JPH02136861A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真感光体の改良に関する。
近年、電子写真複写機に使用される感光体として、低価
格、生産性及び無公害等の利点を有する有機系の感光材
料を用いたものが普及いまじめている。
格、生産性及び無公害等の利点を有する有機系の感光材
料を用いたものが普及いまじめている。
有機系の電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾール
(PVK)に代表される光導電性樹脂、1)VKTNF
(2,4,7−トリニトロフルオレノン)に代表される
電荷移1tl[7体型、フタロシアニン−バインダーに
代表される顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質と
を組合せて用いる機能分離型の感光体などが知られてお
り、特に機能分離型の感光体が注[」されている。
(PVK)に代表される光導電性樹脂、1)VKTNF
(2,4,7−トリニトロフルオレノン)に代表される
電荷移1tl[7体型、フタロシアニン−バインダーに
代表される顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質と
を組合せて用いる機能分離型の感光体などが知られてお
り、特に機能分離型の感光体が注[」されている。
この様な機能分離型の高感度感光体を、カールソンプロ
セスに適用した場合、aF導電性低く、電荷保持特性が
悪い(暗減衰が大きい)上、繰返し使用による、これら
特性の劣化が大きく、画像上に。
セスに適用した場合、aF導電性低く、電荷保持特性が
悪い(暗減衰が大きい)上、繰返し使用による、これら
特性の劣化が大きく、画像上に。
濃度t1う、カブリ、また反転現像の場合、地汚れを生
じるという欠点を有している。
じるという欠点を有している。
また一般に、高感度感光体は、前露光疲労によって帯電
性が低下する。この前露光疲労は主に電?11i生材料
が吸収する光によって起こることから、光吸収によって
発生した電荷が移動可能な状態で感光体内に残留してい
る時間が長い程、またその′電荷の数が多い程、前露光
疲労による帯電性の低下が著しくなると考えられる。即
ち、光吸収によって発生した電荷が残留している状態で
帯電操作をしても、残留しているキャリアの移動で表面
電荷が中和される為、残留電荷が消費されるまで表面電
位は上昇しない、従って、前露光疲労分だけ表面電位の
上昇が遅れることになり、見かけ上の帯電位は低くなる
。
性が低下する。この前露光疲労は主に電?11i生材料
が吸収する光によって起こることから、光吸収によって
発生した電荷が移動可能な状態で感光体内に残留してい
る時間が長い程、またその′電荷の数が多い程、前露光
疲労による帯電性の低下が著しくなると考えられる。即
ち、光吸収によって発生した電荷が残留している状態で
帯電操作をしても、残留しているキャリアの移動で表面
電荷が中和される為、残留電荷が消費されるまで表面電
位は上昇しない、従って、前露光疲労分だけ表面電位の
上昇が遅れることになり、見かけ上の帯電位は低くなる
。
上述の欠点に対して、例えば、特開昭47−6341.
48−3544および48−12034号には硝酸セル
ロース系樹脂中間層が、特開昭48−47344.52
−25638.5830757.58−63945.5
8−95351,58−98739および60−662
58号にはナイロン系樹脂中間層が、特開昭49693
32および52−10138号にはマレイン酸系樹脂中
間層が、そして特開昭58−105155号にはポリビ
ニルアルコール樹脂中間層がそれぞれ開示されている。
48−3544および48−12034号には硝酸セル
ロース系樹脂中間層が、特開昭48−47344.52
−25638.5830757.58−63945.5
8−95351,58−98739および60−662
58号にはナイロン系樹脂中間層が、特開昭49693
32および52−10138号にはマレイン酸系樹脂中
間層が、そして特開昭58−105155号にはポリビ
ニルアルコール樹脂中間層がそれぞれ開示されている。
また、中間層の電気抵抗を制御すべく種々の導電性添加
物を樹脂中に含有させた中間層が提案されている。例え
ば、特開昭51−65942号にはカーボンまたはカル
コゲン系物質を硬化性樹脂に分散した中間層が、特開昭
52−82238号には四級アンモニウム塩を添加して
インシアネート系硬化剤を用いた熱xtt合体中間層が
、特開昭55−1180451号には抵抗調節剤を添加
した樹脂中間層が、特開昭58−58556号にはアル
ミニウムまたはスズの酸化物を分散した樹脂中間j〜が
、特開昭58−9:1062号には有機金属化合物を添
加した樹脂中間層が、特開昭58− !] 30 Ei
:l、60−97363および60−111255号
には4電性粒子を分散した樹脂中間Jiグが、さらに特
開昭59111+257.59−93453および60
−32054号にはTiO2とSnO□粉体とを分散し
た樹脂中間Rりが開示されている。
物を樹脂中に含有させた中間層が提案されている。例え
ば、特開昭51−65942号にはカーボンまたはカル
コゲン系物質を硬化性樹脂に分散した中間層が、特開昭
52−82238号には四級アンモニウム塩を添加して
インシアネート系硬化剤を用いた熱xtt合体中間層が
、特開昭55−1180451号には抵抗調節剤を添加
した樹脂中間層が、特開昭58−58556号にはアル
ミニウムまたはスズの酸化物を分散した樹脂中間j〜が
、特開昭58−9:1062号には有機金属化合物を添
加した樹脂中間層が、特開昭58− !] 30 Ei
:l、60−97363および60−111255号
には4電性粒子を分散した樹脂中間Jiグが、さらに特
開昭59111+257.59−93453および60
−32054号にはTiO2とSnO□粉体とを分散し
た樹脂中間Rりが開示されている。
しかしながら、繰り返し使用によろシ;V電性の低ド、
とりわけ帯電々位の立上りの遅れに関しては未だに不充
分であり、より一層の改善が望まれていた。
とりわけ帯電々位の立上りの遅れに関しては未だに不充
分であり、より一層の改善が望まれていた。
また、特開昭53−26128および54−10943
8号には、′11!(!7発生層中に電子受容性物質を
含む電子写真感光体が開示されているが、これらは、構
成ないし効果が、本発明とは基本的に異なるものである
。
8号には、′11!(!7発生層中に電子受容性物質を
含む電子写真感光体が開示されているが、これらは、構
成ないし効果が、本発明とは基本的に異なるものである
。
さらに、また電気抵抗のかわりに電荷の移動性を制御し
ようという考え方から、マイナス電荷移動性の物質とし
ての電子受容性の有機化合物を含有した樹脂中間層が提
案されている。例えば、特開昭53−894433号に
は多環芳香族ニトロ化合物を添加した有機高分子光導電
体中間層が、また特開昭54−4134.59−160
147および59−170846号には′重子受容性有
機物を含有する樹脂中間層が開示されている。必ずしも
上記諸要求を満足するものではなかった。
ようという考え方から、マイナス電荷移動性の物質とし
ての電子受容性の有機化合物を含有した樹脂中間層が提
案されている。例えば、特開昭53−894433号に
は多環芳香族ニトロ化合物を添加した有機高分子光導電
体中間層が、また特開昭54−4134.59−160
147および59−170846号には′重子受容性有
機物を含有する樹脂中間層が開示されている。必ずしも
上記諸要求を満足するものではなかった。
本発明は、高感度であるとともに前露光疲労による帯電
性の低下が著しく小さく、しかも帯電と露光の繰り返し
後においても帯電電位の立上りの遅れのない電子写真用
感光体を提供することを目的とする。
性の低下が著しく小さく、しかも帯電と露光の繰り返し
後においても帯電電位の立上りの遅れのない電子写真用
感光体を提供することを目的とする。
本発明によれば、導電性支持体上に少なくとも電荷発生
層と電荷輸送層を有する積層型有機電子写真感光体にお
いて、該電荷発生層中に下記−取代(r)〜(yv)で
示される電子受容性化合物の少なくとも1種を含有して
なることを特徴とする特許写真感光体が提供される。
層と電荷輸送層を有する積層型有機電子写真感光体にお
いて、該電荷発生層中に下記−取代(r)〜(yv)で
示される電子受容性化合物の少なくとも1種を含有して
なることを特徴とする特許写真感光体が提供される。
(式中、しはチオフェン核を表わし、Yは=0又は又は
アルコキシ基を表わし、P+Qは各々O〜3の間の整数
を表わす。) (式中、Xはハロゲン原子を表わし、m、nは各々0〜
4の間の整数を表わす。) (式中、Rはハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ
基を表わし、m、nは各々0〜4の間の整数を表わす。
アルコキシ基を表わし、P+Qは各々O〜3の間の整数
を表わす。) (式中、Xはハロゲン原子を表わし、m、nは各々0〜
4の間の整数を表わす。) (式中、Rはハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ
基を表わし、m、nは各々0〜4の間の整数を表わす。
)
(式中、Rはハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ
基を表わし、m、nは各々0〜4の間の整数を表わす6
) 上述したように、高感度の積層型有機電子写真感光体は
、くり返し使用によって、帯′市の立上りの遅れを生じ
、その結果、イW電性の低下をまねくが、本発明者らは
、積層型有機電子写真感光体の電荷発生層に特定の電子
受容性化合物を含有させることによって、くり返し使用
後の帯電4位の立上りの遅れのない電子写真感光体が得
られることを見い出し、本発明を完成するに到った。
基を表わし、m、nは各々0〜4の間の整数を表わす6
) 上述したように、高感度の積層型有機電子写真感光体は
、くり返し使用によって、帯′市の立上りの遅れを生じ
、その結果、イW電性の低下をまねくが、本発明者らは
、積層型有機電子写真感光体の電荷発生層に特定の電子
受容性化合物を含有させることによって、くり返し使用
後の帯電4位の立上りの遅れのない電子写真感光体が得
られることを見い出し、本発明を完成するに到った。
以下、図面に沿って、本発明を説明する。
第1図は、本発明の電子写真感光体の構成例を示す断面
図であり、導電性支持体11上に電荷発生層21、次い
で電荷輸送JP?22よりなる感光層15を設けたもの
である。
図であり、導電性支持体11上に電荷発生層21、次い
で電荷輸送JP?22よりなる感光層15を設けたもの
である。
第2図は、本発明の別の構成例を示す断面図であり、導
電性支持体11上に先ず電荷輸送層221次いで電荷発
生層21よりなる感光層15を設けたものである。
電性支持体11上に先ず電荷輸送層221次いで電荷発
生層21よりなる感光層15を設けたものである。
第3図および第4図は、更に別の構成例を示す断面図で
あり、第3図は導電性支持体11と感光層15の間に下
引)CI13を設けたものであり、また第4図は感光層
15の上に保護N17を設けたものである。
あり、第3図は導電性支持体11と感光層15の間に下
引)CI13を設けたものであり、また第4図は感光層
15の上に保護N17を設けたものである。
導電性支持体11としては、体積抵抗1010ΩG以下
の導′市性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケ
ル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの金属、
酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着又
はスパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状の
プラスチック、紙等に被覆したもの、あるいは、アルミ
ニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の
板およびそれらをり、1..1.1.、押出し、引抜き
等の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩等で表面処
理した管等を使用することができる。
の導′市性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケ
ル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの金属、
酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着又
はスパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状の
プラスチック、紙等に被覆したもの、あるいは、アルミ
ニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の
板およびそれらをり、1..1.1.、押出し、引抜き
等の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩等で表面処
理した管等を使用することができる。
次に、電荷発生J@21について説明する。
電荷発生層21は、電荷発生物質と一般式(1)〜(I
V)で示される電子受容性化合物の少なくとも1種を主
成分とするIGで、必要に応じてバインダー樹脂を用い
ることもある。
V)で示される電子受容性化合物の少なくとも1種を主
成分とするIGで、必要に応じてバインダー樹脂を用い
ることもある。
バインダー樹脂としては、ポリアミ1く、ポリウレタン
、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカー
ボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン
、ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール どが用いられる。
、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカー
ボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン
、ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール どが用いられる。
一般式(1)〜−一般式IV)で示される電子受容性化
合物には次に示す化学構造式のものが好ましく用いられ
る。
合物には次に示す化学構造式のものが好ましく用いられ
る。
〔−取代(1)
の化合物の具体例〕
〔一般式
(II)
の化合物の具体例〕
〔一般式
の化合物の具体例〕
1N(に+
INU。
1Nす2
1Nす2
〔−取代
(TV)
の化合物の具体例〕
″重荷発生物質としては、
公知の材料を用いるこ
とができるが、
とりわけ以下に示すジスアゾある
いはl−
ノスアゾ顔料が好適に用いられる。
(ただしCpはカップラー残J、(、
以下同様)
(ただしAは、
−NH−、
一舒、
−S−を表わす。
(ただしRは、水素原子、
置換又は非置換の
(ただしnは、
1〜5の間の整数を表わす。
アルキル基を表わす。
(ただしRは、水素原子、
アルキル基、
ハロ
ゲン原子を表わす。
CP−N=N−Cト◎−Q−N=N−CPこれらのカッ
プラー残基Cpとしては、たとえばフェノール類、ナフ
トール類などのフェノール性水酸基を有する化合物、ア
ミノ基を有する芳香族アミノ化合物あるいはアミノ基と
フェノール性水酸基を有するアミノナフトール類、脂肪
族もしくは芳香族のエノール性ケトン基を有する化合物
(活性メチレン基を有する化合物)などが用いられ、好
ましくは下記−取代(1)〜(11)で表わされるもの
である。
プラー残基Cpとしては、たとえばフェノール類、ナフ
トール類などのフェノール性水酸基を有する化合物、ア
ミノ基を有する芳香族アミノ化合物あるいはアミノ基と
フェノール性水酸基を有するアミノナフトール類、脂肪
族もしくは芳香族のエノール性ケトン基を有する化合物
(活性メチレン基を有する化合物)などが用いられ、好
ましくは下記−取代(1)〜(11)で表わされるもの
である。
〔上記式(1)、(2)、(3)および(4)中、X、
Y、、Z、mおよびnはそれぞれ以下のものを表わす。
Y、、Z、mおよびnはそれぞれ以下のものを表わす。
X : −O1+、 −N または −Nl(S
o、−It。
o、−It。
R2
(RユおよびR2は水素または置換もしくは無置換のア
ルキル基を表わし、R3は置換もしくは無置換のアルキ
ル基または置換もしくは無置換のアリール基を表わす。
ルキル基を表わし、R3は置換もしくは無置換のアルキ
ル基または置換もしくは無置換のアリール基を表わす。
)
Y、二水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ基
、スルホン基、置換もしくは無置換のスルファモイル基
または −CON−Y2(R,は水素、アルキル基また
その置換体、フェニル基またはその置換体を表わし、Y
2は炭化水素環基またはその置換体、複素環基またR3
は炭化水素環基またはその置換体、複素環基またはその
置換体あるいはスチリル基またはその置換体、Rt、は
水素、アルキル基、フェニル基またはその置換体を表わ
すか、あるいはR6及びR6はそれらに結合する炭素原
子と共に環を形成してもよい。)を示す。) Z :炭化水素環またはその置換体あるいは複素環また
はその置換体 nilまたは2の整数 m :1または2の整数〕 〔式(5)および(6)中、R7は置換もしくは無置換
の炭化水素基を表わし、Xは前記に同じである。〕Ar
よ 〔式中、R8はアルキル基、カルバモイル基、カルボキ
シ基またはそのエステルを表わし、Ar工は炭化水素環
基またはその置換体を表わし、Xは前記と同じである。
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ基
、スルホン基、置換もしくは無置換のスルファモイル基
または −CON−Y2(R,は水素、アルキル基また
その置換体、フェニル基またはその置換体を表わし、Y
2は炭化水素環基またはその置換体、複素環基またR3
は炭化水素環基またはその置換体、複素環基またはその
置換体あるいはスチリル基またはその置換体、Rt、は
水素、アルキル基、フェニル基またはその置換体を表わ
すか、あるいはR6及びR6はそれらに結合する炭素原
子と共に環を形成してもよい。)を示す。) Z :炭化水素環またはその置換体あるいは複素環また
はその置換体 nilまたは2の整数 m :1または2の整数〕 〔式(5)および(6)中、R7は置換もしくは無置換
の炭化水素基を表わし、Xは前記に同じである。〕Ar
よ 〔式中、R8はアルキル基、カルバモイル基、カルボキ
シ基またはそのエステルを表わし、Ar工は炭化水素環
基またはその置換体を表わし、Xは前記と同じである。
〕
〔上記式(8)および(9)中、R9は水素または置換
もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar2は炭化水
素環基またはその置換体を表わす。〕前記一般式(1)
、(2)、(3)または(4)のZの炭化水素環として
はベンゼン環、ナフタレン環などが例示でき、また複素
環(置換を持っていてもよい)としてはインドール環、
カルバゾール環、ベンゾラン環、ジベンゾフラン環など
が例示できる。2の環における置換基としては塩素原子
、臭素原子などのハロゲン原子が例示できる。
もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar2は炭化水
素環基またはその置換体を表わす。〕前記一般式(1)
、(2)、(3)または(4)のZの炭化水素環として
はベンゼン環、ナフタレン環などが例示でき、また複素
環(置換を持っていてもよい)としてはインドール環、
カルバゾール環、ベンゾラン環、ジベンゾフラン環など
が例示できる。2の環における置換基としては塩素原子
、臭素原子などのハロゲン原子が例示できる。
Y2またはR6における炭化水素環基としては、フェニ
ル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基、チエニル基、フリ
ル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、さらに、R6
およびR,が結合して形成する環としては、フルオレン
環などが例示できる。
ル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基、チエニル基、フリ
ル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、さらに、R6
およびR,が結合して形成する環としては、フルオレン
環などが例示できる。
Y2またはR5の炭化水素環基または複素環基あるいは
R6およびItGによって形成される環における置換基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素
原子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基などのジアルキルアミノ基、トリフルオロメチ
ル基などのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボ
キシル基またはそのエステル、水酸基、−5o3Naな
どのスルホン酸塩基などが挙げられる。
R6およびItGによって形成される環における置換基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素
原子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基などのジアルキルアミノ基、トリフルオロメチ
ル基などのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボ
キシル基またはそのエステル、水酸基、−5o3Naな
どのスルホン酸塩基などが挙げられる。
R4のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素
原子などのハロゲン原子が例示できる。
原子などのハロゲン原子が例示できる。
R7またはR3における炭化水素基の代表例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、フェニル基などのアリール基またはこれらの置
換体が例示できる。
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、フェニル基などのアリール基またはこれらの置
換体が例示できる。
R7またはR,の炭化水素基における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。
Ar工またはAr2における炭化水素環基としては、フ
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、
これらの基における置換基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシ基、ニトロJ&、塩素原子、臭素原子などのハロ
ゲン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミ
ノ基などのジアルキルアミノ基などが例示できる。
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、
これらの基における置換基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシ基、ニトロJ&、塩素原子、臭素原子などのハロ
ゲン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミ
ノ基などのジアルキルアミノ基などが例示できる。
また、Xの中では特に水酸基が適当である。
上記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式(
2) 、 (5) 、 (6) 、 (7) 、 (8
)および(9)で示されるものであり、この中でも一般
式におけるXが水酸基のものが好ましい。また、この中
でも一般式(10)%式% (YlおよびZは前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 %式% (z、y2およびR2は前記に同じ。)で表わされるカ
ップラー残基である。
2) 、 (5) 、 (6) 、 (7) 、 (8
)および(9)で示されるものであり、この中でも一般
式におけるXが水酸基のものが好ましい。また、この中
でも一般式(10)%式% (YlおよびZは前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 %式% (z、y2およびR2は前記に同じ。)で表わされるカ
ップラー残基である。
さらにまた、上記好ましいカップラー残基の中でも一般
式(12)または(13) 一 ゛・Z・′ R9 ゛・Z・′ (Z、R7,R5およびR6は前記に同しであり、また
R8゜とじては上記のY2の置換基が例示できる。)で
表わされる。
式(12)または(13) 一 ゛・Z・′ R9 ゛・Z・′ (Z、R7,R5およびR6は前記に同しであり、また
R8゜とじては上記のY2の置換基が例示できる。)で
表わされる。
以上に示した電子受容性化合物および電荷発生物質は各
々単独であるいは2種以上併用して用いられる。
々単独であるいは2種以上併用して用いられる。
前記一般式(1)〜(IV)で示される電子受容性化合
物は電荷発生物質1重量部に対して0.01−100重
量部用いるのが適用であり、好ましくは0.1〜10重
量部である。
物は電荷発生物質1重量部に対して0.01−100重
量部用いるのが適用であり、好ましくは0.1〜10重
量部である。
バインダー樹脂は、電荷発生物質100重量部に対して
0〜100重量部用いるのが適当であり、好ましくは0
〜50重量部である。
0〜100重量部用いるのが適当であり、好ましくは0
〜50重量部である。
電荷発生層は、(1)弐〜(rV)で示される電子受容
性化合物の少なくとも1種と電荷発生物質を必要ならば
バインダー樹脂とともに、テトラヒドロフラン、シクロ
ヘキサノン、ジオキサン、ジクロルエタン等の溶媒を用
いてボールミル、アトライター、サンドミルなどにより
分散し、分散液を適度に希釈して塗布することにより形
成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビー
ドコート法などを用いて行なうことができる。
性化合物の少なくとも1種と電荷発生物質を必要ならば
バインダー樹脂とともに、テトラヒドロフラン、シクロ
ヘキサノン、ジオキサン、ジクロルエタン等の溶媒を用
いてボールミル、アトライター、サンドミルなどにより
分散し、分散液を適度に希釈して塗布することにより形
成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビー
ドコート法などを用いて行なうことができる。
電荷発生層の膜厚は、 0.01−5μm程度であり、
好ましくは0.1〜2μ0である。
好ましくは0.1〜2μ0である。
電荷輸送層22は、電荷輸送物質およびバインダー樹脂
を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥す
ることにより形成できる。
を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥す
ることにより形成できる。
電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあ
る。
る。
電子輸送物質としては、たとえば、クロルアニル、ブロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2,4.7−1−リニトロー9−フルオレノ
ン、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン
、2,4,5.7−チトラニトロキサントン、2,4゜
8−トリニドロチオキサントン、2,6.8− トリニ
トロ−411−インデノ(1、2−b)チオフェン−4
−オン、!、3.7トリニトロジベンゾチオフエノンー
5,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられ
る。
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2,4.7−1−リニトロー9−フルオレノ
ン、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン
、2,4,5.7−チトラニトロキサントン、2,4゜
8−トリニドロチオキサントン、2,6.8− トリニ
トロ−411−インデノ(1、2−b)チオフェン−4
−オン、!、3.7トリニトロジベンゾチオフエノンー
5,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられ
る。
正孔輸送物質としては、以下の一般式で表わされる電子
供与性物質等が挙げられ、良好に用いらねる。
供与性物質等が挙げられ、良好に用いらねる。
(式中、R0lR21R11およびR4は水素原子、置
換もしくは無置換のアリール基を表わし、Ar1は置換
又は無置換のアリール基を表わし、Ar1とR工は共用
で環を形成してもよく、またnは0又は1の整数である
。) (式中、R1は炭素数1〜11のアルキル基、置換又は
非置換のフェニル基あるいは複素環残基を表わし、R2
,R,はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原
子、低級アルキル基、C工〜C1のヒドロキシアルキル
基、0l−C4のクロルアルキル基、あるいは置換又は
非置換のアラルキル基を表わし、またR2とR3は共同
で窒素を含む複素環を形成してもよく、R,、RSはそ
れぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表わす
。) (但し、R1は低級アルキル基、低級アルコキシ基又は
ハロゲン原子を表わし、nはO〜4の整数を表わし、I
+、、R,は同一でも異なっていてもよく、水素原子、
低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を
表わす。) に3 Kl バ3(式中
、R,、R,は水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、あるいはジ低級アルキルアミノ基を表わし、R
2は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハ
ロゲン原子あるいは二1−ロ基を表わし、nはO又は1
を表わす。)(式中、Rはカルバゾリル基、ピリジルー
ル、チェール基、インドリル基又はフリル甚、あるいは
それぞれ1rt換または非置換のフェニル基、スチリル
基、ナフチル基又はアントリル基(但し前記置換J、(
はジ低級アルキルアミノ基、低級アルキル基、低級アル
コキシ基、ハロゲン原子、アラルキルアミノ基又は、ア
ミノ基からなる群から選ばれる)を表わす。) (式中、Roは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、低
級アルキル基を表わし、R,、R3,RGは水素原子、
置換又は無置換の低級アルキル基あるいは置換又は無置
換のベンジル基を表わし、R41R5は水素原子、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基あるいは低級アルコキシ基又
はジ低級アルキルアミノ基を表わす。) バ3 (式中、 R1,R2,R,は同一でも異なっていても
よく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、
フェニル基、フェノキシ基、またはハロゲン原子を表わ
す。) (式中、R□lR21R31R41RGは水素原子、ハ
ロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置換
又は無置換のジ低級アルキルアミノ基又はジベンノルア
ミノ基を表わし、肌は低級アルキル基又はベンジル基を
表わす。) Ar−cH=N−7@ (式中、Arはナフタレン環、アントラセン環、スチリ
ル基及びそれらの置換体、あるいはピリジン環、フラン
環、チオフェン環を表わし、Rは低級アルキル基又はベ
ンジル基を表わす6)丸 (式中、R□は低級アルキル基、2−ヒドロキシエチル
基又は2−クロロエチル基を表わし、R2は低級アルキ
ル基、ベンジル基又はフェニル基を表わし、R3は水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ジ低級アルキルアミノ基又はニトロ基を表わす。) (式中、R工は水素原子、低級アルキル基、クロルエチ
ル基又はヒドロキシエチル基を表わし、R2は水素原子
又はハロゲン原子を表わし、R1は低級アルキル基、ジ
低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換又は
無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳香環残基(芳
香環又はベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等
)、置換又は無置換の複素環残基(複素環はピリジン環
、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表わす。) (式中、R1は低級アルキル基を表わし、R2は低級ア
ルキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ
基、置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳
香環残基(芳香環はベンゼン環、ナフタレン環、アント
ラセン環等)、置換又は無置換の複素環y+i基(複素
環はピリジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等)
を表わす。) (式中、R,、R2は同一でも異なっていてもよく、水
素原子、低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、
クロル低級アルキル基、アルキルの炭素数1〜2のアシ
ル基、アルキルの炭素数5〜6のシクロアルキル基、あ
るいは置換又は非置換のアラルキル基を表わす。) これらの電荷輸送物質は、単独又は2種以上混合して用
いられる。
換もしくは無置換のアリール基を表わし、Ar1は置換
又は無置換のアリール基を表わし、Ar1とR工は共用
で環を形成してもよく、またnは0又は1の整数である
。) (式中、R1は炭素数1〜11のアルキル基、置換又は
非置換のフェニル基あるいは複素環残基を表わし、R2
,R,はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原
子、低級アルキル基、C工〜C1のヒドロキシアルキル
基、0l−C4のクロルアルキル基、あるいは置換又は
非置換のアラルキル基を表わし、またR2とR3は共同
で窒素を含む複素環を形成してもよく、R,、RSはそ
れぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表わす
。) (但し、R1は低級アルキル基、低級アルコキシ基又は
ハロゲン原子を表わし、nはO〜4の整数を表わし、I
+、、R,は同一でも異なっていてもよく、水素原子、
低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を
表わす。) に3 Kl バ3(式中
、R,、R,は水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、あるいはジ低級アルキルアミノ基を表わし、R
2は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハ
ロゲン原子あるいは二1−ロ基を表わし、nはO又は1
を表わす。)(式中、Rはカルバゾリル基、ピリジルー
ル、チェール基、インドリル基又はフリル甚、あるいは
それぞれ1rt換または非置換のフェニル基、スチリル
基、ナフチル基又はアントリル基(但し前記置換J、(
はジ低級アルキルアミノ基、低級アルキル基、低級アル
コキシ基、ハロゲン原子、アラルキルアミノ基又は、ア
ミノ基からなる群から選ばれる)を表わす。) (式中、Roは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、低
級アルキル基を表わし、R,、R3,RGは水素原子、
置換又は無置換の低級アルキル基あるいは置換又は無置
換のベンジル基を表わし、R41R5は水素原子、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基あるいは低級アルコキシ基又
はジ低級アルキルアミノ基を表わす。) バ3 (式中、 R1,R2,R,は同一でも異なっていても
よく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、
フェニル基、フェノキシ基、またはハロゲン原子を表わ
す。) (式中、R□lR21R31R41RGは水素原子、ハ
ロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置換
又は無置換のジ低級アルキルアミノ基又はジベンノルア
ミノ基を表わし、肌は低級アルキル基又はベンジル基を
表わす。) Ar−cH=N−7@ (式中、Arはナフタレン環、アントラセン環、スチリ
ル基及びそれらの置換体、あるいはピリジン環、フラン
環、チオフェン環を表わし、Rは低級アルキル基又はベ
ンジル基を表わす6)丸 (式中、R□は低級アルキル基、2−ヒドロキシエチル
基又は2−クロロエチル基を表わし、R2は低級アルキ
ル基、ベンジル基又はフェニル基を表わし、R3は水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ジ低級アルキルアミノ基又はニトロ基を表わす。) (式中、R工は水素原子、低級アルキル基、クロルエチ
ル基又はヒドロキシエチル基を表わし、R2は水素原子
又はハロゲン原子を表わし、R1は低級アルキル基、ジ
低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換又は
無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳香環残基(芳
香環又はベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等
)、置換又は無置換の複素環残基(複素環はピリジン環
、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表わす。) (式中、R1は低級アルキル基を表わし、R2は低級ア
ルキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ
基、置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳
香環残基(芳香環はベンゼン環、ナフタレン環、アント
ラセン環等)、置換又は無置換の複素環y+i基(複素
環はピリジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等)
を表わす。) (式中、R,、R2は同一でも異なっていてもよく、水
素原子、低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、
クロル低級アルキル基、アルキルの炭素数1〜2のアシ
ル基、アルキルの炭素数5〜6のシクロアルキル基、あ
るいは置換又は非置換のアラルキル基を表わす。) これらの電荷輸送物質は、単独又は2種以上混合して用
いられる。
バインダー樹脂としてはポリスチレン、スチレン−アク
リロニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、
ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポ
リ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ボリアリレート樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロー
ス樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール
、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ボU−
N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹
脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェ
ノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化
性樹脂が挙げられる。
リロニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、
ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポ
リ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ボリアリレート樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロー
ス樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール
、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ボU−
N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹
脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェ
ノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化
性樹脂が挙げられる。
溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トル
エン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メチ
レンなどが用いられる。
エン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メチ
レンなどが用いられる。
電荷輸送層22の厚さは5〜100μm程度が適当であ
る。また、本発明において電荷輸送層22中に可塑剤や
レベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジブ
チルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂
の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき
、その使用量は、バインダー樹脂に対してO〜30重量
%程度が適当である。
る。また、本発明において電荷輸送層22中に可塑剤や
レベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジブ
チルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂
の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき
、その使用量は、バインダー樹脂に対してO〜30重量
%程度が適当である。
レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メ
チルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル
類が使用され、その使用量はバインダー樹脂に対して、
O〜1重量%程度が適当である。
チルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル
類が使用され、その使用量はバインダー樹脂に対して、
O〜1重量%程度が適当である。
支持体11と感光層15との間に設けられる下引層13
は本発明の効果をいっそう向上すると共に、接着性を向
上する目的で設けられ、その材料としては5LO1AQ
、O,、シランカップリング剤、チタンカップリング剤
、クロムカップリング剤等の無機材料やポリアミド樹脂
、アルコール可溶性ポリアミド樹脂、水溶性ポリビニル
ブチラール、ポリビニルブチラール、PVA等の接着性
の良いバインダー樹脂などが使用される。その他、前記
接着性の良い樹脂にZnO、Tie、 、 ZnS等を
分散したものも使用できる。下引層の形成法としては無
機材料単独の場合はスパッタリング、蒸着等の方法が、
また有機材料を用いた場合は通常の塗布法が採用される
。
は本発明の効果をいっそう向上すると共に、接着性を向
上する目的で設けられ、その材料としては5LO1AQ
、O,、シランカップリング剤、チタンカップリング剤
、クロムカップリング剤等の無機材料やポリアミド樹脂
、アルコール可溶性ポリアミド樹脂、水溶性ポリビニル
ブチラール、ポリビニルブチラール、PVA等の接着性
の良いバインダー樹脂などが使用される。その他、前記
接着性の良い樹脂にZnO、Tie、 、 ZnS等を
分散したものも使用できる。下引層の形成法としては無
機材料単独の場合はスパッタリング、蒸着等の方法が、
また有機材料を用いた場合は通常の塗布法が採用される
。
なお下引層の厚さは5声以下が適当である。
保護層17は感光体の表面保護の目的で設けられ、これ
に使用される材料としてABS樹脂、AC3樹脂、オレ
フィンルビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル
、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリ
アミド、ポリアミドイミド、ボッアクリレート、ポリア
リルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレ
ート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリ
エチレン。
に使用される材料としてABS樹脂、AC3樹脂、オレ
フィンルビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル
、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリ
アミド、ポリアミドイミド、ボッアクリレート、ポリア
リルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレ
ート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリ
エチレン。
ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹
脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、ポリフェニ
レンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、 AS樹
脂、ブタジェン−スチレン共重合体、ポリウレタン、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニデン、エポキシ樹脂等の樹
脂が挙げられる。保護層にはその他、耐摩耗性を向上す
る目的でポリテトラフルオロエチレンのような弗素樹脂
、シリコーン樹脂、及びこれら樹脂に酸化チタン、酸化
錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散したもの等を
添加することができる。保護層の形成法としては通常の
塗布法が採用される。なお保護層の厚さは0.5〜10
μm程度が適当である。
脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、ポリフェニ
レンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、 AS樹
脂、ブタジェン−スチレン共重合体、ポリウレタン、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニデン、エポキシ樹脂等の樹
脂が挙げられる。保護層にはその他、耐摩耗性を向上す
る目的でポリテトラフルオロエチレンのような弗素樹脂
、シリコーン樹脂、及びこれら樹脂に酸化チタン、酸化
錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散したもの等を
添加することができる。保護層の形成法としては通常の
塗布法が採用される。なお保護層の厚さは0.5〜10
μm程度が適当である。
更に本発明では感光層15と保′S層17との間に別の
中間層(図示せず)を設けることも可能である。
中間層(図示せず)を設けることも可能である。
次に、実施例によって、本発明をさらに詳細に説明する
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
なお、実施例中使用する部は、すべて重量部を表わす。
実施例1
アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送I
け塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2pm厚の電
荷発生層および22μm厚の電荷輸送/efを形成し1
本発明の電子写真感光体を作成した。
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送I
け塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2pm厚の電
荷発生層および22μm厚の電荷輸送/efを形成し1
本発明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 3部〔電荷輸
送)n塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 10部下記構
造式の電子受容性物質 1部 テトラヒドロフラン 800部実施例
2 実施例1と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
・乾燥して各々0 、3 pmの下引層、0.2μmの
電荷発生層および20μmの電荷輸送R4を成し、本発
明の電子写真感光体を作成した。
送)n塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 10部下記構
造式の電子受容性物質 1部 テトラヒドロフラン 800部実施例
2 実施例1と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
・乾燥して各々0 、3 pmの下引層、0.2μmの
電荷発生層および20μmの電荷輸送R4を成し、本発
明の電子写真感光体を作成した。
シクロヘキサノン
2−ブタノン
300部
100部
水
150部
メタノール
〔電荷発生層塗工液〕
200部
下記構造式の電荷発生物質
下記構造式の電子受容性物質
シクロヘキサノン
2−ブタノン
〔電荷輸送WJ塗工液〕
下記構造式の電荷輸送物質
1l−
3部
1部
150部
150部
9部
実施例3
ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液、電荷発生R1
7塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾燥し
て、各々2μmの下引層、0.3μmの電荷発生層およ
び18μmの電荷輸送J−を形成し、本発明の電子写真
感光体を作成した。
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液、電荷発生R1
7塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾燥し
て、各々2μmの下引層、0.3μmの電荷発生層およ
び18μmの電荷輸送J−を形成し、本発明の電子写真
感光体を作成した。
二酸化チタン 10部トルイ
レン−2,4−ジイソシアネー 2−ブタノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 1− 0.2部 100部 70部 4部 テトラヒドロフラン 800部 則 下記構造式の電子受容性物質 1.5部 塗布乾燥して各々0.2μmの電荷発生層および17μ
mの電荷輸送層を形成し1本発明の電子写真感光体を作
成した。
レン−2,4−ジイソシアネー 2−ブタノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 1− 0.2部 100部 70部 4部 テトラヒドロフラン 800部 則 下記構造式の電子受容性物質 1.5部 塗布乾燥して各々0.2μmの電荷発生層および17μ
mの電荷輸送層を形成し1本発明の電子写真感光体を作
成した。
下記構造式の電荷発生物質 4部シクロヘ
キサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 CI+− 200部 150部 80部 下記構造式の電子受容性物質 1.5部 (ユニチカn製U−100) 90
部テトラヒ1〜ロフラン 750部実
施例4 厚さ0.2nrnのアルミニウム板上に、下記組成の電
荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、テトラ
ヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 350部 90部 下記構造式の電子受容性物質 1部 塩化メチレン 800部実施例
5 Jグさ0.1mの電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引
層塗工液、電荷発生R1塗工液、電荷輸送層塗工液およ
び保護層塗工液を順次、塗布・乾燥して各々0 、34
の下引層、0,2μmの電荷発生層および18μmの電
荷輸送層および3部mの保護層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
キサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 CI+− 200部 150部 80部 下記構造式の電子受容性物質 1.5部 (ユニチカn製U−100) 90
部テトラヒ1〜ロフラン 750部実
施例4 厚さ0.2nrnのアルミニウム板上に、下記組成の電
荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、テトラ
ヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 350部 90部 下記構造式の電子受容性物質 1部 塩化メチレン 800部実施例
5 Jグさ0.1mの電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引
層塗工液、電荷発生R1塗工液、電荷輸送層塗工液およ
び保護層塗工液を順次、塗布・乾燥して各々0 、34
の下引層、0,2μmの電荷発生層および18μmの電
荷輸送層および3部mの保護層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
[下引層塗工液〕
ポリサルホン(日産化学曲I P−1700)シクロヘ
キサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1.5部 200部 100部 80部 水
100部メタノール
100部〔電荷発生層塗工液〕 下記41W造式の電荷発生物質 4部塩化
メチレン 〔保護層塗工液〕 850部 酸化錫 80部 トルエン 170部 2−ブタノン 100部実
施例6 実施例Iと同し支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷輸送)P)塗工液および電荷発生層塗工液を順次、
塗布・乾燥して各々2μmの下引層、22μmの電荷輸
送層および0.4戸の電荷発生11りを形成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。
キサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1.5部 200部 100部 80部 水
100部メタノール
100部〔電荷発生層塗工液〕 下記41W造式の電荷発生物質 4部塩化
メチレン 〔保護層塗工液〕 850部 酸化錫 80部 トルエン 170部 2−ブタノン 100部実
施例6 実施例Iと同し支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷輸送)P)塗工液および電荷発生層塗工液を順次、
塗布・乾燥して各々2μmの下引層、22μmの電荷輸
送層および0.4戸の電荷発生11りを形成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。
二酸化チタン 8部塩化メ
チレン 1.2−ジクロロエタン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 600部 200部 2部 下記構造式の電子受容性物質 1部 2−ブタノン 酢酸エチル 〔電荷輸送層塗工液〕 下記名η造式の電荷輸送物質 C1+− 90部 60部 70部 (三菱瓦斯化学■製ポリカーボネート/、)トルイレン
−2,4−ジイソシアネート 0.2部テトラヒド
ロフラン 250部4−メチル−2
−ペンタノン 100部実施例7 実施例4と同じ支持体上に、下記組成の電荷輸送層塗工
液、電荷発生層塗工液、中間MJ塗工液および保護層塗
工液を順次、塗布・乾燥して、各々20μmの電荷輸送
層、0.2μmの電荷発生層、0.2μmの中間層およ
び5μmの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。
チレン 1.2−ジクロロエタン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 600部 200部 2部 下記構造式の電子受容性物質 1部 2−ブタノン 酢酸エチル 〔電荷輸送層塗工液〕 下記名η造式の電荷輸送物質 C1+− 90部 60部 70部 (三菱瓦斯化学■製ポリカーボネート/、)トルイレン
−2,4−ジイソシアネート 0.2部テトラヒド
ロフラン 250部4−メチル−2
−ペンタノン 100部実施例7 実施例4と同じ支持体上に、下記組成の電荷輸送層塗工
液、電荷発生層塗工液、中間MJ塗工液および保護層塗
工液を順次、塗布・乾燥して、各々20μmの電荷輸送
層、0.2μmの電荷発生層、0.2μmの中間層およ
び5μmの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。
下記構造式の電荷輸送物質 90部下記構
造式の電子受容性物質 シクロヘキサノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔中間層塗工液〕 1.5部 230部 120部 塩化メチレン 850部〔電
荷発生J1グ塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3.5部メタノ
ール n−ブタノール 〔保護層塗工液〕 70部 40部 導電性酸化チタン トルエン n−ブタノール 実施例8 厚さ0.2mnのニクロム板上に、 90部 220部 60部 下記組成の電荷 輸送層塗工液、電荷発生層塗工液および保護ノは塗工液
を順次、塗布乾燥して各々19μmの電荷1論送層、0
.3声の″電荷発生層および2μmの保護層を形成し、
本発明の電子写真感光体を作成した6 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 80部CI+
− 下記構造式の電子受容性物質 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔保護層塗工液〕 2部 0.2部 200部 120部 テトラヒドロフラン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 700部 3部 酸化錫 9部部トルエ
ン 250部2−ブタ
ノン 70部比較例1〜
8 以上の様に作成した実施例1〜8の感光体において、各
々の電荷発生層に電子受容性物質を含有させない他はす
べて実施例8と同様にして感光体を形成し、比較例1〜
8の感光体とした。
造式の電子受容性物質 シクロヘキサノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔中間層塗工液〕 1.5部 230部 120部 塩化メチレン 850部〔電
荷発生J1グ塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3.5部メタノ
ール n−ブタノール 〔保護層塗工液〕 70部 40部 導電性酸化チタン トルエン n−ブタノール 実施例8 厚さ0.2mnのニクロム板上に、 90部 220部 60部 下記組成の電荷 輸送層塗工液、電荷発生層塗工液および保護ノは塗工液
を順次、塗布乾燥して各々19μmの電荷1論送層、0
.3声の″電荷発生層および2μmの保護層を形成し、
本発明の電子写真感光体を作成した6 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 80部CI+
− 下記構造式の電子受容性物質 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔保護層塗工液〕 2部 0.2部 200部 120部 テトラヒドロフラン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 700部 3部 酸化錫 9部部トルエ
ン 250部2−ブタ
ノン 70部比較例1〜
8 以上の様に作成した実施例1〜8の感光体において、各
々の電荷発生層に電子受容性物質を含有させない他はす
べて実施例8と同様にして感光体を形成し、比較例1〜
8の感光体とした。
実施例9
アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送J
N塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2癖厚の電荷
発生層および22μm厚の電荷輸送層を形成し1本発明
の電子写真感光体を作成した。
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送J
N塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2癖厚の電荷
発生層および22μm厚の電荷輸送層を形成し1本発明
の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 3部下記構造
式の電子受容性物質 1部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 90部 テトラヒドロフラン 800部実施
例10 実施例9と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
・乾燥して各々0.3μmの下引層、0.2μmの電荷
発生Je4および20μIの電荷輸送層を成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。
式の電子受容性物質 1部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 90部 テトラヒドロフラン 800部実施
例10 実施例9と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
・乾燥して各々0.3μmの下引層、0.2μmの電荷
発生Je4および20μIの電荷輸送層を成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。
シクロヘキサノン
200部
2−ブタノン
100部
水
メタノール
150部
200部
〔電荷発生Jf!J塗工液〕
F記構造式の電荷発生物質
3部
下記構造式の電子受容性物質
1部
タレー上フィルム上に、下記組成の下引層塗工液、電荷
発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾
燥して、各々2μIの下引層、0 、37101の電荷
発生層および18μmの電荷輸送1Gを形成し1本発明
の電子写真感光体を作成した。
発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾
燥して、各々2μIの下引層、0 、37101の電荷
発生層および18μmの電荷輸送1Gを形成し1本発明
の電子写真感光体を作成した。
〔下引1M塗工液〕
二酸化チタン 10部シクロ
ヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 150部 150部 80部 トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部
2−ブタノン 100部4
−メチル−2−ペンタノン 70部〔
電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 4部テトラヒ
ドロフラン 800部 実施例11 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフ下記構造
式の電子受容性物質 1.5部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 シクロヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 200部 150部 80部 下記構造式の電子受容性物質 1.5部 テトラヒドロフラン 750部実施
例12 厚さ0.2mmのアルミニウム板上に、下記組成の電荷
発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥
して各々0.2μ口の電荷発生層および17μmの電荷
輸送層を形成し1本発明の電子写真感光体を作成した6 テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1350部 90部 塩化メチレン 800部実施
例13 厚さO,Inn+の′I′を問ニッケル板上に、下記組
成の下引層塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送J谷塗
工液および保護層塗工液を順次、塗布・乾燥して各々0
、3 pmの下引層、0.27xの電荷発生層および
18μmの電荷輸送層および3μmの保護層を形成し、
本発明の電子写真感光体を作成した。
ヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 150部 150部 80部 トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部
2−ブタノン 100部4
−メチル−2−ペンタノン 70部〔
電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 4部テトラヒ
ドロフラン 800部 実施例11 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフ下記構造
式の電子受容性物質 1.5部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 シクロヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 200部 150部 80部 下記構造式の電子受容性物質 1.5部 テトラヒドロフラン 750部実施
例12 厚さ0.2mmのアルミニウム板上に、下記組成の電荷
発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥
して各々0.2μ口の電荷発生層および17μmの電荷
輸送層を形成し1本発明の電子写真感光体を作成した6 テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1350部 90部 塩化メチレン 800部実施
例13 厚さO,Inn+の′I′を問ニッケル板上に、下記組
成の下引層塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送J谷塗
工液および保護層塗工液を順次、塗布・乾燥して各々0
、3 pmの下引層、0.27xの電荷発生層および
18μmの電荷輸送層および3μmの保護層を形成し、
本発明の電子写真感光体を作成した。
リ
ポリサルホン(日産化学■製
シクロヘキサノン
テトラヒドロフラン
〔電荷輸送層塗工液〕
下記構造式の電荷輸送物質
P−1700)
1.5部
100部
200部
80部
水
100部メタノール
100部〔電荷発生層塗工液〕 F記構造式の電荷発生物質 2部塩化メ
チレン 〔保護層塗工液〕 850部 下記構造式の電子受容性物質 1部 酸化錫 トルエン 80部 170部 2−ブタノン 100部 実施例14 実施例9と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷輸送層塗工液および電荷発生層塗工液を順次、塗布
・乾燥して各々2μmの下引JM、22μmの電荷輸送
層および0.4μmの電荷発生層を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。
100部メタノール
100部〔電荷発生層塗工液〕 F記構造式の電荷発生物質 2部塩化メ
チレン 〔保護層塗工液〕 850部 下記構造式の電子受容性物質 1部 酸化錫 トルエン 80部 170部 2−ブタノン 100部 実施例14 実施例9と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷輸送層塗工液および電荷発生層塗工液を順次、塗布
・乾燥して各々2μmの下引JM、22μmの電荷輸送
層および0.4μmの電荷発生層を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。
二酸化チタン 8部塩化メ
チレン ■、2−ジクロロエタン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 600部 200部 2部 下記構造式の電子受容性物質 1部 2−ブタノン 90部酢
酸エチル 60部〔電荷輸
送jけ塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 70部トルイ
レン−2,4−ジイソシアネート0.2部テトラヒドロ
フラン 250部4−メチル−2−ペ
ンタノン ioo部実施例15 実施例12と同じ支持体上に、下記組成の電荷輸送層塗
工液、電荷発生層塗工液、中間Jf!塗工液および保護
層塗工液を順次、塗布・乾燥して、各々20μmの電荷
輸送Ju、0 、2 pmの電荷発生層、0.2μmの
中間層および5μmの保護/?(を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。
チレン ■、2−ジクロロエタン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 600部 200部 2部 下記構造式の電子受容性物質 1部 2−ブタノン 90部酢
酸エチル 60部〔電荷輸
送jけ塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 70部トルイ
レン−2,4−ジイソシアネート0.2部テトラヒドロ
フラン 250部4−メチル−2−ペ
ンタノン ioo部実施例15 実施例12と同じ支持体上に、下記組成の電荷輸送層塗
工液、電荷発生層塗工液、中間Jf!塗工液および保護
層塗工液を順次、塗布・乾燥して、各々20μmの電荷
輸送Ju、0 、2 pmの電荷発生層、0.2μmの
中間層および5μmの保護/?(を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷輸送物質 90部シクロ
ヘキサノン 4−メチル−2−ペンタノン 230部 120部 〔中間N塗工液〕 メタノール 70部 n−ブタノール 40部 〔保護層塗工液〕 塩化メチレン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 850部 3.5部 C1+3 下記構造式の電子受容性物質 1.5部 導電性酸化チタン 90部トルエ
ン 220部n−ブタノ
ール 60部実施例16 厚さ0.2mnのニクロム板上に、下記組成の電荷輸送
層塗工液、電荷発生層塗工液および保護層塗工液を順次
、塗布乾燥して各々19μmの電荷輸送層、0.3岬の
電荷発生層および2μmの保護層を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。
ヘキサノン 4−メチル−2−ペンタノン 230部 120部 〔中間N塗工液〕 メタノール 70部 n−ブタノール 40部 〔保護層塗工液〕 塩化メチレン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 850部 3.5部 C1+3 下記構造式の電子受容性物質 1.5部 導電性酸化チタン 90部トルエ
ン 220部n−ブタノ
ール 60部実施例16 厚さ0.2mnのニクロム板上に、下記組成の電荷輸送
層塗工液、電荷発生層塗工液および保護層塗工液を順次
、塗布乾燥して各々19μmの電荷輸送層、0.3岬の
電荷発生層および2μmの保護層を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷輸送物質
テトラヒドロンラン
〔を荷発生層塗工液〕
下記構造式の電荷発生物質
下記構造式の電子受容性物質
〔電荷発生層塗工液〕
下記構造式の電荷発生物質
下記構造式の電子受容性物質
シクロヘキサノン
2−ブタノン
〔電荷輸送層塗工液〕
下記構造式の電荷輸送物質
80部
トルイレン−2,4−シイ
シクロへキサノン
2−ブタノン
〔保護層塗工液〕
ソシアネート 0.2部
200部
120部
700部
3部
2部
酸化錫 90部トルエ
ン 250部2−ブタノ
ン 70部比較例9〜1
6 以上の様に作成した実施例9〜16の感光体において、
各々の電荷発生層に電子受容性物質を含有させない他は
すべて実施例9〜16と同様にして感光体を形成し、比
較例9〜16の感光体とした。
ン 250部2−ブタノ
ン 70部比較例9〜1
6 以上の様に作成した実施例9〜16の感光体において、
各々の電荷発生層に電子受容性物質を含有させない他は
すべて実施例9〜16と同様にして感光体を形成し、比
較例9〜16の感光体とした。
実施例17
アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2μm厚の電荷
発生層および22ρ厚の電荷輸送層を形成し、本発明の
電子写真感光体を作成した。
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2μm厚の電荷
発生層および22ρ厚の電荷輸送層を形成し、本発明の
電子写真感光体を作成した。
3部
1部
テトラヒドロフラン 800部実施
例18 実施例17と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生層塗工液および電荷輸送7M塗工液を順次、
塗布・乾燥して各々0.3μmの下引層、0.27mの
電荷発生層および20prnの電荷輸送層を成し、本発
明の電子写真感光体を作成した。
例18 実施例17と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生層塗工液および電荷輸送7M塗工液を順次、
塗布・乾燥して各々0.3μmの下引層、0.27mの
電荷発生層および20prnの電荷輸送層を成し、本発
明の電子写真感光体を作成した。
200部
100部
水
150部メタノール
200部〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部90部 下記構造式の電子受容性物質 1部 シクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 150部 150部 80部 実施例19 ハステロイ導71を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液、電荷発生層塗
工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾燥して、
各々2μmの下引層、0.3−の電荷発生層および18
μmの電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。
150部メタノール
200部〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部90部 下記構造式の電子受容性物質 1部 シクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 150部 150部 80部 実施例19 ハステロイ導71を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液、電荷発生層塗
工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾燥して、
各々2μmの下引層、0.3−の電荷発生層および18
μmの電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。
二酸化チタン 10部トルイ
レン−2,4−ジイソシアネート 0.2部2−ブ
タノン 100部4−メチ
ル−2−ペンタノン 70部〔電荷発
生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 4部テトラヒ
ドロフラン 800部 下記構造式の電子受容性物質 1.5部 を作成した。
レン−2,4−ジイソシアネート 0.2部2−ブ
タノン 100部4−メチ
ル−2−ペンタノン 70部〔電荷発
生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 4部テトラヒ
ドロフラン 800部 下記構造式の電子受容性物質 1.5部 を作成した。
下記構造式の電荷発生物質
4部
シクロヘキサノン
テトラヒドロフラン
〔電荷輸送層塗工液〕
下記構造式の電荷輸送物質
1”、+1−
200部
150部
80部
下記構造式の電子受容性物質
1.5部
テトラヒドロフラン 750部実施
例20 厚さ0.2nnのアルミニウム板上に、下記組成の電荷
発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥
して各々0.2μmの電荷発生層および17μ刊の電荷
輸送層を形成し1本発明の電子写真感光体テトラヒドロ
フラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 350部 90部 下記構造式の電子受容性物質 塩化メチレン 800部実施例
21 厚さ0 、1. mmの電鋳ニッケル板上に、下記組成
の下引層塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液
および保護層塗工液を順次、塗布・乾燥して各々0.3
μmの下引層、0.2閾の電荷発生層および18部mの
電荷輸送層および3部mの保護層を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。
例20 厚さ0.2nnのアルミニウム板上に、下記組成の電荷
発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥
して各々0.2μmの電荷発生層および17μ刊の電荷
輸送層を形成し1本発明の電子写真感光体テトラヒドロ
フラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 350部 90部 下記構造式の電子受容性物質 塩化メチレン 800部実施例
21 厚さ0 、1. mmの電鋳ニッケル板上に、下記組成
の下引層塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液
および保護層塗工液を順次、塗布・乾燥して各々0.3
μmの下引層、0.2閾の電荷発生層および18部mの
電荷輸送層および3部mの保護層を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。
ポリサルホン(日産化学■製
シクロヘキサノン
テトラヒドロフラン
〔′重荷輸送層塗工液〕
下記構造式の電荷輸送物質
P−1700)
1.5部
100部
200部
80部
水
ioo部メタノール
100部〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部塩化メ
チレン 〔保護層塗工液〕 850部 酸化錫 80部 トルエン 170部2−
ブタノン 100部実施例
22 実施例17と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷輸送層塗工液および電荷発生JFJ塗工液を順次
、塗布・乾燥して各々2μmの下引層、22μmの電荷
輸送層および0.4μmの電荷発生層を形成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。
ioo部メタノール
100部〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部塩化メ
チレン 〔保護層塗工液〕 850部 酸化錫 80部 トルエン 170部2−
ブタノン 100部実施例
22 実施例17と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷輸送層塗工液および電荷発生JFJ塗工液を順次
、塗布・乾燥して各々2μmの下引層、22μmの電荷
輸送層および0.4μmの電荷発生層を形成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。
〔下引1行塗工液〕
二酸化チタン 8部2−ブ
タノン 90部酢酸エチル
60部〔電荷輸送層塗工
液〕 下記構造式の電荷輸送物質 70部塩化メ
チレン 1.2−ジクロロエタン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 下記構造式の電子受容性物質 600部 200部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートテトラヒドロフ
ラン 0.2部 250部 4−メチル−2−ペンタノン 100部 実施例23 実施例20と同じ支持体上に、下記組成の電荷輸送層塗
工液、電荷発生層塗工液、中間層塗工液および保護層塗
工液を順次、塗布・乾燥して、各々20戸の電荷輸送層
、0.2μmの電荷発生層、0.2μmの中間層および
5μωの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を作
成した。
タノン 90部酢酸エチル
60部〔電荷輸送層塗工
液〕 下記構造式の電荷輸送物質 70部塩化メ
チレン 1.2−ジクロロエタン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 下記構造式の電子受容性物質 600部 200部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートテトラヒドロフ
ラン 0.2部 250部 4−メチル−2−ペンタノン 100部 実施例23 実施例20と同じ支持体上に、下記組成の電荷輸送層塗
工液、電荷発生層塗工液、中間層塗工液および保護層塗
工液を順次、塗布・乾燥して、各々20戸の電荷輸送層
、0.2μmの電荷発生層、0.2μmの中間層および
5μωの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を作
成した。
下記構造式の電荷輸送物質 90部下記構
造式の電子受容性物質 1.5部 シクロヘキサノン 230部 4−メチル−2−ペンタノン 120部 〔中間層塗工液〕 塩化メチレン 850部〔電
荷発生M塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3.5部メタノ
ール 70部 n−ブタノール 40部 〔保護層塗工液〕 導電性酸化チタン 90部 トルエン 220部n−
ブタノール 60部実施例
24 厚さ0.2mmのニクロム板上に、下記組成の電荷輸送
層塗工液、電荷発生層塗工液および保護層塗工液を順次
、塗布乾燥して各々19μmの電荷輸送層、0.3μm
の電荷発生層および2μmの保護層を形成し、本発明の
電子写真感光体を作成した。
造式の電子受容性物質 1.5部 シクロヘキサノン 230部 4−メチル−2−ペンタノン 120部 〔中間層塗工液〕 塩化メチレン 850部〔電
荷発生M塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3.5部メタノ
ール 70部 n−ブタノール 40部 〔保護層塗工液〕 導電性酸化チタン 90部 トルエン 220部n−
ブタノール 60部実施例
24 厚さ0.2mmのニクロム板上に、下記組成の電荷輸送
層塗工液、電荷発生層塗工液および保護層塗工液を順次
、塗布乾燥して各々19μmの電荷輸送層、0.3μm
の電荷発生層および2μmの保護層を形成し、本発明の
電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷輸送物質 80部下記構
造式の電子受容性物質 2部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔保護層塗工液〕 0.2部 200部 120部 テトラヒドロフラン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 700部 3部 酸化錫 90部トル
エン 250部2−ブタ
ノン 70部比較例17
〜24 以上の様に作成した実施例17〜24の感光体において
、各々の電荷発生層に電子受容性物質を含有させない他
はすべて実施例17〜24と同様にして感光体を形成し
、比較例17〜24の感光体とした。
造式の電子受容性物質 2部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔保護層塗工液〕 0.2部 200部 120部 テトラヒドロフラン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 700部 3部 酸化錫 90部トル
エン 250部2−ブタ
ノン 70部比較例17
〜24 以上の様に作成した実施例17〜24の感光体において
、各々の電荷発生層に電子受容性物質を含有させない他
はすべて実施例17〜24と同様にして感光体を形成し
、比較例17〜24の感光体とした。
実施例25
アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2μm厚の電荷
発生層および22μm厚の電荷輸送層を形成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2μm厚の電荷
発生層および22μm厚の電荷輸送層を形成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 3部下記構造
式の電子受容性物質 1部シクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1”、1l− 200部 100部 90部 テトラヒドロフラン 800部実施
例26 実施例25と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗
布・乾燥して各々0.3Pの下引層、0.2pの電荷発
生層および20μmの電荷輸送層を成し1本発明の電子
写真感光体を作成した。
式の電子受容性物質 1部シクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1”、1l− 200部 100部 90部 テトラヒドロフラン 800部実施
例26 実施例25と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗
布・乾燥して各々0.3Pの下引層、0.2pの電荷発
生層および20μmの電荷輸送層を成し1本発明の電子
写真感光体を作成した。
デンカブチラールHOOO−1ン
エスレックリ−201)
水
メタノール
〔電荷発生層塗工液〕
下記構造式の電荷発生物質
150部
200部
3部
下記構造式の電子受容性物質
1部
シクロヘキサノン
2−ブタノン
〔電荷輸送層塗工液〕
下記構造式の電荷輸送物質
150部
150部
80部
テトラヒドロフラン 800部実施
例27 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液、電荷発生層塗
工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾燥して、
各々2μmの下引層、0.3μmの電荷発生層および1
8μmの電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体
を作成した。
例27 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液、電荷発生層塗
工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾燥して、
各々2μmの下引層、0.3μmの電荷発生層および1
8μmの電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体
を作成した。
二酸化チタン 10部トル
イレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部2−
ブタノン 100部4−メ
チル−2−ペンタノン 70部〔電荷
発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 4部下記構造
式の電子受容性物質 1.5部 シクロヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 200部 150部 80部 テトラヒドロフラン 750部実施
例28 厚さ0.2mmのアルミニウム板上に、下記組成の電荷
発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥
して各々0.2μmの電荷発生層および17μmの電荷
輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
イレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部2−
ブタノン 100部4−メ
チル−2−ペンタノン 70部〔電荷
発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 4部下記構造
式の電子受容性物質 1.5部 シクロヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 200部 150部 80部 テトラヒドロフラン 750部実施
例28 厚さ0.2mmのアルミニウム板上に、下記組成の電荷
発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥
して各々0.2μmの電荷発生層および17μmの電荷
輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 4部下記構造
式の電子受容性物質 1.5部 (東洋紡績■製バイロン300) テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 350部 90部 水 メタノール 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 100部 100部 2部 下記構造式の電子受容性物質 1部 塩化メチレン 800部実施例
29 厚さ0.1部mの電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引
層塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液および
保護層塗工液を順次、塗布・乾燥して各々0 、3 p
aaの下引層、0,2μmの電荷発生層および18戸の
電荷輸送層および3声の保護層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
式の電子受容性物質 1.5部 (東洋紡績■製バイロン300) テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 350部 90部 水 メタノール 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 100部 100部 2部 下記構造式の電子受容性物質 1部 塩化メチレン 800部実施例
29 厚さ0.1部mの電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引
層塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液および
保護層塗工液を順次、塗布・乾燥して各々0 、3 p
aaの下引層、0,2μmの電荷発生層および18戸の
電荷輸送層および3声の保護層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
ポリビニルアルコール 2部(電気
化学工業111製デンカポバール1l−20)ポリサル
ホン(日産化学曲[P−1700)シクロヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1.5部 100部 200部 80部 ポリカーボネート 100部 (帝人化学■製パンライトに−1300)塩化メチレン
850部〔保護層塗工液〕 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 酸化錫 80部トル
エン 170部2−ブタ
ノン 100部実施例3゜ 実施例25と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷輸送層塗工液および電荷発生層塗工液を順次、塗
布・乾燥して各々2μmの下引層、22μmの電荷輸送
層および0 、4 pmの電荷発生層を形成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。
化学工業111製デンカポバール1l−20)ポリサル
ホン(日産化学曲[P−1700)シクロヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1.5部 100部 200部 80部 ポリカーボネート 100部 (帝人化学■製パンライトに−1300)塩化メチレン
850部〔保護層塗工液〕 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 酸化錫 80部トル
エン 170部2−ブタ
ノン 100部実施例3゜ 実施例25と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷輸送層塗工液および電荷発生層塗工液を順次、塗
布・乾燥して各々2μmの下引層、22μmの電荷輸送
層および0 、4 pmの電荷発生層を形成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。
二酸化チタン 8部塩化メ
チレン ■、2−ジクロロエタン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 下記構造式の電子受容性物質 2−ブタノン 90部 酢酸エチル 60部 トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部
テトラヒドロフラン 250部4−
メチル−2−ペンタノン 100部実
施例31 実施例28と同じ支持体上に、下記組成の電荷輸送層塗
工液、電荷発生層塗工液、中間層塗工液および保護層塗
工液を順次、塗布・乾燥して、各々20μmの電荷輸送
層、0.2声の電荷発生層、0.2μsの中間層および
5声mの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を作
成した。
チレン ■、2−ジクロロエタン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 下記構造式の電子受容性物質 2−ブタノン 90部 酢酸エチル 60部 トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部
テトラヒドロフラン 250部4−
メチル−2−ペンタノン 100部実
施例31 実施例28と同じ支持体上に、下記組成の電荷輸送層塗
工液、電荷発生層塗工液、中間層塗工液および保護層塗
工液を順次、塗布・乾燥して、各々20μmの電荷輸送
層、0.2声の電荷発生層、0.2μsの中間層および
5声mの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を作
成した。
下記構造式の電荷輸送物質 90部L
〔電荷発生層塗工液〕
下記構造式の電荷発生物質
下記構造式の電子受容性物質
シクロヘキサノン
4−メチル−2−ペンタノン
〔中間層塗工液〕
メタノール
n−ブタノール
〔保護層塗工液〕
塩化メチレン
850部
レート共重合体
70部
600部
200部
3.5部
1.5部
230部
120部
70部
40部
導電性酸化チタン 90部トルエ
ン 220部n−ブタノ
ール 60部実施例32 厚さ0.2anのニクロム板上に、下記組成の電荷輸送
、IIII塗工液、電荷発生層塗工液および保護層塗工
液を順次、塗布乾燥して各々19μmの電荷輸送層。
ン 220部n−ブタノ
ール 60部実施例32 厚さ0.2anのニクロム板上に、下記組成の電荷輸送
、IIII塗工液、電荷発生層塗工液および保護層塗工
液を順次、塗布乾燥して各々19μmの電荷輸送層。
0.3μmの電荷発生層および2μmの保護層を形成し
、本発明の電子写真感光体を作成した。
、本発明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷輸送物質 80部下記構
造式の電子受容性物質 2部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔保WtJ層塗工液〕 0.2部 200部 120部 テトラヒドロフラン 700部〔電
荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部酸化錫
90部トルエン
250部2−ブタノン
70部比較例25〜32 以上の様に作成した実施例25〜32の感光体において
、各々の電荷発生層に電子受容性物質を含有させない他
はすべて実施例25〜32と同様にして感光体を形成し
、比較例25−32の感光体とした。
造式の電子受容性物質 2部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔保WtJ層塗工液〕 0.2部 200部 120部 テトラヒドロフラン 700部〔電
荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部酸化錫
90部トルエン
250部2−ブタノン
70部比較例25〜32 以上の様に作成した実施例25〜32の感光体において
、各々の電荷発生層に電子受容性物質を含有させない他
はすべて実施例25〜32と同様にして感光体を形成し
、比較例25−32の感光体とした。
以上の各感光体の特性を、静電複写紙試験装置(用ロ電
気製作所製SP−/+28型)を用いて次のように評価
した。
気製作所製SP−/+28型)を用いて次のように評価
した。
まず、 −5,2kV(もしくは+5.6kV)の放電
々圧にて、コロナ帯電を20秒間行ない、次いで10秒
rIrJ@減衰させ、その後1.0Quxのタングステ
ン光を照射した。
々圧にて、コロナ帯電を20秒間行ない、次いで10秒
rIrJ@減衰させ、その後1.0Quxのタングステ
ン光を照射した。
この時の帯電開始後2秒と20秒の表面電位v2(ν)
、VZ、 (V)および暗減衰10秒後の表面電位v3
o(v)を測定し、また、■3゜を半分の電位に光減衰
させるのに必要な露光量E、 7. (Qux 、 5
ee)を測定した。なお、暗減衰率(D、D)は、次式
で定義される。
、VZ、 (V)および暗減衰10秒後の表面電位v3
o(v)を測定し、また、■3゜を半分の電位に光減衰
させるのに必要な露光量E、 7. (Qux 、 5
ee)を測定した。なお、暗減衰率(D、D)は、次式
で定義される。
D、D=V、 、 /V2゜
更に、上記条件の帯電と露光を同時に30分間行なって
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−1に示す。
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−1に示す。
表−1
〔発明の効果〕
本発明の高感度を有する積層型有機電子写真感光体は、
くり返し使用後の帯電電位の立上りの遅れを防止するこ
とが可能となる。
くり返し使用後の帯電電位の立上りの遅れを防止するこ
とが可能となる。
したがって、本発明によれば、複写機、プリンター等の
画像濃度低下、画像濃度ムラ、カブリあるいは反転画像
時においては、地肌汚れのない良好な画像を得ることが
できる。
画像濃度低下、画像濃度ムラ、カブリあるいは反転画像
時においては、地肌汚れのない良好な画像を得ることが
できる。
第1図〜第4図は各々本発明に係る電子写真用感光体の
模式断面図である。 第 ! 第2 図 図 第3図 第4 特許出願人 株式会社 リ コ
模式断面図である。 第 ! 第2 図 図 第3図 第4 特許出願人 株式会社 リ コ
Claims (1)
- (1)導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸
送層を有する積層型有機電子写真感光体において、該電
荷発生層中に下記一般式( I )〜(IV)で示される電
子受容性化合物の少なくとも1種を含有してなることを
特徴とする電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Lはチオフェン核を表わし、Yは=0又は▲数
式、化学式、表等があります▼を表わす。Rはハロゲン
原子、アルキル基又はアルコキシ基を表わし、p、qは
各々0〜3の間の整数を表わす。) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、Xはハロゲン原子を表わし、m、nは各々0〜
4の間の整数を表わす。) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中、Rはハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ
基を表わし、m、nは各々0〜4の間の整数を表わす。 ) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、Rはハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ
基を表わし、m、nは各々0〜4の間の整数を表わす。 )
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29123988A JPH02136861A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29123988A JPH02136861A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02136861A true JPH02136861A (ja) | 1990-05-25 |
Family
ID=17766280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29123988A Pending JPH02136861A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02136861A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5306587A (en) * | 1991-09-24 | 1994-04-26 | Agfa-Gevaert, N.V. | Photosensitive recording material |
EP1172700A3 (en) * | 2000-07-13 | 2003-11-12 | Xerox Corporation | Photoconductive imaging members |
US7129012B2 (en) | 2003-12-26 | 2006-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US7396622B2 (en) | 2005-06-23 | 2008-07-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
CN112513014A (zh) * | 2018-06-18 | 2021-03-16 | Elc 管理有限责任公司 | 光稳定剂化合物、组合物和方法 |
-
1988
- 1988-11-18 JP JP29123988A patent/JPH02136861A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5306587A (en) * | 1991-09-24 | 1994-04-26 | Agfa-Gevaert, N.V. | Photosensitive recording material |
EP1172700A3 (en) * | 2000-07-13 | 2003-11-12 | Xerox Corporation | Photoconductive imaging members |
US7129012B2 (en) | 2003-12-26 | 2006-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US7396622B2 (en) | 2005-06-23 | 2008-07-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US7592113B2 (en) | 2005-06-23 | 2009-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US7745083B2 (en) | 2005-06-23 | 2010-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
CN112513014A (zh) * | 2018-06-18 | 2021-03-16 | Elc 管理有限责任公司 | 光稳定剂化合物、组合物和方法 |
CN112513014B (zh) * | 2018-06-18 | 2024-01-30 | Elc 管理有限责任公司 | 光稳定剂化合物、组合物和方法 |
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