JPH02172879A - 耐酸化性のＳｉＣ製容器 - Google Patents
耐酸化性のＳｉＣ製容器Info
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- JPH02172879A JPH02172879A JP32623888A JP32623888A JPH02172879A JP H02172879 A JPH02172879 A JP H02172879A JP 32623888 A JP32623888 A JP 32623888A JP 32623888 A JP32623888 A JP 32623888A JP H02172879 A JPH02172879 A JP H02172879A
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
- C04B41/5035—Silica
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明はたとえば蛍光体粉末の焼成に用いる耐酸化性
のＳｉＣ製容器に関する。
のＳｉＣ製容器に関する。
従来の技術
再結晶質ＳｉＣ製の容器が蛍光体粉末の焼成に広く用い
られている。使用条件としては、大気中１０００℃〜１
２００℃程度の温度で使用されている。
られている。使用条件としては、大気中１０００℃〜１
２００℃程度の温度で使用されている。
発明が解決しようとする課題
ところが、再結晶質ＳｉＣは、気孔を１５〜２５％程度
有するために酸化に対しての抵抗が小さく、長時間使用
を繰返すうちに、気孔内部の酸化が進みシリカが生成さ
れてしまう。このため熱伝導性が下がり、そのために耐
熱衝撃性が低下して、折損や、破損が生じるという問題
点があった。
有するために酸化に対しての抵抗が小さく、長時間使用
を繰返すうちに、気孔内部の酸化が進みシリカが生成さ
れてしまう。このため熱伝導性が下がり、そのために耐
熱衝撃性が低下して、折損や、破損が生じるという問題
点があった。
発明の目的
この発明は、耐酸化性を向上して寿命を長くすることの
できる耐酸化性のＳｉＣ製容器を提供することを目的と
する。
できる耐酸化性のＳｉＣ製容器を提供することを目的と
する。
発明の要旨
この発明は特許請求の範囲の耐酸化性のＳｉＣ製容器を
要旨としている。
要旨としている。
課題を解決するための手段
再結晶ＳｉＣから成る容器は、内部に８１を２〜１５％
含有し、加熱してシリカとなる物質を気孔中に含浸ある
いは塗布した後に大気中あるいは酸素を２０〜４０％程
度含む気流中で焼成されて、内部に酸化膜が生成されて
いる。このＳｉＣ容器の通気率が４．０×１０１０−３
ｃＴｎ−／ｃイ・ＳｅＣ−ＣｍＨ２Ｏ以下である。
含有し、加熱してシリカとなる物質を気孔中に含浸ある
いは塗布した後に大気中あるいは酸素を２０〜４０％程
度含む気流中で焼成されて、内部に酸化膜が生成されて
いる。このＳｉＣ容器の通気率が４．０×１０１０−３
ｃＴｎ−／ｃイ・ＳｅＣ−ＣｍＨ２Ｏ以下である。
Ｓｉの含有量が２％より少ないと、加熱してシリカとな
る物質が過剰に気孔中に入ってしまい、焼成中に発砲し
てしまう等の理由により、製品の表面が不均一になる。
る物質が過剰に気孔中に入ってしまい、焼成中に発砲し
てしまう等の理由により、製品の表面が不均一になる。
また表面に発砲した物質が使用中に被焼成物中に混入す
ることとなり好ましくない。１５％より多いと、気孔が
ほぼ１％以下になることから、通気率には良いが、酸化
膜の形成が妨げられることとなり好ましくない。
ることとなり好ましくない。１５％より多いと、気孔が
ほぼ１％以下になることから、通気率には良いが、酸化
膜の形成が妨げられることとなり好ましくない。
気流中の酸素が２０％より少いと、酸化膜の生成速度が
遅くなる等の理由により、焼成工程に時間が掛かること
になり、好ましくない。また気流中の酸素が４０％より
多いと、酸化速度が大きくなり、本体のＳｉＣ自身の酸
化が著しく大きくなるという理由で、好ましくない。
遅くなる等の理由により、焼成工程に時間が掛かること
になり、好ましくない。また気流中の酸素が４０％より
多いと、酸化速度が大きくなり、本体のＳｉＣ自身の酸
化が著しく大きくなるという理由で、好ましくない。
大気中あるいは上述の気流中で焼成して酸化膜を生成す
るのは、次の理由による。つまり、Ｓｉの酸化速度はＳ
ｉＣに比べて５〜１０倍程度早いことを利用し、ＳｉＣ
の気孔内部に微細なシリカ膜を積極的に生成させて、そ
れ以上酸化が進行することを防止するためである。
るのは、次の理由による。つまり、Ｓｉの酸化速度はＳ
ｉＣに比べて５〜１０倍程度早いことを利用し、ＳｉＣ
の気孔内部に微細なシリカ膜を積極的に生成させて、そ
れ以上酸化が進行することを防止するためである。
通気率と耐酸化性には相関が認められ、Ｓｉｃ容器の通
気率が４．０ＸＩＯ−３ｃ＋＋＋−ｍＬ／ｄ−ｓｃｃ
壱ｃｍＨ２０より大きいと、耐酸化性が低下し容器のラ
イフが短くなるためである。
気率が４．０ＸＩＯ−３ｃ＋＋＋−ｍＬ／ｄ−ｓｃｃ
壱ｃｍＨ２０より大きいと、耐酸化性が低下し容器のラ
イフが短くなるためである。
実施例
本発明による実施例の再結晶ＳｉＣ製の容器は、内部に
Ｓｉを１３〜１５％含有し、大気中あるいは酸素を３０
％含む気流中で焼成した。この容器の通気率は２．
ＯＸ １０−３ｃｍＩＩＩＩＩＬ／ｃｒＩ１１ｅｃ１１
ｃｍＨ２０であった。
Ｓｉを１３〜１５％含有し、大気中あるいは酸素を３０
％含む気流中で焼成した。この容器の通気率は２．
ＯＸ １０−３ｃｍＩＩＩＩＩＬ／ｃｒＩ１１ｅｃ１１
ｃｍＨ２０であった。
従来の従来例の再結晶質ＳｉＣ容器、および本発明によ
る上記実施例の容器から、１００１００Ｘ５０Ｘ５（の
テストピースを加工し、重油炉の中で１２００°Ｃの温
度で１００時間熱処理して酸化による各々の重量増加を
測定した。
る上記実施例の容器から、１００１００Ｘ５０Ｘ５（の
テストピースを加工し、重油炉の中で１２００°Ｃの温
度で１００時間熱処理して酸化による各々の重量増加を
測定した。
第１図のように、本発明の実施例は酸化増量が少なく耐
酸化性が向上していることが判明した。
酸化性が向上していることが判明した。
また、このテストピースから４Ｘ３Ｘ５０（ｍｍ ）の
ピースを加工し、曲げ強さ、並びに耐熱衝撃性の試験と
して水中落下による急冷後に曲げ強さを測定した。（第
２図参照）この結果、従来例はΔＴ ’Ｃが初期値より
低温側に大きくシフトしているが、本発明の実施例はそ
の変化が少ないことが伴る。なお、初期値とは熱処理を
行う前の測定値のことである。
ピースを加工し、曲げ強さ、並びに耐熱衝撃性の試験と
して水中落下による急冷後に曲げ強さを測定した。（第
２図参照）この結果、従来例はΔＴ ’Ｃが初期値より
低温側に大きくシフトしているが、本発明の実施例はそ
の変化が少ないことが伴る。なお、初期値とは熱処理を
行う前の測定値のことである。
発明の詳細
な説明したようにこの発明によれば、本発明品を使用す
ることにより、ＳｉＣ容器の耐酸化性のみならずも向上
し、その寿命がのびる。
ることにより、ＳｉＣ容器の耐酸化性のみならずも向上
し、その寿命がのびる。
第１図は本発明の実施例と従来例の酸化増量を比較した
図、第２図はこの発明の実施例と従来例の曲げ強さを比
較した図である。 代 理 人 弁理士 １） 辺 徹Ｏ
：従来例 ・：本児明の実施例
図、第２図はこの発明の実施例と従来例の曲げ強さを比
較した図である。 代 理 人 弁理士 １） 辺 徹Ｏ
：従来例 ・：本児明の実施例
Claims (1)
- 再結晶ＳｉＣから成るＳｉＣ製容器であり、内部にＳｉ
を２〜１５％含有し、加熱してシリカとなる物質を気孔
中に含浸あるいは塗布した後に大気中あるいは酸素を２
０〜４０％程度含む気流中で焼成されて内部に酸化膜が
生成されており、通気率が４．０×１０＾−＾３ａｎ・
ｍＬ／ｃｍ＾２・ｓｅｃ・ｃｍＨ＿２Ｏ以下であること
を特徴とする耐酸化性のＳｉＣ製容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32623888A JPH02172879A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 耐酸化性のＳｉＣ製容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32623888A JPH02172879A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 耐酸化性のＳｉＣ製容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02172879A true JPH02172879A (ja) | 1990-07-04 |
Family
ID=18185535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32623888A Pending JPH02172879A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 耐酸化性のＳｉＣ製容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02172879A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002040423A1 (fr) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Ngk Insulators,Ltd. | Article poreux a base de carbure de silicium et son procede de preparation |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122212A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体熱処理用治具 |
-
1988
- 1988-12-26 JP JP32623888A patent/JPH02172879A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122212A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体熱処理用治具 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002040423A1 (fr) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Ngk Insulators,Ltd. | Article poreux a base de carbure de silicium et son procede de preparation |
| JP2002154882A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-05-28 | Ngk Insulators Ltd | 炭化珪素質多孔体及びその製造方法 |
| US6777114B2 (en) | 2000-11-17 | 2004-08-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon carbide-based porous body and process for production thereof |
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