JPH02100379A - Photo-detector - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信、光計測その他に利用する。特に、１μ
ｍを越える長波長帯に分光感度をもつ受光素子に関する
。さらに詳しくは、Ｉ−Ｖ族生導体結晶のへテロ接合を
用いた受光素子の分光感度波長帯域の拡大に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is used in optical communication, optical measurement, and other fields. In particular, 1μ
The present invention relates to a light receiving element having spectral sensitivity in a long wavelength band exceeding m. More specifically, the present invention relates to expanding the spectral sensitivity wavelength band of a light receiving element using a heterojunction of an IV group bioconductor crystal.
本発明は、Ｇａｘｌｎｔ−ＨＡｓを光吸収層として用い
た受光素子に右いて、
キャップ層に光吸収層と格子定数が一致する組成のＡ
Ｉ！ 、Ｉｎ、−ｙＡｓを用いることにより、キャップ
層による短波長側の吸収を低減して分光感度波長帯域を
拡大するものである。The present invention provides a light-receiving element using Gaxlnt-HAs as a light absorption layer, in which the cap layer has an A of a composition whose lattice constant matches that of the light absorption layer.
I! , In, and -yAs are used to reduce absorption on the short wavelength side by the cap layer and expand the spectral sensitivity wavelength band.
１μｍを越える長波長帯に分光感度をもつ受光素子の材
料として、従来から、特殊な場合を除き、ゲルマニウム
Ｇｅあるいはガリウム・インジウム・ヒ素・リンＧａ１
ｎＡｓＰが用いられている。特にＧａＸＩｎ＋−ｙＡｓ
、Ｐ Ｉ−ｙ （Ｘ 、’ｌは混晶比を示す）は、ソノ
混晶比を選択することにより、ＩｎＰ結晶と格子定数を
一致させた状態で、バンドギャップエネルギを変化させ
ることができる。これにより、ＩｎＰ結晶基板上に、は
ぼ１−１．７μｓの波長帯において分光感度を示す光吸
収層をエピタキシャル成長させることができる。Conventionally, except in special cases, germanium Ge or gallium, indium, arsenic, and phosphorus Ga1 have been used as materials for light receiving elements with spectral sensitivity in the long wavelength band exceeding 1 μm.
nAsP is used. Especially GaXIn+-yAs
, P I-y (X, 'l indicates the mixed crystal ratio), the band gap energy can be changed with the lattice constant matching that of the InP crystal by selecting the sono mixed crystal ratio. . Thereby, it is possible to epitaxially grow a light absorption layer exhibiting spectral sensitivity in a wavelength band of about 1-1.7 μs on the InP crystal substrate.
さらに、Ｇａｘｌｎ＋−ＫＡｓｙＰ＋−ｙ光吸収層上に
ＩｎＰキャップ層を形成した受光素子も知られている。Furthermore, a light-receiving element in which an InP cap layer is formed on a Gaxln+-KAsyP+-y light absorption layer is also known.
このキャップ層は、光吸収層で発生した小数キャリアが
表面再結合により消失することを防止し、光電流の減少
を防止するためのものである。このキャップ層は、光吸
収層が分光感度を示す波長帯に対して透明なものが用い
られる。このような構造を用いることにより、最近では
、Ｇｅ受光素子よりも暗電流、周波数応答特性、増倍雑
音特性その他の電気的特性に優れ、しかも１．５ＪＪＢ
より長波長側の分光感度特性に優れたＧａｘｌｎ＋−＋
１ＡｓｙＰ ｌ−７受光素子が公知となっている。この
ような素子の例は、伊藤良−監修、「化合物半導体デバ
イスハンドブック」、■サイエンスフォーラム刊、昭和
６１年９月２０日発行
に示されている。This cap layer is for preventing minority carriers generated in the light absorption layer from disappearing due to surface recombination and for preventing a decrease in photocurrent. This cap layer is transparent to the wavelength band in which the light absorption layer exhibits spectral sensitivity. Recently, by using such a structure, it has been found that it has better dark current, frequency response characteristics, multiplication noise characteristics, and other electrical characteristics than Ge photodetectors, and also has 1.5 JJB.
Gaxln+-+ with excellent spectral sensitivity characteristics on the longer wavelength side
1AsyP l-7 light receiving element is known. An example of such a device is shown in "Compound Semiconductor Device Handbook" edited by Ryo Ito, published by Science Forum, September 20, 1986.
特に、混晶比をｘ ＝０．４７、ｙ＝１とした場合、す
なわちＧａｏ、 、フｌｎｏ、 ５３ＡＳの場合には、
ＩｎＰ結晶と格子定数を一致させたままで、最もバンド
ギャップエネルギを小さくできる。このときのバンドギ
ャップエネルギは室温で０゜７５ｅＶであり、約１．７
μｍまでの波長に対して分光感度を示す。In particular, when the mixed crystal ratio is set to x = 0.47 and y = 1, that is, in the case of Gao, , Fullno, 53AS,
The band gap energy can be minimized while keeping the lattice constant consistent with that of the InP crystal. The band gap energy at this time is 0°75 eV at room temperature, which is about 1.7
Shows spectral sensitivity to wavelengths up to μm.
また、Ｇａａ、２１１ｒｎＯ，’＋２Ａｓを光吸収層に
用いた受光素子が、
マキタ他、エレクトロニクス・レターズ、第２４巻第７
号第３７９頁、１９８８年（Ｋ１Ｍ＾にＩＴＡ ｅｔ
ａｌ、。In addition, a light-receiving element using Gaa, 211rnO,'+2As as a light absorption layer was published by Makita et al., Electronics Letters, Vol. 24, No. 7.
No. 379, 1988 (ITA et
al.
Ｂｌｅｃｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ、、 ２４（７）、
３７９ （１９８８））に提案されている。Ｇａｏ、
２ｅｌｎｏ、 ｔ２Ａｓのバンドギャップエネルギは
約０．５５ｅＶであり、この材料を用いることにより、
分光感度をさらに長波長側に広げることができる。Blectron, Lett,, 24(7),
379 (1988)). Gao,
The bandgap energy of 2elno, t2As is about 0.55 eV, and by using this material,
Spectral sensitivity can be further extended to longer wavelengths.
第６図にマキタ他により提案された受光素子の断面構造
を示す。FIG. 6 shows a cross-sectional structure of a light receiving element proposed by Makita et al.
基板結晶としては、ＩｎＰ基板１にＩｎＰ層２を成長さ
せたものが用いられる。この基板結晶のＩｎＰと光吸収
層４′のＧａｏ、ｚ＠ｌｎｏ、 ？２ＡＳとは格子定数
が一致しないので、これらの間には緩衝層３′が設けら
れる。緩衝層３′は、ＩｎＡＳ、Ｐ＋−ｙの混晶比ｙを
除々に変化させることにより、ＩｎＰ層２と光吸収層４
′との間の格子定数の不整合を吸収する。As the substrate crystal, an InP substrate 1 on which an InP layer 2 is grown is used. InP of this substrate crystal and Gao of the light absorption layer 4', z@lno, ? Since the lattice constants do not match that of 2AS, a buffer layer 3' is provided between them. The buffer layer 3' is formed by gradually changing the mixed crystal ratio y of InAS and P+-y to form the InP layer 2 and the light absorption layer 4.
′ is absorbed.
光吸収層４′の上には、格子定数がこの光吸収層４′の
格子定数値と一致するＩｎＡｓｏ、 ｚ３Ｐｏ、８フキ
ャップ層５′が設けられる。このキャップ層５′内に亜
鉛拡散領域６′が設けられ、この亜鉛拡散領域６′の表
面にオーミック電極７が設けられる。On the light absorption layer 4', an InAso, z3Po, 8-fucap layer 5' whose lattice constant matches the lattice constant value of the light absorption layer 4' is provided. A zinc diffusion region 6' is provided within this cap layer 5', and an ohmic electrode 7 is provided on the surface of this zinc diffusion region 6'.
オーミック電極７以外のキャップ層５′の表面は、反射
防止膜８により被覆される。基板結晶の裏側にもオーミ
ック電極９が設けられる。The surface of the cap layer 5' other than the ohmic electrode 7 is covered with an antireflection film 8. An ohmic electrode 9 is also provided on the back side of the substrate crystal.
第７図は、Ｇａ、Ｍ・Ｉｎ、・＾Ｓの混晶比Ｘ′と格子
定数およびバンドギャップエネルギとの関係、ならびに
ＩｎＡｓ、Ｐ＋−ｙの混晶比ｙと格子定数との関係を示
す。この図では、見易さのため、上述した混晶比Ｘでは
なく、混晶比ｘ’＝ｌ−ｘを用いた。Figure 7 shows the relationship between the mixed crystal ratio X', lattice constant, and band gap energy of Ga, M.In, and .^S, and the relationship between the mixed crystal ratio y and lattice constant of InAs and P+-y. . In this figure, for ease of viewing, the mixed crystal ratio x'=l−x is used instead of the above-mentioned mixed crystal ratio X.
図かられかるように、ＩｎＡｓｙＰｌ−、の混晶比ｙを
０から０．３３に変化させることにより、その格子定数
をＩｎＰの格子定数値からＧａｏ、 ２ａｌｎｏ、 ｔ
□Ａｓの格子定数値に変化させることができる。As can be seen from the figure, by changing the mixed crystal ratio y of InAsyPl- from 0 to 0.33, its lattice constant can be changed from the lattice constant value of InP to Gao, 2alno, t
□It is possible to change the lattice constant value of As.
光吸収層としてＧａｏ、４ｔｌｎｏ、 ５３ＡＳを用い
た受光素子と、Ｇａｏ、 ２ｓｌｎｏ、 ？２ＡＳを用
いた受光素子とについて、その相対量子効率を第４図に
示す。前者の素子については化合物半導体デバイスハン
ドブックから引用し、後者の素子については実測した値
を示す。A light receiving element using Gao, 4tlno, 53AS as a light absorption layer, Gao, 2slno, ? FIG. 4 shows the relative quantum efficiency of the light receiving element using 2AS. The former element is quoted from the Compound Semiconductor Device Handbook, and the latter element is an actually measured value.
しかし、Ｇａｏ、ｉフｉｎｎ、 ｓ＊Ａｓを光吸収層と
して用いた受光素子では、例えば光通信で用いられる１
、５５μｓ付近で分光感度が急激に劣化する欠点があっ
た。However, in a light-receiving element using Gao, i-fin, or s*As as a light absorption layer, for example, 1
, there was a drawback that the spectral sensitivity deteriorated rapidly around 55 μs.
これは、この波長が、Ｇａｏ、 ４ｔｌｎｏ、 ５３Ａ
Ｓのバンドギャップエネルギに対応する吸収端に近いか
らである。しかも、１．５５μｍ付近の波長では、バン
ドギャップエネルギの温度変化による吸収端の変化のた
めに、分光感度（光吸収係数）の温度依存性が大きくな
る欠点があった。This means that this wavelength is Gao, 4tlno, 53A
This is because it is close to the absorption edge corresponding to the bandgap energy of S. Furthermore, at a wavelength around 1.55 μm, there is a drawback that the temperature dependence of the spectral sensitivity (light absorption coefficient) increases due to changes in the absorption edge due to temperature changes in the band gap energy.
また、Ｇａｏ、 ２ｓｌｎｏ、 ７２ＡＳを光吸収層ト
シテ用イタ受光素子では、分光感度が長波長側に広がる
ものの、Ｇａｏ、ｔｌｎｏ、５３ＡＳを用いた場合に得
られる分光感度波長帯域に対して分光感度が低く、光通
信で使用されるもうひとつの波長帯、すなわち１゜３μ
０の波長帯を受光できない欠点があった。また、このよ
うな素子を製造する場合に、エピタキシャル成長時にお
ける組成制御のために、蒸気圧の高いＡｓとＰとの制御
を同時に行う必要があり、製造工程が複雑となる欠点が
あった。In addition, although the spectral sensitivity of Gao, 2slno, and 72AS in the light-absorbing layer is expanded toward longer wavelengths, the spectral sensitivity is lower than the spectral sensitivity wavelength band obtained when Gao, tlno, and 53AS are used. Another wavelength band used in optical communications is low, i.e. 1°3μ.
There was a drawback that it could not receive light in the 0 wavelength band. Furthermore, when manufacturing such a device, it is necessary to simultaneously control As and P, which have high vapor pressures, in order to control the composition during epitaxial growth, which has the disadvantage of complicating the manufacturing process.
本発明は、以上の問題点を解決し、分光感度波長帯域が
広く、しかも製造が容易な受光素子を提供することを目
的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above problems and provide a light-receiving element that has a wide spectral sensitivity wavelength band and is easy to manufacture.
本発明の受光素子は、光吸収層にＧａ、Ｉｎ＋ ｌｌＡ
ｓを用い、キャップ層に、光吸収層と格子定数が一致す
る組成のＡβｙｌｎｌ−ｙＡｓを用いたことを特徴とす
る。The light receiving element of the present invention includes Ga, In+ llA in the light absorption layer.
The present invention is characterized in that Aβylnl-yAs having a composition whose lattice constant matches that of the light absorption layer is used for the cap layer.
混晶比Ｘの値は、０．２８〜０．４７の範囲で選ぶこと
が特に有効である。It is particularly effective to select the value of the mixed crystal ratio X within the range of 0.28 to 0.47.
Ａ Ｒ、Ｉｎ、−ｙＡｓは、混晶比ｙの値によりその格
子定数をＧａＭＩｎ＋−１ｌＡｓの格子定数に一致させ
ることができ、しかもバンドギャップエネルギが大きい
。The lattice constant of AR, In, -yAs can be made to match the lattice constant of GaMIn+-11As depending on the value of the mixed crystal ratio y, and moreover, the band gap energy is large.
そこで、Ｇａｘｌｎ＋−）ＪＡＳの光吸収層にＡ Ｉ！
ｙＩｎ、−ｙＡｓのキャップ層を組合わせる。Therefore, AI!
Combine cap layers of yIn and -yAs.
光吸収層としてＧａｘｌｎ＋−ＸＡＳを用いることによ
り、分光感度波長帯を長波長側に広げることができる。By using Gaxln+-XAS as the light absorption layer, the spectral sensitivity wavelength band can be expanded to the long wavelength side.
また、キャップ層としてＡ ｌ ｙＩｒ＋、−ｙＡｓを
用いることにより、比較的短い波長まで光吸収層に透過
させることができ、分光感度波長帯を短波長側に広げる
ことができる。Further, by using AlyIr+, -yAs as the cap layer, it is possible to transmit light up to a relatively short wavelength through the light absorption layer, and the spectral sensitivity wavelength band can be expanded to the short wavelength side.
混晶比Ｘの値は、所望の分光感度が得られる波長特性か
ら定めることができる。混晶比ｙの値はこれに応じて格
子定数が一致するように定める。The value of the mixed crystal ratio X can be determined from the wavelength characteristics that provide the desired spectral sensitivity. The value of the mixed crystal ratio y is determined accordingly so that the lattice constants match.
すなわち、分光感度が得られる長波長側の限界は、光吸
収層のバンドギャップエネルギにより定まる。このバン
ドギャップエネルギは混晶比Ｘの二次式として表される
ので、所望の波長に対して二次方程式を解くことにより
混晶比Ｘが定まる。That is, the limit on the long wavelength side at which spectral sensitivity can be obtained is determined by the bandgap energy of the light absorption layer. Since this band gap energy is expressed as a quadratic equation of the mixed crystal ratio X, the mixed crystal ratio X is determined by solving the quadratic equation for a desired wavelength.
このとき、格子定数は混晶比Ｘの一次式として定まる。At this time, the lattice constant is determined as a linear expression of the mixed crystal ratio X.
この格子定数に対応するｙの値は一次式として定めるこ
とができる。The value of y corresponding to this lattice constant can be determined as a linear equation.
また、蒸気圧の高い物質はＡｓだけであり、エピタキシ
ャル成長時の組成制御が容易である。Furthermore, since As is the only substance with a high vapor pressure, the composition can be easily controlled during epitaxial growth.
第１図は本発明第一実施例受光素子の断面図である。こ
の実施例は、本発明をブ多−す形の受光素子で実施した
ものである。FIG. 1 is a sectional view of a light receiving element according to a first embodiment of the present invention. In this embodiment, the present invention is implemented using a multi-blade type light receiving element.
この受光素子は、基板結晶と、入射光を吸収するＧａ、
Ｉｎ 、ｙＡｓ光光吸収層上、基板結晶の格子定数と
光吸収層４の格子定数との間の格子不整合を吸収する緩
衝層３と、光吸収層４０表面に形成され、入射光を透過
するとともに光吸収層４で発生した小数キャリアの表面
再結合を防止するキャップ層５とを備える。ここで本実
施例の特徴とするところは、キャップ層５が、光吸収層
４と格子定数が一致する組成の＾βｙｌｎ＋−ｙＡＳに
より形成されたことにある。This light-receiving element consists of a substrate crystal, Ga that absorbs incident light,
A buffer layer 3 is formed on the In, yAs light absorption layer to absorb the lattice mismatch between the lattice constant of the substrate crystal and the lattice constant of the light absorption layer 4, and a buffer layer 3 is formed on the surface of the light absorption layer 40 to transmit incident light. It also includes a cap layer 5 that prevents surface recombination of minority carriers generated in the light absorption layer 4. The feature of this embodiment is that the cap layer 5 is formed of ^βyln+-yAS having a composition whose lattice constant matches that of the light absorption layer 4.
この実施例では、基板結晶として、ｎ形１ｎＰ基板ｌに
ＩｎＰ層２を１μ山未満の厚さにエピタキシャル成長さ
せたものを用いる。ＩｎＰ層２は、アンドープ、または
イオウＳ１スズＳｎその他のｎ形不純物が添加される。In this embodiment, the substrate crystal used is an n-type 1nP substrate 1 on which an InP layer 2 is epitaxially grown to a thickness of less than 1 μm. The InP layer 2 is undoped or doped with sulfur, S1, tin, and other n-type impurities.
緩衝層３は、Ｇａ、Ｉｎ＋−１１Ａｓの混晶比Ｘが除々
に変化するように形成され、アンドープまたはｐ形不純
物が添加される。キャップ層５は、アンドープまたはｐ
形不純物が添加される。The buffer layer 3 is formed so that the mixed crystal ratio X of Ga and In+-11As gradually changes, and is undoped or doped with p-type impurities. The cap layer 5 is undoped or p
form impurities are added.
また、キャップ層５内には例えば亜鉛を拡散させたｐ形
不純物拡散領域６が設けられ、このｐ形不純物拡散領域
６の表面にオーミック電極７が設けられる。オーミック
電極７以外のキャップ層５の表面は、反射防止膜８によ
り被覆される。基板結晶の裏側にもオーミック電極９が
設けられる。Further, a p-type impurity diffusion region 6 in which, for example, zinc is diffused is provided in the cap layer 5, and an ohmic electrode 7 is provided on the surface of this p-type impurity diffusion region 6. The surface of the cap layer 5 other than the ohmic electrode 7 is coated with an antireflection film 8. An ohmic electrode 9 is also provided on the back side of the substrate crystal.
次にこの素子の動作について説明する。Next, the operation of this element will be explained.
反射防止膜８を透過した入射光は、約１μｍ以上の波長
の光に対して透明なキャップ層５を透過し、光吸収層４
に達する。光吸収層４のバンドギャップエネルギに対応
する波長２μｍ以下の短波長の光は、光吸収層４に吸収
される。このとき、接合によって生じた空乏層とこの空
乏層の端から小数キャリアの拡散長以内の領域とで発生
した電子と正孔とが、空乏層内の電界で分離されてドリ
フトし、光電流としてオーミック電極７．９から取り出
される。The incident light that has passed through the antireflection film 8 passes through the cap layer 5, which is transparent to light with a wavelength of about 1 μm or more, and then passes through the light absorption layer 4.
reach. Light with a short wavelength of 2 μm or less corresponding to the bandgap energy of the light absorption layer 4 is absorbed by the light absorption layer 4 . At this time, electrons and holes generated in the depletion layer created by the junction and the region within the diffusion length of the minority carrier from the edge of this depletion layer are separated by the electric field in the depletion layer and drift, resulting in photocurrent. It is taken out from the ohmic electrode 7.9.
キャップ層５は、吸収端の約１μのより短波長側の光を
吸収してしまうが、約１μｍ以上の長波長側の光をほと
んど透過するため、窓層となる。１．５μｍ以下の波長
帯域では、光吸収層４あ吸収係数がほとんどｌ ｘｌＯ
’ Ｃｍ−’以上と大きくなるため、吸収長が短くなる
。このため、光吸収による小数キャリアの発生が表面近
傍に限られる。The cap layer 5 absorbs light on the shorter wavelength side of about 1 μm at the absorption edge, but transmits almost all light on the longer wavelength side of about 1 μm or more, so it becomes a window layer. In the wavelength band of 1.5 μm or less, the absorption coefficient of the light absorption layer 4 is almost lxlO
Since it becomes larger than 'Cm-', the absorption length becomes short. Therefore, generation of minority carriers due to light absorption is limited to the vicinity of the surface.
キャップ層５がない場合には、光吸収層４の表面再結合
のために、光吸収により発生した小数キャリアが表面準
位により消滅し、空乏層へ拡散して光電流となる割合が
減る。この現象については、例えば、
米津宏雄著、「光通信素子光学−発光・受光素子−」第
２版第３４２頁、光学図書■刊（昭和５９年１２月１５
日）
に詳しく説明されている。In the absence of the cap layer 5, minority carriers generated by light absorption are annihilated by surface states due to surface recombination of the light absorption layer 4, and the proportion of them diffusing into the depletion layer and becoming photocurrent is reduced. Regarding this phenomenon, for example, Hiroo Yonezu, "Optical communication device optics - light emitting and light receiving elements -" 2nd edition, p.
(Japanese) is explained in detail.
キャップ層５を設けることにより、吸収層で発生した小
数キャリアがペテロ接合の障壁を乗り越えることがほと
んどできなくなり、キャップ層５における表面再結合の
影響を防ぐことができる。By providing the cap layer 5, minority carriers generated in the absorption layer are hardly able to overcome the barrier of the Peter junction, and the influence of surface recombination in the cap layer 5 can be prevented.
ここで、約２μｍまでの長波長側に分光感度波長帯をも
つ受光素子を実現する場合について説明する。Here, a case will be described in which a light receiving element having a spectral sensitivity wavelength band on the long wavelength side up to about 2 μm is realized.
波長λ＝２μωとすると、これに対応するバンドギャッ
プエネルギＥ、は、
Ｅ９＝ １．２３９８１／λ＝０．６２ｅＶ −−（
１）となる。このバンドギャップエネルギＥ、に対応す
る光吸収層４ （アンドープ）の混晶比Ｘは、Ｅ ９
（ＧａＪｎ＋−ＸＡＳ）
＝０．３６ ＋０．６２９ ｘ ＋０．４３６ ｘ ２
＝０．６２ ・ （２）に
より求められる。ただし、これはｒ点の値である。した
がって、
Ｘζ０．３３
が得られる。このとき格子定数ａは、
ａ （ＧａｘＩｎ１−、ｌＡｓ：ａ＝０．３３）＝６
．０５８４−０．４０５１ ｘ
＝５．９２４７１７ Ｃ人〕 ・−・−
・・（３）となる。ＪｎＰの格子定数をａ （ＩｎＰ）
＝５．８６８７５人とすると、ＩｎＰ層２と光吸収層
４との間の格子不整合Δａ ／ ａは、
Δａ ／ ａ ＝ （５，９２４７１７−５，８６８７
５） １５．８６８７５＝ ９．５４ Ｘ １０− ’
−（４）となる。If the wavelength λ=2μω, the corresponding bandgap energy E is E9=1.23981/λ=0.62eV --(
1). The mixed crystal ratio X of the light absorption layer 4 (undoped) corresponding to this band gap energy E is E 9
(GaJn+-XAS) =0.36 +0.629 x +0.436 x 2
=0.62 ・Calculated by (2). However, this is the value at point r. Therefore, Xζ0.33 is obtained. At this time, the lattice constant a is a (GaxIn1-, lAs: a=0.33)=6
．． 0584-0.4051 x =5.924717 C person] ・−・−
...(3). The lattice constant of JnP is a (InP)
= 5.86875 people, the lattice mismatch Δa/a between the InP layer 2 and the light absorption layer 4 is Δa/a = (5,924717-5,8687
5) 15.86875= 9.54 X 10-'
-(4).
この格子不整合を吸収するために、ＩｎＰ層２と光吸収
層４との間に、Ｇａｘｌｎ＋−ｙＡｓの混晶比７がＸ＝
０．４７からＸ＝Ｏ１３３まで除々に変化する緩衝層３
をアンドープで、またはｐ形不純物を添加してエピタキ
シャル成長させる。In order to absorb this lattice mismatch, a mixed crystal ratio of 7 of Gaxln+-yAs is set between the InP layer 2 and the light absorption layer 4, where X=
Buffer layer 3 gradually changing from 0.47 to X=O133
is grown undoped or epitaxially with p-type impurities added.
光吸収層４の上には、この光吸収層４と格子定数が一致
するＡｊ７．Ｉｎ、 ｙＡｓキャップ層５を成長させる
。混晶比ｙは、
ａ （Ａ ｌ ｙＩｎ、ｙＡｓ） ＝６．０５８４ ０
゜３９７９ ｙ＝５．９２４７１７ Ｃ人〕
・ ・ （５）
から、
ｙ ＝ ０．３３６ −− （６
）と選択される。Ａ Ｉ！ ｙｌｒ＋＋−ｙＡＳ： ｙ
＝０．３３６のｒ点におけるバンドギャップエネルギ
は、
Ｅ 、 （Ａ １２ 、Ｉｒ＋、−ｙＡｓ： ｙ ＝０
．３３６）＝０．３６＋２．０１６ｙ＋０．６９８ｙ’
＝１．１１６ ［ｅＶ：］ −−（
７）となる。これに対応する吸収端波長は、（１）式か
らλ＝１．１１−となる。Aj7. on the light absorption layer 4 has a lattice constant that matches that of the light absorption layer 4. An In, yAs cap layer 5 is grown. The mixed crystal ratio y is a (A lyIn, yAs) = 6.0584 0
゜3979 y=5.924717 C person] ・ ・ From (5), y = 0.336 -- (6
) is selected. AI! ylr++-yAS: y
The bandgap energy at the r point of =0.336 is E, (A12, Ir+, -yAs: y =0
．． 336)=0.36+2.016y+0.698y'
=1.116 [eV:] --(
7). The absorption edge wavelength corresponding to this becomes λ=1.11− from equation (1).
以上の計算において、バンドギャップエネルギの計算に
ついては、
ナホリイ他、アプライド・フィジクス・レターズ第３３
巻第７号第６５９頁、１９７８年（ＲｌＢ、 Ｎａｈｏ
ｒｙｅｔ ａｔ、、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔｌ
、 ３３（７）、 ６５９ （１９７８））によった。Regarding the calculation of the bandgap energy in the above calculation, see Nahori et al., Applied Physics Letters No. 33.
Vol. 7, No. 659, 1978 (RlB, Naho
ryet at,, Appl, Phys, Lettl
, 33(7), 659 (1978)).
また、格子定数の計算については、ムーン他、ジャーナ
ル・オブ・エレクトロニクス・マテリアルズ第３巻第６
３５頁、１９７４年（Ｒ。Regarding the calculation of lattice constants, see Moon et al., Journal of Electronic Materials, Vol. 3, No. 6.
35 pages, 1974 (R.
Ｌ９Ｍｏｏｎ ｅｔ ａｌｌＪ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、Ｍ
ａｔｅｒ、、 ３３．５３５によった。L9Moon et allJ, Electron, M
ater,, 33.535.
第２図および第３図に、混晶比ｘ、ｙの変化に対するＧ
ａＸＩｎ＋−）ＩＡｓおよびＡ ｌ ｙｌｎ＋−ｙＡＳ
のバンドギャップエネルギの変化および格子定数の変化
について、（２）、〔３〕、（５）および（７）式を用
いて得られた計算値を示す。Figures 2 and 3 show the G
aXIn+-)IAs and Alyln+-yAS
Calculated values obtained using equations (2), [3], (5), and (7) are shown for changes in band gap energy and changes in lattice constant.
また、第２図には、ｒ点だけでなく、Ｘ点のバンドギャ
ップエネルギ
Ｅ、（Ｇａｘ［ｎ＋−ＸＡｓ） ＝１．８＋０．１ｘ
〔８）Ｅ、（＾ｊ２ｙ（ｎ＋−ｙＡ
ｓ）＝１．８＋０．３６’／ （９）についても
示した。ｒ点のバンドギャップエネルギがＸ点のそれよ
り小さいときには、直接遷移の領域であり、直接バンド
間遷移で光の吸収が起きる。Also, in Fig. 2, the bandgap energy E of not only the r point but also the X point, (Gax[n+-XAs) = 1.8 + 0.1x
[8) E, (^j2y(n+-yA
s)=1.8+0.36'/ (9) is also shown. When the bandgap energy of point r is smaller than that of point X, it is a direct transition region, and light absorption occurs due to direct interband transition.
エピタキシャル成長の方法としては、従来から用いられ
ている液晶成長法、気相成長法その他を使用することが
できる。エピタキシャル成長については、例えば、
河東田隆著、［半導体エピタキシー技術」第３版、産業
図書■刊（昭和６０年７月５日）に詳しく説明されてい
る。As a method for epitaxial growth, conventionally used liquid crystal growth methods, vapor phase growth methods, and other methods can be used. Epitaxial growth is explained in detail in, for example, "Semiconductor Epitaxy Technology", 3rd edition, written by Takashi Kawatoda, published by Sangyo Tosho (July 5, 1985).
光吸収層４にＧａｏ、 ｚａｌｎｏ、 ６７ＡＳを用い
、キャップ層５にＡ ｌ Ｏ，３３６Ｉｎ０．６８４Ａ
Ｓを用いた受光素子の相対量子効率（分光感度特性）を
第４図に示す。Gao, Zalno, 67AS was used for the light absorption layer 4, and AlO, 336In0.684A was used for the cap layer 5.
The relative quantum efficiency (spectral sensitivity characteristics) of a light receiving element using S is shown in FIG.
第５図は本発明第二実施例受光素子の断面図である。こ
の実施例は、本発明をメサ形の受光素子で実施したもの
であり、緩衝層３、光吸収層４、およびｐ形不純物拡散
領域６を含むキャップ層５がメサ形に形成されているこ
とが第一実施例と異なる。FIG. 5 is a sectional view of a light receiving element according to a second embodiment of the present invention. In this example, the present invention is implemented in a mesa-shaped light receiving element, and a cap layer 5 including a buffer layer 3, a light absorption layer 4, and a p-type impurity diffusion region 6 is formed in a mesa shape. is different from the first embodiment.
以上の実施例では基板結晶としてＩｎＰを用いたが、シ
リコンＳ１１ガリウム・ヒ素ＧａＡｓその他の結晶を用
いても本発明を同様に実施できる。また、緩衝層３とし
ては、基板結晶の材料に対応して、（１） ＧａＡｓ
／ＧａＸＩｎ＋−、ＩＰ超格子層、（２）ＡβＡｓ／Ｇ
ａＡｓ超格子層、
（３） ＧａＰ／ＧａＡｓＰとＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ
との超格子層その他の歪超格子や、
（４）Ａ１＾ｓ／ＩｎＰの二層膜、
（５） ＩｎＡｓ、Ｐ＝、の混晶比Ｘを除々に変化さ
せた層
などを用いても本発明を同様に実施できる。（１）、（
２）の超格子層については、それぞれ、ラゼギ他、アプ
ライド・フィジクス・レターズ第５２巻第３号第２０９
頁、１９８８年（Ｍ、 Ｒａｚｅｇｈ Ｉｅｔａｌ、、
Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、 ５２（３）、
２０９ （１９８８））、ホドソン他、エレクトロニク
ス・レターズ第２３巻第２０号第１０９４頁、１９８７
年（Ｐ、Ｄ、 ｔｌｏｄｓｏｎ ｅｔａｌ、、８１ｅｃ
ｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ、、 ２３（２０）、 １０
９４ （１９８７））に詳しく説明されている。また
、（３〕の超格子層については、
梅野正義他、応用物理、第５５巻第７９１頁、１９８６
年、または
梅野正義他、電子情報通信学会誌、第７０巻第２号第１
６９頁、昭和６２年
に詳しく説明されている。（４）の二層膜については、
リー他、アプライド・フィジクス・レターズ第５２巻第
１１号第８８０頁、１９８８年（Ｍ、に、Ｌｅｅ ｅ
ｔａｌ、、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、５２
（１１）、 ８８０ （１９８８））ホリカワ他、アプ
ライド・フィジクス・レターズ第５３巻第５号第３９７
頁、１９８８年（Ｈ，Ｈｏｒｉ−ｋａｗａ ｅｔ ａｔ
、、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、 ５
３（５）、 ３９７に詳しく説明されている。（５）
の層については、上述したマキタ他の文献に説明されて
いる。Although InP was used as the substrate crystal in the above embodiments, the present invention can be similarly practiced using silicon S11 gallium arsenide GaAs or other crystals. In addition, as the buffer layer 3, (1) GaAs is used, depending on the material of the substrate crystal.
/GaXIn+-, IP superlattice layer, (2) AβAs/G
aAs superlattice layer, (3) GaP/GaAsP and GaAsP/GaAs
It is also possible to use a superlattice layer with other strained superlattices, (4) a double-layer film of A1^s/InP, (5) a layer in which the mixed crystal ratio X of InAs, P=, is gradually changed, etc. The invention can be practiced similarly. (1), (
Regarding the superlattice layer in 2), see Razeghi et al., Applied Physics Letters, Vol. 52, No. 3, No. 209.
Page, 1988 (M, Razegh Ietal,
Appl, Phys, Lett,, 52(3),
209 (1988)), Hodson et al., Electronics Letters Vol. 23 No. 20 No. 1094, 1987
Year (P, D, tlodson etal, 81ec
tron, Lett, 23(20), 10
94 (1987)). Regarding the superlattice layer in (3), see Masayoshi Umeno et al., Applied Physics, Vol. 55, p. 791, 1986.
or Masayoshi Umeno et al., Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Vol. 70, No. 2, No. 1
It is explained in detail on page 69, 1986. Regarding the two-layer film (4),
Lee et al., Applied Physics Letters Vol. 52, No. 11, p. 880, 1988 (M., Lee et al.
tal,, Appl, Phys, Lett,, 52
(11), 880 (1988)) Horikawa et al., Applied Physics Letters Vol. 53, No. 5, No. 397
Page, 1988 (H, Hori-kawa et at
,, Appl, Phys, Lett,, 5
3(5), 397. (5)
The layers are described in Makita et al., cited above.
以上説明したように、本発明の受光素子は、キャップ層
にＡ ｌ 、Ｉｎ、−ｙＡｓを用いることにより、比較
的短い波長を光吸収層に透過させることができ、分光感
度波長帯を短波長側に広げることができる。As explained above, by using Al, In, and -yAs in the cap layer, the light-receiving element of the present invention can transmit relatively short wavelengths to the light absorption layer, and the spectral sensitivity wavelength band can be adjusted to short wavelengths. It can be spread out to the side.
特に、混晶比ＸがほぼｒＯ，３」のＧａｘＩｎ１ ｙＡ
ｓを用いることにより２μｍまでの長波長帯の受光素子
を実現でき、この光吸収層と格子定数が一致する＾’
、Ｉｎ、−ｙＡｓをキャップ層として用いることにより
約１〜２μｍの波長帯に高い分光感度を示す受光素子が
得られる。In particular, GaxIn1 yA with a mixed crystal ratio X of approximately rO,3''
By using s, it is possible to realize a light-receiving element with a long wavelength band up to 2 μm, and the lattice constant matches that of this light absorption layer ^'
, In, and -yAs as a cap layer, a light-receiving element exhibiting high spectral sensitivity in a wavelength band of about 1 to 2 μm can be obtained.
したがって、本発明の受光素子の分光感度波長帯域は、
従来の受光素子の帯域をほとんど含み、さらに、２μｍ
にいたる長波長側まで受光できる効果がある。Therefore, the spectral sensitivity wavelength band of the light receiving element of the present invention is
Includes most of the band of conventional photodetectors, and also has a width of 2 μm
It has the effect of being able to receive light up to the long wavelength side.
本発明は、光ファイバを用いた光通信や、種々の光測定
機器の受光素子として利用して特に効果がある。The present invention is particularly effective when used in optical communications using optical fibers and as a light receiving element in various optical measuring instruments.
第１図は本発明第一実施例受光素子の断面図。
第２図は混晶比とバンドギャップエネルギとの関係を示
す図。
第３図は混晶比と格子定数との関係を示す図。
第４図は実施例素子および従来例素子の相対量子効率を
示す図。
第５図は本発明第二実施例受光素子の断面図。
第６図は従来例受光素子の断面図。
第７図は混晶比と格子定数との関係を示す図。
１ ・ｎ形ＩｎＰ基板、２・ＩｎＰ層、３．３’・・・
緩衝層、４．４′・・・光吸収層、５．５′・・・キャ
ップ層、６・・・ｐ形不純物拡散領域、６′・・・亜鉛
拡散領域、７．９・・・オーミック電極、８・・・反射
防止膜。
特許出願人 光計測技術開発株式会社
代理人 弁理士 井 出 直 孝
兇
シ毘遷りね
、Ｙｌ ３ 図
第−夷ａ例
肩 １ 図
波長（羅）
ＪｉｌＩｒ１４図
尾二夷ｆＬりＩ
Ｍ ５ 図FIG. 1 is a sectional view of a light receiving element according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the mixed crystal ratio and band gap energy. FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the mixed crystal ratio and the lattice constant. FIG. 4 is a diagram showing the relative quantum efficiency of the example device and the conventional device. FIG. 5 is a sectional view of a light receiving element according to a second embodiment of the present invention. FIG. 6 is a sectional view of a conventional light receiving element. FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the mixed crystal ratio and the lattice constant. 1. n-type InP substrate, 2. InP layer, 3.3'...
Buffer layer, 4.4'... Light absorption layer, 5.5'... Cap layer, 6... P-type impurity diffusion region, 6'... Zinc diffusion region, 7.9... Ohmic Electrode, 8...Antireflection film. Patent Applicant Optical Measurement Technology Development Co., Ltd. Agent Patent Attorney Nao Ide Takayoshi Bitransition, Yl 3 Figure 1 - 夷a Example Shoulder 1 Figure Wavelength (L)
Claims (1)
光吸収層（４）と、 上記基板結晶の格子定数と上記光吸収層の格子定数との
間の格子不整合を吸収する緩衝層（３）と、 上記光吸収層の表面に形成され、入射光を透過するとと
もに上記光吸収層で発生した小数キャリアの表面再結合
を防止するキャップ層（５）とを備えた受光素子におい
て、 上記キャップ層は、上記光吸収層と格子定数が一致する
組成のＡｌ＿ｙＩｎ＿１＿−＿ｙＡｓにより形成された
ことを特徴とする受光素子。 ２、ｘが０．２８〜０．４７である請求項１記載の受光
素子。[Claims] 1. A substrate crystal (1, 2), a light absorption layer (4) made of Ga_xIn_1_-_xAs that absorbs incident light, and a lattice constant of the substrate crystal and a lattice constant of the light absorption layer. a buffer layer (3) that absorbs lattice mismatch between the layers; and a cap layer (3) formed on the surface of the light absorption layer that transmits incident light and prevents surface recombination of minority carriers generated in the light absorption layer. 5) A light-receiving element comprising: The cap layer is formed of Al_yIn_1_-_yAs having a composition whose lattice constant matches that of the light absorption layer. 2. The light receiving element according to claim 1, wherein x is 0.28 to 0.47.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63254200A JPH02100379A (en) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | Photo-detector |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JPH02100379A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0492479A (en) * | 1990-08-07 | 1992-03-25 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | Photodetector |
| JPH077172A (en) * | 1992-03-30 | 1995-01-10 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | Light receiving element |
| JPH07202252A (en) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | Superlattice avalanche photodiode |
| JP2007324563A (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Emcore Corp | Metamorphic layers in multijunction solar cells |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5718373A (en) * | 1980-07-08 | 1982-01-30 | Fujitsu Ltd | Semiconductor photoreceiving element |
| JPS62293786A (en) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Fujitsu Ltd | Semiconductor photodetector device |
-
1988
- 1988-10-07 JP JP63254200A patent/JPH02100379A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5718373A (en) * | 1980-07-08 | 1982-01-30 | Fujitsu Ltd | Semiconductor photoreceiving element |
| JPS62293786A (en) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Fujitsu Ltd | Semiconductor photodetector device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0492479A (en) * | 1990-08-07 | 1992-03-25 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | Photodetector |
| JPH077172A (en) * | 1992-03-30 | 1995-01-10 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | Light receiving element |
| JPH07202252A (en) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | Superlattice avalanche photodiode |
| JP2007324563A (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Emcore Corp | Metamorphic layers in multijunction solar cells |
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