JPH02121370A - 光検出器 - Google Patents
光検出器Info
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- JPH02121370A JPH02121370A JP63274275A JP27427588A JPH02121370A JP H02121370 A JPH02121370 A JP H02121370A JP 63274275 A JP63274275 A JP 63274275A JP 27427588 A JP27427588 A JP 27427588A JP H02121370 A JPH02121370 A JP H02121370A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光を検出して電気信号に変換する光検出器、
特に、必要なときだけ選択的に光検出動作を行うという
スイッチ機能を備えた光検出器に関するものである。
特に、必要なときだけ選択的に光検出動作を行うという
スイッチ機能を備えた光検出器に関するものである。
第5図は、受光素子としてホトダイオードを用いた一般
的な光検出器の回路を示すものである。
的な光検出器の回路を示すものである。
同図において、51はホトダイオード、52はバイアス
電源、53は負荷抵抗、54は直流成分カット用のコン
デンサ、55は出力端子である。
電源、53は負荷抵抗、54は直流成分カット用のコン
デンサ、55は出力端子である。
一方、第6図は、超高速光多重通信システムの一例を示
すものである。送信側には4Gbpsのクロック発生手
段60、このクロック発生手段60からのクロックを順
次遅延する遅延手段61〜63、クロック発生手段60
および遅延手段61〜63からのクロックタイミングで
送信すべきデータに応じた光パルスを出力する光源素子
64〜67、光源素子64〜67からの光パルスを時分
割多重して16Gbpsの光信号として光伝送路69に
出力する多重手段68が設けられている。また、受信側
には光伝送路69からの多重信号を分離する分離手段7
0、この分離手段70に分離用のタイミングを与えるタ
イミング手段71、そして、分離された光パルス信号を
電気信号に変換する上述した光検出器72〜75が設け
られている。
すものである。送信側には4Gbpsのクロック発生手
段60、このクロック発生手段60からのクロックを順
次遅延する遅延手段61〜63、クロック発生手段60
および遅延手段61〜63からのクロックタイミングで
送信すべきデータに応じた光パルスを出力する光源素子
64〜67、光源素子64〜67からの光パルスを時分
割多重して16Gbpsの光信号として光伝送路69に
出力する多重手段68が設けられている。また、受信側
には光伝送路69からの多重信号を分離する分離手段7
0、この分離手段70に分離用のタイミングを与えるタ
イミング手段71、そして、分離された光パルス信号を
電気信号に変換する上述した光検出器72〜75が設け
られている。
ところで、分離手段70は、光スィッチ76〜78によ
って構成されているものであるが、上述のような超高速
光多重通信システムにおいては、4Gbps、あるいは
8Gbpsという極めて速い速度で動作することができ
る光スィッチが必要となる。これを満足するものとして
は、たとえば、アイトリプルイーのジャーナル オブ
ライトウェーブテクノロジー(IEEE Journa
l of LlghtvaveTechnology、
vol、LT−3,No、l、Feb、1985)に記
載されているようなL iN b Oaの電気光学効果
を用いたものがあるが、現在のところ市販品はなく、ま
た、大型であり、しかも、製作が困難な超精密加工品で
あるため高価となってしまう。
って構成されているものであるが、上述のような超高速
光多重通信システムにおいては、4Gbps、あるいは
8Gbpsという極めて速い速度で動作することができ
る光スィッチが必要となる。これを満足するものとして
は、たとえば、アイトリプルイーのジャーナル オブ
ライトウェーブテクノロジー(IEEE Journa
l of LlghtvaveTechnology、
vol、LT−3,No、l、Feb、1985)に記
載されているようなL iN b Oaの電気光学効果
を用いたものがあるが、現在のところ市販品はなく、ま
た、大型であり、しかも、製作が困難な超精密加工品で
あるため高価となってしまう。
このような問題に対して、光スィッチの上記欠点を除去
するという考え方の他に、光検出器自身に高速スイッチ
機能を持たせることにより、光スィッチを用いることな
く信号分離を達成させるという考え方がある。
するという考え方の他に、光検出器自身に高速スイッチ
機能を持たせることにより、光スィッチを用いることな
く信号分離を達成させるという考え方がある。
本発明の課題は、このような観点にたって、高速スイッ
チ機能を有する新規な光検出器を提供することにある。
チ機能を有する新規な光検出器を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明の光検出器は、半導
体受光素′子として、光キャリアの通路の少なくとも一
部に共鳴トンネル効果を持つバリア層を挿入したヘテロ
接合型のものを用い、併せて、この半導体受光素子に対
して、半導体中の電子が共鳴トンネル効果によって前記
バリア層を透過することができる逆バイアスを選択的に
印加する駆動回路を付加したものである。
体受光素′子として、光キャリアの通路の少なくとも一
部に共鳴トンネル効果を持つバリア層を挿入したヘテロ
接合型のものを用い、併せて、この半導体受光素子に対
して、半導体中の電子が共鳴トンネル効果によって前記
バリア層を透過することができる逆バイアスを選択的に
印加する駆動回路を付加したものである。
半導体受光素子において、バリア層の挿入により形成さ
れるウェル層での電子の量子準位が、吸収層の伝導帯の
底に一致するように逆バイアスを印加すると、共鳴トン
ネル効果により電子はバリア層を通過する。しかし、こ
のときのウェル層でのホールの量子準位は、吸収層の価
電子帯の上限レベルと一致しないため、ホールはバリア
層を通過できない。したがって、駆動回路において、半
導体受光素子に印加するバイアス値を、電子がバリア層
を透過することができる第1のバイアス値とそれ以外の
値をもつ第2のバイアス値との切り換えを行うことによ
り、第1のバイアス値が印加されたときのみ半導体受光
素子が光検出機能を発揮する。
れるウェル層での電子の量子準位が、吸収層の伝導帯の
底に一致するように逆バイアスを印加すると、共鳴トン
ネル効果により電子はバリア層を通過する。しかし、こ
のときのウェル層でのホールの量子準位は、吸収層の価
電子帯の上限レベルと一致しないため、ホールはバリア
層を通過できない。したがって、駆動回路において、半
導体受光素子に印加するバイアス値を、電子がバリア層
を透過することができる第1のバイアス値とそれ以外の
値をもつ第2のバイアス値との切り換えを行うことによ
り、第1のバイアス値が印加されたときのみ半導体受光
素子が光検出機能を発揮する。
第1図は、本発明に用いられる半導体受光素子の一実施
例を示す断面図である。n−1nP基板1上に、70A
程度の厚さのシーGaO,47In Asからなる
ウェル層20を介して、0.53 50〜70A程度の厚さのシー1nPからなるバリア層
21が形成されている。そして、バリア層21の上に1
〜2μm程度の厚さを持つシーGa l n
Asからなる吸収層2が、さら0.47 0.53 にその上にp−GalnAs層が形成さ0.47 0
.53 れている。n−1nP基板1およびp−GaInAs層
3にはそれぞれ電極4および5が設けられている。n−
1nP基板1の裏側は受光用の窓となっており、そこに
は、検出すべき光8を導く光ファイバ6がエポキシ樹脂
7によって固定されている。なお、基板1上の各層は、
MBE。
例を示す断面図である。n−1nP基板1上に、70A
程度の厚さのシーGaO,47In Asからなる
ウェル層20を介して、0.53 50〜70A程度の厚さのシー1nPからなるバリア層
21が形成されている。そして、バリア層21の上に1
〜2μm程度の厚さを持つシーGa l n
Asからなる吸収層2が、さら0.47 0.53 にその上にp−GalnAs層が形成さ0.47 0
.53 れている。n−1nP基板1およびp−GaInAs層
3にはそれぞれ電極4および5が設けられている。n−
1nP基板1の裏側は受光用の窓となっており、そこに
は、検出すべき光8を導く光ファイバ6がエポキシ樹脂
7によって固定されている。なお、基板1上の各層は、
MBE。
MOMBEまたはOMVPEなどのヘテロ界面の形成に
適した結晶成長方法により形成することができる。また
、この半導体受光素子からウェル層20およびバリア層
21を除いた構造のヘテロ接合型受光素子は、フィジッ
クス オフ セミコンダクタ デバイセズ(S、M、S
ze;[Physlcs ofSelconducto
r Devices] 2nd edition、Jo
hnWiley & 5ons、p764.1981)
などで既に公開されている。 第2図は、この素子に逆
バイアス11を印加したときのエネルギバンド図である
。ウェル層21中には、電子の量子準位22およびホー
ルの量子準位23が発生する。そして、電極4.5に逆
バイアスを印加することにより、図中の破線24で示す
ように、電子の量子準位22を、吸収層2のバリア層2
0と接する部分における伝導帯底レベル9に一致させる
。このよう設定すると、吸収層2を走行してきた電子は
、共鳴トンネル効果でバリア層20を通過することがで
きる。したがって、このときには、光電効果により吸収
層2に発生した電子が光電流として外部に出力される。
適した結晶成長方法により形成することができる。また
、この半導体受光素子からウェル層20およびバリア層
21を除いた構造のヘテロ接合型受光素子は、フィジッ
クス オフ セミコンダクタ デバイセズ(S、M、S
ze;[Physlcs ofSelconducto
r Devices] 2nd edition、Jo
hnWiley & 5ons、p764.1981)
などで既に公開されている。 第2図は、この素子に逆
バイアス11を印加したときのエネルギバンド図である
。ウェル層21中には、電子の量子準位22およびホー
ルの量子準位23が発生する。そして、電極4.5に逆
バイアスを印加することにより、図中の破線24で示す
ように、電子の量子準位22を、吸収層2のバリア層2
0と接する部分における伝導帯底レベル9に一致させる
。このよう設定すると、吸収層2を走行してきた電子は
、共鳴トンネル効果でバリア層20を通過することがで
きる。したがって、このときには、光電効果により吸収
層2に発生した電子が光電流として外部に出力される。
ところが、これ以外のバイアス、すなわち、電子の量子
準位22が、吸収層2のバリア層20と接する部分にお
ける伝導帯底レベル9に不一致となるバイアスを与えた
ときには、電子がバリア層20を通過することができな
い。もちろん、ホールもバリア層20を通過できない。
準位22が、吸収層2のバリア層20と接する部分にお
ける伝導帯底レベル9に不一致となるバイアスを与えた
ときには、電子がバリア層20を通過することができな
い。もちろん、ホールもバリア層20を通過できない。
したがって、この状態で光を受光しても光電流が発生し
ない。
ない。
したがって、バイアス電圧として、電子の共鳴トンネル
効果を得られる値と、それ以外の値の2種類を選択的に
与えれば、前者のときだけ、光検出器として機能する。
効果を得られる値と、それ以外の値の2種類を選択的に
与えれば、前者のときだけ、光検出器として機能する。
なお、電子について共鳴トンネル効果が得られる場合(
第2図に示す場合)であっても、ウェル層21中のホー
ルに関する量子準位23は、吸収層2の価電子帯上限レ
ベル10に一致しない。そのため、ホールについては共
鳴トンネル効果を得ることができず、バリア層20を通
過することができない。したがって、電子の流れに同等
悪影響を与えずに、プラス側電極4から流れ込むホール
を阻止することができる。すなわち、移動度の高い電子
のみを用いて、光電流を発生させるので、動作も極めて
高速となる。
第2図に示す場合)であっても、ウェル層21中のホー
ルに関する量子準位23は、吸収層2の価電子帯上限レ
ベル10に一致しない。そのため、ホールについては共
鳴トンネル効果を得ることができず、バリア層20を通
過することができない。したがって、電子の流れに同等
悪影響を与えずに、プラス側電極4から流れ込むホール
を阻止することができる。すなわち、移動度の高い電子
のみを用いて、光電流を発生させるので、動作も極めて
高速となる。
なお、共鳴トンネル効果については、たとえば、小長井
誠;「半導体格子入門」、培風館。
誠;「半導体格子入門」、培風館。
1987、 などに詳しく説明されている。
第3図は、このような半導体受光素子に対して選択的に
バイアス値を切り換えて印加することができる駆動回路
を付加した光検出器の一実施例を示す回路図である。
バイアス値を切り換えて印加することができる駆動回路
を付加した光検出器の一実施例を示す回路図である。
駆動回路31は、電界効果トランジスタ(FET)32
.33および負荷抵抗34からなる差動スイッチ回路と
、定電流用電界効果トランジスタ35と電源36とで構
成されている。なお、駆動回路31において、電源36
を除く部分は、高速動作に適したGaAsICによって
構成されている。FET32.33のゲートには、それ
ぞれ入力端子30a、30bが接続されている。負荷抵
抗34とFET33との接続点は、第1図にて説明した
半導体受光素子37のアノードすなわち、p側の電極5
に接続されており、さらに、この半導体受光素子37の
アノードには、直流成分カット用のコンデンサ38を介
して出力端子39が接続されている。なお、半導体受光
素子37のカソードは接地されている。
.33および負荷抵抗34からなる差動スイッチ回路と
、定電流用電界効果トランジスタ35と電源36とで構
成されている。なお、駆動回路31において、電源36
を除く部分は、高速動作に適したGaAsICによって
構成されている。FET32.33のゲートには、それ
ぞれ入力端子30a、30bが接続されている。負荷抵
抗34とFET33との接続点は、第1図にて説明した
半導体受光素子37のアノードすなわち、p側の電極5
に接続されており、さらに、この半導体受光素子37の
アノードには、直流成分カット用のコンデンサ38を介
して出力端子39が接続されている。なお、半導体受光
素子37のカソードは接地されている。
つぎに動作を説明する。切換信号は、入力端子30a、
30bに互いにレベルが反転した信号として入力される
。すなわち、FET33がオンのときはFET32がオ
フしており、逆に、FET33がオフのときにはFET
32がオンするように切り替わる。このような差動型の
スイッチ回路は高速に動作するという利点を有する。切
換信号に基づいて、FET33がオンすると、負荷抵抗
34に電流が流れ、そこに生じた電圧が、半導体受光素
子37にバイアス電圧として印加される。
30bに互いにレベルが反転した信号として入力される
。すなわち、FET33がオンのときはFET32がオ
フしており、逆に、FET33がオフのときにはFET
32がオンするように切り替わる。このような差動型の
スイッチ回路は高速に動作するという利点を有する。切
換信号に基づいて、FET33がオンすると、負荷抵抗
34に電流が流れ、そこに生じた電圧が、半導体受光素
子37にバイアス電圧として印加される。
負荷抵抗34には、FET35の作用によって定電流が
流れるので、負荷抵抗34の抵抗値を調整することによ
り、安定した所望の電圧が得られる。
流れるので、負荷抵抗34の抵抗値を調整することによ
り、安定した所望の電圧が得られる。
ここでは、その電圧が、共鳴トンネル効果によって半導
体受光素子37内のバリア層を電子が透過することがで
きる電圧となるように、負荷抵抗34の値が設定されて
いる。したがって、FET33がオンのときに、半導体
受光素子37は受光素子として動作し、光信号が出力端
子39から取り出される。一方、FET33がオフのと
きは、負荷抵抗34には電流が流れず、負荷抵抗34と
FET33との接続点の電位は接地電位となる。
体受光素子37内のバリア層を電子が透過することがで
きる電圧となるように、負荷抵抗34の値が設定されて
いる。したがって、FET33がオンのときに、半導体
受光素子37は受光素子として動作し、光信号が出力端
子39から取り出される。一方、FET33がオフのと
きは、負荷抵抗34には電流が流れず、負荷抵抗34と
FET33との接続点の電位は接地電位となる。
したがって、半導体受光素子37にはバイアスが印加さ
れず、半導体受光素子37内のバリア層を電子が透過す
ることができない。そのため、半導体受光素子37では
受光動作が行われない。以上のように、FET33のオ
ンオフにより、半導体受光素子37の機能を素早くオン
オフさせることができる。
れず、半導体受光素子37内のバリア層を電子が透過す
ることができない。そのため、半導体受光素子37では
受光動作が行われない。以上のように、FET33のオ
ンオフにより、半導体受光素子37の機能を素早くオン
オフさせることができる。
第4図は、この光検出器を第6図に示す超高速光多重通
信システムに適用した場合の受信側の構成を示すもので
ある。伝送路69からの信号を、ハーフミラ−などの単
なる光分岐手段41〜43によって分岐し、それぞれに
本実施例の構造を持つ光検出器44〜47を設置する。
信システムに適用した場合の受信側の構成を示すもので
ある。伝送路69からの信号を、ハーフミラ−などの単
なる光分岐手段41〜43によって分岐し、それぞれに
本実施例の構造を持つ光検出器44〜47を設置する。
そして、各光検出器44〜47に、クロック発生器48
および遅延回路49a〜49cによって、時間的にずれ
た4Gbpsのクロックを与え、そのクロックタイミン
グで各光検出器44〜47を動作させることにより、多
重化された信号の分離を達成することができる。遅延回
路49a〜49cは、いずれも、250psecの遅延
を行うものであり、同軸ケーブルやマイクロストリップ
ラインなどで構成することができる。
および遅延回路49a〜49cによって、時間的にずれ
た4Gbpsのクロックを与え、そのクロックタイミン
グで各光検出器44〜47を動作させることにより、多
重化された信号の分離を達成することができる。遅延回
路49a〜49cは、いずれも、250psecの遅延
を行うものであり、同軸ケーブルやマイクロストリップ
ラインなどで構成することができる。
なお、第1図に示す本実施例の半導体受光素子では、基
板1がウィンド層を兼ねており、その基板1およびバリ
ア層20にInPを用い、ウェル層21および吸収層2
にGaInAsをそれぞれ用いているが、吸収層の禁制
帯幅がウィンド層の禁制帯幅よりも狭く、しかも吸収層
の禁制帯がウィンド層の禁制帯に包含されるようなヘテ
ロ接合を有し、ウィンド層と同様の禁制帯を持つバリア
層、およびウィンド層と同様の禁制帯を持つウェル層を
有していれば、その他の材料を用いても本発明による半
導体受光素子を構成することができる。たとえば、基板
にInP、バリア層およびウィンド層にAj71nAs
、ウェル層および吸収層にGa I nAsを用いれば
、本実施例と同様に1.3〜1.55μm程度の波長の
光検出を行う受光素子とすることができ、基板にGa
A S %バリア層およびウィンド層にA fl G
a A s sウェル層および吸収層にGaAsを用い
れば、0.75〜0.85μm程度の波長の光検出を行
う受光素子とすることができ、基板にSiまたはGe、
バリア層およびウィンド層にSi1ウ工ル層および吸収
層にGeを用いれば、可視光〜1μm程度の波長の光検
出を行う受光素子とすることができる。
板1がウィンド層を兼ねており、その基板1およびバリ
ア層20にInPを用い、ウェル層21および吸収層2
にGaInAsをそれぞれ用いているが、吸収層の禁制
帯幅がウィンド層の禁制帯幅よりも狭く、しかも吸収層
の禁制帯がウィンド層の禁制帯に包含されるようなヘテ
ロ接合を有し、ウィンド層と同様の禁制帯を持つバリア
層、およびウィンド層と同様の禁制帯を持つウェル層を
有していれば、その他の材料を用いても本発明による半
導体受光素子を構成することができる。たとえば、基板
にInP、バリア層およびウィンド層にAj71nAs
、ウェル層および吸収層にGa I nAsを用いれば
、本実施例と同様に1.3〜1.55μm程度の波長の
光検出を行う受光素子とすることができ、基板にGa
A S %バリア層およびウィンド層にA fl G
a A s sウェル層および吸収層にGaAsを用い
れば、0.75〜0.85μm程度の波長の光検出を行
う受光素子とすることができ、基板にSiまたはGe、
バリア層およびウィンド層にSi1ウ工ル層および吸収
層にGeを用いれば、可視光〜1μm程度の波長の光検
出を行う受光素子とすることができる。
以上説明したように、本発明の光検出器によれば、光キ
ャリアの通路に共鳴トンネル効果を持つバ1J71fi
をエネルギ障壁として挿入した半導体受光素子を用い、
その共鳴トンネル効果による選択透過性を利用して、所
望の時間においてのみ、光検出動作をさせることができ
る。したがって、本発明の光検出器を光多重通信システ
ムの受信側に利用すれば、分離手段を用いることなく多
重信号の分離が可能となる。しかも、高速化に有用な電
子を透過させつつ高速化に有害なホールの通過を阻止す
ることができるので、高速に動作させることができる。
ャリアの通路に共鳴トンネル効果を持つバ1J71fi
をエネルギ障壁として挿入した半導体受光素子を用い、
その共鳴トンネル効果による選択透過性を利用して、所
望の時間においてのみ、光検出動作をさせることができ
る。したがって、本発明の光検出器を光多重通信システ
ムの受信側に利用すれば、分離手段を用いることなく多
重信号の分離が可能となる。しかも、高速化に有用な電
子を透過させつつ高速化に有害なホールの通過を阻止す
ることができるので、高速に動作させることができる。
また、受光素子のノイズの主要因たる暗電流は電子とホ
ールの双方に基づくものであるが、本発明によれば、バ
リア層の挿入によりホールの通過が阻止されるために、
暗電流を減少させることができる。
ールの双方に基づくものであるが、本発明によれば、バ
リア層の挿入によりホールの通過が阻止されるために、
暗電流を減少させることができる。
第1図は、本発明に用いる半導体受光素子の一実施例を
示す断面図、第2図は、そのエネルギバンド図、第3図
は、本発明の一実施例である光検田型を示す回路図、第
4図は、この光検出器を光多重通信システムに用いたと
きの一例を示す受信側の構成図、第5図は、従来の光検
出器を示す断面図、第6図は、従来の光検出器が受信側
に用いられた超高速光多重通信システムを示す構成図で
ある。 1・・・n−InP基板、2・・・吸収層、3・・・p
層、4.5・・・電極、20・・・バリア層、21・・
・ウェル層、31・・・駆動回路、37・・・半導体受
光素子。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹間
塩 1) 辰 也第 図 本発明に用いる半導体受光素子の一実施例実売例の回路 第3図 従来の光S土器 第 図
示す断面図、第2図は、そのエネルギバンド図、第3図
は、本発明の一実施例である光検田型を示す回路図、第
4図は、この光検出器を光多重通信システムに用いたと
きの一例を示す受信側の構成図、第5図は、従来の光検
出器を示す断面図、第6図は、従来の光検出器が受信側
に用いられた超高速光多重通信システムを示す構成図で
ある。 1・・・n−InP基板、2・・・吸収層、3・・・p
層、4.5・・・電極、20・・・バリア層、21・・
・ウェル層、31・・・駆動回路、37・・・半導体受
光素子。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹間
塩 1) 辰 也第 図 本発明に用いる半導体受光素子の一実施例実売例の回路 第3図 従来の光S土器 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、禁制帯幅の異なる2種以上の半導体のヘテロ接合を
用いた受光素子であって、光キャリアの通路の少なくと
も一部に共鳴トンネル効果を持つ薄いバリア層が挿入さ
れている半導体受光素子と、 この半導体受光素子に対して、半導体中の電子が共鳴ト
ンネル効果によって前記バリア層を透過することができ
る逆バイアスを選択的に印加する駆動回路と を備えたことを特徴とする光検出器。 2、半導体受光素子は、第1の半導体により形成された
ウインド層と、禁制帯が第1の半導体の禁制帯に包含さ
れている第2の半導体により形成された吸収層とを有す
るヘテロ接合型半導体受光素子において、ウインド層と
吸収層との間に第2の半導体によるウェル層および第1
の半導体による共鳴トンネル効果を持つ薄いバリア層が
ウインド層側にウェル層が接するように挿入されている
ことを特徴とする請求項1記載の光検出器。 3、第1の半導体がInPであり、第2の半導体がGa
InAsである請求項2記載の光検出器。 4、第1の半導体がAlInAsであり、第2の半導体
がGaInAsである請求項2記載の光検出器。 5、第1の半導体がAlGaAsであり、第2の半導体
がGaAsである請求項2記載の光検出器。 6、第1の半導体がSiであり、第2の半導体がGeで
ある請求項2記載の光検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63274275A JPH02121370A (ja) | 1988-10-29 | 1988-10-29 | 光検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63274275A JPH02121370A (ja) | 1988-10-29 | 1988-10-29 | 光検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02121370A true JPH02121370A (ja) | 1990-05-09 |
Family
ID=17539385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63274275A Pending JPH02121370A (ja) | 1988-10-29 | 1988-10-29 | 光検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02121370A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104659146A (zh) * | 2015-03-06 | 2015-05-27 | 中国科学院半导体研究所 | 基于ⅱ型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62216378A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | Nec Corp | ホトデイテクタ |
JPS63246626A (ja) * | 1987-01-15 | 1988-10-13 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 赤外線検出器デバイスおよび赤外線を検出するための方法 |
-
1988
- 1988-10-29 JP JP63274275A patent/JPH02121370A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62216378A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | Nec Corp | ホトデイテクタ |
JPS63246626A (ja) * | 1987-01-15 | 1988-10-13 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 赤外線検出器デバイスおよび赤外線を検出するための方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104659146A (zh) * | 2015-03-06 | 2015-05-27 | 中国科学院半导体研究所 | 基于ⅱ型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器 |
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