JPH02139733A - Optical recording medium and its recording method - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、透明な基板上に少なくとも光吸収層と反射層
を有する書き込み可能な光情報記録媒体とその記録方法
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a writable optical information recording medium having at least a light absorption layer and a reflection layer on a transparent substrate, and a recording method thereof.
[従来の技術]
レーザ光の照射により、データを記録することができる
、いわゆる書き込み可能な光情報記録媒体は、18%
BitMn等の金属層や、シアニン、メロシアニン、フ
タロシアニン等の色素層等からなる記録層を有し、レー
ザ光の照射により、上記記録層を変形、昇華、蒸発或は
変性させる等の手段で、ピットを形成し、データを記録
する。この記録層を有する光情報記録媒体では、ピット
を形成する際の記録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を
容易にするため、記録層の背後に空隙を設けることが一
般に行なわれている。具体的には例えば、空間部を挟ん
で2枚の基板を積層する、いわゆるエアサンドイッチ構
造と呼ばれる積層構造がとられる。[Prior art] So-called writable optical information recording media that can record data by irradiation with laser light account for 18%
It has a recording layer consisting of a metal layer such as BitMn, a dye layer such as cyanine, merocyanine, phthalocyanine, etc., and the pits are formed by deforming, sublimating, evaporating, or modifying the recording layer by irradiation with laser light. form and record data. In optical information recording media having this recording layer, a void is generally provided behind the recording layer in order to facilitate deformation, sublimation, evaporation, denaturation, etc. of the recording layer when forming pits. . Specifically, for example, a stacked structure called an air sandwich structure is used, in which two substrates are stacked with a space in between.
この光情報記録媒体では、上記透光性を存する基板1側
からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、記
録したデータを再生するときは、上記基板1側から記録
時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピットとそ
れ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みとる
。In this optical information recording medium, pits are formed by irradiating laser light from the side of the substrate 1 which has the above-mentioned light-transmitting property. When reproducing the recorded data, a laser beam with a weaker power than during recording is irradiated from the substrate 1 side, and the signal is read based on the difference in reflected light between the pit and other parts.
一方、予めデータが記録され、その後のデータの古き込
みや消去ができない、いわゆるROM型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず
、記録データを再生するためのピットを予めプレス等の
手段で透光性の基板の上に形成し、この上にAus
AgX Cus A1等の金属膜からなる反射層を
形成し、さらにこの上を保護層で覆ったものである。On the other hand, so-called ROM-type optical information recording media, on which data is recorded in advance and cannot be subsequently stored or erased, have already been widely put into practical use in the information processing and audio sectors. This type of optical information recording medium does not have a recording layer as described above, but pits for reproducing recorded data are formed in advance on a transparent substrate by means such as pressing, and Au
A reflective layer made of a metal film such as AgX Cus A1 is formed, and this is further covered with a protective layer.
このROM型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広(実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再
生信号の仕様は、いわゆるCD規格として規格化され、
これに準拠する再生装置は、コンパクトディスクプレー
ヤ(CDプレーヤ)として極めて広(普及している。The most typical type of ROM-type optical information recording medium is the compact disc, or so-called CD, which is widely used in the audio and information processing sectors. standardized as a standard,
Playback devices conforming to this are extremely widespread as compact disc players (CD players).
[発明が解決しようとする課題]
上記書き込み可能な光情報記録媒体は、やはりCDと同
じレーザ光を用いる記録手段であるため、再生に際し、
既に広(普及したCDに準拠することが強く望まれる。[Problems to be Solved by the Invention] Since the above-mentioned writable optical information recording medium is a recording means that uses the same laser beam as a CD, upon reproduction,
It is strongly desired to comply with the already widely used CD.
しかしながら、上記のエアサンドウィッチ構造のような
書き込み可能光情報記録媒体は、基板にではな(、記録
層にピットを形成して記録する手段がとられ、しかも、
この記録層にピットを形成するのを容易にするために、
空隙層等を有するため、厚み(表面から裏面までの厚み
を意味し、以下「全厚」という。)が厚(なってしまう
。そのため、CD規格に規定する全厚を満足することが
困難であった。また、基板上に記録層および反射層を設
けた光情報記録媒体も既に提案されているが、CD規格
が要求する変調度を満足できる再生信号が得られる光情
報記録媒体は未だ提供されていなかった。However, in the writable optical information recording medium such as the above-mentioned air sandwich structure, recording is performed by forming pits in the recording layer instead of on the substrate.
To facilitate the formation of pits in this recording layer,
Because it has a void layer, etc., the thickness (meaning the thickness from the front surface to the back surface, hereinafter referred to as "total thickness") becomes thicker. Therefore, it is difficult to satisfy the total thickness specified in the CD standard. In addition, optical information recording media in which a recording layer and a reflective layer are provided on a substrate have already been proposed, but an optical information recording medium that can obtain a reproduced signal that satisfies the modulation degree required by the CD standard has not yet been proposed. It had not been done.
本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされたも
ので、CD規格に規定する範囲の全厚を有し、データの
再生に際し、70%以上の高い反射率を有し、かつ、C
D規格に準拠する変調度の出力信号が得られるピットが
形成可能な光情報記録媒体および該光情報記録媒体に好
適な光情報記録方法を提供することを目的とする。The present invention has been made to solve the above conventional problems, and has a total thickness within the range specified by the CD standard, a high reflectance of 70% or more during data reproduction, and a CD
It is an object of the present invention to provide an optical information recording medium in which pits can be formed so as to obtain an output signal with a modulation degree that complies with the D standard, and an optical information recording method suitable for the optical information recording medium.
[課題を解決するための手段]
すなわち、上記目的を達成するため、本発明において採
用した手段の要旨は、透光性基板の上に直接または他の
層を介してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収
層の上に直接または他の層を介して反射層と硬質層が設
けられ、上記光吸収層よりも透光性基板側の、光吸収層
に接する部分のロックウェル硬度ASTM D785
がM90以下であることを特徴とする光情報記録媒体お
よび該光情報記録媒体を用いた光情報記録方法である。[Means for Solving the Problems] In other words, the gist of the means adopted in the present invention to achieve the above object is to provide a light absorbing device that absorbs laser light directly or through another layer on a transparent substrate. layer, and a reflective layer and a hard layer are provided directly or through another layer on the light absorbing layer, and the Rockwell hardness of the portion in contact with the light absorbing layer that is closer to the transparent substrate than the light absorbing layer. ASTM D785
An optical information recording medium and an optical information recording method using the optical information recording medium are characterized in that the optical information recording medium is M90 or less.
さらに、上記光情報記録媒体において、光吸収層の複素
屈折率の実数部n absと膜厚d absと再生光の
波長λとで与えられるρ= n abs−dabs /
λが0.05≦ρ≦0.6であり、かつ光吸収層の複素
屈折率の虚部k absが0.3以下であることが望ま
しい。Furthermore, in the optical information recording medium, ρ=nabs-dabs/, which is given by the real part nabs of the complex refractive index of the light absorption layer, the film thickness dabs, and the wavelength λ of the reproduction light.
It is desirable that λ satisfies 0.05≦ρ≦0.6 and that the imaginary part k abs of the complex refractive index of the light absorption layer is 0.3 or less.
[作 用]
上記本発明の光情報記録媒体によれば、透光性基板側か
ら光吸収層にレーザ光を照射することにより、光吸収層
にエネルギーが与えられると、光吸収層と接する基板側
の部分が一部変形する。このとき、変形する部分の硬度
が低いとその変形度はより大きなものになるため、変形
しない領域と変形した領域との光路長の差が太き(なる
。その結果、再生する時の再生光の光学的位相差が太き
(なり、変調度を大きくとることができる。[Function] According to the optical information recording medium of the present invention, when energy is given to the light absorption layer by irradiating the light absorption layer with laser light from the transparent substrate side, the substrate in contact with the light absorption layer Part of the side part is deformed. At this time, if the hardness of the deformed part is low, the degree of deformation will be greater, so the difference in optical path length between the undeformed area and the deformed area will be large (as a result, the reproduced light during reproduction will be The optical phase difference becomes thicker, and the degree of modulation can be increased.
本発明者らによる実験およびシミュレーションによれば
、本発明による光情報記録媒体の構造において、CD規
格に準拠した変調度の再生信号を得ることができるビッ
トが形成されるためには、透光性基板側の光吸収層に接
する部分の硬度がロックウェル硬度ASTM D78
5においてM90以下であることが必要であることを見
出だした。According to experiments and simulations by the present inventors, in the structure of the optical information recording medium according to the present invention, in order to form bits that can obtain a reproduced signal with a modulation degree that complies with the CD standard, it is necessary to The hardness of the part in contact with the light absorption layer on the substrate side is Rockwell hardness ASTM D78.
It has been found that M90 or less is required for M5.
第8図は、ポリカーボネート基板上に変形層を設け、さ
らにその上にシアニン色素からなる光吸収層を設け、そ
の上に金の反射層を設け、その上にUV硬化樹脂の硬質
層(硬度はロックウェル硬度ASTM D785にお
いてM2O)を設けた光情報記録媒体において、分子量
および組成を変化させることによって透光性基板側の光
吸収層と接する部分の硬度を変化させたときの、同部分
の硬度と再生信号の変調度の関係を示すグラフである。In Figure 8, a deformable layer is provided on a polycarbonate substrate, a light absorbing layer made of cyanine dye is provided on top of the deformable layer, a gold reflective layer is provided on top of that, and a hard layer of UV curing resin (hardness is In an optical information recording medium equipped with a Rockwell hardness ASTM D785 (M2O), the hardness of the part in contact with the light absorption layer on the transparent substrate side is changed by changing the molecular weight and composition. 3 is a graph showing the relationship between the modulation degree of the reproduction signal and the modulation degree of the reproduced signal.
第8図から分かるように、CD規格を満足する変調度が
得られるための透光性基板側の光吸収層と接する部分の
硬度はロックウェル硬度ASTM D785において
M90以下であることが必要であり、望ましくは、M8
5以下、さらに望ましくはM75以下である。As can be seen from Figure 8, in order to obtain a modulation degree that satisfies the CD standard, the hardness of the portion of the transparent substrate that is in contact with the light absorption layer must be M90 or less in terms of Rockwell hardness ASTM D785. , preferably M8
5 or less, more preferably M75 or less.
また、本発明による光情報記録媒体には反射層側に硬質
層が設けられているため、ビットは反射層側の層よりも
透光性基板側に、より明確に形成することができる。従
って、反射層側に形成された変形部分に起因する二次的
な反射光が生じないため、再生波形の歪みを押さえるこ
とができ、CD規格に規定するブロックエラーレートを
低く抑えることができる。Further, since the optical information recording medium according to the present invention is provided with a hard layer on the reflective layer side, the bits can be formed more clearly on the transparent substrate side than on the reflective layer side. Therefore, since no secondary reflected light is generated due to the deformed portion formed on the reflective layer side, distortion of the reproduced waveform can be suppressed, and the block error rate specified in the CD standard can be suppressed to a low level.
さらに、本発明による光情報記録媒体では、基板に少な
くとも、光吸収層、反射層、硬質層等の薄膜が設けられ
て構成されるため、CD規格に規定する全厚の範囲に容
易に収めることができる。Furthermore, since the optical information recording medium according to the present invention is configured such that the substrate is provided with at least thin films such as a light absorption layer, a reflective layer, and a hard layer, the total thickness can be easily kept within the range specified by the CD standard. Can be done.
本発明による光情報記録媒体によって形成されたビット
は、CDのような予めプレス等の手段によって基板表面
に形成されたビットと同様の機能をする。そのため、C
Dと同様の再生波形を容易に得ることができる。The bits formed by the optical information recording medium according to the present invention have the same function as bits formed in advance on the surface of a substrate by means such as pressing, such as CDs. Therefore, C
A reproduced waveform similar to D can be easily obtained.
また、本発明者らは、本発明による光情報記録媒体によ
ってCD規格に準拠した反射率70%以上という出力信
号が得られるためには、光情報記録媒体の光吸収層の複
素屈折率の実数部n absとその膜厚d absと、
再生光の波長λとで与えられるρ= n abs−d
abs /λが非常に重要なパラメーターであることに
着目し、実験およびシミュレーションを行った結果、第
9図のような関係を得ることができた。第9図は、再生
光として、波長λ=780nmの半導体レーザを用■た
場合に、光情報記録媒体の光吸収層の複素屈折率の実数
部n absとその膜厚d absと、再生光の波長λ
とで与えられるρ= nabs・dabs/λと、基板
側から入射させた光の反射率との関係を示すグラフであ
る。In addition, the present inventors have found that in order to obtain an output signal with a reflectance of 70% or more that complies with the CD standard with the optical information recording medium according to the present invention, it is necessary to part n abs and its film thickness d abs,
ρ=n abs-d given by the wavelength λ of the reproduction light
Focusing on the fact that abs/λ is a very important parameter, we conducted experiments and simulations and were able to obtain the relationship shown in FIG. 9. Figure 9 shows the real part n abs of the complex refractive index of the light absorption layer of the optical information recording medium, its film thickness d abs, and the reproduction light when a semiconductor laser with a wavelength λ = 780 nm is used as the reproduction light. wavelength λ
7 is a graph showing the relationship between ρ=nabs·dabs/λ given by and the reflectance of light incident from the substrate side.
このグラフを見ると、ρが0.6よりも小さいときには
、はぼ確実に反射率が70%以上を確保できることがわ
かる。ρが0.05に満たない領域や、0.6を越える
領域であっても70%以上の反射率が得られる場合があ
る。しかし、ρが0.05に満たない領域の場合は、光
吸収層の膜厚d absを0.05μm以下と、相当薄
くしなければならないため、データの記録のためのビッ
トを形成するのが困難となり、上記のような再生信号が
得られない。また、0゜6を越える領域の場合は、均一
な膜厚に制御することが困難になり、記録特性にばらつ
きが生じ、I3/Itopが0.3に満たなかったり、
ジッターエラーが増大したりする等の実用上の問題が生
じる。すなわち、ρを0.05〜0゜6とすることによ
り、反射率をCD規格に規定する70%以上とすること
ができることがわかる。Looking at this graph, it can be seen that when ρ is smaller than 0.6, it is possible to almost certainly ensure a reflectance of 70% or more. Even in a region where ρ is less than 0.05 or a region where ρ exceeds 0.6, a reflectance of 70% or more may be obtained. However, in the case where ρ is less than 0.05, the film thickness of the light absorption layer dabs must be made considerably thinner, at 0.05 μm or less, so it is difficult to form bits for recording data. This makes it difficult to obtain the reproduced signal as described above. Furthermore, in the case of a region exceeding 0°6, it becomes difficult to control the film thickness to be uniform, resulting in variations in recording characteristics, and I3/Itop may be less than 0.3.
This causes practical problems such as an increase in jitter errors. That is, it can be seen that by setting ρ to 0.05 to 0°6, the reflectance can be increased to 70% or more as specified in the CD standard.
本発明者らはこれらの結果をさらに検討した結果、ρを
0.05〜0.6の範囲内に設定しただけでは必ずしも
CD規格に規定されたような出力信号を安定して得られ
るわけではなく、光吸収層の複素屈折率の虚部k ab
sが重要なパラメーターであることを見出だした。第1
0図は、反射層にAu膜を用いた光情報記録媒体におい
て、シアニン系色素からなる光吸収層の透光性を変え、
ρを一定にしながら、その虚部kabsをOに近い値か
ら2.0まで変化させたときの反射率の変゛化を示すグ
ラフである。The inventors further studied these results and found that simply setting ρ within the range of 0.05 to 0.6 does not necessarily guarantee a stable output signal as stipulated by the CD standard. imaginary part k ab of the complex refractive index of the light absorption layer
It was found that s is an important parameter. 1st
Figure 0 shows that in an optical information recording medium that uses an Au film as a reflective layer, the translucency of the light absorption layer made of cyanine dye is changed.
7 is a graph showing changes in reflectance when the imaginary part kabs is changed from a value close to O to 2.0 while keeping ρ constant.
このグラフをみると、kabsが0に近づけば近づくほ
ど反射率が高くなることがわかる。本発明者らは、実験
およびシミュレーションの結果より、ρが0605〜0
.6の範囲内で安定して高い反射率を維持するためには
、光吸収層の透光性が十分高(なければならず、同層の
複素屈折率の虚部k absが0.3以下である必要が
あることを見出だした。ρが0.05〜0゜6の範囲内
であうでも、kabsが0. 3よりも大きいと反射率
70%以上を確保することは困難である。Looking at this graph, it can be seen that the closer kabs is to 0, the higher the reflectance becomes. Based on the results of experiments and simulations, the present inventors found that ρ was 0605 to 0.
.. In order to maintain a stable high reflectance within the range of Even if ρ is within the range of 0.05 to 0°6, it is difficult to ensure a reflectance of 70% or more when kabs is larger than 0.3.
これらの結果より、第11図のような結果を得ることが
できる。第11図は、ρとk absとの値においてC
D規格に準拠する組み合わせの臨界値を示すグラフであ
る。From these results, results as shown in FIG. 11 can be obtained. Figure 11 shows that C
It is a graph which shows the critical value of the combination based on D standard.
このグラフかられかるように、CD規格に準拠する記録
信号を得ることができる光情報記録媒体を提供するため
には、ρ= n abs−d abs /λが0.05
〜0.6の範囲で、かつk absが0.3以下である
ことが必要であることがわがる。As can be seen from this graph, in order to provide an optical information recording medium that can obtain a recording signal that complies with the CD standard, ρ=nabs-dabs/λ must be 0.05.
It can be seen that it is necessary for the k abs to be in the range of ~0.6 and 0.3 or less.
さらにいえば、ρ= n abs−d abs /λは
0゜05〜0.6の範囲が望ましいが、十分な変調度を
とるためには、0.1以上の範囲が望ましく、変調度の
大きい安定した記録特性を得るためには、0.45±0
.1の範囲が最も望ましい。Furthermore, it is desirable that ρ = n abs - d abs /λ be in the range of 0°05 to 0.6, but in order to obtain a sufficient degree of modulation, it is desirable that it be in the range of 0.1 or more. In order to obtain stable recording characteristics, 0.45±0
.. A range of 1 is most desirable.
他方、kabsは、0.3以下であれば、0に近づけば
近づくほど反射率は向上する。従って、この範囲が最も
望ましい。しかし、0に近づけば近づくほど記録感度が
悪くなるため、0より大きいことが必要である。具体的
には、0.1以下の範囲が望ましく、実際には、0.0
5前後が望ましい。On the other hand, if kabs is 0.3 or less, the reflectance improves as it approaches 0. Therefore, this range is most desirable. However, the closer it gets to 0, the worse the recording sensitivity becomes, so it is necessary that it be larger than 0. Specifically, a range of 0.1 or less is desirable, and in reality, 0.0
Around 5 is desirable.
なお、本発明は、既に述べた層板外の層がある場合にお
いても適用が可能である。たとえば、基板と光吸収層と
の間に透明層(たとえば5i02等のエンハンス層、下
引き層等)を設けた場合には、この層を基板の一部とし
て上記の定数を扱っても良く、光吸収層と反射層との間
に層(たとえば、接着層、硬質層等)を設けた場合には
、これらの層を第二の吸収層として考え、1)= (r
l” d++12” d2)/λとして扱い、多数層に
なる場合には、ρ=Σ(rr+・dl)/λ(但し、i
は整数)とすれば、上記と同様に扱うことができる。Note that the present invention can be applied even when there is a layer other than the above-mentioned laminate. For example, if a transparent layer (for example, an enhancement layer such as 5i02, an undercoat layer, etc.) is provided between the substrate and the light absorption layer, the above constants may be treated with this layer as part of the substrate. When a layer (for example, adhesive layer, hard layer, etc.) is provided between the light absorption layer and the reflection layer, these layers are considered as the second absorption layer, and 1) = (r
l"d++12" d2)/λ, and in the case of multiple layers, ρ=Σ(rr+・dl)/λ (however, i
is an integer), it can be treated in the same way as above.
また、kが、0でない場合には、膜厚の比率によって平
均値としてのkを、k=Σd+に+/Σd1として求め
れば単層の場合と同様に扱うことができる。Further, when k is not 0, it can be handled in the same way as in the case of a single layer by calculating the average value k from the ratio of film thicknesses as k=Σd++/Σd1.
また、基板にグループが形成されている場合には、da
bsは、グループ内の光吸収層の膜厚とランド部の光吸
収層の膜厚の全面積の平均値であられされる。In addition, if groups are formed on the substrate, da
bs is the average value of the total area of the film thickness of the light absorption layer in the group and the film thickness of the light absorption layer in the land portion.
[実 施 例コ
次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について詳
細に説明する。[Embodiments] Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、第
1図〜第7図に示す。同図において、lは、透光性基板
、2は、その上に形成された光吸収層で、照射されたレ
ーザ光を吸収し、それに接する層にビットを形成する作
用を有する層である。第4図〜第7図においてのみ示さ
れた6の符号は、透光性基板1と光吸収層20間に存在
する中間層で、これが存在する場合は、光吸収層にエネ
ルギーが与えられることにより、第5図に示すように、
中間層6が変形し、ビット5が形成される。また、中間
層6の膜厚が比較的薄い場合には、第7図で示すように
、変形が基板1に及ぶことがある。さらに、このような
中間層6が存在しない場合には、第3図で示すように、
基板1の界面が変形され、そこにビット5が形成される
。また3は、その上に形成された反射層、4は、その外
側に設けられた保護層を示す。Examples of the schematic structure of the optical information recording medium according to the present invention are shown in FIGS. 1 to 7. In the figure, 1 is a light-transmitting substrate, and 2 is a light-absorbing layer formed thereon, which has the function of absorbing irradiated laser light and forming bits in a layer in contact with it. The reference numeral 6 shown only in FIGS. 4 to 7 is an intermediate layer existing between the transparent substrate 1 and the light absorption layer 20, and when this exists, energy is given to the light absorption layer. As shown in Figure 5,
The intermediate layer 6 is deformed and the bit 5 is formed. Furthermore, if the intermediate layer 6 is relatively thin, the deformation may extend to the substrate 1, as shown in FIG. Furthermore, if such an intermediate layer 6 does not exist, as shown in FIG.
The interface of the substrate 1 is deformed and a bit 5 is formed there. Further, 3 indicates a reflective layer formed thereon, and 4 indicates a protective layer provided outside thereof.
第2図、第4図及び第6図は、レーザ光による記録前の
状態を、第3図、第5図及び第7図は、レーザ光による
記録後の状態、すなわち、ビット5が形成された状態を
模式的に示す。2, 4, and 6 show the state before recording with laser light, and FIGS. 3, 5, and 7 show the state after recording with laser light, that is, when bit 5 is formed. This diagram schematically shows the state in which
透光性基板1の材料は、レーザー光に対する屈折率が1
. 4〜1.6の範囲の透明度の高い材料で、耐衝撃性
に優れた樹脂が望ましい。具体的には、ポリカーボネー
ト、アクリル等が例示できるが、これらに限られるわけ
ではない。The material of the transparent substrate 1 has a refractive index of 1 with respect to laser light.
.. A resin with high transparency in the range of 4 to 1.6 and excellent impact resistance is desirable. Specific examples include polycarbonate, acrylic, etc., but are not limited to these.
上記のような材料を用いて、基板lは例えば射出成形等
の手段により成形される。The substrate 1 is molded using the above-mentioned materials, for example, by injection molding or the like.
このような基板lに、スパイラル状にプリグループが形
成されていてもよい。プリグループは、通常考えられる
条件のものであればどのような条件のものでもよいが、
50〜250nmの深さが好適であり、さらに望ましく
は80〜180nmの深さであることが望ましい。A pre-group may be formed in a spiral shape on such a substrate l. The pre-group may be under any conditions that can be considered normally, but
The depth is preferably 50 to 250 nm, more preferably 80 to 180 nm.
プリグループは、基板lの射出成形時のスタンパを押し
当てることにより形成されるのが通常であるが、レーザ
ーによってカッティングすることや2P法によって作ら
れるものでもよい。The pre-group is usually formed by pressing a stamper during injection molding of the substrate 1, but it may also be formed by laser cutting or the 2P method.
光吸収層2と接する中間層6は、ポリカーボネート、ア
クリル、エポキシ等が例示でき、分子量、組成を変化さ
せることにより硬度を調節する。なお、既に説明したよ
うに、中間層6が無(て、光吸収層2に直接透光性基板
lが接していてもよく、また、中間層6が複数面存在し
ていてもよい。The intermediate layer 6 in contact with the light absorption layer 2 can be made of polycarbonate, acrylic, epoxy, etc., and its hardness can be adjusted by changing the molecular weight and composition. As already explained, there may be no intermediate layer 6, and the light-transmitting substrate 1 may be in direct contact with the light absorption layer 2, or there may be a plurality of intermediate layers 6.
基板1と光吸収層1との間に、上記中間層6以外に、5
i02等の耐溶剤層やエンハンス層をコーティングして
おいてもよい。Between the substrate 1 and the light absorption layer 1, in addition to the intermediate layer 6, 5
It may be coated with a solvent-resistant layer or an enhancement layer such as i02.
光吸収層2の材料は、光吸収性の有機色素が望ましく、
シアニン色素、ポリメチン色素、トリアリールメタン色
素、ビリリウム色素、フェナンスレン色素、テトラデヒ
ドロコリン色素、トリアリールアミン色素、スクアリリ
ウム色素、クロコニックメチン色素等が例示できるが、
これらに限定されるものではな(、公知の低融点金属等
の記録材料でも本発明の効果を得ることが可能である。The material of the light-absorbing layer 2 is preferably a light-absorbing organic dye.
Examples include cyanine dyes, polymethine dyes, triarylmethane dyes, biryllium dyes, phenanthrene dyes, tetradehydrocholine dyes, triarylamine dyes, squarylium dyes, croconic methine dyes, etc.
The present invention is not limited to these materials (although the effects of the present invention can also be obtained with recording materials such as known low-melting point metals).
なお、光吸収層2には、他の色素、樹脂(例えばニトロ
セルロース等の熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー)
、液ゴム等を含んでいても良い。Note that the light absorption layer 2 may contain other dyes and resins (for example, thermoplastic resins such as nitrocellulose, thermoplastic elastomers).
, liquid rubber, etc. may be included.
光吸収層2は、上記の色素および任意の添加剤を公知の
有機溶媒(たとえばケトンアルコール、アセチルアセト
ン、メチルセロソルブ、トルエン等)で溶解したものを
プリグループが形成された透光性基板、或はさらに基板
l上に他の層をコーティングした上に形成される。The light absorption layer 2 is a light-transmitting substrate on which pre-groups are formed by dissolving the above-mentioned dye and any additives in a known organic solvent (for example, ketone alcohol, acetylacetone, methyl cellosolve, toluene, etc.), or Furthermore, it is formed by coating other layers on the substrate l.
この場合の形成手段としては、蒸着法、LB法、スピン
コード法等が挙げられるが、光吸収層の濃度、粘度、溶
剤の乾燥速度を調節することにより層厚を制御できるた
めに、スピンコード法が望ましい。Formation methods in this case include vapor deposition method, LB method, spin code method, etc.; Law is preferable.
反射層3は、金属膜が望ましく、例えば、金、銀、アル
ミニウムあるいはこれらを含む合金を、蒸着法、スパッ
タ法等の手段により形成される。The reflective layer 3 is preferably a metal film, and is formed of, for example, gold, silver, aluminum, or an alloy containing these by means such as vapor deposition or sputtering.
反射率が70%以上を有することが必要であるため、金
または金を含む合金を主体とする金属で形成することが
望ましい。また、反射層の酸化を防止するための耐酸化
層等の他の層を介在させてもよい。Since it is necessary to have a reflectance of 70% or more, it is desirable to use a metal mainly composed of gold or an alloy containing gold. Further, other layers such as an oxidation-resistant layer for preventing oxidation of the reflective layer may be interposed.
なお、光吸収層2より反射層3側にある層は、基板1側
の層に比べて熱変形温度が高く、かつ硬度が高いことが
望ましい。このように構成することによって記録信号の
ブロックエラーレートの低減に効果が認められる。Note that it is desirable that the layer closer to the reflective layer 3 than the light absorbing layer 2 has a higher thermal deformation temperature and higher hardness than the layer closer to the substrate 1. This configuration is effective in reducing the block error rate of recording signals.
硬質層4は光吸収層2よりも反射層3側に設けられる層
であり、保護層としての機能を兼ねてもよい。硬度は透
光性基板1側の光吸収層2と接する部分と同じであって
も良いが、できればこれよりも高い硬度の材質であるこ
とが望ましく、そうすることにより、再生波形に歪みが
でき難くなる。具体的には、ロックウェル硬度ASTM
D75以上、えんぴつ硬度でHB以上であっても、
他の条件との組み合わせ次第で本発明の効果を得ること
が可能である。ただ、ブロックエラーレートBLERを
良(する点を考慮すると、ロックウェル硬度ASTM
D785においてM90以上、えんぴつ硬度でH以上
であることが望ましい。さらに、硬質層4は耐衝撃性の
優れた樹脂によって形成されることが望ましい。たとえ
ば紫外線硬化樹脂をスピンコード法により塗布し、紫外
線を照射して硬化させることにより形成する。The hard layer 4 is a layer provided closer to the reflective layer 3 than the light absorbing layer 2, and may also function as a protective layer. The hardness may be the same as that of the part of the light-transmitting substrate 1 that is in contact with the light absorption layer 2, but it is preferable that the material has a higher hardness than this, so that the reproduced waveform will not be distorted. It becomes difficult. Specifically, Rockwell hardness ASTM
Even if it is D75 or higher and the pencil hardness is HB or higher,
It is possible to obtain the effects of the present invention depending on the combination with other conditions. However, considering that the block error rate BLER is good (Rockwell hardness ASTM
It is desirable to have M90 or higher in D785 and H or higher in pencil hardness. Furthermore, it is desirable that the hard layer 4 be formed of a resin with excellent impact resistance. For example, it is formed by applying an ultraviolet curable resin using a spin code method and curing it by irradiating it with ultraviolet rays.
レーザー光を照射してデータが記録された光情報記録媒
体は、第3図、第5図及び第7図に模式的に示すように
、基板1側の光吸収層2と接する表面部分に、光吸収層
2側に凸となるビット5が確認でき、このようにして形
成されたビット5の再生波形は、CDのそれと同様のも
のであることがわかっている。As schematically shown in FIGS. 3, 5, and 7, the optical information recording medium on which data is recorded by irradiation with laser light has a surface area in contact with the light absorption layer 2 on the substrate 1 side. The bit 5 which is convex toward the light absorption layer 2 side can be confirmed, and it is known that the reproduced waveform of the bit 5 formed in this way is similar to that of a CD.
記録信号の再生は、基板側から読取りレーザーを照射し
、ビット部分の反射光とビット以外の部分の反射光の光
学的位相差を読み取ることにより行われる。Reproduction of the recorded signal is performed by irradiating a reading laser from the substrate side and reading the optical phase difference between the reflected light from the bit portion and the reflected light from the portion other than the bit.
なお、本実施例においては、透光性基板lのほぼ全面に
光吸収層2を形成した場合のみ説明しているが、上記光
吸収層2は透光性基板上の一部の領域に形成し、同光吸
収層2の無い領域を予め信号再生用のビットが形成され
たROM領域とすることもできる。たとえば、透光性基
板1の表面のROM領域となる部分に信号再生用のビッ
トをスタンバ等で予め形成しておき、その外側の領域に
のみ上記材料をコーティングして光吸収層2を形成する
ことにより、透光性基板の外周寄りの一部にのみ光吸収
層2を形成し、ここを記録可能領域とし、それより内周
側の部分にROM領域を形成する等である。このように
ROM領域を設けることにより、一定のROM情報と個
人の追記情報を1つの記憶媒体に収めることができる。In this example, only the case where the light absorption layer 2 is formed on almost the entire surface of the light-transmitting substrate l is described, but the light-absorption layer 2 may be formed on a part of the light-transmitting substrate. However, the area without the light absorption layer 2 can also be used as a ROM area in which bits for signal reproduction are previously formed. For example, a bit for signal reproduction is previously formed in a standby on a portion of the surface of the transparent substrate 1 that will become the ROM region, and the light absorption layer 2 is formed by coating only the outer region with the above-mentioned material. In this way, the light absorption layer 2 is formed only on a part of the transparent substrate near the outer periphery, and this area is used as a recordable area, and a ROM area is formed on the inner periphery side. By providing a ROM area in this manner, certain ROM information and personal additional information can be stored in one storage medium.
また、本発明による光情報記録媒体においては、ディス
ク状の記録媒体に限らず、カード形状の光情報記録媒体
においても同様に考えることができる。Further, the optical information recording medium according to the present invention is not limited to a disk-shaped recording medium, but can be similarly considered to a card-shaped optical information recording medium.
この構成の具体的実施例について、以下に説明する。A specific example of this configuration will be described below.
(実施例1)
表面に幅0. 8μrrh 深さ0. 08 μff
h ピッチ1.6μmのスパイラル状のプリグループ
8が形成された厚さ1. 2mrrh 外径120mm
φ1 内径15mmφのポリカーボネート基板1を射出
成形法により成形した。このポリカーボネート基板lの
ロックウェル硬度ASTMD785は、M75鉛筆硬度
HBと同等であり、熱変形温度ASTM D848は
、4.6kg/cm2.121℃であった。(Example 1) Width 0. 8μrrh depth 0. 08μff
h Thickness: 1.6 mm with spiral pre-groups 8 formed at a pitch of 1.6 μm. 2mrrh outer diameter 120mm
φ1 A polycarbonate substrate 1 having an inner diameter of 15 mmφ was molded by injection molding. The Rockwell hardness ASTM D785 of this polycarbonate substrate 1 was equivalent to the M75 pencil hardness HB, and the heat distortion temperature ASTM D848 was 4.6 kg/cm2.121°C.
光吸収層2を形成するための育機色素として、(1,6
5gの1,1′ジブチル3. 3. 3’3′テトラメ
チル4. 5. 4’、 5’ジベンゾインドジカー
ボシアニンバークロレート(日本感光色素研究新製、品
番NK3219)を、ジアセトンアルコール溶剤10c
cに溶解し、これを上記の基板1の表面に、スピンコー
ド法により塗布し、膜厚130nmの感光色素膜からな
る光吸収層2を形成した。この光吸収層2の複素屈折率
の実数部nabsとその膜厚d absと再生光の波長
λとで与えられるρ= n abs d abs/λは
、0.45であり、かつ上記複素屈折率の虚部k ab
sは0.05であった。As a dye for forming the light absorption layer 2, (1,6
5 g of 1,1' dibutyl3. 3. 3'3'tetramethyl4. 5. 4', 5' dibenzoindodicarbocyanine verchlorate (manufactured by Nippon Kanko Shiki Kenkyushin, product number NK3219) was dissolved in diacetone alcohol solvent 10c.
c and coated on the surface of the above-mentioned substrate 1 by a spin code method to form a light-absorbing layer 2 made of a photosensitive dye film with a thickness of 130 nm. ρ=nabsdabs/λ given by the real part nabs of the complex refractive index of the light absorption layer 2, its film thickness dabs, and the wavelength λ of the reproduction light is 0.45, and the above complex refractive index imaginary part k ab
s was 0.05.
次に、このディスクの直径45〜118mmφの領域の
全面にスパッタリング法により、膜厚80nmのAu膜
を成膜し、反射層3を形成した。さらに、この反射層3
の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコードし、これに紫外
線を照射しで硬化させ、膜厚lOμmの保護層4を形成
した。この保護層4の硬化後のロックウェル硬度AST
M D785はM2Oであり、熱変形温度ASTM
D648は、4.E3kg/cm2.135℃であっ
た。Next, an Au film with a thickness of 80 nm was formed on the entire surface of the disk with a diameter of 45 to 118 mm by sputtering to form a reflective layer 3. Furthermore, this reflective layer 3
An ultraviolet curable resin was spin-coded on top of the resin and cured by irradiating it with ultraviolet rays to form a protective layer 4 having a thickness of 10 μm. Rockwell hardness AST after curing of this protective layer 4
M D785 is M2O, heat distortion temperature ASTM
D648 is 4. E3kg/cm2.135°C.
こうして得られた光ディスクに、波長780nmの半導
体レーザを線速1.2m/5eas記録パワー6.0m
Wで照射し、EFM信号を記録した。その後、この光デ
ィスクを、市販のCDプレーヤ(Aurex XR−
V73、再生光の波長λ=780nm)で再生したとこ
ろ、半導体レーザの反射率が72%、I++/It。。A semiconductor laser with a wavelength of 780 nm was applied to the optical disc thus obtained at a linear velocity of 1.2 m/5eas and a recording power of 6.0 m.
It was irradiated with W and the EFM signal was recorded. Thereafter, this optical disc is inserted into a commercially available CD player (Aurex
When reproduced with V73 (wavelength of reproduction light λ=780 nm), the reflectance of the semiconductor laser was 72%, I++/It. .
が0. 68 、I a/ I t6eが0.35、ブ
ロックエラーレートBLERが1.2X10−2であっ
た。また、この光ディスクの全厚は、1.2mmであっ
た。is 0. 68, Ia/It6e was 0.35, and block error rate BLER was 1.2X10-2. Further, the total thickness of this optical disc was 1.2 mm.
CD規格では、全厚が1. 1〜1. 5mrrh反射
率が70%以上、I目/l10oがo、 e以上、I
3/It。、が0.3〜0.7、ブロックエラーレート
BLERが3X10−2以下と定められており、この実
施例による光ディスクは、この規格を満足している。According to the CD standard, the total thickness is 1. 1-1. 5mrrh reflectance is 70% or more, I eye/l10o is o, e or more, I
3/It. , is defined as 0.3 to 0.7, and the block error rate BLER is defined as 3×10 −2 or less, and the optical disc according to this embodiment satisfies these standards.
さらにこの記録後の光ディスクの上記保護層4と光反射
層3とを剥離し、光吸収層2の表面を観察したところピ
ットの輪郭と思われる線状の微小な凹凸が見られた。ま
た、光吸収層2を溶剤で洗浄、除去し、基板1の表面を
観察したところ、そこに光学的に変性したピット5が形
成されているのが確認された。Furthermore, when the protective layer 4 and light reflective layer 3 of the optical disc after recording were peeled off and the surface of the light absorbing layer 2 was observed, minute linear irregularities, which appeared to be the outlines of pits, were observed. Further, when the light absorption layer 2 was cleaned and removed with a solvent and the surface of the substrate 1 was observed, it was confirmed that optically modified pits 5 were formed thereon.
この光ディスクの層構造を第2図に模式的に示し、その
光記録後の状態を第3図に模式的に示す。The layer structure of this optical disk is schematically shown in FIG. 2, and the state after optical recording is schematically shown in FIG.
(実施例2)
上記実施例1において、光吸収層2と光反射層3との間
に、エポキシ樹脂をスピンコードし、膜厚1100nの
硬質層を設けたこと以外は、上記実施例1と同様にして
、光ディスクを製作した。なお、このエポキシ樹脂硬化
後のロックウェル硬度ASTM D785はM2Oで
あり、熱変形温度ASTM D648は、4.6kg
/ c rn 2.135℃であった。(Example 2) Same as Example 1 above except that a hard layer with a thickness of 1100 nm was provided between the light absorption layer 2 and the light reflection layer 3 by spin-coding epoxy resin. An optical disc was produced in the same manner. The Rockwell hardness ASTM D785 after curing of this epoxy resin is M2O, and the heat distortion temperature ASTM D648 is 4.6 kg.
/ crn 2.135°C.
こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、上記実施例1と
同様の半導体レーザの反射率、再生信号出力特性、かえ
られ、さらにブロックエラーレートBLERは、3.0
XIO−3であった。また、光ディスクの全厚は、1.
2mmであった。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was
When played back on a commercially available CD player, the reflectance and playback signal output characteristics of the semiconductor laser were the same as in Example 1, and the block error rate BLER was 3.0.
It was XIO-3. Also, the total thickness of the optical disc is 1.
It was 2 mm.
さらに、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディス
クの基板1の表面を観察したところ、そこにピット5が
形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the substrate 1 of the optical disk after recording was observed in the same manner as in Example 1, it was confirmed that pits 5 were formed there.
(実施例3)
上記実施例1において、光吸収層2と光反射層3との間
であって、光吸収層2の上面に形成するエポキシ樹脂に
代えて膜厚1100nのシリコンアクリル樹脂の硬質層
を設け、この硬質層の上面にエポキシ樹脂からなる20
%mの結着層をそれぞれスピンコード法により形成した
こと以外は、上記実施例1と同様にして、光ディスクを
製作した。なお、シリコンアクリル樹脂屑の硬化後のロ
ックウェル硬度ASTM D785はMlooであり
、熱変形温度ASTMD648は、4.6 k g/
c 〜2,100℃であった。(Example 3) In the above Example 1, instead of the epoxy resin formed on the upper surface of the light absorption layer 2 between the light absorption layer 2 and the light reflection layer 3, a hard silicone acrylic resin with a film thickness of 1100 nm was used. A layer made of epoxy resin is provided on the upper surface of this hard layer.
Optical discs were manufactured in the same manner as in Example 1 above, except that the binding layers of %m were formed by the spin cord method. The Rockwell hardness ASTM D785 after curing of the silicone acrylic resin scrap is Mloo, and the heat distortion temperature ASTM D648 is 4.6 kg/
c~2,100°C.
こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様に
して記録パワー7.0mWにてEFM信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例1と同じCDプレーヤ
(Aurex XR−V73、再生光の波長780n
mで再生したところ、半導体レーザの反射率が75%、
■++/I’t。、が0.83、I3/It。。が0.
35、ブロックエラーレー)BLERが2.5X10−
3であった。また、この光ディスクの全厚は、1.2m
mであった。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was placed in the same CD player as in Example 1 (Aurex XR-V73, with a reproduction light beam of Wavelength 780n
When reproduced with m, the reflectance of the semiconductor laser was 75%,
■++/I't. , is 0.83, I3/It. . is 0.
35, block error rate) BLER is 2.5X10-
It was 3. Also, the total thickness of this optical disc is 1.2m.
It was m.
さらに、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディス
クの基板lの表面を観察したところ、そこにピット5が
形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the substrate 1 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 1, it was confirmed that pits 5 were formed there.
(実施例4)
上記実施例1において、光吸収層2の上に、光反射層3
として金とアンチモンとの9= 1の割合の合金膜を真
空蒸着法で形成したこと、及びこの反射層3の上に、エ
ポキシ樹脂からなる20%mの結着層を介して紫外線硬
化樹脂からなる保護層4を形成したこと以外は、上記実
施例1と同様にして、光ディスクを製作した。なお、上
記光反射層3は、鉛筆硬度としてrHJ以上の硬度を存
する。(Example 4) In the above Example 1, the light reflection layer 3 is placed on the light absorption layer 2.
An alloy film of gold and antimony in a ratio of 9=1 was formed by vacuum evaporation, and on this reflective layer 3, an ultraviolet curable resin was formed via a 20% binder layer made of epoxy resin. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1 above, except that the protective layer 4 was formed. The light reflecting layer 3 has a pencil hardness of rHJ or higher.
こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様に
して記録パワー6.2mWにてEFM信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例1と同じCDプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が72%、1
0/ Ito。EFM signals were recorded on the optical disc thus obtained at a recording power of 6.2 mW in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 1. rate is 72%, 1
0/Ito.
が0. 62 、I 3/ I tooが0.32、ブ
ロックエラーレートBLERが3.5 X 10−3で
あった。また、この光ディスクの全厚は、1.2mmで
あった。is 0. 62, I3/I too was 0.32, and block error rate BLER was 3.5 x 10-3. Further, the total thickness of this optical disc was 1.2 mm.
さらに、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディス
クの基板lの表面を観察したところ、そこにビット5が
形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the substrate l of the optical disk after recording was observed in the same manner as in Example 1, it was confirmed that bits 5 were formed thereon.
(実施例5)
上記実施例1において、ポリカーボネート基板1の光入
射側上に紫外線硬化型ハードコート樹脂をスピンコード
し、厚さ1μmの基板保護層を設け、プリグループを設
けた面上に光吸収層2を形成したこと、及びこの光吸収
層2の上に、光反射層3としてイリジウムと金との3=
1の割合の合金膜をスッパタリング法により形成したこ
と以外は、上記実施例1と同様にして、光ディスクを製
作した。なお、上記光反射層3は、鉛筆硬度として「5
H」以上の硬度を有する。(Example 5) In Example 1 above, an ultraviolet curable hard coat resin was spin-coded on the light incident side of the polycarbonate substrate 1, a substrate protective layer with a thickness of 1 μm was provided, and a light The absorption layer 2 is formed, and on this light absorption layer 2, a light reflection layer 3 of 3= of iridium and gold is formed.
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1 above, except that the alloy film having a ratio of 1:1 was formed by the sputtering method. The light reflecting layer 3 has a pencil hardness of "5".
It has a hardness of H" or higher.
こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
上記実施例1と同じCDプレーヤで再生したところ、半
導体レーザの反射率が70%、I目/It。、が0.6
2、I3/1、。、が0.37、ブロックエラーレート
BLERが3.7X10−3であった。また、この光デ
ィスクの全厚は、1.2mmであった。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was
When reproduced using the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 70%, I/It. , is 0.6
2, I3/1,. , was 0.37, and the block error rate BLER was 3.7X10-3. Further, the total thickness of this optical disc was 1.2 mm.
さらに、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディス
クの基板lの表面を観察したところ、そこにビット5が
形成されているのが確認され(実施例6)
上記実施例1において、光反射層3を厚さ60%mの銀
膜で形成したこと、その上にシリコーン系ハードコート
剤をスピンコードし、これを加熱、硬化させて厚み3μ
mの硬質保護層4を形成した以外は、上記実施例1と同
様にして、光ディスクを製作した。なお、上記保護層4
は、鉛筆硬度としてrHBJ以上の硬度を有する。Furthermore, when the surface of the substrate l of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 1, it was confirmed that bits 5 were formed there (Example 6). The reflective layer 3 was formed of a silver film with a thickness of 60% m, and a silicone hard coating agent was spin-coded on it, and this was heated and cured to a thickness of 3 μm.
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1 above, except that the hard protective layer 4 of m was formed. Note that the protective layer 4
has a pencil hardness equal to or higher than rHBJ.
こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例1と同じCDプレーヤで再生したところ、半導体
レーザの反射率が71%、I++/It。、が0. 6
3、I3/It。。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was
When reproduced using the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 71%, I++/It. , is 0. 6
3, I3/It. .
が0.35、ブロックエラーレートBLERが2.8X
10−3であった。また、この光ディスクの全厚は、1
.2mmであった。is 0.35, block error rate BLER is 2.8X
It was 10-3. Also, the total thickness of this optical disc is 1
.. It was 2 mm.
さらに、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディス
クの基板lの表面を観察したところ、そこにビット5が
形成されているのが確認され(実施例7)
上記実施例1において、膜厚50nmのAu膜を真空蒸
若した光反射層3の上に、ジクリシジルエーテルで希釈
したポリサルファイド添加エポキシ樹脂をスピンコード
して形成された30%mの結着層を介してシリコーン系
ハードコート剤をスピンコードし、これを加熱、硬化さ
せて厚み3μmの硬質保護層4を形成した以外は、上記
実施例1と同様にして、光ディスクを製作した。Furthermore, when the surface of the substrate l of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 1, it was confirmed that bits 5 were formed there (Example 7). A silicone hard coat is applied on the light reflection layer 3 made by vacuum vaporizing a 50 nm thick Au film through a 30% m binder layer formed by spin-coding a polysulfide-added epoxy resin diluted with dicrycidyl ether. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the hard protective layer 4 having a thickness of 3 μm was formed by spin-coding the agent and heating and curing it.
こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例1と同じCDプレーヤで再生したところ、半導体
レーザの反射率が72%、■目/ I t。、が0.6
5、I3/Ito。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was
When played back using the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 72%, and it was 72%. , is 0.6
5, I3/Ito.
が0.35、ブロックエラーレー)BLERが2.5X
10−”であった。また、この光ディスクの全厚は、1
.2mmであった。is 0.35, block error rate) BLER is 2.5X
The total thickness of this optical disc was 10-".
.. It was 2 mm.
さらに、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディス
クの基板1の表面を観察したところ、そこにピット5が
形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the substrate 1 of the optical disk after recording was observed in the same manner as in Example 1, it was confirmed that pits 5 were formed there.
(実施例8)
上記実施例1において、Ll’ ジブチル3.3.3′
、3′テトラメチル5.5′ ジエトキシインドジカー
ボシアニンパークロレートを用いて光吸収層2を形成し
たこと、光反射層3の上にエポキシ樹脂からなる110
0nの硬質層を形成し、さらにこの上に紫外線硬化樹脂
を10μm設けて、保護層4を形成した以外は、上記実
施例1と同様にして、光ディスクを製作した。なお、こ
の光吸収層2のρ= n abs−d abs/λは0
.44であり、kabsは0.03であった。(Example 8) In the above Example 1, Ll' dibutyl 3.3.3'
, 3'tetramethyl5.5'diethoxyindodicarbocyanine perchlorate was used to form the light absorption layer 2, and on the light reflection layer 3, 110 made of epoxy resin was formed.
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1, except that a 0n hard layer was formed, and a 10 μm thick ultraviolet curable resin was further formed on the hard layer to form the protective layer 4. Note that ρ=n abs-d abs/λ of this light absorption layer 2 is 0
.. 44, and kabs was 0.03.
こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例1と同じCDプレーヤで再生したところ、半導体
レーザの反射率が74%、I ++/ I topが0
. 88、Is/It。。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was
When played back using the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 74% and I++/Itop was 0.
.. 88, Is/It. .
が0.34、ブロックエラーレートBLERが8.3X
10−3であった。また、この光ディスクの全厚は、1
.2mmであった。is 0.34, block error rate BLER is 8.3X
It was 10-3. Also, the total thickness of this optical disc is 1
.. It was 2 mm.
さらに、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディス
クの基板lの表面を観察したところ、そこにピット5が
形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the substrate 1 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 1, it was confirmed that pits 5 were formed there.
(実施例9)
上記実施例1において使用したのと同じポリカーボネー
ト基板lの表面にジイソブチルケトンで溶解したアクリ
ル樹脂をスピンコードし、厚み40nmの中間層6を形
成した。この中間層6のロックウェル硬度ASTM
D785は、M85であり、熱変形温度ASTM D
848は、4.6kg/cm2.100℃であった。(Example 9) An acrylic resin dissolved in diisobutyl ketone was spin-coded onto the surface of the same polycarbonate substrate 1 used in Example 1 to form an intermediate layer 6 with a thickness of 40 nm. Rockwell hardness of this intermediate layer 6 ASTM
D785 is M85, heat distortion temperature ASTM D
848 was 4.6 kg/cm2.100°C.
光吸収層2を形成するための有機色素として、0.6g
の1.1’ ジプロピル、 3. 3. 3’3′テ
トラメチル5.5′ ジメトキシインドジカーボシアニ
ンアイオダイドを、イソプロピルアルコール溶剤10c
cに溶解し、これを上記の基板1の表面に、スピンコー
ド法により塗布し、膜厚120nmの感光色素膜からな
る光吸収層2を形成した。この光吸収層2の複素屈折率
の実数部n5bs とその膜厚d abs と再生光の
波長λとで与えられるρ” n abs d mbs/
λは、0.41であり、かつ上記複素屈折率の虚部ka
bsは0.02であった。0.6g as an organic dye for forming the light absorption layer 2
1.1' dipropyl, 3. 3. 3'3'tetramethyl 5.5' dimethoxyindodicarbocyanine iodide was dissolved in isopropyl alcohol solvent 10c.
c and coated on the surface of the above-mentioned substrate 1 by a spin code method to form a light-absorbing layer 2 made of a photosensitive dye film with a thickness of 120 nm. ρ” n abs d mbs/ given by the real part n5bs of the complex refractive index of the light absorption layer 2, its film thickness d abs and the wavelength λ of the reproduction light
λ is 0.41, and the imaginary part ka of the above complex refractive index
bs was 0.02.
次に、この上にシクロヘキサンに溶解したシリコンアク
リル樹脂をスピンコードし、厚さIOOn ms 鉛
筆硬度2H,熱変形温度ASTMD648 4.8kg
/cm2.120℃のシリコンアクリル樹脂層を形成し
、その上にスパッタリング法により、膜厚50nmのA
u膜を成膜し、反射層3を形成した。さらに、この反射
層3の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコードし、これに
紫外線を照射して硬化させ、膜厚lOμmの保護層4を
形成した。この保護層4の硬化後のロックウェル硬度A
STM D785はM2Oであり、熱変形温度AST
M D648は、4.13kg/cm2.135°C
であった。Next, a silicone acrylic resin dissolved in cyclohexane was spin-coded onto this, and the thickness was IO On ms, pencil hardness was 2H, and heat distortion temperature was ASTMD648, 4.8 kg.
/cm2.A silicon acrylic resin layer is formed at 120°C, and a 50 nm thick A layer is deposited on it by sputtering.
A reflective layer 3 was formed by depositing a u film. Furthermore, an ultraviolet curable resin was spin-coded on the reflective layer 3 and cured by irradiating ultraviolet rays to form a protective layer 4 having a thickness of 10 μm. Rockwell hardness A after curing of this protective layer 4
STM D785 is M2O, heat distortion temperature AST
MD648 is 4.13kg/cm2.135°C
Met.
こうして得られた光ディスクに、波長780nmの半導
体レーザを線速1.2m/5ect記録パワー7.5m
Wで照射し、EFM信号を記録した。その後、この光デ
ィスクを、実施例1と同じCDプレーヤで再生したとこ
ろ、半導体レーザの反射率が74%、■目/It0=が
0゜62、I3/It。、が0.31. ブロックエ
ラーレートBLERが4.0XIO−3であった。また
、この光ディスクの全厚は、1.2mmであった。A semiconductor laser with a wavelength of 780 nm was applied to the optical disc thus obtained at a linear velocity of 1.2 m/5ect and a recording power of 7.5 m.
It was irradiated with W and the EFM signal was recorded. Thereafter, when this optical disc was played back on the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 74%, the /It0=0°62, and I3/It. , is 0.31. The block error rate BLER was 4.0XIO-3. Further, the total thickness of this optical disc was 1.2 mm.
さらに、この記録後の光ディスクの上記保護層4と光反
射層3とを剥離し、光吸収層2を溶剤で洗浄、除去し、
中間層6の表面を観察したところ、そこにピット5が形
成されているのが確認された。Furthermore, the protective layer 4 and the light reflection layer 3 of the optical disc after recording are peeled off, the light absorption layer 2 is washed and removed with a solvent,
When the surface of the intermediate layer 6 was observed, it was confirmed that pits 5 were formed there.
(実施例10)
上記実施例9において、中間層6の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み0゜01μmのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層2を形成したこと以外は
、上記実施例9と同様にして、光ディスクを製作した。(Example 10) In Example 9, except that a silicate layer with a thickness of 0°01 μm was provided on the intermediate layer 6 by spin-coding a silicone coating agent, and the light absorption layer 2 was formed on the silicate layer. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9 above.
こうして得られた光ディスクに、上記実施例9と同様に
して記録パワー7.8mWにてEFM信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例9と同じCDプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が73%、1
口/ I topが0.62、Ia/It。、が0.
31、ブロックエラーレートBLERが3.4X10−
3であった。また、この光ディスクの全厚は、162m
mであった。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.8 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 73%, 1
Mouth/I top is 0.62, Ia/It. , is 0.
31. Block error rate BLER is 3.4X10-
It was 3. The total thickness of this optical disc is 162m.
It was m.
さらに、上記実施例9と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層6の表面を観察したところ、そこにビット5
が形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the intermediate layer 6 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 9, it was found that bits 5
was confirmed to be formed.
(実施例11)
上記実施例9において、基板lとしてガラス基板を用い
たこと、及び反射層の上に、トルエンとメチルエチルケ
トンの1= 1の溶剤で溶解したイソシアネート樹脂を
スピンコード法にて形成された厚さ20nmの結着層を
形成したこと以外は、上記実施例9と同様にして、光デ
ィスクを製作した。(Example 11) In the above Example 9, a glass substrate was used as the substrate l, and an isocyanate resin dissolved in a 1=1 solvent of toluene and methyl ethyl ketone was formed on the reflective layer by a spin coding method. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9 above, except that a 20 nm thick binding layer was formed.
こうして得られた光ディスクに、上記実施例9と同様に
して記録パワー7.2mWにてEFM信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例9と同じCDプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が72%、I
z/Itapが0.65、I3/Itopが0.33、
ブロックエラーレートBLERが3.6X10−3であ
った。また、この光ディスクの全厚は、1. 2mmで
あった。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 72%, I
z/Itap is 0.65, I3/Itop is 0.33,
The block error rate BLER was 3.6×10 −3 . The total thickness of this optical disc is 1. It was 2 mm.
さらに、上記実施例9と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層6の表面を観察したところ、そこにビット5
が形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the intermediate layer 6 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 9, it was found that bits 5
was confirmed to be formed.
(実施例12)
上記実施例9において、中間層6の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み0゜01μmのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層2を形成したこと、及び
反射層の上に、ポリブタジェンをスピンコード法にて形
成した厚さ20nmの結着層を形成したこと以外は、上
記実施例9と同様にして、光ディスクを製作した。(Example 12) In Example 9 above, a silicate layer having a thickness of 0.01 μm was provided on the intermediate layer 6 by spin-coding a silicone coating agent, and the light absorption layer 2 was formed on the silicate layer, and An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9 above, except that a 20 nm thick binding layer made of polybutadiene by spin coding was formed on the reflective layer.
こうして得られた光ディスクに、上記実施例9と同様に
して記録パワー7.2mWにてEFM信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例9と同じCDプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が72%、I
II/’It。。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 72%, I
II/'It. .
が0.6B、Ia/It。、が0.35、ブロックエラ
ーレートBLERが3.5X10−3であった。また、
この光ディスクの全厚は、1.2mmであった。is 0.6B, Ia/It. , was 0.35, and the block error rate BLER was 3.5X10-3. Also,
The total thickness of this optical disc was 1.2 mm.
さらに、上記実施例9と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層60表面を観察したところ、そこにビット5
が形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the intermediate layer 60 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 9, it was found that the bit 5
was confirmed to be formed.
(実施例13)
上記実施例9において、中間層6の厚みを20nmとし
たこと、シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反
射層3としてイリジウムと金とのl: 9の割合の合金
膜をスパッタリング法により形成したこと以外は、上記
実施例9と同様にして、光ディスクを製作した。なお、
前記合金膜の鉛筆硬度は2Hであった。(Example 13) In the above Example 9, the thickness of the intermediate layer 6 was set to 20 nm, the silicon acrylic resin layer was not provided, and an alloy film of iridium and gold at a ratio of l: 9 was sputtered as the reflective layer 3. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9 above, except that it was formed by the method. In addition,
The pencil hardness of the alloy film was 2H.
こうして得られた光ディスクに、上記実施例9と同様に
して記録パワー7.0mWにてEFM信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例9と同じCDプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が71%、I
z/Itopが0.63、Ia/It。、が0.32、
ブロックエラーレー)BLERが3.3X10−3であ
った。また、この光ディスクの全厚は、1. 2mmで
あった。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 71%, I
z/Itop is 0.63, Ia/It. , is 0.32,
Block error rate) BLER was 3.3X10-3. The total thickness of this optical disc is 1. It was 2 mm.
さらに、上記実施例9と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層6の表面を観察したところ、そこにビット5
が形成されているのが確認された。このビット5は、中
間層6の膜厚が薄いため、基板の表面にまで達して形成
されている。Furthermore, when the surface of the intermediate layer 6 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 9, it was found that there were bits 5 and 5.
was confirmed to be formed. Since the intermediate layer 6 is thin, the bit 5 is formed to reach the surface of the substrate.
この光ディスクの層構造を第6図に模式的に示し、その
光記録後の状態を第7図に模式的に示す。The layer structure of this optical disk is schematically shown in FIG. 6, and the state after optical recording is schematically shown in FIG.
(実施例14)
上記実施例9において、中間層6の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み0゜01μmのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層2を形成したこと、シリ
コンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層3として
イリジウムと金とのl:9の割合の合金膜をスパッタリ
ング法により形成したこと以外は、上記実施例9と同様
にして、光ディスクを製作した。(Example 14) In Example 9, a silicon coating agent was spin-coded on the intermediate layer 6 to form a silicate layer with a thickness of 0.01 μm, and the light absorption layer 2 was formed on the silicon coating agent. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9, except that the acrylic resin layer was not provided and an alloy film of iridium and gold at a ratio of 1:9 was formed by sputtering as the reflective layer 3.
こうして得られた光ディスクに、上記実施例9と同様に
して記録パワー7.8mWにてEFM信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例9と同じCDプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が71%、I
目/It0pが0. 64.1s/ l10=が0.3
2、ブロックエラーレー)BLERが2.8X10−3
であった。また、この光ディスクの全厚は、1. 2m
mであった。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.8 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 71%, I
Eye/It0p is 0. 64.1s/l10=0.3
2. Block error rate) BLER is 2.8X10-3
Met. The total thickness of this optical disc is 1. 2m
It was m.
さらに、上記実施例9と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層6の表面を観察したところ、そこにピット5
が形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the intermediate layer 6 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 9, it was found that there were pits.
was confirmed to be formed.
(実施例15)
上記実施例9において、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層3としてイリジウムと金とのl:9
の割合の合金膜をスパッタリング法により形成したこと
、及び光反射層の上に、ポリイソプレンをスピンコード
して、厚さ20%mの結着層を形成し、この上に紫外線
硬化性樹脂製の保護層4を形成したこと以外は、上記実
施例9と同様にして、光ディスクを製作した。(Example 15) In the above Example 9, the silicon acrylic resin layer is not provided and the reflective layer 3 is made of iridium and gold at l:9.
An alloy film with a ratio of An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9 above, except that the protective layer 4 was formed.
こうして得られた光ディスクに、上記実施例9と同様に
して記録パワー7.4mWにてEFM信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例9と同じCDプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が72%、I
++/It。。EFM signals were recorded on the optical disk thus obtained at a recording power of 7.4 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disk was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 72%, I
++/It. .
が0.64、I3/Ir。、が0632、ブロックエラ
ーレートBLERが4.lXl0−3であった。また、
この光ディスクの全厚は、1. 2mmであった。is 0.64, I3/Ir. , is 0632, and the block error rate BLER is 4. It was lXl0-3. Also,
The total thickness of this optical disc is 1. It was 2 mm.
さらに、上記実施例9と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層6の表面を観察したところ、そこにピット5
が形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the intermediate layer 6 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 9, it was found that there were pits.
was confirmed to be formed.
(実施例16)
上記実施例9において、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層3として厚さ50%mの銅膜を形成
したこと、及び保護層4としてジグリシジルエーテル溶
剤に希釈したビスフェノール硬化型エポキシ樹脂をスピ
ンコードして厚さ50%mのエポキシ樹脂層を形成した
こと以外は、上記実施例9と同様にして、光ディスクを
製作した。なお、上記保護層はロックウェル硬度AST
M D785がMlloであることから硬質層として
の機能を有する。(Example 16) In Example 9, the silicon acrylic resin layer was not provided, a copper film with a thickness of 50% m was formed as the reflective layer 3, and bisphenol diluted in diglycidyl ether solvent was used as the protective layer 4. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9, except that the curable epoxy resin was spin-coded to form an epoxy resin layer with a thickness of 50% m. The protective layer has a Rockwell hardness of AST.
Since MD785 is Mllo, it functions as a hard layer.
こうして得られた光ディスクに、上記実施例9と同様に
して記録パワー7.0mWにてEFM信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例9と同じCDプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が75%、I
++/It。。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 75%, I
++/It. .
が0.64、Is/It。、が0.33、ブロックエラ
ーレートBLERが2.9XlO−3であった。また、
この光ディスクの全厚は、1.2mmであった。is 0.64, Is/It. , was 0.33, and the block error rate BLER was 2.9XlO-3. Also,
The total thickness of this optical disc was 1.2 mm.
さらに、上記実施例9と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層6の表面を観察したところ、そこにピット5
が形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the intermediate layer 6 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 9, it was found that there were pits.
was confirmed to be formed.
(実施例17)
上記実施例9において、中間層6の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み0゜01μmのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層2を形成したこと、シリ
コンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層3として
厚さ50%mの銅膜を形成したこと、及び保護層4とし
てジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノール
硬化型エポキシ樹脂をスピンコードして厚さ50nmの
エポキシ樹脂層を形成したこと以外は、上記実施例9と
同様にして、光ディスクを製作した。(Example 17) In the above Example 9, a silicate layer with a thickness of 0.01 μm was provided on the intermediate layer 6 by spin-coding a silicon coating agent, and the light absorption layer 2 was formed on the silicon coating agent. No acrylic resin layer was provided, a copper film with a thickness of 50% m was formed as the reflective layer 3, and as the protective layer 4, a bisphenol curing type epoxy resin diluted with diglycidyl ether solvent was spin-coded to a thickness of 50 nm. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9 above, except that the epoxy resin layer was formed.
こうして得られた光ディスクに、上記実施例9と同様に
して記録パワー7.0mWにてEFM信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例9と同じCDプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が74%、I
z/ I topが0. 64 、I a/ I t
opが0.33、ブロックエラーレー)BLERが3.
5X10−3であった。また、この光ディスクの全厚は
、1. 2mmであった。EFM signals were recorded on the thus obtained optical disk at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disk was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 74%, I
z/I top is 0. 64, I a/ I t
OP is 0.33, block error rate) BLER is 3.
It was 5X10-3. The total thickness of this optical disc is 1. It was 2 mm.
さらに、上記実施例9と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層6の表面を観察したところ、そこにピット5
が形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the intermediate layer 6 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 9, it was found that there were pits.
was confirmed to be formed.
(実施例18)
上記実施例9において、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層3として厚さ50nmの銅膜を真空
蒸着法で形成したこと、反射層の上に、トルエンとメチ
ルエチルケトンの6:4の溶剤で溶解したポリ酢酸ビニ
ル樹脂をスピンコードで形成した厚さ20nmの結着層
を介して保護層4を形成したこと、及び保護層4として
ジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノール硬
化型エポキシ樹脂をスピンコードシて厚さ50nmのエ
ポキシ樹脂層を形成したこと以外は、上記実施例9と同
様にして、光ディスクを製作した。(Example 18) In the above Example 9, the silicon acrylic resin layer was not provided, a copper film with a thickness of 50 nm was formed as the reflective layer 3 by vacuum evaporation, and on the reflective layer 6 of toluene and methyl ethyl ketone was added. : The protective layer 4 was formed via a 20 nm thick binder layer formed by spin cording polyvinyl acetate resin dissolved in the solvent of 4, and a bisphenol curing type diluted with diglycidyl ether solvent as the protective layer 4. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 9, except that the epoxy resin was spin-coated to form an epoxy resin layer with a thickness of 50 nm.
こうして得られた光ディスクに、上記実施例9と同様に
して記録パワー7.4mWにてEFM信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例9と同じCDプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が74%、1
目/ I topが0.64、I3/It−が0.3
3、ブロックエラーレートBLERが3.6X10−3
であった。また、この光ディスクの全厚は、1. 2m
mであった。EFM signals were recorded on the optical disc thus obtained at a recording power of 7.4 mW in the same manner as in Example 9, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 9. rate is 74%, 1
Eye/I top is 0.64, I3/It- is 0.3
3. Block error rate BLER is 3.6X10-3
Met. The total thickness of this optical disc is 1. 2m
It was m.
さらに、上記実施例9と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層6の表面を観察したところ、そこにピット5
が形成されているのが確認された。Furthermore, when the surface of the intermediate layer 6 of the optical disc after recording was observed in the same manner as in Example 9, it was found that there were pits.
was confirmed to be formed.
(実施例19)
幅0.5μnh深さO−15μrrh ピッチ1゜6
μmのスパイラル状のプレグルーブが形成された厚さ1
. 2mm5 外径120mmφ、内径15mmφのポ
リカーボネートx板1を射出成形法により成形した。(Example 19) Width 0.5 μnh Depth O-15 μrrh Pitch 1°6
Thickness 1 with μm spiral pregroove formed
.. A polycarbonate x-plate 1 having a diameter of 2 mm5, an outer diameter of 120 mm, and an inner diameter of 15 mm was molded by injection molding.
光吸収層2を形成するための有機色素として、実施例1
と同じ色素0.065gとニトロセルロース0.005
gを、イソプロピルアルコール溶剤10ccに溶解し、
これを上記の基板lの上にスピンコード法により塗布し
、平均膜厚0.025μmの色素膜からなる光吸収層2
を形成した。この光吸収層2の複素屈折率は、nabs
=2. 01kabs =0. 04である。再生光
の半導体レーザの波長λ=780nmであり、ρ= n
abs−d abs /λ=0.064である。Example 1 as an organic dye for forming the light absorption layer 2
0.065g of the same dye and 0.005g of nitrocellulose
Dissolve g in 10 cc of isopropyl alcohol solvent,
This was coated on the above substrate l by a spin code method, and a light absorption layer 2 consisting of a dye film with an average thickness of 0.025 μm was formed.
was formed. The complex refractive index of this light absorption layer 2 is nabs
=2. 01kabs=0. It is 04. The wavelength of the semiconductor laser for reproduction light is λ = 780 nm, and ρ = n
abs-d abs /λ=0.064.
このディスクの全面に蒸着法により、膜厚500オング
ストロームのAu膜を成膜し、反射層3を形成した。こ
の反射層3の複索屈折率はnref =0. 16、k
ref =4. 67である。A reflective layer 3 was formed by depositing an Au film with a thickness of 500 angstroms on the entire surface of this disk by vapor deposition. The double refractive index of this reflective layer 3 is nref =0. 16,k
ref=4. It is 67.
さらに、この反射層3の上に実施例1と同様の紫外線硬
化性樹脂をスピンコードし、これに紫外線を照射して硬
化させ、厚み10μmの保護層4を形成した。Further, an ultraviolet curable resin similar to that in Example 1 was spin-coded on the reflective layer 3, and was cured by irradiating ultraviolet rays to form a protective layer 4 with a thickness of 10 μm.
こうして得られた光ディスクに、実施例1と同様に波長
780nmの半導体レーザによって、EFM信号を記録
し、市販のCDプレーヤで再生した。EFM signals were recorded on the optical disc thus obtained using a semiconductor laser with a wavelength of 780 nm, as in Example 1, and reproduced with a commercially available CD player.
この光ディスクの全厚は、1. 2mrrh 反射率
は82%、I 11/ I topが0.63、I3/
I topが0.31であり、この実施例による光ディ
スクは、CD規格を満足している。The total thickness of this optical disc is 1. 2mrrh Reflectance is 82%, I11/I top is 0.63, I3/
I top is 0.31, and the optical disc according to this example satisfies the CD standard.
(実施例20)
実施例1と同様に成型されたポリカーボネート基板lに
光吸収層2を形成するための有機色素として、1,1′
ジプチル3. 3. 3’、 3テトラメチル5.
6. 5’、 8−テトラメトキシインドジカーボ
シアニンパーク口レートO0050gとニトロセルロー
ス0.005gを、ジアセトンアルコール溶剤10cc
に溶解し、これを上記の基板1の上にスピンコード法に
より塗布し、膜厚0.020μmの色素膜からなる光吸
収層2を形成した。この光吸収層2の複素屈折率は、1
abs=2.0、kabs=0.29である。再生光の
半導体レーザの波長λ=780nmであり、ρ= n
abs−d abs /λ=0゜051である。(Example 20) As an organic dye for forming a light absorption layer 2 on a polycarbonate substrate l molded in the same manner as in Example 1, 1,1'
Diptyl 3. 3. 3', 3tetramethyl5.
6. 5', 8-Tetramethoxyindodicarbocyanine perchlorate O00050g and nitrocellulose 0.005g were mixed with 10cc of diacetone alcohol solvent.
This was applied onto the above-mentioned substrate 1 by a spin code method to form a light absorption layer 2 made of a dye film with a thickness of 0.020 μm. The complex refractive index of this light absorption layer 2 is 1
abs=2.0, kabs=0.29. The wavelength of the semiconductor laser for reproduction light is λ = 780 nm, and ρ = n
abs-d abs /λ=0°051.
このディスクの全面に蒸着法により、膜厚500オング
ストロームのAu膜を成膜し、反射層3を形成し、さら
に、この反射層3の上に実施例1と同様の紫外線硬化性
樹脂をスピンコードし、これに紫外線を照射して硬化さ
せ、厚み10μmの保護層4を形成した。An Au film with a thickness of 500 angstroms was formed on the entire surface of this disk by vapor deposition to form a reflective layer 3, and then an ultraviolet curable resin similar to that in Example 1 was applied by spin cord on the reflective layer 3. This was then cured by irradiation with ultraviolet rays to form a protective layer 4 with a thickness of 10 μm.
こうして得られた光ディスクに、実施例1と同様に波長
780nmの半導体レーザによって、EFM信号を記録
し、市販のCDプレーヤで再生した。EFM signals were recorded on the optical disc thus obtained using a semiconductor laser with a wavelength of 780 nm, as in Example 1, and reproduced with a commercially available CD player.
この光ディスクの全厚は、1. 2mm5 反射率は
70%、I II/ I topが0.64.13/I
topが0.30であり、この実施例による光ディス
クは、CD規格を満足している。The total thickness of this optical disc is 1. 2mm5 Reflectance is 70%, I II/I top is 0.64.13/I
top is 0.30, and the optical disc according to this example satisfies the CD standard.
(実施例21)
幅0. 7μms 深さ0.07 u fib ピッ
チ1゜6μmのスパイラル状のプリグループが形成され
た厚さ1. 2mrrh 外径120mmφ、内径15
mmφのポリカーボネート基板lを射出成形法により成
形した。(Example 21) Width 0. 7 μms depth 0.07 u fib Thickness 1.0 mm with spiral pre-groups formed at pitch 1° 6 μm. 2mrrh Outer diameter 120mmφ, inner diameter 15
A polycarbonate substrate 1 with a diameter of mm was molded by injection molding.
光吸収層2を形成するための有機色素として、実施例1
と同じ色素0.8gを、アセチルアセトン溶剤10cc
に溶解し、これを上記の基板1の上にスピンコード法に
より塗布し、膜厚0゜17μmの色素膜からなる光吸収
層2を形成した。この光吸収層2の複素屈折率は、na
bs=2.7、l<abs =0. 05である。再生
光の半導体レーザの波長λ=780nmであり、ρ=n
abs−d abs /λ=0.59である。Example 1 as an organic dye for forming the light absorption layer 2
0.8g of the same dye as above, 10cc of acetylacetone solvent
This was applied onto the above-mentioned substrate 1 by a spin code method to form a light absorption layer 2 consisting of a dye film having a thickness of 0.times.17 .mu.m. The complex refractive index of this light absorption layer 2 is na
bs=2.7, l<abs=0. It is 05. The wavelength of the semiconductor laser for reproduction light is λ=780 nm, and ρ=n
abs-d abs /λ=0.59.
このディスクの全面に蒸着法により、膜厚500オング
ストロームのAu膜を成膜し、反射層3を形成し、さら
に、この反射層3の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコー
ドし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み10μm
の保護層4を形成した。An Au film with a thickness of 500 angstroms is formed on the entire surface of this disk by vapor deposition to form a reflective layer 3. Further, an ultraviolet curable resin is spin-coded on the reflective layer 3, and ultraviolet rays are applied to this. Irradiate and harden to a thickness of 10 μm.
A protective layer 4 was formed.
こうして得られた光ディスクに、実施例1と同様に波長
780nmの半導体レーザによって、EFM信号を記録
し、市販のCDプレーヤで再生した。EFM signals were recorded on the optical disc thus obtained using a semiconductor laser with a wavelength of 780 nm, as in Example 1, and reproduced with a commercially available CD player.
この光ディスクの全厚は、1.2mm1 反射率は72
%、I 11/ I topが0.62、I3/I t
opが0.32であり、この実施例による光ディスクは
、CD規格を満足している。The total thickness of this optical disc is 1.2 mm1 and the reflectance is 72
%, I11/I top is 0.62, I3/I t
OP is 0.32, and the optical disc according to this example satisfies the CD standard.
(実施例22)
幅0.5μrrh 深さ0. 18μms ピッチ1
゜6μmのスパイラル状のプリグループが形成された厚
さ1. 2mryh 外径120mmφ、内径15mm
φのポリカーボネート基板1を射出成形法により成形し
た。(Example 22) Width 0.5μrrh Depth 0. 18μms pitch 1
Thickness: 1.6 μm spiral pre-group formed. 2mryh Outer diameter 120mmφ, inner diameter 15mm
A polycarbonate substrate 1 having a diameter of φ was molded by injection molding.
光吸収層2を形成するための有機色素として、■、1′
ジエチル3. 3. 3’、 3’テトラメチル5
. 7. 5’、 ?−メトキシインドシカーポジア
ニンパークロレート0.55gを、ジアセトンアルコー
ル溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板1の上にス
ピンコード法により塗布し、平均膜厚120nmの色素
膜からなる光吸収層2を形成した。この光吸収層2の複
素屈折率は、nabs:2.9、kabs=0.20で
ある。再生光の半導体レーザの波長λ=780nmであ
り、ρ= n abs−d abs /λ=0. 45
である。As an organic dye for forming the light absorption layer 2, ■, 1'
Diethyl 3. 3. 3', 3'tetramethyl5
.. 7. 5', ? - Dissolve 0.55 g of methoxyindoxycarpodianine perchlorate in 10 cc of diacetone alcohol solvent, and apply this onto the above substrate 1 by a spin code method to form a light absorption layer consisting of a dye film with an average thickness of 120 nm. 2 was formed. The complex refractive index of this light absorption layer 2 is nabs: 2.9 and kabs = 0.20. The wavelength λ of the semiconductor laser of the reproduction light is 780 nm, and ρ=nabs-dabs/λ=0. 45
It is.
このディスクの全面に蒸着法により、膜厚500オング
ストロームのAu膜を成膜し、反射層3を形成し、さら
に、この反射層3の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコー
ドし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み10μm
の保護層4を形成した。An Au film with a thickness of 500 angstroms is formed on the entire surface of this disk by vapor deposition to form a reflective layer 3. Further, an ultraviolet curable resin is spin-coded on the reflective layer 3, and ultraviolet rays are applied to this. Irradiate and harden to a thickness of 10 μm.
A protective layer 4 was formed.
こうして得られた光ディスクに、実施例1と同様に波長
780nmの半導体レーザによって、EFM信号を記録
し、市販のCDプレーヤで再生した。EFM signals were recorded on the optical disc thus obtained using a semiconductor laser with a wavelength of 780 nm, as in Example 1, and reproduced with a commercially available CD player.
この光ディスクの全厚は、1.2mtrh 反射率は
70%、I 11/ I topが0.70.13/I
topが0.40であり、この実施例による光ディス
クは、CD規格を満足している。The total thickness of this optical disc is 1.2mtrh, the reflectance is 70%, and I11/Itop is 0.70.13/I
top is 0.40, and the optical disc according to this example satisfies the CD standard.
[発明の効果°]
以上説明した通り、本発明によれば、CD規格に規定す
る全厚1.1〜1.5mmの範囲でで、変調度として示
されるI 11/ I topが0゜6以上、13/I
topが0.3〜0.7という再生波形を得ることがで
きる光情報記録媒体をとその記録方法を提供することが
できる。[Effects of the Invention °] As explained above, according to the present invention, I 11 / I top shown as the modulation degree is 0°6 in the total thickness range of 1.1 to 1.5 mm specified in the CD standard. Above, 13/I
It is possible to provide an optical information recording medium that can obtain a reproduced waveform with a top of 0.3 to 0.7, and a recording method thereof.
さらに、光吸収層におけるρ= n abs−d ab
s/λを0.05≦ρ≦0.6、かつk absを0゜
3以下とすることにより、CD規格に準拠した反射率7
0%以上の再生信号が得られる光情報記録媒体を提供す
ることができる。Furthermore, ρ in the light absorption layer = n abs-d ab
By setting s/λ to 0.05≦ρ≦0.6 and k abs to 0°3 or less, the reflectance 7 conforms to the CD standard.
It is possible to provide an optical information recording medium from which a reproduction signal of 0% or more can be obtained.
第1図は、本発明の光情報記録媒体の構造の一例を示す
模式半断面斜視図、第2図は、第1図の記録前の光情報
記録媒体のトラックに沿うて断面した部分断面拡大図、
第3図は、第1図の記録後の光情報記録媒体のトラック
に沿って断面した部分断面拡大図、第4図は、本発明の
光情報記録媒体において中間層が設けられた場合の記録
前の部分断面拡大図、第5図は、本発明の光情報記録媒
体において中間層が設けられた場合の記録後の部分断面
拡大図、第6図は、本発明の光情報記録媒体において中
間層が設けられた場合の記録前の部分断面拡大図、第7
図は、本発明の光情報記録媒体において中間層が設けら
れた変形層が2層の場合の記録後の部分断面拡大図、第
8図は、変形層の硬度と変調度の関係を示すグラフ、第
9図は、光情報記録媒体の光吸収層のρ= n abs
−d abs /λと反射率との関係の例を示すグラフ
、第10図は、光吸収層の複素屈折率の虚部k abs
と反射率との関係を示すグラフ、第11図は、ρ= n
abs−d abS/λとk absにおいて反射率
がCD規格を満たす領域を示すグラフである。
l・・・基板 2・・・光吸収層 3・・・反射層 4
・・・硬質層 5・・・ピット 6・・・中間層 7・
・・レーザ光8・・・ピックアップFIG. 1 is a schematic half-sectional perspective view showing an example of the structure of the optical information recording medium of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged partial cross-sectional view taken along the track of the optical information recording medium before recording in FIG. figure,
FIG. 3 is an enlarged partial cross-sectional view taken along the track of the optical information recording medium after recording shown in FIG. 1, and FIG. 4 shows recording when an intermediate layer is provided in the optical information recording medium of the present invention. FIG. 5 is an enlarged partial cross-sectional view of the optical information recording medium of the present invention after recording when an intermediate layer is provided, and FIG. Enlarged partial cross-sectional view before recording when a layer is provided, No. 7
The figure is an enlarged partial sectional view after recording in the case where the optical information recording medium of the present invention has two deformable layers provided with an intermediate layer, and FIG. 8 is a graph showing the relationship between the hardness of the deformable layer and the degree of modulation. , FIG. 9 shows ρ=n abs of the light absorption layer of the optical information recording medium.
A graph showing an example of the relationship between −d abs /λ and reflectance, FIG. 10, shows the imaginary part k abs of the complex refractive index of the light absorption layer.
A graph showing the relationship between ρ and reflectance, Figure 11, shows ρ= n
It is a graph showing the region where the reflectance satisfies the CD standard in abs-d abS/λ and k abs. l...Substrate 2...Light absorption layer 3...Reflection layer 4
...Hard layer 5...Pit 6...Intermediate layer 7.
...Laser light 8...Pickup
Claims (3)
収層と、前記光吸収層の上に直接または他の層を介して
反射層と硬質層が設けられた光情報記録媒体において、
上記光吸収層よりも透光性基板側の、光吸収層と接する
部分のロックウェル硬度ASTMD785がM90以下
であることを特徴とする光情報記録媒体。(1) Optical information recording in which a light-absorbing layer is provided on a light-transmitting substrate, either directly or through another layer, and a reflective layer and a hard layer are provided on the light-absorbing layer, directly or through another layer. In the media,
An optical information recording medium characterized in that the Rockwell hardness ASTM D785 of a portion closer to the light-transmitting substrate than the light-absorbing layer and in contact with the light-absorbing layer is M90 or less.
、光吸収層の複素屈折率の実数部n_a_b_sと膜厚
d_a_b_sと再生光の波長λとで与えられるρ=n
_a_b_s・d_a_b_s/λが、0.05≦ρ≦
0. 6であり、かつ光吸収層の複素屈折率の虚部k_a_b
_sが0.3以下であることを特徴とする光情報記録媒
体(2) In claim 1 above, the light absorption layer is defined by ρ=n given by the real part n_a_b_s of the complex refractive index of the light absorption layer, the film thickness d_a_b_s, and the wavelength λ of the reproduction light.
_a_b_s・d_a_b_s/λ is 0.05≦ρ≦
0. 6, and the imaginary part k_a_b of the complex refractive index of the light absorption layer
An optical information recording medium characterized in that __s is 0.3 or less
ザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上に直接ま
たは他の層を介して反射層と硬質層が設けられ、上記光
吸収層よりも透光性基板側の、光吸収層と接する部分の
ロックウェル硬度ASTMD785がM90以下である
光情報記録媒体を用い、透光性基板側からレーザ光を光
吸収層に照射し、光吸収層にエネルギーを与えることに
よって透光性基板側の光吸収層に接する部分を変形させ
、同部分にピットを形成する光情報記録方法。(3) A light-absorbing layer that absorbs laser light is provided on the light-transmitting substrate, either directly or through another layer, and a reflective layer and a hard layer are provided on the light-absorbing layer, either directly or through another layer. Using an optical information recording medium in which the Rockwell hardness ASTM D785 of the part in contact with the light-absorbing layer, which is closer to the light-transmitting substrate than the light-absorbing layer, is M90 or less, a laser beam is applied to the light-absorbing layer from the light-transmitting substrate side. An optical information recording method that deforms the part of the light-transmitting substrate that is in contact with the light-absorbing layer by applying energy to the light-absorbing layer, thereby forming pits in the same part.
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Publication Number | Publication Date |
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JPH02139733A true JPH02139733A (en) | 1990-05-29 |
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ID=26519779
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP1219738A Expired - Lifetime JPH0827974B2 (en) | 1988-08-26 | 1989-08-26 | Optical information recording medium and optical information recording method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH0827974B2 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003063153A1 (en) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Pioneer Corporation | Optical disk of intergroove recording system |
WO2003063152A1 (en) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Pioneer Corporation | Optical disk by in-groove recording method |
WO2009050858A1 (en) * | 2007-10-15 | 2009-04-23 | Fujifilm Corporation | Method for cleaning heat mode type recording medium layer, method for manufacturing product having recess and projection, method for manufacturing light emitting element and method for manufacturing optical element |
WO2012137602A1 (en) * | 2011-04-01 | 2012-10-11 | ソニー株式会社 | Recording device, recording method, and optical recording medium |
-
1989
- 1989-08-26 JP JP1219738A patent/JPH0827974B2/en not_active Expired - Lifetime
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WO2012137602A1 (en) * | 2011-04-01 | 2012-10-11 | ソニー株式会社 | Recording device, recording method, and optical recording medium |
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Publication number | Publication date |
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JPH0827974B2 (en) | 1996-03-21 |
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