JPH01501992A - 光受信機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■］ 本発明は、光受信機に係り、特に、しかし限定的にではなく、レーザ増幅器によ る前置増幅に関する。

従来使用されていたｒ％’５度の光受信機にはいくつかのタイプがある。すなわ ち、ＰＩＮフォトダイオードがＦＥＴインチグレーティング受信機に結合されて いるもの；ＰＩＮフォトダイオードがｐＥ’ｒ４たはバイポーラトランジスタタ イプのトランスインピーダンス受信機に結合されているもの；およびインチグレ ーティングまたはトランスインピーダンスＡＰＤ受信機等である。これらの受信 機では、帯域の上限はＩＧＨｚのオーダであり、広帯域幅を実現するのは困誼で ある。

本発明は、高いとットレートにおいて用いるなめに、そして低いビットレートに 用いた場合に経済的な構成となるように、高感度および簡単な構成を有する広帯 域幅受信機を提供することを目的としてなされたものである。

したがって、本発明は、レーザ増幅器と、該レーザ増幅機の出力に結合される光 検出器と、該光検出器の出力に応答する低インピーダンス増幅器とを具備する光 受信機を提供するものである。

第２の観点によれば、本発明は、ｒｌなる反射率の入力ファセットおよび該入力 ファセットに対向しｒ２なる反射率の第２のファセットを有し、且っ積ｒｒｒ２ が１０１のオーダ以下であるレーザ増幅器と、該レーザ増幅機の出力に結合され る光検出器と、該光検出器の出力に応答する電気的増幅器とを具備する光受信機 を提供するものである。

以下、次の添付図面を参照して本発明を実施例により説明する。

第１図は、本発明の一実施例を概念的に図示する：第２図は、プロトタイプに用 いられるレーザ増幅器のゲインエンベロープ帯域幅を示す： 第３図は、プロトタイプに用いられるレーザ増幅器の通過帯域のディテールを示 す： 第４図は、理論的および実験的な感度特性を図示する：第５図は、プロトタイプ におけるノイズ成分の相対的な大きさを示す： 第６図は、発光素子からの光出力の模式図である：第７図は、本発明の望ましい 実施例に用いられるレンズアセンブリの模式図である；そして、 第８図は、本発明による装置パッケージの望ましい実施例の模式的断面図である 。

第１図において、ファイバ１上の入力信号は、チーバードレンズを有する単一モ ードファイバテールを介して半導体レーザ増幅器２に入力され、該レーザ増幅器 の増幅出力は、チーバードレンズ付きファイバに導かれ、偏光コントローラ３を 経て、ＰＩＮフォトダイオード４に入射する。

変形例としては（図示されていない）、ＰＩＮフォトダイオードに隣接するファ イバ端部は、６°のオーダの角度に角度付けされ、はぼ０．１％の残音反射率と なるように反射防止コーティングが施される。この角度付けおよびコーティング は、ファイバ端部からの反射波を少なくとも５０ｄＢだけ減少させ、そしてそれ はレーザ増幅器への戻り反射に関する問題を除去し、偏光コントローラを省略し 得る。

ＰＩＮフォトダイオードの出力は、標準の市販の低インピーダンス増幅器、すな わち動作帯域幅に応じて、しかし例えば３〜１０ＧＨｚの範囲内、に選定された 帯域幅を有する５０オ一ム増幅器のような低インピーダンス増幅器５に与えられ る。半導体レーザ増幅器は、ＰＩＮダイオードに入力される信号レベルを、単純 な（すなわち高感度ではない）増幅器の感度レベル以上に増幅するので、単純な 増幅器５を用いることが可能であり、そして必然的に高いインピーダンスを有し 且つ帯域幅の制限される特別な高感度増幅器を用いる必要がない。

広帯域動作のために、増幅器５のノイズフィギュアは厳密ではなく、８ｄＢのノ イズフィギュアでも許容する。該受信機における帯域幅の制限は、ＰＩＮフォト ダイオードの立ち上がり時間および容量と、低インピーダンス増幅器の帯域幅と に依存する。フォトダイオードと低インピーダンス増幅器との趙合せにおける帯 域幅を最適化するためには、低立ち上がり時間のＰＩＮフォトダイオードが用い られ、且つ増幅器５にまたがる総容量が最小とされる０例えば、５０オ一ム増幅 器５を用いて１０ＧＨｚを達成するためには、総容量は０．３ｐＦ以下とする必 要がある。これに対して、最小容量の必要性を緩和させるため、増幅器の入力イ ンピーダンスを並列抵抗によって低下させることもでき；これは温度ノイズの付 加を招くが、全体としての感度は意味を持つほど減少されない。

レーザ増幅器それ自体は、非常に広い帯域幅、おそらく３．０００〜４，０ＯＯ ＧＨｚもの帯域幅を有する。しがし、残留反射率の結果としての一連のリップル が、通過帯域に重畳される。フラットなゲイン特性を持つことが望ましく、そし て該条件に近似させるなめ、・通過帯域のゲインリップルを３ｄＢのオーダに制 限することが望ましい、該リップルは、ゲインおよびファセットの反射率に影響 される。もしも、Ｇを単一パスゲイン、ｒＩおよびｒ脅をそれぞれ入力および出 力レーザファセットの反射率として、弐〇ｒ＋　ｒ２が０．１７のオーダの値を 持つならば、通過帯域リップルは３ｄＢのオーダとなる。このことは、反射率の 項において、ｒＩｒ＊の積が、２５ｄＢのオーダのゲインに対して１０−６のオ ーダでなければならないことを意味している。これは、レーザの入射および射出 ファセットへの反射防止コーティングを利用することにより達成される。もしも 、入力および出力が単一のファセットを介してなされ、反対のファセットが高い 反射率であるならば、入出力ファセット反射率と反対のファセットとの積は非常 に大きくなり、そして所望の３ｄＢ通過帯域リップルを達成するために、入出力 ファセットに要求されるのは非常に低い反射率となる。

このことは、もしも入力ファセットが出力ファセットよりも低い反射率であると きに有利である。

次に、第２図〜第５図を参照して特別なプロトタイ１およびそのパフォーマンス について詳細に説明する。

単純なレーザフォトダイオード（Ｌ／ＰＤ）受信機は、進行波半導体レーザ増幅 器２．４０ｐｓの立ち上がり時間を有するＰＩＮフォトダイオード４、および２ ．０ＧＨｚの帯域幅を有する市販の５０オ一ム広帯域増幅器５を具備して構成さ れる。いかなるレーザ前置増幅器をも用いない、ＰＩＮダイオードと広帯域増幅 器との構成の感度は、Ｉ　０ｂｉｔ／Ｓにおいて、１０−’のとットエラー率に ついて、−２２ｄＢ釦と計測される。

レーザ増幅器は、両ファセットに反射防止コーティングが施され、８Ｘ１０−’ の残留反射率が与えられた、（長さ＝５００μＧ）のＤＣ−ＰＢＨレーザである 。２５ｄＢノピ一ク内部ゲイン（すなわちいかなる結合損失も含まない）におい て、該増幅器は、３（ＩＢのビーク−スルーゲインリップル（第３図参照）を含 む、はぼ４５ｎｌｌ（第２図参照）のピークゲイン帯域幅を有する。直交信号極 性間のゲイン差は２．５（ＩＢである。

インクされたチーバードレンズを有する単一モードファイバテールな経由した。

入力結合効果は、クリティカルでありこのプロトタイプの実施例では結合損失は ４．５ｄＢであったが、これは決して最善であるわけではない、増幅器出力は、 コーティングされたファイバ、該ファイバはフォトダイオードファセットにおけ る平坦なファイバ端部にも反射防止コーティングが施された、を介してＰＩＮフ ォトダイオードに結合された。フォトダイオードファセットからの反射の影響を 低減するために、ファイバ偏光コントローラもまた、備えた０反射の除去は、動 作を安定にするために最も重要である。この構成によれば、増幅器出力ファセッ トとフォトダイオードとの間の損失は３．５ｄＢであり、正味の前置増幅器ゲイ ンは１７１５Ｂであった。出力ファイバもまた、レーザ自発放出の空間フィルタ リングを行なう。

受信機をテストするために、外部変調器に関連して格子同調された外部空洞源が 用いられ、最大ビットレートは該データ源により２　Ｇｂｉｔ／ｓに制限された 。

性能：第４図は実験的な結果と理論的な結果とを示している。ＩＩＮフォトダイ オードと増幅器のベース感度は、Ｉ　０ｂｉｔ／Ｓにおいて一２２ｄＢ＋１で且 つ１４０８ｂｉｔ／ｓにおいて−２７ｄＢｍであり、１　、５　ｄＢｌｏｃｔａ ｎｅのレートで変化する。

正味の増幅器ゲインが１７（ＩＢであれば、感度は、１４０８ｂｉｔ／ｓにおい て−４１（ＩＢルからＩ　Ｃｂｉｔ／ｓにおいて一３７ｄａｔ　ｔで、はぼ１　 、５　ｄａｌｏｃｔａｖｅのレートで変化するので、１７ｄＢのゲインでは、１ ５（ＩＢの感度の改善が達成される。

２０ｂｉｔ／ｓにおいては、−３５ｃｌＢｍの感度が得られる。第４図の下側の 曲線は最適化された前置増幅器の理論的な性能を示し、３０ｄＢに増加された内 部ゲインおよび３　ｄＢ／ｆａｃｅｔの入力と出力の結合損失を有する場合、例 えばＩ　Ｑｂｉｔ／ｓにおいて−４３（ｌＢａの感度を予測しており、それは、 他のいかなる受信ｍ設計の感度をも超えている。ＰＩＮフォトダイオード−低イ ンピーダンス増幅器を有することによる、実際上の、そして非常に重要な、利点 は、高インピーダンスＰＩＮダイオード／　Ｆ　Ｅ　Ｔ受信機の場合とは興なり 、増幅器の平均自発放出に起因する光電流の高い平均値（光学的フィルタリング なしにほぼ１３０μＡ）が受信機の過負荷にならないことである。もしもＡＰＤ 受信機が使用されるならば、可能なゲインは高入力レベルによって減少され、そ して有効な暗電流の増加に起因するノイズが付加される。

ムカイ他（Ｍｕｋａｉ　ｅｔ　ａｔ、）によるマイクロ波理論および技術に関す るトランザクション（Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ　ｏｎ　ＭｉＣｒＯ盲ａｖｅ　Ｔ ｈｅｏｒｙ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｉａｕｅｓ）　、Ｖｏｌ、　）ＩＩＴ　３０　 、　Ｎｏ、　１０．１９８２年１０月、１５４８頁、に従った理論的な解析は、 支配的なノイズ成分が信号−自発ビートノイズ、自発−自発ビートノイズ、およ び受信機ノイズであり、増幅器とフォトダイオードの閏の光学フィルタリングは 自発−自発ビートノイズを低減するであろうことを示している。これらのことは 、第５図に、Ｇ＝２５ｄＢに対する入力の間数としての受信機ノイズに関連して 示されている（全ての成分は同様のビットレート依存性を有しているので、この 比較においては無視することができる）、明らかに、−３７ｄＢｍの入力におい ては、受信機ノイズが支配的である。このため、フォトダイオードの前段の光字 フィルタリングは、（この場合）小さな値の光学フィルタリングであり、これは 、フォトダイオードファイバテールにて２ｄＢの挿入損失を有する２゜５ｎｎの 同調可能なファブリへローフィルタを用いて実験的に確められ、Ｉ　０ｂｉｔ／ ｓにおいて０．７ｄＢ（−３７，７６Ｂｎの感度を与える）　＋　１４０８ｂｉ ｔ／ｓにおいて１．５ｄＢ（−４２，５ｃｌＢｃの感度を与える）の改善であっ た。増大された増幅器ゲインの効果はＧ２の係数により受信機ノイズの寄与を低 減させることであり、もしもゲインがさらに増加するか、またはより匠ノイズの 受信機が使用されたならば、自発−自発ノイズ成分が支配的となり、光学フィル タの導入により性能は原著に改善される。

上述の１０トタイプの説明から逆光路においてレーザに再入射させるファイバお よびフォトダイオードからの反射を除去することが重要であることに気が付くで あろう、上述の実施例において、このことはレーザの出力ファセットに隣接する ファイバ上のチーバードレンズへの反射防止コーティングを施すことにより達成 されている。フォトダイオードに隣接するファイバ端部にもまた、反射防止コー ティングが施されている。

これらのコーティングに加えて、偏光コントローラもまた、偏光性を、いかなる 反ｉｔ信号をも異なる偏光性においてレーザの出力ファセットに到達するように 、望ましいレーザの偏光性に調整することを可能とすることにより反射効果を抑 制する。

第１図において、ＰＩＮダイオード４は、ファイバを介してレーザ増幅器２に接 続されて示されているが、これに代えて、光学リンクが、離間して近接配置され あるいは同一チップ上に設けられたレーザとフォトダイオードとの自由空間を通 して形成されるようにしてもよい、このモードでは、反射を最小とするために、 増幅器の出力ファセットとフォトダイオードとを相互間で角度付けされてもよい 。

もしも、レーザおよびフォトダイオード（またはその他のタイプの光検出器）が 一体的に製作されるならば、チップ上のウェーブガイド（導波管）もまた結合に 使用され得る。

上述の受信機は、高感度電気的増幅器の帯域幅によって制限されず、低インピー ダンス電気的増幅器を使用するという利点を有している。この明紀書の記述内で 、在来のＰＩＮ／ＦＥＴ受信機は少なくとも１０６オームのオーダの入力インピ ーダンスを有し、ＡＰＤ受信機は一般に少なくとも５Ｘ１０’オームの入力イン ピーダンスを有し、そしてこれらのインピーダンスに比較して顕著な低インピー ダンスが使用されることが理解できるはずである。

低インピーダンス増幅器の使用は、レーザ増幅器の自発ノイズが電気回路的に過 負荷となるという問題なしにフォトダイオードがレーザ増幅器に非常に近接して 配置されることを可能とする。

本発明に従って構成された受信機は、高感度増幅器を使用する受信機において高 ビットレートにて顕著に改善された性能を有し、Ｉ　ＧＨ２帯域幅の制限を受け ない、低ビツトレートにおいて、本発明による構成は、既存の受信機に対する経 済的な！換を提供し得る。低ビツトレートにおいて感度を改善するためには光学 フィルタを組込むことができる。

本発明の望ましい実施例は、第８図に一層詳細に示され、第６図および第７図を 参照して説明される。レーザから出力される光は典型的には第６図に模式的に示 されるように頂角ａの円錐状に分布する。光検出器４は、効率よく結合させるた めにレーザ２に非常に近接して配置する必要がある。もしも、フォトダイオード が、位ｆｉ４°のように、レーザから遠く離れて配置されると、レーザからの光 の出力円錐の大部分が失われる。実際には、レーザおよびＰＩＮフォトダイオー ドは、ポラライザまたはフィルタのような必要な介在素子とともに両デバイスが 単一のチップ上に製作されねばならないほど近付けて配置される必要がある。そ のような集積化された単一チップ構成により生じ得る問題は、−貫した正常な動 作のために、レーザは、一般にベルチェ冷却器によって提供される一定の温度を 必要とするということである。

しかしながら、ベルチェ冷却器の動作は、移動を生じさせ、もしもレーザ／フォ トダイオードチップが動くならば、該チップに対する接続をフレキシブルとしな ければならない、広帯域幅レスポンスのためには、フォトダイオードに対するｔ ｕｆｆはリジッドでなければならず、さもないとフレキシブルｆ＃続による寄生 容量および／またはインダクタンスが帯域幅を減少させるように作用し、そのた め、集積化されたチップが受信増幅器を含まねばならず、あるいはベルチェ冷却 器がパッケージの外側に配置されなければならず、これらは両方とも実現に問題 がある。第７図および第８図は、本発明の実施例を模式的に示している。該実施 例では、レンズアセンブリ（その−例が第７図に示されている）は、ベルチェ冷 却器によるレーザどフォトダイオードとの間の相対移動にもかかわらず、レーザ が、ベルチェ冷却器のパッケージ内に、分離されてリジッドに該パッケージに設 置されるフォトダイオードとともに、設置されることを可能とするために用いら れる。レンズ構成は、通常１００μｍ〜５００μｍで、望ましくはほぼ１５０μ １１〜２５０μｍの範囲内の焦点距離を有する２個の球面レンズで構成される。

これらのレンズは、概して１．５〜２．２の範囲内の、高い屈折率を有し、且つ 反射防止コーティングが施されている。フォトダイオード４上の１００μ鵡のタ ーゲットファセットに対しては、屈折率２の球面レンズ、２００μｍの焦点距離 および２ＩＩ１１のレンズ径とすればよい。

第１のレンズ１３は、発光素子１から焦点距離に配置され、そのため実質的に平 行なビームが該レンズ１３から第２のレンズ１４に向けて射出される。第２のレ ンズ４において、該平行ビームは、スポットに集光される０球面収差により上記 ビームは唯一の焦点には集光されないが、レンズを通る光路に依存する焦点群の 範囲である。この焦点範囲もまた、レーザ２の出力における非対称性およびフォ トダイオード４の、レーザ２への戻り反射を除去するために傾斜されているかも しれない、外形形態のような他の変動要素が重畳されている。これらの理由によ り、フォトダイオード４の最善の位置は、第２のレンズから焦点距離近傍の位置 の範囲についてそれをスイープすることにより、経験的に見出される。これが完 了した時、通常、公称焦点距離よりも離れた箇所において、スポットサイズがタ ーゲットファセットのサイズ内に完全に収まり、受信強度が一定最大値となる位 置の範囲があることが見出される。この範囲の外側では、スポットサイズが大き くなり、収集される光の強度が低下する。フォトダイオード４のターゲットファ セットは、一定最大値を得るためのこの位置範囲（「焦点範囲」と称される）の 中心に配置される。

第８図は、第７図のレンズアセンブリを組込んだパッケージをより詳細に示して いる。テーパーが付けられたレンズ付ファイバ１は、パッケージ外壁１６内のフ ィードスルーを介して導入され、ガラスビード１７上に支持され、半導体進行波 増幅器２の入力ポートに近接して配置される。レーザの出力ビームは、レンズ１ ３および１４を介してＰＩＮダイオード４の受光ファセット上に集光される。該 アセンブリのための典型的なスペーシングは、レーザ２とレンズ１３との閣が２ ００μ詣、レンズ１３と１４との間が５■そしてレンズ１４とダイオード４との 閣が３００μＢである。レーザチップは、レンズ１３および１４がその上に支持 される棚上部１０を有するプラス（しんちゅう）ブロック１９上に取着されたマ ウンティングブロック１８上に設置される。レーザ出力は、温度に感応するから 、プラスブロック１９は、周囲温度の変化にかかわらず所定の動作温度（例えば ２５°Ｃ）の温度を保持するベルチェ冷却器２１上に設置される。ベルチェ冷却 器は、動作中ｆｉＱ脹および取締にさらされ、そしてこの動作がレーザに伝達さ れるので、これによりビームウェイバ（ｂｅａｌｗａｉｖｅｒ　）を生ずる。し かしながら、ビームウェイバによるＰＩＮダイオードのターゲットフェイス上の スポットの動きは許容され得ることが見出されている。なぜなら、レンズフォー カシングの構成は、上記スポットをターゲット領域内に維持させるからである。

この構成は、ベルチェ冷却器パッケージ内の使用を可能とし、そしてそれにより 、小形化でき、完全なパッケージのベルチェ冷却器よりも小さな時定数を有する 。ＰＩＮダイオードは、ベルチェ冷却Ｈ（またはそれに取着されたプラスブロッ ク９．１０）上に設置することはできない、なぜなら、それは、高周波応答のた めに上記パッケージにリジッドに接続されなけれはならず、受信機電子装置（図 示されていない）と共に専用のサポート２２上に設置される。該受信ＩＩｓ子装 置は、レーザ前置増幅器受信機の場合には、広帯域低インピーダンス増幅器また は高インピーダンス増幅器である。

フォトダイオードファセットに比較して、第１のレンズ３が比較的大きなサイズ であることは、レーザから、フォトダイオードが必要とするよりも遠く配置され 得ることを意味する。第８図に示される装置の製造に際し、第１のレンズ１３は 、レンズの中心が、レーザおよびフォトダイオードの光軸上に中心合わせされて 配置されなければならず、典型的な位置精度は、はぼ１μ曹である。もしも、第 １のレンズが若干下ＪＥＷｋに、例えば±２μＤの誤差を有して配置されるなら ば、これは第２のレンズの位置によって補償され得る。フォトダイオードファセ ットは、レーザファセットよりも大きいから、第２のレンズ１４の配置精度は、 より厳密でなく、１００μ詣フアセツトにたいして約１０μ却あるいは第１のレ ンズの位置誤差に対する補償が必要ならば３〜５μねであり、そして製造に際し ての配置作業は、極めて近接したレーザフォトダイオードの配置よりも一層柔軟 性がある。レンズは、また、フォトダイオードファセットよりも大きく、それも また配置を容易にする。

レンズ１３および１４は、より近接して、しかし、レンズ闇に介挿配置され得る 他の光学素子に離開して配！され得る。

例えば、高インピーダンス受信増幅器については、シャッタ、エツジフィルタあ るいは帯域通過フィルタを含み、あるいはポラライザが低または高インピーダン ス増幅器のいずれにも挿入し得る。フィルタあるいはその他の光学素子およびフ ォトダイオード２は、レーザへの戻り反射光を防止するためにビーム光軸に対し て＃Ｉ斜している。これらレンズは、球面レンズである必要はなく、これらレン ズの一方または両方はロッドレンズ、望ましくは平凸ウッドレンズに置換し得る 。また、レンズは、異なるサイズであってもよく、実際のレンズサイズおよび相 対的なサイズは、必要とされるスポットサイズおよび許容し得る収差により決定 される。もしも、第２のレンズが第１のレンズよりも大きいならば、スポットは 拡大され、それに対し一第２のレンズが第１のレンズよりも小さいならば、スポ ットは縮小される。レンズが小さいほど、小さい収差を示し、それによってスポ ットサイズも小さくなる。第８図の実施例に述べられたレンズによれば、レーザ とＰＩＮフォトダイオードとの閏の結合は０．５ｄＢまたはそれ以下の損失を達 成することができる。

レーザ増幅器とフォトダイオードについての上述に匹敵する構成は、他の発光お よび受光素子に利用することができる６例えば、可同調フィルタまたは信号整形 のような受信の前段の他の信号処理段は、レーザ増幅器と置換することができ、 あるいはレーザ増幅器と３！続して使用することができる。レンズアセンブリは 、素子の設置基準が素子間の実験的な指対移動を必要とするときに特に有用であ る。

該レンズアセンブリも、素子を相対的に離れさせることも可能とする。

国際調査報告 ＋ｍｍａｅ＋ｖ−曹＾−１−４１１−１「１劃−−へ鴫コ：コＣＴ／Ｇｍε７／ ＣＯ７ｍＳ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．レーザ増幅器と、該レーザ増幅器の出力が光検出器に結合されることと、該 光検出器出力に応答する低インピーダンス増幅器とを具備する光受信機。 ２．ｒ１なる反射率の入力ファセット、ｒ２なる反射率を有し該入力ファセット に対向する第２のファセットおよびｒ１ｒ２の積が大きくとも１０−６のオーダ であることを有するレーザ増幅器と、該レーザ増幅器の出力が結合される光検出 器と、該光検出器出力に応答する電気的増幅器とを具備する光受信機。 ３．出力が、一対のレンズを有し、放出される光の方向においてこれらレンズの 最初に遭遇する焦点に該レーザ増幅器が配置され、これらレンズの２番目に遭遇 する焦点範囲に光検出器が配置されるレンズアセンブリを介して光検出器に結合 されるレーザ増幅器と、該光検出器出力に応答する電気的増幅器とを具備する光 受信機。 ５．上記レンズが球面レンズである第３項または第４項による光受信機。 ６．レーザ増幅器は、ペルチェ冷却器上に設置され、且つ上記光検出器は該ペル チェ冷却器上に設置されない上記請求項のいずれか１項に記載の光受信機。 ７．上記レーザ増幅器の入力ファセットは、反射防止コーティングを有する上記 請求項のいずれか１項に記載の光受信機。 ８．手段は、レーザと光検出器との間に偏光コントローラを有する第６項または 第７項に記載の光受信機。 ９．手段は、入射ビームの法線に対する光検出器面の角度付けを有する第６項に 記載の光受信機。 １０．上記光検出器とレーザとの間はウエーブガイドにより接続された上記請求 項のいずれか１項に記載の光受信機。 １１．上記ウエーブガイドは光ファイバを具備する第１０項に記載の光受信機。 １２．上記レーザおよび光検出器は集積化されて製作された上記請求項のいずれ か１項に記載の光受信機。 １３．上記レーザ増幅器は、進行波レーザ増幅器を具備する上記請求項のいずれ か１項に記載の光受信機。 １４．上記レーザ増幅器は、３ｄＢのオーダの最大通過帯域リップルを有する上 記請求項のいずれか１項に記載の光受信機。 １５．上記光検出器出力に応答する増幅器は、５０オーム入力インピーダンス増 幅器を具備ずる上記請求項のいずれか１項に記載の光受信機。 １６．第１のマウンティングに支持される発光素子および第２のマウンティング に支持される受光素子を具備し、且つ動作時に、上記発光素子と受光素子との間 に相対的移動が生じる、且つ上記発光素子からの光を上記受光素子へ向けるため に上記第１のマウンティング上に支持されたレンズアセンブリ、該レンズアセン ブリは上記発光素子がその焦点に配置される第１のレンズと上記第１のレンズと 並べて該第２のレンズの焦点範囲内に上記受光素子が配置される第２のレンズと を備える、を具備する装置パッケージ。