JPH02124574A - Pattern forming method - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体製造工程のうちの、エキシマレザ光を用
いた微細パターン形成方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a method for forming fine patterns using excimer laser light in a semiconductor manufacturing process.
従来の技術
半導体製造のりソグラフィ技術として、エキシマレーザ
を光源として用いることが提案されている（たとえば、
Ｖ、Ｐｏｌ ｅｔ ａｌ、プロシーディングオブ エス
ピーアイイー（Ｐｒｏｃ ｏｆ ５ＰＩＥ） 。Conventional technology As a semiconductor manufacturing lithography technology, it has been proposed to use an excimer laser as a light source (for example,
V, Pol et al., Proceedings of 5PIE.
６３３．６（１９８６））エキシマレーザリングラフィ
は、その短波長性を生かした高解像性が期待されるが、
現状では、これに用いるレジストとして最適なものがな
く、形状の良いパターン形成５ へ−ン
が難しい。633.6 (1986)) Excimer laser phosphorography is expected to have high resolution by taking advantage of its short wavelength.
At present, there is no resist suitable for this purpose, and it is difficult to form a pattern with a good shape.
第５図に、エキシマレーザを用いた従来のパターン形成
方法を説明する。疎水処理をした基板１上に、遠紫外線
ポジレジストであるＭＰ ２４００（シブレイ社）を１
．２μｍ塗布し、９０℃２分のプリベークによりレジス
ト膜１７を得た（第６図ａ）。マヌク５を介して選択的
にＫｒＦ（２４８ｎｍ）エキシマレーザ光６を１５０ｍ
工／ｃｄ 照射しく Ｎ、Ａｏ、３ｓ ’） （第５図
ｂ）、ＭＰ２４０１２０％アルカリ現像液にて現像を行
いパターンを形成した（第６図Ｃ）。FIG. 5 illustrates a conventional pattern forming method using an excimer laser. On the hydrophobically treated substrate 1, 1 layer of MP 2400 (Sibley), which is a deep ultraviolet positive resist, is applied.
．． A resist film 17 was obtained by coating the resist film to a thickness of 2 μm and prebaking at 90° C. for 2 minutes (FIG. 6a). Selectively transmit KrF (248 nm) excimer laser beam 6 to 150m via Manuku 5.
The film was developed using a 20% alkaline developer of MP2401 to form a pattern (Fig. 6C).
発明が解決しようとする課題
この方法では、レジストの光表面吸収が大きいために、
エキシマレーザ光が未露光部であるべき部分まで侵食し
、得られた０、４μｍのパターン１７Ａは膜ベリが大き
く（４ｏ〜６０％）、又、形状が三角形に近い不良なも
のとなった。このような不良パターンは、半導体素子製
造に用いられた場合に、素子の歩留まシ低下につながフ
、危惧すべき問題であった。Problems to be Solved by the Invention In this method, due to the large optical surface absorption of the resist,
The excimer laser light eroded into the unexposed area, and the resulting 0.4 μm pattern 17A had large film burrs (40 to 60%) and was defective in shape, almost triangular. When such defective patterns are used in the manufacture of semiconductor devices, they are a problem that should lead to a decrease in the yield of devices.
６ベージ
又、第６図を用いて、従来のレジストパターン形成方法
を示す。基板１上に紫外線レジメ）ＭＰ１４００（シブ
レイ社）を回転塗布し、プリベーク後１．５μｍ厚のレ
ジスト膜８を得る（第６図ａ）。A conventional resist pattern forming method will be described using FIG. An ultraviolet ray regimen MP1400 (manufactured by Sibley) is spin-coated onto the substrate 1, and after prebaking, a resist film 8 with a thickness of 1.5 μm is obtained (FIG. 6a).
次に２４８ ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光６により、
マヌク５を介して選択的にレジスト８を露光する（第６
図ｂ）。そして、最後に通常のアルカリ現像液（シブレ
イ社ＭＦ−３１４）により、現像を行いレジストパター
ン８Ｂが得うれた（第６図Ｃ）。Next, with 248 nm KrF excimer laser light 6,
The resist 8 is selectively exposed through the manuk 5 (sixth
Figure b). Finally, development was performed using an ordinary alkaline developer (MF-314, manufactured by Sibley Co., Ltd.) to obtain a resist pattern 8B (FIG. 6C).
ところが、前述のように従来のＭＰ１４ｏｏは下部まで
光が到達しないために、レジストパターン２ｂはその形
状が劣化したものとなっている。However, as described above, in the conventional MP14oo, the light does not reach the lower part, so the resist pattern 2b has a deteriorated shape.
このような光の表面吸収が大きいＭＰ１４００のような
従来のレジストでは、露光をたとえばＫｒＦ２４８ｎｍ
エキシマレーザ光のような短波長光源を用いた場合微細
なパターンを形状良く得ることは不可能である。For conventional resists such as MP1400, which have a large surface absorption of light, exposure is performed using, for example, KrF248nm.
When using a short wavelength light source such as excimer laser light, it is impossible to obtain a fine pattern with good shape.
又、エキシマレーザのうちで最も短波長であるＡｒＦ
（１９３ｎｍ ）を用いれば、それだけで微細７ヘー／
なパターン形成も可能であるが、現在、耐エツチング性
の良いポジ型のレジストではＡｒＦ 露光に適したも
のがない。すなわち、やはりレジストの遠紫外光領域で
の吸収が大きいだめに、光がレジスト内部まで侵入しに
くく、結局得られたパターンは三角形状となシ、後工程
への支障要因となる。Also, ArF, which has the shortest wavelength among excimer lasers,
If (193 nm) is used, it is possible to form a fine pattern of 7 mm, but there is currently no positive type resist with good etching resistance suitable for ArF exposure. That is, since the resist has a large absorption in the deep ultraviolet light region, it is difficult for light to penetrate into the resist, and the resulting pattern is triangular in shape, which becomes a hindrance to subsequent processes.
第７図に従来パターン形成方法の工程を示す半導体装置
の断面図を示す。基板１上のポジ型のレジストであるＡ
Ｚ２４００を回転塗布し、プリベーク後厚さ１．６μｍ
のレジスト１３を得る（第７図ａ）。次に１９３ ｎｍ
Ｌ７）ＡｒＦ ｘキシマレーザ光１６によりマスフ６
を介して選択的にレジスト１３を露光する（第７図ｂ）
。そして、最後に通常のアルカリ現像処理を施して０．
４μｍレジストパターン１３Ｂを得る（第７図Ｃ）。FIG. 7 shows a cross-sectional view of a semiconductor device showing the steps of a conventional pattern forming method. A which is a positive resist on the substrate 1
Spin coat Z2400, and after pre-baking, the thickness is 1.6 μm.
A resist 13 is obtained (FIG. 7a). Then 193 nm
L7) Mass 6 by ArF x ximer laser beam 16
The resist 13 is selectively exposed through (FIG. 7b)
. Finally, a normal alkaline development process is performed to obtain a 0.
A 4 μm resist pattern 13B is obtained (FIG. 7C).
ところが、前述のように従来のポジ型レジストであるＡ
Ｚ２４００は下部まで光が到達しないために、レジメト
パターン１３Ｂはその形状が劣化したものとなっている
。このように光の表面吸収が大きいＡＺ２４００のよう
な従来のレジストでは、露光を例えばＡｒＦ １９３
ｎｍ エキシマレーザ光のような短波長光源を用いた
場合微細なパターンを形状良く得ることは不可能である
。However, as mentioned above, the conventional positive resist A
Since light does not reach the lower part of Z2400, the shape of the regimen pattern 13B has deteriorated. In conventional resists such as AZ2400, which have a large surface absorption of light, exposure is performed using, for example, ArF 193.
When using a short wavelength light source such as nm excimer laser light, it is impossible to obtain a fine pattern with good shape.
本発明は、従来のＫｒＦやＡｒＦ エキシマレーザを
用いたパターン形成方法でのパターン不良を解決するこ
とを目的とする。The present invention aims to solve pattern defects caused by conventional pattern forming methods using KrF or ArF excimer lasers.
課題を解決するための手段
本発明は、エキシマレーザを用いて形状の良い微細パタ
ーンを形成するもので、次の手段からなる。Means for Solving the Problems The present invention forms fine patterns with good shapes using an excimer laser, and includes the following means.
一つは、基板上に紫外光に感じるポジ型レジストを形成
し、望ましくは水溶性膜を介して遠紫外光照射によって
紫外領域の透過率が減少する材料の膜を形成し、遠紫外
光により前記膜を選択的に露光し、紫外光により全面露
光を行い、前記膜の露光された部分をマスクとして前記
レジストを紫外光により露光し、前記遠紫外光照射によ
って紫外領域の透過率が減少する材料の膜を除去し、前
記ポジ型レジストを現像して前記レジストの露光部を除
去する方法である。二つめは、基板上に、９Ｉ＼−ン
紫外線に感光するレジストを形成する工程と、前記レジ
スト膜上に紫外線に退色作用を示す感光膜を形成する工
程と、遠紫外光により所望のパタンを露光して前記膜の
一部を退色させる工程と、紫外線を全面に照射して前記
膜の退色部を通して前記紫外線を前記レジストに選択露
光する工程と、現像により前記レジストの露光された部
分を除去してレジストパターンを形成する工程を含んで
なる方法である。One is to form a positive resist that is sensitive to ultraviolet light on a substrate, preferably through a water-soluble film, and form a film of a material whose transmittance in the ultraviolet region decreases when irradiated with deep ultraviolet light. The film is selectively exposed to ultraviolet light, the resist is exposed to ultraviolet light using the exposed portion of the film as a mask, and the transmittance in the ultraviolet region is reduced by the deep ultraviolet light irradiation. This is a method of removing a material film, developing the positive resist, and removing the exposed portion of the resist. The second step is to form a resist that is sensitive to ultraviolet rays on the substrate, to form a photoresist film that exhibits a fading effect to ultraviolet rays on the resist film, and to form a desired pattern using deep ultraviolet light. a step of exposing to light to discolor a part of the film; a step of irradiating the entire surface with ultraviolet rays and selectively exposing the resist to the ultraviolet rays through the faded portion of the film; and removing the exposed portions of the resist by development. This method includes the step of forming a resist pattern.
さらに、基板上に紫外線に感応するレジストを形成し、
スピロピラン化合物を有する層を形成し、遠紫外光にて
前記層を選択的に露光後、紫外線を全面照射して前記層
の露光された部分を通して前記レジストを露光し、現像
を行うことにより前記レジストの露光部を除去してレジ
ストパターンを形成する方法であり、また、基板上にレ
ジストを塗布する工程、水溶性膜を形成する工程、アク
リジン誘導体を含んだ膜を形成する工程、ＡｒＦエキシ
マレーザ光で選択的に露光する工程、遠紫外光を全面的
に照射して前記誘導体を含んだ膜の選１０ベーノ
択露光された部分を通して前記レジストを露光する工程
、アルカリ現像液で前記水溶性膜とアクリジンの誘導体
を含んだ膜を除去する同時に前記レジストを現像して前
記レジストの露光部を除去する方法が提供される。Furthermore, a resist sensitive to ultraviolet light is formed on the substrate,
A layer containing a spiropyran compound is formed, the layer is selectively exposed to deep ultraviolet light, the entire surface of the resist is irradiated with ultraviolet light through the exposed portion of the layer, and the resist is developed. It is a method of forming a resist pattern by removing the exposed portion of selectively exposing the resist to light through selectively exposed parts of the film containing the derivative by irradiating the entire surface with deep ultraviolet light; A method is provided in which a film containing an acridine derivative is removed and at the same time the resist is developed to remove exposed portions of the resist.
作 用
本発明のパターン形成方法によれば、上層である遠紫外
光により紫外領域の透過率が減少する材料の膜が、選択
的エキシマレーザ光照射時には、露光部の紫外領域での
透過率が減少し、後の紫外線全面照射時に、紫外線を透
過させない働きをすることになり、結局、この膜が下層
の紫外線レジストに対するコンタクトマスクとなり、現
像によって形状の良い微細パターンが下層の紫外線レジ
ストに得られることになる。Effect: According to the pattern forming method of the present invention, when the upper layer, which is a film made of a material whose transmittance in the ultraviolet region is reduced by deep ultraviolet light, is selectively irradiated with excimer laser light, the transmittance of the exposed portion in the ultraviolet region decreases. When the entire surface is irradiated with ultraviolet rays, this film acts as a contact mask for the underlying ultraviolet resist, and by development, a well-shaped fine pattern is obtained on the underlying ultraviolet resist. It turns out.
即ち、本発明のポイントとしては、あたかもコンタクト
マストを紫外線レジスト上に形成することにより、空間
的な紫外光の回折や散乱を防止して、しかも、最初のエ
キシマレーザ照射で得られる微細パターン解像性を下層
紫外線レジストに転１１ ヘ一／
写することにある。In other words, the key points of the present invention are that by forming a contact mast on an ultraviolet resist, spatial diffraction and scattering of ultraviolet light can be prevented, and the fine pattern resolution obtained by the initial excimer laser irradiation can be improved. The purpose is to transfer the characteristics to the underlying ultraviolet resist.
ここで、上層の遠紫外光により紫外領域の透過率が減少
する材料を露光時に、下層の紫外線レジストに光（遠紫
外光）が通過することが考えられるが、紫外線レジスト
は遠紫外光に対して極端に感度が悪い（たとえば、ＭＰ
１４００なる紫外線レジストのＫｒＦ エキシマレー
ザ光に対する感度は１ｏ■／ｄ以上である）ために、遠
紫外光により下層紫外線レジストを感光させて、パター
ン形成不良につながることはない。Here, when exposing a material whose transmittance in the ultraviolet region is reduced by deep ultraviolet light in the upper layer, it is possible that the light (far ultraviolet light) passes through the ultraviolet resist in the lower layer, but the ultraviolet resist is sensitive to far ultraviolet light. extremely poor sensitivity (for example, MP
Since the sensitivity of the ultraviolet resist 1400 to KrF excimer laser light is 1 0/d or more, the lower ultraviolet resist is not exposed to deep ultraviolet light, which does not lead to defective pattern formation.
また、本発明の方法によれば、エキシマレーザ露光によ
り、紫外線に退色する感光液の層は、エキシマ光のよう
な高エネルギーにより、その紫外域における吸収を低減
させ、透過率が向上する。Further, according to the method of the present invention, the layer of the photosensitive liquid that fades to ultraviolet light due to excimer laser exposure reduces absorption in the ultraviolet region by high energy such as excimer light, thereby improving transmittance.
この後の紫外線による露光を行えば、先のエキシマ光が
通過していない部分は、紫外線に対して退色する感光液
の層に吸収され下層のレジストまで光が到達しない。一
方、先のエキシマ光が通過した部分は、前記感光液の層
の透過率が向上しているために、下層のレジストを感光
させることができる。When subsequent exposure to ultraviolet rays is performed, the portions through which the previous excimer rays have not passed are absorbed by the photosensitive liquid layer, which fades when exposed to ultraviolet rays, and the light does not reach the resist layer below. On the other hand, since the transmittance of the photosensitive liquid layer is improved in the portion through which the excimer light has passed, the underlying resist can be exposed to light.
この後、現像により、結局、先のエキシマ光が通過した
部分が現像され、エキシマ光による微細なパターンが形
成される。Thereafter, by development, the portion through which the excimer light passed is finally developed, and a fine pattern is formed by the excimer light.
また、本発明に係るスピロピラン化合物は遠紫外露光前
は紫外域での吸収が大きく、遠紫外光露光後は紫外域で
の吸収が小さく（透過率が大きく）なることから、遠紫
外線選択露光によってスピロピラン化合物を有する層の
未露光部のみが紫外線のマスクとなる。ゆえに、この後
の紫外光全面照射により、遠紫外線露光部直下のレジス
トのみが感光し現像により溶解し、結局当初の遠紫外線
選択露光のネガ部がパターンとして残るポジ型レジスト
パターンとなる。本発明に係る紫外光に感光するレジス
トは、遠紫外露光による上層のスピロピラン化合物を有
する層から通り抜けた光には、これが紫外線レジストで
あるゆえに感度が十分悪いために、これが原因となるパ
ターン欠陥は皆無である。In addition, the spiropyran compound according to the present invention has a large absorption in the ultraviolet region before exposure to deep ultraviolet light, and has a small absorption in the ultraviolet region (high transmittance) after exposure to deep ultraviolet light. Only the unexposed portions of the layer containing the spiropyran compound serve as a mask for ultraviolet light. Therefore, by subsequent irradiation of the entire surface with ultraviolet light, only the resist immediately below the deep ultraviolet-exposed area is exposed and dissolved by development, resulting in a positive resist pattern in which the negative area of the initial selective exposure to deep ultraviolet rays remains as a pattern. Since the resist sensitive to ultraviolet light according to the present invention is an ultraviolet resist, its sensitivity is sufficiently low to the light that passes through the upper layer containing a spiropyran compound by deep ultraviolet exposure, so pattern defects caused by this are sufficiently low. There are none.
以上の様に、本発明の方法によれば、あたかも１３
Ａ−７
コンタクト露光をレジスト上で行うことができるために
、結局遠紫外光を用いた露光により、微細で形状の良い
パターンが得られる。As described above, according to the method of the present invention, it is as if 13
A-7 Since contact exposure can be performed on the resist, a fine and well-shaped pattern can be obtained by exposure using deep ultraviolet light.
なお、遠紫外光としてはＸｅＣｌ、ＫｒＦ、ＡｒＦなど
のエキシマレーザ光、紫外光としては、ｑ線（４３６ｎ
ｍ）光、ｉ線（３ｅ５ｎｍ）光などがあげられる。In addition, the far ultraviolet light includes excimer laser light such as XeCl, KrF, and ArF, and the ultraviolet light includes q-line (436n).
m) light, i-line (3e5nm) light, etc.
又、本発明は従来の問題点を解決するために、レジスト
の上層に水溶性の中間層を介してアクリジンの誘導体を
含んだ膜を形成し、Ａ ｒ Ｆエキシマレーザ光でパタ
ーン露光をした後、遠紫外光（ＫｒＦエキシマレーザ光
等）を全面照射することを特徴とする。In addition, in order to solve the conventional problems, the present invention forms a film containing an acridine derivative on the upper layer of the resist via a water-soluble intermediate layer, and after pattern exposure with A r F excimer laser light. , the entire surface is irradiated with far ultraviolet light (KrF excimer laser light, etc.).
本発明の方法によれば、微細パターンが形状良く形成で
きる。すなわち、アクリジンの誘導体はＡｒＦ レーザ
露光によって、２５ Ｏｎｍ付近の吸収が非常に大とな
る（吸収率が約１ｏＯ倍となる）。According to the method of the present invention, fine patterns can be formed with good shape. That is, when the acridine derivative is exposed to ArF laser, absorption near 25 Onm becomes extremely large (absorption rate increases by about 100 times).
よって、ＡｒＦエキシマレーザ露光部は後の遠紫外光を
ほとんど通さずＡｒＦ未露光部は遠紫外光を通して、下
層レジスト底部まで遠紫外光が到達１４ページ
することになり、結局最初のＡｒＦレーザ露光部が下層
レジストに転写されてパターンとして残ることになる。Therefore, the ArF excimer laser exposed area hardly passes the subsequent deep ultraviolet light, and the ArF unexposed area passes the far ultraviolet light, and the far ultraviolet light reaches the bottom of the lower resist after 14 pages.In the end, the first ArF laser exposed area is transferred to the lower resist layer and remains as a pattern.
このように下層レジスト底部まで光が到達するために、
本発明の方法によれば、ＡｒＦエキシマレーザ光を用い
て形状の良いパターンを得ることができる。In order for the light to reach the bottom of the lower resist in this way,
According to the method of the present invention, a well-shaped pattern can be obtained using ArF excimer laser light.
実施例
まず、本発明における上層の遠紫外光にょシ紫外領域の
透過率が減少する材料としては、アジド化合物とフェノ
ール樹脂の混合体が挙げられる。EXAMPLES First, the material of the upper layer in the present invention that reduces the transmittance of deep ultraviolet light in the ultraviolet region includes a mixture of an azide compound and a phenol resin.
この材料は、アジド化合物が遠紫外光にょジフェノール
樹脂と重合し、その紫外領域における透過率が減少する
ことを、本発明者らは見出した。アジド化合物としては
、
Ｎ３ Ｎ３
１５ ′＼
などが挙げられる。フェノール樹脂としては、クレゾー
ル・ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂・ポリビニルフ
ェノール樹脂・キシレノール樹脂・の共重合体などが挙
げられる。The present inventors have discovered that in this material, the azide compound polymerizes with the diphenol resin in deep ultraviolet light, reducing its transmittance in the ultraviolet region. Examples of the azide compound include N3 N3 15'\. Examples of the phenol resin include copolymers of cresol, formaldehyde, novolac resin, polyvinylphenol resin, and xylenol resin.
中間層の水溶性膜は、プルラン、ポリビニルピロリドン
、ポリビニルアルコールなどによるものが挙げられ、上
・下層の混合を防止するために設けられ、この厚さは、
光の回折などの原因とならないように０．５μｍ以下程
度が望ましい。The water-soluble film in the middle layer is made of pullulan, polyvinylpyrrolidone, polyvinyl alcohol, etc., and is provided to prevent mixing of the upper and lower layers, and its thickness is as follows:
The thickness is preferably about 0.5 μm or less so as not to cause light diffraction.
上・中間層の除去の際には、水又はアルカリ水溶液にて
中間層の水溶性膜からリフトオフして除去する。なお、
下層のレジストの現像液を用いれば、上・中間層を除去
すると同時に、下層レジストの現像を行うこともできる
。When removing the upper and middle layers, they are removed by lifting off from the water-soluble film of the middle layer using water or an alkaline aqueous solution. In addition,
If a developer for the lower resist layer is used, the lower resist layer can be developed at the same time as the upper and intermediate layers are removed.
最初の遠紫外光照射は、エキシマレーザ光、後の紫外光
全面照射はｑ線やｉ線によるものが挙げられ、もちろん
との限９ではない。The first far-ultraviolet light irradiation may be performed using excimer laser light, and the subsequent full-surface ultraviolet light irradiation may be performed using q-rays or i-rays; however, this is not limited to the above.
なお、本発明における中間層である水溶性膜は、上・下
層の混合防止が主目的であり、この膜がなくても上・下
層が混合せず形成できれば、中間層を形成する工程を省
いても良い。この場合には、最終のパターンが２層形態
となる。The main purpose of the water-soluble film that is the intermediate layer in the present invention is to prevent mixing of the upper and lower layers, and if the upper and lower layers can be formed without mixing without this film, the process of forming the intermediate layer can be omitted. It's okay to stay. In this case, the final pattern has a two-layer structure.
なお、本発明において、紫外線に退色する感光液中には
、紫外線に退色するジアゾ化合物やニトロン化合物など
を含み、又、これを層とするだめのバインダーポリマー
には、プルラン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピ
ロリドンなどの水溶性ポリマーが挙げられる。In the present invention, the photosensitive solution that fades when exposed to ultraviolet rays contains diazo compounds and nitrone compounds that fade when exposed to ultraviolet rays, and the binder polymer used as a layer includes pullulan, polyvinyl alcohol, and polyvinylpyrrolidone. Water-soluble polymers such as
７ Ａ−７
もちろん、感光液はこれに限らず、又、バイダーポリマ
ーがポリスチレンやノボラック樹脂などで、その溶媒が
有機溶媒である場合には、レジスト上に感光液を塗布す
る際に、その混合を避けるために水溶性ポリマーの中間
層を形成しても良い。7 A-7 Of course, the photosensitive liquid is not limited to this, and if the binder polymer is polystyrene or novolak resin, etc., and the solvent is an organic solvent, when applying the photosensitive liquid on the resist, the mixture In order to avoid this, an intermediate layer of water-soluble polymer may be formed.
スピロピラン化合物を有する層については、スピロピラ
ン化合物が水溶性であるときには水溶性ポリマー（ポリ
ビニルピロリドンやプルランポリスチレンスルフォン酸
、ポリビニルアルコール。For the layer containing a spiropyran compound, when the spiropyran compound is water-soluble, a water-soluble polymer (polyvinylpyrrolidone, pullulan polystyrene sulfonic acid, polyvinyl alcohol) is used.
ポリスチレンスルフォン酸アンモニウムなト、又はこれ
らの混合物）と相溶させて膜としたシ、非水溶性である
ときには前述の如き水溶性ポリマー膜を形成した上に一
般の樹脂（ノボラック樹脂。If the polymer is non-water soluble, a water-soluble polymer film as described above is formed on top of a general resin (novolac resin).
ポリビニルフェノール樹脂、ポリ（スチレン−マレイン
酸）共重合樹脂、ポリ（スチレン−マレイン酸ハーフエ
ステ／Ｉ／）共重合樹脂）など、又は、これらの混合体
と相溶させて膜とすれば良い。いずれの場合にも、現像
と同時に除去されることになる。The membrane may be formed by dissolving it with a polyvinylphenol resin, a poly(styrene-maleic acid) copolymer resin, a poly(styrene-maleic acid half ester/I/) copolymer resin), or a mixture thereof. In either case, it will be removed at the same time as development.
スピロピラン化合物については、遠紫外光露光１８ ペ
ージ
にて紫外光領域の透過率が向上するものであれば何れで
も良く、たとえば
Ｈ３
の如き化合物が挙げられる。Any spiropyran compound may be used as long as it improves the transmittance in the ultraviolet region when exposed to far ultraviolet light, and examples thereof include compounds such as H3.
以下、具体的な実施例を述べる。Specific examples will be described below.
（その１）
第１図を用いて本発明のパターン形成方法の一実施例の
パターン形成方法の工程を説明する。(Part 1) Steps of a pattern forming method according to an embodiment of the pattern forming method of the present invention will be explained using FIG.
疎水処理を行った半導体等の基板１上に、紫外線レジス
トであるＭＰ１４００（シブレイ社）を１．２μｍ塗布
し、９０℃２分のプリベークによりレジスト膜を得る（
第１図ａ）。A UV resist MP1400 (Sibley) is applied to a thickness of 1.2 μm on a substrate 1 such as a semiconductor that has been subjected to hydrophobic treatment, and a resist film is obtained by prebaking at 90° C. for 2 minutes (
Figure 1 a).
次に１０％プルラン水溶液（分子量４万；体厚生物化学
研究所製）を塗布して、０．２μｍの膜３として、この
上層に以下の組成から成る本発明に係る拐刺を塗布し、
８０℃、２０分のオーブンベタ後０．５μｍの膜４を得
だ（第１図ｂ）。Next, a 10% pullulan aqueous solution (molecular weight: 40,000; manufactured by Taishu Biochemistry Research Institute) is applied, and a 0.2 μm film 3 is formed, and on this upper layer, the thorns according to the present invention having the following composition are applied,
After baking in an oven at 80° C. for 20 minutes, a film 4 of 0.5 μm was obtained (FIG. 1b).
１９ベーン
マスク６を介して、選択的にＫｒＦ エキシマレザ光
６を２５０ ｍＴ／ｄ照射（Ｎ、Ａ ０．３５ ） し
た（第１図Ｃ）。このとき露光部４０は紫外線の透過率
が減少する。紫外線であるｑ線（４３６ｎｍ）光子を２
ｓ ｏ ｍＪ／ｉ 全面照射する。このとき露光部
４ｏがレジスト膜２に対するコンタクトマスクとなる（
第１図ｄ）。しかるのち２．４ ％テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドアルカリ水溶液により、中間
層３と上層膜４を除去した（第１図ｅ）。最後にＭＦ３
１９アルカリ現像液（シブレイ社）により現像を行い、
紫外光７にて露光されたレジスト２の部分２０を除去し
、パタンを得た（第１図ｆ）。得られたレジストバタ７
ン２Ａは、アスペクト比９０°の切り立った０、４μｍ
のライン・アンド・スペースパターンであった。KrF excimer laser light 6 was selectively irradiated at 250 mT/d (N, A 0.35 ) through a 19-vane mask 6 (FIG. 1C). At this time, the transmittance of ultraviolet rays in the exposed portion 40 decreases. 2 photons of q-ray (436 nm), which is ultraviolet light,
s o mJ/i Irradiate the entire surface. At this time, the exposed portion 4o becomes a contact mask for the resist film 2 (
Figure 1 d). Thereafter, the intermediate layer 3 and the upper film 4 were removed using a 2.4% aqueous alkaline tetramethylammonium hydroxide solution (FIG. 1e). Finally MF3
Developed with 19 alkaline developer (Sibley),
The portion 20 of the resist 2 exposed to the ultraviolet light 7 was removed to obtain a pattern (FIG. 1f). Obtained resist butter 7
2A has a steep 0.4μm aspect ratio of 90°.
It was a line and space pattern.
なお、本実施例中で、本発明に係る材料の代わりに、市
販のアジド化合物とフェノール樹脂よシ成るＲＵ−１１
ｏｏＮ（日立化成製）を用いても同様の良好な結果が得
られた。In this example, instead of the material according to the present invention, RU-11 consisting of a commercially available azide compound and phenol resin was used.
Similar good results were obtained using ooN (manufactured by Hitachi Chemical).
このように、本実施例のパターン形成方法によれば、上
層である遠紫外光により紫外領域の透過率が減少する材
料の膜が、選択的エキシマレーザ光照射時には、露光部
の紫外領域での透過率が減少し、後の紫外線全面照射時
に、紫外線を透過させない働きをすることになり、結局
この膜が下層の紫外線レジストに対するコンタクトマス
クとなシ、現像によって形状の良い微細パターンが下層
の紫外線レジストに得られた。As described above, according to the pattern forming method of this embodiment, the upper layer, which is a film made of a material whose transmittance in the ultraviolet region is reduced by deep ultraviolet light, has a lower transmittance in the ultraviolet region of the exposed area when selectively irradiated with excimer laser light. The transmittance decreases, and when the entire surface is irradiated with ultraviolet rays later, it acts to prevent the ultraviolet rays from passing through.In the end, this film serves as a contact mask for the underlying ultraviolet resist, and by development, a well-shaped fine pattern is formed to prevent the ultraviolet rays from passing through the underlying layer. Got to resist.
（その２）
半導体等の基板１上に紫外線レジメ）（ＭＰｌ ４００
；シブレイ社）を塗布し、１．６μｍ厚のレジスト膜
８を得だ（第２図ａ）。次に下記の組成の紫外線に退色
する感光液９を０．３μｍ厚となるように塗布した（第
２図ｂ）。(Part 2) Ultraviolet regime on substrate 1 such as semiconductor) (MPl 400
; Sibley Co., Ltd.) to obtain a resist film 8 with a thickness of 1.6 μm (FIG. 2a). Next, a photosensitive liquid 9 having the following composition and fading under ultraviolet light was applied to a thickness of 0.3 μm (FIG. 2b).
２１ ″
ＫｒＦ エキシマレーザ光６によりマスフ５を介して
、露光を行った（第２図Ｃ）。このとき感光層９のエキ
シマ光６の照射部９０の透過率は９８％（３６５ｎｍに
おいて）となった。一方、エキシマ光の照射されていな
い部分は、３６５ ｎｍにおいて６％の透過率であった
。この後、紫外線であるｉ線（３ｅ５ｎｍ）光１０によ
り全面照射を行う。このとき照射部９０がコンタクトマ
スクとなる（第２図ｄ）。しかるのちＭＦ３１４アルカ
リ現像液（シブレイ社）により前記感光層９を除去する
と同時にレジスト１の現像を行い、ｌ線光１ｏの照射部
のレジスト８の部分を除去しパタン８Ａを得た（第２図
ｅ）。パターン８Ａはそのアスペクト比が８６°以上の
切り立った良好な０．４μｍのパターンであった。21'' KrF excimer laser light 6 was exposed through the mask 5 (FIG. 2C). At this time, the transmittance of the irradiated part 90 of the excimer light 6 of the photosensitive layer 9 was 98% (at 365 nm). On the other hand, the part not irradiated with excimer light had a transmittance of 6% at 365 nm.Then, the entire surface was irradiated with i-line (3e5 nm) light 10, which is ultraviolet light.At this time, the irradiated part 90 becomes a contact mask (FIG. 2d).Then, the photosensitive layer 9 is removed using MF314 alkaline developer (Sibley), and at the same time the resist 1 is developed, and the portion of the resist 8 that is irradiated with the l-line light 1o is removed. was removed to obtain pattern 8A (FIG. 2e).Pattern 8A was a good 0.4 μm steep pattern with an aspect ratio of 86° or more.
このように、本実施例の方法によれば、エキシマレーザ
光により、紫外線に退色する感光液の層が、その紫外域
における吸収を低減させ、透過率が向上する。この後の
紫外線による露光によって先のエキシマ光が通過してい
ない部分は、紫外２２ページ
線に対して退色する感光液の層に吸収され下層のレジス
トまで光が到達しない。一方、先のエキシマ光が通過し
た部分は、前記感光液の層の透過率が向上しているため
に、下層のレジストを感光させることができる。As described above, according to the method of this embodiment, the layer of the photosensitive liquid that fades in ultraviolet light due to the excimer laser light reduces its absorption in the ultraviolet region, and the transmittance is improved. The areas through which the previous excimer light did not pass through subsequent exposure to ultraviolet light are absorbed by the photosensitive liquid layer, which fades with respect to the ultraviolet 22 page line, and the light does not reach the resist layer below. On the other hand, since the transmittance of the photosensitive liquid layer is improved in the portion through which the excimer light has passed, the underlying resist can be exposed to light.
この後、現像によυ、結局、先のエキシマ光が通過した
部分が現像され、エキシマ光による微細パターンが形成
された。After this, development was performed, and eventually the portion through which the excimer light passed was developed, and a fine pattern was formed by the excimer light.
（その３）
第３図を用いて本発明のパターン形成方法について説明
する。半導体等の基板１上に紫外光に感応するＭＰ１４
００（シブレイ）なるポジレジスト２を１．２μｍ厚形
成する（第３図ａ）。次に、ポリビニルピロリドン１０
％水溶液を塗布し。・２μｍの厚膜を得た。この上層に
以下の組成より成る溶液を塗布し、０．３５μｍの厚膜
１２を得た（第３図ｂ）。(Part 3) The pattern forming method of the present invention will be explained using FIG. MP14 sensitive to ultraviolet light on a substrate 1 such as a semiconductor
A positive resist 2 of 00 (Sibley) is formed to a thickness of 1.2 μm (FIG. 3a). Next, polyvinylpyrrolidone 10
% aqueous solution.・A 2 μm thick film was obtained. A solution having the following composition was applied to this upper layer to obtain a thick film 12 of 0.35 μm (FIG. 3b).
２３へ
ＮＡｏ、３６（１）ＫｒＦ エキシマレーザステッパに
て、マスク５を介して露光６を行った。この結果膜１２
の露光部１２０は紫外光（ｑ線光）に対する送風率が向
上する（第３図Ｃ）。次に、ｑ線光７を１５０ｍＪ／ｄ
全面照射した。このとき露光部１２ｏがｑ線光７のコン
タクトマスクとなる（第３図ｄ）。最後にＭＦ３１９（
シブレイ）現像液６０秒パドルにて前記水溶性膜をリフ
トオフして前記スピロピラン化合物を有する膜を除去し
て前記レジストの現像を行い、レジストのｑ線光７の照
射部を除去しレジストパターン２ Ａ’を形成した（第
３図ｅ）。得られたパターン２ Ａ’は膜減りの全くな
いアヌペクト比８８°の０．５μｍライン・アンド・ス
ペースパターンであった。23 to NAo, 36(1) KrF Exposure 6 was performed through a mask 5 using an excimer laser stepper. As a result, the membrane 12
The exposure section 120 has an improved air blowing rate for ultraviolet light (q-ray light) (FIG. 3C). Next, the q-ray light 7 is 150 mJ/d
Fully irradiated. At this time, the exposure section 12o becomes a contact mask for the q-ray light 7 (FIG. 3d). Finally, MF319 (
Sibley) Lift off the water-soluble film using a developer puddle for 60 seconds to remove the spiropyran compound-containing film, develop the resist, and remove the q-ray irradiated portion of the resist to form resist pattern 2A. ' was formed (Fig. 3e). The resulting pattern 2 A' was a 0.5 μm line-and-space pattern with an anupectance ratio of 88° and no film loss.
このように、本実施例の如きスピロピラン化合物は、遠
紫外露光前は紫外域での吸収が大きく、遠紫外光露光後
は紫外域での吸収が小さく（透過率が大きく）なること
から、遠紫外線選択露光によってスピロピラン化合物を
有する層の未露光部のみが紫外線のマスクとなる。ゆえ
に、この後の紫外光全面照射により、遠紫外線露光部直
下のレジストのみが感光し現像により溶解し、結局当初
の遠紫外線選択露光のネガ部がパターンとして残るポジ
型レジストパターンとなる。本発明に係る紫外光に感光
するレジストは、遠紫外露光による上層のスピロピラン
化合物を有する層から通シ抜けた光には、これが紫外線
レジストであるゆえに感度が十分悪いために、これが原
因となるパターン欠陥は皆無である。As described above, the spiropyran compound as in this example has a large absorption in the ultraviolet region before exposure to far ultraviolet light, and a small absorption in the ultraviolet region (high transmittance) after exposure to far ultraviolet light. By selective exposure to ultraviolet rays, only the unexposed portions of the layer containing the spiropyran compound serve as a mask for ultraviolet rays. Therefore, by subsequent irradiation of the entire surface with ultraviolet light, only the resist immediately below the deep ultraviolet-exposed area is exposed and dissolved by development, resulting in a positive resist pattern in which the negative area of the initial selective exposure to deep ultraviolet rays remains as a pattern. The resist that is sensitive to ultraviolet light according to the present invention has a sufficiently poor sensitivity to the light that passes through the layer containing the spiropyran compound in the upper layer due to deep ultraviolet exposure because it is an ultraviolet resist. There are no defects.
以上の様に、本発明の方法によれば、あたかもコンタク
ト露光をレジスト上で行うことができるために、結局遠
紫外光を用いた露光により、微細２５Ａ−ノ
で形状の良いパターンが得られる。As described above, according to the method of the present invention, since contact exposure can be performed on the resist, it is possible to obtain a fine pattern with a fine shape of 25A-2 by exposure using deep ultraviolet light.
（その４）
第４図を用いて本発明のパターン形成方法の工程を具体
的に説明する。半導体等の基板１上にポジ型のＡＺ２４
００なるレジストを回転塗布し、プリベータにより１．
５μｍのレジスト１３を得る（第４図ａ）。中間層とし
て１０％プルラン水溶液を塗布し、０．３μｍの膜１４
を得る（第４図ｂ）。(Part 4) The steps of the pattern forming method of the present invention will be specifically explained using FIG. A positive type AZ24 is placed on a substrate 1 such as a semiconductor.
00 resist was spin-coated and 1.
A resist 13 of 5 μm is obtained (FIG. 4a). A 10% pullulan aqueous solution was applied as an intermediate layer, and a 0.3 μm film 14 was formed.
(Figure 4b).
次に、アクリジンオレンジ”Ｊ ＋パラクレゾールノボ
ラック樹脂１ｏｇ、ジエチレングリコールジメチルエー
テ１Ｖ６０’ｉよりなる感光性材料を回転塗布し、０．
２μｍのアクリジンの膜１５を得た（第４図Ｃ）。この
後、マスク５を介してＡｒＦエキシマレーザ光１６を選
択的に露光しく第４図ｄ）、露光部１５０のＫｒＦ エ
キシマレーザ光ノ透過率を低下させた。そしてＫ ｒ
Ｆ エキシマレーザ光６を全面照射した（第４図ｅ）。Next, a photosensitive material consisting of 1 og of acridine orange "J + para-cresol novolak resin and 1 V60'i of diethylene glycol dimethyl ether was spin coated.
A 2 μm acridine film 15 was obtained (FIG. 4C). Thereafter, ArF excimer laser light 16 was selectively exposed through the mask 5 (FIG. 4d) to reduce the transmittance of the KrF excimer laser light in the exposed portion 150. and K r
F The entire surface was irradiated with excimer laser light 6 (Fig. 4e).
このとき露光部１６０がコンタクトマスクとなる。最後
にアルカリ現像液（シブレイ社ＭＦ２４０１ ２０％）
６０秒で、中間膜１２．アクリジンオレンジの膜２６“
−ジ
１６を除去すると同時にレジスト１３の現像を行ってレ
ーザ光６の照射部を除去した（第４図ｆ）。At this time, the exposure section 160 becomes a contact mask. Finally, alkaline developer (Sibley MF2401 20%)
In 60 seconds, the intermediate film 12. Acridine orange film 26”
- At the same time as the resist 16 was removed, the resist 13 was developed to remove the portion irradiated with the laser beam 6 (FIG. 4f).
得られたレジストパターン１３Ａは８７°という良好な
コントラストの０．４μｍライン・アンド・スペースパ
ターンでりっだ〇
なお、ＡｒＦ 露光時に下層レジストに光がわずかに到
達する場合もあるが、通常のレジストはＡ ｒ Ｆ 光
に対して非常に低感度であるだめに支障はない。また、
本発明にかかるアクリジンの誘導体の膜はノボラック樹
脂やスチレン樹脂に１０重量％程度のアクリジンの誘導
体を混合し、ジエチレングリコールジメチルエーテル等
の溶媒に溶かせたものをスピンコードして得られる。ア
クリジンの誘導体の量によってＡｒＦ 露光後の吸収
率が決まるが、後の遠紫外露光の際のマスク性という立
場から考えて、上述の樹脂に対して１０重量％稈度で十
分であることが判った。もちろんこの重量比はこの限り
ではない。The resulting resist pattern 13A is a 0.4 μm line-and-space pattern with a good contrast of 87°.Also, a small amount of light may reach the lower resist during ArF exposure, but it is different from normal resist. has very low sensitivity to A r F light, but there is no problem. Also,
The acridine derivative film according to the present invention is obtained by mixing about 10% by weight of an acridine derivative with a novolak resin or styrene resin, dissolving the mixture in a solvent such as diethylene glycol dimethyl ether, and spin-coding the mixture. The amount of the acridine derivative determines the absorption rate after ArF exposure, but from the standpoint of masking properties during subsequent far-UV exposure, it was found that 10% by weight of the above-mentioned resin is sufficient. Ta. Of course, this weight ratio is not limited to this.
なお、中間層に関しては水溶性ポリマーによるものであ
れば特に規定はなく、他にポリビニルア２了ヘーノ
ルコール、ポリビニルピロリドン等があげられる。The intermediate layer is not particularly limited as long as it is made of a water-soluble polymer; other examples include polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, and the like.
また、アクリジンオレンジ以外に、アクリジンレッド、
アクリジンイエロー等、またはそれらの混合物を用いた
場合にも同様の効果が得られた。In addition to acridine orange, acridine red,
Similar effects were obtained when acridine yellow or the like or a mixture thereof was used.
このように、本発明は従来の問題点を解決するために、
レジストの上層に水溶性の中間層を介してアクリジンの
誘導体を含んだ膜を形成し、ＡｒＦエキシマレーザ光で
パターン露光をした後に、遠紫外光（ＫｒＦ エキシマ
レーザ光等）を全面照射することを特徴とする。In this way, the present invention solves the conventional problems by:
A film containing an acridine derivative is formed on the upper layer of the resist via a water-soluble intermediate layer, and after pattern exposure with ArF excimer laser light, the entire surface is irradiated with deep ultraviolet light (KrF excimer laser light, etc.). Features.
本発明の方法によれば、微細パターンが形状良く形成で
きる。すなわち、アクリジンの誘導体はＡｒＦ レー
ザ露光によって、２５０ ｎｍ付近の吸収が非常に大と
なる（吸収率が約１００倍となる）。According to the method of the present invention, fine patterns can be formed with good shape. That is, when the acridine derivative is exposed to ArF laser, its absorption near 250 nm becomes extremely large (absorption rate increases about 100 times).
よって、ＡｒＦ エキシマレーザ露光部は後の遠紫外
光をほとんど通さずＡｒＦ未露光部は遠紫外光を通して
、下層レジスト底部まで遠紫外光が到達することになシ
、結局最初のＡ ｒ Ｆ レーザ露光部が下層レジス
トに転写されてパターンとして残ることになる。このよ
うに下層レジスト底部まで光が到達するために、本発明
の方法によれば、ＡｒＦエキシマレーザ光を用いて形状
の良いパターンを得ることができた。Therefore, the ArF excimer laser exposed area hardly transmits the subsequent deep ultraviolet light, and the ArF unexposed area passes the far ultraviolet light, and the far ultraviolet light reaches the bottom of the lower resist.In the end, the first ArF laser exposure portion is transferred to the underlying resist and remains as a pattern. Since the light reaches the bottom of the lower resist in this way, according to the method of the present invention, a well-shaped pattern could be obtained using ArF excimer laser light.
発明の効果
本発明は、紫外光感応性のポジ型レジスト上に、遠紫外
光照射によって紫外領域の透過率が減少する材料を形成
し、遠紫外光により選択的に露光を行い、さらに、紫外
光により全面露光を行い、その後、前記材料の膜を除去
しレジストを現像することよシ成るパターン形成方法で
ある。この前記材料は他に、遠紫外光照射により紫外領
域の透過率が増大するものであっても良い。いずれの場
合においても、この材料膜が紫外光全面露光の際のコン
タクトマスクの役割を果たし、形状の良いレジストパタ
ーン形成が行え超高密度半導体装置の製造に大きく寄与
するものである。Effects of the Invention The present invention forms a material whose transmittance in the ultraviolet region decreases by irradiation with deep ultraviolet light on a positive resist that is sensitive to ultraviolet light, selectively exposes the material to deep ultraviolet light, and then This is a pattern forming method that involves exposing the entire surface to light, then removing the film of the material and developing the resist. This material may also be one whose transmittance in the ultraviolet region increases when irradiated with far ultraviolet light. In either case, this material film plays the role of a contact mask during full-surface exposure to ultraviolet light, allowing formation of a well-shaped resist pattern and greatly contributing to the production of ultra-high density semiconductor devices.
すなわち、本発明の方法によれば、Ｋ ｒ Ｆ やＡ
ｒＦ エキシマレーザなどの遠紫外光を用いて形状の
良い微細パターンを得ることができ、このことにより素
イ製造の歩留まシ向上につながり工業２９ヘ一／
的価値が高い。That is, according to the method of the present invention, K r F and A
Fine patterns with good shapes can be obtained using deep ultraviolet light such as an rF excimer laser, which improves the yield rate of element manufacturing and is of high value to industry.
第１図〜第４図は本発明によるパターン形成方法の一実
施例の工程断面図、第６図〜第７図は従来のパターン形
成方法の工程断面図である。
１・・・・・・基板、２，８・・・・・・レジスト（Ｍ
Ｐ１４００３．１４・・・・・・水溶性膜、４・・・・
・・本発明に係る材料（７）膜、６・・・・・・ＫｒＦ
エキシマレーザ光、６・・・・・・マスク、７・・
・・・・紫外線（ｑ線）、９・・・・・・本発明に係る
感光層、１ｏ・・・・・・紫外線（ｉ線）、１１・・・
・・・ポリビニルピロリドン膜、１２・・・・・・スピ
ロピラン化合物層、１３・・・・・・レジスト（ＡＺ２
４００）、１６・・・・・・アクリジンオレンジ膜、１
６・・・・・・Ａ ｒ Ｆエキシマレーザ光、１７・・
・・・・遠紫外線レジスト（ＭＰ２４００）。
代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名）、
蘇
＠−ワ
ｕ
Ｃフ
区
−Ｐ
Ｃフ
躬
躬
嘴ｔ
ミフ1 to 4 are process sectional views of an embodiment of the pattern forming method according to the present invention, and FIGS. 6 to 7 are process sectional views of a conventional pattern forming method. 1...Substrate, 2,8...Resist (M
P14003.14...Water-soluble membrane, 4...
...Material (7) membrane according to the present invention, 6...KrF
Excimer laser light, 6...Mask, 7...
... Ultraviolet light (q line), 9... Photosensitive layer according to the present invention, 1o... Ultraviolet light (i line), 11...
... Polyvinylpyrrolidone film, 12 ... Spiropyran compound layer, 13 ... Resist (AZ2
400), 16...Acridine orange film, 1
6...A r F excimer laser light, 17...
...Deep ultraviolet resist (MP2400). Name of agent: Patent attorney Shigetaka Awano and 1 other person)
Claims (12)
、遠紫外光照射によって紫外領域の透過率が減少する材
料の膜を形成し、遠紫外光により前記膜を選択的に露光
し、紫外光により全面露光を行い、前記膜の露光された
部分をマスクとして前記レジストを紫外光により露光し
、前記遠紫外光照射によって紫外領域の透過率が減少す
る材料の膜を除去し、前記ポジ型レジストを現像して前
記レジストの露光部を除去することを特徴とするパター
ン形成方法。(1) forming a positive resist sensitive to ultraviolet light on a substrate, forming a film of a material whose transmittance in the ultraviolet region decreases when irradiated with deep ultraviolet light, and selectively exposing the film to deep ultraviolet light; The entire surface is exposed to ultraviolet light, the exposed part of the film is used as a mask, the resist is exposed to ultraviolet light, the film of the material whose transmittance in the ultraviolet region decreases by the deep ultraviolet light irradiation is removed, and the resist is exposed to ultraviolet light. A pattern forming method comprising developing a mold resist to remove exposed portions of the resist.
範囲第１項に記載のパターン形成方法。(2) The pattern forming method according to claim 1, wherein a water-soluble film is formed on a positive resist.
る材料が、アジド化合物とフェノール樹脂を含む特許請
求の範囲第１項に記載のパターン形成方法。(3) The pattern forming method according to claim 1, wherein the material whose transmittance in the ultraviolet region decreases when irradiated with far ultraviolet light contains an azide compound and a phenol resin.
ｍ）光である特許請求の範囲第１項に記載のパターン形
成方法。(4) Ultraviolet light is q-line (436nm) or i-line (365nm)
m) The pattern forming method according to claim 1, which is light.
る材料の膜の除去を、アルカリ現像液によって行う特許
請求の範囲第１項に記載のパターン形成方法。(5) The pattern forming method according to claim 1, wherein the film of the material whose transmittance in the ultraviolet region decreases when irradiated with far ultraviolet light is removed using an alkaline developer.
工程と、前記レジスト膜上に紫外線に退色作用を示す感
光膜を形成する工程と、遠紫外光により所望のパターン
を露光して前記膜の一部を退色させる工程と、紫外線を
全面に照射して前記膜の退色部を通して前記紫外線を前
記レジストに選択露光する工程と、現像により前記レジ
ストの露光された部分を除去してレジストパターンを形
成する工程を含んでなるパターン形成方法。(6) forming a resist that is sensitive to ultraviolet rays on the substrate; forming a photoresist film that exhibits a fading effect to ultraviolet rays on the resist film; and exposing the desired pattern to deep ultraviolet light to form the film. a step of irradiating the entire surface with ultraviolet rays and selectively exposing the resist to the ultraviolet rays through the faded portion of the film; and removing the exposed portions of the resist by development to form a resist pattern. A pattern forming method comprising a step of forming a pattern.
ニトロン基を含む化合物を有している特許請求の範囲第
６項に記載のパターン形成方法。(7) The pattern forming method according to claim 6, wherein the photosensitive liquid exhibiting a color fading effect when exposed to ultraviolet rays contains a compound containing a diazo group or a nitrone group.
ピロピラン化合物を有する層を形成し、遠紫外光にて前
記層を選択的に露光後、紫外線を全面照射して前記層の
露光された部分を通して前記レジストを露光し、現像を
行うことにより前記レジストの露光部を除去してレジス
トパターンを形成することを特徴とするパターン形成方
法。(8) A resist sensitive to ultraviolet rays was formed on the substrate to form a layer containing a spiropyran compound, and after selectively exposing the layer to deep ultraviolet light, the entire surface was irradiated with ultraviolet rays to expose the layer. A pattern forming method comprising: exposing the resist to light through a portion thereof and performing development to remove the exposed portion of the resist to form a resist pattern.
域の透過率が向上することを特徴とする特許請求の範囲
第８項に記載のパターン形成方法。(9) The pattern forming method according to claim 8, wherein the spiropyran compound has an improved transmittance in the ultraviolet region upon exposure to far ultraviolet light.
形成する工程、アクリジン誘導体を含んだ膜を形成する
工程、ＡｒＦエキシマレーザ光で選択的に露光する工程
、遠紫外光を全面的に照射して前記誘導体を含んだ膜の
選択露光された部分を通してレジストを露光する工程、
アルカリ現像液で前記水溶性膜とアクリジンの誘導体を
含んだ膜を除去する同時に前記レジストを現像して前記
レジストの露光部を除去する工程を有することを特徴と
するパターン形成方法。(10) The process of applying resist on the substrate, the process of forming a water-soluble film, the process of forming a film containing an acridine derivative, the process of selectively exposing to ArF excimer laser light, the process of exposing far ultraviolet light to the entire surface irradiating the resist through selectively exposed portions of the film containing the derivative;
A pattern forming method comprising the steps of removing the water-soluble film and the film containing an acridine derivative with an alkaline developer and simultaneously developing the resist to remove the exposed portion of the resist.
クリジンオレンジ、アクリジンレッドのいずれかまたは
その混合物であることを特徴とする特許請求の範囲第１
０項に記載のパターン形成方法。(11) Claim 1, characterized in that the acridine derivative is any one of acridine yellow, acridine orange, acridine red, or a mixture thereof.
The pattern forming method according to item 0.
マレーザ光であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項、第６項、第８項、第１０項のいずれかに記載のパタ
ーン形成方法。(12) Claim 1, characterized in that the far ultraviolet light is XeCl, ArF or KrF excimer laser light.
The pattern forming method according to any one of Items 6, 8, and 10.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264514A JPH02124574A (en) | 1987-10-20 | 1988-10-20 | Pattern forming method |
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26449087 | 1987-10-20 | ||
| JP62-264490 | 1987-10-20 | ||
| JP62-264491 | 1987-10-20 | ||
| JP62-266591 | 1987-10-23 | ||
| JP63-179176 | 1988-07-20 | ||
| JP63264514A JPH02124574A (en) | 1987-10-20 | 1988-10-20 | Pattern forming method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02124574A true JPH02124574A (en) | 1990-05-11 |
Family
ID=26546539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63264514A Pending JPH02124574A (en) | 1987-10-20 | 1988-10-20 | Pattern forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02124574A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173826A (en) * | 2005-12-24 | 2007-07-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Method of fabricating dual damascene structure |
| US8080364B2 (en) | 2003-05-09 | 2011-12-20 | Panasonic Corporation | Pattern formation method |
-
1988
- 1988-10-20 JP JP63264514A patent/JPH02124574A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8080364B2 (en) | 2003-05-09 | 2011-12-20 | Panasonic Corporation | Pattern formation method |
| JP2007173826A (en) * | 2005-12-24 | 2007-07-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Method of fabricating dual damascene structure |
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