JPH0215643A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH0215643A
JPH0215643A JP16530588A JP16530588A JPH0215643A JP H0215643 A JPH0215643 A JP H0215643A JP 16530588 A JP16530588 A JP 16530588A JP 16530588 A JP16530588 A JP 16530588A JP H0215643 A JPH0215643 A JP H0215643A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cylinder
electrode
welding ring
cap
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16530588A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuya Urakawa
和也 浦川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP16530588A priority Critical patent/JPH0215643A/ja
Publication of JPH0215643A publication Critical patent/JPH0215643A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、スプリングによって半導体素子を押圧保持す
るスタンド形の半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置は第2図に示すように構成さ
れている。これを同図に基づいて説明すると、同図にお
いて、符号1で示すものはその底面上に半導体素子2が
載置された有底筒1aおよびこの有底筒1aの内周面に
突子1bを有しCuあるいはFe−Ni合金からなる第
1の電極、3はこの第1の電極lに溶接され前記有底筒
1aの開口部を閉塞するキャップ、4はこのキャップ1
および前記有底筒1aの内部に設けられスプリングとし
ての皿ばね5によって前記半導体素子2に押圧接触する
フランジ4aを有する第2の電極、6はこの第2の電極
4の周囲に設けられかつ前記フランジ4aと前記皿ばね
5との間に介装されたテフロン製の絶縁筒である。また
、7は前記キャップ3および前記有底筒1a内にN2ガ
スを封入するための管体である。この管体7からN2ガ
スを封入することにより前記半導体素子2の特性が安定
する。なお、前記キャップ3は、Fe−Ni合金からな
る筒体3aと、セラミッりからなるリング3bと、Cu
からなる中継筒3Cとによって構成され、各々が互いに
ろう付けされている。
このようにして、半導体装置を組み立てることができる
先ず、電極1の有底筒1aの底面上に半導体素子2を載
置する。次いで、この半導体素子2上に電極4を載置す
る。しかる後、この電極4のフランジ4a上に絶縁筒6
1皿ばね5を順次載置し、この皿ばね5に所定の圧力を
加えた状態でステーキングによって有底筒1aに突子1
bを設ける。そして、キャップ3によって有底筒1aの
開口部を閉塞し、これを電極1に溶接してから、管体7
から電極1内にN2ガスを封入する。
このようにして、半導体装置を組み立てることができる
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、この種の半導体装置においては、有底筒1a
の底面と突子1bによって第2の電極4が保持され、か
つ第1の電極工とキャップ3の溶接面が小さい寸法に設
定されていることから、−旦半導体装置の組み立てを行
うと、例えば電極1等の構成部品を再度使用することが
できなかった。この結果、組立済みの半導体装置から構
成部品を集めて再度半導体装置を組み立てる場合に、高
価な電極1を新規製作する必要が生じ、組立コストが嵩
むという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、構成
部品の再利用による半導体装置の組立時に第1の電極の
新規製作を不要にし、組立コス)−の低廉化を図ること
ができる半導体装置を提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る半導体装置は、その底面上に半導体素子が
載置された有底筒を有する第1の電極と、この第1の電
極に溶接され有底筒の開口部を閉塞するキャップと、こ
のキャップおよび有底筒の内部に設けられ半導体素子に
スプリングによって押圧接触する第2の電極と、この第
2の電極の周囲に設けられかつスプリングの上方に固定
されその周面にねじ部を有する筒体とを備え、この筒体
のねじ部に螺合するねじ部を有底筒の周面に設けると共
に、キャップの周面に嵌合する溶接リングを有するフラ
ンジを設け、このフランジの溶接リング一部を有底筒の
周面に対向させたものである。
(作 用〕 本発明においては、筒体と有底筒の螺合状態およびキャ
ップと溶接リングの溶接状態を解除することにより、組
立済み半導体装置の第1の電極を再度利用することがで
きる。
〔実施例〕
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
第1図は本発明に係る半導体装置を示す断面図で、同図
において第2図と同一の部材およびこの部材に相当する
部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略す
る。同図において、符号11で示す第1の電極における
有底筒11aの開口部内周面にはねじ部12が設けられ
ており、外周面には溶接リング13aを有するフランジ
13が設けられている。このフランジ13の溶接リング
13aの周面一部は、前記有底筒11aの外周面に対向
している。14は前記キャップ3と同一の機能を有する
キャップで、例えばFe−Ni合金からなる筒体14a
、例えばセラミックからなるリング14bおよび例えば
Cuからなる中継筒14cによって構成されている。こ
のうち筒体14aの外周面には、前記溶接リング13a
に嵌合する溶接リング15aを有するフンリング15が
設けられている。16は前記ねじ部12に螺合するねじ
部16aをその外周面に有する筒体で、前記第1の電極
11に着脱自在に装着されており、前記画電極4.11
間に前記半導体素子2を挟圧保持するように構成されて
いる。
したがって、本発明においては、筒体16と有底筒11
aの螺合状態およびキャップ14(溶接リング15a)
と電極11 (溶接リング13a)の溶接状態を解除す
ることにより、組立済み半導体装置の第1の電極11を
再度利用することができるから、構成部品の再利用によ
る半導体装置の組立時に第1の電極11を新規製作する
必要がなくなる。
次に、本発明における半導体装置の組立方法について説
明する。
先ず、電極11の有底筒11aの底面上に半導体素子2
を載置する。次いで、この半導体素子2上に電極4を載
置する。しかる後、この電極4のフランジ4a上に絶縁
筒62皿ばね5を順次載置し、この皿ばね5に所定の圧
力を加えた状態で各ねじ部12、16aを互い螺合する
ことにより筒体16を電極11に装着する。そして、キ
ャップ14によって有底筒11aの開口部を閉塞し、再
溶接リング13a、 15aの一部を溶接してから、管
体7から電極ll内にNZガスを封入する。
このようにして、半導体装置を組み立てることができる
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、その底面上に半導
体素子が載置された有底筒を有する第1の電極と、この
第1の電極に溶接され有底筒の開口部を閉塞するキャッ
プと、このキャップおよび有底筒の内部に設けられ半導
体素子にスプリングによって押圧接触する第2の電極と
、この第2の電極の周囲に設けられかつスプリングの上
方に固定されその周面にねじ部を有する筒体とを備え、
この筒体のねじ部に螺合するねじ部を有底筒の周面に設
けると共に、キャップの周面に嵌合する溶接リングを有
するフランジを設け、ごのフランジの溶接リング一部を
有底筒の周面に対向させたので、筒体と有底筒の螺合状
態およびキャップと溶接リングの溶接状態を解除するこ
とにより、組立済み半導体装置の第1の電極を再度利用
することができる。したがって、構成部品の再利用によ
る半導体装置の組立時に第1の電極を新規製作する必要
がないから、組立コストの低廉化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体装置を示す断面図、第2図
は従来の半導体装置を示す断面図である。 2・・・・半導体素子、4・・・・第2の電極、5・・
・・皿ばね、11・・・・第1の電極、lla・・・・
有底筒、12・・・・ねじ部、13・・・・フランジ、
13a  ・・・・溶接リング、14・・・・キャップ
、14a  ・・・・筒体、15・・・・フランジ、1
5a  ・・・・溶接リング、16・・・・筒体、16
a  ・・・・ねじ部。 第1図 代 理 人 人岩増雄 tba  朴し介

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. その底面上に半導体素子が載置された有底筒を有する第
    1の電極と、この第1の電極に溶接され前記有底筒の開
    口部を閉塞するキャップと、このキャップおよび前記有
    底筒の内部に設けられ前記半導体素子にスプリングによ
    って押圧接触する第2の電極と、この第2の電極の周囲
    に設けられかつ前記スプリングの上方に固定されその周
    面にねじ部を有する筒体とを備え、この筒体のねじ部に
    螺合するねじ部を前記有底筒の周面に設けると共に、前
    記キャップの周面に嵌合する溶接リングを有するフラン
    ジを設け、このフランジの溶接リング一部を前記有底筒
    の周面に対向させたことを特徴とする半導体装置。
JP16530588A 1988-07-01 1988-07-01 半導体装置 Pending JPH0215643A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16530588A JPH0215643A (ja) 1988-07-01 1988-07-01 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP16530588A JPH0215643A (ja) 1988-07-01 1988-07-01 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPH0215643A true JPH0215643A (ja) 1990-01-19

Family

ID=15809809

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16530588A Pending JPH0215643A (ja) 1988-07-01 1988-07-01 半導体装置

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JP (1) JPH0215643A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8581422B2 (en) 2011-10-24 2013-11-12 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor module
US8659150B2 (en) 2011-09-13 2014-02-25 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor module
US8786107B2 (en) 2011-10-13 2014-07-22 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor module

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8659150B2 (en) 2011-09-13 2014-02-25 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor module
US8786107B2 (en) 2011-10-13 2014-07-22 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor module
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