JPH02118916A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH02118916A JPH02118916A JP27133188A JP27133188A JPH02118916A JP H02118916 A JPH02118916 A JP H02118916A JP 27133188 A JP27133188 A JP 27133188A JP 27133188 A JP27133188 A JP 27133188A JP H02118916 A JPH02118916 A JP H02118916A
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[産業上の利用分野]
この発明は、例えは磁気ディスク装置に使用される磁気
ディスク等の磁気記録媒体に関するものである。 [従来の技術] 近年、コンピュータシステムにおけろ磁気ディスク装置
なとの外部記憶装置の重要性が増大し、高記録密度に対
する要求がまずまず高まっている。 磁気ディスク装置は記録再生ヘットおよび磁気ディスク
の主構成部から構成され、磁気ディスクは高速で回転し
記録再生ヘッドすなわち、磁気ヘットは磁気ディスクよ
り微小間隔浮上している。磁気ディスクの高記録密度化
、高性能化を図るためには、 磁気記録媒体の、1層化
、 均−一様化、 磁気特性の改良(1足磁力、角形比
の向上)、磁気ヘットの低l・/上止なとが挙げられる
。 これまで磁気ディスクは塗布形といい、バインダーなど
の高分子材料とγ−Fe203磁気記録媒体粒子を混合
して塗布して製作していた。この方法では、磁気記録媒
体の薄層化、均−一様化に限Wがある。このため農近で
は、磁気記録媒体をスパッタリングなとの方法により連
続薄膜として基を1上に設けるようになってきた。γ−
Fc201連続薄膜媒体を用いた磁気ディスクの構成の
一例を第8図に示す。第8図は例えば電電公社研究実用
化報告第31巻第9号の1731〜1744頁に報告さ
れた薄膜@、気ディスクの断面を示す図である。図にお
いて、(+)はディスク状のアルミニウム合金基板、(
2)はアルマイトから成る磁気記録媒体層の下地層、(
3)は磁気記録媒体層のγ−Fe203薄膜てある。 現在、@、気ディスク装置では、起動および停止時に磁
気ディスクと磁気ヘッドが接触するコンタクト・スター
ト・ストップ(C3S)方式を採用しており、起動およ
び停と時には磁気ヘットと磁気ディスク表面が接触した
まま回転する。この接触摩擦状態における磁気ヘッドと
磁気ディスクの間に生じる摩擦力は、磁気ヘッドと磁気
ディスク表面を摩耗させ、ついには磁気ヘットおよび磁
気記録媒体膜に(Uを作ることがある。磁気記録媒体に
連続薄膜を用いた場合、わずかな1瑳てあっても記録媒
体の欠如となり、記録信号の消失につながる。このこと
は、磁気ディスク装置の外部記憶装置としての1a頼性
に関わる重大な問題である。 このため、磁気ディスクの表面に、磁気ヘッドと磁気記
録媒体との接触摩擦および接触破壊から磁気記録媒体を
保護するために、5102膜、カーボン膜、Al2O3
膜のような保護膜を設けることが考案されている(例え
ば、田子章男ら、第8回日本応用磁気学会学術講演概要
集(+984)、222頁;木町良弘ら、昭和61年度
電子通信学会総合全国大会予稿集(1986)、l−1
66頁; 刈本博保ら、日本潤滑学会第30明春間研究
発表会予稿集(1986)、目1頁などに発表されてい
る。)、、また、磁気記録媒体が金属の場合、この保護
膜は金属膜の腐食を防ぐ保護も兼ねる役目がある。 一方、磁気ヘッドの低浮丘化も進められている。 低浮上量における安定したヘッドlソ上状態を確保し、
FIL ’Xヘッドと磁気ディスクの衝突(ヘッドクラ
ンシュ)を防止するためのディスク表面精度の向上、耐
ヘッドクラッシュ性の向上が検討されている。特にディ
スク表面精度の向上は著しく、従来のディスクのRma
xは 2000Å以上あったのが、現在ではRmaxが
100人前後と1桁以上小さくなっている。このように
ディスクの表面精度が年々向上するので、磁気ヘッドが
磁気ディスク表面に吸4し、磁気ディスクが回転を始め
ても磁気ヘッドが浮上できず磁気ヘットなどが破損する
問題が起きてきた(例えは、E 、M、Rossift
!!、 ジャーナル・オブ・アプライド・フィジック
ス(J、 Appl−P hys、)55巻、6号、
2254i)。このため、−1鏡面のように仕上げられ
た基板表面に微粉末を塗布する、再度研暦あるいはエツ
チングして微小な突起を表面に設けるといった手法が考
えられている(例えは、特開昭59−117735.6
0−38720.60−40528.61−29418
、G1−203259.61−261820号公報参照
)。 [発明が解決しようとする課題] 保護膜として酸化膜を設ける例に簡便な方法として、溶
液から成膜することが知られている。ゾルゲル法などの
ように溶)夜からSiO2膜、Al2O3膜などを成膜
する場合熱処理を行うが、@気記録媒体の特性を変質さ
せない程度の熱処理(約400℃以下)では、十分ガラ
ス化せず、通常のセラミックに比べて硬度、強度などが
かなり劣る(柳沢雅弘、日本a滑学会創立30周年記念
全国大会予稿集(1985)、45頁)。例えば、金属
アルコキシドからガラスを合成する場合、金属アルコキ
シドを加水分解させたゲルをガラス化させるのに必要な
熱処理温度は600〜1000℃であり、溶融法による
シリカガラスと同一の性質を示すのは900〜1000
℃の熱処理をした場合であると言われている(作花済夫
「ガラス非晶質の科学」、内田老鶴1ii!(+983
)、l・17〜16・1頁)。このため、溶γtlから
作成した酸化膜ては硬度、強度共に十分ではなかった。 この点ては、スパッタリングなどによって成膜されろ酸
化膜やカーボン膜は、上記ゾルゲル膜に比べて強度的に
は優れたものができる(例えは、本町良弘ら、昭和61
年度電子通信学会総合全国大会子稿集(1986)、l
−166頁)。しかし、現在のように表面に微小な突起
を設けである基材においては、多くの学会発表例にみら
れるような 5iO2tlW、A、I2O3膜、カーボ
ン膜なとの1^護膜ては機械的強度が不十分であるとい
う欠点があった。すなわち、微小な突起の上を磁気ヘッ
ドが接触するため、突起部に相当する保護膜部が脆いた
めに折れて削り取られてしまう。また、磁気記録媒体に
まで損1kが及ばなくとも、表面の微小な突起が消失す
るために磁気ヘッドが吸着して、磁気ヘットが浮上でき
なくなるという問題点が生じた。 この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので磁気ヘッドによる磁気記録媒体への損傷を防ぎ
、1呆護膜の了り離を防lトシて、磁気ヘッドの磁気記
録媒体に対する吸4を防止し、信頼性の高い磁気記録媒
体を得ることを目的とする。 [5厘を解決するための手段] この発明に係る磁気記録媒体は、磁気記録媒体層を覆い
保護する保護膜をシリコンの酸化炭化物(S l Ox
c 2−<)で形成したものである。 [作用] この発明の磁気記録媒体におけろ磁気記録媒体層表面の
保護膜はシリコンの酸化炭化物(Sin。 C2,、、)膜からなり、その耐久性が従来の酸化物膜
やカーボン膜に比べ格段に強化され、磁気記録媒体の信
頼性が向−トする。 [実施例] 以下、この発明の一実施例を(4について説明する。 第1[Jはこの発明の一実施例の磁気ディスクを示す断
面図で、オにおいて(I)はA I −Mg合金基板、
(2)は磁気記録媒体層のT:地層で、この実施例では
J&材はA I−IJg合金基板(1)とFIth、層
(2)から構成される。(3)は磁気記録媒体層、(z
l)はシリコンの酸化炭化物(以後酸化炭化ケイ素と記
す) (S lOtC2−0)膜からなる促;f膜であ
る。 次にこの実施例の磁気ディスクの製造方法の一例につい
て説明する。まず、磁気記録媒体層(3)成膜までを而
単に説明する。 A I −Mg合金基板(+)の表面に下1轡層(2)
としてN1−PあるいはN1−CIJ−Pメツキ膜を成
膜し鏡面加工しである基材に対して、デーブ研m機を用
い、ラッピングテープW A # 6000、押し圧1
kg、基板回転数20Orpm、テープ送り速度20
mm/minの条件でテクスチャ加工を行った。これに
よりRmax500人程度の基材が得られる。この基材
−ヒに磁気記録媒体をスパッタリングにより成膜した。 次に、酸化炭化ケイ素の表面保護膜(4)形n1方法お
よびその賛造装置の一例について図を用いて説明する。 第2[4は上記入面保護膜(1)を形成するために用い
るイオンビーム蒸着装置の概要を示す構成図である。 図において(5)はクラスターイオンビーム発生源であ
一つ1.;(気発’L源(51)、イオン1ヒf段(5
2)、イオンビーム加速TS[り(53)などをイ情え
ている。]−記;、 ’xt Q生源(51)は、ルッ
7に(51a)、このルッiIて(51a)に収容され
た酸(ヒケイ若(Sin)もしくはチタン(T1)等の
蒸青物’tl (5l b )等を有している・(1;
) !iガスイオンビーム発’−L lfQであり、例
えば−酸化炭7:(Co)、二酸化炭+(CO2)等酸
素元素と炭素元素を含むガスなどの反応性ガスを噴Q4
するガス噴り・1ノズル(61)、この噴1]ノズル(
61)から噴射した反応性ガスを励起、解離およびイオ
ン化するイオン化手段(62)、このイオン化丁段(6
2)によって生成したガスイオンをディスク基板(10
)の方向に加速ずろイオンビーム加速電極(63)、お
よびガスイオン源(6)の内部をその周りの空間よりも
高いガス圧
ディスク等の磁気記録媒体に関するものである。 [従来の技術] 近年、コンピュータシステムにおけろ磁気ディスク装置
なとの外部記憶装置の重要性が増大し、高記録密度に対
する要求がまずまず高まっている。 磁気ディスク装置は記録再生ヘットおよび磁気ディスク
の主構成部から構成され、磁気ディスクは高速で回転し
記録再生ヘッドすなわち、磁気ヘットは磁気ディスクよ
り微小間隔浮上している。磁気ディスクの高記録密度化
、高性能化を図るためには、 磁気記録媒体の、1層化
、 均−一様化、 磁気特性の改良(1足磁力、角形比
の向上)、磁気ヘットの低l・/上止なとが挙げられる
。 これまで磁気ディスクは塗布形といい、バインダーなど
の高分子材料とγ−Fe203磁気記録媒体粒子を混合
して塗布して製作していた。この方法では、磁気記録媒
体の薄層化、均−一様化に限Wがある。このため農近で
は、磁気記録媒体をスパッタリングなとの方法により連
続薄膜として基を1上に設けるようになってきた。γ−
Fc201連続薄膜媒体を用いた磁気ディスクの構成の
一例を第8図に示す。第8図は例えば電電公社研究実用
化報告第31巻第9号の1731〜1744頁に報告さ
れた薄膜@、気ディスクの断面を示す図である。図にお
いて、(+)はディスク状のアルミニウム合金基板、(
2)はアルマイトから成る磁気記録媒体層の下地層、(
3)は磁気記録媒体層のγ−Fe203薄膜てある。 現在、@、気ディスク装置では、起動および停止時に磁
気ディスクと磁気ヘッドが接触するコンタクト・スター
ト・ストップ(C3S)方式を採用しており、起動およ
び停と時には磁気ヘットと磁気ディスク表面が接触した
まま回転する。この接触摩擦状態における磁気ヘッドと
磁気ディスクの間に生じる摩擦力は、磁気ヘッドと磁気
ディスク表面を摩耗させ、ついには磁気ヘットおよび磁
気記録媒体膜に(Uを作ることがある。磁気記録媒体に
連続薄膜を用いた場合、わずかな1瑳てあっても記録媒
体の欠如となり、記録信号の消失につながる。このこと
は、磁気ディスク装置の外部記憶装置としての1a頼性
に関わる重大な問題である。 このため、磁気ディスクの表面に、磁気ヘッドと磁気記
録媒体との接触摩擦および接触破壊から磁気記録媒体を
保護するために、5102膜、カーボン膜、Al2O3
膜のような保護膜を設けることが考案されている(例え
ば、田子章男ら、第8回日本応用磁気学会学術講演概要
集(+984)、222頁;木町良弘ら、昭和61年度
電子通信学会総合全国大会予稿集(1986)、l−1
66頁; 刈本博保ら、日本潤滑学会第30明春間研究
発表会予稿集(1986)、目1頁などに発表されてい
る。)、、また、磁気記録媒体が金属の場合、この保護
膜は金属膜の腐食を防ぐ保護も兼ねる役目がある。 一方、磁気ヘッドの低浮丘化も進められている。 低浮上量における安定したヘッドlソ上状態を確保し、
FIL ’Xヘッドと磁気ディスクの衝突(ヘッドクラ
ンシュ)を防止するためのディスク表面精度の向上、耐
ヘッドクラッシュ性の向上が検討されている。特にディ
スク表面精度の向上は著しく、従来のディスクのRma
xは 2000Å以上あったのが、現在ではRmaxが
100人前後と1桁以上小さくなっている。このように
ディスクの表面精度が年々向上するので、磁気ヘッドが
磁気ディスク表面に吸4し、磁気ディスクが回転を始め
ても磁気ヘッドが浮上できず磁気ヘットなどが破損する
問題が起きてきた(例えは、E 、M、Rossift
!!、 ジャーナル・オブ・アプライド・フィジック
ス(J、 Appl−P hys、)55巻、6号、
2254i)。このため、−1鏡面のように仕上げられ
た基板表面に微粉末を塗布する、再度研暦あるいはエツ
チングして微小な突起を表面に設けるといった手法が考
えられている(例えは、特開昭59−117735.6
0−38720.60−40528.61−29418
、G1−203259.61−261820号公報参照
)。 [発明が解決しようとする課題] 保護膜として酸化膜を設ける例に簡便な方法として、溶
液から成膜することが知られている。ゾルゲル法などの
ように溶)夜からSiO2膜、Al2O3膜などを成膜
する場合熱処理を行うが、@気記録媒体の特性を変質さ
せない程度の熱処理(約400℃以下)では、十分ガラ
ス化せず、通常のセラミックに比べて硬度、強度などが
かなり劣る(柳沢雅弘、日本a滑学会創立30周年記念
全国大会予稿集(1985)、45頁)。例えば、金属
アルコキシドからガラスを合成する場合、金属アルコキ
シドを加水分解させたゲルをガラス化させるのに必要な
熱処理温度は600〜1000℃であり、溶融法による
シリカガラスと同一の性質を示すのは900〜1000
℃の熱処理をした場合であると言われている(作花済夫
「ガラス非晶質の科学」、内田老鶴1ii!(+983
)、l・17〜16・1頁)。このため、溶γtlから
作成した酸化膜ては硬度、強度共に十分ではなかった。 この点ては、スパッタリングなどによって成膜されろ酸
化膜やカーボン膜は、上記ゾルゲル膜に比べて強度的に
は優れたものができる(例えは、本町良弘ら、昭和61
年度電子通信学会総合全国大会子稿集(1986)、l
−166頁)。しかし、現在のように表面に微小な突起
を設けである基材においては、多くの学会発表例にみら
れるような 5iO2tlW、A、I2O3膜、カーボ
ン膜なとの1^護膜ては機械的強度が不十分であるとい
う欠点があった。すなわち、微小な突起の上を磁気ヘッ
ドが接触するため、突起部に相当する保護膜部が脆いた
めに折れて削り取られてしまう。また、磁気記録媒体に
まで損1kが及ばなくとも、表面の微小な突起が消失す
るために磁気ヘッドが吸着して、磁気ヘットが浮上でき
なくなるという問題点が生じた。 この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので磁気ヘッドによる磁気記録媒体への損傷を防ぎ
、1呆護膜の了り離を防lトシて、磁気ヘッドの磁気記
録媒体に対する吸4を防止し、信頼性の高い磁気記録媒
体を得ることを目的とする。 [5厘を解決するための手段] この発明に係る磁気記録媒体は、磁気記録媒体層を覆い
保護する保護膜をシリコンの酸化炭化物(S l Ox
c 2−<)で形成したものである。 [作用] この発明の磁気記録媒体におけろ磁気記録媒体層表面の
保護膜はシリコンの酸化炭化物(Sin。 C2,、、)膜からなり、その耐久性が従来の酸化物膜
やカーボン膜に比べ格段に強化され、磁気記録媒体の信
頼性が向−トする。 [実施例] 以下、この発明の一実施例を(4について説明する。 第1[Jはこの発明の一実施例の磁気ディスクを示す断
面図で、オにおいて(I)はA I −Mg合金基板、
(2)は磁気記録媒体層のT:地層で、この実施例では
J&材はA I−IJg合金基板(1)とFIth、層
(2)から構成される。(3)は磁気記録媒体層、(z
l)はシリコンの酸化炭化物(以後酸化炭化ケイ素と記
す) (S lOtC2−0)膜からなる促;f膜であ
る。 次にこの実施例の磁気ディスクの製造方法の一例につい
て説明する。まず、磁気記録媒体層(3)成膜までを而
単に説明する。 A I −Mg合金基板(+)の表面に下1轡層(2)
としてN1−PあるいはN1−CIJ−Pメツキ膜を成
膜し鏡面加工しである基材に対して、デーブ研m機を用
い、ラッピングテープW A # 6000、押し圧1
kg、基板回転数20Orpm、テープ送り速度20
mm/minの条件でテクスチャ加工を行った。これに
よりRmax500人程度の基材が得られる。この基材
−ヒに磁気記録媒体をスパッタリングにより成膜した。 次に、酸化炭化ケイ素の表面保護膜(4)形n1方法お
よびその賛造装置の一例について図を用いて説明する。 第2[4は上記入面保護膜(1)を形成するために用い
るイオンビーム蒸着装置の概要を示す構成図である。 図において(5)はクラスターイオンビーム発生源であ
一つ1.;(気発’L源(51)、イオン1ヒf段(5
2)、イオンビーム加速TS[り(53)などをイ情え
ている。]−記;、 ’xt Q生源(51)は、ルッ
7に(51a)、このルッiIて(51a)に収容され
た酸(ヒケイ若(Sin)もしくはチタン(T1)等の
蒸青物’tl (5l b )等を有している・(1;
) !iガスイオンビーム発’−L lfQであり、例
えば−酸化炭7:(Co)、二酸化炭+(CO2)等酸
素元素と炭素元素を含むガスなどの反応性ガスを噴Q4
するガス噴り・1ノズル(61)、この噴1]ノズル(
61)から噴射した反応性ガスを励起、解離およびイオ
ン化するイオン化手段(62)、このイオン化丁段(6
2)によって生成したガスイオンをディスク基板(10
)の方向に加速ずろイオンビーム加速電極(63)、お
よびガスイオン源(6)の内部をその周りの空間よりも
高いガス圧
【こ1呆つシールド板(64)などを備えて
いる。また、h記イオ゛ン化下段(62)は電子ビー1
、引出し・電極(62a)と電子ビーム放出フィラメン
ト(62b)を何している。 そして」二記りラスターイオンビーム発4tE源(5)
、ガスイオンビーム発生源(6)およびディスク基板(
10)は、図示しない所定のへ突崩に保[νされた真′
や槽内に納められている。 改に1−記のように構成されたイオンビーム3査装置に
より、酸化炭化ケイλ(SiOうc2〜X)からなる入
面保護膜を形成する場合について説明する。 図示されていない真空排気系によって真空槽内を 1.
OX !0−3Torr以丁の真空度になるまで排気し
た後、反応性ガスとしての一酸1ヒ炭にガスをガス噴q
(ノズル(61)より導入し、電子ビーム放出フィラメ
ン) (62a)からガス噴射ノズル(61)の下流に
配置されている電子ビーム引出し電g!(グリッド)(
62b)に電子を放出して、−酸化炭素(Co)ガスを
[剪起、解離およびイオン化して非常に活性化された状
態とする。イオン化手段(62)とイオンビーム加速手
段(63)の間にバイアス電圧を印加して、イオンを引
出しざらに加速して、励起および解離しt2−酸化炭素
(Co)ガスと共に、ディスク基板(IQ)に照り1す
る一方、ルツボ(51a)に充填された蒸着物質である
一酸化ケイ素(S io )(51b)を、R気発生源
(5I)内に設けられたフィラメントにより加熱し、蒸
気およびクラスターとして噴出させる。 この蒸気およびクラスターは、イオン化手段(52)で
一部イオン化された後、イオンビーム加速手段(53)
によって加速され、イオン化されていない中性の蒸気お
よびクラスターとともにディスク基板(10)(こ運は
れ、ディスク基板(10)近傍に存在する励起、解離お
よびイオン化した一酸化炭素ガスと化学反応を起こして
、ディスク基板(10)上に酸化炭化ケイ素(S lO
A: J薄膜からなる1デ護膜(11)が形成される。 次に実施例をあげて5体的に説明する。 実施例l Al−Mg合金基板の表面に下地層としてN1−Cu−
Pメツキ膜を成膜した基材に磁気記録媒体層としてr−
Fe203膜を成膜した。この磁気記録媒体層りに 保
護膜としてl−記方法により酸化炭化ケイ″je膜(こ
の場合はS i 0,2C1l Q)を設けた。酸化炭
化ケイ素膜の膜厚は500人にした。 さらにこの膜」−に、フッ素系潤滑剤(この場合はKR
YOTO¥:157Fs/M DuPont社製商品
名)を濃度1wt%、回転数200rpmで回転塗布し
て潤滑膜を形成、磁気ディスクを形成した。 実施例2 AI−Mg合金基板の表面に下1t!!層としてN+C
u−Pメツキ膜を成膜した基材に磁気記録媒体層として
Co −N i −Cr膜を成膜した。この磁気記録媒
体層上に保護膜として上記方法により酸化炭化ケイ素膜
(この場合はS i Ol、2C11g)を設けた。酸
化炭化ケイ素膜の膜厚は500人にした。 この膜上に、アミノシラン(シランカップリング剤:
NH2CIhCH2NHCrH60Si(OCthh
)の0.1wt、%溶7αを回転数20Orpmで回転
塗布し、さらに、フッ素系潤滑剤KRYTOX 157
FS/Mを実施例1と同様の条件で塗布して潤滑膜を形
成、磁気ディスクを形成した。 比較例 Al−Mg合金基板の表面に下地層としてN1−Cu−
Pメツキ膜を成膜した基材に磁気記録媒体層としてγ−
Fe2O3膜を成膜した。この磁気記録媒体層上に 保
護膜としてS i O2膜をスバンタにより成膜した。 スパッタ条(牛はRFパワー300W/8イノf5
アルゴン圧力’;3 mTorr−CSる。S + 0
2の膜厚は500人にした。この膜−トここ)7茗系潤
滑剤’I) KRYOTOX157FS/Mを実!i’
ei例1と同様の条件で塗イ6して潤滑膜を形成、磁気
ディスクを形成した。 これらの比較例を含めた磁気ディスクの期間特性を以下
ζこ示ず。 実施例1の磁気ディスクの表面■さを触針式表面粗さ計
で測定した結果を第3図の特性図ミこ示した。実施例2
、比較例1とも同様の特性を示したので、それらの特性
図は省略する。[4において縦軸はディスクの表面用さ
を、横軸は1(さを表わしている。ディスクの表面には
微小な凹凸が認められた。 実h2例1.2の磁気ディスクと比較例の磁気ディスク
の表面に、3370杉フエライトヘツドを接触ざ住静摩
樫係数を測定した。実施例1の磁気ディスクではO、t
9− 実施例2の@気ディスクでは0.20、比較例
の磁気ディスクでは0.20てあった。すべて良好な特
性を示した。 ここで、磁気ディスクのff1J久試験であるcssス
験を行った。3370形のヘットで、スライダ材料がサ
ファイアであるヘットを使用した。第4図はCS S試
験を行った結果を示す特性図で、縦軸は2刀1j)l再
生出力を1とした規格化再生出力を、横軸はC9S回f
i(X 10”)を表わしている。図中○印を結ぶ線は
この発明の実施例1.2のディスクの特性曲線、X印を
拮ふ線は比較例のディスクの特性曲線を示している。 この発明の実施例1.2のディスクの場合には、CS
S 20000回においても再生出力のfl(下は認め
られなかった。これに対し、比較例では当初11f生出
力の低下は認められないものの、CS S 8000回
前後から次第に再生出方が低下し始め、 20000回
では紐間の50%になった。 c s s 5ooo回を行った磁気ディスクの表面粗
さを一針弐表面粗さ計で測定した。’X5図はC5S5
000回後の実施例Iの磁気ディスクの表面mざの1「
す定結果を示す特性図、第61>1は同実施例2の磁気
ディスクの表面粗さの測定結果を示す特性図、第7図は
同比較例の磁気ディスクの表面粗さの測定結果を示す特
性図である。図中の(11)は磁気ヘッドがコンタクト
・スタート・ストップにより磁気ディスクに接触した領
域を表す。周辺の粗さとの比較から実施例1.2の磁気
ディスクでは初期の表面粗さを1呆っていることが分か
る。これに対して、比較例の磁気ディスクでは微小突起
部に相当するJ分が削り取られていることが分かる。 また、このCS 55000回を行った磁気ディスク表
面にヘットを接触させDo”C185%の状態で8時間
放置し、静摩擦係数を測定した。実施例1の磁気ディス
クでは0.22、実施例2の磁気ディスクでは0.24
、比較例1の磁気ディスクでは0.9を越えており吸着
現象が認められた。 1” T −[Rによりi!!II定したC S S面
後における実施例1.2の潤滑剤膜厚を比較i)たとこ
ろ、潤滑剤の残:r7率が実施例1が92%、実施例2
が100%であった。シランカップリング剤があった方
が潤滑剤の保持に効果があると考えられる。シランカッ
プリング剤があった方が潤滑剤の残存率が良好になる効
果がある。ただし、ない場合においても上記のようにC
8S試験に対して悪影響は認められなかった。 」−2のようにして得られたこの発明の実施例による磁
気記録媒体は、加速制譚されたイオンを含t″薄膜形成
法によるため酸化炭化ケイ素の表面保護膜の付着強度が
従来のスパッタリングによる成膜に比べて大きいと考え
られる。また、炭素yr、WKか含まれるため耐摩耗性
が大きいはかりでなく、酸素(X)と炭素(2−x)の
組成比を変えることで硬度が自由に変えることかでさる
という利点も備わっているので、磁気ヘットの硬度に応
じた表面保護膜を設けることができ耐ヘッドクラッシュ
性にも優れろ。さらζこ低温プロセスで容易に形成でき
るため、安faに製造でき、品質も安定している。 lv2苓(x )と炭素(2−x)の組成比は、例えは
クラスタイオンビーム法の場合、ガス圧、流量等を調節
ずろことにより変えられる。 なお酸化炭化ケイ素(S ioアC2−=)の膜厚は1
00Å以下では均一な膜にはなっておらず、1000Å
以上でとi磁気ヘッドと磁気ディスクの磁気記録媒体層
までの距離が広がりFiG生出力出力丁するという悪影
響が出てくる。このため、酸化炭化ケイ付膜の膜厚は1
00〜1000人が適している。成膜のしやすさ、均一
性、II¥生出力出力は300〜800人が¥ましい。 また、基材の表面■ざはRmax100Å以下では吸容
が必ず発生し、1000人以上では突起が浮り中の磁気
ヘットに衝突するなと磁気ヘッドの浮上特性に3影響を
4えるため好ましくない。静摩擦力を再現性よく小さく
安定させるためには、Rmax400〜800人が望ま
しい。 なお、上記実施例ではS】00凌発、5g、とじてクラ
スクーイオンビーム蒸着装置を用いたが、これは真空蒸
着装置、イオンブレーティング′装置、スパッタリング
装置等を用いてもよいし、よたガスイオンビーム装置は
用いず、L2蒸4装置を一酸化炭玄(CO)雰囲気て屯
独に用いてもよい。 またCVD装置にシラン(SiHa)、−酸化炭1(C
o)、酸素ガス等を導入して酸化炭化ケイ糞(S +
Ox C2−1)を形成してもよい。 L記実施例では磁気記録媒体層がγ−Fe・○。 の場合について説明したが、池のCrO2のような金属
酸化物媒体であってもよく、旧記実もs例と同様の効果
を奏する。また、磁気記録媒体層がC。 Ni−Crの場合について説明したが、他のC。 −Ni、 co−Cr、 F eなとの合金媒体、
金属媒体であってもよくL記実施例と同様の効果を奏す
る。 さらに、−上記実施例では下地層がN1−Pメツキ膜、
N1−Cu−Pメツキ膜の場合について説明したが、他
のアルマイト膜なとてあってもよく、上記実施例と同様
の効果を奏する。ざらに、この磁気記録媒体下地層を設
けず、上記と同様の製法によって酸化炭化ケイ素膜(S
I OXC2−2)の1呆護膜を形成してもよく、上
記実施例と同様の効果を秦する。 さらにまた、上記実施例ではフッ素系潤滑剤としてにR
YTOX157FS/Mを用いた場合について説明した
が・ 例えばFombl in、デ1、ナムなとのf也
の、閃滑剤てあってもよく、上記実施例と同様の効果を
奏する。 」−2実施例ではシランカップリング剤としてアミノシ
ランを用いた場合について説明したが、例えはエポキシ
基やヒドロキシ基などをもつ他のシランカップリング剤
であってもよく一上記実施例と同様の効果を奏する。 [発明の効果] 以1のように、この発明によれは磁気記録媒体層を覆い
保護する17護膜をシリコンの酸化炭化物で形成するこ
とにより、磁気記録媒体と磁気ヘッド閏の摩損力、吸着
力が小さく、優れた耐久性を有する信頼性の高い磁気記
録媒体が得られる効果がある。
いる。また、h記イオ゛ン化下段(62)は電子ビー1
、引出し・電極(62a)と電子ビーム放出フィラメン
ト(62b)を何している。 そして」二記りラスターイオンビーム発4tE源(5)
、ガスイオンビーム発生源(6)およびディスク基板(
10)は、図示しない所定のへ突崩に保[νされた真′
や槽内に納められている。 改に1−記のように構成されたイオンビーム3査装置に
より、酸化炭化ケイλ(SiOうc2〜X)からなる入
面保護膜を形成する場合について説明する。 図示されていない真空排気系によって真空槽内を 1.
OX !0−3Torr以丁の真空度になるまで排気し
た後、反応性ガスとしての一酸1ヒ炭にガスをガス噴q
(ノズル(61)より導入し、電子ビーム放出フィラメ
ン) (62a)からガス噴射ノズル(61)の下流に
配置されている電子ビーム引出し電g!(グリッド)(
62b)に電子を放出して、−酸化炭素(Co)ガスを
[剪起、解離およびイオン化して非常に活性化された状
態とする。イオン化手段(62)とイオンビーム加速手
段(63)の間にバイアス電圧を印加して、イオンを引
出しざらに加速して、励起および解離しt2−酸化炭素
(Co)ガスと共に、ディスク基板(IQ)に照り1す
る一方、ルツボ(51a)に充填された蒸着物質である
一酸化ケイ素(S io )(51b)を、R気発生源
(5I)内に設けられたフィラメントにより加熱し、蒸
気およびクラスターとして噴出させる。 この蒸気およびクラスターは、イオン化手段(52)で
一部イオン化された後、イオンビーム加速手段(53)
によって加速され、イオン化されていない中性の蒸気お
よびクラスターとともにディスク基板(10)(こ運は
れ、ディスク基板(10)近傍に存在する励起、解離お
よびイオン化した一酸化炭素ガスと化学反応を起こして
、ディスク基板(10)上に酸化炭化ケイ素(S lO
A: J薄膜からなる1デ護膜(11)が形成される。 次に実施例をあげて5体的に説明する。 実施例l Al−Mg合金基板の表面に下地層としてN1−Cu−
Pメツキ膜を成膜した基材に磁気記録媒体層としてr−
Fe203膜を成膜した。この磁気記録媒体層りに 保
護膜としてl−記方法により酸化炭化ケイ″je膜(こ
の場合はS i 0,2C1l Q)を設けた。酸化炭
化ケイ素膜の膜厚は500人にした。 さらにこの膜」−に、フッ素系潤滑剤(この場合はKR
YOTO¥:157Fs/M DuPont社製商品
名)を濃度1wt%、回転数200rpmで回転塗布し
て潤滑膜を形成、磁気ディスクを形成した。 実施例2 AI−Mg合金基板の表面に下1t!!層としてN+C
u−Pメツキ膜を成膜した基材に磁気記録媒体層として
Co −N i −Cr膜を成膜した。この磁気記録媒
体層上に保護膜として上記方法により酸化炭化ケイ素膜
(この場合はS i Ol、2C11g)を設けた。酸
化炭化ケイ素膜の膜厚は500人にした。 この膜上に、アミノシラン(シランカップリング剤:
NH2CIhCH2NHCrH60Si(OCthh
)の0.1wt、%溶7αを回転数20Orpmで回転
塗布し、さらに、フッ素系潤滑剤KRYTOX 157
FS/Mを実施例1と同様の条件で塗布して潤滑膜を形
成、磁気ディスクを形成した。 比較例 Al−Mg合金基板の表面に下地層としてN1−Cu−
Pメツキ膜を成膜した基材に磁気記録媒体層としてγ−
Fe2O3膜を成膜した。この磁気記録媒体層上に 保
護膜としてS i O2膜をスバンタにより成膜した。 スパッタ条(牛はRFパワー300W/8イノf5
アルゴン圧力’;3 mTorr−CSる。S + 0
2の膜厚は500人にした。この膜−トここ)7茗系潤
滑剤’I) KRYOTOX157FS/Mを実!i’
ei例1と同様の条件で塗イ6して潤滑膜を形成、磁気
ディスクを形成した。 これらの比較例を含めた磁気ディスクの期間特性を以下
ζこ示ず。 実施例1の磁気ディスクの表面■さを触針式表面粗さ計
で測定した結果を第3図の特性図ミこ示した。実施例2
、比較例1とも同様の特性を示したので、それらの特性
図は省略する。[4において縦軸はディスクの表面用さ
を、横軸は1(さを表わしている。ディスクの表面には
微小な凹凸が認められた。 実h2例1.2の磁気ディスクと比較例の磁気ディスク
の表面に、3370杉フエライトヘツドを接触ざ住静摩
樫係数を測定した。実施例1の磁気ディスクではO、t
9− 実施例2の@気ディスクでは0.20、比較例
の磁気ディスクでは0.20てあった。すべて良好な特
性を示した。 ここで、磁気ディスクのff1J久試験であるcssス
験を行った。3370形のヘットで、スライダ材料がサ
ファイアであるヘットを使用した。第4図はCS S試
験を行った結果を示す特性図で、縦軸は2刀1j)l再
生出力を1とした規格化再生出力を、横軸はC9S回f
i(X 10”)を表わしている。図中○印を結ぶ線は
この発明の実施例1.2のディスクの特性曲線、X印を
拮ふ線は比較例のディスクの特性曲線を示している。 この発明の実施例1.2のディスクの場合には、CS
S 20000回においても再生出力のfl(下は認め
られなかった。これに対し、比較例では当初11f生出
力の低下は認められないものの、CS S 8000回
前後から次第に再生出方が低下し始め、 20000回
では紐間の50%になった。 c s s 5ooo回を行った磁気ディスクの表面粗
さを一針弐表面粗さ計で測定した。’X5図はC5S5
000回後の実施例Iの磁気ディスクの表面mざの1「
す定結果を示す特性図、第61>1は同実施例2の磁気
ディスクの表面粗さの測定結果を示す特性図、第7図は
同比較例の磁気ディスクの表面粗さの測定結果を示す特
性図である。図中の(11)は磁気ヘッドがコンタクト
・スタート・ストップにより磁気ディスクに接触した領
域を表す。周辺の粗さとの比較から実施例1.2の磁気
ディスクでは初期の表面粗さを1呆っていることが分か
る。これに対して、比較例の磁気ディスクでは微小突起
部に相当するJ分が削り取られていることが分かる。 また、このCS 55000回を行った磁気ディスク表
面にヘットを接触させDo”C185%の状態で8時間
放置し、静摩擦係数を測定した。実施例1の磁気ディス
クでは0.22、実施例2の磁気ディスクでは0.24
、比較例1の磁気ディスクでは0.9を越えており吸着
現象が認められた。 1” T −[Rによりi!!II定したC S S面
後における実施例1.2の潤滑剤膜厚を比較i)たとこ
ろ、潤滑剤の残:r7率が実施例1が92%、実施例2
が100%であった。シランカップリング剤があった方
が潤滑剤の保持に効果があると考えられる。シランカッ
プリング剤があった方が潤滑剤の残存率が良好になる効
果がある。ただし、ない場合においても上記のようにC
8S試験に対して悪影響は認められなかった。 」−2のようにして得られたこの発明の実施例による磁
気記録媒体は、加速制譚されたイオンを含t″薄膜形成
法によるため酸化炭化ケイ素の表面保護膜の付着強度が
従来のスパッタリングによる成膜に比べて大きいと考え
られる。また、炭素yr、WKか含まれるため耐摩耗性
が大きいはかりでなく、酸素(X)と炭素(2−x)の
組成比を変えることで硬度が自由に変えることかでさる
という利点も備わっているので、磁気ヘットの硬度に応
じた表面保護膜を設けることができ耐ヘッドクラッシュ
性にも優れろ。さらζこ低温プロセスで容易に形成でき
るため、安faに製造でき、品質も安定している。 lv2苓(x )と炭素(2−x)の組成比は、例えは
クラスタイオンビーム法の場合、ガス圧、流量等を調節
ずろことにより変えられる。 なお酸化炭化ケイ素(S ioアC2−=)の膜厚は1
00Å以下では均一な膜にはなっておらず、1000Å
以上でとi磁気ヘッドと磁気ディスクの磁気記録媒体層
までの距離が広がりFiG生出力出力丁するという悪影
響が出てくる。このため、酸化炭化ケイ付膜の膜厚は1
00〜1000人が適している。成膜のしやすさ、均一
性、II¥生出力出力は300〜800人が¥ましい。 また、基材の表面■ざはRmax100Å以下では吸容
が必ず発生し、1000人以上では突起が浮り中の磁気
ヘットに衝突するなと磁気ヘッドの浮上特性に3影響を
4えるため好ましくない。静摩擦力を再現性よく小さく
安定させるためには、Rmax400〜800人が望ま
しい。 なお、上記実施例ではS】00凌発、5g、とじてクラ
スクーイオンビーム蒸着装置を用いたが、これは真空蒸
着装置、イオンブレーティング′装置、スパッタリング
装置等を用いてもよいし、よたガスイオンビーム装置は
用いず、L2蒸4装置を一酸化炭玄(CO)雰囲気て屯
独に用いてもよい。 またCVD装置にシラン(SiHa)、−酸化炭1(C
o)、酸素ガス等を導入して酸化炭化ケイ糞(S +
Ox C2−1)を形成してもよい。 L記実施例では磁気記録媒体層がγ−Fe・○。 の場合について説明したが、池のCrO2のような金属
酸化物媒体であってもよく、旧記実もs例と同様の効果
を奏する。また、磁気記録媒体層がC。 Ni−Crの場合について説明したが、他のC。 −Ni、 co−Cr、 F eなとの合金媒体、
金属媒体であってもよくL記実施例と同様の効果を奏す
る。 さらに、−上記実施例では下地層がN1−Pメツキ膜、
N1−Cu−Pメツキ膜の場合について説明したが、他
のアルマイト膜なとてあってもよく、上記実施例と同様
の効果を奏する。ざらに、この磁気記録媒体下地層を設
けず、上記と同様の製法によって酸化炭化ケイ素膜(S
I OXC2−2)の1呆護膜を形成してもよく、上
記実施例と同様の効果を秦する。 さらにまた、上記実施例ではフッ素系潤滑剤としてにR
YTOX157FS/Mを用いた場合について説明した
が・ 例えばFombl in、デ1、ナムなとのf也
の、閃滑剤てあってもよく、上記実施例と同様の効果を
奏する。 」−2実施例ではシランカップリング剤としてアミノシ
ランを用いた場合について説明したが、例えはエポキシ
基やヒドロキシ基などをもつ他のシランカップリング剤
であってもよく一上記実施例と同様の効果を奏する。 [発明の効果] 以1のように、この発明によれは磁気記録媒体層を覆い
保護する17護膜をシリコンの酸化炭化物で形成するこ
とにより、磁気記録媒体と磁気ヘッド閏の摩損力、吸着
力が小さく、優れた耐久性を有する信頼性の高い磁気記
録媒体が得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例のf11気ディスクを示す
断面図、第2図はこの発明に係わる製造装置の一例を示
す構成図、第3図は実施例1の磁気ディスクの表面mさ
計ζこよる表面■さ測定の結果を示す特性図、第4図は
この発明の実施例の磁気ディスクのC5S回数と再生出
力の関係を比較例とともに示す特性図、第5図、第6閏
、第7図はC555000回後の、この発明の実施例の
磁気ディスクと比較例の磁気ディスクの表面粗さ計によ
る表面粗さ測定の結果を示す特性図、第8図は従来の磁
気ディスクを示す断面[?Iである。 (1)・・・Al−Mg合金基板、(2)・・・磁気記
録媒体層の下地層、基材はAl−Mg合金基板(1)と
ド地層(2)て構成されろ。(3)・・・磁気記録媒体
層、(4)・・・シリコンの酸化炭化物からなる1ri
、;f牧である。 なお、図中、同一符号は同一または和尚部分を示す。
断面図、第2図はこの発明に係わる製造装置の一例を示
す構成図、第3図は実施例1の磁気ディスクの表面mさ
計ζこよる表面■さ測定の結果を示す特性図、第4図は
この発明の実施例の磁気ディスクのC5S回数と再生出
力の関係を比較例とともに示す特性図、第5図、第6閏
、第7図はC555000回後の、この発明の実施例の
磁気ディスクと比較例の磁気ディスクの表面粗さ計によ
る表面粗さ測定の結果を示す特性図、第8図は従来の磁
気ディスクを示す断面[?Iである。 (1)・・・Al−Mg合金基板、(2)・・・磁気記
録媒体層の下地層、基材はAl−Mg合金基板(1)と
ド地層(2)て構成されろ。(3)・・・磁気記録媒体
層、(4)・・・シリコンの酸化炭化物からなる1ri
、;f牧である。 なお、図中、同一符号は同一または和尚部分を示す。
Claims (1)
- 基材、この基材に形成された磁気記録媒体層、この磁
気記録媒体層を覆うシリコンの酸化炭化物(SiO_x
C_2_−_x)からなる保護膜、この保護膜を覆う潤
滑膜を備えた磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27133188A JPH02118916A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27133188A JPH02118916A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02118916A true JPH02118916A (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=17498563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27133188A Pending JPH02118916A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02118916A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0624869A2 (en) * | 1993-04-13 | 1994-11-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP27133188A patent/JPH02118916A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0624869A2 (en) * | 1993-04-13 | 1994-11-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
EP0624869A3 (en) * | 1993-04-13 | 1994-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
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