JPH02139733A

JPH02139733A - Optical recording medium and its recording method

Info

Publication number: JPH02139733A
Application number: JP1219738A
Authority: JP
Inventors: Emiko Hamada; 浜田　恵美子; Yuji Arai; 新井　雄治; Ariake Shin; 有明辛; Takashi Ishiguro; 隆石黒
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1988-08-26
Filing date: 1989-08-26
Publication date: 1990-05-29
Anticipated expiration: 2011-03-21
Also published as: JPH0827974B2

Abstract

PURPOSE:To form such pits from which output signals with modulation factors conforming to the CD standards can be obtained by specifying the Rockwell hardness of the part in a light-transmitting substrate adjacent to a light absorbing layer. CONSTITUTION:A hard layer 4 is provided on the side facing to a reflecting layer 3 of the light-absorbing layer 2 and may be used as a protective layer. The hardness of the layer 4 may be same as that of the part in the light- transmissing substrate 1 adjacent to the light-absorbing layer 2, or preferably more harder. By this method, waveforms of reproducing signals show little distortion. For example, the hardness is preferably equal to or over M90 Rockwell hardness by ASTM D785, or regarded as H or harder by pencil scratching test. Moreover, the layer 4 is preferably composed of such material having excellent shock resistance. Thus, reproduction signals with >=70% reflectance conforming to the CD standards can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野コ本発明は、透明な基板上に少なくとも光吸収層と反射層
を有する書き込み可能な光情報記録媒体とその記録方法
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a writable optical information recording medium having at least a light absorption layer and a reflection layer on a transparent substrate, and a recording method thereof.

［従来の技術］レーザ光の照射により、データを記録することができる
、いわゆる書き込み可能な光情報記録媒体は、１８％　
ＢｉｔＭｎ等の金属層や、シアニン、メロシアニン、フ
タロシアニン等の色素層等からなる記録層を有し、レー
ザ光の照射により、上記記録層を変形、昇華、蒸発或は
変性させる等の手段で、ピットを形成し、データを記録
する。この記録層を有する光情報記録媒体では、ピット
を形成する際の記録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を
容易にするため、記録層の背後に空隙を設けることが一
般に行なわれている。具体的には例えば、空間部を挟ん
で２枚の基板を積層する、いわゆるエアサンドイッチ構
造と呼ばれる積層構造がとられる。[Prior art] So-called writable optical information recording media that can record data by irradiation with laser light account for 18%
It has a recording layer consisting of a metal layer such as BitMn, a dye layer such as cyanine, merocyanine, phthalocyanine, etc., and the pits are formed by deforming, sublimating, evaporating, or modifying the recording layer by irradiation with laser light. form and record data. In optical information recording media having this recording layer, a void is generally provided behind the recording layer in order to facilitate deformation, sublimation, evaporation, denaturation, etc. of the recording layer when forming pits. . Specifically, for example, a stacked structure called an air sandwich structure is used, in which two substrates are stacked with a space in between.

この光情報記録媒体では、上記透光性を存する基板１側
からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、記
録したデータを再生するときは、上記基板１側から記録
時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピットとそ
れ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みとる
。In this optical information recording medium, pits are formed by irradiating laser light from the side of the substrate 1 which has the above-mentioned light-transmitting property. When reproducing the recorded data, a laser beam with a weaker power than during recording is irradiated from the substrate 1 side, and the signal is read based on the difference in reflected light between the pit and other parts.

一方、予めデータが記録され、その後のデータの古き込
みや消去ができない、いわゆるＲＯＭ型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず
、記録データを再生するためのピットを予めプレス等の
手段で透光性の基板の上に形成し、この上にＡｕｓ　　
ＡｇＸ　　Ｃｕｓ　　Ａ１等の金属膜からなる反射層を
形成し、さらにこの上を保護層で覆ったものである。On the other hand, so-called ROM-type optical information recording media, on which data is recorded in advance and cannot be subsequently stored or erased, have already been widely put into practical use in the information processing and audio sectors. This type of optical information recording medium does not have a recording layer as described above, but pits for reproducing recorded data are formed in advance on a transparent substrate by means such as pressing, and Au
A reflective layer made of a metal film such as AgX Cus A1 is formed, and this is further covered with a protective layer.

このＲＯＭ型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広（実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるＣＤであり、このＣＤの記録、再
生信号の仕様は、いわゆるＣＤ規格として規格化され、
これに準拠する再生装置は、コンパクトディスクプレー
ヤ（ＣＤプレーヤ）として極めて広（普及している。The most typical type of ROM-type optical information recording medium is the compact disc, or so-called CD, which is widely used in the audio and information processing sectors. standardized as a standard,
Playback devices conforming to this are extremely widespread as compact disc players (CD players).

［発明が解決しようとする課題］上記書き込み可能な光情報記録媒体は、やはりＣＤと同
じレーザ光を用いる記録手段であるため、再生に際し、
既に広（普及したＣＤに準拠することが強く望まれる。[Problems to be Solved by the Invention] Since the above-mentioned writable optical information recording medium is a recording means that uses the same laser beam as a CD, upon reproduction,
It is strongly desired to comply with the already widely used CD.

しかしながら、上記のエアサンドウィッチ構造のような
書き込み可能光情報記録媒体は、基板にではな（、記録
層にピットを形成して記録する手段がとられ、しかも、
この記録層にピットを形成するのを容易にするために、
空隙層等を有するため、厚み（表面から裏面までの厚み
を意味し、以下「全厚」という。）が厚（なってしまう
。そのため、ＣＤ規格に規定する全厚を満足することが
困難であった。また、基板上に記録層および反射層を設
けた光情報記録媒体も既に提案されているが、ＣＤ規格
が要求する変調度を満足できる再生信号が得られる光情
報記録媒体は未だ提供されていなかった。However, in the writable optical information recording medium such as the above-mentioned air sandwich structure, recording is performed by forming pits in the recording layer instead of on the substrate.
To facilitate the formation of pits in this recording layer,
Because it has a void layer, etc., the thickness (meaning the thickness from the front surface to the back surface, hereinafter referred to as "total thickness") becomes thicker. Therefore, it is difficult to satisfy the total thickness specified in the CD standard. In addition, optical information recording media in which a recording layer and a reflective layer are provided on a substrate have already been proposed, but an optical information recording medium that can obtain a reproduced signal that satisfies the modulation degree required by the CD standard has not yet been proposed. It had not been done.

本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされたも
ので、ＣＤ規格に規定する範囲の全厚を有し、データの
再生に際し、７０％以上の高い反射率を有し、かつ、Ｃ
Ｄ規格に準拠する変調度の出力信号が得られるピットが
形成可能な光情報記録媒体および該光情報記録媒体に好
適な光情報記録方法を提供することを目的とする。The present invention has been made to solve the above conventional problems, and has a total thickness within the range specified by the CD standard, a high reflectance of 70% or more during data reproduction, and a CD
It is an object of the present invention to provide an optical information recording medium in which pits can be formed so as to obtain an output signal with a modulation degree that complies with the D standard, and an optical information recording method suitable for the optical information recording medium.

［課題を解決するための手段］すなわち、上記目的を達成するため、本発明において採
用した手段の要旨は、透光性基板の上に直接または他の
層を介してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収
層の上に直接または他の層を介して反射層と硬質層が設
けられ、上記光吸収層よりも透光性基板側の、光吸収層
に接する部分のロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８５
がＭ９０以下であることを特徴とする光情報記録媒体お
よび該光情報記録媒体を用いた光情報記録方法である。[Means for Solving the Problems] In other words, the gist of the means adopted in the present invention to achieve the above object is to provide a light absorbing device that absorbs laser light directly or through another layer on a transparent substrate. layer, and a reflective layer and a hard layer are provided directly or through another layer on the light absorbing layer, and the Rockwell hardness of the portion in contact with the light absorbing layer that is closer to the transparent substrate than the light absorbing layer. ASTM D785
An optical information recording medium and an optical information recording method using the optical information recording medium are characterized in that the optical information recording medium is M90 or less.

さらに、上記光情報記録媒体において、光吸収層の複素
屈折率の実数部ｎ　ａｂｓと膜厚ｄ　ａｂｓと再生光の
波長λとで与えられるρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄａｂｓ　／
λが０．０５≦ρ≦０．６であり、かつ光吸収層の複素
屈折率の虚部ｋ　ａｂｓが０．３以下であることが望ま
しい。Furthermore, in the optical information recording medium, ρ=nabs-dabs/, which is given by the real part nabs of the complex refractive index of the light absorption layer, the film thickness dabs, and the wavelength λ of the reproduction light.
It is desirable that λ satisfies 0.05≦ρ≦0.6 and that the imaginary part k abs of the complex refractive index of the light absorption layer is 0.3 or less.

［作　　　用］上記本発明の光情報記録媒体によれば、透光性基板側か
ら光吸収層にレーザ光を照射することにより、光吸収層
にエネルギーが与えられると、光吸収層と接する基板側
の部分が一部変形する。このとき、変形する部分の硬度
が低いとその変形度はより大きなものになるため、変形
しない領域と変形した領域との光路長の差が太き（なる
。その結果、再生する時の再生光の光学的位相差が太き
（なり、変調度を大きくとることができる。[Function] According to the optical information recording medium of the present invention, when energy is given to the light absorption layer by irradiating the light absorption layer with laser light from the transparent substrate side, the substrate in contact with the light absorption layer Part of the side part is deformed. At this time, if the hardness of the deformed part is low, the degree of deformation will be greater, so the difference in optical path length between the undeformed area and the deformed area will be large (as a result, the reproduced light during reproduction will be The optical phase difference becomes thicker, and the degree of modulation can be increased.

本発明者らによる実験およびシミュレーションによれば
、本発明による光情報記録媒体の構造において、ＣＤ規
格に準拠した変調度の再生信号を得ることができるビッ
トが形成されるためには、透光性基板側の光吸収層に接
する部分の硬度がロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８
５においてＭ９０以下であることが必要であることを見
出だした。According to experiments and simulations by the present inventors, in the structure of the optical information recording medium according to the present invention, in order to form bits that can obtain a reproduced signal with a modulation degree that complies with the CD standard, it is necessary to The hardness of the part in contact with the light absorption layer on the substrate side is Rockwell hardness ASTM D78.
It has been found that M90 or less is required for M5.

第８図は、ポリカーボネート基板上に変形層を設け、さ
らにその上にシアニン色素からなる光吸収層を設け、そ
の上に金の反射層を設け、その上にＵＶ硬化樹脂の硬質
層（硬度はロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８５にお
いてＭ２Ｏ）を設けた光情報記録媒体において、分子量
および組成を変化させることによって透光性基板側の光
吸収層と接する部分の硬度を変化させたときの、同部分
の硬度と再生信号の変調度の関係を示すグラフである。In Figure 8, a deformable layer is provided on a polycarbonate substrate, a light absorbing layer made of cyanine dye is provided on top of the deformable layer, a gold reflective layer is provided on top of that, and a hard layer of UV curing resin (hardness is In an optical information recording medium equipped with a Rockwell hardness ASTM D785 (M2O), the hardness of the part in contact with the light absorption layer on the transparent substrate side is changed by changing the molecular weight and composition. 3 is a graph showing the relationship between the modulation degree of the reproduction signal and the modulation degree of the reproduced signal.

第８図から分かるように、ＣＤ規格を満足する変調度が
得られるための透光性基板側の光吸収層と接する部分の
硬度はロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８５において
Ｍ９０以下であることが必要であり、望ましくは、Ｍ８
５以下、さらに望ましくはＭ７５以下である。As can be seen from Figure 8, in order to obtain a modulation degree that satisfies the CD standard, the hardness of the portion of the transparent substrate that is in contact with the light absorption layer must be M90 or less in terms of Rockwell hardness ASTM D785. , preferably M8
5 or less, more preferably M75 or less.

また、本発明による光情報記録媒体には反射層側に硬質
層が設けられているため、ビットは反射層側の層よりも
透光性基板側に、より明確に形成することができる。従
って、反射層側に形成された変形部分に起因する二次的
な反射光が生じないため、再生波形の歪みを押さえるこ
とができ、ＣＤ規格に規定するブロックエラーレートを
低く抑えることができる。Further, since the optical information recording medium according to the present invention is provided with a hard layer on the reflective layer side, the bits can be formed more clearly on the transparent substrate side than on the reflective layer side. Therefore, since no secondary reflected light is generated due to the deformed portion formed on the reflective layer side, distortion of the reproduced waveform can be suppressed, and the block error rate specified in the CD standard can be suppressed to a low level.

さらに、本発明による光情報記録媒体では、基板に少な
くとも、光吸収層、反射層、硬質層等の薄膜が設けられ
て構成されるため、ＣＤ規格に規定する全厚の範囲に容
易に収めることができる。Furthermore, since the optical information recording medium according to the present invention is configured such that the substrate is provided with at least thin films such as a light absorption layer, a reflective layer, and a hard layer, the total thickness can be easily kept within the range specified by the CD standard. Can be done.

本発明による光情報記録媒体によって形成されたビット
は、ＣＤのような予めプレス等の手段によって基板表面
に形成されたビットと同様の機能をする。そのため、Ｃ
Ｄと同様の再生波形を容易に得ることができる。The bits formed by the optical information recording medium according to the present invention have the same function as bits formed in advance on the surface of a substrate by means such as pressing, such as CDs. Therefore, C
A reproduced waveform similar to D can be easily obtained.

また、本発明者らは、本発明による光情報記録媒体によ
ってＣＤ規格に準拠した反射率７０％以上という出力信
号が得られるためには、光情報記録媒体の光吸収層の複
素屈折率の実数部ｎ　ａｂｓとその膜厚ｄ　ａｂｓと、
再生光の波長λとで与えられるρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　
ａｂｓ　／λが非常に重要なパラメーターであることに
着目し、実験およびシミュレーションを行った結果、第
９図のような関係を得ることができた。第９図は、再生
光として、波長λ＝７８０ｎｍの半導体レーザを用■た
場合に、光情報記録媒体の光吸収層の複素屈折率の実数
部ｎ　ａｂｓとその膜厚ｄ　ａｂｓと、再生光の波長λ
とで与えられるρ＝　ｎａｂｓ・ｄａｂｓ／λと、基板
側から入射させた光の反射率との関係を示すグラフであ
る。In addition, the present inventors have found that in order to obtain an output signal with a reflectance of 70% or more that complies with the CD standard with the optical information recording medium according to the present invention, it is necessary to part n abs and its film thickness d abs,
ρ=n abs-d given by the wavelength λ of the reproduction light
Focusing on the fact that abs/λ is a very important parameter, we conducted experiments and simulations and were able to obtain the relationship shown in FIG. 9. Figure 9 shows the real part n abs of the complex refractive index of the light absorption layer of the optical information recording medium, its film thickness d abs, and the reproduction light when a semiconductor laser with a wavelength λ = 780 nm is used as the reproduction light. wavelength λ
7 is a graph showing the relationship between ρ=nabs·dabs/λ given by and the reflectance of light incident from the substrate side.

このグラフを見ると、ρが０．６よりも小さいときには
、はぼ確実に反射率が７０％以上を確保できることがわ
かる。ρが０．０５に満たない領域や、０．６を越える
領域であっても７０％以上の反射率が得られる場合があ
る。しかし、ρが０．０５に満たない領域の場合は、光
吸収層の膜厚ｄ　ａｂｓを０．０５μｍ以下と、相当薄
くしなければならないため、データの記録のためのビッ
トを形成するのが困難となり、上記のような再生信号が
得られない。また、０゜６を越える領域の場合は、均一
な膜厚に制御することが困難になり、記録特性にばらつ
きが生じ、Ｉ３／Ｉｔｏｐが０．３に満たなかったり、
ジッターエラーが増大したりする等の実用上の問題が生
じる。すなわち、ρを０．０５〜０゜６とすることによ
り、反射率をＣＤ規格に規定する７０％以上とすること
ができることがわかる。Looking at this graph, it can be seen that when ρ is smaller than 0.6, it is possible to almost certainly ensure a reflectance of 70% or more. Even in a region where ρ is less than 0.05 or a region where ρ exceeds 0.6, a reflectance of 70% or more may be obtained. However, in the case where ρ is less than 0.05, the film thickness of the light absorption layer dabs must be made considerably thinner, at 0.05 μm or less, so it is difficult to form bits for recording data. This makes it difficult to obtain the reproduced signal as described above. Furthermore, in the case of a region exceeding 0°6, it becomes difficult to control the film thickness to be uniform, resulting in variations in recording characteristics, and I3/Itop may be less than 0.3.
This causes practical problems such as an increase in jitter errors. That is, it can be seen that by setting ρ to 0.05 to 0°6, the reflectance can be increased to 70% or more as specified in the CD standard.

本発明者らはこれらの結果をさらに検討した結果、ρを
０．０５〜０．６の範囲内に設定しただけでは必ずしも
ＣＤ規格に規定されたような出力信号を安定して得られ
るわけではなく、光吸収層の複素屈折率の虚部ｋ　ａｂ
ｓが重要なパラメーターであることを見出だした。第１
０図は、反射層にＡｕ膜を用いた光情報記録媒体におい
て、シアニン系色素からなる光吸収層の透光性を変え、
ρを一定にしながら、その虚部ｋａｂｓをＯに近い値か
ら２．０まで変化させたときの反射率の変゛化を示すグ
ラフである。The inventors further studied these results and found that simply setting ρ within the range of 0.05 to 0.6 does not necessarily guarantee a stable output signal as stipulated by the CD standard. imaginary part k ab of the complex refractive index of the light absorption layer
It was found that s is an important parameter. 1st
Figure 0 shows that in an optical information recording medium that uses an Au film as a reflective layer, the translucency of the light absorption layer made of cyanine dye is changed.
7 is a graph showing changes in reflectance when the imaginary part kabs is changed from a value close to O to 2.0 while keeping ρ constant.

このグラフをみると、ｋａｂｓが０に近づけば近づくほ
ど反射率が高くなることがわかる。本発明者らは、実験
およびシミュレーションの結果より、ρが０６０５〜０
．６の範囲内で安定して高い反射率を維持するためには
、光吸収層の透光性が十分高（なければならず、同層の
複素屈折率の虚部ｋ　ａｂｓが０．３以下である必要が
あることを見出だした。ρが０．０５〜０゜６の範囲内
であうでも、ｋａｂｓが０．　３よりも大きいと反射率
７０％以上を確保することは困難である。Looking at this graph, it can be seen that the closer kabs is to 0, the higher the reflectance becomes. Based on the results of experiments and simulations, the present inventors found that ρ was 0605 to 0.
．． In order to maintain a stable high reflectance within the range of Even if ρ is within the range of 0.05 to 0°6, it is difficult to ensure a reflectance of 70% or more when kabs is larger than 0.3.

これらの結果より、第１１図のような結果を得ることが
できる。第１１図は、ρとｋ　ａｂｓとの値においてＣ
Ｄ規格に準拠する組み合わせの臨界値を示すグラフであ
る。From these results, results as shown in FIG. 11 can be obtained. Figure 11 shows that C
It is a graph which shows the critical value of the combination based on D standard.

このグラフかられかるように、ＣＤ規格に準拠する記録
信号を得ることができる光情報記録媒体を提供するため
には、ρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λが０．０５
〜０．６の範囲で、かつｋ　ａｂｓが０．３以下である
ことが必要であることがわがる。As can be seen from this graph, in order to provide an optical information recording medium that can obtain a recording signal that complies with the CD standard, ρ=nabs-dabs/λ must be 0.05.
It can be seen that it is necessary for the k abs to be in the range of ~0.6 and 0.3 or less.

さらにいえば、ρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λは
０゜０５〜０．６の範囲が望ましいが、十分な変調度を
とるためには、０．１以上の範囲が望ましく、変調度の
大きい安定した記録特性を得るためには、０．４５±０
．１の範囲が最も望ましい。Furthermore, it is desirable that ρ = n abs - d abs /λ be in the range of 0°05 to 0.6, but in order to obtain a sufficient degree of modulation, it is desirable that it be in the range of 0.1 or more. In order to obtain stable recording characteristics, 0.45±0
．． A range of 1 is most desirable.

他方、ｋａｂｓは、０．３以下であれば、０に近づけば
近づくほど反射率は向上する。従って、この範囲が最も
望ましい。しかし、０に近づけば近づくほど記録感度が
悪くなるため、０より大きいことが必要である。具体的
には、０．１以下の範囲が望ましく、実際には、０．０
５前後が望ましい。On the other hand, if kabs is 0.3 or less, the reflectance improves as it approaches 0. Therefore, this range is most desirable. However, the closer it gets to 0, the worse the recording sensitivity becomes, so it is necessary that it be larger than 0. Specifically, a range of 0.1 or less is desirable, and in reality, 0.0
Around 5 is desirable.

なお、本発明は、既に述べた層板外の層がある場合にお
いても適用が可能である。たとえば、基板と光吸収層と
の間に透明層（たとえば５ｉ０２等のエンハンス層、下
引き層等）を設けた場合には、この層を基板の一部とし
て上記の定数を扱っても良く、光吸収層と反射層との間
に層（たとえば、接着層、硬質層等）を設けた場合には
、これらの層を第二の吸収層として考え、１）＝　（ｒ
ｌ”　ｄ＋＋１２”　ｄ２）／λとして扱い、多数層に
なる場合には、ρ＝Σ（ｒｒ＋・ｄｌ）／λ（但し、ｉ
は整数）とすれば、上記と同様に扱うことができる。Note that the present invention can be applied even when there is a layer other than the above-mentioned laminate. For example, if a transparent layer (for example, an enhancement layer such as 5i02, an undercoat layer, etc.) is provided between the substrate and the light absorption layer, the above constants may be treated with this layer as part of the substrate. When a layer (for example, adhesive layer, hard layer, etc.) is provided between the light absorption layer and the reflection layer, these layers are considered as the second absorption layer, and 1) = (r
l"d++12" d2)/λ, and in the case of multiple layers, ρ=Σ(rr+・dl)/λ (however, i
is an integer), it can be treated in the same way as above.

また、ｋが、０でない場合には、膜厚の比率によって平
均値としてのｋを、ｋ＝Σｄ＋に＋／Σｄ１として求め
れば単層の場合と同様に扱うことができる。Further, when k is not 0, it can be handled in the same way as in the case of a single layer by calculating the average value k from the ratio of film thicknesses as k=Σd++/Σd1.

また、基板にグループが形成されている場合には、ｄａ
ｂｓは、グループ内の光吸収層の膜厚とランド部の光吸
収層の膜厚の全面積の平均値であられされる。In addition, if groups are formed on the substrate, da
bs is the average value of the total area of the film thickness of the light absorption layer in the group and the film thickness of the light absorption layer in the land portion.

［実　施　例コ次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について詳
細に説明する。[Embodiments] Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、第
１図〜第７図に示す。同図において、ｌは、透光性基板
、２は、その上に形成された光吸収層で、照射されたレ
ーザ光を吸収し、それに接する層にビットを形成する作
用を有する層である。第４図〜第７図においてのみ示さ
れた６の符号は、透光性基板１と光吸収層２０間に存在
する中間層で、これが存在する場合は、光吸収層にエネ
ルギーが与えられることにより、第５図に示すように、
中間層６が変形し、ビット５が形成される。また、中間
層６の膜厚が比較的薄い場合には、第７図で示すように
、変形が基板１に及ぶことがある。さらに、このような
中間層６が存在しない場合には、第３図で示すように、
基板１の界面が変形され、そこにビット５が形成される
。また３は、その上に形成された反射層、４は、その外
側に設けられた保護層を示す。Examples of the schematic structure of the optical information recording medium according to the present invention are shown in FIGS. 1 to 7. In the figure, 1 is a light-transmitting substrate, and 2 is a light-absorbing layer formed thereon, which has the function of absorbing irradiated laser light and forming bits in a layer in contact with it. The reference numeral 6 shown only in FIGS. 4 to 7 is an intermediate layer existing between the transparent substrate 1 and the light absorption layer 20, and when this exists, energy is given to the light absorption layer. As shown in Figure 5,
The intermediate layer 6 is deformed and the bit 5 is formed. Furthermore, if the intermediate layer 6 is relatively thin, the deformation may extend to the substrate 1, as shown in FIG. Furthermore, if such an intermediate layer 6 does not exist, as shown in FIG.
The interface of the substrate 1 is deformed and a bit 5 is formed there. Further, 3 indicates a reflective layer formed thereon, and 4 indicates a protective layer provided outside thereof.

第２図、第４図及び第６図は、レーザ光による記録前の
状態を、第３図、第５図及び第７図は、レーザ光による
記録後の状態、すなわち、ビット５が形成された状態を
模式的に示す。2, 4, and 6 show the state before recording with laser light, and FIGS. 3, 5, and 7 show the state after recording with laser light, that is, when bit 5 is formed. This diagram schematically shows the state in which

透光性基板１の材料は、レーザー光に対する屈折率が１
．　４〜１．６の範囲の透明度の高い材料で、耐衝撃性
に優れた樹脂が望ましい。具体的には、ポリカーボネー
ト、アクリル等が例示できるが、これらに限られるわけ
ではない。The material of the transparent substrate 1 has a refractive index of 1 with respect to laser light.
．． A resin with high transparency in the range of 4 to 1.6 and excellent impact resistance is desirable. Specific examples include polycarbonate, acrylic, etc., but are not limited to these.

上記のような材料を用いて、基板ｌは例えば射出成形等
の手段により成形される。The substrate 1 is molded using the above-mentioned materials, for example, by injection molding or the like.

このような基板ｌに、スパイラル状にプリグループが形
成されていてもよい。プリグループは、通常考えられる
条件のものであればどのような条件のものでもよいが、
５０〜２５０ｎｍの深さが好適であり、さらに望ましく
は８０〜１８０ｎｍの深さであることが望ましい。A pre-group may be formed in a spiral shape on such a substrate l. The pre-group may be under any conditions that can be considered normally, but
The depth is preferably 50 to 250 nm, more preferably 80 to 180 nm.

プリグループは、基板ｌの射出成形時のスタンパを押し
当てることにより形成されるのが通常であるが、レーザ
ーによってカッティングすることや２Ｐ法によって作ら
れるものでもよい。The pre-group is usually formed by pressing a stamper during injection molding of the substrate 1, but it may also be formed by laser cutting or the 2P method.

光吸収層２と接する中間層６は、ポリカーボネート、ア
クリル、エポキシ等が例示でき、分子量、組成を変化さ
せることにより硬度を調節する。なお、既に説明したよ
うに、中間層６が無（て、光吸収層２に直接透光性基板
ｌが接していてもよく、また、中間層６が複数面存在し
ていてもよい。The intermediate layer 6 in contact with the light absorption layer 2 can be made of polycarbonate, acrylic, epoxy, etc., and its hardness can be adjusted by changing the molecular weight and composition. As already explained, there may be no intermediate layer 6, and the light-transmitting substrate 1 may be in direct contact with the light absorption layer 2, or there may be a plurality of intermediate layers 6.

基板１と光吸収層１との間に、上記中間層６以外に、５
ｉ０２等の耐溶剤層やエンハンス層をコーティングして
おいてもよい。Between the substrate 1 and the light absorption layer 1, in addition to the intermediate layer 6, 5
It may be coated with a solvent-resistant layer or an enhancement layer such as i02.

光吸収層２の材料は、光吸収性の有機色素が望ましく、
シアニン色素、ポリメチン色素、トリアリールメタン色
素、ビリリウム色素、フェナンスレン色素、テトラデヒ
ドロコリン色素、トリアリールアミン色素、スクアリリ
ウム色素、クロコニックメチン色素等が例示できるが、
これらに限定されるものではな（、公知の低融点金属等
の記録材料でも本発明の効果を得ることが可能である。The material of the light-absorbing layer 2 is preferably a light-absorbing organic dye.
Examples include cyanine dyes, polymethine dyes, triarylmethane dyes, biryllium dyes, phenanthrene dyes, tetradehydrocholine dyes, triarylamine dyes, squarylium dyes, croconic methine dyes, etc.
The present invention is not limited to these materials (although the effects of the present invention can also be obtained with recording materials such as known low-melting point metals).

なお、光吸収層２には、他の色素、樹脂（例えばニトロ
セルロース等の熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー）
、液ゴム等を含んでいても良い。Note that the light absorption layer 2 may contain other dyes and resins (for example, thermoplastic resins such as nitrocellulose, thermoplastic elastomers).
, liquid rubber, etc. may be included.

光吸収層２は、上記の色素および任意の添加剤を公知の
有機溶媒（たとえばケトンアルコール、アセチルアセト
ン、メチルセロソルブ、トルエン等）で溶解したものを
プリグループが形成された透光性基板、或はさらに基板
ｌ上に他の層をコーティングした上に形成される。The light absorption layer 2 is a light-transmitting substrate on which pre-groups are formed by dissolving the above-mentioned dye and any additives in a known organic solvent (for example, ketone alcohol, acetylacetone, methyl cellosolve, toluene, etc.), or Furthermore, it is formed by coating other layers on the substrate l.

この場合の形成手段としては、蒸着法、ＬＢ法、スピン
コード法等が挙げられるが、光吸収層の濃度、粘度、溶
剤の乾燥速度を調節することにより層厚を制御できるた
めに、スピンコード法が望ましい。Formation methods in this case include vapor deposition method, LB method, spin code method, etc.; Law is preferable.

反射層３は、金属膜が望ましく、例えば、金、銀、アル
ミニウムあるいはこれらを含む合金を、蒸着法、スパッ
タ法等の手段により形成される。The reflective layer 3 is preferably a metal film, and is formed of, for example, gold, silver, aluminum, or an alloy containing these by means such as vapor deposition or sputtering.

反射率が７０％以上を有することが必要であるため、金
または金を含む合金を主体とする金属で形成することが
望ましい。また、反射層の酸化を防止するための耐酸化
層等の他の層を介在させてもよい。Since it is necessary to have a reflectance of 70% or more, it is desirable to use a metal mainly composed of gold or an alloy containing gold. Further, other layers such as an oxidation-resistant layer for preventing oxidation of the reflective layer may be interposed.

なお、光吸収層２より反射層３側にある層は、基板１側
の層に比べて熱変形温度が高く、かつ硬度が高いことが
望ましい。このように構成することによって記録信号の
ブロックエラーレートの低減に効果が認められる。Note that it is desirable that the layer closer to the reflective layer 3 than the light absorbing layer 2 has a higher thermal deformation temperature and higher hardness than the layer closer to the substrate 1. This configuration is effective in reducing the block error rate of recording signals.

硬質層４は光吸収層２よりも反射層３側に設けられる層
であり、保護層としての機能を兼ねてもよい。硬度は透
光性基板１側の光吸収層２と接する部分と同じであって
も良いが、できればこれよりも高い硬度の材質であるこ
とが望ましく、そうすることにより、再生波形に歪みが
でき難くなる。具体的には、ロックウェル硬度ＡＳＴＭ
　　Ｄ７５以上、えんぴつ硬度でＨＢ以上であっても、
他の条件との組み合わせ次第で本発明の効果を得ること
が可能である。ただ、ブロックエラーレートＢＬＥＲを
良（する点を考慮すると、ロックウェル硬度ＡＳＴＭ　
　Ｄ７８５においてＭ９０以上、えんぴつ硬度でＨ以上
であることが望ましい。さらに、硬質層４は耐衝撃性の
優れた樹脂によって形成されることが望ましい。たとえ
ば紫外線硬化樹脂をスピンコード法により塗布し、紫外
線を照射して硬化させることにより形成する。The hard layer 4 is a layer provided closer to the reflective layer 3 than the light absorbing layer 2, and may also function as a protective layer. The hardness may be the same as that of the part of the light-transmitting substrate 1 that is in contact with the light absorption layer 2, but it is preferable that the material has a higher hardness than this, so that the reproduced waveform will not be distorted. It becomes difficult. Specifically, Rockwell hardness ASTM
Even if it is D75 or higher and the pencil hardness is HB or higher,
It is possible to obtain the effects of the present invention depending on the combination with other conditions. However, considering that the block error rate BLER is good (Rockwell hardness ASTM
It is desirable to have M90 or higher in D785 and H or higher in pencil hardness. Furthermore, it is desirable that the hard layer 4 be formed of a resin with excellent impact resistance. For example, it is formed by applying an ultraviolet curable resin using a spin code method and curing it by irradiating it with ultraviolet rays.

レーザー光を照射してデータが記録された光情報記録媒
体は、第３図、第５図及び第７図に模式的に示すように
、基板１側の光吸収層２と接する表面部分に、光吸収層
２側に凸となるビット５が確認でき、このようにして形
成されたビット５の再生波形は、ＣＤのそれと同様のも
のであることがわかっている。As schematically shown in FIGS. 3, 5, and 7, the optical information recording medium on which data is recorded by irradiation with laser light has a surface area in contact with the light absorption layer 2 on the substrate 1 side. The bit 5 which is convex toward the light absorption layer 2 side can be confirmed, and it is known that the reproduced waveform of the bit 5 formed in this way is similar to that of a CD.

記録信号の再生は、基板側から読取りレーザーを照射し
、ビット部分の反射光とビット以外の部分の反射光の光
学的位相差を読み取ることにより行われる。Reproduction of the recorded signal is performed by irradiating a reading laser from the substrate side and reading the optical phase difference between the reflected light from the bit portion and the reflected light from the portion other than the bit.

なお、本実施例においては、透光性基板ｌのほぼ全面に
光吸収層２を形成した場合のみ説明しているが、上記光
吸収層２は透光性基板上の一部の領域に形成し、同光吸
収層２の無い領域を予め信号再生用のビットが形成され
たＲＯＭ領域とすることもできる。たとえば、透光性基
板１の表面のＲＯＭ領域となる部分に信号再生用のビッ
トをスタンバ等で予め形成しておき、その外側の領域に
のみ上記材料をコーティングして光吸収層２を形成する
ことにより、透光性基板の外周寄りの一部にのみ光吸収
層２を形成し、ここを記録可能領域とし、それより内周
側の部分にＲＯＭ領域を形成する等である。このように
ＲＯＭ領域を設けることにより、一定のＲＯＭ情報と個
人の追記情報を１つの記憶媒体に収めることができる。In this example, only the case where the light absorption layer 2 is formed on almost the entire surface of the light-transmitting substrate l is described, but the light-absorption layer 2 may be formed on a part of the light-transmitting substrate. However, the area without the light absorption layer 2 can also be used as a ROM area in which bits for signal reproduction are previously formed. For example, a bit for signal reproduction is previously formed in a standby on a portion of the surface of the transparent substrate 1 that will become the ROM region, and the light absorption layer 2 is formed by coating only the outer region with the above-mentioned material. In this way, the light absorption layer 2 is formed only on a part of the transparent substrate near the outer periphery, and this area is used as a recordable area, and a ROM area is formed on the inner periphery side. By providing a ROM area in this manner, certain ROM information and personal additional information can be stored in one storage medium.

また、本発明による光情報記録媒体においては、ディス
ク状の記録媒体に限らず、カード形状の光情報記録媒体
においても同様に考えることができる。Further, the optical information recording medium according to the present invention is not limited to a disk-shaped recording medium, but can be similarly considered to a card-shaped optical information recording medium.

この構成の具体的実施例について、以下に説明する。A specific example of this configuration will be described below.

（実施例１）表面に幅０．　８μｒｒｈ　　深さ０．　０８　μｆｆ
ｈ　　ピッチ１．６μｍのスパイラル状のプリグループ
８が形成された厚さ１．　２ｍｒｒｈ　外径１２０ｍｍ
φ１　内径１５ｍｍφのポリカーボネート基板１を射出
成形法により成形した。このポリカーボネート基板ｌの
ロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５は、Ｍ７５鉛筆硬度
ＨＢと同等であり、熱変形温度ＡＳＴＭ　　Ｄ８４８は
、４．６ｋｇ／ｃｍ２．１２１℃であった。(Example 1) Width 0. 8μrrh depth 0. 08μff
h Thickness: 1.6 mm with spiral pre-groups 8 formed at a pitch of 1.6 μm. 2mrrh outer diameter 120mm
φ1 A polycarbonate substrate 1 having an inner diameter of 15 mmφ was molded by injection molding. The Rockwell hardness ASTM D785 of this polycarbonate substrate 1 was equivalent to the M75 pencil hardness HB, and the heat distortion temperature ASTM D848 was 4.6 kg/cm2.121°C.

光吸収層２を形成するための育機色素として、（１，６
５ｇの１，１′ジブチル３．　３．　３’３′テトラメ
チル４．　５．　４’、　　５’ジベンゾインドジカー
ボシアニンバークロレート（日本感光色素研究新製、品
番ＮＫ３２１９）を、ジアセトンアルコール溶剤１０ｃ
ｃに溶解し、これを上記の基板１の表面に、スピンコー
ド法により塗布し、膜厚１３０ｎｍの感光色素膜からな
る光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率
の実数部ｎａｂｓとその膜厚ｄ　ａｂｓと再生光の波長
λとで与えられるρ＝　ｎ　ａｂｓ　ｄ　ａｂｓ／λは
、０．４５であり、かつ上記複素屈折率の虚部ｋ　ａｂ
ｓは０．０５であった。As a dye for forming the light absorption layer 2, (1,6
5 g of 1,1' dibutyl3. 3. 3'3'tetramethyl4. 5. 4', 5' dibenzoindodicarbocyanine verchlorate (manufactured by Nippon Kanko Shiki Kenkyushin, product number NK3219) was dissolved in diacetone alcohol solvent 10c.
c and coated on the surface of the above-mentioned substrate 1 by a spin code method to form a light-absorbing layer 2 made of a photosensitive dye film with a thickness of 130 nm. ρ=nabsdabs/λ given by the real part nabs of the complex refractive index of the light absorption layer 2, its film thickness dabs, and the wavelength λ of the reproduction light is 0.45, and the above complex refractive index imaginary part k ab
s was 0.05.

次に、このディスクの直径４５〜１１８ｍｍφの領域の
全面にスパッタリング法により、膜厚８０ｎｍのＡｕ膜
を成膜し、反射層３を形成した。さらに、この反射層３
の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコードし、これに紫外
線を照射しで硬化させ、膜厚ｌＯμｍの保護層４を形成
した。この保護層４の硬化後のロックウェル硬度ＡＳＴ
Ｍ　　Ｄ７８５はＭ２Ｏであり、熱変形温度ＡＳＴＭ　
　Ｄ６４８は、４．Ｅ３ｋｇ／ｃｍ２．１３５℃であっ
た。Next, an Au film with a thickness of 80 nm was formed on the entire surface of the disk with a diameter of 45 to 118 mm by sputtering to form a reflective layer 3. Furthermore, this reflective layer 3
An ultraviolet curable resin was spin-coded on top of the resin and cured by irradiating it with ultraviolet rays to form a protective layer 4 having a thickness of 10 μm. Rockwell hardness AST after curing of this protective layer 4
M D785 is M2O, heat distortion temperature ASTM
D648 is 4. E3kg/cm2.135°C.

こうして得られた光ディスクに、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを線速１．２ｍ／５ｅａｓ記録パワー６．０ｍ
Ｗで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。その後、この光デ
ィスクを、市販のＣＤプレーヤ（Ａｕｒｅｘ　　ＸＲ−
Ｖ７３、再生光の波長λ＝７８０ｎｍ）で再生したとこ
ろ、半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ＋＋／Ｉｔ。。A semiconductor laser with a wavelength of 780 nm was applied to the optical disc thus obtained at a linear velocity of 1.2 m/5eas and a recording power of 6.0 m.
It was irradiated with W and the EFM signal was recorded. Thereafter, this optical disc is inserted into a commercially available CD player (Aurex
When reproduced with V73 (wavelength of reproduction light λ=780 nm), the reflectance of the semiconductor laser was 72%, I++/It. .

が０．　６８　、Ｉ　ａ／　Ｉ　ｔ６ｅが０．３５、ブ
ロックエラーレートＢＬＥＲが１．２Ｘ１０−２であっ
た。また、この光ディスクの全厚は、１．２ｍｍであっ
た。is 0. 68, Ia/It6e was 0.35, and block error rate BLER was 1.2X10-2. Further, the total thickness of this optical disc was 1.2 mm.

ＣＤ規格では、全厚が１．　１〜１．　５ｍｒｒｈ反射
率が７０％以上、Ｉ目／ｌ１０ｏがｏ、　　ｅ以上、Ｉ
３／Ｉｔ。、が０．３〜０．７、ブロックエラーレート
ＢＬＥＲが３Ｘ１０−２以下と定められており、この実
施例による光ディスクは、この規格を満足している。According to the CD standard, the total thickness is 1. 1-1. 5mrrh reflectance is 70% or more, I eye/l10o is o, e or more, I
3/It. , is defined as 0.3 to 0.7, and the block error rate BLER is defined as 3×10 −2 or less, and the optical disc according to this embodiment satisfies these standards.

さらにこの記録後の光ディスクの上記保護層４と光反射
層３とを剥離し、光吸収層２の表面を観察したところピ
ットの輪郭と思われる線状の微小な凹凸が見られた。ま
た、光吸収層２を溶剤で洗浄、除去し、基板１の表面を
観察したところ、そこに光学的に変性したピット５が形
成されているのが確認された。Furthermore, when the protective layer 4 and light reflective layer 3 of the optical disc after recording were peeled off and the surface of the light absorbing layer 2 was observed, minute linear irregularities, which appeared to be the outlines of pits, were observed. Further, when the light absorption layer 2 was cleaned and removed with a solvent and the surface of the substrate 1 was observed, it was confirmed that optically modified pits 5 were formed thereon.

この光ディスクの層構造を第２図に模式的に示し、その
光記録後の状態を第３図に模式的に示す。The layer structure of this optical disk is schematically shown in FIG. 2, and the state after optical recording is schematically shown in FIG.

（実施例２）上記実施例１において、光吸収層２と光反射層３との間
に、エポキシ樹脂をスピンコードし、膜厚１１００ｎの
硬質層を設けたこと以外は、上記実施例１と同様にして
、光ディスクを製作した。なお、このエポキシ樹脂硬化
後のロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８５はＭ２Ｏで
あり、熱変形温度ＡＳＴＭ　　Ｄ６４８は、４．６ｋｇ
／　ｃ　ｒｎ　２．１３５℃であった。(Example 2) Same as Example 1 above except that a hard layer with a thickness of 1100 nm was provided between the light absorption layer 2 and the light reflection layer 3 by spin-coding epoxy resin. An optical disc was produced in the same manner. The Rockwell hardness ASTM D785 after curing of this epoxy resin is M2O, and the heat distortion temperature ASTM D648 is 4.6 kg.
/ crn 2.135°C.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、上記実施例１と
同様の半導体レーザの反射率、再生信号出力特性、かえ
られ、さらにブロックエラーレートＢＬＥＲは、３．０
ＸＩＯ−３であった。また、光ディスクの全厚は、１．
２ｍｍであった。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was
When played back on a commercially available CD player, the reflectance and playback signal output characteristics of the semiconductor laser were the same as in Example 1, and the block error rate BLER was 3.0.
It was XIO-3. Also, the total thickness of the optical disc is 1.
It was 2 mm.

さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディス
クの基板１の表面を観察したところ、そこにピット５が
形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the substrate 1 of the optical disk after recording was observed in the same manner as in Example 1, it was confirmed that pits 5 were formed there.

（実施例３）上記実施例１において、光吸収層２と光反射層３との間
であって、光吸収層２の上面に形成するエポキシ樹脂に
代えて膜厚１１００ｎのシリコンアクリル樹脂の硬質層
を設け、この硬質層の上面にエポキシ樹脂からなる２０
％ｍの結着層をそれぞれスピンコード法により形成した
こと以外は、上記実施例１と同様にして、光ディスクを
製作した。なお、シリコンアクリル樹脂屑の硬化後のロ
ックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８５はＭｌｏｏであり
、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、４．６　ｋ　ｇ／　
ｃ　〜２，１００℃であった。(Example 3) In the above Example 1, instead of the epoxy resin formed on the upper surface of the light absorption layer 2 between the light absorption layer 2 and the light reflection layer 3, a hard silicone acrylic resin with a film thickness of 1100 nm was used. A layer made of epoxy resin is provided on the upper surface of this hard layer.
Optical discs were manufactured in the same manner as in Example 1 above, except that the binding layers of %m were formed by the spin cord method. The Rockwell hardness ASTM D785 after curing of the silicone acrylic resin scrap is Mloo, and the heat distortion temperature ASTM D648 is 4.6 kg/
c~2,100°C.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
して記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例１と同じＣＤプレーヤ
（Ａｕｒｅｘ　　ＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長７８０ｎ
ｍで再生したところ、半導体レーザの反射率が７５％、
■＋＋／Ｉ’ｔ。、が０．８３、Ｉ３／Ｉｔ。。が０．
３５、ブロックエラーレー）ＢＬＥＲが２．５Ｘ１０−
３であった。また、この光ディスクの全厚は、１．２ｍ
ｍであった。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was placed in the same CD player as in Example 1 (Aurex XR-V73, with a reproduction light beam of Wavelength 780n
When reproduced with m, the reflectance of the semiconductor laser was 75%,
■++/I't. , is 0.83, I3/It. . is 0.
35, block error rate) BLER is 2.5X10-
It was 3. Also, the total thickness of this optical disc is 1.2m.
It was m.

さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディス
クの基板ｌの表面を観察したところ、そこにピット５が
形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the substrate 1 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 1, it was confirmed that pits 5 were formed there.

（実施例４）上記実施例１において、光吸収層２の上に、光反射層３
として金とアンチモンとの９＝　１の割合の合金膜を真
空蒸着法で形成したこと、及びこの反射層３の上に、エ
ポキシ樹脂からなる２０％ｍの結着層を介して紫外線硬
化樹脂からなる保護層４を形成したこと以外は、上記実
施例１と同様にして、光ディスクを製作した。なお、上
記光反射層３は、鉛筆硬度としてｒＨＪ以上の硬度を存
する。(Example 4) In the above Example 1, the light reflection layer 3 is placed on the light absorption layer 2.
An alloy film of gold and antimony in a ratio of 9=1 was formed by vacuum evaporation, and on this reflective layer 3, an ultraviolet curable resin was formed via a 20% binder layer made of epoxy resin. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1 above, except that the protective layer 4 was formed. The light reflecting layer 3 has a pencil hardness of rHJ or higher.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
して記録パワー６．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例１と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、１
０／　Ｉｔｏ。EFM signals were recorded on the optical disc thus obtained at a recording power of 6.2 mW in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 1. rate is 72%, 1
0/Ito.

が０．　６２　、Ｉ　３／　Ｉ　ｔｏｏが０．３２、ブ
ロックエラーレートＢＬＥＲが３．５　Ｘ　１０−３で
あった。また、この光ディスクの全厚は、１．２ｍｍで
あった。is 0. 62, I3/I too was 0.32, and block error rate BLER was 3.5 x 10-3. Further, the total thickness of this optical disc was 1.2 mm.

さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディス
クの基板ｌの表面を観察したところ、そこにビット５が
形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the substrate l of the optical disk after recording was observed in the same manner as in Example 1, it was confirmed that bits 5 were formed thereon.

（実施例５）上記実施例１において、ポリカーボネート基板１の光入
射側上に紫外線硬化型ハードコート樹脂をスピンコード
し、厚さ１μｍの基板保護層を設け、プリグループを設
けた面上に光吸収層２を形成したこと、及びこの光吸収
層２の上に、光反射層３としてイリジウムと金との３＝
１の割合の合金膜をスッパタリング法により形成したこ
と以外は、上記実施例１と同様にして、光ディスクを製
作した。なお、上記光反射層３は、鉛筆硬度として「５
Ｈ」以上の硬度を有する。(Example 5) In Example 1 above, an ultraviolet curable hard coat resin was spin-coded on the light incident side of the polycarbonate substrate 1, a substrate protective layer with a thickness of 1 μm was provided, and a light The absorption layer 2 is formed, and on this light absorption layer 2, a light reflection layer 3 of 3= of iridium and gold is formed.
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1 above, except that the alloy film having a ratio of 1:1 was formed by the sputtering method. The light reflecting layer 3 has a pencil hardness of "5".
It has a hardness of H" or higher.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
上記実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半
導体レーザの反射率が７０％、Ｉ目／Ｉｔ。、が０．６
２、Ｉ３／１、。、が０．３７、ブロックエラーレート
ＢＬＥＲが３．７Ｘ１０−３であった。また、この光デ
ィスクの全厚は、１．２ｍｍであった。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was
When reproduced using the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 70%, I/It. , is 0.6
2, I3/1,. , was 0.37, and the block error rate BLER was 3.7X10-3. Further, the total thickness of this optical disc was 1.2 mm.

さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディス
クの基板ｌの表面を観察したところ、そこにビット５が
形成されているのが確認され（実施例６）上記実施例１において、光反射層３を厚さ６０％ｍの銀
膜で形成したこと、その上にシリコーン系ハードコート
剤をスピンコードし、これを加熱、硬化させて厚み３μ
ｍの硬質保護層４を形成した以外は、上記実施例１と同
様にして、光ディスクを製作した。なお、上記保護層４
は、鉛筆硬度としてｒＨＢＪ以上の硬度を有する。Furthermore, when the surface of the substrate l of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 1, it was confirmed that bits 5 were formed there (Example 6). The reflective layer 3 was formed of a silver film with a thickness of 60% m, and a silicone hard coating agent was spin-coded on it, and this was heated and cured to a thickness of 3 μm.
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1 above, except that the hard protective layer 4 of m was formed. Note that the protective layer 4
has a pencil hardness equal to or higher than rHBJ.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体
レーザの反射率が７１％、Ｉ＋＋／Ｉｔ。、が０．　６
３、Ｉ３／Ｉｔ。。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was
When reproduced using the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 71%, I++/It. , is 0. 6
3, I3/It. .

が０．３５、ブロックエラーレートＢＬＥＲが２．８Ｘ
１０−３であった。また、この光ディスクの全厚は、１
．２ｍｍであった。is 0.35, block error rate BLER is 2.8X
It was 10-3. Also, the total thickness of this optical disc is 1
．． It was 2 mm.

さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディス
クの基板ｌの表面を観察したところ、そこにビット５が
形成されているのが確認され（実施例７）上記実施例１において、膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を真空蒸
若した光反射層３の上に、ジクリシジルエーテルで希釈
したポリサルファイド添加エポキシ樹脂をスピンコード
して形成された３０％ｍの結着層を介してシリコーン系
ハードコート剤をスピンコードし、これを加熱、硬化さ
せて厚み３μｍの硬質保護層４を形成した以外は、上記
実施例１と同様にして、光ディスクを製作した。Furthermore, when the surface of the substrate l of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 1, it was confirmed that bits 5 were formed there (Example 7). A silicone hard coat is applied on the light reflection layer 3 made by vacuum vaporizing a 50 nm thick Au film through a 30% m binder layer formed by spin-coding a polysulfide-added epoxy resin diluted with dicrycidyl ether. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the hard protective layer 4 having a thickness of 3 μm was formed by spin-coding the agent and heating and curing it.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体
レーザの反射率が７２％、■目／　Ｉ　ｔ。、が０．６
５、Ｉ３／Ｉｔｏ。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was
When played back using the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 72%, and it was 72%. , is 0.6
5, I3/Ito.

が０．３５、ブロックエラーレー）ＢＬＥＲが２．５Ｘ
１０−”であった。また、この光ディスクの全厚は、１
．２ｍｍであった。is 0.35, block error rate) BLER is 2.5X
The total thickness of this optical disc was 10-".
．． It was 2 mm.

（実施例８）上記実施例１において、Ｌｌ’　ジブチル３．３．３′
、３′テトラメチル５．５′　ジエトキシインドジカー
ボシアニンパークロレートを用いて光吸収層２を形成し
たこと、光反射層３の上にエポキシ樹脂からなる１１０
０ｎの硬質層を形成し、さらにこの上に紫外線硬化樹脂
を１０μｍ設けて、保護層４を形成した以外は、上記実
施例１と同様にして、光ディスクを製作した。なお、こ
の光吸収層２のρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ／λは０
．４４であり、ｋａｂｓは０．０３であった。(Example 8) In the above Example 1, Ll' dibutyl 3.3.3'
, 3'tetramethyl5.5'diethoxyindodicarbocyanine perchlorate was used to form the light absorption layer 2, and on the light reflection layer 3, 110 made of epoxy resin was formed.
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1, except that a 0n hard layer was formed, and a 10 μm thick ultraviolet curable resin was further formed on the hard layer to form the protective layer 4. Note that ρ=n abs-d abs/λ of this light absorption layer 2 is 0
．． 44, and kabs was 0.03.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体
レーザの反射率が７４％、Ｉ　＋＋／　Ｉ　ｔｏｐが０
．　８８、Ｉｓ／Ｉｔ。。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was
When played back using the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 74% and I++/Itop was 0.
．． 88, Is/It. .

が０．３４、ブロックエラーレートＢＬＥＲが８．３Ｘ
１０−３であった。また、この光ディスクの全厚は、１
．２ｍｍであった。is 0.34, block error rate BLER is 8.3X
It was 10-3. Also, the total thickness of this optical disc is 1
．． It was 2 mm.

（実施例９）上記実施例１において使用したのと同じポリカーボネー
ト基板ｌの表面にジイソブチルケトンで溶解したアクリ
ル樹脂をスピンコードし、厚み４０ｎｍの中間層６を形
成した。この中間層６のロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　
Ｄ７８５は、Ｍ８５であり、熱変形温度ＡＳＴＭ　　Ｄ
８４８は、４．６ｋｇ／ｃｍ２．１００℃であった。(Example 9) An acrylic resin dissolved in diisobutyl ketone was spin-coded onto the surface of the same polycarbonate substrate 1 used in Example 1 to form an intermediate layer 6 with a thickness of 40 nm. Rockwell hardness of this intermediate layer 6 ASTM
D785 is M85, heat distortion temperature ASTM D
848 was 4.6 kg/cm2.100°C.

光吸収層２を形成するための有機色素として、０．６ｇ
の１．１’　ジプロピル、　　３．　３．　３’３′テ
トラメチル５．５′　ジメトキシインドジカーボシアニ
ンアイオダイドを、イソプロピルアルコール溶剤１０ｃ
ｃに溶解し、これを上記の基板１の表面に、スピンコー
ド法により塗布し、膜厚１２０ｎｍの感光色素膜からな
る光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率
の実数部ｎ５ｂｓ　とその膜厚ｄ　ａｂｓ　と再生光の
波長λとで与えられるρ”　ｎ　ａｂｓ　ｄ　ｍｂｓ／
λは、０．４１であり、かつ上記複素屈折率の虚部ｋａ
ｂｓは０．０２であった。0.6g as an organic dye for forming the light absorption layer 2
1.1' dipropyl, 3. 3. 3'3'tetramethyl 5.5' dimethoxyindodicarbocyanine iodide was dissolved in isopropyl alcohol solvent 10c.
c and coated on the surface of the above-mentioned substrate 1 by a spin code method to form a light-absorbing layer 2 made of a photosensitive dye film with a thickness of 120 nm. ρ” n abs d mbs/ given by the real part n5bs of the complex refractive index of the light absorption layer 2, its film thickness d abs and the wavelength λ of the reproduction light
λ is 0.41, and the imaginary part ka of the above complex refractive index
bs was 0.02.

次に、この上にシクロヘキサンに溶解したシリコンアク
リル樹脂をスピンコードし、厚さＩＯＯｎ　ｍｓ　　鉛
筆硬度２Ｈ，熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８　４．８ｋｇ
／ｃｍ２．１２０℃のシリコンアクリル樹脂層を形成し
、その上にスパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＡ
ｕ膜を成膜し、反射層３を形成した。さらに、この反射
層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコードし、これに
紫外線を照射して硬化させ、膜厚ｌＯμｍの保護層４を
形成した。この保護層４の硬化後のロックウェル硬度Ａ
ＳＴＭ　　Ｄ７８５はＭ２Ｏであり、熱変形温度ＡＳＴ
Ｍ　　Ｄ６４８は、４．１３ｋｇ／ｃｍ２．１３５°Ｃ
であった。Next, a silicone acrylic resin dissolved in cyclohexane was spin-coded onto this, and the thickness was IO On ms, pencil hardness was 2H, and heat distortion temperature was ASTMD648, 4.8 kg.
/cm2.A silicon acrylic resin layer is formed at 120°C, and a 50 nm thick A layer is deposited on it by sputtering.
A reflective layer 3 was formed by depositing a u film. Furthermore, an ultraviolet curable resin was spin-coded on the reflective layer 3 and cured by irradiating ultraviolet rays to form a protective layer 4 having a thickness of 10 μm. Rockwell hardness A after curing of this protective layer 4
STM D785 is M2O, heat distortion temperature AST
MD648 is 4.13kg/cm2.135°C
Met.

こうして得られた光ディスクに、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを線速１．２ｍ／５ｅｃｔ記録パワー７．５ｍ
Ｗで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。その後、この光デ
ィスクを、実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したとこ
ろ、半導体レーザの反射率が７４％、■目／Ｉｔ０＝が
０゜６２、Ｉ３／Ｉｔ。、が０．３１．　　ブロックエ
ラーレートＢＬＥＲが４．０ＸＩＯ−３であった。また
、この光ディスクの全厚は、１．２ｍｍであった。A semiconductor laser with a wavelength of 780 nm was applied to the optical disc thus obtained at a linear velocity of 1.2 m/5ect and a recording power of 7.5 m.
It was irradiated with W and the EFM signal was recorded. Thereafter, when this optical disc was played back on the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 74%, the /It0=0°62, and I3/It. , is 0.31. The block error rate BLER was 4.0XIO-3. Further, the total thickness of this optical disc was 1.2 mm.

さらに、この記録後の光ディスクの上記保護層４と光反
射層３とを剥離し、光吸収層２を溶剤で洗浄、除去し、
中間層６の表面を観察したところ、そこにピット５が形
成されているのが確認された。Furthermore, the protective layer 4 and the light reflection layer 3 of the optical disc after recording are peeled off, the light absorption layer 2 is washed and removed with a solvent,
When the surface of the intermediate layer 6 was observed, it was confirmed that pits 5 were formed there.

（実施例１０）上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み０゜０１μｍのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと以外は
、上記実施例９と同様にして、光ディスクを製作した。(Example 10) In Example 9, except that a silicate layer with a thickness of 0°01 μm was provided on the intermediate layer 6 by spin-coding a silicone coating agent, and the light absorption layer 2 was formed on the silicate layer. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9 above.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．８ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７３％、１
　口／　Ｉ　ｔｏｐが０．６２、Ｉａ／Ｉｔ。、が０．
３１、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．４Ｘ１０−
３であった。また、この光ディスクの全厚は、１６２ｍ
ｍであった。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.8 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 73%, 1
Mouth/I top is 0.62, Ia/It. , is 0.
31. Block error rate BLER is 3.4X10-
It was 3. The total thickness of this optical disc is 162m.
It was m.

さらに、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層６の表面を観察したところ、そこにビット５
が形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the intermediate layer 6 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 9, it was found that bits 5
was confirmed to be formed.

（実施例１１）上記実施例９において、基板ｌとしてガラス基板を用い
たこと、及び反射層の上に、トルエンとメチルエチルケ
トンの１＝　１の溶剤で溶解したイソシアネート樹脂を
スピンコード法にて形成された厚さ２０ｎｍの結着層を
形成したこと以外は、上記実施例９と同様にして、光デ
ィスクを製作した。(Example 11) In the above Example 9, a glass substrate was used as the substrate l, and an isocyanate resin dissolved in a 1=1 solvent of toluene and methyl ethyl ketone was formed on the reflective layer by a spin coding method. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9 above, except that a 20 nm thick binding layer was formed.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ
ｚ／Ｉｔａｐが０．６５、Ｉ３／Ｉｔｏｐが０．３３、
ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．６Ｘ１０−３であ
った。また、この光ディスクの全厚は、１．　２ｍｍで
あった。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 72%, I
z/Itap is 0.65, I3/Itop is 0.33,
The block error rate BLER was 3.6×10 −3 . The total thickness of this optical disc is 1. It was 2 mm.

（実施例１２）上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み０゜０１μｍのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、及び
反射層の上に、ポリブタジェンをスピンコード法にて形
成した厚さ２０ｎｍの結着層を形成したこと以外は、上
記実施例９と同様にして、光ディスクを製作した。(Example 12) In Example 9 above, a silicate layer having a thickness of 0.01 μm was provided on the intermediate layer 6 by spin-coding a silicone coating agent, and the light absorption layer 2 was formed on the silicate layer, and An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9 above, except that a 20 nm thick binding layer made of polybutadiene by spin coding was formed on the reflective layer.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ
ＩＩ／’Ｉｔ。。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 72%, I
II/'It. .

が０．６Ｂ、Ｉａ／Ｉｔ。、が０．３５、ブロックエラ
ーレートＢＬＥＲが３．５Ｘ１０−３であった。また、
この光ディスクの全厚は、１．２ｍｍであった。is 0.6B, Ia/It. , was 0.35, and the block error rate BLER was 3.5X10-3. Also,
The total thickness of this optical disc was 1.2 mm.

さらに、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層６０表面を観察したところ、そこにビット５
が形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the intermediate layer 60 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 9, it was found that the bit 5
was confirmed to be formed.

（実施例１３）上記実施例９において、中間層６の厚みを２０ｎｍとし
たこと、シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反
射層３としてイリジウムと金とのｌ：　９の割合の合金
膜をスパッタリング法により形成したこと以外は、上記
実施例９と同様にして、光ディスクを製作した。なお、
前記合金膜の鉛筆硬度は２Ｈであった。(Example 13) In the above Example 9, the thickness of the intermediate layer 6 was set to 20 nm, the silicon acrylic resin layer was not provided, and an alloy film of iridium and gold at a ratio of l: 9 was sputtered as the reflective layer 3. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9 above, except that it was formed by the method. In addition,
The pencil hardness of the alloy film was 2H.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７１％、Ｉ
ｚ／Ｉｔｏｐが０．６３、Ｉａ／Ｉｔ。、が０．３２、
ブロックエラーレー）ＢＬＥＲが３．３Ｘ１０−３であ
った。また、この光ディスクの全厚は、１．　２ｍｍで
あった。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 71%, I
z/Itop is 0.63, Ia/It. , is 0.32,
Block error rate) BLER was 3.3X10-3. The total thickness of this optical disc is 1. It was 2 mm.

さらに、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層６の表面を観察したところ、そこにビット５
が形成されているのが確認された。このビット５は、中
間層６の膜厚が薄いため、基板の表面にまで達して形成
されている。Furthermore, when the surface of the intermediate layer 6 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 9, it was found that there were bits 5 and 5.
was confirmed to be formed. Since the intermediate layer 6 is thin, the bit 5 is formed to reach the surface of the substrate.

この光ディスクの層構造を第６図に模式的に示し、その
光記録後の状態を第７図に模式的に示す。The layer structure of this optical disk is schematically shown in FIG. 6, and the state after optical recording is schematically shown in FIG.

（実施例１４）上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み０゜０１μｍのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、シリ
コンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層３として
イリジウムと金とのｌ：９の割合の合金膜をスパッタリ
ング法により形成したこと以外は、上記実施例９と同様
にして、光ディスクを製作した。(Example 14) In Example 9, a silicon coating agent was spin-coded on the intermediate layer 6 to form a silicate layer with a thickness of 0.01 μm, and the light absorption layer 2 was formed on the silicon coating agent. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9, except that the acrylic resin layer was not provided and an alloy film of iridium and gold at a ratio of 1:9 was formed by sputtering as the reflective layer 3.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．８ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７１％、Ｉ
目／Ｉｔ０ｐが０．　６４．１ｓ／　ｌ１０＝が０．３
２、ブロックエラーレー）ＢＬＥＲが２．８Ｘ１０−３
であった。また、この光ディスクの全厚は、１．　２ｍ
ｍであった。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.8 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 71%, I
Eye/It0p is 0. 64.1s/l10=0.3
2. Block error rate) BLER is 2.8X10-3
Met. The total thickness of this optical disc is 1. 2m
It was m.

さらに、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層６の表面を観察したところ、そこにピット５
が形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the intermediate layer 6 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 9, it was found that there were pits.
was confirmed to be formed.

（実施例１５）上記実施例９において、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層３としてイリジウムと金とのｌ：９
の割合の合金膜をスパッタリング法により形成したこと
、及び光反射層の上に、ポリイソプレンをスピンコード
して、厚さ２０％ｍの結着層を形成し、この上に紫外線
硬化性樹脂製の保護層４を形成したこと以外は、上記実
施例９と同様にして、光ディスクを製作した。(Example 15) In the above Example 9, the silicon acrylic resin layer is not provided and the reflective layer 3 is made of iridium and gold at l:9.
An alloy film with a ratio of An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9 above, except that the protective layer 4 was formed.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．４ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ
＋＋／Ｉｔ。。EFM signals were recorded on the optical disk thus obtained at a recording power of 7.4 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disk was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 72%, I
++/It. .

が０．６４、Ｉ３／Ｉｒ。、が０６３２、ブロックエラ
ーレートＢＬＥＲが４．ｌＸｌ０−３であった。また、
この光ディスクの全厚は、１．　２ｍｍであった。is 0.64, I3/Ir. , is 0632, and the block error rate BLER is 4. It was lXl0-3. Also,
The total thickness of this optical disc is 1. It was 2 mm.

（実施例１６）上記実施例９において、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層３として厚さ５０％ｍの銅膜を形成
したこと、及び保護層４としてジグリシジルエーテル溶
剤に希釈したビスフェノール硬化型エポキシ樹脂をスピ
ンコードして厚さ５０％ｍのエポキシ樹脂層を形成した
こと以外は、上記実施例９と同様にして、光ディスクを
製作した。なお、上記保護層はロックウェル硬度ＡＳＴ
Ｍ　　Ｄ７８５がＭｌｌｏであることから硬質層として
の機能を有する。(Example 16) In Example 9, the silicon acrylic resin layer was not provided, a copper film with a thickness of 50% m was formed as the reflective layer 3, and bisphenol diluted in diglycidyl ether solvent was used as the protective layer 4. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9, except that the curable epoxy resin was spin-coded to form an epoxy resin layer with a thickness of 50% m. The protective layer has a Rockwell hardness of AST.
Since MD785 is Mllo, it functions as a hard layer.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７５％、Ｉ
＋＋／Ｉｔ。。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 75%, I
++/It. .

が０．６４、Ｉｓ／Ｉｔ。、が０．３３、ブロックエラ
ーレートＢＬＥＲが２．９ＸｌＯ−３であった。また、
この光ディスクの全厚は、１．２ｍｍであった。is 0.64, Is/It. , was 0.33, and the block error rate BLER was 2.9XlO-3. Also,
The total thickness of this optical disc was 1.2 mm.

（実施例１７）上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み０゜０１μｍのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、シリ
コンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層３として
厚さ５０％ｍの銅膜を形成したこと、及び保護層４とし
てジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノール
硬化型エポキシ樹脂をスピンコードして厚さ５０ｎｍの
エポキシ樹脂層を形成したこと以外は、上記実施例９と
同様にして、光ディスクを製作した。(Example 17) In the above Example 9, a silicate layer with a thickness of 0.01 μm was provided on the intermediate layer 6 by spin-coding a silicon coating agent, and the light absorption layer 2 was formed on the silicon coating agent. No acrylic resin layer was provided, a copper film with a thickness of 50% m was formed as the reflective layer 3, and as the protective layer 4, a bisphenol curing type epoxy resin diluted with diglycidyl ether solvent was spin-coded to a thickness of 50 nm. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9 above, except that the epoxy resin layer was formed.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７４％、Ｉ
　ｚ／　Ｉ　ｔｏｐが０．　６４　、Ｉ　ａ／　Ｉ　ｔ
ｏｐが０．３３、ブロックエラーレー）ＢＬＥＲが３．
５Ｘ１０−３であった。また、この光ディスクの全厚は
、１．　２ｍｍであった。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disk at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disk was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 74%, I
z/I top is 0. 64, I a/ I t
OP is 0.33, block error rate) BLER is 3.
It was 5X10-3. The total thickness of this optical disc is 1. It was 2 mm.

（実施例１８）上記実施例９において、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層３として厚さ５０ｎｍの銅膜を真空
蒸着法で形成したこと、反射層の上に、トルエンとメチ
ルエチルケトンの６：４の溶剤で溶解したポリ酢酸ビニ
ル樹脂をスピンコードで形成した厚さ２０ｎｍの結着層
を介して保護層４を形成したこと、及び保護層４として
ジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノール硬
化型エポキシ樹脂をスピンコードシて厚さ５０ｎｍのエ
ポキシ樹脂層を形成したこと以外は、上記実施例９と同
様にして、光ディスクを製作した。(Example 18) In the above Example 9, the silicon acrylic resin layer was not provided, a copper film with a thickness of 50 nm was formed as the reflective layer 3 by vacuum evaporation, and on the reflective layer 6 of toluene and methyl ethyl ketone was added. : The protective layer 4 was formed via a 20 nm thick binder layer formed by spin cording polyvinyl acetate resin dissolved in the solvent of 4, and a bisphenol curing type diluted with diglycidyl ether solvent as the protective layer 4. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9, except that the epoxy resin was spin-coated to form an epoxy resin layer with a thickness of 50 nm.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．４ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７４％、１
　目／　Ｉ　ｔｏｐが０．６４、Ｉ３／Ｉｔ−が０．３
３、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．６Ｘ１０−３
であった。また、この光ディスクの全厚は、１．　２ｍ
ｍであった。EFM signals were recorded on the optical disc thus obtained at a recording power of 7.4 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 74%, 1
Eye/I top is 0.64, I3/It- is 0.3
3. Block error rate BLER is 3.6X10-3
Met. The total thickness of this optical disc is 1. 2m
It was m.

（実施例１９）幅０．５μｎｈ深さＯ−１５μｒｒｈ　　ピッチ１゜６
μｍのスパイラル状のプレグルーブが形成された厚さ１
．　２ｍｍ５　外径１２０ｍｍφ、内径１５ｍｍφのポ
リカーボネートｘ板１を射出成形法により成形した。(Example 19) Width 0.5 μnh Depth O-15 μrrh Pitch 1°6
Thickness 1 with μm spiral pregroove formed
．． A polycarbonate x-plate 1 having a diameter of 2 mm5, an outer diameter of 120 mm, and an inner diameter of 15 mm was molded by injection molding.

光吸収層２を形成するための有機色素として、実施例１
と同じ色素０．０６５ｇとニトロセルロース０．００５
ｇを、イソプロピルアルコール溶剤１０ｃｃに溶解し、
これを上記の基板ｌの上にスピンコード法により塗布し
、平均膜厚０．０２５μｍの色素膜からなる光吸収層２
を形成した。この光吸収層２の複素屈折率は、ｎａｂｓ
　＝２．　０１ｋａｂｓ　＝０．　０４である。再生光
の半導体レーザの波長λ＝７８０ｎｍであり、ρ＝　ｎ
　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λ＝０．０６４である。Example 1 as an organic dye for forming the light absorption layer 2
0.065g of the same dye and 0.005g of nitrocellulose
Dissolve g in 10 cc of isopropyl alcohol solvent,
This was coated on the above substrate l by a spin code method, and a light absorption layer 2 consisting of a dye film with an average thickness of 0.025 μm was formed.
was formed. The complex refractive index of this light absorption layer 2 is nabs
=2. 01kabs=0. It is 04. The wavelength of the semiconductor laser for reproduction light is λ = 780 nm, and ρ = n
abs-d abs /λ=0.064.

このディスクの全面に蒸着法により、膜厚５００オング
ストロームのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成した。こ
の反射層３の複索屈折率はｎｒｅｆ　＝０．　１６、ｋ
ｒｅｆ　＝４．　６７である。A reflective layer 3 was formed by depositing an Au film with a thickness of 500 angstroms on the entire surface of this disk by vapor deposition. The double refractive index of this reflective layer 3 is nref =0. 16,k
ref=4. It is 67.

さらに、この反射層３の上に実施例１と同様の紫外線硬
化性樹脂をスピンコードし、これに紫外線を照射して硬
化させ、厚み１０μｍの保護層４を形成した。Further, an ultraviolet curable resin similar to that in Example 1 was spin-coded on the reflective layer 3, and was cured by irradiating ultraviolet rays to form a protective layer 4 with a thickness of 10 μm.

こうして得られた光ディスクに、実施例１と同様に波長
７８０ｎｍの半導体レーザによって、ＥＦＭ信号を記録
し、市販のＣＤプレーヤで再生した。EFM signals were recorded on the optical disc thus obtained using a semiconductor laser with a wavelength of 780 nm, as in Example 1, and reproduced with a commercially available CD player.

この光ディスクの全厚は、１．　２ｍｒｒｈ　　反射率
は８２％、Ｉ　１１／　Ｉ　ｔｏｐが０．６３、Ｉ３／
Ｉ　ｔｏｐが０．３１であり、この実施例による光ディ
スクは、ＣＤ規格を満足している。The total thickness of this optical disc is 1. 2mrrh Reflectance is 82%, I11/I top is 0.63, I3/
I top is 0.31, and the optical disc according to this example satisfies the CD standard.

（実施例２０）実施例１と同様に成型されたポリカーボネート基板ｌに
光吸収層２を形成するための有機色素として、１，１′
　ジプチル３．　３．　３’、　　３テトラメチル５．
　６．　５’、　　８−テトラメトキシインドジカーボ
シアニンパーク口レートＯ００５０ｇとニトロセルロー
ス０．００５ｇを、ジアセトンアルコール溶剤１０ｃｃ
に溶解し、これを上記の基板１の上にスピンコード法に
より塗布し、膜厚０．０２０μｍの色素膜からなる光吸
収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率は、１
ａｂｓ＝２．０、ｋａｂｓ＝０．２９である。再生光の
半導体レーザの波長λ＝７８０ｎｍであり、ρ＝　ｎ　
ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λ＝０゜０５１である。(Example 20) As an organic dye for forming a light absorption layer 2 on a polycarbonate substrate l molded in the same manner as in Example 1, 1,1'
Diptyl 3. 3. 3', 3tetramethyl5.
6. 5', 8-Tetramethoxyindodicarbocyanine perchlorate O00050g and nitrocellulose 0.005g were mixed with 10cc of diacetone alcohol solvent.
This was applied onto the above-mentioned substrate 1 by a spin code method to form a light absorption layer 2 made of a dye film with a thickness of 0.020 μm. The complex refractive index of this light absorption layer 2 is 1
abs=2.0, kabs=0.29. The wavelength of the semiconductor laser for reproduction light is λ = 780 nm, and ρ = n
abs-d abs /λ=0°051.

このディスクの全面に蒸着法により、膜厚５００オング
ストロームのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成し、さら
に、この反射層３の上に実施例１と同様の紫外線硬化性
樹脂をスピンコードし、これに紫外線を照射して硬化さ
せ、厚み１０μｍの保護層４を形成した。An Au film with a thickness of 500 angstroms was formed on the entire surface of this disk by vapor deposition to form a reflective layer 3, and then an ultraviolet curable resin similar to that in Example 1 was applied by spin cord on the reflective layer 3. This was then cured by irradiation with ultraviolet rays to form a protective layer 4 with a thickness of 10 μm.

この光ディスクの全厚は、１．　２ｍｍ５　　反射率は
７０％、Ｉ　ＩＩ／　Ｉ　ｔｏｐが０．６４．１３／Ｉ
　ｔｏｐが０．３０であり、この実施例による光ディス
クは、ＣＤ規格を満足している。The total thickness of this optical disc is 1. 2mm5 Reflectance is 70%, I II/I top is 0.64.13/I
top is 0.30, and the optical disc according to this example satisfies the CD standard.

（実施例２１）幅０．　７μｍｓ　深さ０．０７　ｕ　ｆｉｂ　　ピッ
チ１゜６μｍのスパイラル状のプリグループが形成され
た厚さ１．　２ｍｒｒｈ　外径１２０ｍｍφ、内径１５
ｍｍφのポリカーボネート基板ｌを射出成形法により成
形した。(Example 21) Width 0. 7 μms depth 0.07 u fib Thickness 1.0 mm with spiral pre-groups formed at pitch 1° 6 μm. 2mrrh Outer diameter 120mmφ, inner diameter 15
A polycarbonate substrate 1 with a diameter of mm was molded by injection molding.

光吸収層２を形成するための有機色素として、実施例１
と同じ色素０．８ｇを、アセチルアセトン溶剤１０ｃｃ
に溶解し、これを上記の基板１の上にスピンコード法に
より塗布し、膜厚０゜１７μｍの色素膜からなる光吸収
層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率は、ｎａ
ｂｓ＝２．７、ｌ＜ａｂｓ　＝０．　０５である。再生
光の半導体レーザの波長λ＝７８０ｎｍであり、ρ＝ｎ
　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λ＝０．５９である。Example 1 as an organic dye for forming the light absorption layer 2
0.8g of the same dye as above, 10cc of acetylacetone solvent
This was applied onto the above-mentioned substrate 1 by a spin code method to form a light absorption layer 2 consisting of a dye film having a thickness of 0.times.17 .mu.m. The complex refractive index of this light absorption layer 2 is na
bs=2.7, l<abs=0. It is 05. The wavelength of the semiconductor laser for reproduction light is λ=780 nm, and ρ=n
abs-d abs /λ=0.59.

このディスクの全面に蒸着法により、膜厚５００オング
ストロームのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成し、さら
に、この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコー
ドし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み１０μｍ
の保護層４を形成した。An Au film with a thickness of 500 angstroms is formed on the entire surface of this disk by vapor deposition to form a reflective layer 3. Further, an ultraviolet curable resin is spin-coded on the reflective layer 3, and ultraviolet rays are applied to this. Irradiate and harden to a thickness of 10 μm.
A protective layer 4 was formed.

この光ディスクの全厚は、１．２ｍｍ１　反射率は７２
％、Ｉ　１１／　Ｉ　ｔｏｐが０．６２、Ｉ３／Ｉ　ｔ
ｏｐが０．３２であり、この実施例による光ディスクは
、ＣＤ規格を満足している。The total thickness of this optical disc is 1.2 mm1 and the reflectance is 72
%, I11/I top is 0.62, I3/I t
OP is 0.32, and the optical disc according to this example satisfies the CD standard.

（実施例２２）幅０．５μｒｒｈ　深さ０．　１８μｍｓ　　ピッチ１
゜６μｍのスパイラル状のプリグループが形成された厚
さ１．　２ｍｒｙｈ　外径１２０ｍｍφ、内径１５ｍｍ
φのポリカーボネート基板１を射出成形法により成形し
た。(Example 22) Width 0.5μrrh Depth 0. 18μms pitch 1
Thickness: 1.6 μm spiral pre-group formed. 2mryh Outer diameter 120mmφ, inner diameter 15mm
A polycarbonate substrate 1 having a diameter of φ was molded by injection molding.

光吸収層２を形成するための有機色素として、■、１′
　ジエチル３．　３．　３’、　　３’テトラメチル５
．　７．　５’、　　？−メトキシインドシカーポジア
ニンパークロレート０．５５ｇを、ジアセトンアルコー
ル溶剤１０ｃｃに溶解し、これを上記の基板１の上にス
ピンコード法により塗布し、平均膜厚１２０ｎｍの色素
膜からなる光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複
素屈折率は、ｎａｂｓ：２．９、ｋａｂｓ＝０．２０で
ある。再生光の半導体レーザの波長λ＝７８０ｎｍであ
り、ρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λ＝０．　４５
である。As an organic dye for forming the light absorption layer 2, ■, 1'
Diethyl 3. 3. 3', 3'tetramethyl5
．． 7. 5', ? - Dissolve 0.55 g of methoxyindoxycarpodianine perchlorate in 10 cc of diacetone alcohol solvent, and apply this onto the above substrate 1 by a spin code method to form a light absorption layer consisting of a dye film with an average thickness of 120 nm. 2 was formed. The complex refractive index of this light absorption layer 2 is nabs: 2.9 and kabs = 0.20. The wavelength λ of the semiconductor laser of the reproduction light is 780 nm, and ρ=nabs-dabs/λ=0. 45
It is.

この光ディスクの全厚は、１．２ｍｔｒｈ　　反射率は
７０％、Ｉ　１１／　Ｉ　ｔｏｐが０．７０．１３／Ｉ
　ｔｏｐが０．４０であり、この実施例による光ディス
クは、ＣＤ規格を満足している。The total thickness of this optical disc is 1.2mtrh, the reflectance is 70%, and I11/Itop is 0.70.13/I
top is 0.40, and the optical disc according to this example satisfies the CD standard.

［発明の効果°］以上説明した通り、本発明によれば、ＣＤ規格に規定す
る全厚１．１〜１．５ｍｍの範囲でで、変調度として示
されるＩ　１１／　Ｉ　ｔｏｐが０゜６以上、１３／Ｉ
ｔｏｐが０．３〜０．７という再生波形を得ることがで
きる光情報記録媒体をとその記録方法を提供することが
できる。[Effects of the Invention °] As explained above, according to the present invention, I 11 / I top shown as the modulation degree is 0°6 in the total thickness range of 1.1 to 1.5 mm specified in the CD standard. Above, 13/I
It is possible to provide an optical information recording medium that can obtain a reproduced waveform with a top of 0.3 to 0.7, and a recording method thereof.

さらに、光吸収層におけるρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　ａｂ
ｓ／λを０．０５≦ρ≦０．６、かつｋ　ａｂｓを０゜
３以下とすることにより、ＣＤ規格に準拠した反射率７
０％以上の再生信号が得られる光情報記録媒体を提供す
ることができる。Furthermore, ρ in the light absorption layer = n abs-d ab
By setting s/λ to 0.05≦ρ≦0.6 and k abs to 0°3 or less, the reflectance 7 conforms to the CD standard.
It is possible to provide an optical information recording medium from which a reproduction signal of 0% or more can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は、本発明の光情報記録媒体の構造の一例を示す
模式半断面斜視図、第２図は、第１図の記録前の光情報
記録媒体のトラックに沿うて断面した部分断面拡大図、
第３図は、第１図の記録後の光情報記録媒体のトラック
に沿って断面した部分断面拡大図、第４図は、本発明の
光情報記録媒体において中間層が設けられた場合の記録
前の部分断面拡大図、第５図は、本発明の光情報記録媒
体において中間層が設けられた場合の記録後の部分断面
拡大図、第６図は、本発明の光情報記録媒体において中
間層が設けられた場合の記録前の部分断面拡大図、第７
図は、本発明の光情報記録媒体において中間層が設けら
れた変形層が２層の場合の記録後の部分断面拡大図、第
８図は、変形層の硬度と変調度の関係を示すグラフ、第
９図は、光情報記録媒体の光吸収層のρ＝　ｎ　ａｂｓ
−ｄ　ａｂｓ　／λと反射率との関係の例を示すグラフ
、第１０図は、光吸収層の複素屈折率の虚部ｋ　ａｂｓ
と反射率との関係を示すグラフ、第１１図は、ρ＝　ｎ
　ａｂｓ−ｄ　ａｂＳ／λとｋ　ａｂｓにおいて反射率
がＣＤ規格を満たす領域を示すグラフである。ｌ・・・基板　２・・・光吸収層　３・・・反射層　４
・・・硬質層　５・・・ピット　６・・・中間層　７・
・・レーザ光８・・・ピックアップFIG. 1 is a schematic half-sectional perspective view showing an example of the structure of the optical information recording medium of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged partial cross-sectional view taken along the track of the optical information recording medium before recording in FIG. figure,
FIG. 3 is an enlarged partial cross-sectional view taken along the track of the optical information recording medium after recording shown in FIG. 1, and FIG. 4 shows recording when an intermediate layer is provided in the optical information recording medium of the present invention. FIG. 5 is an enlarged partial cross-sectional view of the optical information recording medium of the present invention after recording when an intermediate layer is provided, and FIG. Enlarged partial cross-sectional view before recording when a layer is provided, No. 7
The figure is an enlarged partial sectional view after recording in the case where the optical information recording medium of the present invention has two deformable layers provided with an intermediate layer, and FIG. 8 is a graph showing the relationship between the hardness of the deformable layer and the degree of modulation. , FIG. 9 shows ρ=n abs of the light absorption layer of the optical information recording medium.
A graph showing an example of the relationship between −d abs /λ and reflectance, FIG. 10, shows the imaginary part k abs of the complex refractive index of the light absorption layer.
A graph showing the relationship between ρ and reflectance, Figure 11, shows ρ= n
It is a graph showing the region where the reflectance satisfies the CD standard in abs-d abS/λ and k abs. l...Substrate 2...Light absorption layer 3...Reflection layer 4
...Hard layer 5...Pit 6...Intermediate layer 7.
...Laser light 8...Pickup

Claims

【特許請求の範囲】[Claims]

（１）透光性基板の上に直接または他の層を介して光吸
収層と、前記光吸収層の上に直接または他の層を介して
反射層と硬質層が設けられた光情報記録媒体において、
上記光吸収層よりも透光性基板側の、光吸収層と接する
部分のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５がＭ９０以下
であることを特徴とする光情報記録媒体。(1) Optical information recording in which a light-absorbing layer is provided on a light-transmitting substrate, either directly or through another layer, and a reflective layer and a hard layer are provided on the light-absorbing layer, directly or through another layer. In the media,
An optical information recording medium characterized in that the Rockwell hardness ASTM D785 of a portion closer to the light-transmitting substrate than the light-absorbing layer and in contact with the light-absorbing layer is M90 or less.

（２）上記特許請求の範囲第１項において、光吸収層は
、光吸収層の複素屈折率の実数部ｎ＿ａ＿ｂ＿ｓと膜厚
ｄ＿ａ＿ｂ＿ｓと再生光の波長λとで与えられるρ＝ｎ
＿ａ＿ｂ＿ｓ・ｄ＿ａ＿ｂ＿ｓ／λが、０．０５≦ρ≦
０．６であり、かつ光吸収層の複素屈折率の虚部ｋ＿ａ＿ｂ
＿ｓが０．３以下であることを特徴とする光情報記録媒
体(2) In claim 1 above, the light absorption layer is defined by ρ=n given by the real part n_a_b_s of the complex refractive index of the light absorption layer, the film thickness d_a_b_s, and the wavelength λ of the reproduction light.
_a_b_s・d_a_b_s/λ is 0.05≦ρ≦
0. 6, and the imaginary part k_a_b of the complex refractive index of the light absorption layer
An optical information recording medium characterized in that __s is 0.3 or less

（３）透光性基板の上に直接または他の層を介してレー
ザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上に直接ま
たは他の層を介して反射層と硬質層が設けられ、上記光
吸収層よりも透光性基板側の、光吸収層と接する部分の
ロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５がＭ９０以下である
光情報記録媒体を用い、透光性基板側からレーザ光を光
吸収層に照射し、光吸収層にエネルギーを与えることに
よって透光性基板側の光吸収層に接する部分を変形させ
、同部分にピットを形成する光情報記録方法。(3) A light-absorbing layer that absorbs laser light is provided on the light-transmitting substrate, either directly or through another layer, and a reflective layer and a hard layer are provided on the light-absorbing layer, either directly or through another layer. Using an optical information recording medium in which the Rockwell hardness ASTM D785 of the part in contact with the light-absorbing layer, which is closer to the light-transmitting substrate than the light-absorbing layer, is M90 or less, a laser beam is applied to the light-absorbing layer from the light-transmitting substrate side. An optical information recording method that deforms the part of the light-transmitting substrate that is in contact with the light-absorbing layer by applying energy to the light-absorbing layer, thereby forming pits in the same part.