JPH02222927A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH02222927A JPH02222927A JP17967589A JP17967589A JPH02222927A JP H02222927 A JPH02222927 A JP H02222927A JP 17967589 A JP17967589 A JP 17967589A JP 17967589 A JP17967589 A JP 17967589A JP H02222927 A JPH02222927 A JP H02222927A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、さらに詳し
くは液晶表示セル内に封入される液晶分子を一方向に配
向させる配向膜の製造方法に関する。
くは液晶表示セル内に封入される液晶分子を一方向に配
向させる配向膜の製造方法に関する。
〈従来の技術〉
液晶表示装置は、−船釣に、一対の透明基板間に液晶を
充填したパネルに偏光板を配設して構成される。充填さ
れた液晶を初期配向させるにあた−ては、通常、前記一
対の透明基板の相互に対向する表面、すなわち液晶の接
する表面に配向処理と呼ばれる液晶分子の配列規制処理
が施される。
充填したパネルに偏光板を配設して構成される。充填さ
れた液晶を初期配向させるにあた−ては、通常、前記一
対の透明基板の相互に対向する表面、すなわち液晶の接
する表面に配向処理と呼ばれる液晶分子の配列規制処理
が施される。
配向処理の一例としては、たとえばポリイミドなどの有
機材料を透明基板上に塗布して硬化した膜に対して、ナ
イロン系またはビニル系の繊維を一定方向にこす〕付け
るいわゆるラビング法と称されるものがある。また他の
配向処理としては、たとえば酸化シリコン(S iO)
などの無機材料を透明基板に対して斜めの方向から蒸着
する斜め蒸着法と呼ばれるものがある。
機材料を透明基板上に塗布して硬化した膜に対して、ナ
イロン系またはビニル系の繊維を一定方向にこす〕付け
るいわゆるラビング法と称されるものがある。また他の
配向処理としては、たとえば酸化シリコン(S iO)
などの無機材料を透明基板に対して斜めの方向から蒸着
する斜め蒸着法と呼ばれるものがある。
〈発明が解決しようとする課題〉
前述したラビング処理では、ラビング布′ftm向膜の
表面に機械的にこすり付けるために、ラビング布から脱
落した繊維やごみなどによって透明基板が汚れたシ、ま
た配向膜の表面に異常なスクラッチが生じることがある
。またラビング布の耐久性が良くないために、使用回数
を重ねる毎にその配向性能が劣化りで配向の不均一が生
じるなどの問題点がある。さらに、表示絵素に薄膜トラ
ンジスタ等を付加したいわゆるアクティブ・マトリクス
型の液晶表示装置にラビング法を用いると、ラビングに
よる帯電によってスイッチング用の薄膜トランジスタを
静電破壊させてしまうことがある。
表面に機械的にこすり付けるために、ラビング布から脱
落した繊維やごみなどによって透明基板が汚れたシ、ま
た配向膜の表面に異常なスクラッチが生じることがある
。またラビング布の耐久性が良くないために、使用回数
を重ねる毎にその配向性能が劣化りで配向の不均一が生
じるなどの問題点がある。さらに、表示絵素に薄膜トラ
ンジスタ等を付加したいわゆるアクティブ・マトリクス
型の液晶表示装置にラビング法を用いると、ラビングに
よる帯電によってスイッチング用の薄膜トランジスタを
静電破壊させてしまうことがある。
斜め蒸着による配向処理では、前述したラビング法によ
る配向処理よりも比較的良好な配向性能を得ることがで
きるが、液晶分子が扇状に配向するためにその配向均一
性が悪く、しかも基板の温度、蒸着温度などの最適条件
の範囲が比較的狭いなどの問題点がある。
る配向処理よりも比較的良好な配向性能を得ることがで
きるが、液晶分子が扇状に配向するためにその配向均一
性が悪く、しかも基板の温度、蒸着温度などの最適条件
の範囲が比較的狭いなどの問題点がある。
さらに他のd、同感理法としては、無機絶縁膜または無
機金属膜の表面に加速粒子を衝突させて方向性を有する
溝を形成する配向処理がある。この方法では、たとえば
ビフェニール系の液晶材料を用いた場合には良好な配向
均一性を得ることがでキルカ、シクロへキンルシクロヘ
キサン化合物(CCH)系の液晶材料を用いた場合には
良好な配向均一性を得ることができない。
機金属膜の表面に加速粒子を衝突させて方向性を有する
溝を形成する配向処理がある。この方法では、たとえば
ビフェニール系の液晶材料を用いた場合には良好な配向
均一性を得ることがでキルカ、シクロへキンルシクロヘ
キサン化合物(CCH)系の液晶材料を用いた場合には
良好な配向均一性を得ることができない。
本発明の目的は、液晶表示装置に用いられる液晶の材料
の種類に拘わらず良好な配向均一性を得ることができる
とともに、透明基板などの汚染と防止することができる
液晶表示装置の製造方法に提供することである。
の種類に拘わらず良好な配向均一性を得ることができる
とともに、透明基板などの汚染と防止することができる
液晶表示装置の製造方法に提供することである。
く課題を解決するための手段〉
本発明は、一対の透明基板の相互に対向する表面に配向
膜全形成し、その間に液晶を封入して成る液晶表示装置
の製造方法において。
膜全形成し、その間に液晶を封入して成る液晶表示装置
の製造方法において。
前記各透明基板の相互に対向する表面にそれぞれ有機膜
を形成し素抜、有機膜の一部または全面にイオンを衝突
させてその表面を液晶分子の配向処理面とすることを特
徴とする液晶表示装置の製造方法である。
を形成し素抜、有機膜の一部または全面にイオンを衝突
させてその表面を液晶分子の配向処理面とすることを特
徴とする液晶表示装置の製造方法である。
く作 用〉
本発明に従えば、透明基板の表面に有機膜を形成した後
、イオンを衝突させて液晶分子に対する配向性を付与し
ている。このような配向処理を行うことによって、液晶
表示装置に用いられる液晶の材料として、たとえばビフ
ェニール系の液晶材料を用いた場合とシクロへキシルシ
クロヘキサン系化合物(CCH)系の液晶材料を用いた
場合とではどちらも良好な配向均一性を得ることができ
る。
、イオンを衝突させて液晶分子に対する配向性を付与し
ている。このような配向処理を行うことによって、液晶
表示装置に用いられる液晶の材料として、たとえばビフ
ェニール系の液晶材料を用いた場合とシクロへキシルシ
クロヘキサン系化合物(CCH)系の液晶材料を用いた
場合とではどちらも良好な配向均一性を得ることができ
る。
〈実施例〉
第1図は本発明の一実施例に用いられるイオンビームエ
ツチング装置1の原理的構成を示す模式構成図であり、
第2図は本実施例に適用されるツィステッドネマティッ
ク型液晶表示装置2の構成を示す断面図である。
ツチング装置1の原理的構成を示す模式構成図であり、
第2図は本実施例に適用されるツィステッドネマティッ
ク型液晶表示装置2の構成を示す断面図である。
第2図を参照して、ツィステッドネマティック型液晶表
示装置2の構成について説明する。一対のガラス基板3
.4の相互に対向する表面には酸化インジウム〔IO)
から収る透明電極5.6が形成され、この透明電極5.
6の相互に対向する面には、第1図に示されるイオンビ
ームエツチング装置1で配向処理が施された配向膜7,
8が形成される。このようにして形成される一対の基板
11.12はシール材14を用いて挟着し、この間に液
晶15を封入する。基板11.12の相互に反対側の表
面には偏光板9.10’!!″形成して液晶表示装置2
が構成される。
示装置2の構成について説明する。一対のガラス基板3
.4の相互に対向する表面には酸化インジウム〔IO)
から収る透明電極5.6が形成され、この透明電極5.
6の相互に対向する面には、第1図に示されるイオンビ
ームエツチング装置1で配向処理が施された配向膜7,
8が形成される。このようにして形成される一対の基板
11.12はシール材14を用いて挟着し、この間に液
晶15を封入する。基板11.12の相互に反対側の表
面には偏光板9.10’!!″形成して液晶表示装置2
が構成される。
第1図において、イオンビームエツチング装置1はイオ
ンビーム発生部20とイオンビームを衝突させて基板に
エツチングを行なうドライエツチング部21どがそれぞ
れ一体的に形成された真空筐体22内に収納される。エ
ツチング部21では治具24によ−て移動自在に支持さ
れる基板ホルダ25が設けられる。この基板ホルダ25
には。
ンビーム発生部20とイオンビームを衝突させて基板に
エツチングを行なうドライエツチング部21どがそれぞ
れ一体的に形成された真空筐体22内に収納される。エ
ツチング部21では治具24によ−て移動自在に支持さ
れる基板ホルダ25が設けられる。この基板ホルダ25
には。
基板材料11aが装填される。この基板材料11aは、
液晶表示装置2を製造する途中の段階において、透明電
極5が形成されたガラス基板3の表面に配向膜7の材料
となる有機膜を塗布したものである。
液晶表示装置2を製造する途中の段階において、透明電
極5が形成されたガラス基板3の表面に配向膜7の材料
となる有機膜を塗布したものである。
ビーム発生部20では、イオン供給ガスとして封入され
たアルゴン(Ar)ガスからアルゴンプラズマを発生さ
せるためのアノード30およびカソード31が設けられ
る。カソード31の前記エツチング部21側には、アル
ゴンプラズマから引出されたイオンを加速するための加
速電極32゜アルゴンプラズマからイオンを引出すだめ
のイオン引出し電極38およびアース84がこの順序で
配列される。なお、この集空筐体22には排気口85を
介して内部圧力を調整するための排気系36が設けられ
ている。
たアルゴン(Ar)ガスからアルゴンプラズマを発生さ
せるためのアノード30およびカソード31が設けられ
る。カソード31の前記エツチング部21側には、アル
ゴンプラズマから引出されたイオンを加速するための加
速電極32゜アルゴンプラズマからイオンを引出すだめ
のイオン引出し電極38およびアース84がこの順序で
配列される。なお、この集空筐体22には排気口85を
介して内部圧力を調整するための排気系36が設けられ
ている。
次に、このビームエツチング装置1を用いたエツチング
動作について説明する。
動作について説明する。
エツチング部21において基板ホルダ25に前記基板材
料11aが装填された後に、このエツチング部21の内
部を前記排気系a6によってI P5torr以下に減
圧する。次にビーム発生部20にイオン源としてアルゴ
ンガスを導入し、前&[、熱系86とのバランスを考慮
してこのアルゴンガスの圧力を10−’ torrに保
つ。
料11aが装填された後に、このエツチング部21の内
部を前記排気系a6によってI P5torr以下に減
圧する。次にビーム発生部20にイオン源としてアルゴ
ンガスを導入し、前&[、熱系86とのバランスを考慮
してこのアルゴンガスの圧力を10−’ torrに保
つ。
このような状態において、前記7ノード電極30とカソ
ード電極31との間に交流電圧を印加してアルゴンプラ
ズマBを発生させる。この後にイオン引出し電極83に
負電圧500Vを印加することによって前記アルゴンプ
ラズマBからアルゴンイオンCを引出し、加速電極a2
にiKVの電圧を印加することによってアルゴンイオン
Cに運動エネルギを与え、前記基板材料11aに衝突さ
せる。このときの入射角りは、60°〜70’に選ばれ
る。このようにアルゴンイオンCを衝突させることによ
って基板材料11aの表面に塗布された有機膜の一部分
をエツチングすることができる。基板材料11aの全表
面に亘ってエツチングを行うためには、治具24を適宜
移動させればよい。
ード電極31との間に交流電圧を印加してアルゴンプラ
ズマBを発生させる。この後にイオン引出し電極83に
負電圧500Vを印加することによって前記アルゴンプ
ラズマBからアルゴンイオンCを引出し、加速電極a2
にiKVの電圧を印加することによってアルゴンイオン
Cに運動エネルギを与え、前記基板材料11aに衝突さ
せる。このときの入射角りは、60°〜70’に選ばれ
る。このようにアルゴンイオンCを衝突させることによ
って基板材料11aの表面に塗布された有機膜の一部分
をエツチングすることができる。基板材料11aの全表
面に亘ってエツチングを行うためには、治具24を適宜
移動させればよい。
以上により有機膜の表面に液晶分子に対する方向性が付
与され、これによって配向膜7が構成される。このよう
にして基板11が形成される。基板12も同様にして形
成される。
与され、これによって配向膜7が構成される。このよう
にして基板11が形成される。基板12も同様にして形
成される。
尚、上記実施例において、配向膜7の形成に用いるイオ
ンとしてアルゴンイオンについて説明したが、アルゴン
イオン以外に酸素(02)イオン、クリプトン(Kr)
イオンあるいはキセノン(Xe )イオン等を用いても
同様の配向膜を形成することができる。
ンとしてアルゴンイオンについて説明したが、アルゴン
イオン以外に酸素(02)イオン、クリプトン(Kr)
イオンあるいはキセノン(Xe )イオン等を用いても
同様の配向膜を形成することができる。
配向膜7となる有機膜材料としては次の構造式%式%
ここでX、Yは、それぞれテトラカルボン酸二無水物、
ジアミンの骨格となる連結基であり、nは1以上の整数
である。これの前駆体であるポリアミック酸アルキルア
ミン塩の合成に用いることのできるテトラカルボン酸と
しては、ピロメリ・ント酸二無水物% 1−(2,8,
5−シクロペンタントリカルボン酸)酢酸二煎、水物、
2. i3.6゜7−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、8゜4.8’4’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、2.8.2’、in’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェ
ニル)メタンニ無水物などを例示することができる。ジ
アミンとしては、メタフェニレンジアミン、パラフェニ
レンジアミン、8.B’−ジアミノビフェニル、 4.
4’−シアノアミノビフェニル、4.4’−1アミノ
ビフエニル、8.3’−メチレンジアニリン、4.4’
−メチレンジニアリンなどを例示することができる。
ジアミンの骨格となる連結基であり、nは1以上の整数
である。これの前駆体であるポリアミック酸アルキルア
ミン塩の合成に用いることのできるテトラカルボン酸と
しては、ピロメリ・ント酸二無水物% 1−(2,8,
5−シクロペンタントリカルボン酸)酢酸二煎、水物、
2. i3.6゜7−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、8゜4.8’4’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、2.8.2’、in’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェ
ニル)メタンニ無水物などを例示することができる。ジ
アミンとしては、メタフェニレンジアミン、パラフェニ
レンジアミン、8.B’−ジアミノビフェニル、 4.
4’−シアノアミノビフェニル、4.4’−1アミノ
ビフエニル、8.3’−メチレンジアニリン、4.4’
−メチレンジニアリンなどを例示することができる。
次に、配向膜の材料として有機材料および無機材料の2
つを選び、液晶表示装置に用いられる液晶の材料として
ビフェニール系液晶およびCCH系液晶をそれぞれ用い
た場合の配向領域率を第1表に示す。配向領域率とはド
メインやディスクリネーションのない均一なツイステフ
ドネマティブク配向が得られている領域の全配向領域に
対する割合である。
つを選び、液晶表示装置に用いられる液晶の材料として
ビフェニール系液晶およびCCH系液晶をそれぞれ用い
た場合の配向領域率を第1表に示す。配向領域率とはド
メインやディスクリネーションのない均一なツイステフ
ドネマティブク配向が得られている領域の全配向領域に
対する割合である。
第1表
第1表から明らかなように配向材料として無機膜を用い
た場合には、ビフェニール系液晶では80%の配向領域
率を示すのにかかわらず、CCH系では配向領域率がO
チである。すなわち、無機膜を用いて配向)莫を形成し
、CCH系液晶を注入した液晶表示装置では、その配向
領域率が0俤。
た場合には、ビフェニール系液晶では80%の配向領域
率を示すのにかかわらず、CCH系では配向領域率がO
チである。すなわち、無機膜を用いて配向)莫を形成し
、CCH系液晶を注入した液晶表示装置では、その配向
領域率が0俤。
すなわち、ランダムな方向性を持つことになる。
一方、配向膜の材料として有機膜を用いた場合には、ビ
フェニール系液晶およびCCH系液晶のどちらを用いて
も100%の配向領域率を得ることができる。
フェニール系液晶およびCCH系液晶のどちらを用いて
も100%の配向領域率を得ることができる。
換言すれば、配向材料として無機膜を選んだ場合には、
CCI(系液晶をその材料として用いることができず、
液晶表示装置の汎用性がなかった。
CCI(系液晶をその材料として用いることができず、
液晶表示装置の汎用性がなかった。
しかしながら、配向膜の材料として有機膜を用いた場合
には、液晶の材料としてはビフェニール系およびCC)
(系のどちらを用いてもきわめて良好な配向領域率を得
ることができるので1本実施例の製造方法による液晶表
示装置に汎用性が付加されることになる。
には、液晶の材料としてはビフェニール系およびCC)
(系のどちらを用いてもきわめて良好な配向領域率を得
ることができるので1本実施例の製造方法による液晶表
示装置に汎用性が付加されることになる。
〈発明の効果〉
以上のように本発明の製造方法では、有機膜にイオンを
衝突させて液晶分子の配向に際しての方向性を付与して
配向処理を行なうようにしだので良好な配向性能を得る
ことができる液晶材料の適用範囲が多くなる。、またこ
のような製造方法では透明基板などを汚染することなく
、高度な品質の液晶セル基板を・得ることができる。
衝突させて液晶分子の配向に際しての方向性を付与して
配向処理を行なうようにしだので良好な配向性能を得る
ことができる液晶材料の適用範囲が多くなる。、またこ
のような製造方法では透明基板などを汚染することなく
、高度な品質の液晶セル基板を・得ることができる。
第1図は本発明の一実施例に用いられるビーl、エツチ
ング装置の構成を示す図、第2図は本発明の一実施例に
用いられるツイステツドネマテイ・Jり型液晶表示装置
2の構成を示す断面図である。 1・・・イオンビームエツチングifi、2・・・ツイ
ステブドネマテイツク型液晶表示装置、3.4・・・ガ
ラス基板、5.6・・・透明基板、7.8・・−配向膜
。 11.12・・・基板、lla・・・基板材料、、15
・・・液晶、2o・・・ビーム発生部、21・・・ビー
ムエツチング部。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至(他1名)−2二
ング装置の構成を示す図、第2図は本発明の一実施例に
用いられるツイステツドネマテイ・Jり型液晶表示装置
2の構成を示す断面図である。 1・・・イオンビームエツチングifi、2・・・ツイ
ステブドネマテイツク型液晶表示装置、3.4・・・ガ
ラス基板、5.6・・・透明基板、7.8・・−配向膜
。 11.12・・・基板、lla・・・基板材料、、15
・・・液晶、2o・・・ビーム発生部、21・・・ビー
ムエツチング部。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至(他1名)−2二
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一対の透明基板の相互に対向する表面に配向膜を形
成し、その間に液晶を封入して成る液晶表示装置の製造
方法において、 前記各透明基板の相互に対向する表面にそれぞれ有機膜
を形成した後、 該各有機膜の一部または全面にイオンを衝突させてその
表面を液晶分子の配向処理面とすることを特徴とする液
晶表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29311988 | 1988-11-18 | ||
JP63-293119 | 1988-11-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02222927A true JPH02222927A (ja) | 1990-09-05 |
Family
ID=17790678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17967589A Pending JPH02222927A (ja) | 1988-11-18 | 1989-07-11 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02222927A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990057123A (ko) * | 1997-12-29 | 1999-07-15 | 김윤 | 이온빔을 이용한 액정배향막의 제조방법 |
US6912031B2 (en) | 2002-07-18 | 2005-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
JP2006072324A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 横電界方式の液晶表示装置及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP17967589A patent/JPH02222927A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990057123A (ko) * | 1997-12-29 | 1999-07-15 | 김윤 | 이온빔을 이용한 액정배향막의 제조방법 |
US6912031B2 (en) | 2002-07-18 | 2005-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
US7164459B2 (en) | 2002-07-18 | 2007-01-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabricating a liquid crystal display device having inorganic alignment film made of crystalline conductive film |
JP2006072324A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 横電界方式の液晶表示装置及びその製造方法 |
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