JPH02227849A - 光磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は光磁気記録装置に係り、特に電磁石によって
記録時や消去時に必要なバイアス磁界を発生する光磁気
記録装置に関する。

（従来の技術） 光ディスクは大容量のディスクメモリとして注目され、
コンパクトディスク、レーザービジョンディスクに代表
される再生専用型、文書ファイルやコンピュータの外部
メモリに使用される追記型の各種光ディスクが実用化さ
れている。また、書替え可能型光ディスクも種々の方式
が開発されつつあるが、特に光磁気方式は最も代表的な
ものの一つであり、実用化も始まっている。

光磁気記録方式は周知のように光ビームによる加熱によ
って、垂直磁化膜からなる記録層の磁化をバイアス磁界
の方向に反転させることで記録を行なうため、光学ヘッ
ドとは別にバイアス磁界の発生源が必須となる。また、
消去時には記録時と逆向きのバイアス磁界を印加するこ
とが必要となる。バイアス磁界発生源としては、永久磁
石または本磁石が用いられている。

第４図は永久磁石を用いる方式であり、４１は光磁気デ
ィスク、４２はモータ、４３は光学ヘッド、４４はバイ
アス磁界発生用の永久磁石である。

この方式では、記録時と消去時とで第４図（ａ）　（ｂ
）に示すように永久磁石４４の向きを機械的に変える必
要があり、複雑なメカニズムを必要とする。

また、バイアス磁界の調整や、ディスク４１にオーバー
ライドを行なう場合など、バイアス磁界の強度を変化さ
せる必要がある場合には、磁界強度の異なる複数の磁石
を切換えるか、または磁石４４とディスク４１との間の
距離を変化させなければならず、微細な制御は難しい。

第５図は電磁石を用いる方式であり、５１は光磁気ディ
スク、５２はモータ、５３は光学ヘッド、５４はバイア
ス磁界発生用の電磁石、５５は電磁石５４の駆動源であ
る。この方式では駆動源５４から電磁石５４に供給され
る電流の向きを変えることにより、簡単に記録時と消去
時とでバイアス磁界の向きを変えることができるが、記
録状態と消去状態との切換え時間を短くするために電磁
石５４の巻線数を少なくする必要がある。この結果、発
生可能な磁界強度が小さくなるため、ディスク５１と電
磁石５４との間の距離を小さくする必要が生じる。しか
しながら、この距離を小さくすると、ディスク５１の面
振れによりディスク５１上の磁界強度が大きく変動する
。この結果、例えば記録時にディスク上に形成されるビ
ットの形状が変動して再生信号のジッタ量が増大する等
、記録・消去特性が劣化するという間通がある。

（発明が解決しようとする課題） 上述したように従来の技術では、バイアス磁界発生源に
永久磁石を用いると、記録時と消去時とでバイアス磁界
の向きを変えるために複雑なメカニズムが必要となり、
またバイアス磁界の微細な制御が難しいという間層があ
る。

一方、バイアス磁界発生源に電磁石を用いた場合は、記
録状態と消去状態との切換え時間を短くするために巻線
数を少なくすると、発生可能な磁界強度が小さくなるた
め、ディスク・電磁石間の距離を小さくしなければなら
ないので、ディスクの面振れによりディスク上の磁界強
度が大きく変動し、記録・消去特性が劣化するという問
題があった。

この発明は上述の事情に鑑みてなされたもので、バイア
ス磁界発生源として巻線数の少ない電磁石を光磁気ディ
スクに近接して設置した場合でも、ディスク面振れによ
らずディスク上で常に一定のバイアス磁界強度が得られ
、良好な記録・消去特性を得ることができる光磁気記録
再生装置を提供することを目的とする。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明は、光磁気ディスク上の光ビームの照射領域に
おける光磁気ディスクとバイアス磁界発生源である電磁
石との間の距離変化を検出する距離検出手段を設け、光
磁気ディスクと電磁石との間の距離の増減に応じて電磁
石の発生磁界が増減するように、この距離検出手段の出
力信号に応じて電磁石への通Ｗ量を制御する構成とした
ものである。

距離検出手段は新たに設けてもよいが、例えば光学ヘッ
ドにおいて光源からの光ビームを光磁気ディスクに対し
て集束照射するための対物レンズの焦点誤差検出系を利
用することも可能である。

（作　用） 光磁気ディスクと電磁石との間の距離が増加してディス
ク上のバイアス磁界強度が減少しようとすると、電磁石
への通電ｊ１（例えば電流値）が増加することによって
電磁石の発生磁界が大きくなり、逆に距離が減少してバ
イアス磁界強度が増加しようとすると、電磁石への通電
量が減少することによって、電磁石の発生磁界は減少す
る。これによりディスクと電磁石間の距離変動、すなわ
ちディスクの面振れに対して、ディスク上のバイアス磁
界強度はほぼ一定に保たれる。

（実施例） 以下、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。

第１図は、この発明の一実施例に係る光磁気記録装置の
構成を示したものである。同図において、光磁気ディス
ク１はモータ２により回転駆動される。ディスク１の図
中下側に光学ヘッド３が設けられ、上側の光学へラド３
と対向する位置にバイアス磁界発生源としての電磁石４
が設けられている。

光学へラド３は半導体レーザなどの光源５と、ビームス
プリフタロ及び対物レンズ７を主体とする光学系によっ
て構成される。対物レンズ７は光源５からビームスプリ
ッタ６を通して入射された光ビームをディスク１上に集
束照射するものであり、例えばボイスコイル方式のレン
ズアクチュエータ８によって光軸方向に変位可能に設け
られている。ディスク１からの反射光は対物レンズ７を
入射光と逆方向に通過した後、ビームスプリッタ６で反
射されて、光学ヘッド３の側面に取付けられた光検出器
９に入射する。光検出器９は例えば二分割検出器が用い
られる。

光検出器９の出力信号は、フォーカシングサーボ回路１
０に人力される。フォーカシングサーボ回路１０は、光
検出器９の二つの出力信号の差信号（対物レンズ７の焦
点誤差に対応する）を求める差動増幅器１１と、補償フ
ィルタ１２及び駆動増幅器１３を縦続接続して構成され
、駆動増幅器１３の出力信号はレンズアクチュエータ８
に供給される。これにより対物レンズ７は、光検出器９
及び差動増幅器１１によって検出された焦点誤差が零と
なるように光軸方向に変位制御される。

一方、電磁石４はバイアス電圧発生部１４からのバイア
ス電圧に応じた一定電流を発生する定電流回路１５によ
って通電駆動される。定電流回路１５は演算増幅器１６
と、抵抗１７〜２０により構成される。演算増幅器１６
の非反転入力端は接地され、反転入力端は抵抗１７を介
してバイアス電圧発生部１４の出力端に接続されると共
に、抵抗１９．２０を介して接地されている。演算増幅
器１６の出力端は電磁石４の一端に接続され、抵抗１９
．２０の接続点は電磁石４の他端に接続されている。

そして、演算増幅器１６の反転入力端は更に抵抗１８を
介してフォーカシングサーボ回路１０の出力端にも接続
されている。これにより定電流回路１５の出力電流は、
フォーカシングサーボ回路１０の出力信号電圧によって
増減する。

上記構成において、ディスクｌと対物レンズ７との間の
距離はフォーカシングサーボ回路１０の働きにより一定
に保たれる。すなわち、ディスク１の面振れに対してデ
ィスク１の記録面が常に対物レンズ７の焦点の位置に一
致するように、対物レンズ７がレンズアクチュエータ８
によって光軸方向に変位制御される。このとき対物レン
ズ７の駆動信号であるフォーカシングサーボ回路１０の
出力信号電圧は、ディスク１の面振れ量に対応しており
、換言すればディスク１と電磁石４との間の距離変化に
対応している。

従って、フォーカシングサーボ回路１０の出力信号電圧
によって定電流回路１５の出力電流を増減させて電磁石
４の発生磁界を制御することにより、ディスク１と電磁
石４との間の距離変化に対して、ディスク１上のバイア
ス磁界強度を一定に保つことができる。具体的には、例
えばディスク１と電磁石４との間の距離が増加するとデ
ィスク１上のバイアス磁界強度が減少するが、この時フ
ォーカシングサーボ回路ｌＯの出力信号電圧が減少する
ようにしておけば、定電流回路１５から電磁石４に供給
される駆動電流が増加して電磁石４の発生磁界が増加す
ることにより、バイアス磁界強度は一定に保たれる。逆
にディスク１と電磁石４との間の距離が減少した時はフ
ォー力シングサ−水回路１０の出力信号電圧が増加し、
定電流回路１５から電磁石４に供給される駆動電流が減
少するので、電磁石４の発生磁界が減少して、やはりデ
ィスク１上のバイアス磁界強度は一定に保たれる。

第２図はこの発明の他の実施例を示したもので、対物レ
ンズ７の光軸方向（フォーカシング方向）の位置を検出
する位置センサ２１を光学ヘッド３に設け、この位置セ
ンサ２１の出力信号を差動増幅器２２を介して定電流回
路１５に供給する構成となっている。

位置センサ２１は例えば第３図に示すように、光学ヘッ
ド３の対物レンズ７の近傍の内壁に光軸方向に所定の間
隔で設置された二つの発光素子（例えばＬＥＤ）３１．
３２と、受光素子（例えばフォトトランジスタ）３３．
３４からなる。発光素子３１．３２からの光は例えば対
物レンズ７の側部に取付けられた反射体（図示せず）に
より反射されて、受光素子３３．３４にそれぞれ到達す
る。ここで、対物レンズ７の焦点誤差が零のときに受光
素子３３．３４の入射光量が等しくなるように発光素子
３１．３２及び受光素子３３゜３４の位置を定めておけ
ば、この状態から対物レンズ７が光軸方向に移動すると
、その移動方向に応じて受光素子３３．３４のいずれか
一方の受光量が増加し、他方の受光量が減少する。なお
、この例では発光素子が３１．３２の２個設けられてい
るが、１個でもよい。

すなわち、差動増幅器２２により受光素子３３゜３４の
出力信号の差を検出することによって、対物レンズ７の
光軸方向の位置、換言すればディスク１と電磁石４との
間の距離変化が分かる。従って、差動増幅器２２の出力
信号電圧に従って定電流回路１５の出力電流を増減させ
ることで、先の実施例と同様に電磁石４の発生磁界を制
御することにより、ディスク１と電磁石４との間の距離
変化に対して、ディスク１上のバイアス磁界強度を一定
に保つことが可能となる。

〔発明の効果］ この発明によれば、バイアス磁界発生源とじて巻線数の
少ない電磁石を光磁気ディスクに近接して設置しても、
ディスクの面振れに対してディスク上のバイアス磁界強
度をほぼ一定に保つことができる。従って、記録される
ビットの形状が安定化され、ジッダ等に関して良好な記
録・消去特性が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る光磁気記録装置の構成
を示す図、第２図は本発明の他の実施例に係る光磁気記
録装置の構成を示す図、第３図は第２図における位置セ
ンサの構成を示す図、第４図及び第５図は従来の光磁気
記録装置におけるバイアス磁界発生装置の例を示す図で
ある。 １・・・光磁気ディスク、２・・・モータ、３・・・光
学ヘッド、４・・・電磁石、５・・・光源、６・・・ビ
ームスプリッタ、７・・・対物レンズ、８・・・レンズ
アクチュエータ、９・・・光検出器、１０・・・フォー
カシングサーボ回路、１４・・・バイアス電圧発生部、
１５・・・定電流回路、２１・・・対物レンズの位置セ
ンサ。 出願人代理人　　弁理士　鈴江武彦 第３図 第４図 コｌ 第５図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）光磁気ディスクに対して光ビームを照射する光学
   ヘッドと、 前記光磁気ディスクに対して記録及び消去時にバイアス
   磁界を印加する電磁石と、 前記光磁気ディスク上の前記光ビームの照射領域におけ
   る光磁気ディスクと前記電磁石との間の距離変化を検出
   する距離検出手段と、 前記光磁気ディスクと前記電磁石との間の距離の増減に
   応じて電磁石の発生磁界が増減するように前記距離検出
   手段の出力信号に応じて前記電磁石への通電量を制御す
   る手段とを具備することを特徴とする光磁気記録装置。
2. （２）光源と、 この光源からの光ビームを光磁気ディスクに対して集束
   照射する対物レンズと、 前記光磁気ディスクからの反射光により前記対物レンズ
   の焦点誤差を検出する焦点誤差検出手段と、 前記光磁気ディスクに対して記録及び消去時にバイアス
   磁界を印加する電磁石と、 前記光磁気ディスクと前記電磁石との間の距離の増減に
   応じて電磁石の発生磁界が増減するように前記焦点誤差
   検出手段の出力信号に応じて前記電磁石への通電量を制
   御する手段とを具備することを特徴とする光磁気記録装
   置。