JPH0213075A - Solid-state image pick-up device - Google Patents
Solid-state image pick-up deviceInfo
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
CCD (charge coupled dav
ice)、MIS (metal 1nsulato
r semiconductor)ダイオード・アレ
イ、シリコン(St)フォト・ダイオード・アレイなど
からなる固体撮像素子をもつ固体撮像装置に関し、
固体撮像素子を構成するホトセンサの中に欠陥があるも
のが含まれていても、そのホトセンサに依って受光され
るべき像を簡単な手段で補完し、正常な画面を得ること
を目的とし、
−次元或いは二次元に配列されたホトセンサ・アレイと
、一画素分の同一光像を前記ホトセンサの少なくとも3
個に切り替え結像させる為に回動自在に設定されたミラ
ーと、前記少なくとも3個のホトセンサからの同一光像
に関する信号が人力されその多数決論理を採った結果の
信号を出力する論理回路とを備えてなるよう構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] CCD (charge coupled dav)
ice), MIS (metal 1nsulato
Regarding solid-state imaging devices that have solid-state imaging devices such as diode arrays and silicon (St) photodiode arrays, even if some of the photosensors that make up the solid-state imaging device are defective, The purpose is to complement the image to be received by the photosensor using simple means and obtain a normal screen. at least three of the photosensors
A mirror that is rotatably set to switch and form images individually, and a logic circuit that outputs a signal that is a result of manually inputting signals regarding the same light image from the at least three photosensors and taking majority logic. Configure to be prepared.
本発明は、CCD(charge coupled
device)、MIS (metal 1nsu
lator semiconductor)ダイオー
ド・アレイ、シリコン(Si)フォト・ダイオード・ア
レイなどからなる固体撮像素子をもつ固体撮像装置に関
する。The present invention utilizes a CCD (charge coupled
device), MIS (metal 1nsu
The present invention relates to a solid-state imaging device having a solid-state imaging element made of a silicon (Si) photodiode array, a silicon (Si) photodiode array, or the like.
近年、TV (television)カメラの高信頼
度化及び小型化の為、従来の撮像管は固体撮像素子に駆
逐されつつあるが、より高品質の画像を記録或いは伝送
する為に画素数を増加させること、従って、固体撮像素
子に於ける受光素子数を増加させることが必要とされて
いる。In recent years, as TV (television) cameras have become more reliable and smaller, conventional image pickup tubes are being replaced by solid-state image sensors, but the number of pixels is increasing in order to record or transmit higher quality images. Therefore, it is necessary to increase the number of light receiving elements in a solid-state image sensor.
従来、固体撮像素子としてはMis型撮像素子、CCD
型撮像素子などが知られている。Conventionally, solid-state image sensors include Mis-type image sensors and CCDs.
type image pickup devices are known.
第7図はMIS型撮像素子の構成を説明する為の要部説
明図を表している。FIG. 7 shows an explanatory diagram of main parts for explaining the configuration of the MIS type image sensor.
図に於いて、lは垂直シフト・レジスタ、2は水平シフ
ト・レジスタ、3Aは垂直選択線、3Bは垂直信号線、
4は映像出力線、5は水平スイッチング・トランジスタ
(HMO3’T) 、6は垂直スイッチング・トランジ
スタ(VMO3T) 、7はホトダイオードをそれぞれ
示している。尚、1個の垂直スイッチング・トランジス
タ6及び1個のホトダイオード7から構成されたー組み
を画素と呼んでいるが、実際には一画素分の信号を遺り
取りするセルである。In the figure, l is a vertical shift register, 2 is a horizontal shift register, 3A is a vertical selection line, 3B is a vertical signal line,
4 is a video output line, 5 is a horizontal switching transistor (HMO3'T), 6 is a vertical switching transistor (VMO3T), and 7 is a photodiode. Incidentally, although a set consisting of one vertical switching transistor 6 and one photodiode 7 is called a pixel, it is actually a cell that receives a signal for one pixel.
第8図は第7図に見られる破線の円で囲んだ部分(画素
)の具体的構成を説明する為の要部切断側面図を表し、
第7図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或
いは同じ意味を持つものとする。FIG. 8 shows a cutaway side view of the main parts to explain the specific structure of the part (pixel) surrounded by the broken line circle in FIG. 7,
The same symbols as those used in FIG. 7 indicate the same parts or have the same meaning.
図に於いて、8はn型シリコン半導体基板、9ばp1型
ソース領域、10ばp+型ドレイン領域、11は絶縁膜
、12はゲート電極、13はドレイン電4%、Sはソー
ス、Dはドレイン、Gはゲートをそれぞれ示している。In the figure, 8 is an n-type silicon semiconductor substrate, 9 is a p1 type source region, 10 is a p+ type drain region, 11 is an insulating film, 12 is a gate electrode, 13 is a drain voltage of 4%, S is a source, and D is The drain and G indicate the gate, respectively.
尚、p+型ソース領域9とn型シリコン半導体基板8と
で生成されるpn接合がホトダイオード(ホトセンサ)
7である。Note that the pn junction formed between the p+ type source region 9 and the n type silicon semiconductor substrate 8 is a photodiode (photosensor).
It is 7.
このMrS型撮像素子では、垂直シフト・レジスタ1で
垂直の走査パルスを発生し、アレイの各行に順に印加す
るようにしている。垂直選択線3Aに接続されたVMO
3T6のゲートに前記走査パルスが印加されると導通し
、ホトダイオード7に蓄積されていた信号電荷は垂直信
号vA3Bに送られる。垂直の走査パルス(選択パルス
)が印加されなかった画素のホトダイオード7はそのま
ま信号電荷の蓄積を継続する。垂直信号線3B(7)−
端はHMO5T5に接続されていて、水平シフト、レジ
スタ2からの水平選択パルスの印加でHMO5T5が順
に導通してゆくと、垂直信号線3に一時的に蓄えられて
いる信号電荷が順に映像出力線4に移り、出力端から映
像信号として送出される。In this MrS type image pickup device, a vertical shift register 1 generates a vertical scanning pulse and applies it to each row of the array in sequence. VMO connected to vertical selection line 3A
When the scanning pulse is applied to the gate of 3T6, it becomes conductive, and the signal charge accumulated in the photodiode 7 is sent to the vertical signal vA3B. The photodiodes 7 of pixels to which no vertical scanning pulse (selection pulse) is applied continue to accumulate signal charges. Vertical signal line 3B(7)-
The end is connected to HMO5T5, and when HMO5T5 is sequentially turned on by horizontal shift and application of horizontal selection pulse from register 2, the signal charge temporarily stored in vertical signal line 3 is sequentially transferred to the video output line. 4, the signal is sent out as a video signal from the output end.
第9図はCCD型撮像素子の構成を説明する為の要部説
明図を表している。FIG. 9 shows an explanatory diagram of main parts for explaining the configuration of a CCD type image sensor.
図に於いて、14は転送用CCD、、1.5はメモリ用
CCD、16は水平C,CD、17はホトダイオードを
それぞれ示している。In the figure, 14 is a transfer CCD, 1.5 is a memory CCD, 16 is a horizontal CCD, and 17 is a photodiode.
この撮像素子では、ホトダイオード17が並んだ列の間
に転送用CCD 14が配置され、それがメモリ用CC
D15を介して水平CCD l 6に接続されている。In this image sensor, a transfer CCD 14 is arranged between rows of photodiodes 17, and a memory CCD 14 is arranged between rows of photodiodes 17.
It is connected to the horizontal CCD l6 via D15.
ホトダイオード17で発生した信号電荷は電荷蓄積動作
に依り、それぞれの接合容量に蓄積される。その蓄積期
間が終わると、その信号電荷は全画素分同時に隣の転送
用CCD14に移送される。その後、信号電荷はCOD
の転送電極に印加されるクロック・パルスに同期して転
送され、メモリ用CCD15に送られ、出力端への読み
出しは転送用CCDの一行分ずつの電荷を水平CCDl
6に送って順に出力する。The signal charge generated in the photodiode 17 is accumulated in each junction capacitance by a charge accumulation operation. When the accumulation period ends, the signal charges for all pixels are simultaneously transferred to the adjacent transfer CCD 14. After that, the signal charge is COD
The charges are transferred in synchronization with the clock pulses applied to the transfer electrodes and sent to the memory CCD 15, and when read out to the output terminal, the charges for each row of the transfer CCD are transferred to the horizontal CCD l.
6 and output in order.
前記何れの撮像素子も多数のホトセンサが配列されたア
レイを有していて、このホトセンサの数は今後益々増加
する傾向にあり、従って、光に応答しない不良のホトセ
ンサの数も多くなって、全て正常なホトセンサで構成さ
れたアレイを得ることは不可能に近いほど困難となる。Each of the above-mentioned image sensors has an array in which a large number of photosensors are arranged, and the number of these photosensors is likely to increase more and more in the future.Therefore, the number of defective photosensors that do not respond to light will also increase, and all Obtaining an array composed of normal photosensors becomes almost impossible.
この状況は、大容量のランダム・アクセス・メモリ (
r a n dom access memory:
RAM)のピント不良に似ているが、大写iRAMでは
冗長性を導入することで、そのような不良のビットを良
品のビットに代替し、RAM全体を救済することが行わ
れている。然しなから、撮像素子でそのような救済を行
うことは不可能である。This situation is difficult to overcome when large amounts of random access memory (
Random access memory:
This is similar to a focus failure in RAM, but Daisha iRAM introduces redundancy to replace such defective bits with good bits and salvage the entire RAM. However, it is impossible to perform such relief using an image sensor.
第1O図は描像素子に形成される像について解説する為
の光学的説明図を表している9、図に於いて、18は撮
像すべき物体、19はレンズ、20は焦点、21は撮像
素子の結像面に生成された像をそれぞれ示している。Figure 1O shows an optical explanatory diagram for explaining the image formed on the imaging element 9. In the figure, 18 is the object to be imaged, 19 is the lens, 20 is the focal point, and 21 is the imaging element. The images generated on the imaging plane are shown respectively.
図示の像21が結像されている面はホトセンサの表面で
あるから、そのホトセンサが光に応答しない不良品であ
る場合には像21が全体の画面から欠落することになっ
て画質は低下する。Since the surface on which the illustrated image 21 is formed is the surface of the photosensor, if the photosensor is a defective product that does not respond to light, the image 21 will be missing from the entire screen and the image quality will deteriorate. .
本発明は、固体撮像素子を構成するホトセンサの中に欠
陥があるものが含まれていても、そのホトセンサに依っ
て受光されるべき像を簡単な手段で補完し、正常な画面
を得ることを可能にしようとする。The present invention makes it possible to obtain a normal screen by complementing the image to be received by the photosensor using a simple means even if some of the photosensors constituting the solid-state image sensor include a defective one. try to make it possible.
本発明の固体撮像装置では、−次元或いは二次元に配列
されたホトセンサ・アレイ (例えばホトセンサD乃至
Mからなるアレイ)と、一画素分の同一光像(例えば画
素αN)を前記ホトセンサの少なくとも3個に切り替え
結像させる為に回動自在に設定されたミラー(例えばミ
ラー33)と、前記少なくとも3個のホトセンサ(例え
ばホトセンサG、H,I)からの同一光像に関する信号
が入力されその多数決論理を採った結果の信号(例えば
信号αh)を出力する論理回路(例えば論理回路TH)
とを備えてなるよう構成する。The solid-state imaging device of the present invention includes a photosensor array (for example, an array consisting of photosensors D to M) arranged in a -dimensional or two-dimensional manner, and an identical optical image for one pixel (for example, pixel αN) arranged in at least three of the photosensors. Signals related to the same light image from a mirror (for example, mirror 33) which is set to be freely rotatable in order to switch between individual images and the at least three photosensors (for example, photosensors G, H, and I) are input, and a majority decision is made. A logic circuit (for example, logic circuit TH) that outputs a signal (for example, signal αh) as a result of logic calculation
It is configured so that it is equipped with the following.
前記手段を採ることに依り、固体撮像素子を構成するホ
トセンサ・アレイ中に光に応答しない欠陥品が含まれて
いても、その数が多くなければ、得られる画面は欠落の
ない正常なものとして映出することができるので、今後
、ホトセンサの数が多くなることに伴って欠陥品の数も
増加することが懸念される固体撮像素子を救済するのに
有効である。By adopting the above method, even if there are defective products that do not respond to light in the photo sensor array that constitutes the solid-state image sensor, as long as there are not many defective products, the resulting screen can be treated as normal without any defects. Since it can display an image, it is effective in repairing solid-state image sensors, which are concerned about the number of defective products increasing in the future as the number of photo sensors increases.
第1図は本発明一実施例に於ける撮像系を解説する為の
光学的説明図を表している。FIG. 1 shows an optical explanatory diagram for explaining an imaging system in an embodiment of the present invention.
図に於いて、31は描像されるべき物体、32はレンズ
、33はミラー、34は撮像素子の受光面に結ばれた像
をそれぞれ示している。In the figure, 31 is an object to be imaged, 32 is a lens, 33 is a mirror, and 34 is an image formed on the light receiving surface of the image sensor.
この撮像系では、ミラー33が所定の軸を中心として成
る限定された角度範囲内で時計方向及び反時計方向に回
動し得るようになっている。従って、像34が形成され
る結像面、即ち、ホトセンサを選択することができるよ
うになっている。In this imaging system, the mirror 33 can rotate clockwise and counterclockwise within a limited angular range around a predetermined axis. Therefore, it is possible to select the imaging plane on which the image 34 is formed, that is, the photosensor.
第2図はミラーの駆動機構を説明する為の要部斜面図を
表し、第1図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示
すか或いは同じ意味を持つものとする。FIG. 2 shows a perspective view of essential parts for explaining the mirror drive mechanism, and the same symbols as those used in FIG. 1 indicate the same parts or have the same meanings.
図に於いて、35はステッピング・モータ、37は回転
軸、38は光線をそれぞれ示している。In the figure, 35 is a stepping motor, 37 is a rotating shaft, and 38 is a light beam.
現在、ステッピング・モータ35としては、回転角度の
精度が8X10−’(rad)のものが市販されていて
、ミラー33をステップ駆動するのに充分な精度のもの
が容易に得られる。Currently, stepping motors 35 with a rotational angle accuracy of 8×10-' (rad) are commercially available, and those with sufficient accuracy to step-drive the mirror 33 can be easily obtained.
第3図は第1図に見られるレンズ32と像34が形成さ
れるホトセンサのアレイとの間に介在させたミラー33
で該アレイ上に結像された像のずらせ方を説明する為の
ダイヤグラムである。FIG. 3 shows a mirror 33 interposed between the lens 32 seen in FIG. 1 and the array of photosensors on which an image 34 is formed.
This is a diagram for explaining how to shift the image formed on the array.
図に於いて、D乃至Mは一次元配列されたホトセンサ、
α。乃至α9は画素、t、乃至t3は時刻をそれぞれ示
している。In the figure, D to M are one-dimensionally arranged photo sensors;
α. α9 to α9 indicate pixels, and t to t3 indicate times.
さて、時刻t、に於いては、画素α、はホトセンサDに
、画素α、はホトセンサEに、以下同様にして画素α9
はホトセンサしにそれぞれ結像されている。Now, at time t, pixel α is connected to photosensor D, pixel α is connected to photosensor E, and so on, pixel α9 is connected to photosensor E, and so on.
are respectively imaged on a photo sensor.
次いで、時刻t2に於いては、各画素はミラー33が回
動することでホトセンサ1個分のずれを生じ、画素α、
はホトセンサDに、画素αEはホトセンサEに、以下同
様にして画素α9はホトセンサMにそれぞれ結像される
。Next, at time t2, each pixel is shifted by one photosensor due to the rotation of the mirror 33, and pixels α,
is imaged on photosensor D, pixel αE is imaged on photosensor E, and similarly pixel α9 is imaged on photosensor M.
次いで、時刻t3に於いては、各画素はミラー33が更
に回動することで時刻t2の状態からホトセンサ1個分
のずれを生じ、画素α。はホトセンサEに、画素α、は
ホトセンサFに、以下同様にして画素α、はホトセンサ
Mにそれぞれ結像される。Next, at time t3, each pixel is shifted by one photosensor from the state at time t2 due to further rotation of the mirror 33, and the pixel α. is imaged on photosensor E, pixel α is imaged on photosensor F, and similarly, pixel α is imaged on photosensor M, respectively.
このような結像の移動は撮像している物体が移動或いは
変化する速度よりも充分に速く行うことが可能である。Such movement of the image formation can be performed sufficiently faster than the speed at which the object being imaged moves or changes.
さて、今、成る画素、例えば画素α、に着目すると、時
刻L1に於いてはホトセンサGに結像され、また、時刻
t2に於いてはホトセンサHに結像され、更にまた、時
刻t3に於いてはホトセンサIに結像されている。Now, focusing on a pixel, for example, pixel α, it is imaged on the photosensor G at time L1, imaged on the photosensor H at time t2, and furthermore, at time t3. An image is formed on the photosensor I.
そこで、ホトセンサG、 H,Iからの画素α□に関
する出力信号について多数決論理を採った結果の信号を
画素α□の正しい信号とするものであり、このようにす
ると、ホトセンサG、H,Iのうち、何れか一つが欠陥
品であっても正しい画素信号が得られ、描像素子は実質
的に正常なものとして動作することになる。Therefore, the signal that is the result of applying majority logic to the output signals from the photosensors G, H, and I regarding the pixel α□ is used as the correct signal for the pixel α□. Even if any one of them is defective, a correct pixel signal will be obtained, and the imaging element will operate as a substantially normal one.
第4図は多数決論理を採る為の回路を説明する為の要部
ブロック図を表し、第3図に於いて用いた記号と同記号
は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとする。FIG. 4 shows a block diagram of essential parts for explaining a circuit for adopting majority logic, and symbols used in FIG. 3 indicate the same parts or have the same meanings.
図に於いて、P+、Pz、P:+はラッチ回路、TG、
TM、TIは論理回路、α9.αh、α。In the figure, P+, Pz, P:+ are latch circuits, TG,
TM and TI are logic circuits, α9. αh, α.
は多数決論理を採った後の信号をそれぞれ示している。indicate the signals after adopting majority logic.
前記同様、画素α、に着目すると、それに関する信号は
ホトセンサG、H,Iから出力され、時刻り、ではホト
センサGからラッチ回路P、を介して論理回路T、に入
力され、時刻t2になるとホトセンサHからランチ回路
P2を介して論理回路T、、に入力され、時刻t3にな
るとホトセンサIからラッチ回路P3を介して論理回路
T、に入力される。論理回路T、に於いては、前記各入
力信号の多数決論理を採って信号α、を送出する。As before, focusing on pixel α, the signals related to it are output from photosensors G, H, and I, and at time, the signals are input from photosensor G to logic circuit T via latch circuit P, and at time t2. It is inputted from the photosensor H to the logic circuit T, , via the launch circuit P2, and at time t3, it is inputted from the photosensor I to the logic circuit T, via the latch circuit P3. In the logic circuit T, the majority logic of each of the input signals is adopted and a signal α is sent out.
第5図は第4図に見られる多数決論理を採る論理回路、
例えば論理回路T、を具体的に表した回路図であり、第
4図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或い
は同じ意味を持つものとする。Figure 5 shows a logic circuit that adopts the majority logic shown in Figure 4.
For example, this is a circuit diagram specifically representing a logic circuit T, and the same symbols as those used in FIG. 4 indicate the same parts or have the same meanings.
図に於いて、P+ * pz+ p:lは第4図に
見られるラッチ回路P、、pg、P3の出力、ENI。In the figure, P+ * pz+ p:l is the output of the latch circuits P, , pg, and P3 shown in FIG. 4, and ENI.
EN2.EN3は排他的ノア(exclusive
nor)回路、Ql、Q2.Q3はトランスファ・ゲー
ト・トランジスタをそれぞれ示している。EN2. EN3 is exclusive Noah (exclusive
nor) circuit, Ql, Q2. Q3 indicates a transfer gate transistor.
第6図は第5図に見られる排他的ノア回路を具体的に表
した回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram specifically representing the exclusive NOR circuit shown in FIG.
図に於いて、IVY、IVz、IViはインバータ、0
..0□はオア(OR)回路、NDはナンド(NAND
)回路をそれぞれ示している。In the figure, IVY, IVz, IVi are inverters, 0
.. .. 0□ is an OR circuit, ND is a NAND
) shows each circuit.
前記実施例では一画素に対する正しい信号を得るのに3
個のホトセンサを用いたが、この場合、2個が欠陥であ
ると正しい信号は得られない。In the above embodiment, it takes 3 to obtain the correct signal for one pixel.
In this case, if two photosensors are defective, correct signals cannot be obtained.
必要あれば、一画素分の同一光像を切り替え結像させる
のに5個のホトセンサを用い、それらから導出される信
号の多数決論理を採るようにしても良い。If necessary, five photosensors may be used to switch and form the same light image for one pixel, and majority logic of the signals derived from them may be used.
本発明に依る固体撮像装置に於いては、一画素分の同一
光像を奇数の複数からなるホトセンサに結像させ、それ
等の出力信号を論理回路に入力し多数決論理を採って正
しい信号を得るようにしている。In the solid-state imaging device according to the present invention, the same light image for one pixel is formed on an odd number of photosensors, and the output signals thereof are input to a logic circuit and majority logic is used to output the correct signal. I'm trying to get it.
前記構成を採ることに依り、固体撮像素子を構成するホ
トセンサ・アレイ中に光に応答しない欠陥品が含まれて
いても、その数が多くなければ、得られる画面は欠落の
ない正常なものとして映出することができるので、今後
、ホトセンサの数が多くなることに伴って欠陥品の数も
増加することが懸念される固体撮像素子を救済するのに
有効である。By adopting the above configuration, even if there are defective products that do not respond to light in the photo sensor array that makes up the solid-state image sensor, as long as there are not many defective products, the resulting screen can be treated as normal without any defects. Since it can display an image, it is effective in repairing solid-state image sensors, which are concerned about the number of defective products increasing in the future as the number of photo sensors increases.
第1図は本発明に於ける盪像系を解説する為の光学的説
明図、第2図はミラーの駆動機構を説明する為の要部斜
面図、第3図は像の移動させ方を説明する為のダイヤグ
ラム、第4図は多数決論理を採る為の回路を説明する為
の要部ブロック図、第5図は第4図に見られる多数決論
理を採る論理回路を具体的に示した回路図、第6図は第
5図に見られる排他的ノア回路を具体的に表した回路図
、第7図はMIS型撮像素子の構成を説明する為の要部
説明図、第8図は画素(セル)の具体的構成を説明する
為の要部切断側面図、第9図はCCD型撮像素子の構成
を説明する為の要部説明図、第1O図は1最像素子に形
成される像について解説する為の光学的説明図をそれぞ
れ表している。
図に於いて、31は撮像されるべき物体、32はレンズ
、33はミラー、34は(最像素子の受光面に結ばれた
像、35はステッピング・モータ、37は回転軸、38
は光線、D乃至Mは一次元配列されたホトセンサ、αD
乃至αHは画素、を乃至t3は時刻、P、、PZ、P3
はラッチ回路、Tc 、To 、T+は論理回路、α9
.αh、α正は多数決論理を採った後の信号、pI+
p2 、p3はラッチ回路p+、p、、p、の出力、
ENI。
EN2.EN3は排他的ノア回路、Ql、Q2゜Q3は
トランスファ・ゲート・トランジスタ、IV+ 、
IVz 、I V3はインバータ、O+、02はオア回
路、NDはナンド回路をそれぞれ示している。
特許出願人 富士通株式会社
代理人弁理士 相 谷 昭 司Figure 1 is an optical explanatory diagram to explain the image system of the present invention, Figure 2 is a perspective view of the main parts to explain the mirror drive mechanism, and Figure 3 is an illustration of how to move the image. Diagram for explanation; Figure 4 is a main block diagram for explaining a circuit that uses majority logic; Figure 5 is a circuit specifically showing the logic circuit that uses majority logic as shown in Figure 4. Figure 6 is a circuit diagram specifically representing the exclusive NOR circuit shown in Figure 5, Figure 7 is an explanatory diagram of the main parts to explain the configuration of the MIS type image sensor, and Figure 8 is a pixel Figure 9 is a cross-sectional side view of the main part to explain the specific structure of the (cell), Figure 9 is an explanatory diagram of the main part to explain the structure of the CCD type image sensor, and Figure 1O is formed into the first image element. Each represents an optical explanatory diagram to explain the image. In the figure, 31 is the object to be imaged, 32 is the lens, 33 is the mirror, 34 is the image formed on the light receiving surface of the image element, 35 is the stepping motor, 37 is the rotation axis, 38
is a light beam, D to M are one-dimensionally arranged photosensors, αD
αH to αH are pixels, t3 is time, P, , PZ, P3
is a latch circuit, Tc, To, T+ are logic circuits, α9
.. αh, α positive is the signal after adopting majority logic, pI+
p2 and p3 are the outputs of latch circuits p+, p, , p,
ENI. EN2. EN3 is an exclusive NOR circuit, Ql, Q2゜Q3 are transfer gate transistors, IV+,
IVz and IV3 are inverters, O+ and 02 are OR circuits, and ND is a NAND circuit, respectively. Patent applicant: Fujitsu Ltd. Representative Patent Attorney Shoji Aitani
Claims (1)
、 一画素分の同一光像を前記ホトセンサの少なくとも3個
に切り替え結像させる為に回動自在に設定されたミラー
と、 前記少なくとも3個のホトセンサからの同一光像に関す
る信号が入力されその多数決論理を採った結果の信号を
出力する論理回路と を備えてなることを特徴とする固体撮像装置。[Scope of Claims] A photosensor array arranged one-dimensionally or two-dimensionally, and a mirror rotatably set to switch and form the same light image of one pixel on at least three of the photosensors. and a logic circuit that receives signals related to the same optical image from the at least three photosensors and outputs a signal as a result of taking majority logic.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63160696A JPH0213075A (en) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | Solid-state image pick-up device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63160696A JPH0213075A (en) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | Solid-state image pick-up device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0213075A true JPH0213075A (en) | 1990-01-17 |
Family
ID=15720493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63160696A Pending JPH0213075A (en) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | Solid-state image pick-up device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0213075A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7833866B2 (en) * | 2006-12-18 | 2010-11-16 | Renesas Electronics Corporation | Manufacture of semiconductor device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59186481A (en) * | 1983-04-08 | 1984-10-23 | Citizen Watch Co Ltd | Image pickup device |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP63160696A patent/JPH0213075A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59186481A (en) * | 1983-04-08 | 1984-10-23 | Citizen Watch Co Ltd | Image pickup device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7833866B2 (en) * | 2006-12-18 | 2010-11-16 | Renesas Electronics Corporation | Manufacture of semiconductor device |
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