JPH02216881A - 外部共振型半導体レーザ装置 - Google Patents

外部共振型半導体レーザ装置

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JPH02216881A
JPH02216881A JP3628989A JP3628989A JPH02216881A JP H02216881 A JPH02216881 A JP H02216881A JP 3628989 A JP3628989 A JP 3628989A JP 3628989 A JP3628989 A JP 3628989A JP H02216881 A JPH02216881 A JP H02216881A
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JP
Japan
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semiconductor laser
light
wavelength
lens
laser device
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Pending
Application number
JP3628989A
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English (en)
Inventor
Masakuni Yamamoto
昌邦 山本
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は色収差の大きなコリメータレンズなどをその光
学系に含む外部共振型の半導体レーデ装置に関するもの
である。
(従来の技術) この種の半導体レーザ装置では環境温度や、注入電流の
変化などによプ1発振波長が変化するという問題がある
。このような波長の変化を抑制するために、従来、温度
変化に対応する調整手段を設は九り、DFBレーデ(分
布帰還型レーザ)のように、半導体レーザに特別な構造
を採用したシしている。
また、最近では平板マイクロフレネルレンズを半導体レ
ーデの外囲器内に一体的に設けたコリメート半導体レー
ザ装置(第48回状期店用物理学会予稿集19 a −
Z G −6オjヒl 8 p −ZX−7(1987
)参照)が提案されている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上述のように調整手段を設けたシ、DF
Bレーデのような特別な構造を採用すると、半導体レー
ザ装置として複雑なものとなシ、コスト高を招くおそれ
がある。
また、コリメート半導体レーザ装置ではコリメータレン
ズとして平板マイクロフレネルレンズを用いるために、
半導体レーザに波長変動が生じると射出される光束が平
行光束でなくなるという欠点を有している。
(発明の目的) 本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、色収差
の大きなコリメート手段の設計値に波長選択性をもたせ
て、波長の安定化をはかった外部共振型半導体レーザ装
置を提供しようとするものである。
(課題を解決するための手段) そこで、本発明では光の射出方向く関して背面側に反射
面を設けた半導体レーデと、核半導体レーザからの発散
光を平行光束とするコリメート手段と、上記平行光束の
一部を垂直反射する反射面を持った光学素子とを具備し
ている。
(作用) したがって、半導体レーザから発した光束の一部は上記
半導体レーザの反射面と光学素子の反射面との間で共振
されるがここではコリメート手段における色収差により
て平行光束からずれる波長の光は発散光、収束光となっ
て、除外されるので、上記コリメート手段における設計
値で決められた波長に、発振波長が安定されることにな
る。
(実施例) 以下、本発明の実施例を図面を参照して具体的に説明す
る。第1図において符号1は半導体レーザであや、射出
した発散光は反射防止面5を介してコリメータレンズ2
に向けられる。このコリメータレンズ2では、上記発散
光の波長が上記コリメート手段、e2の設計値による波
長に一致していれば平行光束となって光学素子としての
ハーフミラ−3に対してその反射面6に垂直入射される
この反射面6では、ある割合いの光束が透過し、他が一
部、反射される。反射した平行光束は、再び上記コリメ
ータレンズ2を介して半導体レーザ1の活性層に戻され
る。これによって、半導体レーザ1の背面に設けた反射
面4とハーフミラ−3の反射面6との間で共振される。
一方、フリメータレンズ2に入射した半導体レーザから
の光束のうち、その波長がコリメータレンズ2の設計値
とは異なる場合、コリメータレンズ20色収差により変
換される光束は平行光束からずれて、発散光あるいは収
束光となりハーフミラ゛−3に向けて射出される。この
ような平行光でない光は反射面6で反射される時コリメ
ータレンズ2に対してはそれぞれ発散光、収束光として
入射するから、この場合半導体レーザの活性層へ戻る光
は急減される。換言すれば、第1図のような構成の外部
共振型半導体レーザ装置では発振波長はコリメータレン
ズなどのコリメート手段の設計値によりて決められ、波
長が安定化される。
第2図および第3図に示す実施例では、コリメート手段
と、反射面を有する光学素子とが一体化されている。第
2因では平行透明平板7の一面にはフレネルレンズなど
のコリメータレンズ9が形成され、反対面には反射面1
0が形成される。ここでは上記コリメータレンズ9は色
収差が大きく、他の収差が充分小さいものを採用する。
これにより、コンノ々クト代、コストダウンがはかれる
。そして、前述同様、本実施例でもコリメータレンズ9
の設計値によって、発振装置が決められ、波長の安定化
が行なわれる。なお、第2図ではコリメータレンズ9は
平行平板7の一面に形成された2レネルレンズであるが
、第3図では円曲面12であり、光学素子11Fi上記
円曲面12と一体でありて、背面に半透光性の反射面1
3を具備している。この場合の円曲面12により構成さ
れるコリメートレンズの色収差は大きく、他の収差は充
分小さいものとする。こ0時の発振波長は上記原曲面1
2による。
第4図に示す実施例は外囲器21を用いて、外部共振型
半導体レーザ装置を一体的に組込んだ状態のものである
。ここでは半導体レーザ14の背面にはほとんどの光を
反射する反射効率の良い反射面15があ夛、その後には
、上記反射面15を透過し九極<一部の光を受ける出カ
ッ4ワーのモニタ用検出器20がある。また、半導体レ
ーr14の正面には反射防止膜16が設けられ、外囲器
21の容部には、平行平板17が設けられる。この平行
平板17の内側には、フレネルレンズよシなるコリメー
ト手段、f18が一体的に設けられており、外側には、
半透光性の反射面19が設けられている。そして、検出
器20によって出カッ譬ワーが検知されると、この検知
信号に従った注入電流が半導体レーザ14に加えられ、
出力制御がなされる。
このような構成にすると、半導体レーデ装置としては従
来と同等の大きさでありて、しかも、波長の安定化、パ
ワーの安定化が簡単に実現できる。
第5図に示す実施例では、更に光学素子に別の機能を組
合わせている。すなわち、回折格子をのコリメートレン
ズ23を備えた平行平板22の外側面に、成る割合いの
光を反射する反射層24を設けており、その外側に、透
過軸の方向が出射した直線偏光の偏光方向とほぼ合って
いる偏光子25、直線偏光を45°回転する、ファラデ
ー素子26、上記偏光子25に対して透過軸を45・回
転させて配置した偏光子27の順でこれらを装備してい
る。なお図中、符号28はファラデー素子用の磁石であ
る。
このような構成では、偏光子2フを射出した平行光が外
部の光学系の反射面で反射され楕円偏光の平行光として
戻って来ても、偏光子27の吸収軸方向の偏光成分が偏
光子27で吸収され、また、透過した直線偏光も、ファ
ラデー素子26で更に45°偏光を回転され、これによ
りて偏光子25の吸収軸と一致され、したがって上記偏
光子25で吸収されるから、半導体レーザ14へは戻ら
ないことになる。かくして、この実施例では先述のよう
な波長の安定化、ノ4ワーの安定化の上に、戻シ光の影
響を回避できるという効果も得られる。
なお、第4図、第5図の実施例では、外圧器21によっ
てノ譬ツケージ化された場合の熱による各部の膨脹が、
影響を及ぼすことが考えられる。
しかし、この場合、外部共振器を構成する上記各部材を
熱膨脹の少々い1つの部材上に配設するか、または、膨
脹によシ半導体レーザとコリメータレンズの距離が伸び
ると、これに対応してコリメータレンズも熱により半径
方向に膨脹して焦点距離が伸びるような材質選択を行う
かすればよい、換言すれば、各部材は、極力、熱による
変化の少ない材質にし、また、熱による変化を打ち消し
合うような構成にする工夫で、熱膨脹の影響を防ぐので
ある。
(発明の効果) 本発明は以上詳述したようになり、色収差の大きなコリ
メート手段を持って、外部共振型半導体レーザ装置を構
成することで、発振波長の選択性をコリメート手段の設
計値によってもたせることができるから、簡単な構成で
、波長の安定化が実現できる。
【図面の簡単な説明】 第1図ないし第3図は本発明の各実施例を示す構成図、
第4図および第5図は外囲器によシ一体化した具体例を
それぞれ示す構成図である。 1・・・半導体レーデ、2・・・コリメートレンズ、6
゜10.13・・・反射面、4・・・反射面、5・・・
反射防止面、7・・・平行平板(光学素子)。 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 光の射出方向に関して背面側に反射面を設けた半導体レ
    ーザと、該半導体レーザからの発散光を平行光束とする
    コリメート手段と、上記平行光束の一部を垂直反射する
    反射面を持った光学素子とを具備したことを特徴とする
    外部共振型半導体レーザ装置。
JP3628989A 1989-02-17 1989-02-17 外部共振型半導体レーザ装置 Pending JPH02216881A (ja)

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JP3628989A JPH02216881A (ja) 1989-02-17 1989-02-17 外部共振型半導体レーザ装置

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JPH02216881A true JPH02216881A (ja) 1990-08-29

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175585A (ja) * 1991-05-21 1993-07-13 American Teleph & Telegr Co <Att> 光源、光子スイッチング装置および光スイッチング装置
JPH05206578A (ja) * 1991-10-11 1993-08-13 American Teleph & Telegr Co <Att> 外部キャビティダイオードレーザ
JPH0661575A (ja) * 1992-08-07 1994-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザデバイス

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175585A (ja) * 1991-05-21 1993-07-13 American Teleph & Telegr Co <Att> 光源、光子スイッチング装置および光スイッチング装置
JP2656694B2 (ja) * 1991-05-21 1997-09-24 エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション 光源、光子スイッチング装置および光スイッチング装置
JPH05206578A (ja) * 1991-10-11 1993-08-13 American Teleph & Telegr Co <Att> 外部キャビティダイオードレーザ
JPH0661575A (ja) * 1992-08-07 1994-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザデバイス

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