JPH0220211Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、一つのコーテングロールによるロー
ルコーター式スパツタリング装置に関するもので
あり、更に詳しくはロールに巻取られたフイルム
状物を連続的にスパツタリングする装置を改良す
ることによつて、均一な安定した優れた金属又は
金属化合物の薄膜をフイルム上に形成するための
装置に関するものである。

［従来の技術］ 従来２チヤンバー式のロールコーター式スパツ
タリング装置は、ポリエステルフイルムに代表さ
れるような巻き状態の良好なロール状物のフイル
ムにスパツタリングすることが前提となつた装置
であつた。このためにロール巻出し装置部とロー
ル巻取り装置部とのチヤンバー及びスパツタリン
グチヤンバーからなる２チヤンバー式のスパツタ
リング装置しかなかつた。

しかしながらエレクトロニクス、オプトエレク
トロニクス等の分野において、金属又は金属化合
物をスパツタリングし薄膜を形成させるべき相手
フイルムに多機能性が要求されてきており、種々
の特性を有するフイルムにスパツタリングするこ
とが望まれてきている。

これらのフイルムとしては、機械的強度上フイ
ルム切れ等の問題により、堅く巻取れないものや
厚み精度が不十分で片面もしくは両面に何らかの
理由で凹凸状となつたもの等は、ロールに巻き上
げたときフイルム間〓に空気を多量に巻き込んで
おり、このままでの状態ではスパツタリングしよ
うとした場合これらの空気の影響によりスパツタ
リングチヤンバーの真空度が変動してしまい、フ
イルム上に均一な優れた金属又は金属化合物の薄
膜を形成することは非常に困難であつた。又更に
これらに対処するために、一旦ロール状に巻取つ
たフイルムを更に真空中で巻き返えしたロール状
フイルムをスパツタリング装置にセツトするとき
にどうしても常圧の空気にさらされてしまうた
め、空気を再び巻き込んでしまうという問題は解
決され得なかつた。

［考案が解決しようとする課題］ 本考案は、従来良好に行えなかつたフイルム間
に多量の空気を有するロール状に巻き取つたフイ
ルムに、均一な優れた金属又は金属化合物の薄膜
をスパツタリングにより形成させようと種々検討
を行つた結果、巻出しチヤンバーをスパツタリン
グチヤンバーとは隔壁を２層設けて隔離し別室に
することによつてはじめて達成したものである。

［課題を解決するための手段］ 本考案は、一つのコーテングロール５によるロ
ールコーター式スパツタリング装置において、ス
パツタリングチヤンバー１２は巻取りチヤンバー
１１とフイルム走行スリツト７，７′を有する隔
壁１３、により隔離されており、更に巻出しチヤ
ンバー１０は巻取りチヤンバー１１とフイルム繰
り出しスリツト３を設けた隔壁２とにより隔離さ
れており、又該巻出しチヤンバー１０、該巻取り
チヤンバー１１及びスパツタリングチヤンバー１
２には独立した真空排気口８，８′，８″をそれぞ
れ設けてなることを特徴とするロールコーター式
スパツタリング装置である。

［作用］ 本考案を図面により詳細に説明する。第１図は
本考案のロールコーター式スパツタリング装置の
構造を示す模式断面図である。

巻出しチヤンバー１０は、フイルム巻出しロー
ル１を設け、かつフイルム繰り出し部スリツト３
を設けた隔壁２により隔離され別室となつてお
り、この巻出しチヤンバー１０は独立した真空排
気装置（図示せず）により真空排気される真空排
気口８を有している。フイルム６はフイルム巻出
し部１よりフイルム繰り出しスリツト３を通り、
巻取りチヤンバー１１内に繰り出され、ロールコ
ーター５と隔壁１３との間に形成されているフイ
ルム走行スリツト７を経てスパツタリングチヤン
バー１２内に導入され、金属又は金属化合物がフ
イルム６上にスパツタリングされ、薄膜が形成さ
れる。更にスパツタリングされた後にフイルム６
はフイルム走行スリツト７′を経て巻取りチヤン
バー１１内に戻り、巻取りロール４に巻取られて
スパツタリングは終了する。

本装置においては、巻取りチヤンバー１１、ス
パツタリングチヤンバー１２及び巻出しチヤンバ
ー１０が真空排気され、次いでスパツタリングチ
ヤンバー１２にスパツタガスを導入し、スパツタ
リングチヤンバー１２をグロー放電領域に圧力を
保ちつつターゲツト１４に電力を印加してスパツ
タリングを行う。

本装置において巻出しチヤンバー１０は、巻取
りチヤンバー１１より隔離されており、別系統の
真空排気装置に排気されており、更に巻取りチヤ
ンバー１１はスパツタリングチヤンバー１２より
隔離されているので、フイルム巻出し時に発生す
るフイルム間〓からの空気による真空圧力変動
は、スパツタリングチヤンバー１２の真空圧力に
殆ど影響を与えず、均一に安定した優れた連続ス
パツタリングが可能になる。

即ち多量の空気を含んだロール状フイルム中の
空気は、先ず巻出しチヤンバー１０内で独立した
真空排気装置によつて真空排気口８より排気され
る。次いで巻取りチヤンバー１１内をフイルム６
が走行する間に別の真空排気装置によつて、更に
空気は真空排気口８′により排気されてフイルム
走行スリツト７を通つてスパツタリングチヤンバ
ー１２内にフイルム６が送られてくる。スパツタ
リングチヤンバー１２内は更に別の真空排気装置
によつて真空排気口８″より排気しているので、
スパツタリングチヤンバー内の真空圧力は一定と
なり、該フイルム６にはスパツタリングが均一に
安定して行えるのである。次いでスパツタリング
されたフイルム６は、フイルム走行スリツト７′
を通つて、又巻取りチヤンバー１１内に戻り巻取
りロールに巻取られてスパツタリング工程は終了
する。

［実施例］ 第１図に示す装置を用い、フイルム６として
100μｍのポリエーテルサルホンフイルムのロー
ル状物を用いた。このフイルムの厚みのバラツキ
は±15％であり、ロール中に大量の空気を巻き込
んで含んでいるものである。

ターゲツト１４の金属としてインジウム・スズ
合金を用い、巻出しチヤンバー１０、巻取りチヤ
ンバー１１及びスパツタリングチヤンバー１２を
約30分排気口より排気し系全体の真空度を５×
10^-3Torrとした。次いでスパツタリングチヤン
バー１２にアルゴンと酸素の混合ガスをスパツタ
リングガス供給口９より導入し、反応性スパツタ
リング法によりスパツタリングを行い、透明導電
薄膜を形成させた。

尚連続スパツタリング中には巻出しチヤンバー
１０は真空排気装置により常時１×10^-3Torr以
下となるように保ち真空排気口８より排気を続け
た。フイルムの走行速度は１ｍ／minで、インジ
ウム・スズ酸化物の薄膜を300Å厚に形成させた。

この時のスパツタリングチヤンバー１２の圧力
変動は±0.2×10^-3Torrであり、得られたインジ
ウム・スズ酸化物を付したフイルムのシート抵抗
は200〜400Ω／□、600nmの光線透過率は82〜84
％であつた。

比較として従来の２チヤンバー方式のロールコ
ーター式スパツタリング装置を用い、ポリエーテ
ルサルホンフイルムに300Åの厚さにインジウ
ム・スズ酸化物薄膜を形成させた。

この時のスパツタリングチヤンバー１２の圧力
は５×10^-3〜１×10^-2Torr間で変動し安定しな
かつた。得られたフイルムのシート抵抗は200〜
2000Ω／□と変動し、又600nmにおける光線透過
率は70〜82％であり、不安定な性能のものしか得
ることができなかつた。

［考案の効果］ 本考案のロールコーター式スパツタリング装置
を用いれば、空気を大量に巻き込んだロール状の
フイルムについても、均一に安定して優れた金属
又は金属化合物の薄膜を連続的にスパツタリング
することができ、生産性に優れている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案のロールコーター式スパツタリ
ング装置の構造を示す模式断面図である。 １：巻出しロール、２：隔壁、３：フイルム繰
り出しスリツト、４：巻取りロール、５：コーテ
ングロール、６：フイルム、７：フイルム走行ス
リツト、８：真空排気口、９：スパツタリングガ
ス供給口、１０：巻出しチヤンバー、１１：巻取
りチヤンバー、１２：スパツタリングチヤンバ
ー、１３：隔壁、１４：ターゲツト。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 一つのコーテングロールによるロールコーター
   式スパツタリング装置において、スパツタリング
   チヤンバーは巻取りチヤンバーとフイルム走行ス
   リツトを有する隔壁により隔離されており、更に
   巻出しチヤンバーは巻取りチヤンバーとフイルム
   繰り出しスリツトを設けた隔壁とにより隔離され
   ており、又該巻出しチヤンバー、該巻取りチヤン
   バー及び該スパツタリングチヤンバーには独立し
   た真空排気口をそれぞれ設けてなることを特徴と
   するロールコーター式スパツタリング装置。