JPH02134875A - 光検出素子 - Google Patents
光検出素子Info
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- JPH02134875A JPH02134875A JP63287591A JP28759188A JPH02134875A JP H02134875 A JPH02134875 A JP H02134875A JP 63287591 A JP63287591 A JP 63287591A JP 28759188 A JP28759188 A JP 28759188A JP H02134875 A JPH02134875 A JP H02134875A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光を検知する光検出素子に関するものである。
従来よシこの種の光検出素子としては、１９７９゜Ｓ
Ｉ ＣＥ 、小林彬らによる単結晶８ｉ太陽電池が知ら
れている。この単結晶Ｓｔ太陽電池は、ｎ型Ｓｔ基板上
に形成したｐ型Ｓｉ部をエツチングし、これと電極膜パ
ターンとを組み合わせることによシ構成している。
Ｉ ＣＥ 、小林彬らによる単結晶８ｉ太陽電池が知ら
れている。この単結晶Ｓｔ太陽電池は、ｎ型Ｓｔ基板上
に形成したｐ型Ｓｉ部をエツチングし、これと電極膜パ
ターンとを組み合わせることによシ構成している。
従来の単結晶太陽電池は、それ自体価格が高く、単純な
空間フィルタパターンと組み合わせて使用する場合には
電極膜およびＰ型Ｓｔ またはＮ型ｓ１の両者をエツチ
ングしなければならない。また、受光部が複数ある場合
、各受光部を分離し、絶縁をとってやらねばならず、こ
れらを実現するためにはフォトリングラフィおよびエツ
チング等が工程上不可欠であり、そのため、マスク枚数
も多く必要となυ、製造工程の複雑化、コスト高を招い
ていた。また、微細加工は数μｍ１でか実用上の限界で
あり、精度の高い空間フィルタの製造には限界があった
。
空間フィルタパターンと組み合わせて使用する場合には
電極膜およびＰ型Ｓｔ またはＮ型ｓ１の両者をエツチ
ングしなければならない。また、受光部が複数ある場合
、各受光部を分離し、絶縁をとってやらねばならず、こ
れらを実現するためにはフォトリングラフィおよびエツ
チング等が工程上不可欠であり、そのため、マスク枚数
も多く必要となυ、製造工程の複雑化、コスト高を招い
ていた。また、微細加工は数μｍ１でか実用上の限界で
あり、精度の高い空間フィルタの製造には限界があった
。
本発明による光検出素子は、前述した従来の問題を改善
するためになされたものであり、対向電極間にアモルフ
ァスシリコン光電変換素子を挾持させるとともにこの対
向電極の少なくとも一方が空間フィルタを形成する１つ
以上の電極パターンにより構成するものである。
するためになされたものであり、対向電極間にアモルフ
ァスシリコン光電変換素子を挾持させるとともにこの対
向電極の少なくとも一方が空間フィルタを形成する１つ
以上の電極パターンにより構成するものである。
本発明においては、アモルファスシリコン光電変換素子
を用いることにより、空間フィルタの形状が対向電極パ
ターンのみの変更で形成される。
を用いることにより、空間フィルタの形状が対向電極パ
ターンのみの変更で形成される。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明による光検出素子の一実施例を示す図で
あり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はその要部断面
図である。同図において、絶縁基板として例えば板厚０
．５〜１．１ｒｏｍ程度の透光性ガラス基板１上に真空
蒸着法によりＩＴＯを約５ｏｏＸ およびｓｎｏ、を１
００〜２００Ｘ積層して透明電極２が形成されており、
この透明電極２上には共通電極端子が形成される部分を
除いてその主要部にプラズマＣＶＤ法によりＰ層を約１
５０λ、 Ｉ層モルファスシリコ／（以下ａ−８ｔ と
称する）光電変換素子３が形成されている。また、この
ａ −Ｓｔ光電変換素子３および透明電極２の共通電極
形成部上にはメタルマスクを配置し、Ａ／１．の真空蒸
着法によりａ−８１光電変換素子３上には２組の櫛形電
極４．５が各棒状電極を互いに組み合せて形成されると
ともに透明電極２上には共通電極端子６が形成されてい
る。また、各櫛形電極４゜５の端部にはそれぞれ電極端
子４ａ、５ａが同時に一体形成されている。
あり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はその要部断面
図である。同図において、絶縁基板として例えば板厚０
．５〜１．１ｒｏｍ程度の透光性ガラス基板１上に真空
蒸着法によりＩＴＯを約５ｏｏＸ およびｓｎｏ、を１
００〜２００Ｘ積層して透明電極２が形成されており、
この透明電極２上には共通電極端子が形成される部分を
除いてその主要部にプラズマＣＶＤ法によりＰ層を約１
５０λ、 Ｉ層モルファスシリコ／（以下ａ−８ｔ と
称する）光電変換素子３が形成されている。また、この
ａ −Ｓｔ光電変換素子３および透明電極２の共通電極
形成部上にはメタルマスクを配置し、Ａ／１．の真空蒸
着法によりａ−８１光電変換素子３上には２組の櫛形電
極４．５が各棒状電極を互いに組み合せて形成されると
ともに透明電極２上には共通電極端子６が形成されてい
る。また、各櫛形電極４゜５の端部にはそれぞれ電極端
子４ａ、５ａが同時に一体形成されている。
なお、前述した櫛形電極４，５および共通電極端子６は
Ａ／、の真空蒸着法によυ形成したが、Ａｔ以外にＯｒ
もしくはＮ１等を使用しても良く、また、前述した透明
電極２にはＡｔ等にょシ共通電極端子６を形成しないで
直接透明電極２にリードフレームもしくはリード線を接
着しても良い。
Ａ／、の真空蒸着法によυ形成したが、Ａｔ以外にＯｒ
もしくはＮ１等を使用しても良く、また、前述した透明
電極２にはＡｔ等にょシ共通電極端子６を形成しないで
直接透明電極２にリードフレームもしくはリード線を接
着しても良い。
また、櫛形電極４，５の形成において、Ａｔは±３０μ
ｍ程度の精度で良い場合は真空蒸着の際、メタルマスク
を被せるのみで良いが、これ以上の精度が必要力場合は
、例えば±２μｍ程度の精度まではフォトリソグラフィ
によるパターンの形成および電極膜のエツチングを行な
って形成できる。
ｍ程度の精度で良い場合は真空蒸着の際、メタルマスク
を被せるのみで良いが、これ以上の精度が必要力場合は
、例えば±２μｍ程度の精度まではフォトリソグラフィ
によるパターンの形成および電極膜のエツチングを行な
って形成できる。
この場合、Ａｔのエツチング液には例えばＨＩＰＯ。
、ＨＮＯ３，ＣＨ３ＣＯ０Ｈ，Ｈ，Ｏをそれぞれ８３．
３：１：６．７：９ の割合で混合し、５０〜６０℃
に加熱したものが使用される。
３：１：６．７：９ の割合で混合し、５０〜６０℃
に加熱したものが使用される。
このような構成によると、ａ −Ｓｔ 光電変換素子
３が透明電極２と対向する櫛形電極４，５とで挾持され
るとともにこの第１の櫛形電極４と第２の櫛形電極５と
で空間フィルタを構成しているので、光電変換素子３へ
の外部光りの入射によって生じた電流は光電変換素子３
の横方向の絶縁性が高いため、縦方向に大部分が流れる
。このため、電標端子４ａ、５ａ と共通電極端子６と
の間に取シ出される信号は櫛形電極４，５上に投射され
る光成分のものであり、スリットなどを配置した場合と
ほぼ同等の効果が得られる。
３が透明電極２と対向する櫛形電極４，５とで挾持され
るとともにこの第１の櫛形電極４と第２の櫛形電極５と
で空間フィルタを構成しているので、光電変換素子３へ
の外部光りの入射によって生じた電流は光電変換素子３
の横方向の絶縁性が高いため、縦方向に大部分が流れる
。このため、電標端子４ａ、５ａ と共通電極端子６と
の間に取シ出される信号は櫛形電極４，５上に投射され
る光成分のものであり、スリットなどを配置した場合と
ほぼ同等の効果が得られる。
横方向の絶縁性は、ａ−８ｉの有する以下の特性による
ものである。すなわちこのａ−８ｔ光電変換素子３を構
成するａ−８１は、導電率が通常Ｐ層で１０−６〜１０
’（Ｓｃ！ｎ ’）程度、１層で１０−９〜１０−
１°（Ｓの−１）程度と例えば単結晶シリコンと比べて
極めて低く、さらにこのａ−８ｔ光電変換素子３の膜厚
はＰＩＮ層を加算しても約０．６μｍ以下であり、横方
向に約数十μｍ以上の間隔をとってあれば、縦方向と比
べて横方向の電気抵抗は極めて大きい。また、縦方向に
はＰＩＮ構造によるＰ層、Ｎ層に拡散および１層に内部
電界があるので、その方向の光起電流は流れ易いが、横
方向には拡散があシ、電界がないので、Ｎ層の厚さ４０
０Ａ と櫛形電極４，５間の距離１０μｍとの差に基づ
く抵抗値の差が生じ、光起電流が流れにくくなる。この
ために横方向はほとんど絶縁に近い状態と表る。
ものである。すなわちこのａ−８ｔ光電変換素子３を構
成するａ−８１は、導電率が通常Ｐ層で１０−６〜１０
’（Ｓｃ！ｎ ’）程度、１層で１０−９〜１０−
１°（Ｓの−１）程度と例えば単結晶シリコンと比べて
極めて低く、さらにこのａ−８ｔ光電変換素子３の膜厚
はＰＩＮ層を加算しても約０．６μｍ以下であり、横方
向に約数十μｍ以上の間隔をとってあれば、縦方向と比
べて横方向の電気抵抗は極めて大きい。また、縦方向に
はＰＩＮ構造によるＰ層、Ｎ層に拡散および１層に内部
電界があるので、その方向の光起電流は流れ易いが、横
方向には拡散があシ、電界がないので、Ｎ層の厚さ４０
０Ａ と櫛形電極４，５間の距離１０μｍとの差に基づ
く抵抗値の差が生じ、光起電流が流れにくくなる。この
ために横方向はほとんど絶縁に近い状態と表る。
したがって各櫛形電極４．５を絶縁するために新たにエ
ツチングなどのプロセスを加える必要がなくカシ、櫛形
電極４．５のパターン形状のみを各種変更することによ
り、任意の形状の空間フィルタが形成できる。なお、櫛
形電極４，５をＰ層側に形成しても良い。
ツチングなどのプロセスを加える必要がなくカシ、櫛形
電極４．５のパターン形状のみを各種変更することによ
り、任意の形状の空間フィルタが形成できる。なお、櫛
形電極４，５をＰ層側に形成しても良い。
第２図（ｍ） 、 （ｂ）に示される実施例では、ガラ
ス基板１上に前述と同様な方法によＦ）、ＩＴＯ／Ｓｎ
Ｏ鵞からなる透明電極膜を形成した後、フォトリングラ
フィによシバターニングし、例えば約９％ＨｃＬを約６
０℃に加熱したエツチング液によシエッチングし、パタ
ーニングを行なって空間フィルタを構成する櫛形電極４
．５の一対の櫛形電極と対向し、第２の空間フィルタと
して作用するそれぞれ透明電極２ｍ、２ｂ 、 ２ｃが
形成されている。
ス基板１上に前述と同様な方法によＦ）、ＩＴＯ／Ｓｎ
Ｏ鵞からなる透明電極膜を形成した後、フォトリングラ
フィによシバターニングし、例えば約９％ＨｃＬを約６
０℃に加熱したエツチング液によシエッチングし、パタ
ーニングを行なって空間フィルタを構成する櫛形電極４
．５の一対の櫛形電極と対向し、第２の空間フィルタと
して作用するそれぞれ透明電極２ｍ、２ｂ 、 ２ｃが
形成されている。
このような構成とすれば、ａ−８１光電変換素子３の両
側の電極を空間フィルタとして使用することができる。
側の電極を空間フィルタとして使用することができる。
第３図に示される実施例では、基板としてＳｉ基板７を
用い、このＳｉ基板７０表面に絶縁膜としてＳ ｔｏｗ
などによシ絶縁層８を形成した後、この絶縁層Ｂ上に金
属もしくはＩＴＯ／８ｎＯｚ などを積層して電極２０
を形成し、さらにａ−８ｉ光電変換索子３を形成する。
用い、このＳｉ基板７０表面に絶縁膜としてＳ ｔｏｗ
などによシ絶縁層８を形成した後、この絶縁層Ｂ上に金
属もしくはＩＴＯ／８ｎＯｚ などを積層して電極２０
を形成し、さらにａ−８ｉ光電変換索子３を形成する。
次にこのａ−８ｔ 光電変換索子３上に真空蒸着法によ
＃）ＩＴＯ／５ｎＯｚからなる透明電極膜を形成して前
述と同様のエツチングを行なってそれぞれ透明電極９ａ
、 ９ｂ、９ｃを形成して空間フィルタを構成してい
る。
＃）ＩＴＯ／５ｎＯｚからなる透明電極膜を形成して前
述と同様のエツチングを行なってそれぞれ透明電極９ａ
、 ９ｂ、９ｃを形成して空間フィルタを構成してい
る。
このような構成において、絶縁膜として用いられる絶縁
層８は、半導体集積回路の形成に用いられるＳ ｉｓ
Ｎ４々どを使用しても良い。また、電極２０１ｄＡｔ
、 Ｗ 、 Ｃｒなど上記同様に半導体回路の形成に使
用される金属を使用しても良い。また、Ｓｉ基板７には
表面にエピタキシャル成長を行ない、拡散プロセス後、
能動素子が形成されている場合、コンタクト部分の絶縁
層８をエツチングし、下部能動素子と電極２０との導通
をとることで集積回路での信号処理が可能となる。
層８は、半導体集積回路の形成に用いられるＳ ｉｓ
Ｎ４々どを使用しても良い。また、電極２０１ｄＡｔ
、 Ｗ 、 Ｃｒなど上記同様に半導体回路の形成に使
用される金属を使用しても良い。また、Ｓｉ基板７には
表面にエピタキシャル成長を行ない、拡散プロセス後、
能動素子が形成されている場合、コンタクト部分の絶縁
層８をエツチングし、下部能動素子と電極２０との導通
をとることで集積回路での信号処理が可能となる。
第４図に示される実施例では、高精度が要求される場合
、櫛形電極４．５の電極パターンが微細化し、厚さに対
して横方向の距離が十分に得られないときなどにａ −
Ｓ ｉ光電変換素子３自体をエツチングし、個々のａ−
８ｉ光電変換素子３ａ。
、櫛形電極４．５の電極パターンが微細化し、厚さに対
して横方向の距離が十分に得られないときなどにａ −
Ｓ ｉ光電変換素子３自体をエツチングし、個々のａ−
８ｉ光電変換素子３ａ。
３ｂ、３ｃ、３ｄおよび３ｍ’ 、 ３ｂ’ 、 ３ｃ
’ 、３ｄ’にそれぞれ分離する例であシ、この場合、
ａ−８ｔはＣＦ４を用いて出力約１００Ｗ程度のドライ
プラズマエツチングを行なってパターニングする。
’ 、３ｄ’にそれぞれ分離する例であシ、この場合、
ａ−８ｔはＣＦ４を用いて出力約１００Ｗ程度のドライ
プラズマエツチングを行なってパターニングする。
第５図に示される実施例では、櫛形電極４，５の出力差
動分を取るのに寄与し危い電極部に遮光膜３０をそれぞ
れ設けることによシ、信号出力の直流分を減じ、差動利
得を大きく取ることができる。
動分を取るのに寄与し危い電極部に遮光膜３０をそれぞ
れ設けることによシ、信号出力の直流分を減じ、差動利
得を大きく取ることができる。
このような構成によれば、ａ−８ｔ光電変換素子３は大
面積化に適しておシ、歩留シ低下の影響を受けずに大面
積化（高精度化、高感度化）が容易となる。これによっ
て信号自体が大きく取れるので、信号処理回路が高級な
回路部品を必要とせず、低コストで構成できる。また、
光学系も単純化することができる。
面積化に適しておシ、歩留シ低下の影響を受けずに大面
積化（高精度化、高感度化）が容易となる。これによっ
て信号自体が大きく取れるので、信号処理回路が高級な
回路部品を必要とせず、低コストで構成できる。また、
光学系も単純化することができる。
以上説明し喪ように本発明による光検出素子は、ａ−９
ｔ光電変換素子を挾持する少なくとも一方の電極膜を空
間フィルタを形成する１つ以上の電極膜パターンによシ
構成したことによシ、電極膜パターンの変更のみでフィ
ルタ形状が形成できるので、新たに空間フィルタを設け
ることが不要となるとともに歩留りの低下の影響を受け
ずに高精度化、高感度化が容易と々る。これによって信
号自体が大きくとれるため、信号処理回路が高級な回路
部品を必要とせず、安価に構成できる。また、光学系も
単純化させることができる。さらにａ −８ｉ光電変換
素子に空間フィルタを構成する電極膜パターンは、半導
体集積回路の形成に用いるフォトリングラフィなどの技
術がそのまま利用できるので、加工精度として数μｍ〜
数＋μｍを得るのは容易であシ、形状も自由に設定でき
る。これによって検出対象が拡大され、個々の検出対象
に合わせた形状が選べることになる。さらには従来では
検出できなかった対象も大面積化と合わせてａ−８ｉ光
電変換素子のデザインルールを微細化せずに検出できる
ようになる。したがって低価格化が実現可能となるなど
の極めて優れた効果が得られる。
ｔ光電変換素子を挾持する少なくとも一方の電極膜を空
間フィルタを形成する１つ以上の電極膜パターンによシ
構成したことによシ、電極膜パターンの変更のみでフィ
ルタ形状が形成できるので、新たに空間フィルタを設け
ることが不要となるとともに歩留りの低下の影響を受け
ずに高精度化、高感度化が容易と々る。これによって信
号自体が大きくとれるため、信号処理回路が高級な回路
部品を必要とせず、安価に構成できる。また、光学系も
単純化させることができる。さらにａ −８ｉ光電変換
素子に空間フィルタを構成する電極膜パターンは、半導
体集積回路の形成に用いるフォトリングラフィなどの技
術がそのまま利用できるので、加工精度として数μｍ〜
数＋μｍを得るのは容易であシ、形状も自由に設定でき
る。これによって検出対象が拡大され、個々の検出対象
に合わせた形状が選べることになる。さらには従来では
検出できなかった対象も大面積化と合わせてａ−８ｉ光
電変換素子のデザインルールを微細化せずに検出できる
ようになる。したがって低価格化が実現可能となるなど
の極めて優れた効果が得られる。
第１図値）１缶）は本発明による光検出素子の一実施例
を示す平面図、その要部断面図、第２図（ａ）。 （ｂ）は本発明の他の実施例を示す平面図、その要部断
面図、第３図は本発明のさらに他の実施例を示す断面図
、第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の他の実施例を示
す平面図、その要部断面図、第５図は本発明の他の実施
例を示す平面図である。 １９＠１１１１ガラス基板、２ 、２ａ 、 ２ｂ 、
２ｃ ―ｏｓｓ透明電極、３ ｒ ３ａ ｒ ３ ｂ
＋ ３ ＣＴ ３ ｄ ＊３ａ’ 、 ３ｂ’ 、
３ｃ’ 、 ３ｄ ＊ ｌＩａ ＠アモルファスシリコ
ン（ａ−ｓｉ）光電変換素子、４，５・・・・櫛形電極
、６・・・・共通電極端子、γ・・・−８ｔ基板、８ａ
６ｍｍ絶縁層、９ａ、９ｂ、９ｃ−・・・透明電極、２
０・・・・電極、３０・・・・遮光膜。
を示す平面図、その要部断面図、第２図（ａ）。 （ｂ）は本発明の他の実施例を示す平面図、その要部断
面図、第３図は本発明のさらに他の実施例を示す断面図
、第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の他の実施例を示
す平面図、その要部断面図、第５図は本発明の他の実施
例を示す平面図である。 １９＠１１１１ガラス基板、２ 、２ａ 、 ２ｂ 、
２ｃ ―ｏｓｓ透明電極、３ ｒ ３ａ ｒ ３ ｂ
＋ ３ ＣＴ ３ ｄ ＊３ａ’ 、 ３ｂ’ 、
３ｃ’ 、 ３ｄ ＊ ｌＩａ ＠アモルファスシリコ
ン（ａ−ｓｉ）光電変換素子、４，５・・・・櫛形電極
、６・・・・共通電極端子、γ・・・−８ｔ基板、８ａ
６ｍｍ絶縁層、９ａ、９ｂ、９ｃ−・・・透明電極、２
０・・・・電極、３０・・・・遮光膜。
Claims (6)
- （１）対向電極間にアモルファスシリコン光電変換素子
を挾持させるとともに該対向電極の少なくとも一方が空
間フィルタを形成する１つ以上の電極パターンにより構
成したことを特徴とする光検出素子。 - （２）請求項１記載の光検出素子において、前記対向電
極を空間フィルタを形成する電極パターンにより構成し
たことを特徴とする光検出素子。 - （３）請求項１記載の光検出素子において、前記対向電
極は２組の櫛形電極パターンを組合せて構成し、かつ該
櫛形電極パターンの出力差動分を得るのに寄与しない電
極パターン部に遮光膜を設けたことを特徴とする光検出
素子。 - （４）請求項１記載の光検出素子において、前記対向電
極は２組の櫛形電極パターンを組合せて構成し、かつ該
櫛形電極パターンの出力差動分を得るのに寄与する部分
のみに共通電極を設けたことを特徴とする光検出素子。 - （５）請求項１記載の光検出素子において、前記対向電
極間に挾持させたアモルファスシリコン光電変換素子を
絶縁基板上に設けたことを特徴とする光検出素子。 - （６）請求項１記載の光検出素子において、前記対向電
極間に挾持させたアモルファスシリコン光電変換素子を
集積回路基板上に設けたことを特徴とする光検出素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63287591A JPH02134875A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 光検出素子 |
| US07/539,830 US5130775A (en) | 1988-11-16 | 1990-06-18 | Amorphous photo-detecting element with spatial filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63287591A JPH02134875A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 光検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02134875A true JPH02134875A (ja) | 1990-05-23 |
Family
ID=17719278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63287591A Pending JPH02134875A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 光検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02134875A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4239012A1 (ja) * | 1991-11-19 | 1993-05-27 | Yamatake Honeywell Co Ltd |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6260820A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-17 | Fuji Electric Co Ltd | 水車ランナの熱処理方法 |
-
1988
- 1988-11-16 JP JP63287591A patent/JPH02134875A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6260820A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-17 | Fuji Electric Co Ltd | 水車ランナの熱処理方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4239012A1 (ja) * | 1991-11-19 | 1993-05-27 | Yamatake Honeywell Co Ltd |
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