JPH02177244A - 電子倍増器 - Google Patents
電子倍増器Info
- Publication number
- JPH02177244A JPH02177244A JP1202688A JP20268889A JPH02177244A JP H02177244 A JPH02177244 A JP H02177244A JP 1202688 A JP1202688 A JP 1202688A JP 20268889 A JP20268889 A JP 20268889A JP H02177244 A JPH02177244 A JP H02177244A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- materials
- electron multiplier
- arrangement
- electrons
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims 2
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 claims 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004297 night vision Effects 0.000 description 2
- 241001156002 Anthonomus pomorum Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 description 1
- 230000026954 response to X-ray Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/32—Secondary-electron-emitting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/24—Dynodes having potential gradient along their surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2231/00—Cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2231/12—CRTs having luminescent screens
Landscapes
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【発明の技術分野１
本発明は一般に、放射線、原子、分子及び荷電された種
類（５ｐｅｃｉｅｓ）のものの検出器に関し、特に電子
倍増器及び該倍増器を用いている装置に関する。
類（５ｐｅｃｉｅｓ）のものの検出器に関し、特に電子
倍増器及び該倍増器を用いている装置に関する。
Ｅ従来の技術］
放射線及び荷電された種類のものの検出器として種種の
形式が知られている。電子、イオン、Ｘ線及び真空紫外
線のような短い波長の放射を検出するために、デスクリ
ートダイノード（ｄｙｍｏｄｅ）倍増器が用いられてい
る。ダイノード倍増器は、第１ダイノードへの高エネル
ギービームの衝突による２次電子を放射する事によって
作動する。２次電子は電気的フィールドによって加速さ
れ、さらに、それぞれの衝突電子に対する多数の２次電
子を再放射する別のダイノードと衝突する。このプロセ
スは、倍増ダイノードに対して継続され、したがって電
子倍増が行われる。
形式が知られている。電子、イオン、Ｘ線及び真空紫外
線のような短い波長の放射を検出するために、デスクリ
ートダイノード（ｄｙｍｏｄｅ）倍増器が用いられてい
る。ダイノード倍増器は、第１ダイノードへの高エネル
ギービームの衝突による２次電子を放射する事によって
作動する。２次電子は電気的フィールドによって加速さ
れ、さらに、それぞれの衝突電子に対する多数の２次電
子を再放射する別のダイノードと衝突する。このプロセ
スは、倍増ダイノードに対して継続され、したがって電
子倍増が行われる。
近年、単一チャンネル電子倍増器が開発され、これにつ
いては例えば、“チャンネル電子倍増器“＾ｃｉｇ Ｅ
ｌｅｅｔ＠ｒｏａ、Ｖａｌ。Ｎ、 Ｌ、 １．２（１
９７１）に記載されている。このような電子倍増器は中
空ガラスチューブを含んでおり、このチューブは直径約
１ｍｍを有し、２次電子の高放射係数を有する内部の抵
抗表面を有する。電子倍増器は真空中で作動され、電位
差はチューブの両端部における電極に供給される。電子
又は他のチャージされ！二分子、光子がチューブの低電
位端に入ってチューブの９１璧に衝突すると、数個の２
次電子が発生される。２次電子は、与えられた軸方向電
気フィールドによって加速され、更に側壁との衝突がな
され、それにより一層の２次電子が発生される。このプ
ロセスは、チャンネルに沿って数回繰り返され、多数の
電子が発生する。
いては例えば、“チャンネル電子倍増器“＾ｃｉｇ Ｅ
ｌｅｅｔ＠ｒｏａ、Ｖａｌ。Ｎ、 Ｌ、 １．２（１
９７１）に記載されている。このような電子倍増器は中
空ガラスチューブを含んでおり、このチューブは直径約
１ｍｍを有し、２次電子の高放射係数を有する内部の抵
抗表面を有する。電子倍増器は真空中で作動され、電位
差はチューブの両端部における電極に供給される。電子
又は他のチャージされ！二分子、光子がチューブの低電
位端に入ってチューブの９１璧に衝突すると、数個の２
次電子が発生される。２次電子は、与えられた軸方向電
気フィールドによって加速され、更に側壁との衝突がな
され、それにより一層の２次電子が発生される。このプ
ロセスは、チャンネルに沿って数回繰り返され、多数の
電子が発生する。
チャンネルプレート電子倍増器又はマイクロチャンネル
プレート（ＭＣＰ）は、真っすぐな単一チャンネルの倍
増器の平行アレイを形成し、約１０′の有用なゲインを
提供する。このゲインは、単一電子倍増器が１０’以上
のゲインを呈するにもかかわらず、イオニンクフィード
パックによって制限される。このようなマイクロチャン
ネルプレートは、例えば米国特許第４，７１４，８６１
号及び第４，５６８，８５３号に記載されている。
プレート（ＭＣＰ）は、真っすぐな単一チャンネルの倍
増器の平行アレイを形成し、約１０′の有用なゲインを
提供する。このゲインは、単一電子倍増器が１０’以上
のゲインを呈するにもかかわらず、イオニンクフィード
パックによって制限される。このようなマイクロチャン
ネルプレートは、例えば米国特許第４，７１４，８６１
号及び第４，５６８，８５３号に記載されている。
ＭＣＰとコンパチブルなゲインを得るために、カスケー
ドに動作する２つのプレート又は単一のサンドイッチプ
レートが、単一ユニット内に２以上の分離したプレート
を溶かすことによって提供される。
ドに動作する２つのプレート又は単一のサンドイッチプ
レートが、単一ユニット内に２以上の分離したプレート
を溶かすことによって提供される。
マイクロチャンネルプレートは、比較的低い生産性及び
それによって生じる高価格、並びＩこ限定された効率に
よって、有用性が制限されていた。
それによって生じる高価格、並びＩこ限定された効率に
よって、有用性が制限されていた。
〔発明の要約３
本発明は、従来例の問題点を解消する改良された電子倍
増器を提供し、かつ高い効率で低価格であることによっ
て、電子倍増器を、例えばテレビジョンのような陰極線
管を用いている大量生産製品に応用することができるよ
うにするものである。
増器を提供し、かつ高い効率で低価格であることによっ
て、電子倍増器を、例えばテレビジョンのような陰極線
管を用いている大量生産製品に応用することができるよ
うにするものである。
したがって本発明の好適な実施例によれば、電子が衝突
したときに２次電子放射を生じる材料の複数層配列、及
び該材料を横切る電気フィールドを形成するための装置
からなる電子倍増器が提供される。
したときに２次電子放射を生じる材料の複数層配列、及
び該材料を横切る電気フィールドを形成するための装置
からなる電子倍増器が提供される。
本発明の好適な実施例によれば材料の複数層配列は、ガ
ラスビーズ集合体及び部層を横切る電気フィールドを形
成するための手段により構成される。
ラスビーズ集合体及び部層を横切る電気フィールドを形
成するための手段により構成される。
複数層配列は、好ましくはアモルファス配列の材料から
構成される。
構成される。
ガラスビーズに加えて、電子の衝突に応じて２次電子放
射を発生する材料であれば任意の材料をその代わりに用
いることができる。それらの材料として例えば、金属で
少なくとも部分的に被覆されたプラスチック粒子、金属
で少なくとも部分的に被覆された熔岩のようなポーラス
材料、特殊な金属又は金属鉱石を用いることができる。
射を発生する材料であれば任意の材料をその代わりに用
いることができる。それらの材料として例えば、金属で
少なくとも部分的に被覆されたプラスチック粒子、金属
で少なくとも部分的に被覆された熔岩のようなポーラス
材料、特殊な金属又は金属鉱石を用いることができる。
材料として適切なものは比較的小さな粒子であり、１〜
１０００ミクロンの最大寸法を有するものである。
１０００ミクロンの最大寸法を有するものである。
それらの代わりに、高ポーラス材料のような非粒子材料
を用いることもできる。
を用いることもできる。
ガラスビーズの一例を上げれば、集合体の厚さはビーズ
５個分の直径以上であり、約１センチメートルである。
５個分の直径以上であり、約１センチメートルである。
集合体の厚さは、ビーズ５〜５０債分の直径が適当であ
る。
る。
同様なパラメータが、他の適切な材料に対して適用され
る。
る。
この材料の表面導電率は数１０〜数１００メガオームの
オーダーが適当である。
オーダーが適当である。
ガラスは金属がドープされたガラスが好適である。コー
ニング（ＣａｒｍｉＢ） ８ Ｘ ６１ガラスのような
標準ドープドガラスが好適である。このガラスは、典型
的には５４．９重量％の鉛酸化物を高濃度に含んでいる
。
ニング（ＣａｒｍｉＢ） ８ Ｘ ６１ガラスのような
標準ドープドガラスが好適である。このガラスは、典型
的には５４．９重量％の鉛酸化物を高濃度に含んでいる
。
集合体の構造は、ブレナーアレイにおけるガラスビーズ
又は他の材料を半融（５ｉｎｔｃｒｉＢ）する事によっ
て保持される。
又は他の材料を半融（５ｉｎｔｃｒｉＢ）する事によっ
て保持される。
本発明はまた、本発明の実施例によればガラスビーズ集
合体及び該ビーズ集合体を横切る電気フィールドを形成
する手段からなる、能動増幅器を含んでいる。本発明は
さらに、電子放射器、該放射器からの電子を受けるよう
に配置された上記したような電子倍増器、及び該電子倍
増器からの２次電子放射によって照射されるように配置
された蛍光スクリーンによって構成される特殊な陰極線
管を含んでいる。
合体及び該ビーズ集合体を横切る電気フィールドを形成
する手段からなる、能動増幅器を含んでいる。本発明は
さらに、電子放射器、該放射器からの電子を受けるよう
に配置された上記したような電子倍増器、及び該電子倍
増器からの２次電子放射によって照射されるように配置
された蛍光スクリーンによって構成される特殊な陰極線
管を含んでいる。
本発明は、上記したような陰極線管を用いているテレビ
ジョン、オシロスコープ、コンピュータデイスプレィ、
ナイトビジョン装置等の比較的安価、軽量、低放射特性
を宵する装置もまた含んでいる。
ジョン、オシロスコープ、コンピュータデイスプレィ、
ナイトビジョン装置等の比較的安価、軽量、低放射特性
を宵する装置もまた含んでいる。
本発明の電子倍増器は、Ｘ線放射の衝突に応じて作動し
、したがってＸ線イメージングの使用に適している。
、したがってＸ線イメージングの使用に適している。
［実施例］
第１〜３図は、本発明の好適な実施例に応じて構成及び
作動される電子倍増器を示している。
作動される電子倍増器を示している。
本発明の好適な実施例にしたがって、本発明の電子倍増
器は、電子が衝突したときに２次電子を発生する材料の
複数層配列及び該材料を横切る電気フィールドを提供す
るための装置とから構成されている。
器は、電子が衝突したときに２次電子を発生する材料の
複数層配列及び該材料を横切る電気フィールドを提供す
るための装置とから構成されている。
複数層配列はアモルファス配列の材料を有している。
図示された例において、電子倍増器は、図示のような極
性の第１、第２の電極１４．１６の間に配置されたガラ
スビーズ１２の３次元アモルファス集合体１０で構成さ
れる。
性の第１、第２の電極１４．１６の間に配置されたガラ
スビーズ１２の３次元アモルファス集合体１０で構成さ
れる。
ガラスビーズに加えて、電子の衝突に応じて２次電子放
射を生ずる適宜の材料であれば適用可能である。例えば
、少なくとも部分的に金属で被覆されたプラスチック粒
子、同様に部分的に金属で被覆された熔岩のようなポー
ラス材料、特殊金属又は金属鉱石等がそれらの例として
挙げられる。
射を生ずる適宜の材料であれば適用可能である。例えば
、少なくとも部分的に金属で被覆されたプラスチック粒
子、同様に部分的に金属で被覆された熔岩のようなポー
ラス材料、特殊金属又は金属鉱石等がそれらの例として
挙げられる。
これらの材料は、比較的小粒子で最大１〜１０００ミク
ロンの直径を有するものが好ましい。
ロンの直径を有するものが好ましい。
第３図に示されているように、電極１４．１６は典型的
にはグリッド状である。ビーズは一般に、単純化して示
されているような規則正しい配列をしていない事が望ま
れる。電極は、材料の集合体上に半融され、又は該集合
体に被覆さもなければ付着されている。
にはグリッド状である。ビーズは一般に、単純化して示
されているような規則正しい配列をしていない事が望ま
れる。電極は、材料の集合体上に半融され、又は該集合
体に被覆さもなければ付着されている。
電極１４．１６の両端に供給される適切な電圧は、ビー
ズの直径光たり２０〜４ＱＶの電位差を有するような、
電子倍増器の両端に電気フィールドを生じる。比例的で
はないが、概略的に示されているように、電子は電極１
４に隣接する電子倍増器に入り込み、そして電気フィー
ルドによって加速されてビーズ１２の表面に対して複数
の衝突を生じ、したがって２次電子の多重放射を生じる
。
ズの直径光たり２０〜４ＱＶの電位差を有するような、
電子倍増器の両端に電気フィールドを生じる。比例的で
はないが、概略的に示されているように、電子は電極１
４に隣接する電子倍増器に入り込み、そして電気フィー
ルドによって加速されてビーズ１２の表面に対して複数
の衝突を生じ、したがって２次電子の多重放射を生じる
。
第１図に示された電子倍増器によって受信される電子の
数と放射される電子の数との比は、表現することが不可
能であり、単に数が増加するということで表される。実
際、倍増率は１０３〜１０６の倍増（トータル倍増）に
対して、−衝突当たり２〜３の係数となるであろう。ビ
ーズ１２の直径は、好ましくは１〜１０００ミクロンの
範囲内である。集合体１０の厚みは、少なくともビーズ
５個分の直径であり、約１センチメートルの直径である
。集合体の厚さの好ましい範囲は、５〜３０個のビーズ
直径である。
数と放射される電子の数との比は、表現することが不可
能であり、単に数が増加するということで表される。実
際、倍増率は１０３〜１０６の倍増（トータル倍増）に
対して、−衝突当たり２〜３の係数となるであろう。ビ
ーズ１２の直径は、好ましくは１〜１０００ミクロンの
範囲内である。集合体１０の厚みは、少なくともビーズ
５個分の直径であり、約１センチメートルの直径である
。集合体の厚さの好ましい範囲は、５〜３０個のビーズ
直径である。
ビーズは好ましくは固体であり、一般に球状体である。
材料の表面導電率は、好ましくは数１０〜数１００メガ
オームのオーダーである。
オームのオーダーである。
ビーズ用のガラスは金属がドープされたガラスである。
ドープされたガラスの標準のものは、コニフグ８１６１
ガラスである。ガラスビーズが用いられｌ：場合、ガラ
スの金属含有量は少なくとも１５容量％必要である。電
極はニッケル又は金属メツキされたクロムのような適宜
の材料を用いることができる。
ガラスである。ガラスビーズが用いられｌ：場合、ガラ
スの金属含有量は少なくとも１５容量％必要である。電
極はニッケル又は金属メツキされたクロムのような適宜
の材料を用いることができる。
集合体の構造は、好ましくはプレーナーアレイにガラス
ビーズを半融することによって保持される。第２図を参
照すると、線図は第１図のものと同様な電子倍増器を示
しているが、更Ｉこ他の付加的な電極１８．２０を含ん
でいるのもである。これらの電極の両端には、適宜の電
圧が印加され、電子倍増の所望の制御及び増幅を提供す
る。
ビーズを半融することによって保持される。第２図を参
照すると、線図は第１図のものと同様な電子倍増器を示
しているが、更Ｉこ他の付加的な電極１８．２０を含ん
でいるのもである。これらの電極の両端には、適宜の電
圧が印加され、電子倍増の所望の制御及び増幅を提供す
る。
本発明の電子倍増器は比較的大きな領域に延伸でき、か
つ平盤状である必要がないものである。。
つ平盤状である必要がないものである。。
第４図は特殊の電子倍増器の一部分を表しており、該倍
増器は本発明の好適な実施例によって形成されるもので
ある。
増器は本発明の好適な実施例によって形成されるもので
ある。
本発明はまた、ガラスビーズの集合体及び該ビーズを横
切る電気フィールドを供給するための手段からなる能動
増幅器を含んでおり、これは本発明の実施例に基づいて
いるものである。
切る電気フィールドを供給するための手段からなる能動
増幅器を含んでおり、これは本発明の実施例に基づいて
いるものである。
本発明は更に、第５図に示されたような特殊な陰極線管
を含んでおり、該陰極線管は電子放射器３０、該放射器
からの電子を受けるように配置された（上記例において
説明したような）を予信増器３２、及び該電子倍増器か
らの２次電子放射によって照射されるように配置された
蛍光スクリー＞ ３４ 、！−から構成されている。
を含んでおり、該陰極線管は電子放射器３０、該放射器
からの電子を受けるように配置された（上記例において
説明したような）を予信増器３２、及び該電子倍増器か
らの２次電子放射によって照射されるように配置された
蛍光スクリー＞ ３４ 、！−から構成されている。
本発明は更にまた比較的安価、軽量で低い放射特性を何
する装置を含んでおり、これらの装置はテレビジョン、
オシロスフープ、コンピュータデイスプレィ、ナイトビ
ジョン装置であり、上記したような陰極線管を用いてい
るものである。
する装置を含んでおり、これらの装置はテレビジョン、
オシロスフープ、コンピュータデイスプレィ、ナイトビ
ジョン装置であり、上記したような陰極線管を用いてい
るものである。
第６図は、ハウジング４０、制御部４２、受信回路４４
からなるテレビジョンが示されており、上記の構成部分
はすべて汎用されているものである。陰極線管４６は、
第５図に示された形式で薄い側面を有し、高明度のデイ
スプレィを提供する。
からなるテレビジョンが示されており、上記の構成部分
はすべて汎用されているものである。陰極線管４６は、
第５図に示された形式で薄い側面を有し、高明度のデイ
スプレィを提供する。
第７図はハウジング５０、制御部５２、駆動回路５４か
らなるオシロスコープが示されており、上記した構成部
分はすべて汎用されているものである。高明度の陰極線
管４６は第５図に示された形式のものであり、短い保持
時間４８号に対応できるデイスプレィを提供する。
らなるオシロスコープが示されており、上記した構成部
分はすべて汎用されているものである。高明度の陰極線
管４６は第５図に示された形式のものであり、短い保持
時間４８号に対応できるデイスプレィを提供する。
本発明の電子倍増器は、Ｘ線画像放射に応じて動作可能
であり、したがってＸ線イメージングに用いるのに適し
ている。
であり、したがってＸ線イメージングに用いるのに適し
ている。
本発明は、上記に示しかつ開示した事項に限定されない
ことは当業者にとって明らかであろう。
ことは当業者にとって明らかであろう。
更に本発明の範囲は特許請求の範囲によって定められる
ものである。
ものである。
第２１１！！０は、本発明の実施例に応じて構成されか
つ動作可能な電子倍増器の側方断面図、第２図は、第１
図に示された形式の電子倍増器であって、更に付加電極
を含んでいる電子倍増器の側方断面図、 第３因は、第１及び３ＵＩ！Ｊの電子倍増器の部分的上
面口、 第４図は、本発明の好適な実施例に応じてｕＲ改されか
つ動作可能な球状の検出器の部分断面図、第５図は、本
発明の好適な実施例に応じて構成されかつ動作可能な陰
極線管の概略断面図、第６図は、本発明の好適な実施例
に応じて構成されかつ動作可能なテレビジョン受像機の
概略断面図、 第７図は、本発明の好適な実施例に応じて構成さｔｔか
つ動作可能なオンロスコープの概略断面図である。 １０・・・ガラスビーズ等の集合体 １２・・・ガラスビーズ等の材料 １４．１６．１８．２０・・・電極 穿、４ 図
つ動作可能な電子倍増器の側方断面図、第２図は、第１
図に示された形式の電子倍増器であって、更に付加電極
を含んでいる電子倍増器の側方断面図、 第３因は、第１及び３ＵＩ！Ｊの電子倍増器の部分的上
面口、 第４図は、本発明の好適な実施例に応じてｕＲ改されか
つ動作可能な球状の検出器の部分断面図、第５図は、本
発明の好適な実施例に応じて構成されかつ動作可能な陰
極線管の概略断面図、第６図は、本発明の好適な実施例
に応じて構成されかつ動作可能なテレビジョン受像機の
概略断面図、 第７図は、本発明の好適な実施例に応じて構成さｔｔか
つ動作可能なオンロスコープの概略断面図である。 １０・・・ガラスビーズ等の集合体 １２・・・ガラスビーズ等の材料 １４．１６．１８．２０・・・電極 穿、４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電子が衝突したときに２次電子を発生する材料の複
数層配列、及び該材料を横切る電気フィールドを提供す
るための手段とから構成される事を特徴とする電子倍増
器。 ２、前記材料の複数層配列は、ガラスビーズの集合体か
らなる事を特徴とする請求項１記載の電子倍増器。 ３、前記複数層配列は、材料のアモルファス配列からな
る事を特徴とする請求項１又は２記載の電子倍増器。 ４、前記電気フィールドを提供するための手段は電極手
段で構成されている事を特徴とする請求項１〜３のいず
れか１項記載の電子倍増器。 ５、前記複数層配列は、前記電極手段上に半融されてい
る事を特徴とする請求項４記載の電子倍増器。 ６、前記ビーズの集合体は、アモルファス的にパックさ
れている事を特徴とする請求項２記載の電子倍増器。 ７、前記材料は、１〜１０００ミクロンの範囲内の最大
直径を有する事を特徴とする請求項１〜５のいずれか１
項記載の電子倍増器。 ８、前記配列の厚さは、少なくとも粒子の５個分の直径
を有し、そしてほぼ１センチメートル以上である事を特
徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の電子倍増器
。 ９、前記集合体の厚さは、ビーズ５〜３０個分の直径で
ある事を特徴とする請求項２記載の電子倍増器。 １０、前記材料は、固体でありしかも一般に球状粒子で
ある事を特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記載の
電子倍増器。 １１、前記材料は、数１０〜数１００メガオームのオー
ダーの表面導電率を有している事を特徴とする請求項１
〜１０のいずれか１項記載の電子倍増器。 １２、前記材料は、金属がドープされたガラスから形成
されたビーズである事を特徴とする請求項１〜１１のい
ずれか１項記載の電子倍増器。 １３、電子が衝突したときに２次電子放射を生じる材料
の複数層配列、及び該材料の配列を横切る電気フィール
ドを提供する手段とから構成される事を特徴とする非平
盤状電子倍増器。 １４、電子が衝突したときに２次電子放射を生じる材料
の複数層配列、及び該材料の配列を横切る電気フィール
ドを提供する手段とから構成される事を特徴とする球形
検出器。 １５、電子が衝突したときに２次電子放射を生じる材料
の複数層配列、及び該材料の配列を横切る電気フィール
ドを提供する手段とから構成される事を特徴とする能動
増幅器。 １６、電子放射器、 該電子放射器からの電子を受け取るように配置された電
子倍増器であって、電子が衝突したときに２次電子放射
を生じる材料の複数層配列及び該材料の配列を横切る電
気フィールドを提供する手段とからなる電子倍増器、 該電子倍増器からの２次電子放射によって照射されるよ
うに配置された蛍光スクリーン、 とから構成される事を特徴とする陰極線管。 １７、テレビジョン信号受信回路、 受信されたテレビジョン信号に応じて電子放射を生じる
ように動作する電子放射器、 該電子放射器からの電子を受け取るように配置された電
子倍増器であって、電子が衝突したときに２次電子放射
を生じる材料の複数層配列及び該材料の配列を横切る電
気フィールドを提供する手段とからなる電子倍増器、 該電子倍増器からの２次電子放射によって照射されるよ
うに配置された蛍光スクリーン、 とから構成される事を特徴とするテレビジョン受像機。 １８、信号発生回路、 該信号発生回路によって発生された信号に応じて電子放
射を生じる用に動作する電子放射器。 該電子放射器からの電子を受け取るように配置された電
子倍増器であって、電子が衝突したときに２次電子放射
を生じる材料の複数層配列及び該材料の配列を横切る電
気フィールドを提供する手段とからなる電子倍増器、 該電子倍増器からの２次電子放射によって照射されるよ
うに配置された蛍光スクリーン、 とから構成される事を特徴とするオシロスコープ。 １９、Ｘ線が衝突したときに２次電子放射を生じる材料
の複数層配列、及び該材料の配列を横切る電気フィール
ドを提供する手段とから構成される事を特徴とする電子
倍増器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IL87341 | 1988-08-04 | ||
| IL87341A IL87341A (en) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | Amorphous electron multiplier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177244A true JPH02177244A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=11059123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1202688A Pending JPH02177244A (ja) | 1988-08-04 | 1989-08-04 | 電子倍増器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0353632A3 (ja) |
| JP (1) | JPH02177244A (ja) |
| IL (1) | IL87341A (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL95736A (en) * | 1990-09-19 | 1994-06-24 | Yeda Res & Dev | Flat panel display devices |
| US5624706A (en) * | 1993-07-15 | 1997-04-29 | Electron R+D International, Inc. | Method for fabricating electron multipliers |
| IL115984A (en) * | 1995-11-14 | 1998-08-16 | Yeda Res & Dev | Low-vacuum mass spectrometer |
| US6936972B2 (en) | 2000-12-22 | 2005-08-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron-emitting element and field emission display using the same |
| US6946800B2 (en) | 2002-02-26 | 2005-09-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter, method of driving electron emitter, display and method of driving display |
| US6897620B1 (en) | 2002-06-24 | 2005-05-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter, drive circuit of electron emitter and method of driving electron emitter |
| US7067970B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-06-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Light emitting device |
| JP2004228065A (ja) | 2002-11-29 | 2004-08-12 | Ngk Insulators Ltd | 電子パルス放出装置 |
| US7129642B2 (en) | 2002-11-29 | 2006-10-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitting method of electron emitter |
| US6975074B2 (en) | 2002-11-29 | 2005-12-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter comprising emitter section made of dielectric material |
| US7187114B2 (en) | 2002-11-29 | 2007-03-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter comprising emitter section made of dielectric material |
| JP3867065B2 (ja) | 2002-11-29 | 2007-01-10 | 日本碍子株式会社 | 電子放出素子及び発光素子 |
| US7379037B2 (en) | 2003-03-26 | 2008-05-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Display apparatus, method of driving display apparatus, electron emitter, method of driving electron emitter, apparatus for driving electron emitter, electron emission apparatus, and method of driving electron emission apparatus |
| US7176609B2 (en) | 2003-10-03 | 2007-02-13 | Ngk Insulators, Ltd. | High emission low voltage electron emitter |
| US7474060B2 (en) | 2003-08-22 | 2009-01-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Light source |
| JP2005116232A (ja) | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Ngk Insulators Ltd | 電子放出素子及びその製造方法 |
| US7336026B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-02-26 | Ngk Insulators, Ltd. | High efficiency dielectric electron emitter |
| US7719201B2 (en) | 2003-10-03 | 2010-05-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Microdevice, microdevice array, amplifying circuit, memory device, analog switch, and current control unit |
| DE10353131A1 (de) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh | Mikrokanalplatte zur Elektronenvervielfachung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1164895A (en) * | 1967-03-29 | 1969-09-24 | Mullard Ltd | Improvements in or relating to Image Intensifier Devices |
| FR1599614A (ja) * | 1968-12-30 | 1970-07-15 | ||
| GB1295832A (ja) * | 1968-12-30 | 1972-11-08 | ||
| GB2129205A (en) * | 1982-10-22 | 1984-05-10 | Philips Electronic Associated | Colour display tube |
-
1988
- 1988-08-04 IL IL87341A patent/IL87341A/xx not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-07-27 EP EP89113874A patent/EP0353632A3/en not_active Withdrawn
- 1989-08-04 JP JP1202688A patent/JPH02177244A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0353632A2 (en) | 1990-02-07 |
| IL87341A0 (en) | 1989-01-31 |
| IL87341A (en) | 1992-11-15 |
| EP0353632A3 (en) | 1990-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02177244A (ja) | 電子倍増器 | |
| Wiza | Microchannel plate detectors | |
| Gys | Micro-channel plates and vacuum detectors | |
| US7141785B2 (en) | Ion detector | |
| CN103168339B (zh) | 具有纳米金刚石层的电子倍增器设备 | |
| Wiley et al. | Electron multipliers utilizing continuous strip surfaces | |
| JP2009080124A (ja) | 蛍光体 | |
| JPH0544133B2 (ja) | ||
| US6906318B2 (en) | Ion detector | |
| JPH0354422B2 (ja) | ||
| US3243628A (en) | Electron multiplier with curved resistive secondary emissive coating | |
| US3660668A (en) | Image intensifier employing channel multiplier plate | |
| US3673457A (en) | High gain storage target | |
| US3114044A (en) | Electron multiplier isolating electrode structure | |
| US5623141A (en) | X-ray image intensifier with high x-ray conversion efficiency and resolution ratios | |
| Lecomte et al. | Channel electron multipliers: Properties, development and applications | |
| US6049168A (en) | Method and system for manufacturing microchannel plates | |
| US7019446B2 (en) | Foil electron multiplier | |
| US3030514A (en) | Image intensifier | |
| Pearson et al. | Operating characteristics of sandwich microchannel plates | |
| US6437491B1 (en) | System for enhanced vision employing an improved image intensifier with an unfilmed microchannel plate | |
| GB780819A (en) | Improvements in or relating to devices for converting x-ray or light images into electric signals | |
| US3814977A (en) | Image storage device | |
| JPS58184250A (ja) | 二次電子増倍管 | |
| Dhawan et al. | Development status of microchannel plate photomultipliers |