JPH02109317A - 露光パターンのアライメント方法 - Google Patents
露光パターンのアライメント方法Info
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- JPH02109317A JPH02109317A JP63261861A JP26186188A JPH02109317A JP H02109317 A JPH02109317 A JP H02109317A JP 63261861 A JP63261861 A JP 63261861A JP 26186188 A JP26186188 A JP 26186188A JP H02109317 A JPH02109317 A JP H02109317A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 13
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 241001494479 Pecora Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
- Image Analysis (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Image Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば各種半導体装置の製造に用いられるリ
ングラフィ工程に適用される露光パターンの゛rアライ
メント方法関わる。
ングラフィ工程に適用される露光パターンの゛rアライ
メント方法関わる。
本発明は、既に基板上に形成された下地基板パターンを
基中にして、この基板上に形成されたレジストに対して
パターン露光を行うに当り、そのパターン露光を行う露
光マスクパターンにアライメント誤差計δ11用2=光
パターンを形成しておき、まずこのアライメント誤差8
1測用露光パターンについて露光レーザー光の強度を上
げて露光処理を施してその露光部のレジストを消失させ
てアライメント誤差計測用パターンを形成し、このアラ
イメント誤差計測用パターンと下地基板パターンとの間
の位置関係から誤差データを得て、これに基づいて露光
マスクパターンの一般定誤差を補正してパターン露光を
行うようにして正確な露光パターンのアライメントを行
うことができるようにする。
基中にして、この基板上に形成されたレジストに対して
パターン露光を行うに当り、そのパターン露光を行う露
光マスクパターンにアライメント誤差計δ11用2=光
パターンを形成しておき、まずこのアライメント誤差8
1測用露光パターンについて露光レーザー光の強度を上
げて露光処理を施してその露光部のレジストを消失させ
てアライメント誤差計測用パターンを形成し、このアラ
イメント誤差計測用パターンと下地基板パターンとの間
の位置関係から誤差データを得て、これに基づいて露光
マスクパターンの一般定誤差を補正してパターン露光を
行うようにして正確な露光パターンのアライメントを行
うことができるようにする。
各種半導体装置を製造する場合、その微細加工において
多くのリングラフィ工程を伴う。
多くのリングラフィ工程を伴う。
リングラフィ工程におけるフォトレジストに対するパタ
ーン露光は、一般に縮小投影露光装置を用いて所望のパ
ターンのパターン露光を行う。ところがこの場合既に半
導体基板上に、目的とする半導体装置の一部となるデバ
イスパターンが形成されている場合、この一部のデバイ
スパターンに高精度で重ね合わせて次のデバイスパター
ン形成のための露光を行う技術いわゆる高精度アライメ
ント技術が重要となってきている。
ーン露光は、一般に縮小投影露光装置を用いて所望のパ
ターンのパターン露光を行う。ところがこの場合既に半
導体基板上に、目的とする半導体装置の一部となるデバ
イスパターンが形成されている場合、この一部のデバイ
スパターンに高精度で重ね合わせて次のデバイスパター
ン形成のための露光を行う技術いわゆる高精度アライメ
ント技術が重要となってきている。
一方、半導体デバイスの高集偵度化に伴い、要求される
アライメント精度も厳しくなり昨今では0.1μmF以
内の精度が要求され始めている。
アライメント精度も厳しくなり昨今では0.1μmF以
内の精度が要求され始めている。
従来一般に用いられてきたアライメント方法としては、
例えば前段のリングラフィ工程で形成したデバイスパタ
ーンとの形成と同時に半導体基板にアライメント用マー
クとして機能し得る下地基板パターンの位置を、投影露
光装置の半導体基板が載u−7されて所要のステップ移
動をし得る移動台いわゆるステージ上で数点において計
測し、半導体基板の伸縮、回転等を計算した結果から半
導体基板が載置されたステージの位置設定に補正を加え
て所望の露光位iilに移動した後、実際の次工程のリ
ングラフィ工程におけるデバイスパターンの露光を行う
ものである。
例えば前段のリングラフィ工程で形成したデバイスパタ
ーンとの形成と同時に半導体基板にアライメント用マー
クとして機能し得る下地基板パターンの位置を、投影露
光装置の半導体基板が載u−7されて所要のステップ移
動をし得る移動台いわゆるステージ上で数点において計
測し、半導体基板の伸縮、回転等を計算した結果から半
導体基板が載置されたステージの位置設定に補正を加え
て所望の露光位iilに移動した後、実際の次工程のリ
ングラフィ工程におけるデバイスパターンの露光を行う
ものである。
この場合、下地基板パターンすなわちアライメント用マ
ークの位置計測が問題どなるが、この位置zL測は一般
にレーザー等の高輝度光源よりの光をアライメント用マ
ークに照射し、その反射光あるいは回折光を受光してマ
ークの位置計測を受光して行っCいる。ところが、この
位置計測は通常フォトレジストを塗布した半導体基板上
で行われるのでマーク近傍のレジスト被覆状態に依存し
てレジスト中でのレーザー光の干渉が生じ計測誤差の大
きな原因となる。また、アライメント用マーク上に形成
された例えばSin、、多結晶シリコン、^l金属召等
の薄膜材料が形成される場合、その被覆状態の非対称性
も誤差を生じさせる大きな要因となっている。特に、ス
パッタ法でへl金属層を形成する場合その非対称性の度
合が大であるためにアライメント誤差は実際に大きな課
題となっている。
ークの位置計測が問題どなるが、この位置zL測は一般
にレーザー等の高輝度光源よりの光をアライメント用マ
ークに照射し、その反射光あるいは回折光を受光してマ
ークの位置計測を受光して行っCいる。ところが、この
位置計測は通常フォトレジストを塗布した半導体基板上
で行われるのでマーク近傍のレジスト被覆状態に依存し
てレジスト中でのレーザー光の干渉が生じ計測誤差の大
きな原因となる。また、アライメント用マーク上に形成
された例えばSin、、多結晶シリコン、^l金属召等
の薄膜材料が形成される場合、その被覆状態の非対称性
も誤差を生じさせる大きな要因となっている。特に、ス
パッタ法でへl金属層を形成する場合その非対称性の度
合が大であるためにアライメント誤差は実際に大きな課
題となっている。
本発明は、上述したように従来の例えばフ十トリソゲラ
フイエ程に適用される露光パターンのアライメント方法
におけるアライメント用マークすなわち下地基板パター
ンの位置計測にさまざまなプロセスに起因する誤差が含
まれ、その後の投影露光装置における半導体基板が載置
されるステージの露光位置への位置設定誤差となるとい
う課題を解決し、er 171度アライメントを安定し
て行うことができる露光パターンのアライメント方法を
提供する。
フイエ程に適用される露光パターンのアライメント方法
におけるアライメント用マークすなわち下地基板パター
ンの位置計測にさまざまなプロセスに起因する誤差が含
まれ、その後の投影露光装置における半導体基板が載置
されるステージの露光位置への位置設定誤差となるとい
う課題を解決し、er 171度アライメントを安定し
て行うことができる露光パターンのアライメント方法を
提供する。
c!!lI題を解決するだめの手段〕
本発明においては、第1図りに示すように下地基板パタ
ーン(1)を有する基板(2)上に形成されたレジスト
(3)に対してバクーフジπ光を行う露光マスクパター
ンいわゆるレチクルに、アライメント誤差計測用露光パ
ターンが〆設けられ、露光レーザー光の強度を上げてア
ライメント誤差計測用露光パターンについてのみレジス
ト(3)を露光消失させて′fS1図Eに示すようにア
ライメント誤差計測用パターン(4)を形成し、このア
ライメン)LQ差計測用パクーン(4)と下地基板パタ
ーン(1)との間の位置関係から誤差データを得、これ
に基づいて露光マスクパターンと基板との相対的位置設
定誤差を補正してレジスト(3)に対する例えばレチク
ルによる露光マスクパターンに基づくデバイスパターン
のパターン露光を行う。
ーン(1)を有する基板(2)上に形成されたレジスト
(3)に対してバクーフジπ光を行う露光マスクパター
ンいわゆるレチクルに、アライメント誤差計測用露光パ
ターンが〆設けられ、露光レーザー光の強度を上げてア
ライメント誤差計測用露光パターンについてのみレジス
ト(3)を露光消失させて′fS1図Eに示すようにア
ライメント誤差計測用パターン(4)を形成し、このア
ライメン)LQ差計測用パクーン(4)と下地基板パタ
ーン(1)との間の位置関係から誤差データを得、これ
に基づいて露光マスクパターンと基板との相対的位置設
定誤差を補正してレジスト(3)に対する例えばレチク
ルによる露光マスクパターンに基づくデバイスパターン
のパターン露光を行う。
上述の本発明方法によれば、ff12図八にそへ基板パ
ターン(1)とアライメント誤差計測用パターン(4)
との位置関係を平面的に示すように、例えば同図中鎖線
a上において光の反射、回折等による光学的13号を電
気的信号に変換して各パターン(1)及び(4)の線a
上における縁部においてそれぞれ第2図Bに示すように
信号パルスをとり出すようにすれば、実際のアライメン
ト誤差を検出できる。すなわち、今例えば基板パターン
(1)に対してレジスト(3)に対する露光マスクパタ
ーンの位置が所定の位置関係にあって所定のアライメン
ト誤差計測用パターン(4)が形成された場合に第2図
へに示す各パターン(1)及び(4)の中心p1 及び
p、が一致した状態に設定されるとした場合、レジスト
(3)に対“rる1π光マスクパターンずなわぢレチク
ルに基板(2)との相対的位置関係にずれが生ずれば、
例えば第2図へに示すように各中心位r:r1p +
及びp4 は互いにΔL分だけずれた位置となり、これ
に応じて第2図Bで示されるように、パルス間隔は本来
の位置よりΔLに相当する位置ずれが生ずることになる
のでこの信号に基づいて所要の13号処理を行って誤差
ΔLの検出を行うことができる。
ターン(1)とアライメント誤差計測用パターン(4)
との位置関係を平面的に示すように、例えば同図中鎖線
a上において光の反射、回折等による光学的13号を電
気的信号に変換して各パターン(1)及び(4)の線a
上における縁部においてそれぞれ第2図Bに示すように
信号パルスをとり出すようにすれば、実際のアライメン
ト誤差を検出できる。すなわち、今例えば基板パターン
(1)に対してレジスト(3)に対する露光マスクパタ
ーンの位置が所定の位置関係にあって所定のアライメン
ト誤差計測用パターン(4)が形成された場合に第2図
へに示す各パターン(1)及び(4)の中心p1 及び
p、が一致した状態に設定されるとした場合、レジスト
(3)に対“rる1π光マスクパターンずなわぢレチク
ルに基板(2)との相対的位置関係にずれが生ずれば、
例えば第2図へに示すように各中心位r:r1p +
及びp4 は互いにΔL分だけずれた位置となり、これ
に応じて第2図Bで示されるように、パルス間隔は本来
の位置よりΔLに相当する位置ずれが生ずることになる
のでこの信号に基づいて所要の13号処理を行って誤差
ΔLの検出を行うことができる。
そして、本発明においてはこの誤差データに基づいて基
板(2)とレジスト(3月二対する露光マスクパターン
の相対的位置の補正、例えば露光装置における基板(2
)が載置されるステージの位置調整を行ってレジスト(
3)に有する本来のパターン露光を行うので、先に形成
された例えばデバイスパターンとの位置関係を正確に設
定してレジスト〔3)に対する露光処理を行うことがで
き、高精度のフォトリングラフィ工程を行うことができ
る。
板(2)とレジスト(3月二対する露光マスクパターン
の相対的位置の補正、例えば露光装置における基板(2
)が載置されるステージの位置調整を行ってレジスト(
3)に有する本来のパターン露光を行うので、先に形成
された例えばデバイスパターンとの位置関係を正確に設
定してレジスト〔3)に対する露光処理を行うことがで
き、高精度のフォトリングラフィ工程を行うことができ
る。
′!!13図は本発明方法を実施するアライメント誤差
計測用パターン露光を実施する構成の一例を示すもので
、(11,)はその縮小投影露光装置を示す。
計測用パターン露光を実施する構成の一例を示すもので
、(11,)はその縮小投影露光装置を示す。
この縮小投影露光装置(11)は、基板(2)例えば半
導体ウェスγを載置するステー:)(12)を有し、こ
れが基板(2)の配置面に沿う面内で互いに直交するX
及びY方向にステップ移動できるようになされ、共通の
ウェファ(基板(2))に、X及びY方向へのステップ
移動位置で順次同一パターンの半導体装ばを作製するた
めのパターン露光が行われるようになされる。
導体ウェスγを載置するステー:)(12)を有し、こ
れが基板(2)の配置面に沿う面内で互いに直交するX
及びY方向にステップ移動できるようになされ、共通の
ウェファ(基板(2))に、X及びY方向へのステップ
移動位置で順次同一パターンの半導体装ばを作製するた
めのパターン露光が行われるようになされる。
このステージ(12)と対向して縮小投影レンズ系(1
3)が船首され露光用レーデ−を有する露光光源部(1
4)からのレーザー光が露光マスクパターン(15)す
なわちレチクルを介“してこのパターンによって基板(
2)上にパターン露光することができるようになされて
いる。また、この露光装置(11)には光源(■4)と
ステージ(12)との間の光v8上例えばi苔光光源部
(14)と露光マスクパターン(レチクル)(15)と
の間にアライメント誤差計測用露光パターン(17)の
みを露光し、他のデバイスパターン形成用のデバイス露
光パターン(27)すなわち、半導体装置を形成するた
めの本来の露光パターンによる露光を阻止する遮光体(
16)が載置されてなる。
3)が船首され露光用レーデ−を有する露光光源部(1
4)からのレーザー光が露光マスクパターン(15)す
なわちレチクルを介“してこのパターンによって基板(
2)上にパターン露光することができるようになされて
いる。また、この露光装置(11)には光源(■4)と
ステージ(12)との間の光v8上例えばi苔光光源部
(14)と露光マスクパターン(レチクル)(15)と
の間にアライメント誤差計測用露光パターン(17)の
みを露光し、他のデバイスパターン形成用のデバイス露
光パターン(27)すなわち、半導体装置を形成するた
めの本来の露光パターンによる露光を阻止する遮光体(
16)が載置されてなる。
一方、ステージ(12)は、第4図にアライメント誤差
補正用シスデムを模式的に示すようにこの縮小露光装置
(11)の位置から所定位置に例えばステージ駆動モー
タ(18)によって移行できるようになされ、この所定
の移行位置において基板(2)上に形成したアライメン
ト誤差計測用パターンによる後に詳述する光学像例えば
回折像あるいは反射光学像を対物レンズ(19)を通し
て撮像素子(20)によつ°C撮像し、これを画像処理
装置(2I)によって処理して所要の信号を取り出し、
例えばマイクロプロセッサ及びメモリ機能等を有する信
号処理装置(22)によって所要の誤差データを得て、
これによりステージ駆動用パルス発生装置り23)を駆
動してステージ駆動モータ(1B)を駆動させ縮小投影
露光装E(11)におけるステージ(12)の位置補正
を行うようになされる。
補正用シスデムを模式的に示すようにこの縮小露光装置
(11)の位置から所定位置に例えばステージ駆動モー
タ(18)によって移行できるようになされ、この所定
の移行位置において基板(2)上に形成したアライメン
ト誤差計測用パターンによる後に詳述する光学像例えば
回折像あるいは反射光学像を対物レンズ(19)を通し
て撮像素子(20)によつ°C撮像し、これを画像処理
装置(2I)によって処理して所要の信号を取り出し、
例えばマイクロプロセッサ及びメモリ機能等を有する信
号処理装置(22)によって所要の誤差データを得て、
これによりステージ駆動用パルス発生装置り23)を駆
動してステージ駆動モータ(1B)を駆動させ縮小投影
露光装E(11)におけるステージ(12)の位置補正
を行うようになされる。
尚、この場合基板(ウェファ)(2)上に、前述したよ
うにX及びY方向にそれぞれ複数配列形成する各半導体
装置の配置部が形成されるものであるが、アライメント
誤差計測用パターン(4)は、その適当に選定した複数
個の配置部において形成されるものであり、上述した位
置補正に当たっては、これら複数の配置部について、誤
差検出を行って各位置に関してのデータを信号処理装置
J1(22>でメモリし、相互に所要の比較計算を行っ
てX及びY方向に関して正確に誤差データが得られるよ
うにする。
うにX及びY方向にそれぞれ複数配列形成する各半導体
装置の配置部が形成されるものであるが、アライメント
誤差計測用パターン(4)は、その適当に選定した複数
個の配置部において形成されるものであり、上述した位
置補正に当たっては、これら複数の配置部について、誤
差検出を行って各位置に関してのデータを信号処理装置
J1(22>でメモリし、相互に所要の比較計算を行っ
てX及びY方向に関して正確に誤差データが得られるよ
うにする。
さらに、第1図を参照して本発明方法を、第1のリソグ
ラフィ工程によって半導体基板上に形成した例えばSi
n、絶υ層に対する主権コンタクト窓開けと、第2のリ
ングラフィ工程によってこの電極コンタクト窓開けを通
じて所要のパターンにAI配線肘を形成する場合につい
ての両デバイスパターンすなわちコンタクト窓と^β配
線パターンの形成のための露光パターンの゛rアライメ
ント適用する場合について説明する。この場合、第1図
Aに示すように例えばシリコン半導体基板(2)上に熱
酸化等によって被着形成されたSin、絶縁層(31)
上にフォトレジスト(3人)を周知の技術によって被着
し、第3図及び第4L■で説明した縮小投影露光装置(
11)の第1の露光マスクパターンによって所要の露光
処理を施す。例えばコンタクト窓部のパターンと下地基
体パターンの露光とを同時に行う。
ラフィ工程によって半導体基板上に形成した例えばSi
n、絶υ層に対する主権コンタクト窓開けと、第2のリ
ングラフィ工程によってこの電極コンタクト窓開けを通
じて所要のパターンにAI配線肘を形成する場合につい
ての両デバイスパターンすなわちコンタクト窓と^β配
線パターンの形成のための露光パターンの゛rアライメ
ント適用する場合について説明する。この場合、第1図
Aに示すように例えばシリコン半導体基板(2)上に熱
酸化等によって被着形成されたSin、絶縁層(31)
上にフォトレジスト(3人)を周知の技術によって被着
し、第3図及び第4L■で説明した縮小投影露光装置(
11)の第1の露光マスクパターンによって所要の露光
処理を施す。例えばコンタクト窓部のパターンと下地基
体パターンの露光とを同時に行う。
具体的には例えばコンタクト窓形成部と下地パターンの
形成部以外を露光する。
形成部以外を露光する。
¥IJ1図已に示すように、フォトレジスト層(3八)
に対して現像処理を施して露光部分を残して他部を除去
してコンタクト窓に対応する窓(3^1す、)と下地パ
ターンに対応する窓(3八WZ>とを同時に形成する。
に対して現像処理を施して露光部分を残して他部を除去
してコンタクト窓に対応する窓(3^1す、)と下地パ
ターンに対応する窓(3八WZ>とを同時に形成する。
そして、このフォトレジスト層(3^)をエツチングレ
ジストとして窓(3^1q、)及び(3八W2)を通じ
て絶縁層(31)にエツチングを行ってコンタクト窓W
1と下地基体パターン(1)とを同時にすなわち両者が
相対的に正確に所定の位置関係にあるように形成する。
ジストとして窓(3^1q、)及び(3八W2)を通じ
て絶縁層(31)にエツチングを行ってコンタクト窓W
1と下地基体パターン(1)とを同時にすなわち両者が
相対的に正確に所定の位置関係にあるように形成する。
第1図Cに示すように、フォトレジスト(3^)を除去
して全面的にAl金F e (32)をスパッタリング
等によって形成する。
して全面的にAl金F e (32)をスパッタリング
等によって形成する。
第1図りに示すように、金属層(32)上に全面的にフ
ォトレジスト層(3B)を全面的にりh布する。
ォトレジスト層(3B)を全面的にりh布する。
第1 III Eに示すように、第3図で説明したよう
に縮小投影n光装置im(II)によって露光マスクパ
ターン(15)を用いてフォトレジスト層(30)に対
しての露光処理を施す。この場合、露光マスクパターン
(15)には^β配線パターンに対応するパターンずな
わらデバイス露光パターン(27)と共にこれと所定の
位置関係を保持してアライメント誤差計測用パターン(
17)に対応する露光パターンが形成されているが、こ
の工程におい°Cは遮光体(1G)によってアライメン
ト誤差計測用パターン(17)についてのみ露光する。
に縮小投影n光装置im(II)によって露光マスクパ
ターン(15)を用いてフォトレジスト層(30)に対
しての露光処理を施す。この場合、露光マスクパターン
(15)には^β配線パターンに対応するパターンずな
わらデバイス露光パターン(27)と共にこれと所定の
位置関係を保持してアライメント誤差計測用パターン(
17)に対応する露光パターンが形成されているが、こ
の工程におい°Cは遮光体(1G)によってアライメン
ト誤差計測用パターン(17)についてのみ露光する。
そして、この場合光源8′1s(14)のレーザーはパ
ワーアップしてフォトレジスト層(3B)に対して溶発
させてこれを消失させ゛rライメント計計測用バクシン
4)となる透孔ないしは四部を形成する。
ワーアップしてフォトレジスト層(3B)に対して溶発
させてこれを消失させ゛rライメント計計測用バクシン
4)となる透孔ないしは四部を形成する。
次に光源部(14)のレーツ′−パワーを下げて第3図
に示す遮光体(16)を排除して露光マスクパターン(
15)による露光処理を施して第1図Fに示すようにフ
ォトレジス)JNj(3111)を露光して現像してパ
ターン化し、これをマスクとして金属Job(32)に
対してのエツチング処理を行い金属層(32)によっ゛
C配線パターン(33)を形成する。この配線パターン
(33)の形成のためのフォトレジス)Ial(3B)
に対する露光は、第3図及び第4図で説明した下地基板
パターン(+、)と゛rアライメント誤差計測用パター
ン4)からの光学的信号の取り出しによりステージ(1
2)の位置補正を行った後にそのデバイスパターンの露
光すなわち配線パターン(33)を形成するためのフォ
トレジス) <3fl)に対するpt露光処理行う。
に示す遮光体(16)を排除して露光マスクパターン(
15)による露光処理を施して第1図Fに示すようにフ
ォトレジス)JNj(3111)を露光して現像してパ
ターン化し、これをマスクとして金属Job(32)に
対してのエツチング処理を行い金属層(32)によっ゛
C配線パターン(33)を形成する。この配線パターン
(33)の形成のためのフォトレジス)Ial(3B)
に対する露光は、第3図及び第4図で説明した下地基板
パターン(+、)と゛rアライメント誤差計測用パター
ン4)からの光学的信号の取り出しによりステージ(1
2)の位置補正を行った後にそのデバイスパターンの露
光すなわち配線パターン(33)を形成するためのフォ
トレジス) <3fl)に対するpt露光処理行う。
上述した例においては、半導体基板(2)上に形成され
た絶t2を層(31)に対するコンタクト窓W、の形成
とこれに対する配線パターン(33)の形成においてそ
の露光パターンのアライメントに適用した場合であるが
、その他各種半導体装置の各工程あるいはその他各種微
細加工のフォトリングラフィ工程において先に形成され
たパターンに対して、更に例えばフォトリングラフィに
よって形成するバク・−ン9n光に用いる露光パターン
のアライメントに本発明を適用することができる。
た絶t2を層(31)に対するコンタクト窓W、の形成
とこれに対する配線パターン(33)の形成においてそ
の露光パターンのアライメントに適用した場合であるが
、その他各種半導体装置の各工程あるいはその他各種微
細加工のフォトリングラフィ工程において先に形成され
たパターンに対して、更に例えばフォトリングラフィに
よって形成するバク・−ン9n光に用いる露光パターン
のアライメントに本発明を適用することができる。
」二連したように本発明によれば、例えば先のフォトリ
ングラフィ工程によって形成したチ゛バイスバクーンと
同時に予め形成された下地基体パターン(1)に対して
、相対的位置関係をもって次のフォトリングラフィにお
けるパターン露光において、まずアライメント誤差計測
用パターン(4)を形成し、下地基板(+、)とアライ
メント誤差計測用パターン(4)との相対的位置関係に
よる誤差データを得で、これによってこのアライメント
誤差計測用パターンの形成用露光マスクが形成された露
光マスクパターン(15)すなわちレチクルによって後
段のフォトリングラフィのパターン露光を行うようにし
たので露光パターンのアライメントを高精度に行うこと
ができ、従来におけるように下地基板パターン(1)上
に金JiHf!あるいはフォトレジスト(3)が非対称
をもって形成された場合においても正確に誤羊検出を行
うことができ高精度のアライメントを行うことができる
。
ングラフィ工程によって形成したチ゛バイスバクーンと
同時に予め形成された下地基体パターン(1)に対して
、相対的位置関係をもって次のフォトリングラフィにお
けるパターン露光において、まずアライメント誤差計測
用パターン(4)を形成し、下地基板(+、)とアライ
メント誤差計測用パターン(4)との相対的位置関係に
よる誤差データを得で、これによってこのアライメント
誤差計測用パターンの形成用露光マスクが形成された露
光マスクパターン(15)すなわちレチクルによって後
段のフォトリングラフィのパターン露光を行うようにし
たので露光パターンのアライメントを高精度に行うこと
ができ、従来におけるように下地基板パターン(1)上
に金JiHf!あるいはフォトレジスト(3)が非対称
をもって形成された場合においても正確に誤羊検出を行
うことができ高精度のアライメントを行うことができる
。
第1図A−Fは本発明方法の一例の工程図、第2図へ及
びB I′i誤差データの取り出し方の説明図、第3図
は本発明方法を実施する縮小投影)を光装置の構成図、
第4図はアライメント誤差補正用シスデムの一例を示す
図である。 (1)は下地基板バクーン、(2)は基板、(3)はレ
ジス) 、(4)はアライメント誤差計測用パターンで
ある。 第2図 第 図 フライメントなi= l#A’正出ンヌテム第4図
びB I′i誤差データの取り出し方の説明図、第3図
は本発明方法を実施する縮小投影)を光装置の構成図、
第4図はアライメント誤差補正用シスデムの一例を示す
図である。 (1)は下地基板バクーン、(2)は基板、(3)はレ
ジス) 、(4)はアライメント誤差計測用パターンで
ある。 第2図 第 図 フライメントなi= l#A’正出ンヌテム第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下地基板パターンを有する基板上に形成されたレジスト
に対してパターン露光を行う露光マスクパターンに、ア
ライメント誤差計測用露光パターンが設けられ、 露光レーザー光の強度を上げて上記アライメント誤差計
測用露光パターンについてのみ上記レジストを露光消失
させてアライメント誤差計測用パターンを形成し、 該アライメント誤差計測用パターンと、上記下地基板パ
ターンとの間の位置関係から得た誤差データに基づいて
、上記露光マスクパターンと上記基板との相対的位置設
定誤差を補正して上記レジストに対するパターン露光を
行うことを特徴とする露光パターンのアライメント方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63261861A JPH02109317A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 露光パターンのアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63261861A JPH02109317A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 露光パターンのアライメント方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02109317A true JPH02109317A (ja) | 1990-04-23 |
Family
ID=17367773
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63261861A Pending JPH02109317A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 露光パターンのアライメント方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02109317A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10540561B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-01-21 | Nuflare Technology, Inc. | Inspection method and inspection apparatus |
-
1988
- 1988-10-18 JP JP63261861A patent/JPH02109317A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10540561B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-01-21 | Nuflare Technology, Inc. | Inspection method and inspection apparatus |
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