JPH0220211Y2 - - Google Patents
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- JPH0220211Y2 JPH0220211Y2 JP1985142056U JP14205685U JPH0220211Y2 JP H0220211 Y2 JPH0220211 Y2 JP H0220211Y2 JP 1985142056 U JP1985142056 U JP 1985142056U JP 14205685 U JP14205685 U JP 14205685U JP H0220211 Y2 JPH0220211 Y2 JP H0220211Y2
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本考案は、一つのコーテングロールによるロー
ルコーター式スパツタリング装置に関するもので
あり、更に詳しくはロールに巻取られたフイルム
状物を連続的にスパツタリングする装置を改良す
ることによつて、均一な安定した優れた金属又は
金属化合物の薄膜をフイルム上に形成するための
装置に関するものである。
ルコーター式スパツタリング装置に関するもので
あり、更に詳しくはロールに巻取られたフイルム
状物を連続的にスパツタリングする装置を改良す
ることによつて、均一な安定した優れた金属又は
金属化合物の薄膜をフイルム上に形成するための
装置に関するものである。
[従来の技術]
従来2チヤンバー式のロールコーター式スパツ
タリング装置は、ポリエステルフイルムに代表さ
れるような巻き状態の良好なロール状物のフイル
ムにスパツタリングすることが前提となつた装置
であつた。このためにロール巻出し装置部とロー
ル巻取り装置部とのチヤンバー及びスパツタリン
グチヤンバーからなる2チヤンバー式のスパツタ
リング装置しかなかつた。
タリング装置は、ポリエステルフイルムに代表さ
れるような巻き状態の良好なロール状物のフイル
ムにスパツタリングすることが前提となつた装置
であつた。このためにロール巻出し装置部とロー
ル巻取り装置部とのチヤンバー及びスパツタリン
グチヤンバーからなる2チヤンバー式のスパツタ
リング装置しかなかつた。
しかしながらエレクトロニクス、オプトエレク
トロニクス等の分野において、金属又は金属化合
物をスパツタリングし薄膜を形成させるべき相手
フイルムに多機能性が要求されてきており、種々
の特性を有するフイルムにスパツタリングするこ
とが望まれてきている。
トロニクス等の分野において、金属又は金属化合
物をスパツタリングし薄膜を形成させるべき相手
フイルムに多機能性が要求されてきており、種々
の特性を有するフイルムにスパツタリングするこ
とが望まれてきている。
これらのフイルムとしては、機械的強度上フイ
ルム切れ等の問題により、堅く巻取れないものや
厚み精度が不十分で片面もしくは両面に何らかの
理由で凹凸状となつたもの等は、ロールに巻き上
げたときフイルム間〓に空気を多量に巻き込んで
おり、このままでの状態ではスパツタリングしよ
うとした場合これらの空気の影響によりスパツタ
リングチヤンバーの真空度が変動してしまい、フ
イルム上に均一な優れた金属又は金属化合物の薄
膜を形成することは非常に困難であつた。又更に
これらに対処するために、一旦ロール状に巻取つ
たフイルムを更に真空中で巻き返えしたロール状
フイルムをスパツタリング装置にセツトするとき
にどうしても常圧の空気にさらされてしまうた
め、空気を再び巻き込んでしまうという問題は解
決され得なかつた。
ルム切れ等の問題により、堅く巻取れないものや
厚み精度が不十分で片面もしくは両面に何らかの
理由で凹凸状となつたもの等は、ロールに巻き上
げたときフイルム間〓に空気を多量に巻き込んで
おり、このままでの状態ではスパツタリングしよ
うとした場合これらの空気の影響によりスパツタ
リングチヤンバーの真空度が変動してしまい、フ
イルム上に均一な優れた金属又は金属化合物の薄
膜を形成することは非常に困難であつた。又更に
これらに対処するために、一旦ロール状に巻取つ
たフイルムを更に真空中で巻き返えしたロール状
フイルムをスパツタリング装置にセツトするとき
にどうしても常圧の空気にさらされてしまうた
め、空気を再び巻き込んでしまうという問題は解
決され得なかつた。
[考案が解決しようとする課題]
本考案は、従来良好に行えなかつたフイルム間
に多量の空気を有するロール状に巻き取つたフイ
ルムに、均一な優れた金属又は金属化合物の薄膜
をスパツタリングにより形成させようと種々検討
を行つた結果、巻出しチヤンバーをスパツタリン
グチヤンバーとは隔壁を2層設けて隔離し別室に
することによつてはじめて達成したものである。
に多量の空気を有するロール状に巻き取つたフイ
ルムに、均一な優れた金属又は金属化合物の薄膜
をスパツタリングにより形成させようと種々検討
を行つた結果、巻出しチヤンバーをスパツタリン
グチヤンバーとは隔壁を2層設けて隔離し別室に
することによつてはじめて達成したものである。
[課題を解決するための手段]
本考案は、一つのコーテングロール5によるロ
ールコーター式スパツタリング装置において、ス
パツタリングチヤンバー12は巻取りチヤンバー
11とフイルム走行スリツト7,7′を有する隔
壁13、により隔離されており、更に巻出しチヤ
ンバー10は巻取りチヤンバー11とフイルム繰
り出しスリツト3を設けた隔壁2とにより隔離さ
れており、又該巻出しチヤンバー10、該巻取り
チヤンバー11及びスパツタリングチヤンバー1
2には独立した真空排気口8,8′,8″をそれぞ
れ設けてなることを特徴とするロールコーター式
スパツタリング装置である。
ールコーター式スパツタリング装置において、ス
パツタリングチヤンバー12は巻取りチヤンバー
11とフイルム走行スリツト7,7′を有する隔
壁13、により隔離されており、更に巻出しチヤ
ンバー10は巻取りチヤンバー11とフイルム繰
り出しスリツト3を設けた隔壁2とにより隔離さ
れており、又該巻出しチヤンバー10、該巻取り
チヤンバー11及びスパツタリングチヤンバー1
2には独立した真空排気口8,8′,8″をそれぞ
れ設けてなることを特徴とするロールコーター式
スパツタリング装置である。
[作用]
本考案を図面により詳細に説明する。第1図は
本考案のロールコーター式スパツタリング装置の
構造を示す模式断面図である。
本考案のロールコーター式スパツタリング装置の
構造を示す模式断面図である。
巻出しチヤンバー10は、フイルム巻出しロー
ル1を設け、かつフイルム繰り出し部スリツト3
を設けた隔壁2により隔離され別室となつてお
り、この巻出しチヤンバー10は独立した真空排
気装置(図示せず)により真空排気される真空排
気口8を有している。フイルム6はフイルム巻出
し部1よりフイルム繰り出しスリツト3を通り、
巻取りチヤンバー11内に繰り出され、ロールコ
ーター5と隔壁13との間に形成されているフイ
ルム走行スリツト7を経てスパツタリングチヤン
バー12内に導入され、金属又は金属化合物がフ
イルム6上にスパツタリングされ、薄膜が形成さ
れる。更にスパツタリングされた後にフイルム6
はフイルム走行スリツト7′を経て巻取りチヤン
バー11内に戻り、巻取りロール4に巻取られて
スパツタリングは終了する。
ル1を設け、かつフイルム繰り出し部スリツト3
を設けた隔壁2により隔離され別室となつてお
り、この巻出しチヤンバー10は独立した真空排
気装置(図示せず)により真空排気される真空排
気口8を有している。フイルム6はフイルム巻出
し部1よりフイルム繰り出しスリツト3を通り、
巻取りチヤンバー11内に繰り出され、ロールコ
ーター5と隔壁13との間に形成されているフイ
ルム走行スリツト7を経てスパツタリングチヤン
バー12内に導入され、金属又は金属化合物がフ
イルム6上にスパツタリングされ、薄膜が形成さ
れる。更にスパツタリングされた後にフイルム6
はフイルム走行スリツト7′を経て巻取りチヤン
バー11内に戻り、巻取りロール4に巻取られて
スパツタリングは終了する。
本装置においては、巻取りチヤンバー11、ス
パツタリングチヤンバー12及び巻出しチヤンバ
ー10が真空排気され、次いでスパツタリングチ
ヤンバー12にスパツタガスを導入し、スパツタ
リングチヤンバー12をグロー放電領域に圧力を
保ちつつターゲツト14に電力を印加してスパツ
タリングを行う。
パツタリングチヤンバー12及び巻出しチヤンバ
ー10が真空排気され、次いでスパツタリングチ
ヤンバー12にスパツタガスを導入し、スパツタ
リングチヤンバー12をグロー放電領域に圧力を
保ちつつターゲツト14に電力を印加してスパツ
タリングを行う。
本装置において巻出しチヤンバー10は、巻取
りチヤンバー11より隔離されており、別系統の
真空排気装置に排気されており、更に巻取りチヤ
ンバー11はスパツタリングチヤンバー12より
隔離されているので、フイルム巻出し時に発生す
るフイルム間〓からの空気による真空圧力変動
は、スパツタリングチヤンバー12の真空圧力に
殆ど影響を与えず、均一に安定した優れた連続ス
パツタリングが可能になる。
りチヤンバー11より隔離されており、別系統の
真空排気装置に排気されており、更に巻取りチヤ
ンバー11はスパツタリングチヤンバー12より
隔離されているので、フイルム巻出し時に発生す
るフイルム間〓からの空気による真空圧力変動
は、スパツタリングチヤンバー12の真空圧力に
殆ど影響を与えず、均一に安定した優れた連続ス
パツタリングが可能になる。
即ち多量の空気を含んだロール状フイルム中の
空気は、先ず巻出しチヤンバー10内で独立した
真空排気装置によつて真空排気口8より排気され
る。次いで巻取りチヤンバー11内をフイルム6
が走行する間に別の真空排気装置によつて、更に
空気は真空排気口8′により排気されてフイルム
走行スリツト7を通つてスパツタリングチヤンバ
ー12内にフイルム6が送られてくる。スパツタ
リングチヤンバー12内は更に別の真空排気装置
によつて真空排気口8″より排気しているので、
スパツタリングチヤンバー内の真空圧力は一定と
なり、該フイルム6にはスパツタリングが均一に
安定して行えるのである。次いでスパツタリング
されたフイルム6は、フイルム走行スリツト7′
を通つて、又巻取りチヤンバー11内に戻り巻取
りロールに巻取られてスパツタリング工程は終了
する。
空気は、先ず巻出しチヤンバー10内で独立した
真空排気装置によつて真空排気口8より排気され
る。次いで巻取りチヤンバー11内をフイルム6
が走行する間に別の真空排気装置によつて、更に
空気は真空排気口8′により排気されてフイルム
走行スリツト7を通つてスパツタリングチヤンバ
ー12内にフイルム6が送られてくる。スパツタ
リングチヤンバー12内は更に別の真空排気装置
によつて真空排気口8″より排気しているので、
スパツタリングチヤンバー内の真空圧力は一定と
なり、該フイルム6にはスパツタリングが均一に
安定して行えるのである。次いでスパツタリング
されたフイルム6は、フイルム走行スリツト7′
を通つて、又巻取りチヤンバー11内に戻り巻取
りロールに巻取られてスパツタリング工程は終了
する。
[実施例]
第1図に示す装置を用い、フイルム6として
100μmのポリエーテルサルホンフイルムのロー
ル状物を用いた。このフイルムの厚みのバラツキ
は±15%であり、ロール中に大量の空気を巻き込
んで含んでいるものである。
100μmのポリエーテルサルホンフイルムのロー
ル状物を用いた。このフイルムの厚みのバラツキ
は±15%であり、ロール中に大量の空気を巻き込
んで含んでいるものである。
ターゲツト14の金属としてインジウム・スズ
合金を用い、巻出しチヤンバー10、巻取りチヤ
ンバー11及びスパツタリングチヤンバー12を
約30分排気口より排気し系全体の真空度を5×
10-3Torrとした。次いでスパツタリングチヤン
バー12にアルゴンと酸素の混合ガスをスパツタ
リングガス供給口9より導入し、反応性スパツタ
リング法によりスパツタリングを行い、透明導電
薄膜を形成させた。
合金を用い、巻出しチヤンバー10、巻取りチヤ
ンバー11及びスパツタリングチヤンバー12を
約30分排気口より排気し系全体の真空度を5×
10-3Torrとした。次いでスパツタリングチヤン
バー12にアルゴンと酸素の混合ガスをスパツタ
リングガス供給口9より導入し、反応性スパツタ
リング法によりスパツタリングを行い、透明導電
薄膜を形成させた。
尚連続スパツタリング中には巻出しチヤンバー
10は真空排気装置により常時1×10-3Torr以
下となるように保ち真空排気口8より排気を続け
た。フイルムの走行速度は1m/minで、インジ
ウム・スズ酸化物の薄膜を300Å厚に形成させた。
10は真空排気装置により常時1×10-3Torr以
下となるように保ち真空排気口8より排気を続け
た。フイルムの走行速度は1m/minで、インジ
ウム・スズ酸化物の薄膜を300Å厚に形成させた。
この時のスパツタリングチヤンバー12の圧力
変動は±0.2×10-3Torrであり、得られたインジ
ウム・スズ酸化物を付したフイルムのシート抵抗
は200〜400Ω/□、600nmの光線透過率は82〜84
%であつた。
変動は±0.2×10-3Torrであり、得られたインジ
ウム・スズ酸化物を付したフイルムのシート抵抗
は200〜400Ω/□、600nmの光線透過率は82〜84
%であつた。
比較として従来の2チヤンバー方式のロールコ
ーター式スパツタリング装置を用い、ポリエーテ
ルサルホンフイルムに300Åの厚さにインジウ
ム・スズ酸化物薄膜を形成させた。
ーター式スパツタリング装置を用い、ポリエーテ
ルサルホンフイルムに300Åの厚さにインジウ
ム・スズ酸化物薄膜を形成させた。
この時のスパツタリングチヤンバー12の圧力
は5×10-3〜1×10-2Torr間で変動し安定しな
かつた。得られたフイルムのシート抵抗は200〜
2000Ω/□と変動し、又600nmにおける光線透過
率は70〜82%であり、不安定な性能のものしか得
ることができなかつた。
は5×10-3〜1×10-2Torr間で変動し安定しな
かつた。得られたフイルムのシート抵抗は200〜
2000Ω/□と変動し、又600nmにおける光線透過
率は70〜82%であり、不安定な性能のものしか得
ることができなかつた。
[考案の効果]
本考案のロールコーター式スパツタリング装置
を用いれば、空気を大量に巻き込んだロール状の
フイルムについても、均一に安定して優れた金属
又は金属化合物の薄膜を連続的にスパツタリング
することができ、生産性に優れている。
を用いれば、空気を大量に巻き込んだロール状の
フイルムについても、均一に安定して優れた金属
又は金属化合物の薄膜を連続的にスパツタリング
することができ、生産性に優れている。
第1図は本考案のロールコーター式スパツタリ
ング装置の構造を示す模式断面図である。 1:巻出しロール、2:隔壁、3:フイルム繰
り出しスリツト、4:巻取りロール、5:コーテ
ングロール、6:フイルム、7:フイルム走行ス
リツト、8:真空排気口、9:スパツタリングガ
ス供給口、10:巻出しチヤンバー、11:巻取
りチヤンバー、12:スパツタリングチヤンバ
ー、13:隔壁、14:ターゲツト。
ング装置の構造を示す模式断面図である。 1:巻出しロール、2:隔壁、3:フイルム繰
り出しスリツト、4:巻取りロール、5:コーテ
ングロール、6:フイルム、7:フイルム走行ス
リツト、8:真空排気口、9:スパツタリングガ
ス供給口、10:巻出しチヤンバー、11:巻取
りチヤンバー、12:スパツタリングチヤンバ
ー、13:隔壁、14:ターゲツト。
Claims (1)
- 一つのコーテングロールによるロールコーター
式スパツタリング装置において、スパツタリング
チヤンバーは巻取りチヤンバーとフイルム走行ス
リツトを有する隔壁により隔離されており、更に
巻出しチヤンバーは巻取りチヤンバーとフイルム
繰り出しスリツトを設けた隔壁とにより隔離され
ており、又該巻出しチヤンバー、該巻取りチヤン
バー及び該スパツタリングチヤンバーには独立し
た真空排気口をそれぞれ設けてなることを特徴と
するロールコーター式スパツタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985142056U JPH0220211Y2 (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985142056U JPH0220211Y2 (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6251172U JPS6251172U (ja) | 1987-03-30 |
JPH0220211Y2 true JPH0220211Y2 (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=31050422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1985142056U Expired JPH0220211Y2 (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0220211Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010018828A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 真空蒸着装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59173267A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPS59173266A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPS6067671A (ja) * | 1983-09-24 | 1985-04-18 | Anelva Corp | 薄膜作成装置 |
-
1985
- 1985-09-19 JP JP1985142056U patent/JPH0220211Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59173267A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPS59173266A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPS6067671A (ja) * | 1983-09-24 | 1985-04-18 | Anelva Corp | 薄膜作成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6251172U (ja) | 1987-03-30 |
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