JPH02194165A - イオンプレーティングにおけるイオン化方法およびイオンプレーティング装置 - Google Patents
イオンプレーティングにおけるイオン化方法およびイオンプレーティング装置Info
- Publication number
- JPH02194165A JPH02194165A JP1164789A JP1164789A JPH02194165A JP H02194165 A JPH02194165 A JP H02194165A JP 1164789 A JP1164789 A JP 1164789A JP 1164789 A JP1164789 A JP 1164789A JP H02194165 A JPH02194165 A JP H02194165A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation
- evaporated
- ion plating
- ionization
- substance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 93
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 91
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 30
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、蒸発源から蒸発した蒸発物質と反応ガス、
あるいは反応ガスを用いない場合は蒸発物質をイオン化
して、被蒸着物に蒸着させるイオンプレーティングのイ
オン化方法と、その方法を実施するイオンプレーティン
グ装置に係り、特に、蒸発物質や反応ガスのイオン化を
促進させる方法と手段に特徴があるイオンプレーティン
グのイオン化方法と、イオンプレーティング装置に関す
る。
あるいは反応ガスを用いない場合は蒸発物質をイオン化
して、被蒸着物に蒸着させるイオンプレーティングのイ
オン化方法と、その方法を実施するイオンプレーティン
グ装置に係り、特に、蒸発物質や反応ガスのイオン化を
促進させる方法と手段に特徴があるイオンプレーティン
グのイオン化方法と、イオンプレーティング装置に関す
る。
［従来の技術］
従来のイオンプレーティング装置は、第２図のように構
成されている。
成されている。
図において１は真空槽であり、その内部は、排気管２か
ら真空排気されることにより真空状態に保持され、反応
ガスを用いる場合はノズル３から反応ガスＧが供給され
る。この反応ガスＧは、例えば窒素や炭素などであり、
放電を生じさせるためにアルゴンなどの不活性ガスが混
合されることもある。
ら真空排気されることにより真空状態に保持され、反応
ガスを用いる場合はノズル３から反応ガスＧが供給され
る。この反応ガスＧは、例えば窒素や炭素などであり、
放電を生じさせるためにアルゴンなどの不活性ガスが混
合されることもある。
真空槽１内の底部には、蒸発源４が備えられている。こ
の蒸発源４は、蒸発材料５を所定の蒸気圧とするように
、温度でいえば融点よりも少し高い温度にまで加熱して
蒸発させるものである。本例の蒸発源４は、電子ビーム
Ｂを利用したいわゆる電子ビーム蒸発源であり、水冷さ
れたルツボ６内の蒸発材料５に、電子銃７からの電子ビ
ームＢを直接当てて加熱することによって、その蒸発材
料５を蒸発させる。８は電子銃７の電源である。
の蒸発源４は、蒸発材料５を所定の蒸気圧とするように
、温度でいえば融点よりも少し高い温度にまで加熱して
蒸発させるものである。本例の蒸発源４は、電子ビーム
Ｂを利用したいわゆる電子ビーム蒸発源であり、水冷さ
れたルツボ６内の蒸発材料５に、電子銃７からの電子ビ
ームＢを直接当てて加熱することによって、その蒸発材
料５を蒸発させる。８は電子銃７の電源である。
蒸発源４の上方位置には、放電用プローブ９が備えられ
ている。この放電用プローブ９は、プローブ用電源ｌＯ
によって、ルツボ６に対して正の電圧が印加される。こ
の放電用プローブ９は、モリブデン、タンタル、タング
ステンなどで形成されていて、蒸発源４から熱電子を放
出させ、その熱電子を、反応ガスＧやルツボ６から蒸発
した蒸発物質に衝突させる。これにより、反応ガスＧや
蒸発物質をイオン化あるいは励起させて、蒸着物質流Ｒ
をつくる。
ている。この放電用プローブ９は、プローブ用電源ｌＯ
によって、ルツボ６に対して正の電圧が印加される。こ
の放電用プローブ９は、モリブデン、タンタル、タング
ステンなどで形成されていて、蒸発源４から熱電子を放
出させ、その熱電子を、反応ガスＧやルツボ６から蒸発
した蒸発物質に衝突させる。これにより、反応ガスＧや
蒸発物質をイオン化あるいは励起させて、蒸着物質流Ｒ
をつくる。
また、真空槽ｌ内の上方には、被蒸着物としての基板２
が配置されている。この基板１１には、基板電源１２に
よって、ルツボ６に対して負の電圧が印加される。１３
は電流検出器である。
が配置されている。この基板１１には、基板電源１２に
よって、ルツボ６に対して負の電圧が印加される。１３
は電流検出器である。
このように構成されたイオンプレーティング装置におい
ては、電子ビームＢによって加熱された蒸発材料５が蒸
発物質となって真空槽１内に蒸発する。この時、蒸発源
４から放電用プローブ９に向けて放出される熱電子が蒸
発物質に衝突し、その蒸発物質から電子を弾き出して正
イオン化する。
ては、電子ビームＢによって加熱された蒸発材料５が蒸
発物質となって真空槽１内に蒸発する。この時、蒸発源
４から放電用プローブ９に向けて放出される熱電子が蒸
発物質に衝突し、その蒸発物質から電子を弾き出して正
イオン化する。
熱電子は、同様にして反応ガスＧも正イオン化する。蒸
発物質と反応ガスＧは正イオン化されて蒸着物質流Ｒと
なり、電位の低い基板２に引かれて衝突し、化合して蒸
着膜を形成する。
発物質と反応ガスＧは正イオン化されて蒸着物質流Ｒと
なり、電位の低い基板２に引かれて衝突し、化合して蒸
着膜を形成する。
このように、従来のイオンプレーティング装置は、蒸発
物質と反応ガスＧ、あるいは反応ガスＧを用いない場合
は蒸発物質をイオン化させる手段として、電子銃７と放
電用プローブ９を用い、電子銃７によって蒸発材料５を
蒸発させると共に熱電子ｅ−を放出させている。つまり
、電子銃７は、蒸発材料５を蒸発させる機能と、熱電子
ｅ−を放出させてイオン化する機能とを兼有している。
物質と反応ガスＧ、あるいは反応ガスＧを用いない場合
は蒸発物質をイオン化させる手段として、電子銃７と放
電用プローブ９を用い、電子銃７によって蒸発材料５を
蒸発させると共に熱電子ｅ−を放出させている。つまり
、電子銃７は、蒸発材料５を蒸発させる機能と、熱電子
ｅ−を放出させてイオン化する機能とを兼有している。
し発明が解決しようとする課題］
上述したように、従来のイオンプレーティング装置は、
電子銃７が２つの機能を兼有していた。
電子銃７が２つの機能を兼有していた。
ところが、電子銃７に対して、蒸発材料５を蒸発させる
機能とイオン化させる機能の双方を求めて、それらの要
求を同時に満足させることは難しかった。特に、蒸発材
料５が溶解したときの温度変化の影響によって、熱電子
ｅ−の放出が不充分となり、蒸発物質や反応ガスのイオ
ン化率が低くなるという問題があった。
機能とイオン化させる機能の双方を求めて、それらの要
求を同時に満足させることは難しかった。特に、蒸発材
料５が溶解したときの温度変化の影響によって、熱電子
ｅ−の放出が不充分となり、蒸発物質や反応ガスのイオ
ン化率が低くなるという問題があった。
この発明は、このような問題を解決課題とする。
［課題を解決す、るための手段］
（１）第１請求項に記載のイオンプレーティングにおけ
るイオン化方法は、 蒸発源から蒸発した蒸発物質をイオン化して、被蒸着物
に蒸着させるイオンプレーティングにおけるイオン化方
法において、 蒸発源から蒸発した蒸発物質に電子ビームを照射してイ
オン化を促進させることを特徴とする。
るイオン化方法は、 蒸発源から蒸発した蒸発物質をイオン化して、被蒸着物
に蒸着させるイオンプレーティングにおけるイオン化方
法において、 蒸発源から蒸発した蒸発物質に電子ビームを照射してイ
オン化を促進させることを特徴とする。
（２）第２請求項に記載のイオンプレーティングにおけ
るイオン化方法は、 蒸発源から蒸発した蒸発物質と、反応ガスをイオン化し
て、被蒸着物に蒸着させるイオンプレーティングにおけ
るイオン化方法において、蒸発源から蒸発した蒸発物質
と反応ガスに電子ビームを照射してイオン化を促進させ
ることを特徴とする。
るイオン化方法は、 蒸発源から蒸発した蒸発物質と、反応ガスをイオン化し
て、被蒸着物に蒸着させるイオンプレーティングにおけ
るイオン化方法において、蒸発源から蒸発した蒸発物質
と反応ガスに電子ビームを照射してイオン化を促進させ
ることを特徴とする。
（３）第３請求項に記載のイオンプレーティング装置は
、 蒸発源から蒸発した蒸発物質をイオン化して、被蒸着物
に蒸着させるイオンプレーティング装置において、 蒸発源と被蒸着物の間に、蒸発源から蒸発した蒸発物質
に電子ビームを照射してイオン化させる電子ビーム発生
手段を備えてことを特徴とする。
、 蒸発源から蒸発した蒸発物質をイオン化して、被蒸着物
に蒸着させるイオンプレーティング装置において、 蒸発源と被蒸着物の間に、蒸発源から蒸発した蒸発物質
に電子ビームを照射してイオン化させる電子ビーム発生
手段を備えてことを特徴とする。
（４）第４請求項に記載のイオンプレーティング装置は
、 蒸発源から蒸発した蒸発物質と、反応ガスをイオン化し
て、被蒸着物に蒸着させるイオンプレーティング装置に
おいて、 蒸発源と被蒸着物の間に、蒸発源から蒸発した蒸発物質
と反応ガスに電子ビームを照射してイオン化させる電子
ビーム発生手段を備えたことを特徴とする。
、 蒸発源から蒸発した蒸発物質と、反応ガスをイオン化し
て、被蒸着物に蒸着させるイオンプレーティング装置に
おいて、 蒸発源と被蒸着物の間に、蒸発源から蒸発した蒸発物質
と反応ガスに電子ビームを照射してイオン化させる電子
ビーム発生手段を備えたことを特徴とする。
［作用］
この発明のイオンプレーティングにおけるイオン化方法
は、蒸発源から蒸発した蒸発物質と反応ガス、あるいは
反応ガスを用いない場合は蒸発物質に電子ビームを照射
して、それらのイオン化を促進する。これにより、蒸発
物質の蒸発の制御とは全く別に、蒸発物質や反応ガスの
イオン化を制御して、制御性を増すと共にイオン化率を
上げる。
は、蒸発源から蒸発した蒸発物質と反応ガス、あるいは
反応ガスを用いない場合は蒸発物質に電子ビームを照射
して、それらのイオン化を促進する。これにより、蒸発
物質の蒸発の制御とは全く別に、蒸発物質や反応ガスの
イオン化を制御して、制御性を増すと共にイオン化率を
上げる。
また、この発明のイオンプレーティング装置は、蒸発源
と被蒸着物との間に備えた電子ビーム発生手段によって
、蒸発源から蒸発した蒸発物質と反応ガス、あるいは反
応ガスを用いない場合は蒸発物質に電子ビームを照射す
ることにより、それらのイオン化を促進する。
と被蒸着物との間に備えた電子ビーム発生手段によって
、蒸発源から蒸発した蒸発物質と反応ガス、あるいは反
応ガスを用いない場合は蒸発物質に電子ビームを照射す
ることにより、それらのイオン化を促進する。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を第１図に基づいて説明する
。なお、上述した第２図の従来例と同様の部分には同一
符号を付して説明を省略する。
。なお、上述した第２図の従来例と同様の部分には同一
符号を付して説明を省略する。
図において、２１はイオン化用電子銃（電子ビーム発生
手段）であり、ルツボ６寄りの蒸発材料５の蒸発流に向
かって電子ビームを照射するように備えられている。こ
のイオン化用電子銃２１は、例えばピアス型電子銃など
である。２２は、イオン化用電子銃２１の電源である。
手段）であり、ルツボ６寄りの蒸発材料５の蒸発流に向
かって電子ビームを照射するように備えられている。こ
のイオン化用電子銃２１は、例えばピアス型電子銃など
である。２２は、イオン化用電子銃２１の電源である。
蒸着物質流Ｒを挟んでイオン化用電子銃２１の反対側に
は、アース接続された水冷式の電子ビーム受け２３が備
えられている。
は、アース接続された水冷式の電子ビーム受け２３が備
えられている。
このように構成されたイオンプレーティング装置の場合
、イオン化用電子銃２１から蒸発材料５の蒸発流に向か
って照射された電子ｅ−は、蒸発物質や反応ガスＧに衝
突して、これらをイオン化して蒸着物質流Ｒをつくる。
、イオン化用電子銃２１から蒸発材料５の蒸発流に向か
って照射された電子ｅ−は、蒸発物質や反応ガスＧに衝
突して、これらをイオン化して蒸着物質流Ｒをつくる。
このように、イオン化用電子銃２１は、蒸発物質と反応
ガスＧをイオン化させるためのイオン化専用の電子銃と
して機能する。そのイオン化用電子銃２１の出力は、そ
の電源２２の出力を制御することによって、電子銃７と
は全く独立に制御できる。この結果、蒸発材料５の溶融
と、蒸発物質と反応ガスＧのイオン化を全く独立して制
御できることになる。
ガスＧをイオン化させるためのイオン化専用の電子銃と
して機能する。そのイオン化用電子銃２１の出力は、そ
の電源２２の出力を制御することによって、電子銃７と
は全く独立に制御できる。この結果、蒸発材料５の溶融
と、蒸発物質と反応ガスＧのイオン化を全く独立して制
御できることになる。
なお、反応ガスＧを用いないイオンプレーティングの場
合は、蒸発源４から蒸発した蒸発物質にイオン化用電子
銃２１の電子ビームを照射して、そのイオン化を促進す
る。
合は、蒸発源４から蒸発した蒸発物質にイオン化用電子
銃２１の電子ビームを照射して、そのイオン化を促進す
る。
［効果］
以上説明したように、この発明は、蒸発源から蒸発した
蒸発物質と反応ガス、あるいは反応ガスを用いない場合
は蒸発物質に電子ビームを照射して、それらのイオン化
を促進するから、次のような効果を奏することができる
。
蒸発物質と反応ガス、あるいは反応ガスを用いない場合
は蒸発物質に電子ビームを照射して、それらのイオン化
を促進するから、次のような効果を奏することができる
。
■蒸発物質の蒸発と、蒸発物質や反応ガスのイオン化を
全く独立して制御できるため、イオンプレーティングの
制御性が増す。例えば、電子ビームの出力、電子ビーム
の方向、電子ビームの広がりあるいは絞りを調整するこ
とにより、蒸発物質や反応ガスをイオン化する際の制御
性を増すことができる。
全く独立して制御できるため、イオンプレーティングの
制御性が増す。例えば、電子ビームの出力、電子ビーム
の方向、電子ビームの広がりあるいは絞りを調整するこ
とにより、蒸発物質や反応ガスをイオン化する際の制御
性を増すことができる。
■電子ビームを照射することによって、蒸発物質や反応
ガスのイオン化率を上げ、被蒸着物に対して、密着性が
良くて緻密な蒸着膜を形成することができる。
ガスのイオン化率を上げ、被蒸着物に対して、密着性が
良くて緻密な蒸着膜を形成することができる。
第１図は、この発明の一実施例を説明するための概略構
成図である。 第２図は、従来例を説明するための概略構成図である。 ・・・・・・真空槽、 ４・・・・・・蒸発源、・・・
・・・蒸発材料、 ６・・・・・・ルツボ、・・・・
・・電子銃、 ９・・・・・・放電用プローブ、ｌ・・
・・・・基板（被蒸着物）、 ！・・・・・・・イオン化用電子銃（電子ビーム発生手
段）２・・・・・・電子銃用電源、 Ｂ・・・・・・電子ビーム、 Ｒ・・・・・・蒸着物質
流。 出願人 石川島播磨重工業株式会社 粥！
成図である。 第２図は、従来例を説明するための概略構成図である。 ・・・・・・真空槽、 ４・・・・・・蒸発源、・・・
・・・蒸発材料、 ６・・・・・・ルツボ、・・・・
・・電子銃、 ９・・・・・・放電用プローブ、ｌ・・
・・・・基板（被蒸着物）、 ！・・・・・・・イオン化用電子銃（電子ビーム発生手
段）２・・・・・・電子銃用電源、 Ｂ・・・・・・電子ビーム、 Ｒ・・・・・・蒸着物質
流。 出願人 石川島播磨重工業株式会社 粥！
Claims (4)
- （１）蒸発源から蒸発した蒸発物質をイオン化して、被
蒸着物に蒸着させるイオンプレーティングにおけるイオ
ン化方法において、 蒸発源から蒸発した蒸発物質に電子ビームを照射してイ
オン化を促進させることを特徴とするイオンプレーティ
ングにおけるイオン化方法。 - （２）蒸発源から蒸発した蒸発物質と、反応ガスをイオ
ン化して、被蒸着物に蒸着させるイオンプレーティング
におけるイオン化方法において、蒸発源から蒸発した蒸
発物質と反応ガスに電子ビームを照射してイオン化を促
進させることを特徴とするイオンプレーティングにおけ
るイオン化方法。 - （３）蒸発源から蒸発した蒸発物質をイオン化して、被
蒸着物に蒸着させるイオンプレーティング装置において
、 蒸発源と被蒸着物の間に、蒸発源から蒸発した蒸発物質
に電子ビームを照射してイオン化させる電子ビーム発生
手段を備えてことを特徴とするイオンプレーティング装
置。 - （４）蒸発源から蒸発した蒸発物質と、反応ガスをイオ
ン化して、被蒸着物に蒸着させるイオンプレーティング
装置において、 蒸発源と被蒸着物の間に、蒸発源から蒸発した蒸発物質
と反応ガスに電子ビームを照射してイオン化させる電子
ビーム発生手段を備えたことを特徴とするイオンプレー
ティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1164789A JPH02194165A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | イオンプレーティングにおけるイオン化方法およびイオンプレーティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1164789A JPH02194165A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | イオンプレーティングにおけるイオン化方法およびイオンプレーティング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194165A true JPH02194165A (ja) | 1990-07-31 |
Family
ID=11783745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1164789A Pending JPH02194165A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | イオンプレーティングにおけるイオン化方法およびイオンプレーティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02194165A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05295527A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-11-09 | Rikagaku Kenkyusho | イオンプレーティング装置 |
| JPH06158293A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-07 | Jeol Ltd | イオンプレーティング装置 |
-
1989
- 1989-01-20 JP JP1164789A patent/JPH02194165A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05295527A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-11-09 | Rikagaku Kenkyusho | イオンプレーティング装置 |
| JPH06158293A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-07 | Jeol Ltd | イオンプレーティング装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3100209B2 (ja) | 真空蒸着用偏向電子銃装置 | |
| US6570172B2 (en) | Magnetron negative ion sputter source | |
| JPS63270458A (ja) | 化合物薄膜形成装置 | |
| US4941430A (en) | Apparatus for forming reactive deposition film | |
| JP3345009B2 (ja) | 加熱により製造された材料蒸気のイオン化方法及び該方法を実施する装置 | |
| JPH02194165A (ja) | イオンプレーティングにおけるイオン化方法およびイオンプレーティング装置 | |
| JP3401365B2 (ja) | プラズマ発生装置およびイオンプレーティング装置 | |
| JP3555033B2 (ja) | 負圧又は真空中において材料蒸気によつて基板を被覆する装置 | |
| JP3717655B2 (ja) | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 | |
| JPS5842771A (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
| JPH0625835A (ja) | 真空蒸着方法及び真空蒸着装置 | |
| JPH11273894A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS60251269A (ja) | イオンプレ−テイング方法および装置 | |
| JP3330159B2 (ja) | ダイナミックミキシング装置 | |
| JPH0214426B2 (ja) | ||
| JP3464998B2 (ja) | イオンプレーティング装置及びイオンプレーティングによる蒸着膜の膜厚と組成分布を制御する方法 | |
| JPH04191364A (ja) | イオンプレーティング方法および装置 | |
| JP2620474B2 (ja) | イオンプレーティング装置 | |
| JPH06264225A (ja) | イオンプレーティング装置 | |
| JPH0428862A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPH036369A (ja) | イオンプレーティング方法およびイオンプレーティング装置 | |
| JPS594045Y2 (ja) | 薄膜生成用イオン化装置 | |
| JP2004014226A (ja) | ピアス式電子銃およびこれを備える真空蒸着装置 | |
| JPH0154430B2 (ja) | ||
| JPH0737666B2 (ja) | 化合物薄膜の形成方法及び装置 |