JPH02120850U - - Google Patents
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- JPH02120850U JPH02120850U JP3117089U JP3117089U JPH02120850U JP H02120850 U JPH02120850 U JP H02120850U JP 3117089 U JP3117089 U JP 3117089U JP 3117089 U JP3117089 U JP 3117089U JP H02120850 U JPH02120850 U JP H02120850U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer metal
- lower layer
- insulating film
- gaas substrate
- mim capacitor
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第1図a〜fはこの考案の一実施例によるMI
Mキヤパシターの形成順序を示す断面図、第2図
a〜hは従来のMIMキヤパシターの形成順序を
示す断面図である。 図において、1はGaAs基板、2は絶縁膜、
20は絶縁膜、4はMIM下層メタル、5はMI
M絶縁膜、7はMIM上層メタルである。なお、
図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Mキヤパシターの形成順序を示す断面図、第2図
a〜hは従来のMIMキヤパシターの形成順序を
示す断面図である。 図において、1はGaAs基板、2は絶縁膜、
20は絶縁膜、4はMIM下層メタル、5はMI
M絶縁膜、7はMIM上層メタルである。なお、
図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 下層メタル、層間絶縁膜及び上層メタルからな
るMIMキヤパシターにおいて、下層メタル下の
GaAs基板を堀り込み、上記堀り込み部に絶縁
膜を形成後、下層メタルを形成し、上記下層メタ
ルはGaAs基板上と同一高さであることを特徴
とするMIMキヤパシター。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3117089U JPH02120850U (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3117089U JPH02120850U (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02120850U true JPH02120850U (ja) | 1990-09-28 |
Family
ID=31256832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3117089U Pending JPH02120850U (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02120850U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014022519A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Saitama Univ | 超伝導トンネル接合を用いたフォトン検出器 |
-
1989
- 1989-03-16 JP JP3117089U patent/JPH02120850U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014022519A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Saitama Univ | 超伝導トンネル接合を用いたフォトン検出器 |