrolyte. A Teflon container was used as the container, and the rotation speed of the cathode member was 50 rpm. The diameter of the porous part of the silicon wafer was 20 mm, and the distance between the silicon wafer and the platinum mesh electrode part was 2 mm.
And so. The conditions for electrolysis are a current density of 20 mA.
/am2, and electrolysis was performed for 20 minutes to make it porous.
得られた多孔質化シリコンウェハの表面の均一性は±５
％であり、表面には気泡の跡が認められなかった。The surface uniformity of the obtained porous silicon wafer was ±5
%, and no traces of air bubbles were observed on the surface.
これに対し、第４図に示す従来の装置を用いて、同禄の
電解液およびシリコンウェハを用いて多孔質化したとこ
ろ、得られた多孔質化ウニ１’の表面の均一性は±１５
％であり、水素ガスによる気泡の跡が認められた。On the other hand, when the porous sea urchin 1' was made porous using a Doroku electrolyte and a silicon wafer using the conventional apparatus shown in FIG. 4, the surface uniformity of the obtained porous sea urchin 1' was ±15
%, and traces of bubbles caused by hydrogen gas were observed.
［発明の効果］
以上説明したように、この発明の表面処理装置によれば
、シリコンウェハ表面の電解液を常に入替えることがで
き、さらにシリコンウェハ表面に水素ガスの気泡が付若
するのを防止することができる。このため、従来に比べ
て、半導体ウェハの表面を均一に多孔質化することがで
きる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the surface treatment apparatus of the present invention, the electrolyte on the surface of the silicon wafer can be constantly replaced, and furthermore, the formation of hydrogen gas bubbles on the surface of the silicon wafer can be prevented. It can be prevented. Therefore, the surface of the semiconductor wafer can be made more uniformly porous than in the past.
第１図は、この発明の一実施例を示す断面図である。第
２図は、第１図の実施例で用いられる陰極部材のスター
ラ部を示す平面図である。第３図は、従来の装置の一例
を示す断面図である。第４図は、従来の装置の他の例を
示す断面図である。
図において、３１はシリコンウェハ、３２は電磁コイル
、３３は容器、３４．３５はＯリング、３６は電極、３
７は押え部材、３８．３９は固定具、４０は陰極部材、
４１はスターラ部、４２は白金支持部、４３は白金網状
電極部、４４は永久磁石、４５は中心孔、４６は周辺孔
、５０はリード線、５１は蓋を示す。
特許出願人 住友電気工業株式会社FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing the stirrer portion of the cathode member used in the embodiment of FIG. 1. FIG. 3 is a sectional view showing an example of a conventional device. FIG. 4 is a sectional view showing another example of the conventional device. In the figure, 31 is a silicon wafer, 32 is an electromagnetic coil, 33 is a container, 34.35 is an O-ring, 36 is an electrode, 3
7 is a holding member, 38.39 is a fixture, 40 is a cathode member,
41 is a stirrer part, 42 is a platinum support part, 43 is a platinum mesh electrode part, 44 is a permanent magnet, 45 is a center hole, 46 is a peripheral hole, 50 is a lead wire, and 51 is a lid. Patent applicant: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Claims (1)
ほぼ水平方向に配置して、半導体ウェハ表面に前記電解
液を接触させ、半導体ウェハを陽極として、陰極部材と
の間で電気分解し、前記半導体ウェハ表面を多孔質化す
る半導体ウェハの表面処理装置であって、 前記陰極部材が、前記容器内で回転し前記半導体ウェハ
表面近傍の電解液を撹拌するように設けられている、半
導体ウェハの表面処理装置。(1) A semiconductor wafer is placed in a substantially horizontal direction at the bottom of a container containing an electrolytic solution, the electrolytic solution is brought into contact with the surface of the semiconductor wafer, and electrolyzed between the semiconductor wafer as an anode and a cathode member, A semiconductor wafer surface treatment apparatus for making the semiconductor wafer surface porous, wherein the cathode member is provided to rotate within the container and stir an electrolytic solution near the semiconductor wafer surface. surface treatment equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4946189A JPH02228037A (en) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | Surface treatment device for semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4946189A JPH02228037A (en) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | Surface treatment device for semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02228037A true JPH02228037A (en) | 1990-09-11 |
Family
ID=12831784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4946189A Pending JPH02228037A (en) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | Surface treatment device for semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02228037A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1039508A2 (en) * | 1999-03-25 | 2000-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Anodizing apparatus, anodizing system, substrate processing apparatus and method, and substrate manufacturing method |
-
1989
- 1989-03-01 JP JP4946189A patent/JPH02228037A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1039508A2 (en) * | 1999-03-25 | 2000-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Anodizing apparatus, anodizing system, substrate processing apparatus and method, and substrate manufacturing method |
| US6547938B1 (en) | 1999-03-25 | 2003-04-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Anodizing apparatus, utilizing a perforated negative electrode |
| EP1039508A3 (en) * | 1999-03-25 | 2005-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Anodizing apparatus, anodizing system, substrate processing apparatus and method, and substrate manufacturing method |
| US7014748B2 (en) | 1999-03-25 | 2006-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Anodizing method, substrate processing method, and substrate manufacturing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE40218E1 (en) | Electro-chemical deposition system and method of electroplating on substrates | |
| TWI261630B (en) | Coated anode apparatus and associated method | |
| KR101474377B1 (en) | Electroplating method | |
| JP3534605B2 (en) | Substrate plating equipment | |
| US20060070883A1 (en) | Fixtureless vertical paddle electroplating cell | |
| TW200421421A (en) | Chemical treatment apparatus and chemical treatment method | |
| JPH02228037A (en) | Surface treatment device for semiconductor wafer | |
| TWI288441B (en) | Uniform current distribution for ECP loading of wafers | |
| Diaz et al. | An improved fabrication technique for porous silicon | |
| JPH0441698A (en) | Method and device for electroplating and jig utilize therefor | |
| JP3942507B2 (en) | Wafer plating apparatus and wafer plating method | |
| JP2000195822A (en) | Method to apply copper plating to silicon wafer | |
| KR20030013046A (en) | Anode-Cathode-Agitator Combined Type Electrodeposition Apparatus | |
| JPH03277475A (en) | Manufacture of electrodeposited grinding wheel | |
| KR100454505B1 (en) | Electroplating system with tilted ring | |
| JP2005068561A (en) | Plating device | |
| TWI783550B (en) | Anodizing device and anodizing method | |
| CN216738622U (en) | Electrochemical polishing device | |
| CN212255137U (en) | Automatic electrolytic polishing device of rotary motion type EBSD test sample | |
| JP2000355798A (en) | Substrate plating device | |
| JPH05212679A (en) | Manufacture of grinding wheel for grinding machine and device thereof | |
| US4828644A (en) | Etching device for semiconductor wafers | |
| JP3402181B2 (en) | Single wafer type surface processing equipment | |
| JPS6257875A (en) | Abrasive grain electrodeposition device of wire electrode for electric discharge grinding process | |
| JPH0749793Y2 (en) | Connector for plating semiconductor devices |