JPH02180715A - １ ３ ６族化合物の製造方法 - Google Patents
１ ３ ６族化合物の製造方法Info
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- JPH02180715A JPH02180715A JP33178088A JP33178088A JPH02180715A JP H02180715 A JPH02180715 A JP H02180715A JP 33178088 A JP33178088 A JP 33178088A JP 33178088 A JP33178088 A JP 33178088A JP H02180715 A JPH02180715 A JP H02180715A
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Classifications
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- C01—INORGANIC CHEMISTRY
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- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
- C01G15/006—Compounds containing, besides gallium, indium, or thallium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
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- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＩＩｒＶＩ族化合物のｌ！Ｊ便な製造方法
に係り、とりわけ半導体材料として太陽電池等への利用
が期待されるＣｕ１ｎＳｅｔを薄膜状で多量に且つ簡便
に製造する方法に関するものである。
に係り、とりわけ半導体材料として太陽電池等への利用
が期待されるＣｕ１ｎＳｅｔを薄膜状で多量に且つ簡便
に製造する方法に関するものである。
元素周期律表の第１族の元素例えばＣｕと、第■族の元
素例えばＧａまたはＩｎと１ そして第■族の元素例え
ばＳまたはＳｅとからなる化合物。
素例えばＧａまたはＩｎと１ そして第■族の元素例え
ばＳまたはＳｅとからなる化合物。
代表的にはＣｕ１ｎＳａｔのような三元系化合物半導体
は例えば太陽電池用材料として注目されている。
は例えば太陽電池用材料として注目されている。
従来、このような三元系化合物半導体の製造法には、大
別すれば。
別すれば。
（ａ）、各元素をモル比に従ってアンプルまたはるつぼ
に封入し溶融冷却して育成する方法（例えば特開昭５Ｏ
−ｉ５２６Ｂ３号公報、米国特許第４６５２３３２号明
細書等）。
に封入し溶融冷却して育成する方法（例えば特開昭５Ｏ
−ｉ５２６Ｂ３号公報、米国特許第４６５２３３２号明
細書等）。
働）、各元素を蒸着源とする真空蒸着法（例えば特表昭
５７−５０２１９６号公報、米国特許第４３３５２６６
号明細書等）。
５７−５０２１９６号公報、米国特許第４３３５２６６
号明細書等）。
（Ｃ）、各元素のターゲットを用いるスパッター法（例
えば、特開昭６２−２０３８１号公報、米国特許第４４
６５５７５号明細書等） （ｄ）、各元素の混合粉末を不活性ガス雰囲気中で焼成
する方法（例えば特開昭６３−２４２９０７号公報等）
が知られている。
えば、特開昭６２−２０３８１号公報、米国特許第４４
６５５７５号明細書等） （ｄ）、各元素の混合粉末を不活性ガス雰囲気中で焼成
する方法（例えば特開昭６３−２４２９０７号公報等）
が知られている。
前述の如き従来のＩＩＩＩＶＩ族三元系化合物半導体の
製造法に共通して言える問題点は、高純度に精製された
各元素の単体を製造原料として準備しなければならない
点である。仮に、単体に代えて各元素の化合物を使用で
きたとしても、従来法では三元元素以外の不純物が系内
に残存するので、この残存不純物が該三元化合物の製造
に悪影響を与えないような特別の配慮が必要となる。
製造法に共通して言える問題点は、高純度に精製された
各元素の単体を製造原料として準備しなければならない
点である。仮に、単体に代えて各元素の化合物を使用で
きたとしても、従来法では三元元素以外の不純物が系内
に残存するので、この残存不純物が該三元化合物の製造
に悪影響を与えないような特別の配慮が必要となる。
また、前記（ｄ）の製造法以外の方法では、該三元化合
物を低廉に大量生産するには問題がある０例えば（ａ）
のアンプルを用いる溶融育成法はＣｕ１ｎＳｅｚ等を多
量に製造するには適さず、また薄膜作製法ではないので
、半導体製品を製作する場合などには使用に先立ってウ
ェハー状にしなければならないなど、複雑な加工工程が
必要となる。また、（ｂ）および（Ｃ）の真空蒸着法や
スパッター法は薄膜作製には適するが、高級装置を必要
としその制御や維持管理が複雑となり必ずしも簡便な製
造方法ではな（、多量且つ安価に製造するには問題があ
る。
物を低廉に大量生産するには問題がある０例えば（ａ）
のアンプルを用いる溶融育成法はＣｕ１ｎＳｅｚ等を多
量に製造するには適さず、また薄膜作製法ではないので
、半導体製品を製作する場合などには使用に先立ってウ
ェハー状にしなければならないなど、複雑な加工工程が
必要となる。また、（ｂ）および（Ｃ）の真空蒸着法や
スパッター法は薄膜作製には適するが、高級装置を必要
としその制御や維持管理が複雑となり必ずしも簡便な製
造方法ではな（、多量且つ安価に製造するには問題があ
る。
一方１（ｄ）の混合粉末の焼成法は多量に製造するには
適した方法であるが、その焼成過程では薄膜化ができな
い、従って薄膜化のためには焼成粉のペーストを製造し
なければならないなどの問題がある。また、この（ｄ）
の方法でも、各元素の高純度単体を原料とするので製造
原価が高くなることは否めない。
適した方法であるが、その焼成過程では薄膜化ができな
い、従って薄膜化のためには焼成粉のペーストを製造し
なければならないなどの問題がある。また、この（ｄ）
の方法でも、各元素の高純度単体を原料とするので製造
原価が高くなることは否めない。
本発明はこのような従来のＩＩＩＩＶＩ族三元系化合物
半導体の製造法の問題点を解決することを目的としたも
のであり、大量生産方法によって薄膜状のＩＩ［［ＶＩ
族三元系化合物半導体を安価且つ簡易に製造方法を提供
しようとするものである。
半導体の製造法の問題点を解決することを目的としたも
のであり、大量生産方法によって薄膜状のＩＩ［［ＶＩ
族三元系化合物半導体を安価且つ簡易に製造方法を提供
しようとするものである。
前記の問題を解決せんとする本発明の要旨とするところ
は５元素周期律表における第ｒ族元素のアルコール可溶
性化合物、元素周期律表における第■族元素のアルコー
ル可溶性化合物および元素周期律表における第■族元素
のアルコール可溶性化合物を準備し、これら三種のアル
コール可溶性化合物をともにアルコールに溶解したアル
コール溶液を作製し、このアルコール溶液を不活性ガス
雰囲気中で蒸発が実質上完了するまで加熱して焼成品を
得ることを特徴とするＩＩ［［ＶＩ族化合物の製造方法
に存する。そして、薄膜状のＩ■■族化合物を製造する
場合には、該アルコール溶液に粘度調整剤を添加したう
えそのアルコール溶液を基板上に塗布し、この塗膜を不
活性ガス雰囲気中で蒸発が実質上完了するまで加熱して
焼成薄膜を形成することを特徴とするものである。
は５元素周期律表における第ｒ族元素のアルコール可溶
性化合物、元素周期律表における第■族元素のアルコー
ル可溶性化合物および元素周期律表における第■族元素
のアルコール可溶性化合物を準備し、これら三種のアル
コール可溶性化合物をともにアルコールに溶解したアル
コール溶液を作製し、このアルコール溶液を不活性ガス
雰囲気中で蒸発が実質上完了するまで加熱して焼成品を
得ることを特徴とするＩＩ［［ＶＩ族化合物の製造方法
に存する。そして、薄膜状のＩ■■族化合物を製造する
場合には、該アルコール溶液に粘度調整剤を添加したう
えそのアルコール溶液を基板上に塗布し、この塗膜を不
活性ガス雰囲気中で蒸発が実質上完了するまで加熱して
焼成薄膜を形成することを特徴とするものである。
そのさい、アルコール溶液から焼成品を得る加熱温度は
３００〜７００“Ｃとするのがよく、また、アルコール
溶液の作製に当たっては第１族の元素と第■族の元素は
ＩＩ［［ＶＩ族化合物のほぼ当量比で含有させるが、第
■族元素は当量比以上で含有させるのがよい。
３００〜７００“Ｃとするのがよく、また、アルコール
溶液の作製に当たっては第１族の元素と第■族の元素は
ＩＩ［［ＶＩ族化合物のほぼ当量比で含有させるが、第
■族元素は当量比以上で含有させるのがよい。
（発明の詳細な
説明者らは、 Ｃｕ１ｎＳｅｔの薄膜を前述め従来法
とは異なった処決によって簡便に製造することを目的と
して種々の試験研究を行ってきたが、 Ｃｕ。
とは異なった処決によって簡便に製造することを目的と
して種々の試験研究を行ってきたが、 Ｃｕ。
Ｉｎ、Ｓｅの各元素を含む化合物のアルコール溶液を焼
成することによってＣｕ１ｎＳｅｚが得られること。
成することによってＣｕ１ｎＳｅｚが得られること。
さらに、該アルコール溶液をガラス板などの基板に塗布
して焼成することによって基板上に薄膜状のＣｕ１ｎＳ
ｅｔが得られることを見出した。すなわちＣｕＴｎＳｅ
ｔに代表されるｌ■■族化合物は各三元元素（化合物）
を溶解したアルコール溶液の焼成によって得られるので
ある。ＣｕとＩｎの化合物を溶解した水溶液をＳｅガス
雰囲気中で焼成した場合にもＣｕ１ｎＳｅｔを製造する
ことができることもわかっだが、この場合は他の化合物
の残存が見られた。これに対してアルコール溶液を不活
性ガス雰囲気中で焼成したものは他の化合物の残存がな
くなり、極めて高純度のＣｕ１ｎＳｅｌを得ることがで
きた。以下に１本発明の■■■族化合物の製造法をＣｕ
１ｎＳｅｌの製造を例として説明する。
して焼成することによって基板上に薄膜状のＣｕ１ｎＳ
ｅｔが得られることを見出した。すなわちＣｕＴｎＳｅ
ｔに代表されるｌ■■族化合物は各三元元素（化合物）
を溶解したアルコール溶液の焼成によって得られるので
ある。ＣｕとＩｎの化合物を溶解した水溶液をＳｅガス
雰囲気中で焼成した場合にもＣｕ１ｎＳｅｔを製造する
ことができることもわかっだが、この場合は他の化合物
の残存が見られた。これに対してアルコール溶液を不活
性ガス雰囲気中で焼成したものは他の化合物の残存がな
くなり、極めて高純度のＣｕ１ｎＳｅｌを得ることがで
きた。以下に１本発明の■■■族化合物の製造法をＣｕ
１ｎＳｅｌの製造を例として説明する。
本発明の第１の特徴は、 Ｃｕ１ｎＳｅｔの構成元素
であるＣｕ、Ｉｎ、Ｓｅを含むアルコール混合溶液を作
製することである。すなわちＣｕ、ｒｎおよびＳｅを溶
解したアルコール溶液を作製することである。
であるＣｕ、Ｉｎ、Ｓｅを含むアルコール混合溶液を作
製することである。すなわちＣｕ、ｒｎおよびＳｅを溶
解したアルコール溶液を作製することである。
これは、アルコールと、そのアルコールに溶解するＣｕ
、Ｉｎ、Ｓｅの化合物を準備すればよい、アルコールに
溶解するＣｕ、Ｉｎ、Ｓｅの化合物（アルコール可溶性
化合物）の選定は使用するアルコールの種類によって適
正に選択すればよい、ただし。
、Ｉｎ、Ｓｅの化合物を準備すればよい、アルコールに
溶解するＣｕ、Ｉｎ、Ｓｅの化合物（アルコール可溶性
化合物）の選定は使用するアルコールの種類によって適
正に選択すればよい、ただし。
例えばＣｕ１ｎＳｅｌを得る場合には、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓ
ｅ以外の金属元素が含まれないアルコール可溶性化合物
を使用し、焼成時に気相として揮発分離されるような非
金属物質との化合物１例えばハロゲン化合物、有機酸や
無機酸類、酸性または塩基性の塩類等の化合物を使用す
る。使用するアルコールとしては、エタノール、メタノ
ール、エチレングリコール、イソプロピルアルコール、
そのほかのノルマルアルコール等、該化合物が溶解する
ものであるならばその種類は問わない。Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓ
ｅのアルコール可溶性化合物をアルコールに溶解してア
ルコール溶液を調製するさいには、該アルコール溶液中
のＣｕとＩｎの元素量がＣｕｒｎＳｅｌのほぼ当量比と
なり、Ｓｅの元素量がＣｕ１ｎＳｅｌの当量比以上とな
るような配合で調製するのがよい、すなわち、焼成時に
揮発性が大きいＳｅは当量比以上に混合してお（のであ
る、−例として、焼成前の各元素の混合比（モル比）を
Ｃｕ： Ｉｎ： Ｓｅ＝ ｌ ：Ｚ２．Ｓ〜６とした場
合に満足できる結果が得られた。この混合比は焼成温度
やアルコールの種類。
ｅ以外の金属元素が含まれないアルコール可溶性化合物
を使用し、焼成時に気相として揮発分離されるような非
金属物質との化合物１例えばハロゲン化合物、有機酸や
無機酸類、酸性または塩基性の塩類等の化合物を使用す
る。使用するアルコールとしては、エタノール、メタノ
ール、エチレングリコール、イソプロピルアルコール、
そのほかのノルマルアルコール等、該化合物が溶解する
ものであるならばその種類は問わない。Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓ
ｅのアルコール可溶性化合物をアルコールに溶解してア
ルコール溶液を調製するさいには、該アルコール溶液中
のＣｕとＩｎの元素量がＣｕｒｎＳｅｌのほぼ当量比と
なり、Ｓｅの元素量がＣｕ１ｎＳｅｌの当量比以上とな
るような配合で調製するのがよい、すなわち、焼成時に
揮発性が大きいＳｅは当量比以上に混合してお（のであ
る、−例として、焼成前の各元素の混合比（モル比）を
Ｃｕ： Ｉｎ： Ｓｅ＝ ｌ ：Ｚ２．Ｓ〜６とした場
合に満足できる結果が得られた。この混合比は焼成温度
やアルコールの種類。
アルコール可溶性化合物の種類によって適正な範囲に定
まるが、ＣｕとＩｎはほぼ当量、Ｓｅは当量以上とする
という原則には変わりはない。
まるが、ＣｕとＩｎはほぼ当量、Ｓｅは当量以上とする
という原則には変わりはない。
本発明の第２の特徴は、該アルコール混合溶液を不活性
ガス雰囲気中５例えば３００℃〜７００°Ｃの比較的低
温領域で焼成することである。２００°Ｃ程度の低温焼
成でもＣｕ１ｎＳｓ、が部分的に生成していることがＸ
線回折によって確認されたが、満足できる結果は、３０
０℃〜７００℃の焼成によって得られることがわかった
。７００°Ｃを超える温度で焼成した場合はＣｕ［ｎ５
ｅｔ以外のピークがＸ線回折で認められた。不活性ガス
としてはＡｒやＮｔガス等の通常の不活性ガスを使用す
ればよく、好ましくは不活性ガス気流中で焼成し、揮発
生成物質を反応系外に連続的に除去するのが望ましい。
ガス雰囲気中５例えば３００℃〜７００°Ｃの比較的低
温領域で焼成することである。２００°Ｃ程度の低温焼
成でもＣｕ１ｎＳｓ、が部分的に生成していることがＸ
線回折によって確認されたが、満足できる結果は、３０
０℃〜７００℃の焼成によって得られることがわかった
。７００°Ｃを超える温度で焼成した場合はＣｕ［ｎ５
ｅｔ以外のピークがＸ線回折で認められた。不活性ガス
としてはＡｒやＮｔガス等の通常の不活性ガスを使用す
ればよく、好ましくは不活性ガス気流中で焼成し、揮発
生成物質を反応系外に連続的に除去するのが望ましい。
本発明の第３の特徴はＣｕ１ｎＳｅ＊の薄膜が簡単に製
造できる点にある。該アルコール混合溶液に高粘度の液
状有機物を添加して該アルコール混合溶液の粘度を高め
、スピンコーティングや刷毛塗り等の処決によって基板
上にこの溶液を塗布して焼成すればＣｕ１ｎＳｅｌの薄
膜を簡単に作製することができる。特に粘度稠整剤を加
えなくても平板状の容器内に該アルコール溶液を入れて
焼成しても膜状のＣｕ１ｎＳｅ、焼成品が自然に製造で
きるが、実用上は、ある程度の厚さを有する均一な薄膜
を短時間で得る必要があり、そのためには該アルコール
混合溶液の粘度調整が有効である。なお、粘度調整のた
めの液状有機物としては、エチレングリコールやプロピ
レングリコールのような同じアルコール系の有機物が望
ましく、この場合、添加量が該アルコール混合液量と同
程度であっても満足な結果を得ることができる。
造できる点にある。該アルコール混合溶液に高粘度の液
状有機物を添加して該アルコール混合溶液の粘度を高め
、スピンコーティングや刷毛塗り等の処決によって基板
上にこの溶液を塗布して焼成すればＣｕ１ｎＳｅｌの薄
膜を簡単に作製することができる。特に粘度稠整剤を加
えなくても平板状の容器内に該アルコール溶液を入れて
焼成しても膜状のＣｕ１ｎＳｅ、焼成品が自然に製造で
きるが、実用上は、ある程度の厚さを有する均一な薄膜
を短時間で得る必要があり、そのためには該アルコール
混合溶液の粘度調整が有効である。なお、粘度調整のた
めの液状有機物としては、エチレングリコールやプロピ
レングリコールのような同じアルコール系の有機物が望
ましく、この場合、添加量が該アルコール混合液量と同
程度であっても満足な結果を得ることができる。
以上のようにして本発明によるとＣｕ１ｎＳｅｔに代表
される１ＩｌＩＶＩ族化合物（三元系化合物半導体）が
アルコール溶液の不活性雰囲気中での焼成という従来と
は異なる反応機構によって大量生産式に簡単に製造する
ことができ、また使用原料も各元素の高純度の単体物質
を準備しなくても、アルコールに溶ける化合物であれば
よいので入手が簡単で且つ低廉となり、安価にＣｕ１ｎ
Ｓｅ、半導体化合物並びにその薄膜を市場に提供できる
。
される１ＩｌＩＶＩ族化合物（三元系化合物半導体）が
アルコール溶液の不活性雰囲気中での焼成という従来と
は異なる反応機構によって大量生産式に簡単に製造する
ことができ、また使用原料も各元素の高純度の単体物質
を準備しなくても、アルコールに溶ける化合物であれば
よいので入手が簡単で且つ低廉となり、安価にＣｕ１ｎ
Ｓｅ、半導体化合物並びにその薄膜を市場に提供できる
。
なお１本発明者らは、アルコール溶液に代えて水溶液を
用いた実験を繰り返し行ない、水溶液の場合でもＣｕ［
ｎＳｅ、が生成することをＸ線回折によって確認したが
、 Ｃｕ１ｎＳｅ２以外の物質によるビーりも多数認
められ、満足する結果は得られなかった。また、水溶液
を用いた場合にＳｓ含有ガス雰囲気で焼成すると不活性
ガス雰囲気の場合よりも良好な結果が得られたものの７
本発明のアルコール溶液のような優れた成果は得られな
かった。
用いた実験を繰り返し行ない、水溶液の場合でもＣｕ［
ｎＳｅ、が生成することをＸ線回折によって確認したが
、 Ｃｕ１ｎＳｅ２以外の物質によるビーりも多数認
められ、満足する結果は得られなかった。また、水溶液
を用いた場合にＳｓ含有ガス雰囲気で焼成すると不活性
ガス雰囲気の場合よりも良好な結果が得られたものの７
本発明のアルコール溶液のような優れた成果は得られな
かった。
以下に本発明法の代表的な実施例を挙げる。
〔実施例１〕
塩化第２銅（ＣｕＣｊ！ｚ）の０．１ ｍｏｌ／ Ｉ！
、イソプロピルアルコール溶液を１部、塩化インジウム
Ｃ■ｎＣＩ！、）の０．１ ｍｏｌ／ ｌイソプロピ
ルアルコール溶液を１部、および亜セレン酸（Ｈ！ Ｓ
ｅ Ｏ２）の０．２１ＩＩＯ１／Ｉ！、イソプロピル
アルコール溶液を２部を、それぞれ計り取って石英容器
内に入れて混合した。
、イソプロピルアルコール溶液を１部、塩化インジウム
Ｃ■ｎＣＩ！、）の０．１ ｍｏｌ／ ｌイソプロピ
ルアルコール溶液を１部、および亜セレン酸（Ｈ！ Ｓ
ｅ Ｏ２）の０．２１ＩＩＯ１／Ｉ！、イソプロピル
アルコール溶液を２部を、それぞれ計り取って石英容器
内に入れて混合した。
すなわち、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｅのモル比が１：１：４であ
るイソプロピルアルコールの混合溶液を準備した。この
ように調製したアルコール混合溶液を管状炉中の石英管
内にいれ、Ｎｔガス気流中で所定温度まで昇温しで焼成
を行った。そして、徐冷後焼成物を取り出してＸ線回折
にかけた。
るイソプロピルアルコールの混合溶液を準備した。この
ように調製したアルコール混合溶液を管状炉中の石英管
内にいれ、Ｎｔガス気流中で所定温度まで昇温しで焼成
を行った。そして、徐冷後焼成物を取り出してＸ線回折
にかけた。
第１図に焼成温度が４００“Ｃの場合のＸ線回折線を示
した。第１図に見られるように、認められるピークはカ
ルコバイライト型ＣｕＴｎＳｅ茸に関するものであり、
この方法によってＣｕ１ｎＳｅｔが得られることが明ら
かとなった。第２図は焼成温度が１５０°Ｃの場合のＸ
線回折線であるが、この場合にはピーク位置はＣｕｒｎ
Ｓｅｌと無関係であり且つピーク強度も小さい、すなわ
ち、１５０°Ｃのような低温度での焼成ではＣｕ１ｎＳ
ｅｌは生成しなかった。
した。第１図に見られるように、認められるピークはカ
ルコバイライト型ＣｕＴｎＳｅ茸に関するものであり、
この方法によってＣｕ１ｎＳｅｔが得られることが明ら
かとなった。第２図は焼成温度が１５０°Ｃの場合のＸ
線回折線であるが、この場合にはピーク位置はＣｕｒｎ
Ｓｅｌと無関係であり且つピーク強度も小さい、すなわ
ち、１５０°Ｃのような低温度での焼成ではＣｕ１ｎＳ
ｅｌは生成しなかった。
〔実施例２〕
実施例１と同一組成のイソプロピルアルコール混合溶液
に粘度調整の目的で同程度の液量のプロピレングリコー
ルを加え、Ｎｔガス中で加熱して全液量が約１／３に減
少するまで濃縮した。この濃縮液をスピンナーにセット
されたガラス基板上に滴下し、更にガラス基板を高速で
回転させることによってガラス基板上に濃縮液の薄膜を
得た。
に粘度調整の目的で同程度の液量のプロピレングリコー
ルを加え、Ｎｔガス中で加熱して全液量が約１／３に減
少するまで濃縮した。この濃縮液をスピンナーにセット
されたガラス基板上に滴下し、更にガラス基板を高速で
回転させることによってガラス基板上に濃縮液の薄膜を
得た。
この基板をＮ２ガス気流中４００”Ｃで焼成したところ
、ガラス基板上に黒色の薄膜を得ることができた。
、ガラス基板上に黒色の薄膜を得ることができた。
この黒色薄膜をＸ線回折をかけたところ第１図と同様の
結果が得られ、ガラス基板上にＣｕ１ｎＳｅ２の薄膜が
形成されていることがＴＡｉｉ認された。なおこのよう
にして作製されたＣｕｌｎ５８ｇ膜の伝導形はＰ形であ
った。
結果が得られ、ガラス基板上にＣｕ１ｎＳｅ２の薄膜が
形成されていることがＴＡｉｉ認された。なおこのよう
にして作製されたＣｕｌｎ５８ｇ膜の伝導形はＰ形であ
った。
第１図は本発明法によって得られたＣｕ１ｎＳｅ、のの
Ｘ線回折記録図（焼成温度が４００″Ｃの場合）。 第２図はアルコール混合溶液の焼成温度が１５０’Ｃの
場合の焼成物のＸ線回折記録図である。
Ｘ線回折記録図（焼成温度が４００″Ｃの場合）。 第２図はアルコール混合溶液の焼成温度が１５０’Ｃの
場合の焼成物のＸ線回折記録図である。
Claims (2)
- （１）元素周期律表における第 I 族元素のアルコール
可溶性化合物、元素周期律表における第III族元素のア
ルコール可溶性化合物および元素周期律表における第V
I族元素のアルコール可溶性化合物を準備し、これら三
種のアルコール可溶性化合物をともにアルコールに溶解
したアルコール溶液を作製し、このアルコール溶液を不
活性ガス雰囲気中で蒸発が実質上完了するまで加熱して
焼成品を得ることを特徴とする I IIIVI族化合物の製造
方法。 - （２）元素周期律表における第 I 族元素のアルコール
可溶性化合物、元素周期律表における第III族元素のア
ルコール可溶性化合物および元素周期律表における第V
I族元素のアルコール可溶性化合物を準備し、これら三
種のアルコール可溶性化合物をともにアルコールに溶解
したアルコール溶液を作製し、このアルコール溶液に粘
度調整剤を添加したうえ基板上に塗布し、この塗膜を不
活性ガス雰囲気中で蒸発が実質上完了するまで加熱して
焼成薄膜を形成することを特徴とする薄膜状 I IIIVI族
化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33178088A JPH02180715A (ja) | 1988-12-30 | 1988-12-30 | １ ３ ６族化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33178088A JPH02180715A (ja) | 1988-12-30 | 1988-12-30 | １ ３ ６族化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02180715A true JPH02180715A (ja) | 1990-07-13 |
| JPH0555450B2 JPH0555450B2 (ja) | 1993-08-17 |
Family
ID=18247550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33178088A Granted JPH02180715A (ja) | 1988-12-30 | 1988-12-30 | １ ３ ６族化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02180715A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010111555A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Kyocera Corp | 化合物半導体粒子の製法および化合物半導体粒子、ならびに化合物半導体膜 |
| JP2011011956A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-20 | Teijin Ltd | カルコパイライト系微粒子、及びその製造方法 |
| JP2011508439A (ja) * | 2007-12-29 | 2011-03-10 | 中国科学院上海硅酸塩研究所 | 銅・インジウム・ガリウム・硫黄・セレン薄膜太陽電池の光吸収層の製造方法 |
| WO2012090339A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 東北精機工業株式会社 | カルコパイライト構造を有する化合物の製造方法 |
-
1988
- 1988-12-30 JP JP33178088A patent/JPH02180715A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011508439A (ja) * | 2007-12-29 | 2011-03-10 | 中国科学院上海硅酸塩研究所 | 銅・インジウム・ガリウム・硫黄・セレン薄膜太陽電池の光吸収層の製造方法 |
| JP2010111555A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Kyocera Corp | 化合物半導体粒子の製法および化合物半導体粒子、ならびに化合物半導体膜 |
| JP2011011956A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-20 | Teijin Ltd | カルコパイライト系微粒子、及びその製造方法 |
| WO2012090339A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 東北精機工業株式会社 | カルコパイライト構造を有する化合物の製造方法 |
| CN103298736A (zh) * | 2010-12-28 | 2013-09-11 | 东北精机工业株式会社 | 具有黄铜矿结构的化合物的制造方法 |
| JP5756899B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2015-07-29 | 株式会社ハッピージャパン | カルコパイライト構造を有する化合物の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0555450B2 (ja) | 1993-08-17 |
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