JPH02155231A - ウェーハの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 ウェーハの製造方法、より詳しくは、半導体インゴット
などを研削、スライシングしてウェーハにする加工工程
の改善に関し、 ウェーハ製造工程での工程数を減らして、製造時間およ
びコストを低減しかつスライシングでのウェーハ厚さを
より均一にすることを目的とし、インゴットのスライシ
ング工程前の該インゴットの外周研削工程において、該
インゴットの外周に周期的な凹凸を形成し、該凹部にお
いて該インゴットをスライシングしてウェーハに分割す
るように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、ウェーハの製造方法、より詳しくは、半導体
インゴットなどを研削、スライシングしてウェーハにす
る加工工程の改善に関するものである。

〔従来の技術〕

シリコン、ＧａＡｓ、　ＩｎＰなどの半導体材料は、そ
のインゴットからＩＣ，ＬＳＩなどの半導体装置を製造
する工程で、ウェーハ状態とされる。従来のウェーハ製
造工程は、通常、下記（ア）〜（キ）工程から構成され
ている。

（ア）　結晶インゴットの製造； （イ）　　インゴットの外周研削； （つ）　インゴットのスライシング； （Ｉ）　　ウェーハの面取り（外周研削）：（１）　　
ウェーハのラッピング； （力）　ウェーハのエツチング；および（キ）　ウェー
ハのポリッシング。

上述の面取り工程を施こすことによって、ウェーハエッ
ヂの欠は防、止、エピタキシャル成長でのエビクラウン
の発生防止、スピコートによるレジスト層周辺盛り上が
り防止などが図れる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来工程では、外周研削工程がインゴットのときおよび
ウェーハのときの２回行なわれている。

本発明の目的は、ウェーハ製造工程での工程数を減らし
て、製造時間およびコストを低減しかつスライシングで
のウェーハ厚さをより均一にすることである。

〔課題を解決するための手段〕

上述の目的が、インゴットのスライシング工程前の該イ
ンゴットの外周研削工程において、該インゴットの外周
に周期的な凹凸を形成し、該凹部において該インゴット
をスライシングしてウェーハに分割することを特徴とす
るウェーハの製造方法によって達成される。

〔作　用〕

本発明では、インゴットの外周研削のときにウェーハの
面取りをも行なうわけであり、この面取りでの凸部（突
起体）がスライシング時の位置検出マークとして利用で
きるのでスライシング工程での切断精度（すなわち、ウ
ェーハ厚さ精度）を向上させることができる。

〔実施例〕

以下、図面を参照して、本発明に係るウニ／＼製造方法
と従来方法とを比較しながら本発明の実施例を詳しく説
明する。

下記工程にしたがってウェーハを製造する。

（ア）　結晶インゴットの製造（第８図参照）。

Ｓ　ｉ、　ＧａＡｓ、　ＩｎＰなどの半導体あるいは石
英ガラスのインゴット１をＣＺ法などの公知の方法にて
作る。インゴット１はその円柱状表面が縦断面で波のよ
うな凹凸となっている。そして、インゴットの両端を切
断する。

（イ）　　インゴットの外周研削（第１Ａ図、第１Ｂ図
および第２Ａ図、第２Ｂ図参照）。

本発明では、第１Ａ図、第１Ｂ図に示すように、インゴ
ット１の外周研削を行なうときに、所定の治具（砥石）
を用いてウェーハの面取り加工を行なうように凸部（突
起体）２を形成する。第１Ｂ図に示すように、突起体２
の隣接部分はその表面３がインゴット１の中心軸を中心
とした円柱表面の一部であるのが好ましく、要するに、
表面３はインゴット中心軸に対してほぼ平行である。こ
れはスライシング時の刃（砥石）が偏位したり、反った
りするのを避けるためである。

従来では、第２Ａ図、第２Ｂ図に示すように、インゴッ
ト１を円筒状に外周研削して、インゴット外周表面４は
インゴット中心軸に対してほぼ平行であって、平坦であ
る。

（つ）　インゴットのスライシング（第３Ａ図、第３Ｂ
図および第４Ａ図および第４Ｂ図参照）。

本発明では、第３Ａ図、第３Ｂ図に示すように、外周研
削したインゴット１を公知の切断機（例えば、内周形砥
石を用いたスライシング機）にてスライシングしてウェ
ーハ５にする。このスライシング時に第１Ｂ図でのスラ
イシング（切断）位置Ｓを決める際に、突起体２を位置
決めマークとして用いる。このためにスライシング位置
誤差を小さく抑えて、スライス後のウェーハ５の厚さを
全枚数にわたって均一にすることができる。得られたウ
ェーハ５の外周端部には、第３Ｂ図に示すように、突起
体２があって、これが各ウェーハの面取りされた端面と
なっている。

従来では、第４Ａ図、第４Ｂ図に示すように、インゴッ
ト１がスライシングされて、ウェーノＸ６が得られ、各
ウェーハの端面ば第４Ｂ図に示すようにスライシング面
に対してほぼ垂直である。この場合に、スライシング時
の位置決めマークがないために、スライシング位置誤差
が大きくなり、スライス後のウェーハ厚さが全枚数から
見てむらがある。このために、ウェーハ厚さを所定値の
ものとするのに後工程での取り代を多くしてウェーハ表
面加工をしなければならない。このことは加工時間およ
び取り代での材料の無駄を招いている。

（１）　ウェーハの面取り（第５Ａ図、第５Ｂ図参照） 本発明では、ウェーハ面取り（研削）は不要となってお
り、従来例では、第５Ｂ図に示すように、適切な研削機
にてウェーハ６に面取り７を施こす。

（オ）　ウェーハのラッピング（第６Ａ図、第６Ｂ図参
照） ウェーハ表面のスライシングによる凹凸をなくすように
滑らかにするためにラッピングを行ない、本発明では、
ウェーハ５端面での突起体２に隣辺する円柱状表面の一
部（インゴット中心軸に概略平面な面）も同時に削られ
て、第６Ｂ図に示すように、端面全体の面取り８がなさ
れる。

従来では、ラッピングによってウェーハ５表面凹凸が同
様に滑らかにされ、かつ面取り部分は、第６Ｂ図に示す
ような、本発明の場合と同じになる。

（力）　ウェーハのエツチングおよびポリッシング（第
７図参照）。

本発明および従来でも、同様にウェーハ４．５のエツチ
ングによってラッピングによるダメージ層を除去し、ポ
リッシングによってウェーハ表面をミラー（鏡面）９に
仕上げて、ウェーハを製造することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、インゴットの外
周研削工程で従来の外周研削と面取り研削の２工程を同
時に行なうことができ、ウェーハ製造時の工程数削減と
なる。さらに、本発明での外周研削時に形成する凸部（
突起体）がスライシング時の位置決めマークとして利用
できるので、多数枚のスライシングにおいてもウェーハ
間の厚さのバラツキを小さくすることができる。これら
のことから本発明ではつ゛エーハ製造での時間およびコ
ストの削減が図れる。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図は本発明に係るウェーハ製造でのインゴット外
周研削工程でのインゴットの概略断面図であり、 第１Ｂ図は第１図にあけるインゴットの表面部分の拡大
断面図であり、 第２Ａ図は従来のインゴット外周研削工程でのインゴッ
トの概略断面図であり、 第２Ｂ図は第２Ａ図におけるインゴットの表面部分の拡
大断面図であり、 第３Ａ図は本発明でのスライシングしたウェーハの概略
断面図であり、 第３Ｂ図は第３Ａ図におけるウェーハの端部の拡大断面
図であり、 第４Ａ図は従来のスライシングしたウェーハの概略断面
図であり、 第４Ｂ図は第４Ａ図におけるウェーハの端部の拡大断面
図であり、 第５Ａ図は従来の面取り研削したウェーハの概略断面図
であり、 第５Ｂ図は第５Ａ図におけるウェーハの端部の拡大断面
図であり、 第６Ａ図は本発明および従来でのラッピングしたウェー
ハの概略断面図であり、 第６Ｂ図は第６Ａ図におけるウェーハの端部の拡大断面
図であり、 第７図は本発明および従来でのエツチングとポリッシン
グしたウェーハの概略断面図であり、第８図は結晶イン
ゴットの概略断面図である。 ■・・・インゴット、　　２・・・凸部（突起体）、５
．６・・・ウェーハ　　　７・訃・・面取り。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、インゴットのスライシング工程前の該インゴットの
   外周研削工程において、 該インゴットの外周に周期的な凹凸を形成し、該凹部に
   おいて該インゴットをスライシングしてウェーハに分割
   することを特徴とするウェーハの製造方法。