JPH02119274A - Avalanche photodiode - Google Patents
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- JPH02119274A JPH02119274A JP63273798A JP27379888A JPH02119274A JP H02119274 A JPH02119274 A JP H02119274A JP 63273798 A JP63273798 A JP 63273798A JP 27379888 A JP27379888 A JP 27379888A JP H02119274 A JPH02119274 A JP H02119274A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 波長1.3〜1.55μm帯の光を検出するための。[Detailed description of the invention] 〔overview〕 For detecting light in the wavelength band of 1.3 to 1.55 μm.
m −v族化合物半導体超格子を用いた縦型アバランシ
ェフォトダイオードに関し。Regarding a vertical avalanche photodiode using an m-v group compound semiconductor superlattice.
アバランシェ増倍領域におけるイオン化率比を大きくす
ることによって高感度のアバランシェフォトダイオード
を提供することを目的とし。The purpose is to provide a highly sensitive avalanche photodiode by increasing the ionization rate ratio in the avalanche multiplication region.
基板に格子整合したInGaA IAs/A lGaA
sSb超格子から成るアバランシェ増倍領域を有し+
該1nGaAIAs超格子はΔa、/a比(但しaは前
記基板の格子定数、Δa、はaと該InGaAlAs超
格子の格子定数との差)が5X10−”以下となるよう
に、その組成In 。InGaA IAs/AlGaA lattice matched to the substrate
It has an avalanche multiplication region consisting of sSb superlattice +
The composition of the 1nGaAIAs superlattice is In such that the ratio Δa, /a (where a is the lattice constant of the substrate, and Δa is the difference between a and the lattice constant of the InGaAlAs superlattice) is 5×10−” or less.
(Gal−xAlx L−y Asにおけるyの値が選
ばレテオリ、該へ1GaAsSb超格子はΔa2/a比
(但しΔa2は前記aと該AlGaAsSb超格子の格
子定数との差)が5×10弓以下となるように1その組
成(A1. Ga、−1)(Asv Sb+−v )に
おけるVの値が選ばれており。(If the value of y in Gal-xAlxL-y As is selected, the 1GaAsSb superlattice has a ratio of Δa2/a (where Δa2 is the difference between the above a and the lattice constant of the AlGaAsSb superlattice) of 5×10 bows or less. 1 The value of V at the composition (A1.Ga, -1) (Asv Sb+-v) is selected so that.
前記XおよびUの値は+ Iny(Ga+−x Al
x )+−yAs/ (Alu Ga+−u )(A
sv 5J−v )ヘテロ接合における伝導帯不連続量
が零乃至0.2eVとなるように選ばれていることから
構成される。The values of X and U are +Iny(Ga+-xAl
x )+-yAs/(Alu Ga+-u)(A
sv 5J-v ) The amount of conduction band discontinuity in the heterojunction is selected to be 0 to 0.2 eV.
本発明は、波長1.3〜1.55μl帯の光を検出する
ための■−■族化合物半導体を用いたアバランシェフォ
トダイオードに係り、とくに、m−v族化合物半導体超
格子から成るアバランシェ増倍領域を備え、該超格子に
垂直に光が入射する縦型構造のアバランシェフォトダイ
オードに関する。The present invention relates to an avalanche photodiode using a ■-■ group compound semiconductor for detecting light in a wavelength band of 1.3 to 1.55 μl, and in particular, an avalanche multiplication device made of an m-v group compound semiconductor superlattice. The present invention relates to an avalanche photodiode having a vertical structure in which light is incident perpendicularly to the superlattice.
光通信における受光素子として、シリコン(Si)にお
けるアバランシェ増倍を利用するアバランシェフォトダ
イオード(APD)が実用化されている。2. Description of the Related Art Avalanche photodiodes (APDs) that utilize avalanche multiplication in silicon (Si) have been put into practical use as light receiving elements in optical communications.
5i−AI’Dは、・Siのアバランシェ増倍領域にお
けるイオン化率比(α/β、αは電子のイオン化率、β
はホールのイオン化率)が10程度以上と大きく。5i-AI'D is the ionization rate ratio (α/β, α is the electron ionization rate, β
The hole ionization rate) is about 10 or more.
高感度である。しかしながら、 5t−APDの検出限
界波長は0.95μ麟程度であって、1.3〜1.55
μmの長波長帯の光を用いる光通信には適用できない。High sensitivity. However, the detection limit wavelength of 5t-APD is about 0.95 μm, which is 1.3 to 1.55 μm.
It cannot be applied to optical communications that use light in the long wavelength band of μm.
この波長帯で用いるAPDとしてゲルマニウム(Ge)
を用いたGe−APDがすでに実用化されているが、
Geにおけるイオン化率比は高々2程度であるため検出
感度が低く、また、暗電流が大きいという問題がある。Germanium (Ge) is used as an APD used in this wavelength band.
Ge-APD using
Since the ionization rate ratio in Ge is about 2 at most, there are problems in that the detection sensitivity is low and the dark current is large.
近年、1.3〜1.55μm帯の光検知器材料として。 In recent years, it has been used as a photodetector material in the 1.3-1.55 μm band.
InP、 rnGaAs、 TnAIAs、 InGa
AsP等を組合せたベテロ構造が研究されている。しか
し、これらの材料を用いたAPDは、 5i−APDに
比べて性能が劣る。その最大の原因は、これらの材料は
、いずれもアバランシェ増倍領域におけるイオン化率比
α/βまたはβ/αが2〜3程度と小さいことである。InP, rnGaAs, TnAIAs, InGa
Betero structures combining AsP and the like are being studied. However, APDs using these materials have inferior performance compared to 5i-APDs. The biggest reason for this is that all of these materials have a small ionization rate ratio α/β or β/α of about 2 to 3 in the avalanche multiplication region.
最近、m−v族化合物半導体の超格子ヘテロ構造を用い
ることにより、アバランシェ増倍領域におけるイオン化
率比を大きくすることが試みられている。(例えば、
F、 Capasso、 et al、、 Appl。Recently, attempts have been made to increase the ionization rate ratio in the avalanche multiplication region by using a superlattice heterostructure of m-v group compound semiconductors. (for example,
F. Capasso, et al., Appl.
r’hys、 Lett、、 Vol、40. p、3
8,1982)これは、電界によって加速されたキャリ
ヤ(電子とホール)が超格子の障壁層から井戸層に入っ
たときにホットな状態となり、イオン化を生じやすくな
ることを利用するものである。r'hys, Lett, Vol. 40. p, 3
8, 1982) This utilizes the fact that when carriers (electrons and holes) accelerated by an electric field enter the well layer from the barrier layer of the superlattice, they become hot and are more likely to be ionized.
本発明は、この原理にもとづき、アバランシェ増倍領域
を構成する超格子ヘテロ接合における伝導帯の不運Vt
量が概ね零になるようにすることによって、ホールのイ
オン化率(β)を増大する■−V族化合物半導体の組合
せを開示し、これにより1.3〜1.55μ隋帯の光に
対して高感度なアバランシェフォトダイオードを提供す
ることを目的とする。Based on this principle, the present invention aims to solve the problem of the conduction band Vt in the superlattice heterojunction constituting the avalanche multiplication region.
We disclose a combination of ■-V group compound semiconductors that increases the hole ionization rate (β) by making the amount approximately zero, and thereby The purpose is to provide a highly sensitive avalanche photodiode.
上記目的は、基板に格子整合したrnGaAIAs/
AlGaAsSb超格子から成るアバランシェ増倍領域
を有し、該TnGa八IAへ超格子はΔa、/a比(但
しaは前記基板の格子定数、Δalはaと該1nGaA
IAs超格子の格子定数との差)が5X10−3以下と
なるように。The above purpose is to lattice-match rnGaAIAs/
It has an avalanche multiplication region consisting of an AlGaAsSb superlattice, and the TnGa8IA superlattice has a ratio of Δa, /a (where a is the lattice constant of the substrate, Δal is the difference between a and the 1nGaA
(difference from the lattice constant of the IAs superlattice) is 5X10-3 or less.
その組成In y(Ga+−x^I−L−y^Sにおけ
るyの値が選ばれており、該A lGaAsSb超格子
はΔatla比(但しΔa2は前記aとAlGaAsS
b超格子の格子定数との差)がs x to−’以下と
なるように、その組成(Alu Ga+−u ) (A
sv St)+−v )におけるVの値が選ばれており
、前記XおよびUの値は+ In、 (Ga+−2八1
X L−y As/ (slu Ga+−u )(A
sv 5l)1−v )ヘテロ接合における伝導帯不連
続量が零乃至0.2eVとなるように選ばれていること
を特徴とする本発明に係るアバランシェフォトダイオー
ドによって達成される。The value of y in its composition In y (Ga + -
Its composition (Alu Ga+-u) (A
sv St)+-v) is chosen, and the values of X and U are +In, (Ga+-281
X L-y As/ (slu Ga+-u) (A
This is achieved by the avalanche photodiode according to the invention, characterized in that the amount of conduction band discontinuity at the heterojunction is selected to be between 0 and 0.2 eV.
電界によって加速された電子およびホールが超格子の障
壁層から井戸層に入ったときのそれぞれのイオン化率α
、Lおよびβ、Lは。Ionization rate α of electrons and holes accelerated by an electric field when they enter the well layer from the barrier layer of the superlattice
,L and β,L are.
αst” exp ((−に+/ t”)X(El
l −Δ Ec)/ E’ l ・ ・ ・(1)
βS!″ exp ((−kz/ ε)×(Eh −
Δ Ev)/ E’ ) ・−−(2)ここに k
lおよびに2は定数、εは電界強度(H@およびBhは
、それぞれ、電子およびホールによるイオン化エネルギ
ー、ΔEcおよびΔEvはヘテロ接合における。それぞ
れ、伝導帯の不達Iffおよび価電子帯の不連続量であ
る。αst” exp ((-+/t”)X(El
l −Δ Ec)/E' l ・ ・ ・ (1)
βS! ″ exp ((-kz/ ε)×(Eh −
Δ Ev)/E') ・--(2) Here k
l and 2 are constants, ε is the electric field strength (H@ and Bh are the ionization energies by electrons and holes, respectively, ΔEc and ΔEv are the discontinuities in the conduction band Iff and the valence band at the heterojunction, respectively) It's the amount.
上記(1)および(2)弐から、イオン化率比α、L/
β5.(またはβSL/αSL)を大きくするには。From (1) and (2) above, the ionization rate ratio α, L/
β5. (or βSL/αSL).
ΔEeとΔEvの差を大きくすることが有効であること
がわかる。あるヘテロ接合において、上記ΔEeまたは
ΔEvのいずれか一方を大きくすると他方が小さくなる
。したがって、ΔEcまたはΔEvのいずれか一方が大
きくなる組合せの材料を選べば、イオン化率比αst/
βSL (またはβ、。It can be seen that it is effective to increase the difference between ΔEe and ΔEv. In a certain heterojunction, when either ΔEe or ΔEv is increased, the other becomes smaller. Therefore, if you select a combination of materials that increases either ΔEc or ΔEv, the ionization rate ratio αst/
βSL (or β,.
/αSL)を、単一のバルク結晶中におけるイオン化率
比αbulk/βbuLI+ (またはβbul k/
αbulk)に比べて大きくすることができる。/αSL) is the ionization rate ratio αbulk/βbuLI+ (or βbulk/
αbulk).
本発明においては、 Iny (cat−x Al x
)+−y As/(Alu Ga+−u ) (As
v Sb+−v )で表される組成を有する超格子を用
い、このヘテロ接合における伝導帯不連続量が概ね零に
なるように上記XおよびUの値を選ぶ。一方、yおよび
Vの値は、 InGaAlAs/AlGaAsSb超格
子がInP基板と格子整合するように選ばれる。このよ
うな条件の下では、ΔEvは約0.6eVとなる。その
結果、ホールは、上記超格子の井戸層を通過するごとに
、 0,6eVのエネルギーを余分に得ることになる。In the present invention, Iny (cat-x Al x
)+-y As/(Alu Ga+-u) (As
Using a superlattice having a composition represented by v Sb+-v ), the values of X and U are selected so that the amount of conduction band discontinuity in this heterojunction is approximately zero. On the other hand, the values of y and V are chosen such that the InGaAlAs/AlGaAsSb superlattice is lattice matched to the InP substrate. Under such conditions, ΔEv is approximately 0.6 eV. As a result, each time a hole passes through the well layer of the superlattice, it gains an extra 0.6 eV of energy.
すなわち、上記(2)式において電界εの項による寄与
が、この余分に得たエネルギーの分だけ大きくなったこ
とに相当し、その結果、β、Lが増大する。なお、ΔE
c〜0であるので、電子は上記のような余分のエネルギ
ーを得ることがなく、シたがってα、Lは増大しない。That is, this corresponds to the fact that the contribution by the term of the electric field ε in the above equation (2) increases by the amount of the extra energy obtained, and as a result, β and L increase. In addition, ΔE
Since c~0, the electrons do not gain extra energy as described above, and therefore α and L do not increase.
第1図は本発明のAPDの一実施例を示す要部断面図で
あって、n°型のInP基板1上に、厚さ約Iμsのn
型InGaAs層2を成長させる。InGaAs層2は
1例えばInn、 s!Gao、 4?ASなる組成を
有し、n型不純物として1例えばシリコン(Si)が8
X10′67cm ”程度ドープされている。InGa
As層2上には。FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part showing an embodiment of the APD of the present invention, in which an n
A type InGaAs layer 2 is grown. The InGaAs layer 2 is 1, for example Inn, s! Gao, 4? It has the composition AS, and the n-type impurity is 1, for example, silicon (Si) is 8
Doped to about 10'67 cm.
On the As layer 2.
InP基板1と格子整合するようにして、 InGaA
IAS/AlGaAsSb超格子3が形成されている。InGaA is lattice matched with the InP substrate 1.
An IAS/AlGaAsSb superlattice 3 is formed.
InGaAlAs/八lGaAsSbへ格子3は7例え
ば厚さ約400人のInGaA IAs層と厚さ約30
0 人のAlGaAsSb層が交互に25層ずつ積層さ
れてたものである。The InGaAlAs/8 IGaAsSb lattice 3 has an InGaA IAs layer of about 7 and a thickness of about 30, for example about 400.
25 AlGaAsSb layers were alternately stacked.
InGaA IAs/A lGaAsSb超格子3は、
InP基板1との格子整合のために+ In、 (G
a+−x AI X L−y Asおよび(Alu G
a+−u ) (As v Sb+−v )におけるy
およびVの値がそれぞれ2例えば0.52および0.5
とされている。また、前記ΔEvをできるだけ大きくす
るためにΔhをほぼ零とする組成として。InGaA IAs/AlGaAsSb superlattice 3 is
+In, (G
a+-x AI X L-y As and (Alu G
a+-u) y in (As v Sb+-v)
and the values of V are 2 e.g. 0.52 and 0.5 respectively
It is said that Further, in order to make the ΔEv as large as possible, the composition is such that Δh is approximately zero.
XおよびUの値は、それぞれ、x=1およびU=0に選
ばれている。すなわち+ 4no、5zAlo、tI!
八SへGaAso、 5Sbo、 sなる超格子が周期
的に積層された構造である。その他のXの値に対応して
適当なUの値を選べば、ΔEcを0ないし0.2eVと
し、かつ。The values of X and U are chosen to be x=1 and U=0, respectively. That is +4no, 5zAlo, tI!
It has a structure in which 8S, GaAso, 5Sbo, and s superlattices are stacked periodically. If an appropriate value of U is selected corresponding to other values of X, ΔEc can be set to 0 to 0.2 eV, and.
ΔEv>ΔEeなる条件を満足することができる。The condition ΔEv>ΔEe can be satisfied.
InGaAlAs/AlGaAsSb超格子3の上には
、厚さ1pm程度のp+型TnAIAs層4と厚さ約0
.1 μmのp゛型TnGaAs層5が順次形成されて
いる。これらの層には、n型不純物として1例えばベリ
リウム(Ile)がI XIO”/cm3程度ドープさ
れている。InGaAs層5上には、 InGaAsN
3にオーミック接触する。On the InGaAlAs/AlGaAsSb superlattice 3, there is a p+ type TnAIAs layer 4 with a thickness of about 1 pm and a layer 4 with a thickness of about 0 pm.
.. A 1 μm p-type TnGaAs layer 5 is successively formed. These layers are doped with an n-type impurity such as beryllium (Ile) to the extent of IXIO"/cm3. On the InGaAs layer 5, InGaAsN
Ohmic contact with 3.
例えばAu/Ge/Au構造のp型電極6が形成されて
いる。一方、 InF’基板1の裏面には、 InP基
板1にオーミック接触する1例えばAuSnから成るn
型電極7が形成されている。n型電極7には光入射窓と
なる開ロア1が設けられている。For example, a p-type electrode 6 having an Au/Ge/Au structure is formed. On the other hand, on the back side of the InF' substrate 1, there is a layer made of, for example, AuSn, which makes ohmic contact with the InP substrate 1.
A mold electrode 7 is formed. The n-type electrode 7 is provided with an open lower portion 1 serving as a light entrance window.
なお、上記各層の形成には1周知の分子線エピタキシ(
MBB)技術、あるいは有機金属ガスを用いる気相成長
(MOCVD)技術等を用いれはよい。MRRを用いる
場合の成長条件の一例は、基板温度500℃、成長速度
1μm/時間である。また、 InP基板1の上部から
jrIGaAs層5にわたる側面は1通常のAPI)と
同じくメザ状となるように加工されている。The formation of each of the above layers involves the well-known molecular beam epitaxy (
MBB) technology or chemical vapor deposition (MOCVD) technology using organometallic gas may be used. An example of growth conditions when using MRR is a substrate temperature of 500° C. and a growth rate of 1 μm/hour. Further, the side surface extending from the upper part of the InP substrate 1 to the jrIGaAs layer 5 is processed to have a meza-like shape as in the case of a normal API.
第1図の構造において、 TnGaAIAs/AlGa
AsSb超格子3はアバランシェ増倍領域を構成する。In the structure shown in Figure 1, TnGaAIAs/AlGa
The AsSb superlattice 3 constitutes an avalanche multiplication region.
p型電極6とn型電極7間に逆方向電圧を印加した状態
で、前記開ロア1から入射した1、3〜1.55μmの
光はInGaAs層2で吸収される。その結果+ In
GaAs層2に発生した電子はInP基板1を通じてn
型電極7に流れ、一方、ホールはInGaAlAs/A
lGaAsSb超格子3に入り、ここで前述の機構によ
り増大された大きなイオン化率β、Lを以て増倍される
。この際にInGaAlAs/AlGaAsSb超格子
3で発生した電子はn型電極7側に流れるが、前述のよ
うに、そのイオン化率α、Lは増大しない。With a reverse voltage applied between the p-type electrode 6 and the n-type electrode 7, light of 1.3 to 1.55 μm incident from the open lower portion 1 is absorbed by the InGaAs layer 2. The result + In
Electrons generated in the GaAs layer 2 pass through the InP substrate 1
The current flows to the type electrode 7, while the holes flow to the InGaAlAs/A
It enters the lGaAsSb superlattice 3, where it is multiplied with a large ionization rate β,L, which is increased by the mechanism described above. At this time, the electrons generated in the InGaAlAs/AlGaAsSb superlattice 3 flow toward the n-type electrode 7, but as described above, the ionization rates α and L do not increase.
なお、第1図の構造において、p型電極6に光入射窓6
1を設け、ここから被検出光を入射させてもよい。また
、第2図に示すように+ p” −InP基板11上
ニ+ ハラ77層としてp ”−1nGaAs層12・
アバランシェ増倍領域としてInGaAlAs/AlG
aAsSb超格子3.光吸収層としてn 1nGaAs
層13を順次エピタキシャル成長させ、さらにこの上に
、クラッド層としてn−1n AlAs層14.キャッ
プ層としてn ” −InGaAs層15を順次形成し
た構造としても本発明のAI’Dが得られる。第2図に
おいて符号16はn型電極衿、17はp型電極、161
はn型電極16に設けられた光入射窓となる開口である
。Note that in the structure shown in FIG.
1 may be provided and the light to be detected may be incident therefrom. In addition, as shown in FIG.
InGaAlAs/AlG as avalanche multiplication region
aAsSb superlattice 3. n 1nGaAs as a light absorption layer
A layer 13 is epitaxially grown in sequence, and an n-1n AlAs layer 14 is further formed as a cladding layer thereon. The AI'D of the present invention can also be obtained with a structure in which an n''-InGaAs layer 15 is sequentially formed as a cap layer. In FIG.
is an opening provided in the n-type electrode 16 and serving as a light entrance window.
本発明によれば、 InGaAlAs/AlGaAsS
b超格子ヘテロ接合でアバランシェ増倍領域を形成する
ことにより、ホールのイオン化率をバルク結晶中におけ
るよりも大きくして大きなイオン化率比を実現し、1.
3〜1.55μmの波長帯の光に対して冑感度のAI”
r)を提供可能とする効果がある。According to the invention, InGaAlAs/AlGaAsS
By forming an avalanche multiplication region in the b superlattice heterojunction, the ionization rate of holes is made higher than that in the bulk crystal, and a large ionization rate ratio is realized.1.
AI with excellent sensitivity to light in the wavelength range of 3 to 1.55 μm”
This has the effect of making it possible to provide r).
第1図および第2図は本発明のAPDの実施例を示す要
部断面図である。
図において。
1はn”−1nP基板。
2はn −rnGaAs層。
3はrnGaAl八s/A へGaAsSb超格子4は
p ”−TnAIAs層。
5はp ”−TnGaAs層。
6と17はp型電極。
7と16はn型電極
61と161は開口
11はp”−1nP基板。
12はp ”−TnGaAs層。
13はn −1nGaAs層。
14はn−In AlAs層
15はn”−1nGaAs層
である。
、2ト、づご 日月のAPDグ − 賞方イ巳、ブ多り
第1図
木’1F3f41QAPDf) 男り n t p
己4クリ第2図1 and 2 are sectional views of essential parts showing an embodiment of the APD of the present invention. In fig. 1 is an n''-1nP substrate. 2 is an n-rnGaAs layer. 3 is an rnGaAl8s/A GaAsSb superlattice 4 is a p''-TnAIAs layer. 5 is a p''-TnGaAs layer. 6 and 17 are p-type electrodes. 7 and 16 are n-type electrodes 61 and 161, and the opening 11 is a p''-1nP substrate. 12 is a p''-TnGaAs layer. 13 is an n-1nGaAs layer. 14 is an n-In AlAs layer 15 is an n''-1nGaAs layer. , 2 To, Zugo Sun Moon's APD Gu - Shogata Imi, Butari 1st Figure Tree'1F3f41QAPDf) Manri n t p
Self 4 chestnut figure 2
Claims (1)
ム・砒素(InGaAlAs)/アルミニウム・ガリウ
ム・砒素・アンチモン(AlGaAsSb)超格子から
成るアバランシェ増倍領域を有し、 該InGaAlAs超格子は、Δa_1/a比(但しa
は前記基板の格子定数、Δa_1は前記基板の格子定数
aと該InGaAlAs超格子の格子定数との差)が5
×10^−^3以下となるように、その組成In_y(
Ga_1_−_xAl_x)_1_−_yAsにおける
yの値が選ばれており、 該AlGaAsSb超格子は、Δa_2/a比(但しΔ
a_2は前記基板の格子定数aと該AlGaAsSb超
格子の格子定数との差)が5×10^−^3以下となる
ように、その組成(Al_uGa_1_−u)(As_
vSb_1_−_v)におけるvの値が選ばれており、 前記xおよびuの値は、In_y(Ga_1_−_xA
l_x)_1_−_yAs/(Al_uGa_1_−_
u)(As_vSb_1_−_v)ヘテロ接合における
伝導帯不連続量が零乃至0.2eVとなるように選ばれ
ていることを特徴とするアバランシェフォトダイオード
。[Claims] It has an avalanche multiplication region composed of an indium-gallium-aluminum-arsenic (InGaAlAs)/aluminum-gallium-arsenic-antimony (AlGaAsSb) superlattice lattice-matched to the substrate, and the InGaAlAs superlattice has: Δa_1/a ratio (however, a
is the lattice constant of the substrate, Δa_1 is the difference between the lattice constant a of the substrate and the lattice constant of the InGaAlAs superlattice) is 5
Its composition In_y (
The value of y in Ga_1_−_xAl_x)_1_−_yAs is chosen, and the AlGaAsSb superlattice has a ratio of Δa_2/a (where Δ
a_2 is the composition (Al_uGa_1_-u) (As_
The value of v in vSb_1_-_v) is selected, and the values of x and u are In_y(Ga_1_-_xA
l_x)_1_-_yAs/(Al_uGa_1_-_
u) An avalanche photodiode characterized in that the amount of conduction band discontinuity in the (As_vSb_1_-_v) heterojunction is selected to be 0 to 0.2 eV.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63273798A JPH02119274A (en) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Avalanche photodiode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63273798A JPH02119274A (en) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Avalanche photodiode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02119274A true JPH02119274A (en) | 1990-05-07 |
Family
ID=17532732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63273798A Pending JPH02119274A (en) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Avalanche photodiode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02119274A (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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RU2769749C1 (en) * | 2021-04-16 | 2022-04-05 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Avalanche photodiode and method for its manufacture |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP63273798A patent/JPH02119274A/en active Pending
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