JPH02118916A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］ この発明は、例えは磁気ディスク装置に使用される磁気
ディスク等の磁気記録媒体に関するものである。 ［従来の技術］ 近年、コンピュータシステムにおけろ磁気ディスク装置
なとの外部記憶装置の重要性が増大し、高記録密度に対
する要求がまずまず高まっている。 磁気ディスク装置は記録再生ヘットおよび磁気ディスク
の主構成部から構成され、磁気ディスクは高速で回転し
記録再生ヘッドすなわち、磁気ヘットは磁気ディスクよ
り微小間隔浮上している。磁気ディスクの高記録密度化
、高性能化を図るためには、　磁気記録媒体の、１層化
、　均−一様化、　磁気特性の改良（１足磁力、角形比
の向上）、磁気ヘットの低ｌ・／上止なとが挙げられる
。 これまで磁気ディスクは塗布形といい、バインダーなど
の高分子材料とγ−Ｆｅ２０３磁気記録媒体粒子を混合
して塗布して製作していた。この方法では、磁気記録媒
体の薄層化、均−一様化に限Ｗがある。このため農近で
は、磁気記録媒体をスパッタリングなとの方法により連
続薄膜として基を１上に設けるようになってきた。γ−
Ｆｃ２０１連続薄膜媒体を用いた磁気ディスクの構成の
一例を第８図に示す。第８図は例えば電電公社研究実用
化報告第３１巻第９号の１７３１〜１７４４頁に報告さ
れた薄膜＠、気ディスクの断面を示す図である。図にお
いて、（＋）はディスク状のアルミニウム合金基板、（
２）はアルマイトから成る磁気記録媒体層の下地層、（
３）は磁気記録媒体層のγ−Ｆｅ２０３薄膜てある。 現在、＠、気ディスク装置では、起動および停止時に磁
気ディスクと磁気ヘッドが接触するコンタクト・スター
ト・ストップ（Ｃ３Ｓ）方式を採用しており、起動およ
び停と時には磁気ヘットと磁気ディスク表面が接触した
まま回転する。この接触摩擦状態における磁気ヘッドと
磁気ディスクの間に生じる摩擦力は、磁気ヘッドと磁気
ディスク表面を摩耗させ、ついには磁気ヘットおよび磁
気記録媒体膜に（Ｕを作ることがある。磁気記録媒体に
連続薄膜を用いた場合、わずかな１瑳てあっても記録媒
体の欠如となり、記録信号の消失につながる。このこと
は、磁気ディスク装置の外部記憶装置としての１ａ頼性
に関わる重大な問題である。 このため、磁気ディスクの表面に、磁気ヘッドと磁気記
録媒体との接触摩擦および接触破壊から磁気記録媒体を
保護するために、５１０２膜、カーボン膜、Ａｌ２Ｏ３
膜のような保護膜を設けることが考案されている（例え
ば、田子章男ら、第８回日本応用磁気学会学術講演概要
集（＋９８４）、２２２頁；木町良弘ら、昭和６１年度
電子通信学会総合全国大会予稿集（１９８６）、ｌ−１
６６頁；　刈本博保ら、日本潤滑学会第３０明春間研究
発表会予稿集（１９８６）、目１頁などに発表されてい
る。）、、また、磁気記録媒体が金属の場合、この保護
膜は金属膜の腐食を防ぐ保護も兼ねる役目がある。 一方、磁気ヘッドの低浮丘化も進められている。 低浮上量における安定したヘッドｌソ上状態を確保し、
ＦＩＬ　’Ｘヘッドと磁気ディスクの衝突（ヘッドクラ
ンシュ）を防止するためのディスク表面精度の向上、耐
ヘッドクラッシュ性の向上が検討されている。特にディ
スク表面精度の向上は著しく、従来のディスクのＲｍａ
ｘは　２０００Å以上あったのが、現在ではＲｍａｘが
１００人前後と１桁以上小さくなっている。このように
ディスクの表面精度が年々向上するので、磁気ヘッドが
磁気ディスク表面に吸４し、磁気ディスクが回転を始め
ても磁気ヘッドが浮上できず磁気ヘットなどが破損する
問題が起きてきた（例えは、Ｅ　、Ｍ、Ｒｏｓｓｉｆｔ
！！、　　ジャーナル・オブ・アプライド・フィジック
ス（Ｊ、　　Ａｐｐｌ−Ｐ　ｈｙｓ、）５５巻、６号、
２２５４ｉ）。このため、−１鏡面のように仕上げられ
た基板表面に微粉末を塗布する、再度研暦あるいはエツ
チングして微小な突起を表面に設けるといった手法が考
えられている（例えは、特開昭５９−１１７７３５．６
０−３８７２０．６０−４０５２８．６１−２９４１８
、Ｇ１−２０３２５９．６１−２６１８２０号公報参照
）。 ［発明が解決しようとする課題］ 保護膜として酸化膜を設ける例に簡便な方法として、溶
液から成膜することが知られている。ゾルゲル法などの
ように溶）夜からＳｉＯ２膜、Ａｌ２Ｏ３膜などを成膜
する場合熱処理を行うが、＠気記録媒体の特性を変質さ
せない程度の熱処理（約４００℃以下）では、十分ガラ
ス化せず、通常のセラミックに比べて硬度、強度などが
かなり劣る（柳沢雅弘、日本ａ滑学会創立３０周年記念
全国大会予稿集（１９８５）、４５頁）。例えば、金属
アルコキシドからガラスを合成する場合、金属アルコキ
シドを加水分解させたゲルをガラス化させるのに必要な
熱処理温度は６００〜１０００℃であり、溶融法による
シリカガラスと同一の性質を示すのは９００〜１０００
℃の熱処理をした場合であると言われている（作花済夫
「ガラス非晶質の科学」、内田老鶴１ｉｉ！（＋９８３
）、ｌ・１７〜１６・１頁）。このため、溶γｔｌから
作成した酸化膜ては硬度、強度共に十分ではなかった。 この点ては、スパッタリングなどによって成膜されろ酸
化膜やカーボン膜は、上記ゾルゲル膜に比べて強度的に
は優れたものができる（例えは、本町良弘ら、昭和６１
年度電子通信学会総合全国大会子稿集（１９８６）、ｌ
−１６６頁）。しかし、現在のように表面に微小な突起
を設けである基材においては、多くの学会発表例にみら
れるような　５ｉＯ２ｔｌＷ、Ａ、Ｉ２Ｏ３膜、カーボ
ン膜なとの１＾護膜ては機械的強度が不十分であるとい
う欠点があった。すなわち、微小な突起の上を磁気ヘッ
ドが接触するため、突起部に相当する保護膜部が脆いた
めに折れて削り取られてしまう。また、磁気記録媒体に
まで損１ｋが及ばなくとも、表面の微小な突起が消失す
るために磁気ヘッドが吸着して、磁気ヘットが浮上でき
なくなるという問題点が生じた。 この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので磁気ヘッドによる磁気記録媒体への損傷を防ぎ
、１呆護膜の了り離を防ｌトシて、磁気ヘッドの磁気記
録媒体に対する吸４を防止し、信頼性の高い磁気記録媒
体を得ることを目的とする。 ［５厘を解決するための手段］ この発明に係る磁気記録媒体は、磁気記録媒体層を覆い
保護する保護膜をシリコンの酸化炭化物（Ｓ　ｌ　Ｏｘ
ｃ　２−＜）で形成したものである。 ［作用］ この発明の磁気記録媒体におけろ磁気記録媒体層表面の
保護膜はシリコンの酸化炭化物（Ｓｉｎ。 Ｃ２，、、）膜からなり、その耐久性が従来の酸化物膜
やカーボン膜に比べ格段に強化され、磁気記録媒体の信
頼性が向−トする。 ［実施例］ 以下、この発明の一実施例を（４について説明する。 第１［Ｊはこの発明の一実施例の磁気ディスクを示す断
面図で、オにおいて（Ｉ）はＡ　Ｉ　−Ｍｇ合金基板、
（２）は磁気記録媒体層のＴ：地層で、この実施例では
Ｊ＆材はＡ　Ｉ−ＩＪｇ合金基板（１）とＦＩｔｈ、層
（２）から構成される。（３）は磁気記録媒体層、（ｚ
ｌ）はシリコンの酸化炭化物（以後酸化炭化ケイ素と記
す）　（Ｓ　ｌＯｔＣ２−０）膜からなる促；ｆ膜であ
る。 次にこの実施例の磁気ディスクの製造方法の一例につい
て説明する。まず、磁気記録媒体層（３）成膜までを而
単に説明する。 Ａ　Ｉ　−Ｍｇ合金基板（＋）の表面に下１轡層（２）
としてＮ１−ＰあるいはＮ１−ＣＩＪ−Ｐメツキ膜を成
膜し鏡面加工しである基材に対して、デーブ研ｍ機を用
い、ラッピングテープＷ　Ａ　＃　６０００、押し圧１
　ｋｇ、基板回転数２０Ｏｒｐｍ、テープ送り速度２０
ｍｍ／ｍｉｎの条件でテクスチャ加工を行った。これに
よりＲｍａｘ５００人程度の基材が得られる。この基材
−ヒに磁気記録媒体をスパッタリングにより成膜した。 次に、酸化炭化ケイ素の表面保護膜（４）形ｎ１方法お
よびその賛造装置の一例について図を用いて説明する。 第２［４は上記入面保護膜（１）を形成するために用い
るイオンビーム蒸着装置の概要を示す構成図である。 図において（５）はクラスターイオンビーム発生源であ
一つ１．；（気発’Ｌ源（５１）、イオン１ヒｆ段（５
２）、イオンビーム加速ＴＳ［り（５３）などをイ情え
ている。］−記；、　’ｘｔ　Ｑ生源（５１）は、ルッ
７に（５１ａ）、このルッｉＩて（５１ａ）に収容され
た酸（ヒケイ若（Ｓｉｎ）もしくはチタン（Ｔ１）等の
蒸青物’ｔｌ　（５ｌ　ｂ　）等を有している・（１；
）　！ｉガスイオンビーム発’−Ｌ　ｌｆＱであり、例
えば−酸化炭７：（Ｃｏ）、二酸化炭＋（ＣＯ２）等酸
素元素と炭素元素を含むガスなどの反応性ガスを噴Ｑ４
するガス噴り・１ノズル（６１）、この噴１］ノズル（
６１）から噴射した反応性ガスを励起、解離およびイオ
ン化するイオン化手段（６２）、このイオン化丁段（６
２）によって生成したガスイオンをディスク基板（１０
）の方向に加速ずろイオンビーム加速電極（６３）、お
よびガスイオン源（６）の内部をその周りの空間よりも
高いガス圧

【こ１呆つシールド板（６４）などを備えて
いる。また、ｈ記イオ゛ン化下段（６２）は電子ビー１
、引出し・電極（６２ａ）と電子ビーム放出フィラメン
ト（６２ｂ）を何している。 そして」二記りラスターイオンビーム発４ｔＥ源（５）
、ガスイオンビーム発生源（６）およびディスク基板（
１０）は、図示しない所定のへ突崩に保［νされた真′
や槽内に納められている。 改に１−記のように構成されたイオンビーム３査装置に
より、酸化炭化ケイλ（ＳｉＯうｃ２〜Ｘ）からなる入
面保護膜を形成する場合について説明する。 図示されていない真空排気系によって真空槽内を　１．
ＯＸ　！０−３Ｔｏｒｒ以丁の真空度になるまで排気し
た後、反応性ガスとしての一酸１ヒ炭にガスをガス噴ｑ
（ノズル（６１）より導入し、電子ビーム放出フィラメ
ン）　（６２ａ）からガス噴射ノズル（６１）の下流に
配置されている電子ビーム引出し電ｇ！（グリッド）（
６２ｂ）に電子を放出して、−酸化炭素（Ｃｏ）ガスを
［剪起、解離およびイオン化して非常に活性化された状
態とする。イオン化手段（６２）とイオンビーム加速手
段（６３）の間にバイアス電圧を印加して、イオンを引
出しざらに加速して、励起および解離しｔ２−酸化炭素
（Ｃｏ）ガスと共に、ディスク基板（ＩＱ）に照り１す
る一方、ルツボ（５１ａ）に充填された蒸着物質である
一酸化ケイ素（Ｓ　ｉｏ　）（５１ｂ）を、Ｒ気発生源
（５Ｉ）内に設けられたフィラメントにより加熱し、蒸
気およびクラスターとして噴出させる。 この蒸気およびクラスターは、イオン化手段（５２）で
一部イオン化された後、イオンビーム加速手段（５３）
によって加速され、イオン化されていない中性の蒸気お
よびクラスターとともにディスク基板（１０）（こ運は
れ、ディスク基板（１０）近傍に存在する励起、解離お
よびイオン化した一酸化炭素ガスと化学反応を起こして
、ディスク基板（１０）上に酸化炭化ケイ素（Ｓ　ｌＯ
Ａ：　Ｊ薄膜からなる１デ護膜（１１）が形成される。 次に実施例をあげて５体的に説明する。 実施例ｌ Ａｌ−Ｍｇ合金基板の表面に下地層としてＮ１−Ｃｕ−
Ｐメツキ膜を成膜した基材に磁気記録媒体層としてｒ−
Ｆｅ２０３膜を成膜した。この磁気記録媒体層りに　保
護膜としてｌ−記方法により酸化炭化ケイ″ｊｅ膜（こ
の場合はＳ　ｉ　０，２Ｃ１ｌ　Ｑ）を設けた。酸化炭
化ケイ素膜の膜厚は５００人にした。 さらにこの膜」−に、フッ素系潤滑剤（この場合はＫＲ
ＹＯＴＯ￥：１５７Ｆｓ／Ｍ　　ＤｕＰｏｎｔ社製商品
名）を濃度１ｗｔ％、回転数２００ｒｐｍで回転塗布し
て潤滑膜を形成、磁気ディスクを形成した。 実施例２ ＡＩ−Ｍｇ合金基板の表面に下１ｔ！！層としてＮ＋Ｃ
ｕ−Ｐメツキ膜を成膜した基材に磁気記録媒体層として
Ｃｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｃｒ膜を成膜した。この磁気記録媒
体層上に保護膜として上記方法により酸化炭化ケイ素膜
（この場合はＳ　ｉ　Ｏｌ、２Ｃ１１ｇ）を設けた。酸
化炭化ケイ素膜の膜厚は５００人にした。 この膜上に、アミノシラン（シランカップリング剤：　
　ＮＨ２ＣＩｈＣＨ２ＮＨＣｒＨ６０Ｓｉ（ＯＣｔｈｈ
）の０．１ｗｔ、％溶７αを回転数２０Ｏｒｐｍで回転
塗布し、さらに、フッ素系潤滑剤ＫＲＹＴＯＸ　１５７
ＦＳ／Ｍを実施例１と同様の条件で塗布して潤滑膜を形
成、磁気ディスクを形成した。 比較例 Ａｌ−Ｍｇ合金基板の表面に下地層としてＮ１−Ｃｕ−
Ｐメツキ膜を成膜した基材に磁気記録媒体層としてγ−
Ｆｅ２Ｏ３膜を成膜した。この磁気記録媒体層上に　保
護膜としてＳ　ｉ　Ｏ２膜をスバンタにより成膜した。 スパッタ条（牛はＲＦパワー３００Ｗ／８イノｆ５　　
アルゴン圧力’；３　ｍＴｏｒｒ−ＣＳる。Ｓ　＋　０
２の膜厚は５００人にした。この膜−トここ）７茗系潤
滑剤’Ｉ）　ＫＲＹＯＴＯＸ１５７ＦＳ／Ｍを実！ｉ’
ｅｉ例１と同様の条件で塗イ６して潤滑膜を形成、磁気
ディスクを形成した。 これらの比較例を含めた磁気ディスクの期間特性を以下
ζこ示ず。 実施例１の磁気ディスクの表面■さを触針式表面粗さ計
で測定した結果を第３図の特性図ミこ示した。実施例２
、比較例１とも同様の特性を示したので、それらの特性
図は省略する。［４において縦軸はディスクの表面用さ
を、横軸は１（さを表わしている。ディスクの表面には
微小な凹凸が認められた。 実ｈ２例１．２の磁気ディスクと比較例の磁気ディスク
の表面に、３３７０杉フエライトヘツドを接触ざ住静摩
樫係数を測定した。実施例１の磁気ディスクではＯ、ｔ
９−　　実施例２の＠気ディスクでは０．２０、比較例
の磁気ディスクでは０．２０てあった。すべて良好な特
性を示した。 ここで、磁気ディスクのｆｆ１Ｊ久試験であるｃｓｓス
験を行った。３３７０形のヘットで、スライダ材料がサ
ファイアであるヘットを使用した。第４図はＣＳ　Ｓ試
験を行った結果を示す特性図で、縦軸は２刀１ｊ）ｌ再
生出力を１とした規格化再生出力を、横軸はＣ９Ｓ回ｆ
ｉ（Ｘ　１０”）を表わしている。図中○印を結ぶ線は
この発明の実施例１．２のディスクの特性曲線、Ｘ印を
拮ふ線は比較例のディスクの特性曲線を示している。 この発明の実施例１．２のディスクの場合には、ＣＳ　
Ｓ　２００００回においても再生出力のｆｌ（下は認め
られなかった。これに対し、比較例では当初１１ｆ生出
力の低下は認められないものの、ＣＳ　Ｓ　８０００回
前後から次第に再生出方が低下し始め、　２００００回
では紐間の５０％になった。 ｃ　ｓ　ｓ　５ｏｏｏ回を行った磁気ディスクの表面粗
さを一針弐表面粗さ計で測定した。’Ｘ５図はＣ５Ｓ５
０００回後の実施例Ｉの磁気ディスクの表面ｍざの１「
す定結果を示す特性図、第６１＞１は同実施例２の磁気
ディスクの表面粗さの測定結果を示す特性図、第７図は
同比較例の磁気ディスクの表面粗さの測定結果を示す特
性図である。図中の（１１）は磁気ヘッドがコンタクト
・スタート・ストップにより磁気ディスクに接触した領
域を表す。周辺の粗さとの比較から実施例１．２の磁気
ディスクでは初期の表面粗さを１呆っていることが分か
る。これに対して、比較例の磁気ディスクでは微小突起
部に相当するＪ分が削り取られていることが分かる。 また、このＣＳ　５５０００回を行った磁気ディスク表
面にヘットを接触させＤｏ”Ｃ１８５％の状態で８時間
放置し、静摩擦係数を測定した。実施例１の磁気ディス
クでは０．２２、実施例２の磁気ディスクでは０．２４
、比較例１の磁気ディスクでは０．９を越えており吸着
現象が認められた。 １”　Ｔ　−［Ｒによりｉ！！ＩＩ定したＣ　Ｓ　Ｓ面
後における実施例１．２の潤滑剤膜厚を比較ｉ）たとこ
ろ、潤滑剤の残：ｒ７率が実施例１が９２％、実施例２
が１００％であった。シランカップリング剤があった方
が潤滑剤の保持に効果があると考えられる。シランカッ
プリング剤があった方が潤滑剤の残存率が良好になる効
果がある。ただし、ない場合においても上記のようにＣ
８Ｓ試験に対して悪影響は認められなかった。 」−２のようにして得られたこの発明の実施例による磁
気記録媒体は、加速制譚されたイオンを含ｔ″薄膜形成
法によるため酸化炭化ケイ素の表面保護膜の付着強度が
従来のスパッタリングによる成膜に比べて大きいと考え
られる。また、炭素ｙｒ、ＷＫか含まれるため耐摩耗性
が大きいはかりでなく、酸素（Ｘ）と炭素（２−ｘ）の
組成比を変えることで硬度が自由に変えることかでさる
という利点も備わっているので、磁気ヘットの硬度に応
じた表面保護膜を設けることができ耐ヘッドクラッシュ
性にも優れろ。さらζこ低温プロセスで容易に形成でき
るため、安ｆａに製造でき、品質も安定している。 ｌｖ２苓（ｘ　）と炭素（２−ｘ）の組成比は、例えは
クラスタイオンビーム法の場合、ガス圧、流量等を調節
ずろことにより変えられる。 なお酸化炭化ケイ素（Ｓ　ｉｏアＣ２−＝）の膜厚は１
００Å以下では均一な膜にはなっておらず、１０００Å
以上でとｉ磁気ヘッドと磁気ディスクの磁気記録媒体層
までの距離が広がりＦｉＧ生出力出力丁するという悪影
響が出てくる。このため、酸化炭化ケイ付膜の膜厚は１
００〜１０００人が適している。成膜のしやすさ、均一
性、ＩＩ￥生出力出力は３００〜８００人が￥ましい。 また、基材の表面■ざはＲｍａｘ１００Å以下では吸容
が必ず発生し、１０００人以上では突起が浮り中の磁気
ヘットに衝突するなと磁気ヘッドの浮上特性に３影響を
４えるため好ましくない。静摩擦力を再現性よく小さく
安定させるためには、Ｒｍａｘ４００〜８００人が望ま
しい。 なお、上記実施例ではＳ】００凌発、５ｇ、とじてクラ
スクーイオンビーム蒸着装置を用いたが、これは真空蒸
着装置、イオンブレーティング′装置、スパッタリング
装置等を用いてもよいし、よたガスイオンビーム装置は
用いず、Ｌ２蒸４装置を一酸化炭玄（ＣＯ）雰囲気て屯
独に用いてもよい。 またＣＶＤ装置にシラン（ＳｉＨａ）、−酸化炭１（Ｃ
ｏ）、酸素ガス等を導入して酸化炭化ケイ糞（Ｓ　＋　
Ｏｘ　Ｃ２−１）を形成してもよい。 Ｌ記実施例では磁気記録媒体層がγ−Ｆｅ・○。 の場合について説明したが、池のＣｒＯ２のような金属
酸化物媒体であってもよく、旧記実もｓ例と同様の効果
を奏する。また、磁気記録媒体層がＣ。 Ｎｉ−Ｃｒの場合について説明したが、他のＣ。 −Ｎｉ、　　ｃｏ−Ｃｒ、　　Ｆ　ｅなとの合金媒体、
金属媒体であってもよくＬ記実施例と同様の効果を奏す
る。 さらに、−上記実施例では下地層がＮ１−Ｐメツキ膜、
Ｎ１−Ｃｕ−Ｐメツキ膜の場合について説明したが、他
のアルマイト膜なとてあってもよく、上記実施例と同様
の効果を奏する。ざらに、この磁気記録媒体下地層を設
けず、上記と同様の製法によって酸化炭化ケイ素膜（Ｓ
　Ｉ　ＯＸＣ２−２）の１呆護膜を形成してもよく、上
記実施例と同様の効果を秦する。 さらにまた、上記実施例ではフッ素系潤滑剤としてにＲ
ＹＴＯＸ１５７ＦＳ／Ｍを用いた場合について説明した
が・　例えばＦｏｍｂｌ　ｉｎ、デ１、ナムなとのｆ也
の、閃滑剤てあってもよく、上記実施例と同様の効果を
奏する。 」−２実施例ではシランカップリング剤としてアミノシ
ランを用いた場合について説明したが、例えはエポキシ
基やヒドロキシ基などをもつ他のシランカップリング剤
であってもよく一上記実施例と同様の効果を奏する。 ［発明の効果］ 以１のように、この発明によれは磁気記録媒体層を覆い
保護する１７護膜をシリコンの酸化炭化物で形成するこ
とにより、磁気記録媒体と磁気ヘッド閏の摩損力、吸着
力が小さく、優れた耐久性を有する信頼性の高い磁気記
録媒体が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例のｆ１１気ディスクを示す
断面図、第２図はこの発明に係わる製造装置の一例を示
す構成図、第３図は実施例１の磁気ディスクの表面ｍさ
計ζこよる表面■さ測定の結果を示す特性図、第４図は
この発明の実施例の磁気ディスクのＣ５Ｓ回数と再生出
力の関係を比較例とともに示す特性図、第５図、第６閏
、第７図はＣ５５５０００回後の、この発明の実施例の
磁気ディスクと比較例の磁気ディスクの表面粗さ計によ
る表面粗さ測定の結果を示す特性図、第８図は従来の磁
気ディスクを示す断面［？Ｉである。 （１）・・・Ａｌ−Ｍｇ合金基板、（２）・・・磁気記
録媒体層の下地層、基材はＡｌ−Ｍｇ合金基板（１）と
ド地層（２）て構成されろ。（３）・・・磁気記録媒体
層、（４）・・・シリコンの酸化炭化物からなる１ｒｉ
、；ｆ牧である。 なお、図中、同一符号は同一または和尚部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基材、この基材に形成された磁気記録媒体層、この磁
   気記録媒体層を覆うシリコンの酸化炭化物（ＳｉＯ＿ｘ
   Ｃ＿２＿−＿ｘ）からなる保護膜、この保護膜を覆う潤
   滑膜を備えた磁気記録媒体。