JPH02149431A - シリカガラスの製造法 - Google Patents
シリカガラスの製造法Info
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- JPH02149431A JPH02149431A JP30335688A JP30335688A JPH02149431A JP H02149431 A JPH02149431 A JP H02149431A JP 30335688 A JP30335688 A JP 30335688A JP 30335688 A JP30335688 A JP 30335688A JP H02149431 A JPH02149431 A JP H02149431A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
- C03C1/006—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels to produce glass through wet route
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は光学用、半導体工業用、電子工業用、理工学用
等に使用されるシリカガラスを製造する方法に関する。
等に使用されるシリカガラスを製造する方法に関する。
(従来の技術)
シリカガラスは耐熱性、耐食性および光学的性質に優れ
ていることから、半導体製造に欠かせない重要な材料で
あり、さらには光ファイバやIC製造用フォトマスク基
板、TPT基板などに使用され、その用途はますます拡
大されている。
ていることから、半導体製造に欠かせない重要な材料で
あり、さらには光ファイバやIC製造用フォトマスク基
板、TPT基板などに使用され、その用途はますます拡
大されている。
従来のシリカガラスの製造法には、天然石英を電気炉ま
たは酸水素炎により溶解する方法、あるいは四塩化ケイ
素を酸水素炎又はプラズマ炎中で高温酸化し熔解する方
法があるが、いずれの方法も製造工程に2000℃ある
いはそれ以上の高温を必要とするため、大量のエネルギ
ーを消費し、また製造時にそのような高嵩に耐える材料
が必要であり、また高純度のものが得にくいなど経済的
、品質的にいくつかの問題点をもっている。
たは酸水素炎により溶解する方法、あるいは四塩化ケイ
素を酸水素炎又はプラズマ炎中で高温酸化し熔解する方
法があるが、いずれの方法も製造工程に2000℃ある
いはそれ以上の高温を必要とするため、大量のエネルギ
ーを消費し、また製造時にそのような高嵩に耐える材料
が必要であり、また高純度のものが得にくいなど経済的
、品質的にいくつかの問題点をもっている。
これに対し、近年ゾル−ゲル法と呼ばれるシリカガラス
を低温で合成する方法が注目されている。
を低温で合成する方法が注目されている。
その概要を面単に述べる。
シリコンアルコキシドの加水分解、重合によって、ある
いは四塩化ケイ素の気相加水分解によって作製した5t
ot1粒子を分散させた水、有機溶剤、あるいは水−有
m熔剤混合溶液のシリカゾルを静置、昇温、ゲル化剤の
添加等によってゲル化させる。その後、ゲルを芸発、乾
燥することによりシリカ乾燥ゲルとする。この乾燥ゲル
を適当に雰囲気中で焼結することによりシリカガラスを
得る。
いは四塩化ケイ素の気相加水分解によって作製した5t
ot1粒子を分散させた水、有機溶剤、あるいは水−有
m熔剤混合溶液のシリカゾルを静置、昇温、ゲル化剤の
添加等によってゲル化させる。その後、ゲルを芸発、乾
燥することによりシリカ乾燥ゲルとする。この乾燥ゲル
を適当に雰囲気中で焼結することによりシリカガラスを
得る。
上記のゾル−ゲル法によるシリカガラスの製造法には次
の問題がある。すなわち、5iOz微粒子を水、有機溶
剤等に均一に分散させることは非常に困難であり、シリ
カゾル中にSing微粒子の大きな凝集体が残りやすい
。このような凝集体はゲルを焼結して作製したガラス中
の欠陥(空孔)の原因となり、品質の低下を生じさせる
。このため5iOxa粒子の分散を良くするために、シ
リカゾルに超音波を照射する方法、凝集体により生ずる
ガラス中の欠陥(空孔)を消すために焼結ガラスを更に
加圧下で焼結する方法が提案されているが、いずれも工
程数の増加、不純物混入の機会の増加を引き起こす。
の問題がある。すなわち、5iOz微粒子を水、有機溶
剤等に均一に分散させることは非常に困難であり、シリ
カゾル中にSing微粒子の大きな凝集体が残りやすい
。このような凝集体はゲルを焼結して作製したガラス中
の欠陥(空孔)の原因となり、品質の低下を生じさせる
。このため5iOxa粒子の分散を良くするために、シ
リカゾルに超音波を照射する方法、凝集体により生ずる
ガラス中の欠陥(空孔)を消すために焼結ガラスを更に
加圧下で焼結する方法が提案されているが、いずれも工
程数の増加、不純物混入の機会の増加を引き起こす。
液相へのSin、微粒子の分数工程をなくすため、シリ
コンアルコキシドを塩基触媒の存在下で加水分解してS
iOア微粒子を含むゾルを作製し、これを直接、ゲル化
させる方法が提案されている。
コンアルコキシドを塩基触媒の存在下で加水分解してS
iOア微粒子を含むゾルを作製し、これを直接、ゲル化
させる方法が提案されている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしこの方法では、乾燥過程でゲルにクラックや割れ
が発生しやすい。このようなゲルの破壊を防ぐためには
、ゾル中に含まれるslo、i粒子径を大きくする必要
があり、このためアルコキシドの加水分解の際に用いる
水は、アルコキシドに対して大過剰でかつ濃厚な塩基を
含む必要がある。したがってゾルをゲル化する前に、大
過剰の水を除去する濃縮工程を入れる必要が生じ、工程
数の増加を引き起こした。またゾルをゲル化に適当にp
Hにするため、酸を加える必要があるが、これによって
ゾル中に多量に生成する塩は乾燥過程でゲル中に析出し
、ガラス化した際に空孔の発生を引き起こすという問題
が生ずる。
が発生しやすい。このようなゲルの破壊を防ぐためには
、ゾル中に含まれるslo、i粒子径を大きくする必要
があり、このためアルコキシドの加水分解の際に用いる
水は、アルコキシドに対して大過剰でかつ濃厚な塩基を
含む必要がある。したがってゾルをゲル化する前に、大
過剰の水を除去する濃縮工程を入れる必要が生じ、工程
数の増加を引き起こした。またゾルをゲル化に適当にp
Hにするため、酸を加える必要があるが、これによって
ゾル中に多量に生成する塩は乾燥過程でゲル中に析出し
、ガラス化した際に空孔の発生を引き起こすという問題
が生ずる。
本発明は、ゲル化前にSiO□微粒子の分数工程、また
ゾルの濃縮工程を必要としないシリカガラスの製造方法
を堤供するものである。
ゾルの濃縮工程を必要としないシリカガラスの製造方法
を堤供するものである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、シリコンアルコシキドを塩基性触媒を用いて
加水分解して5ift微粒子を含むシリカゾルを得、そ
のゾルを乾燥、焼結するシリカガラスの製造法に於いて
、シコンアルコシキドをポリエチレングリコール及び/
又はその誘導体の存在化で加水分解すると共に5ioz
a&粒子を含むシリカゾルに酸を加えることを特徴とす
るものである。
加水分解して5ift微粒子を含むシリカゾルを得、そ
のゾルを乾燥、焼結するシリカガラスの製造法に於いて
、シコンアルコシキドをポリエチレングリコール及び/
又はその誘導体の存在化で加水分解すると共に5ioz
a&粒子を含むシリカゾルに酸を加えることを特徴とす
るものである。
本発明において、シリコンアルコキシドについては特に
制限を設けないが、加水分解のしやすさの点から、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基を有するシリコ
ンアルコキシド又はこれらが部分的に重縮合したシリコ
ンアルコキシドの少なくとも一種を使用することが好ま
しい。
制限を設けないが、加水分解のしやすさの点から、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基を有するシリコ
ンアルコキシド又はこれらが部分的に重縮合したシリコ
ンアルコキシドの少なくとも一種を使用することが好ま
しい。
シリコンアルコキシドに水又は水とアルコールの混合溶
液を加えて、加水分解してシリカゾルを生成させる際、
水、アルコール、又は水とアルコールの混合溶液にあら
かじめポリエチレングリコール及び/又はそのmH体を
添加、均一に溶解させておく。
液を加えて、加水分解してシリカゾルを生成させる際、
水、アルコール、又は水とアルコールの混合溶液にあら
かじめポリエチレングリコール及び/又はそのmH体を
添加、均一に溶解させておく。
添加するポリエチレングリコール及び/又はその誘導体
の分子量については特に制限を設けないが、シリカゾル
中でのSiO□微粒子の成長を実現するという点から、
平均分子ff11000〜500000のもの、好まし
くは5000〜200000のもの、最も好ましくは8
000〜50000の範囲のものが使用でき、これは単
独でも混合物でもよい。分子量が1000未満の場合は
、シリカゾル中でS iOz g粒子の適切な成長がで
きず、一方5oooooを超える場合は、シリカゾル中
にS + Oを微粒子の大きな凝集体が発生し、均一な
シリカゾル及びゲルが得られない傾向にある。但しポリ
エチレングリコール及び/又はその誘導体の適切な分子
量は、使用するシリコンアルコキシドの種類、共存する
アルコールの種類、塩基の濃度によって変化するため、
上記の分子量の範囲に必ずしも限定されるものはない。
の分子量については特に制限を設けないが、シリカゾル
中でのSiO□微粒子の成長を実現するという点から、
平均分子ff11000〜500000のもの、好まし
くは5000〜200000のもの、最も好ましくは8
000〜50000の範囲のものが使用でき、これは単
独でも混合物でもよい。分子量が1000未満の場合は
、シリカゾル中でS iOz g粒子の適切な成長がで
きず、一方5oooooを超える場合は、シリカゾル中
にS + Oを微粒子の大きな凝集体が発生し、均一な
シリカゾル及びゲルが得られない傾向にある。但しポリ
エチレングリコール及び/又はその誘導体の適切な分子
量は、使用するシリコンアルコキシドの種類、共存する
アルコールの種類、塩基の濃度によって変化するため、
上記の分子量の範囲に必ずしも限定されるものはない。
ポリエチレングリコール及び/又はその誘導体の添加量
については特に制限を設けないが、シリコンアルコキシ
ド重量100重量部に対して0.05〜10重量部とす
ることが好ましい。添加量が0.05重置部未満の場合
は、分子量が小さい場合にはシリカゾル中でのSiO□
微粒子の成長に所望の効果が得られない、あるいは分子
量が大きい場合には著しい凝集体の生成を引き起こす傾
向にある。一方添加量が10重量部を超える場合は、シ
リカゾル中でのSiO□微粒子の成長に所望の効果が得
られない、ゲルを焼結ガラス化する際、ポリエチレング
リコール及び/又はその誘導体の熱分解、燃焼、離脱に
よりクランクや割れが発生しやすくなる等の問題が発生
する。但しポリエチレングリコール及び/又はその誘導
体の適切な添加量は、使用するシリコンアルコキシドの
種類、共存するアルコールの種類、塩基の濃度によって
変化するため、上記の添加量の範囲に必ずしも限定され
るものではない。
については特に制限を設けないが、シリコンアルコキシ
ド重量100重量部に対して0.05〜10重量部とす
ることが好ましい。添加量が0.05重置部未満の場合
は、分子量が小さい場合にはシリカゾル中でのSiO□
微粒子の成長に所望の効果が得られない、あるいは分子
量が大きい場合には著しい凝集体の生成を引き起こす傾
向にある。一方添加量が10重量部を超える場合は、シ
リカゾル中でのSiO□微粒子の成長に所望の効果が得
られない、ゲルを焼結ガラス化する際、ポリエチレング
リコール及び/又はその誘導体の熱分解、燃焼、離脱に
よりクランクや割れが発生しやすくなる等の問題が発生
する。但しポリエチレングリコール及び/又はその誘導
体の適切な添加量は、使用するシリコンアルコキシドの
種類、共存するアルコールの種類、塩基の濃度によって
変化するため、上記の添加量の範囲に必ずしも限定され
るものではない。
ポリエチレングリコールの誘導体としては、ポリエチレ
ングリコールモノ (ジ)メチルエーテル、ポリエチレ
ングリコールモノ (ジ)エチルエーテル、ポリエチレ
ングリコールモノ (ジ)プロピルエーテル、ポリエチ
レングリコールモノ(ジ)ブチルエーテル等が使用され
、それらは混合物でも、あるいはポリエチレングリコー
ルと混合して使用することができる。
ングリコールモノ (ジ)メチルエーテル、ポリエチレ
ングリコールモノ (ジ)エチルエーテル、ポリエチレ
ングリコールモノ (ジ)プロピルエーテル、ポリエチ
レングリコールモノ(ジ)ブチルエーテル等が使用され
、それらは混合物でも、あるいはポリエチレングリコー
ルと混合して使用することができる。
市販のポリエチレングリコール及び/又はその誘導体に
は、しばしば、Na、に等のアルカリ金属、Ca、Mg
等のアルカリ土類金属、F e %Ti等の遷移金属が
不純物として含有されており、これらはゲル中に残留し
、得られるガラスの結晶化、着色等の問題を生じさせる
。このような場合には、ポリエチレングリコール及び/
又はその誘導体を熔解させた水、あるいは水とアルコー
ルの混合溶液をイオン交換樹脂と接触させて、不純物金
属を除去させた後、使用すると好適な結果が得られる。
は、しばしば、Na、に等のアルカリ金属、Ca、Mg
等のアルカリ土類金属、F e %Ti等の遷移金属が
不純物として含有されており、これらはゲル中に残留し
、得られるガラスの結晶化、着色等の問題を生じさせる
。このような場合には、ポリエチレングリコール及び/
又はその誘導体を熔解させた水、あるいは水とアルコー
ルの混合溶液をイオン交換樹脂と接触させて、不純物金
属を除去させた後、使用すると好適な結果が得られる。
本発明において、シリコンアルコキシドを加水分解する
ために添加する水の量については特に制限は設けないが
、シリコンアルコキシドを完全に加水分解するのに必要
な水の0.5〜2.0倍の範囲にあることが好ましい。
ために添加する水の量については特に制限は設けないが
、シリコンアルコキシドを完全に加水分解するのに必要
な水の0.5〜2.0倍の範囲にあることが好ましい。
添加する水の量がこの範囲未満では、一般にゾル及びゲ
ルが不均一となりやすい、一方、水の添加量がこの範囲
を超えるとシリカゾル中でのSiO,li顆粒子成長が
抑制され、得られるゲルは乾燥過程で割れやすくなる。
ルが不均一となりやすい、一方、水の添加量がこの範囲
を超えるとシリカゾル中でのSiO,li顆粒子成長が
抑制され、得られるゲルは乾燥過程で割れやすくなる。
本発明において、シリコンアルコキシドを加水分解する
際に水にアルコールを加えるのが好ましいが、アルコー
ルとしては、水、アルコキシドの両者に対する溶解性の
点より、メチルアルコール、エチルアルコール、l−プ
ロピルアルコール、2−プロピルアルコール等を使用す
るのが好ましい、またアルコールの添加量は、特に制限
しないがシリコンアルコキシドの体積の0.7〜2.0
倍の範囲にあることが好ましい。
際に水にアルコールを加えるのが好ましいが、アルコー
ルとしては、水、アルコキシドの両者に対する溶解性の
点より、メチルアルコール、エチルアルコール、l−プ
ロピルアルコール、2−プロピルアルコール等を使用す
るのが好ましい、またアルコールの添加量は、特に制限
しないがシリコンアルコキシドの体積の0.7〜2.0
倍の範囲にあることが好ましい。
シリコンアルコキシドを加水分解する際に添加する塩基
触媒としては、アンモニア、コリン、各種アミノ類が使
用できる。
触媒としては、アンモニア、コリン、各種アミノ類が使
用できる。
本発明に於ては、シリコンアルコキシドを加水分解して
得られたSiOよ微粒子を含むシリカゾルに酸を加える
。添加する酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、酢酸
、プロピオン酸等が使用できる。これらの酸の添加量は
シリカゾルのpHが2.0〜5.0となるように調節す
ると好適である。
得られたSiOよ微粒子を含むシリカゾルに酸を加える
。添加する酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、酢酸
、プロピオン酸等が使用できる。これらの酸の添加量は
シリカゾルのpHが2.0〜5.0となるように調節す
ると好適である。
これらの酸は濃厚な液としてシリカゾルに添加するより
は、水、あるいはアルコール、あるいはこれらの混合溶
液で希釈して使用するとよい。
は、水、あるいはアルコール、あるいはこれらの混合溶
液で希釈して使用するとよい。
さらにホルムアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミド、テトラヒドロフルフリルアルコール、メ
チルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ
、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテル、モルホリン、N−メチルピロリド
ン等の高沸点かつ小さな表面張力を有する溶剤を溶解さ
せた水、アルコール、水とアルコールの混合溶液で酸を
希釈した後、シリカゾルに添加すると、上記の高沸点、
かつ小さな表面張力を有する溶剤の存在により乾燥過程
でのゲルの破壊が防止される効果が期待できる。
アセトアミド、テトラヒドロフルフリルアルコール、メ
チルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ
、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテル、モルホリン、N−メチルピロリド
ン等の高沸点かつ小さな表面張力を有する溶剤を溶解さ
せた水、アルコール、水とアルコールの混合溶液で酸を
希釈した後、シリカゾルに添加すると、上記の高沸点、
かつ小さな表面張力を有する溶剤の存在により乾燥過程
でのゲルの破壊が防止される効果が期待できる。
更にシリカゾルに対して酸と共にシリコンアルコキシド
を添加しても乾燥過程でのゲルの割れに対して好適な結
果が得られる。シリコンアルコキシドとしては、テトラ
メトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポ
キシシラン、テトラブトキシシラン又はこれらが部分的
に重縮合したものを用いることができる。シリカゾルに
対するシリコンアルコキシドの添加及び先に示した高沸
点でかつ小さな表面張力を有する溶剤の添加を組合わせ
ても良い。
を添加しても乾燥過程でのゲルの割れに対して好適な結
果が得られる。シリコンアルコキシドとしては、テトラ
メトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポ
キシシラン、テトラブトキシシラン又はこれらが部分的
に重縮合したものを用いることができる。シリカゾルに
対するシリコンアルコキシドの添加及び先に示した高沸
点でかつ小さな表面張力を有する溶剤の添加を組合わせ
ても良い。
酸を添加する前に、シリカゾルに対して熟成操作を加え
る(数時間〜数日の放置)、また超音波を照射する等の
工程をはさむことも好適な効果を生む。
る(数時間〜数日の放置)、また超音波を照射する等の
工程をはさむことも好適な効果を生む。
シリカガラスは、上記のようにして調整したシリカゾル
をシャーレ等の容器に移し、室温〜70℃に保って、ゲ
ル化し、次いで室温以上の温度で乾燥して、乾燥ゲルと
し、更に公知の方法、例えば、空気中で1,000〜1
4.000℃に昇温しで焼結することにより得られる。
をシャーレ等の容器に移し、室温〜70℃に保って、ゲ
ル化し、次いで室温以上の温度で乾燥して、乾燥ゲルと
し、更に公知の方法、例えば、空気中で1,000〜1
4.000℃に昇温しで焼結することにより得られる。
実施例1
2−プロピルアルコール71gと0.01Mコリン水溶
fL40gを混合し、これに4.2gのポリエチレング
リコール(分子120000)を添加し溶解させた。得
られた溶液を85gのテトラメチルオルソシリケート
(S i (OCH)) 4)にゆっくりと加え、さ
らに充分混合しシリカゾルを得た。
fL40gを混合し、これに4.2gのポリエチレング
リコール(分子120000)を添加し溶解させた。得
られた溶液を85gのテトラメチルオルソシリケート
(S i (OCH)) 4)にゆっくりと加え、さ
らに充分混合しシリカゾルを得た。
これを室温で1晩静置して熟成させた。次いでシ゛リカ
ゾルに0.1M塩酸水溶液2mlを激しく攪拌しながら
添加した。これを直径150mmのテフロンでコーティ
ングしたガラス製シャーレに入れアルミ箔で密封し40
℃でゲル化させた。その後蓋に孔を開け60℃の恒温槽
中で1週間乾燥し、その後120℃まで昇温しで1日乾
燥して、直径約110mmの乾燥ゲルを得た。得られた
乾燥ゲルには、クランクや割れは全くなかった。得られ
た乾燥ゲルを空気中1,300’Cまで加熱乾燥し、シ
リカガラスを得た。得られたシリカガラスには空孔等の
欠陥は全くなかった。
ゾルに0.1M塩酸水溶液2mlを激しく攪拌しながら
添加した。これを直径150mmのテフロンでコーティ
ングしたガラス製シャーレに入れアルミ箔で密封し40
℃でゲル化させた。その後蓋に孔を開け60℃の恒温槽
中で1週間乾燥し、その後120℃まで昇温しで1日乾
燥して、直径約110mmの乾燥ゲルを得た。得られた
乾燥ゲルには、クランクや割れは全くなかった。得られ
た乾燥ゲルを空気中1,300’Cまで加熱乾燥し、シ
リカガラスを得た。得られたシリカガラスには空孔等の
欠陥は全くなかった。
実施例2
実施例1と同様にして作製したシリカゾルに、0、1
M塩酸水溶液2mj!を19gの水で希釈した後、激し
く攪拌しながら添加した。これを実施例1と同様にして
ゲル化、乾燥、焼結ガラス化した。
M塩酸水溶液2mj!を19gの水で希釈した後、激し
く攪拌しながら添加した。これを実施例1と同様にして
ゲル化、乾燥、焼結ガラス化した。
乾燥ゲルには、クラックや割れは全くながった。
また得られたシリカガラスにも、空孔等の欠陥は全くな
かった。
かった。
実施例3
実施例1と同様にして作製したシリカゾルに、0、.1
M塩酸水溶液2mlを24gのテトラヒトフルフリルア
ルコールで希釈した後、激しく撹拌しながら添加した。
M塩酸水溶液2mlを24gのテトラヒトフルフリルア
ルコールで希釈した後、激しく撹拌しながら添加した。
これを実施例1と同様にしてゲル化、乾燥、焼結ガラス
化した。乾燥ゲルには、クラックや割れは全くなく、ま
た得られたシリカガラスにも空孔等の欠陥は全くなかっ
た。
化した。乾燥ゲルには、クラックや割れは全くなく、ま
た得られたシリカガラスにも空孔等の欠陥は全くなかっ
た。
実施例4
1−プロピルアルコール71gと0.01Mコリン水溶
液40gを混合し、これに2.6gのポリエチレングリ
コール(分子150000)を添加し溶解させた。得ら
れた溶液を85gのテトラメチルオルソシリケートにゆ
っくりと加え、さらに充分混合し、シリカゾルを得た。
液40gを混合し、これに2.6gのポリエチレングリ
コール(分子150000)を添加し溶解させた。得ら
れた溶液を85gのテトラメチルオルソシリケートにゆ
っくりと加え、さらに充分混合し、シリカゾルを得た。
これを室温で1晩静置して熟成させた。次いで、シリカ
ゾルに、0、1モル塩酸水溶液2mlを激しく攪拌しな
がら添加した。以下、実施例1と同様にしてゲル化、乾
燥、焼結ガラス化した。乾燥ゲルには、クランクや割れ
は全くなく、また得られたシリカガラスにも空孔等の欠
陥は全くなかった。
ゾルに、0、1モル塩酸水溶液2mlを激しく攪拌しな
がら添加した。以下、実施例1と同様にしてゲル化、乾
燥、焼結ガラス化した。乾燥ゲルには、クランクや割れ
は全くなく、また得られたシリカガラスにも空孔等の欠
陥は全くなかった。
実施例5
2−プロピルアルコール71gと0.01Mコリン水溶
液40gを混合し、これに0.85 gのポリエチレン
グリコール(分子量8000)を添加し溶解させた。得
られた溶液を85gのテトラメチルオルソシリケートに
ゆっくりと加え、さらに充分混合しシリカゾルを得た。
液40gを混合し、これに0.85 gのポリエチレン
グリコール(分子量8000)を添加し溶解させた。得
られた溶液を85gのテトラメチルオルソシリケートに
ゆっくりと加え、さらに充分混合しシリカゾルを得た。
これを室温で1晩静置して熟成させた0次いでシリカゾ
ルに、0.1 M塩酸水溶液2mffを激しく撹拌しな
がら添加した。
ルに、0.1 M塩酸水溶液2mffを激しく撹拌しな
がら添加した。
以下、実施例1と同様にしてゲル化、乾燥、焼結し、シ
リカガラスを得た。乾燥ゲルにはクランクや割れは全く
なく、また、得られたシリカガラスには空孔等の欠陥は
全くなかった。
リカガラスを得た。乾燥ゲルにはクランクや割れは全く
なく、また、得られたシリカガラスには空孔等の欠陥は
全くなかった。
実施例6
実施例1と同様にして作製したシリカゾルに、0.1M
塩酸水溶液2mlを6mfの水で希釈した後、激しく攪
拌しながら添加した。次いで8.5gのテトラメトキシ
シランを添加した。これを実施例1と同様にしてゲル化
、乾燥、焼結ガラス化した。乾燥ゲルには、クランクや
割れは全くなく、また得られたシリカガラスにも空孔等
の欠陥は全くなかった。
塩酸水溶液2mlを6mfの水で希釈した後、激しく攪
拌しながら添加した。次いで8.5gのテトラメトキシ
シランを添加した。これを実施例1と同様にしてゲル化
、乾燥、焼結ガラス化した。乾燥ゲルには、クランクや
割れは全くなく、また得られたシリカガラスにも空孔等
の欠陥は全くなかった。
(発明の効果)
本発明によれば、クランクや割れがなく、また空孔等の
欠陥の少ない大形のシリカガラスをゲル−ゾル法により
容易に製造可能となる。その大きさは基本的には制約が
なく、形状も板状、棒状、管状等のいずれでも製造でき
る。
欠陥の少ない大形のシリカガラスをゲル−ゾル法により
容易に製造可能となる。その大きさは基本的には制約が
なく、形状も板状、棒状、管状等のいずれでも製造でき
る。
また、本発明によればシリカガラスは、従来よりも安価
に製造できめため、従来から使用されてきたIC製造用
フォトマスク基材等の分解はもちろん、 液晶表示基材等にも応用が拡大できる。
に製造できめため、従来から使用されてきたIC製造用
フォトマスク基材等の分解はもちろん、 液晶表示基材等にも応用が拡大できる。
代理人 弁理士 廣 瀬 章
Claims (1)
- 1、シリコンアルコシキドを塩基性触媒を用いて加水分
解してSiO_2微粒子を含むシリカゾルを得、そのゾ
ルを乾燥、焼結するシリカガラスの製造法に於いて、シ
コンアルコシキドをポリエチレングリコール及び/又は
その誘導体の存在化で加水分解すると共にSiO_2微
粒子を含むシリカゾルに酸を加えることを特徴とするシ
リカガラスの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30335688A JP2504148B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | シリカガラスの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30335688A JP2504148B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | シリカガラスの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02149431A true JPH02149431A (ja) | 1990-06-08 |
JP2504148B2 JP2504148B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=17919994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30335688A Expired - Lifetime JP2504148B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | シリカガラスの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2504148B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1061050A1 (en) * | 1999-06-17 | 2000-12-20 | Lucent Technologies Inc. | Process for fabricating an article via sol-gel processing |
JP2001049178A (ja) * | 1999-06-01 | 2001-02-20 | Jsr Corp | 膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜 |
EP1215180A1 (en) * | 2000-12-14 | 2002-06-19 | Lucent Technologies Inc. | Process for fabricating sol-gel article involving low-shrinkage formulation |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP30335688A patent/JP2504148B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001049178A (ja) * | 1999-06-01 | 2001-02-20 | Jsr Corp | 膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜 |
EP1061050A1 (en) * | 1999-06-17 | 2000-12-20 | Lucent Technologies Inc. | Process for fabricating an article via sol-gel processing |
EP1215180A1 (en) * | 2000-12-14 | 2002-06-19 | Lucent Technologies Inc. | Process for fabricating sol-gel article involving low-shrinkage formulation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2504148B2 (ja) | 1996-06-05 |
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