JPH0134351Y2 - - Google Patents
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- JPH0134351Y2 JPH0134351Y2 JP1980163066U JP16306680U JPH0134351Y2 JP H0134351 Y2 JPH0134351 Y2 JP H0134351Y2 JP 1980163066 U JP1980163066 U JP 1980163066U JP 16306680 U JP16306680 U JP 16306680U JP H0134351 Y2 JPH0134351 Y2 JP H0134351Y2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体装置の改良に関するものであ
る。ロジツクIC等は高速で動作させる必要上、
高い消費電力を必要とする。このような半導体装
置を高密度に集積化すると更に前記装置の消費電
力が増え、そのため半導体装置が発熱して正常な
動作をしなくなるので、前記装置の熱放散を充分
行えるようにすることが必要となる。
る。ロジツクIC等は高速で動作させる必要上、
高い消費電力を必要とする。このような半導体装
置を高密度に集積化すると更に前記装置の消費電
力が増え、そのため半導体装置が発熱して正常な
動作をしなくなるので、前記装置の熱放散を充分
行えるようにすることが必要となる。
このような半導体装置をたとえばDIP（デユア
ル、インラインパツケージ）中に封入して前記し
た半導体装置の熱放散を充分行いうるようにする
ため第１図に示すような半導体装置の構造がとら
れていた。図で１は回路素子を形成した半導体チ
ツプ、２はセラミツクパツケージ、３は該パツケ
ージのキヤツプ、４はリード線、５はアルミニウ
ム（Al）よりなる放熱用フイン、６は放熱用フ
イン５とキヤツプ３とを接着するための接着層、
７は半導体チツプとパツケージにメタライズされ
た回路素子の接着線とを連結するための金線であ
り、上記チツプはパツケージのステージ上にAu
−Si共晶合金で融着されている。
ル、インラインパツケージ）中に封入して前記し
た半導体装置の熱放散を充分行いうるようにする
ため第１図に示すような半導体装置の構造がとら
れていた。図で１は回路素子を形成した半導体チ
ツプ、２はセラミツクパツケージ、３は該パツケ
ージのキヤツプ、４はリード線、５はアルミニウ
ム（Al）よりなる放熱用フイン、６は放熱用フ
イン５とキヤツプ３とを接着するための接着層、
７は半導体チツプとパツケージにメタライズされ
た回路素子の接着線とを連結するための金線であ
り、上記チツプはパツケージのステージ上にAu
−Si共晶合金で融着されている。
しかしこのような構造の半導体装置において
は、半導体チツプにおいて発生した熱は前記チツ
プの裏面側よりパツケージ２を通過したのち、キ
ヤツプ３に到達し、その後放熱フイン５を通過し
て空気中に放出されるため、放熱に要する経路が
長くなり放熱効果が良くないといつた欠点があ
る。
は、半導体チツプにおいて発生した熱は前記チツ
プの裏面側よりパツケージ２を通過したのち、キ
ヤツプ３に到達し、その後放熱フイン５を通過し
て空気中に放出されるため、放熱に要する経路が
長くなり放熱効果が良くないといつた欠点があ
る。
そこで第２図に示すようにパツケージ２の底面
側に放熱フイン５を接着層６によつて被着し、半
導体チツプ１で発生した熱をパツケージ２より放
熱フイン５を通して空気中に放散させる構造がと
られている。この場合半導体チツプをパツケージ
に金線７でボンデイングする作業を容易にするた
めに、リード線４を最終工程でキヤツプ側におり
曲げる構造としている。
側に放熱フイン５を接着層６によつて被着し、半
導体チツプ１で発生した熱をパツケージ２より放
熱フイン５を通して空気中に放散させる構造がと
られている。この場合半導体チツプをパツケージ
に金線７でボンデイングする作業を容易にするた
めに、リード線４を最終工程でキヤツプ側におり
曲げる構造としている。
しかし素子が高密度になるにつれてリード線の
数が増加するので第１図および第２図に示したよ
うにパツケージの側面にリード線を１例に配設す
る構造はとれなくなり、パツケージの底面の四方
の端部から内部に入り込んで複数列のリード線を
配設する構造が必要となる。
数が増加するので第１図および第２図に示したよ
うにパツケージの側面にリード線を１例に配設す
る構造はとれなくなり、パツケージの底面の四方
の端部から内部に入り込んで複数列のリード線を
配設する構造が必要となる。
本考案は前述したように半導体素子を高密度に
集積化した場合、前記素子と外部回路端子とを連
結するためリード線を前記パツケージの底面の四
方の端部より内部に入り込んで複数列、配設した
構造の半導体装置において、前記半導体装置を構
成する半導体チツプより発生した熱量が充分熱放
散できて、前記装置の動作状態が正常となるよう
な、高信頼度の半導体装置の提供を目的とするも
のである。
集積化した場合、前記素子と外部回路端子とを連
結するためリード線を前記パツケージの底面の四
方の端部より内部に入り込んで複数列、配設した
構造の半導体装置において、前記半導体装置を構
成する半導体チツプより発生した熱量が充分熱放
散できて、前記装置の動作状態が正常となるよう
な、高信頼度の半導体装置の提供を目的とするも
のである。
かかる目的を達成するための半導体装置は、放
熱体が固着されたキヤツプを有するパツケージ
と、該パツケージの底面の端部より内部に入り込
んで複数列配設されたリード線と、前記パツケー
ジのキヤビテイ上に裏全面を接着された半導体チ
ツプと、該半導体チツプの表面にボンデイングワ
イヤが接続され、かつ該表面のほぼ全面に樹脂層
を介して熱の良導体層が被着されてなり、該熱の
良導体層が前記キヤツプに接着されてなることを
特徴とするものである。
熱体が固着されたキヤツプを有するパツケージ
と、該パツケージの底面の端部より内部に入り込
んで複数列配設されたリード線と、前記パツケー
ジのキヤビテイ上に裏全面を接着された半導体チ
ツプと、該半導体チツプの表面にボンデイングワ
イヤが接続され、かつ該表面のほぼ全面に樹脂層
を介して熱の良導体層が被着されてなり、該熱の
良導体層が前記キヤツプに接着されてなることを
特徴とするものである。
以下図面を用いて本考案の一実施例につき詳細
に説明する。第３図は本考案に係る半導体装置の
断面図で１１はセラミツクよりなるパツケージで
前記パツケージの底面の端部から内部へ入り込む
ようにたとえば６列のリード線１２が配設されて
いる。前記パツケージのキヤビテイ上にはモリブ
デン（Mo）のシート１３を介して半導体チツプ
１４の裏面側がAu−Si共晶合金によつて接着さ
れている。前記半導体チツプ１４はボンデイング
ワイヤである金線１５によつてボンデングされ、
該チツプの回路が形成されている表面上には20〜
30μm程度のポリイミド樹脂１６が塗布されてい
る。前記ポリイミド樹脂は後でパツケージに接着
するキヤツプとの絶縁体となり、また後でパツケ
ージにキヤツプを接着する場合の緩衝材となり、
またα線の遮閉用材料ともなる。該ポリイミド樹
脂上にはクロム（Cr）とニツケル（Ni）層の二
層構造のメタライズ層１７が蒸着によつて形成さ
れている。前記Crはポリイミド樹脂に被着く易
くNi層は後の工程で半田と被着しやすいように
設けてある。前記メタライズ層には両端に半田層
１８を被着した熱の良導体の銅（Cu）のチツプ
１９が設けられており、その半田層１８が溶融し
てセラミツクのキヤツプ２０と固着されている。
更に前記キヤツプには樹脂等の接着層２１により
Alの放熱フイン２２が固着される。
に説明する。第３図は本考案に係る半導体装置の
断面図で１１はセラミツクよりなるパツケージで
前記パツケージの底面の端部から内部へ入り込む
ようにたとえば６列のリード線１２が配設されて
いる。前記パツケージのキヤビテイ上にはモリブ
デン（Mo）のシート１３を介して半導体チツプ
１４の裏面側がAu−Si共晶合金によつて接着さ
れている。前記半導体チツプ１４はボンデイング
ワイヤである金線１５によつてボンデングされ、
該チツプの回路が形成されている表面上には20〜
30μm程度のポリイミド樹脂１６が塗布されてい
る。前記ポリイミド樹脂は後でパツケージに接着
するキヤツプとの絶縁体となり、また後でパツケ
ージにキヤツプを接着する場合の緩衝材となり、
またα線の遮閉用材料ともなる。該ポリイミド樹
脂上にはクロム（Cr）とニツケル（Ni）層の二
層構造のメタライズ層１７が蒸着によつて形成さ
れている。前記Crはポリイミド樹脂に被着く易
くNi層は後の工程で半田と被着しやすいように
設けてある。前記メタライズ層には両端に半田層
１８を被着した熱の良導体の銅（Cu）のチツプ
１９が設けられており、その半田層１８が溶融し
てセラミツクのキヤツプ２０と固着されている。
更に前記キヤツプには樹脂等の接着層２１により
Alの放熱フイン２２が固着される。
以上述べたような本考案の半導体装置の構造に
すれば、半導体素子を高密度に集積化してパツケ
ージの底面の端部より内部へ入り込んでリード線
を複数列配設したような半導体装置においても、
半導体チツプにおいて発生した熱量はパツケージ
のキヤツプを通じて放熱フインに到達し、空気中
に放散されるようになり、放熱経路が短かくなつ
て半導体チツプの温度上昇が防がれ高信頼度の半
導体装置が得られる利点が生じる。
すれば、半導体素子を高密度に集積化してパツケ
ージの底面の端部より内部へ入り込んでリード線
を複数列配設したような半導体装置においても、
半導体チツプにおいて発生した熱量はパツケージ
のキヤツプを通じて放熱フインに到達し、空気中
に放散されるようになり、放熱経路が短かくなつ
て半導体チツプの温度上昇が防がれ高信頼度の半
導体装置が得られる利点が生じる。
第１図および第２図は従来の半導体装置の構造
を示す断面図、第３図は本考案に係る半導体装置
の構造を示す断面図である。図において１，１４
は半導体チツプ、２，１１はパツケージ、３，２
０はキヤツプ、４，１２はリード線、５，２２は
放熱フイン、６は接着層、７，１５は金線、１３
はMoシート、１６はポリイミド層、１７はCr−
Niメタライズ層、１８は半田層、１９はCuのチ
ツプを示す。
を示す断面図、第３図は本考案に係る半導体装置
の構造を示す断面図である。図において１，１４
は半導体チツプ、２，１１はパツケージ、３，２
０はキヤツプ、４，１２はリード線、５，２２は
放熱フイン、６は接着層、７，１５は金線、１３
はMoシート、１６はポリイミド層、１７はCr−
Niメタライズ層、１８は半田層、１９はCuのチ
ツプを示す。
Claims (1)
- 放熱体が固着されたキヤツプを有するパツケー
ジと、該パツケージの底面の端部より内部に入り
込んで複数列配設されたリード線と、前記パツケ
ージのキヤビテイ上に裏全面を接着された半導体
チツプと、該半導体チツプの表面にボンデイング
ワイヤが接続され、かつ該表面のほぼ全面に樹脂
層を介して熱の良導体層が被着されてなり、該熱
の良導体層が前記キヤツプに接着されてなること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980163066U JPH0134351Y2 (ja) | 1980-11-14 | 1980-11-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980163066U JPH0134351Y2 (ja) | 1980-11-14 | 1980-11-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5784750U JPS5784750U (ja) | 1982-05-25 |
| JPH0134351Y2 true JPH0134351Y2 (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=29521873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980163066U Expired JPH0134351Y2 (ja) | 1980-11-14 | 1980-11-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0134351Y2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59944A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置 |
| JPS6059756A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-06 | Ibiden Co Ltd | プラグインパッケ−ジとその製造方法 |
| JPS6095944A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-29 | Ibiden Co Ltd | プラグインパツケ−ジとその製造方法 |
| JPH07114245B2 (ja) * | 1986-10-17 | 1995-12-06 | 株式会社東芝 | 半導体外囲器 |
| JP2800605B2 (ja) * | 1992-12-03 | 1998-09-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
-
1980
- 1980-11-14 JP JP1980163066U patent/JPH0134351Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5784750U (ja) | 1982-05-25 |
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