JPH02170981A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JPH02170981A JPH02170981A JP63324663A JP32466388A JPH02170981A JP H02170981 A JPH02170981 A JP H02170981A JP 63324663 A JP63324663 A JP 63324663A JP 32466388 A JP32466388 A JP 32466388A JP H02170981 A JPH02170981 A JP H02170981A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ＣＶＤ装置から排出されるガスの定量分析機能を有する
ＣＶＤ装置に関し、 排出される微量なガスの定量分析を行うことが可能なＣ
ＶＤ装置の提供を目的とし、 反応室内の下部電極に被処理基板を搭載し、上部電極と
下部電極の間に高周波電源により高周波電圧を印加し、
前記被処理基板に被膜を形成するＣＶＤ装置において、
前記反応室の排気口に接続したトラップと、該トラップ
に接続した真空放電管と、該真空放電管に接続したトラ
ップとポンプとを具備し、前記トラップと前記真空放電
管の間の配管に接続した圧力計と、前記真空放電管に接
続した分光光度計とを具備するよう構成する。
ＣＶＤ装置に関し、 排出される微量なガスの定量分析を行うことが可能なＣ
ＶＤ装置の提供を目的とし、 反応室内の下部電極に被処理基板を搭載し、上部電極と
下部電極の間に高周波電源により高周波電圧を印加し、
前記被処理基板に被膜を形成するＣＶＤ装置において、
前記反応室の排気口に接続したトラップと、該トラップ
に接続した真空放電管と、該真空放電管に接続したトラ
ップとポンプとを具備し、前記トラップと前記真空放電
管の間の配管に接続した圧力計と、前記真空放電管に接
続した分光光度計とを具備するよう構成する。
本発明は、ＣＶＤ装置に係り、特にＣＶＤ装置から排出
されるガスの定量分析機能を有するＣＶＤ装置に関する
ものである。
されるガスの定量分析機能を有するＣＶＤ装置に関する
ものである。
シラン（Ｓｉ ＨＪ等のガスを用いるＣＶＤ装置におい
て、稼働時に発生し排気口から排出されるガスの定量分
析を行うことにより、ＣＶＤ装置の稼働状況を把握する
ことが必要になっている。
て、稼働時に発生し排気口から排出されるガスの定量分
析を行うことにより、ＣＶＤ装置の稼働状況を把握する
ことが必要になっている。
以上のような状況から、ＣＶＤ装置の排気ガスの定量分
析を行うことが可能な機能を備えたＣＶＤ装置が要望さ
れている。
析を行うことが可能な機能を備えたＣＶＤ装置が要望さ
れている。
従来のＣＶＤ装置について第２Ｍにより説明する。
従来のＣＶＤ装置は第２図に示すように、室内圧を１Ｏ
−ｂＴｏｒｒにした反応室１の室内の下部に下部電極３
、上部に上部電極２を備えており、各電極には高周波電
源４により高周波電圧が印加されている。
−ｂＴｏｒｒにした反応室１の室内の下部に下部電極３
、上部に上部電極２を備えており、各電極には高周波電
源４により高周波電圧が印加されている。
ガス導入口１ａから反応ガスを導入し、排気口１ｂを真
空放電管６とトラップ９を介してポンプ】０に接続して
反応室ｌの室内圧がＣＶＤ処理に適した圧力になるよう
にしている。
空放電管６とトラップ９を介してポンプ】０に接続して
反応室ｌの室内圧がＣＶＤ処理に適した圧力になるよう
にしている。
この真空数゛電管６は排気時の反応室１の室内の真空度
をチエツクするのに用いており、このトラップ９は排気
ガス中めポンプ１０及び外気に有害なガスを凝縮して除
去するためのものである。
をチエツクするのに用いており、このトラップ９は排気
ガス中めポンプ１０及び外気に有害なガスを凝縮して除
去するためのものである。
下部を極３の上面には被処理基板１１が搭載されている
ので、導入された反応ガスが上下の電極に印加された高
周波電圧によってプラズマ化し、この被処理基板１１の
表面に被膜が形成される。
ので、導入された反応ガスが上下の電極に印加された高
周波電圧によってプラズマ化し、この被処理基板１１の
表面に被膜が形成される。
以上説明した従来のＣＶＤ装置においては、装置の稼働
中に排出されるガスの定量分析を行うためには、ガスク
ロマトグラフィ或いはガスマススペクトログラフィ等に
よらねばならないが、ＣＶＤ装置のような減圧処理にお
いて発生するガスの場合には、この減圧された排気を標
準状態の大気圧に膨張させることが必要であり、微量の
ガスの分析には不適当であるという問題点があった。
中に排出されるガスの定量分析を行うためには、ガスク
ロマトグラフィ或いはガスマススペクトログラフィ等に
よらねばならないが、ＣＶＤ装置のような減圧処理にお
いて発生するガスの場合には、この減圧された排気を標
準状態の大気圧に膨張させることが必要であり、微量の
ガスの分析には不適当であるという問題点があった。
本発明は以上のような状況から、排出される微量なガス
の定量分析を行うことが可能なＣＶ Ｄ装置の提供を目
的としたものである。
の定量分析を行うことが可能なＣＶ Ｄ装置の提供を目
的としたものである。
本発明のＣＶＤ装置は、反応室内の下部電極に被処理基
板を搭載し、上部電極と下部電極の間に高周波電源によ
り高周波電圧を印加し、前記被処理基板に被膜を形成す
るＣＶＤ装置において、この反応室の排気口に接続した
トラップと、このトラップに接続した真空放電管と、こ
の真空放電管に接続したトラップとポンプとを具備し、
排気口に接続したトラップと真空放電管の間の配管に接
続した圧力計と、真空放電管に接続した分光光度計とを
具備するよう構成する。
板を搭載し、上部電極と下部電極の間に高周波電源によ
り高周波電圧を印加し、前記被処理基板に被膜を形成す
るＣＶＤ装置において、この反応室の排気口に接続した
トラップと、このトラップに接続した真空放電管と、こ
の真空放電管に接続したトラップとポンプとを具備し、
排気口に接続したトラップと真空放電管の間の配管に接
続した圧力計と、真空放電管に接続した分光光度計とを
具備するよう構成する。
即ち本発明においては、反応室の排気口にトラップを接
続し、このトラップに真空放電管を接続し、この真空放
電管にトラップとポンプとを接続し、このトラップと真
空放電管の間の配管に圧力計を接続し、この真空放電管
に分光光度計を接続するので、ＣＶＤ装置から排出され
るｍｌのガス中の凝縮温度の比較的高いガスをトラップ
により捕らえ、凝縮温度の低いガスを真空放電管に導入
し、この真空放電管に接続した分光光度計によりガスの
定量分析を行うことが可能となる。
続し、このトラップに真空放電管を接続し、この真空放
電管にトラップとポンプとを接続し、このトラップと真
空放電管の間の配管に圧力計を接続し、この真空放電管
に分光光度計を接続するので、ＣＶＤ装置から排出され
るｍｌのガス中の凝縮温度の比較的高いガスをトラップ
により捕らえ、凝縮温度の低いガスを真空放電管に導入
し、この真空放電管に接続した分光光度計によりガスの
定量分析を行うことが可能となる。
更に、トラップと真空放電管との接続配管に圧力計を設
けているので、トラップにより捕らえられていないガス
圧を知ることにより、ＣＶＤ装置の稼働状態を把握する
ことが可能となる。
けているので、トラップにより捕らえられていないガス
圧を知ることにより、ＣＶＤ装置の稼働状態を把握する
ことが可能となる。
以下第１図により本発明による一実施例の排気が水素を
含むガスの場合について説明する。
含むガスの場合について説明する。
本発明のＣＶＤ装置の主要部は従来の技術において説明
したものと同じものであるから詳細な説明は省略する。
したものと同じものであるから詳細な説明は省略する。
ガス導入口１ａから反応ガス例えばシラン（Ｓ ｉ Ｈ
ａ）を導入し、排気口１ｂを液体窒素或いはドライアイ
スにより排気ガスを凝縮して捕らえるトラップ５を接続
し、このトラップ５に真空放電管６を接続し、更に従来
の技術と同様にトラップ９を介してポンプＩＯを接続し
て反応室１の室内圧がＣＶＤ処理に適した圧力になるよ
うにしている。
ａ）を導入し、排気口１ｂを液体窒素或いはドライアイ
スにより排気ガスを凝縮して捕らえるトラップ５を接続
し、このトラップ５に真空放電管６を接続し、更に従来
の技術と同様にトラップ９を介してポンプＩＯを接続し
て反応室１の室内圧がＣＶＤ処理に適した圧力になるよ
うにしている。
下部電極３の上面には被処理基板１１が搭載されている
ので、導入された反応ガスが上下の電極に印加された高
周波電圧によってプラズマ化し、この被処理基板１１の
表面に被膜が形成される。
ので、導入された反応ガスが上下の電極に印加された高
周波電圧によってプラズマ化し、この被処理基板１１の
表面に被膜が形成される。
排気口１ｂから排出される微量の水素等の排気ガスは、
まずトラップ５で凝縮温度の比較的高いガスを捕らえ、
凝縮温度の低いガス、例えば水素を真空放電管６に導入
し、この真空放電管６に接続した分光光度計７によりガ
スの定量分析を行うことが可能となる。
まずトラップ５で凝縮温度の比較的高いガスを捕らえ、
凝縮温度の低いガス、例えば水素を真空放電管６に導入
し、この真空放電管６に接続した分光光度計７によりガ
スの定量分析を行うことが可能となる。
更に、トラップ５と真空放電管６との接続配管に圧力計
８を設けているので、トラップ５により捕らえられてい
ないガス圧を知ることにより、ＣＶＤ装置の稼働状態を
把握することが可能となる。
８を設けているので、トラップ５により捕らえられてい
ないガス圧を知ることにより、ＣＶＤ装置の稼働状態を
把握することが可能となる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、極めて
容易に構成することが可能な分光分析機能を追加して設
けることにより、ＣＶＤ装置の極低圧のｉｔな排気の定
量分析を行うことが可能となる利点があり、著しい経済
的及び、信頼性向上の効果が期待できるＣＶＤ装置の提
供が可能となる。
容易に構成することが可能な分光分析機能を追加して設
けることにより、ＣＶＤ装置の極低圧のｉｔな排気の定
量分析を行うことが可能となる利点があり、著しい経済
的及び、信頼性向上の効果が期待できるＣＶＤ装置の提
供が可能となる。
第１図は本発明による一実施例を示す図、第２図は従来
のＣＶＤ装置を示す図、 である。 図において、 １は反応室、 １ｂは排気口、 ３は下部電極、 ５はトラップ、 ７は分光光度計、 ９はトラップ、 １１は被処理基板、 １ａはガス導入口、 ２は上部電極、 ４は高周波電源、 ６は真空放電管、 ８は圧力計、 １０はポンプ、 を示す。 本発明による一実施例を示す図 第１図 従来のＣＶＤ装置を示す図 第２図
のＣＶＤ装置を示す図、 である。 図において、 １は反応室、 １ｂは排気口、 ３は下部電極、 ５はトラップ、 ７は分光光度計、 ９はトラップ、 １１は被処理基板、 １ａはガス導入口、 ２は上部電極、 ４は高周波電源、 ６は真空放電管、 ８は圧力計、 １０はポンプ、 を示す。 本発明による一実施例を示す図 第１図 従来のＣＶＤ装置を示す図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 反応室（１）内の下部電極（３）に被処理基板（１１）
を搭載し、上部電極（２）と下部電極（３）の間に高周
波電源（４）により高周波電圧を印加し、前記被処理基
板（１１）に被膜を形成するＣＶＤ装置において、 前記反応室の排気口（１ｂ）に接続したトラップ（５）
と、該トラップ（５）に接続した真空放電管（６）と、
該真空放電管（６）に接続したトラップ（９）とポンプ
（１０）とを具備し、 前記トラップ（５）と前記真空放電管（６）の間の配管
に接続した圧力計（８）と、 前記真空放電管（６）に接続した分光光度計（７）と、 を具備することを特徴とするＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324663A JPH02170981A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324663A JPH02170981A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170981A true JPH02170981A (ja) | 1990-07-02 |
Family
ID=18168339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63324663A Pending JPH02170981A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02170981A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5261963A (en) * | 1991-12-04 | 1993-11-16 | Howmet Corporation | CVD apparatus comprising exhaust gas condensation means |
| US6139640A (en) * | 1998-08-12 | 2000-10-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chemical vapor deposition system and method employing a mass flow controller |
| US6332925B1 (en) * | 1996-05-23 | 2001-12-25 | Ebara Corporation | Evacuation system |
| JP2008212927A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Psk Inc | 排気装置及びこれを含む基板処理装置、そして排気方法 |
| KR100938012B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2010-01-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 그 장치의 분석 방법 |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP63324663A patent/JPH02170981A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5261963A (en) * | 1991-12-04 | 1993-11-16 | Howmet Corporation | CVD apparatus comprising exhaust gas condensation means |
| US5407704A (en) * | 1991-12-04 | 1995-04-18 | Howmet Corporation | CVD apparatus and method |
| US6332925B1 (en) * | 1996-05-23 | 2001-12-25 | Ebara Corporation | Evacuation system |
| KR100504227B1 (ko) * | 1996-05-23 | 2005-11-08 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 배출시스템 |
| US6139640A (en) * | 1998-08-12 | 2000-10-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chemical vapor deposition system and method employing a mass flow controller |
| KR100938012B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2010-01-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 그 장치의 분석 방법 |
| JP2008212927A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Psk Inc | 排気装置及びこれを含む基板処理装置、そして排気方法 |
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