JPH02101756A - Semiconductor wafer testing method - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To provide a semiconductor wafer whose operation at high temperatures has been compensated, and to enable such wafer to be mounted automatically by a totally unmanned process while minimizing production of dust during the mounting operation by heating the wafer after testing properties of the wafer at room temperature, and again testing it at room temperature. CONSTITUTION:A wafer 3 is mounted on the surface of a stage 5 of a left-hand stage mechanism 6a and aligned properly (positioned accurately). After the alignment, the wafer is brought into contact with a probe 9a at the position where the probe 9a is disposed and chips on the wafer 3 are tested sequentially. During the testing operation, a tweezers mechanism 18 is lowered on the side of a transportation section 4. A hot plate 19 is moved to the home position 15 and a heating section 23 is supplied with current under predetermined conditions. When the hot plate 19 reaches predetermined conditions, the wafer 3 which has been tested by the left-hand stage mechanism 6a is mounted on the hot plate 10. The wafer 3 heated by the hot plate 19 is transferred, while the temperature thereof is let to drop naturally, to a right-hand testing section 2b where the wafer is subjected again to a functional test such as a test of memory functions.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は半導体ウェハの検査方法に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a method for inspecting semiconductor wafers.

（従来の技術） 半導体ウェハ（以下、ウェハと略記する）に形成された
半導体ウェハチップ（以下チップと略記する）を検査す
る方法として複数の検査ステージを設けたウェハの検査
方法は特開昭６１−１６８２３６号、及び特開昭６２−
３５２１２号等の多数公報に記載されている。(Prior Art) A method for inspecting semiconductor wafers (hereinafter referred to as "chips") formed on semiconductor wafers (hereinafter referred to as "wafers") is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1983-1987 (1983), which includes a plurality of inspection stages. -168236 and JP-A-62-
It is described in many publications such as No. 35212.

上記公報に開示された検査方法によれば、搬送機構（以
下、ローダと称する）部を挟むように複数のステージ機
構を両端に配置した構成になっている。According to the inspection method disclosed in the above publication, a plurality of stage mechanisms are arranged at both ends so as to sandwich a transport mechanism (hereinafter referred to as a loader).

即ち、一方のステージ機構でウェハの検査が行われてい
る間に、他方のステージ機構でも同機種のウェハ検査を
行うようにしたものである。従って、ウェハを検査する
時間、例えば単位時間当りのスループットを従来より約
２倍程度に向上させる目的としたものである。That is, while one stage mechanism is inspecting a wafer, the other stage mechanism is also inspecting a wafer of the same type. Therefore, the objective is to improve the time for inspecting wafers, for example, the throughput per unit time, to approximately twice that of the conventional method.

また、別の検査方法を用いた検査装置として単数の検査
ステージを設け、これに補助加熱部を設けた技術として
、　実開昭５９−２６２４９号等の多数公報に記載され
ている。Further, as an inspection apparatus using another inspection method, a technique in which a single inspection stage is provided and an auxiliary heating section is provided thereon is described in numerous publications such as Utility Model Application No. 59-26249.

上記公報に開示された検査方法によれば、既に高温状態
にある検査ステージにウェハを搬送するに際し、予備的
に加温してウェハの温度上昇時間を改善させたものであ
る。According to the inspection method disclosed in the above-mentioned publication, when the wafer is transferred to the inspection stage which is already in a high temperature state, the wafer is preliminarily heated to improve the temperature rise time of the wafer.

（発明が解決しようとする課題） ところで、ウェハ製造の技術が向上するに連れて、ウェ
ハの集積度が高密度化に進んできている。(Problems to be Solved by the Invention) As wafer manufacturing technology improves, the degree of integration of wafers is increasing.

これに伴って、上記のように、変温状態で検査すること
はウェハ面上に形成された微細パターンが、変温により
生じる熱膨縮でクラック等により、断線・短絡し、不良
になったチップを判別することである。Along with this, as mentioned above, testing in a variable temperature state means that the fine patterns formed on the wafer surface may be broken or shorted due to cracks due to thermal expansion and contraction caused by the variable temperature, resulting in defects. The purpose is to identify the chip.

上記クラック等の原因による断線・短絡等は設定高温か
ら常温に戻る時に物理的に生じる場合が多い。従って、
上記ウェハを検査するに際し、降下温度または、常温に
到達した時に検査することができなかった。Disconnections, short circuits, etc. due to the above-mentioned cracks and the like often physically occur when the temperature returns from the set high temperature to room temperature. Therefore,
When inspecting the wafer, it was not possible to inspect the wafer when the temperature dropped or when it reached room temperature.

本発明の目的とするところは、上記問題点に鑑みなされ
たもので、実質的に高温状態を経時した特性評価が可能
な半導体ウェハの検査方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention, which has been devised in view of the above-mentioned problems, is to provide a method for inspecting semiconductor wafers that allows characteristic evaluation over time in a substantially high-temperature state.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

（課題を解決するための手段） 本発明の半導体ウェハの検査方法は、常温状態で半導体
ウェハの特性を検査する工程と、この工程の後、半導体
ウェハを予め定められた温度雰囲気に予め定められた期
間設定する工程と、この工程の後、常温状態で上記半導
体ウェハの検査をする工程とを具備していることを特徴
とするものである。(Means for Solving the Problems) The semiconductor wafer inspection method of the present invention includes a step of inspecting the characteristics of the semiconductor wafer at room temperature, and after this step, the semiconductor wafer is placed in a predetermined temperature atmosphere. The present invention is characterized by comprising the steps of setting a certain period of time, and, after this step, inspecting the semiconductor wafer at room temperature.

（作用効果） 本発明の方法は、半導体ウェハ、例えばイ・ピ・ロム（
以下、　ＥＦ　ＲＯＭと略記する）チップを形成したウ
ェハを加熱部に搭載する前に、各チップの検査した結果
、例えばブロービング内容を書き込む。(Operation and Effect) The method of the present invention can be applied to semiconductor wafers, such as I.P.
Before a wafer on which chips (hereinafter abbreviated as EF ROM) are formed is mounted on a heating section, the inspection results of each chip, for example, the contents of blobbing, are written.

次に上記ウェハを予め定められた温度雰囲気且つ予め定
められた期間、例えば３００℃、２０分加熱し、さらに
上記ウェハの温度が常温（降下中の温度も含む）に戻し
、各チップの検査、例えばブロービング内容を確認して
良品チップを再確認しているので、高温時での動作補償
したウェハを確保することができ、搭載作業の完全無人
化が図れ、搭載作業における塵埃発生を低減することが
できる。Next, the wafer is heated in a predetermined temperature atmosphere for a predetermined period of time, for example, 300° C. for 20 minutes, and the temperature of the wafer is returned to room temperature (including the temperature during the drop), and each chip is inspected. For example, by checking the contents of the blobbing and reconfirming good chips, it is possible to secure wafers that are compensated for operation at high temperatures, allowing for completely unmanned loading operations and reducing dust generation during loading operations. be able to.

（実施例） 以下、本発明装置をウエハプローバに適用した一実施例
について図面を参照して説明する。(Example) Hereinafter, an example in which the apparatus of the present invention is applied to a wafer prober will be described with reference to the drawings.

上記ウエハプローバは先ず、常温雰囲気内で半導体ウェ
ハの電極パッドにプローブ針を接触させて電気的特性検
査を行ったのち、上記半導体ウェハ（以下、ウェハと略
記する）をベーキング処理して、再び常温雰囲気内で電
気的特性の検査を行う装置である。The above wafer prober first tests the electrical characteristics by contacting the probe needle with the electrode pad of the semiconductor wafer in an atmosphere at room temperature, then bakes the semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as wafer), and then returns it to room temperature. This is a device that tests electrical characteristics in an atmosphere.

上記ウエハプローバ■は、第１図に示すように、大別し
て複数１例えば２ケ所の検査部■と、これら検査部■に
ウェハ■をローディングする搬送部に）とから構成され
ている。As shown in FIG. 1, the wafer prober (2) is roughly divided into a plurality of, for example, two, inspection sections (2) and a transport section (2) for loading wafers (2) onto these inspection sections (2).

上記２ケ所の検査部■、例えば上記搬送部（イ）を中心
にして左側に設けた左検査部（２ａ）と、右側に設けた
右検査部（２ｂ）には、夫々ステージ０面を有した左ス
テージ機構（６ａ）と、右ステージ機構（６ｂ）が夫々
のウエハプローバ■の筐体の基台（７ａ、　７ｂ）上で
平面移動可能にベアリング等を介在して配置されている
。上記左検査部（２ａ）には左ステージ機構（６ａ）の
上方中央部に円形状の貫通孔を有したヘッドプレート（
８ａ）が平行に設けられている。この貫通孔のヘッドプ
レート（８ａ）にはプローブ針（９ａ）をステージ０面
に対向する如くプローブカード（１０ａ）がリングイン
サート（１１）を介在して装着されている。The above two inspection sections (2), for example, the left inspection section (2a) located on the left side of the transport section (A) and the right inspection section (2b) located on the right side, each have a stage 0 surface. A left stage mechanism (6a) and a right stage mechanism (6b) are disposed on the bases (7a, 7b) of the casing of each wafer prober (2) with bearings interposed therebetween so as to be movable in plane. The left inspection section (2a) has a head plate (2a) having a circular through hole in the upper center of the left stage mechanism (6a).
8a) are provided in parallel. A probe card (10a) is attached to the head plate (8a) of this through hole via a ring insert (11) so that the probe needle (9a) faces the stage 0 surface.

上記プローブカード（１０ａ）のプローブ針（９ａ）は
。The probe needle (9a) of the probe card (10a) is.

ステージ（ハ）面上に吸着されたウェハ■と対接して図
示しないテスタで電気的特性検査が実行されるようにな
っている。An electrical characteristic test is performed using a tester (not shown) in contact with the wafer (2) attracted onto the surface of the stage (c).

さらに、上記左検査部（２ａ）と搬送部（イ）との間に
は、搬送部に）から授受したウェハ■を左ステージ機構
（６ａ）のステージ０面に移し替える搬送ロボットの回
転アーム（Ｌ２ａ）が設けられている。この回転アーム
（１２ａ）の先端（１３ａ）にはＵ字状に形成された溝
が設けられている。この先端（１３ａ）面の溝部でウェ
ハ■を吸着して、ステージ０面上に突設した三本ピン（
１４ａ）に移し替えている。また、左ステージ機構（６
ａ）で検査されたウェハ■は、上記回転アーム（１２ａ
）を介在して、ホームポジション位置（１５）まで回転
搬送されるようになっている。Furthermore, between the left inspection section (2a) and the transfer section (a), there is a rotating arm ( L2a) is provided. A U-shaped groove is provided at the tip (13a) of the rotating arm (12a). The groove on this tip (13a) surface attracts the wafer ■, and the three pins protruding from the stage 0 surface (
14a). In addition, the left stage mechanism (6
The wafer ■ inspected in a) is transferred to the rotating arm (12a
), and is rotatably conveyed to the home position (15).

ここで、ホームポジション位Ｆ！（１５）は、ウェハ■
をカセット（１６）から取り出し、プリアライメントす
る位置であると同時に、左ステージ機構（６ａ）側に受
は渡す基準位置である。Here, home position F! (15) is the wafer ■
This is the position where the holder is taken out from the cassette (16) and pre-aligned, and at the same time it is the reference position where the receiver is passed to the left stage mechanism (6a) side.

上記搬送部（イ）は第２図に示すようにウェハ■を複数
枚収納したカセット（１６）を載置する支持台（１７）
と、このカセット（１６）内からウェハ（３）を−枚づ
つ取り出しホームポジション位置（１５）まで搬送し、
ウェハ■をプリアライメントする機構、例えば、ピンセ
ット機４１（１８）と５ウエハ■を１例えば左ステージ
機構（６ａ）から右ステージ機構（６ｂ）に移し替えた
のち、高温処理するためのホットプレート（１９）とか
ら構成されている。上記ピンセット機構（１８）はカセ
ット（１６）からウェハ■を取り出す出入口（１６ａ）
と対向する如く配置されている。そして、ピンセット機
構（１８）はウェハ■を取出し、上昇自在な昇降機構、
例えばサブチャック（２０）の上昇と共にプリアライメ
ントして、回転アーム（１２ａ）を介在させて左ステー
ジ機構（６ａ）のステージ０面に載置するようになって
いる。As shown in Fig. 2, the transport section (a) has a support stand (17) on which a cassette (16) containing a plurality of wafers (1) is placed.
Then, take out the wafers (3) one by one from this cassette (16) and transport them to the home position (15).
A mechanism for pre-aligning the wafer ■, for example, a tweezers machine 41 (18), and a 5 wafer ■ are transferred from the left stage mechanism (6a) to the right stage mechanism (6b), for example, and then a hot plate for high temperature processing ( 19). The tweezers mechanism (18) is an inlet/outlet (16a) for taking out the wafer (■) from the cassette (16).
It is placed so as to face the . Then, the tweezers mechanism (18) takes out the wafer ■, and the elevating mechanism
For example, as the sub-chuck (20) rises, it is pre-aligned and placed on the stage 0 surface of the left stage mechanism (6a) with the rotating arm (12a) interposed.

上記ホットプレート（１９）は、第３図に示すように、
搬送部（イ）の後方に基台（７ａ、　７ｂ）と平行に設
けられている。The hot plate (19), as shown in FIG.
It is provided in parallel with the base (7a, 7b) at the rear of the transport section (a).

そして、後方に待機している位置からホームポジション
位置（１５）の軸中心と同軸になるように移動自在に設
けられている。It is provided movably so as to be coaxial with the axial center of the home position (15) from a waiting position at the rear.

上記ホームポジション位置（１５）に配置されたピンセ
ット機構（１８）は、ウェハ■を高温に加熱させるため
にホームポジション位置（１５）まで移動してくるホッ
トプレー）−（１９）と緩衝しない程度に降下するよう
に制御するようになっている。このピンセット機構（１
８）が降下した後に、上記ホットプレート（１９）はホ
ームポジション位置（１５）に移動するようになってい
る。The tweezers mechanism (18) placed at the home position (15) is moved to the home position (15) in order to heat the wafer (2) to a high temperature. It is designed to control its descent. This tweezers mechanism (1
After the hot plate (19) is lowered, the hot plate (19) is moved to the home position (15).

上記ホットプレート（１９）の請造は、第４図に示すよ
うに、ウェハ■を加熱させる加熱部を上記ホームポジシ
ョン位置（１５）まで搬送させる移動部（２１）と、こ
の移動部（２１）で搬送される平板１例えば幅２５０＋
＋ａＸ長２５０＋ｅＸ厚１５ｍアルミニウム平板（２２
）の頂面に設けられた加熱部（２３）と、この加熱部（
２３）の表面からウェハ■を離間させる離間駆動部（２
４）と、から構成されている。As shown in FIG. 4, the construction of the hot plate (19) includes a moving part (21) that transports the heating part that heats the wafer (1) to the home position (15), and a moving part (21) that transports the heating part that heats the wafer For example, a flat plate 1 conveyed by a width of 250+
+aX length 250+eX thickness 15m aluminum flat plate (22
) and a heating part (23) provided on the top surface of the heating part (
A separation drive unit (23) that separates the wafer ■ from the surface of the
4).

上記移動部（２１）は搬送部に）を中央にして、挟むよ
うに設けた対向面にそれぞれリニアベアリングの片側レ
ール（２５ａ、　２５ｂ）を設け、この片側レール（２
５ａ、　２５ｂ）のＶ溝部にローラベアリング（２６）
を介在させて摺動する勿く平板（２２）の側面を対接さ
せている。この平板（２２）は搬送部に）の後方と、ホ
ームポジション位置（１５）間を往復する如く設けられ
ている。The moving part (21) is provided with one-sided rails (25a, 25b) of linear bearings on opposing surfaces sandwiched between the conveying part (in the center), and these one-sided rails (25a, 25b).
5a, 25b) roller bearing (26) in the V groove part
The sides of the flat plate (22) are brought into contact with each other as well as by sliding with the plate (22) interposed therebetween. This flat plate (22) is provided so as to be able to reciprocate between the rear of the conveyor section and the home position (15).

即ち、上記平板（２２）の底面には下方に向けて突設さ
れたナツト部材（２７）が設けられ、このナツト部材（
２７）にボールスクリュー（２８）と螺合させて、この
ボールスクリュー（２８）と連結したパルスモータ（第
３図（ｂ）中２９）による駆動で平板（２２）を搬送部
に）の後方からホームポジション位ｉ！（１５）まで移
動させるようになっている。That is, a nut member (27) projecting downward is provided on the bottom surface of the flat plate (22).
27) with a ball screw (28), and the flat plate (22) is transferred from the rear of the conveying section by a pulse motor (29 in Fig. 3(b)) connected to the ball screw (28). Home position i! (15).

この駆動は、上述したピンセット機構（第３図中１８）
が降下した状態をセンサで確認したのちに、図示しない
制御部によって行われる。このように設けられた平板（
２２）の頂面には、絶縁体、例えば「雲母」の絶縁体が
加熱部１例えばニクロム線加熱部（２３）を囲むよう設
けられ、この周囲を熱伝導板、例えば幅１５０ｍｍＸ長
１５０ｍｍＸ厚２０ｎｎアルミニューム製ブロック部材
で５表面がカニゼンメツキ処理を施した熱伝導板（３０
）で、上記加熱部（２３）を囲むように固定されている
。This drive is performed by the above-mentioned tweezers mechanism (18 in Figure 3).
This is performed by a control unit (not shown) after the sensor confirms that the robot has descended. A flat plate set up like this (
22), an insulator such as "mica" is provided to surround the heating section 1, for example, the nichrome wire heating section (23), and a heat conductive plate, for example, width 150 mm x length 150 mm x thickness 20 nn is provided around this. Thermal conduction plate (30
), which are fixed so as to surround the heating section (23).

上記離間駆動部（２４）は、上記熱伝導板（３０）頂面
と直交する方向に孔（３１）が複数、例えば３ケ所及び
中空部（３２）が穿設されている。この孔（３１）に摺
動自在なピン、例えば３本ピン（３３）が上下動方向に
設けられている６そして、ウェハ■を支持している反対
端を連結し、この連結した板（３４）が、上下動方向に
移動可能、例えばボールスクリュー（３５）、ナツト（
３５ａ）及び直結したモータ（３６）を介して上下移動
可能に設けられている。The separation driving section (24) has a plurality of holes (31), for example, three holes, and a hollow portion (32) in a direction perpendicular to the top surface of the heat conductive plate (30). A slidable pin, for example, three pins (33), is provided in this hole (31) in the vertical movement direction 6, and the opposite end supporting the wafer (2) is connected, and this connected plate (34 ) is movable in the vertical direction, for example, a ball screw (35), a nut (
35a) and a motor (36) directly connected thereto to allow vertical movement.

このように構成された離間駆動部（２４）は、例えば左
検査部（２ａ）のステージ０面から回転アーム（１２ａ
）を介在させて、上記三本ピン（３３）の先端に支持し
たウェハ■を上下方向に相対的に昇降して熱伝導板（３
０）面に密着させるように構成されている。この密着さ
れたウェハ■は、熱伝導板（３０）の加熱により一定期
間高温処理される。The separation drive unit (24) configured in this way is configured to move the rotary arm (12a) from the stage 0 surface of the left inspection unit (2a), for example.
), the wafer ■ supported at the tips of the three pins (33) is relatively raised and lowered in the vertical direction, and the heat conductive plate (3
0) It is configured to be brought into close contact with the surface. This closely attached wafer (1) is subjected to high temperature treatment for a certain period of time by heating the heat conductive plate (30).

そして高温処理されたウェハ■はホットプレート（１９
）面から離間されて、右検査部（２ｂ）のステージ０面
上に配置されるようになっている。The high-temperature-treated wafer ■ is then placed on a hot plate (19
) surface and is arranged on the stage 0 surface of the right inspection section (2b).

次にウエハプローバ■の検査方法について、第５図に示
すフローチャートを参照して説明する。Next, the inspection method of the wafer prober (1) will be explained with reference to the flowchart shown in FIG.

上記ウエハプローバ■の主電流のスイッチをＯＮ状態に
する。検査されるウェハ、例えばイ・ピ・ロム（ＥＦ　
ＲＯＭ）チップを形成したウェハ、例えば２５枚のウェ
ハ■が収納されたカセット（１６）を支持台（１７）に
載置する。Turn on the main current switch of the wafer prober (2). The wafer to be inspected, e.g.
A cassette (16) containing wafers (ROM) chips formed thereon, for example, 25 wafers (2), is placed on a support stand (17).

そして、予め記憶されたプログラムに従って、ピンセッ
ト機構（１８）をカセット（１６）の出入口側と対向す
る位置に移動する。次にピンセット機構（１８）の取出
しアーム（１８ａ）をカセット（１６）内部に進入させ
る。この取り出しアーム（１８ａ）の先端でウェハ■面
を吸着しホームポジション位置（１５）まで戻す。Then, according to a pre-stored program, the tweezers mechanism (18) is moved to a position facing the entrance/exit side of the cassette (16). Next, the take-out arm (18a) of the tweezers mechanism (18) is advanced into the cassette (16). The tip of the take-out arm (18a) attracts the wafer surface (1) and returns it to the home position (15).

上記ピンセット機構（１８）の取出しアーム（１８ａ）
で取り出されたウェハ■をホームポジション位置（１５
）でサブチャック（２０）の回転と、センサ（図示せず
）によってプリアライメントする。ここで、プリアライ
メント方法は周知なので説明を省略する。Take-out arm (18a) of the tweezers mechanism (18)
The wafer ■ taken out is moved to the home position (15
), the sub-chuck (20) is rotated, and pre-alignment is performed by a sensor (not shown). Here, since the pre-alignment method is well known, its explanation will be omitted.

このプリアライメント（粗位置合わせ）したウェハ■を
左ステージ機ｆａ（６ａ）のステージΩ面に載置して、
アライメント（密位置合わせ）する。このアライメント
後、プローブ針（９ａ）を配置した位置でプローブ針（
９ａ）とウェハ■を接触させて順次チップを検査する。This pre-aligned (roughly aligned) wafer ■ is placed on the stage Ω surface of the left stage machine fa (6a),
Perform alignment (close positioning). After this alignment, the probe needle (9a) is placed at the position where the probe needle (9a) is placed.
9a) and the wafer (2) are brought into contact and the chips are sequentially inspected.

一方、この検査中に搬送部（イ）側では、ピンセット機
１（１８）をホットプレート（１９）と緩衝しない程度
に降下させ、この降下したことを検知するセンサで確認
し、ホームポジション位置（１５）まで移動する。On the other hand, during this inspection, the tweezers machine 1 (18) is lowered to the extent that it does not interfere with the hot plate (19) on the transport section (A) side, and the sensor that detects this lowering is used to confirm the lowering, and the home position ( 15).

このホームポジション位置（１５）まで到達したホット
プレート（１９）は設定条件、例えば３００℃、３０分
の設定条件で加熱部（２３）を通電する。この設定条件
に到達したホットプレート（１９）上に上記左ステージ
機構（６ａ）で検査されたウェハ■を搭載する。The hot plate (19) that has reached the home position (15) energizes the heating section (23) under the set conditions, for example, at 300° C. for 30 minutes. The wafer (2) inspected by the left stage mechanism (6a) is mounted on the hot plate (19) that has reached this setting condition.

ここで、ウェハ■を回転アーム（１２ａ）で搭載してい
る。そして、設定条件での加熱後のウェハ■を、予め記
憶されたプログラムに従って上記回転アーム（１２ｂ）
によって、上記ホットプレート（１９）から右ステージ
機構（２ｂ）のステー２０面上に搬送する。Here, the wafer (1) is mounted on a rotating arm (12a). The wafer (1) after being heated under the set conditions is then moved to the rotating arm (12b) according to a pre-stored program.
The hot plate (19) is transported onto the stay 20 surface of the right stage mechanism (2b).

そルて、ホットプレート（１９）によって加熱された加
熱後のウェハ■は急に常温に降下されず自然降温状態に
ある。この自然降温過程における加熱されたウェハ■の
チップは右検査部（２ｂ）で再度機能検査、例えばメモ
リ機能検査をする。Then, the heated wafer (1) heated by the hot plate (19) is not suddenly lowered to room temperature, but remains in a state of natural temperature cooling. The chips of the heated wafer (2) during this natural temperature cooling process are again subjected to a function test, for example, a memory function test, in the right test section (2b).

上記実施例では、　ＥＦ　ＲＯＭチップに限定するもの
ではなく、ＬＭ、ＲＯＭ、　４Ｍ、ＲＯＭ等の高温処理
して再び検査するウェハであれば良い。このようにして
、ウェハ■の高温処理前後の特性を検査することができ
る。In the above embodiment, the wafer is not limited to EF ROM chips, but may be any wafer such as LM, ROM, 4M, ROM, etc. that is subjected to high-temperature processing and then inspected again. In this way, the characteristics of the wafer (1) before and after high-temperature treatment can be inspected.

上記実施例では複数のステージ機構を用いて説明したが
、ステージ機構と搬送部とが１対となったウエハプロー
バであっても良い。Although the above embodiment has been described using a plurality of stage mechanisms, a wafer prober having a pair of stage mechanism and transport section may also be used.

上記実施例では半導体ウェハについて説明したが、第６
図に示すように、とのウェハ（３）をチップ（３６）状
に分割し、この分割した夫々のチップ（３６ａ）を完成
品ＩＣ製品（３６ｂ）にモールドし、この製品を平面方
向に規則正しく配列したトレー（３７）を左ステージ機
構（３８）に載置し、検査後、上記トレー（３７）ごと
ホットプレート（１９）に搭載し、　トレー（３７）を
介在させて高温処理を行うこともできる。In the above embodiment, a semiconductor wafer was explained, but in the sixth embodiment,
As shown in the figure, the wafer (3) is divided into chips (36), each of the divided chips (36a) is molded into a finished IC product (36b), and this product is regularly distributed in the plane direction. The arrayed trays (37) are placed on the left stage mechanism (38), and after inspection, the trays (37) can also be placed on a hot plate (19) and subjected to high temperature treatment with the trays (37) interposed. can.

上記実施例の効果はステージ機構（６ａ、　６ｂ）を２
ケ所設け、そして、中央に搬送部を配置しているので、
何れか一方のステージ機構側で検査した後、別のステー
ジ機構に向けて搬送するに際し、この搬送する途中でホ
ットプレー１−（１９）によって高温処理を行っている
ので、一方のステージ機構側で検査されたウェハ■を高
温処理まで人為的に搬送することがなくなるので自動化
が出来る。The effect of the above embodiment is that the stage mechanism (6a, 6b) is
There are two locations, and the transport section is located in the center, so
After inspecting one of the stage mechanisms, when transporting it to another stage mechanism, the hot plate 1-(19) performs high-temperature treatment during the transport. Automation is possible since the inspected wafer (1) does not need to be manually transported to high-temperature processing.

また、最初の検査で不良と判定されたチップを次の検査
では新たに検査することなく除いて、次のチップを検査
することができるので生産性の向上を図り、スループッ
トの向上につながる。In addition, chips that are determined to be defective in the first test can be removed in the next test without being tested again, and the next chip can be tested, which improves productivity and leads to improved throughput.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は本発明装置をウエハプローパに用いた一実施例
を説明するための全体説明図、第２図は第１図の搬送部
の配置及び移動する状態を説明するための部分拡大説明
図、第３図は第１図のホットプレートの移動状態を説明
するための部分拡大説明図、第４図は第１図のホットプ
レートの構造を説明するためのホットプレート部分拡大
説明図、第５図は第１図のウエハプローバの動作を説明
するためのフローチャツト図である。第６図は本発明装
置をデバイスプローバに用いた他の一実施例を説明する
ためのデバイス配列説明図である。 ２２・・・平板、　　　　　　２３・・・加熱部、２４
・・・離間駆動部、　　　２５ａ、ｂ・・・片側レール
、２６・・・ローラベアリング、２７・・・ナツト部材
、２８・・・ボールスクリュー、２９・・・モータ、３
０・・・熱伝導板、　　　　３１・・・孔。 ３２・・・中空部、　　　　　３３・・・ピン、３４・
・・板。 第２図 （ａ） 宵１図 （ａ） 〆 ４仰孟部 ２８　ｚ７ 第 図 第 図FIG. 1 is an overall explanatory diagram for explaining an embodiment in which the present invention device is used in a wafer properr, and FIG. 2 is a partially enlarged explanatory diagram for explaining the arrangement and moving state of the transport section in FIG. 1. FIG. 3 is a partially enlarged explanatory diagram for explaining the moving state of the hot plate in FIG. 1, FIG. 4 is a partially enlarged explanatory diagram for explaining the structure of the hot plate in FIG. 1, and FIG. 2 is a flowchart diagram for explaining the operation of the wafer prober of FIG. 1. FIG. FIG. 6 is an explanatory diagram of a device arrangement for explaining another embodiment in which the apparatus of the present invention is used as a device prober. 22... Flat plate, 23... Heating section, 24
... Separation drive unit, 25a, b... One side rail, 26... Roller bearing, 27... Nut member, 28... Ball screw, 29... Motor, 3
0... Heat conduction plate, 31... Hole. 32...Hollow part, 33...Pin, 34...
...board. Figure 2 (a) Figure 1 (a) 〆4 Elevation part 28 z7 Figure Figure Figure

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 常温状態で半導体ウェハの特性を検査する工程と、この
工程の後、半導体ウェハを予め定められた温度雰囲気で
、予め定められた期間設定する工程と、この工程の後、
常温状態で上記半導体ウェハの検査をする工程とを具備
している半導体ウェハの検査方法。A step of inspecting the characteristics of the semiconductor wafer at room temperature, a step of setting the semiconductor wafer in a predetermined temperature atmosphere for a predetermined period of time, and after this step,
A method for inspecting a semiconductor wafer, comprising the step of inspecting the semiconductor wafer at room temperature.