JPH0132731B2 - - Google Patents
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- JPH0132731B2 JPH0132731B2 JP3697783A JP3697783A JPH0132731B2 JP H0132731 B2 JPH0132731 B2 JP H0132731B2 JP 3697783 A JP3697783 A JP 3697783A JP 3697783 A JP3697783 A JP 3697783A JP H0132731 B2 JPH0132731 B2 JP H0132731B2
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Landscapes
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Description
本発明は、特に新規な縁切り構造をもつたゴ
ム、プラスチツク絶縁ケーブルの絶縁接続部に関
するものである。 長尺の単心ケーブルでは、導体電流の電磁誘導
によつてシースに電位が誘起されるが、いわゆる
クロスボンド方式により、こうした電位を減少で
きる。こうしたクロスボンド方式には、ケーブル
中間接続部として絶縁接続部が使用される。絶縁
接続部は絶縁遮蔽層を何等かの手段を使用して電
気的に絶縁したものである。 従来、この種のゴム、プラスチツク絶縁ケーブ
ルの絶縁接続部の縁切り構造は、その一例を第１
図に示すように、接続した２個の導体１，１′を
中心としこの上に設けた補強絶縁層上に、接続部
絶縁遮蔽層５を同軸的に設けてスリツト８を形成
し、上下方向に絶縁遮蔽層を縁切つたものが知ら
れている。このような架橋ポリエチレン絶縁ケー
ブルの絶縁接続部は次のように製造される。 まず、接続すべき２本のケーブルの端部の絶縁
体層３，３をそれぞれ図にもみられるように鉛筆
状に削り、圧縮スリーブ等で導体１，１′を接続
した後、その上に半導電性テープあるいは半導電
性熱収縮チユーブにより内部半導電層２を形成す
る。次いでこの内部半導電層２上にケーブル絶縁
体層３，３に亘つて自己融着性絶縁テープなどの
ゴムまたはプラスチツク絶縁テープを巻回した
後、これを加圧加熱し一体に融着する。あるいは
内部半導電層２の周囲に所望の金型（図示せず）
を設け、そこに溶融樹脂を射出し成形した後、適
当な手段により加熱融着させることにより接続部
補強絶縁体層４を形成する。さらにこの接続部補
強絶縁体層４の外周に同軸的にスリツト部８を設
けた半導電層からなる絶縁遮蔽層５を設けて接続
部が完成する。 しかしながら、このような従来のゴム、プラス
チツク絶縁ケーブルの絶縁接続部には多くの欠点
が存在した。すなわち、 (イ) 補強絶縁体層４を形成するためのテープ巻回
層などを加熱し、一体に融着する際にスリツト
８を形成する絶縁遮蔽層５の先端が変形してし
まう。このため先端の電界が大きくなるため、
形成された接続部はこの先端から破壊し易くな
る。 (ロ) 絶縁遮蔽層５でスリツト８を作成する際、同
軸的に同心円上にすることが困難であり、その
ため電界の乱れが生じ易い。 こうした欠点に鑑み第１図のようなスリツト８
を必要としない第２図にみられるようなゴム、プ
ラスチツク絶縁電力ケーブルのケーブル導体接続
部上を覆う絶縁補強層４の外周上に、交流での体
積固有抵抗率106〜1012Ω・cm、比誘電率６〜100
を有する高誘電率かつ高抵抗層７を介して絶縁遮
蔽層６を設け、絶縁遮蔽層６を縁切る高誘電率、
高抵抗型絶縁接続部が提案された。ここで、この
高誘電率、高抵抗層の数値の根拠は、体積抵抗率
106Ω・cm以下、比誘電率100以上では、ケーブル
線路に侵入してくるインパルス電圧で閃絡してし
まい、一方体積固有抵抗率1012Ω・cm以上、比誘
電率６以下では本接続部に課電した場合、第２図
絶縁遮蔽層６と高誘電率、高抵抗層７の先端に電
界が集中し、容易に破壊してしまうためである。 従来このような高誘電率で高抵抗型縁切り部と
してはカーボン含有量を適当に調整することによ
り、上記抵抗範囲の高抵抗層を絶縁体円周上に設
ける方法があるが、この方法ではカーボンのみ含
有した高抵抗層がヒートサイクル等の熱履歴によ
り抵抗値が変動し易いという問題点があつた。 本発明は高誘電率、高抵抗型絶縁接続部におけ
る上述の如き欠点を除去し、安定にして簡易な絶
縁接続部を提供することにある。 すなわち、第２図の高誘電率、高抵抗層（縁切
り部）７としては基体樹脂100重量部に対して、
炭化硅素50〜700重量部及びカーボン２〜60重量
部を混和配合した組成物を使用したことを特徴と
した絶縁接続部である。基体樹脂としては低密度
ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリ
エチレン、エチレン―プロピレン共重合体、エチ
レン―エチルアクリレート共重合体、エチレン−
酢酸ビニル共重合体、エチレン―αオレフイン―
ポリエン三元共重合体（例えば三井石油化学製エ
ラストマー（エチレン・１―ブテン・５―エチリ
デン―２―ノルボルネン三元共重合体））、これら
の材料の単独又は二種以上のブレンド物又はこれ
らの架橋体が適当である。 次に本発明における数量限定の理由を簡単に述
べると、基体樹脂100重量部に対して炭化硅素の
配合量が50重量部未満では、熱履歴によつて電気
抵抗が変化するので、不可である。又700重量部
を越えると、組成物が非常に硬くなり、加工しに
くいので不可である。又、カーボンが２重量部未
満では、所望の誘電率抵抗が得られないので、不
可であり、逆に60重量部を越えると、組成物が硬
くなり、加工しにくいので不可である。 かかる発明の構造による効果、特徴は、カーボ
ンブラツクのみ含有の高誘電率、高抵抗層に比し
て、炭化硅素を配合したことにより熱履歴を受け
てもカーボンブラツクの移動が生じにくくなり、
抵抗率の変化がほとんど見られないという特徴を
有する。 縁切り部の形成法は次の如くにする。すなわ
ち、 (1) 前記配合組成テープを接続部補強絶縁体層４
上に巻回する。場合によつては本テープを巻回
した後、接続部補強絶縁体層４にこれを加熱融
着させる。 (2) 予め前記配合組成物からなるチユーブを、設
計した接続部補強絶縁体層４の外径に合わせて
作成し、補強絶縁体層４を成形後、この補強絶
縁体層４上に該チユーブを挿入被覆し加熱融着
する。 (3) 補強絶縁層成形後、この絶縁層上に金型を置
き、縁切り部の設計に合わせて、前記の配合組
成物を射出あるいは押出成形する。さらに絶縁
層に加熱融着させる。 ここで該高誘電率かつ高抵抗層の厚さ及び長さ
については、定格電圧級によつて異なるが、例え
ば66KV級のケーブルで、厚さは１〜３mm絶縁遮
蔽層間の離隔距離は50〜100mmが好ましい。 実施例 １ 600mm2154KV架橋ポリエチレン絶縁ケーブルの
絶縁体３，３を、鉛筆削りした後、圧縮スリーブ
（図示せず）で導体１，１′を接続後、半導電性テ
ープ（日本ユニカー株式会社製商品名DFDJ0580
をテープ化したもの）を、導体接続部上に巻回し
た後、温度150℃で４時間加熱成形した。その後、
形成した導電層２の周囲に金型（図示せず）を取
付け、30mm押出機から架橋剤入りポリエチレン組
成物〔HFDJ4201（日本ユニカー株式会社製商品
名）〕を金型内に押出し成形した。この押出機
（図示せず）の設定温度は120℃であつた。次に冷
却後前記金型を取外し、形成した接続部補強絶縁
体層４の第２図に示す高誘電率かつ高抵抗層には
次の第１表に示す組成物のテープを３mm厚さで、
縁切り部距離100mmその他の個所には上記の半導
電性テープをそれぞれ巻いた。而して得た接続部
を加硫管（図示せず）中に入れ、窒素ガス８Kg／
cm2雰囲気で温度210℃にて６時間加熱した後、ガ
ス加工下にて冷却した。尚、ジヨイント補強絶縁
体層４の厚さは25mmであつた。 接続部成形後、高誘電率かつ高抵抗層の交流で
の体積固有抵抗率、インパルス閃絡耐圧テストを
実施した後、導体温度90℃になるように200日間
毎日８時間通電した。ヒートサイクルテスト実施
後、高誘電率かつ高抵抗層の交流での体積固有抵
抗率、インパルス閃絡耐圧テストをおこなつた。
得られた結果を第１表に併記した。
ム、プラスチツク絶縁ケーブルの絶縁接続部に関
するものである。 長尺の単心ケーブルでは、導体電流の電磁誘導
によつてシースに電位が誘起されるが、いわゆる
クロスボンド方式により、こうした電位を減少で
きる。こうしたクロスボンド方式には、ケーブル
中間接続部として絶縁接続部が使用される。絶縁
接続部は絶縁遮蔽層を何等かの手段を使用して電
気的に絶縁したものである。 従来、この種のゴム、プラスチツク絶縁ケーブ
ルの絶縁接続部の縁切り構造は、その一例を第１
図に示すように、接続した２個の導体１，１′を
中心としこの上に設けた補強絶縁層上に、接続部
絶縁遮蔽層５を同軸的に設けてスリツト８を形成
し、上下方向に絶縁遮蔽層を縁切つたものが知ら
れている。このような架橋ポリエチレン絶縁ケー
ブルの絶縁接続部は次のように製造される。 まず、接続すべき２本のケーブルの端部の絶縁
体層３，３をそれぞれ図にもみられるように鉛筆
状に削り、圧縮スリーブ等で導体１，１′を接続
した後、その上に半導電性テープあるいは半導電
性熱収縮チユーブにより内部半導電層２を形成す
る。次いでこの内部半導電層２上にケーブル絶縁
体層３，３に亘つて自己融着性絶縁テープなどの
ゴムまたはプラスチツク絶縁テープを巻回した
後、これを加圧加熱し一体に融着する。あるいは
内部半導電層２の周囲に所望の金型（図示せず）
を設け、そこに溶融樹脂を射出し成形した後、適
当な手段により加熱融着させることにより接続部
補強絶縁体層４を形成する。さらにこの接続部補
強絶縁体層４の外周に同軸的にスリツト部８を設
けた半導電層からなる絶縁遮蔽層５を設けて接続
部が完成する。 しかしながら、このような従来のゴム、プラス
チツク絶縁ケーブルの絶縁接続部には多くの欠点
が存在した。すなわち、 (イ) 補強絶縁体層４を形成するためのテープ巻回
層などを加熱し、一体に融着する際にスリツト
８を形成する絶縁遮蔽層５の先端が変形してし
まう。このため先端の電界が大きくなるため、
形成された接続部はこの先端から破壊し易くな
る。 (ロ) 絶縁遮蔽層５でスリツト８を作成する際、同
軸的に同心円上にすることが困難であり、その
ため電界の乱れが生じ易い。 こうした欠点に鑑み第１図のようなスリツト８
を必要としない第２図にみられるようなゴム、プ
ラスチツク絶縁電力ケーブルのケーブル導体接続
部上を覆う絶縁補強層４の外周上に、交流での体
積固有抵抗率106〜1012Ω・cm、比誘電率６〜100
を有する高誘電率かつ高抵抗層７を介して絶縁遮
蔽層６を設け、絶縁遮蔽層６を縁切る高誘電率、
高抵抗型絶縁接続部が提案された。ここで、この
高誘電率、高抵抗層の数値の根拠は、体積抵抗率
106Ω・cm以下、比誘電率100以上では、ケーブル
線路に侵入してくるインパルス電圧で閃絡してし
まい、一方体積固有抵抗率1012Ω・cm以上、比誘
電率６以下では本接続部に課電した場合、第２図
絶縁遮蔽層６と高誘電率、高抵抗層７の先端に電
界が集中し、容易に破壊してしまうためである。 従来このような高誘電率で高抵抗型縁切り部と
してはカーボン含有量を適当に調整することによ
り、上記抵抗範囲の高抵抗層を絶縁体円周上に設
ける方法があるが、この方法ではカーボンのみ含
有した高抵抗層がヒートサイクル等の熱履歴によ
り抵抗値が変動し易いという問題点があつた。 本発明は高誘電率、高抵抗型絶縁接続部におけ
る上述の如き欠点を除去し、安定にして簡易な絶
縁接続部を提供することにある。 すなわち、第２図の高誘電率、高抵抗層（縁切
り部）７としては基体樹脂100重量部に対して、
炭化硅素50〜700重量部及びカーボン２〜60重量
部を混和配合した組成物を使用したことを特徴と
した絶縁接続部である。基体樹脂としては低密度
ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリ
エチレン、エチレン―プロピレン共重合体、エチ
レン―エチルアクリレート共重合体、エチレン−
酢酸ビニル共重合体、エチレン―αオレフイン―
ポリエン三元共重合体（例えば三井石油化学製エ
ラストマー（エチレン・１―ブテン・５―エチリ
デン―２―ノルボルネン三元共重合体））、これら
の材料の単独又は二種以上のブレンド物又はこれ
らの架橋体が適当である。 次に本発明における数量限定の理由を簡単に述
べると、基体樹脂100重量部に対して炭化硅素の
配合量が50重量部未満では、熱履歴によつて電気
抵抗が変化するので、不可である。又700重量部
を越えると、組成物が非常に硬くなり、加工しに
くいので不可である。又、カーボンが２重量部未
満では、所望の誘電率抵抗が得られないので、不
可であり、逆に60重量部を越えると、組成物が硬
くなり、加工しにくいので不可である。 かかる発明の構造による効果、特徴は、カーボ
ンブラツクのみ含有の高誘電率、高抵抗層に比し
て、炭化硅素を配合したことにより熱履歴を受け
てもカーボンブラツクの移動が生じにくくなり、
抵抗率の変化がほとんど見られないという特徴を
有する。 縁切り部の形成法は次の如くにする。すなわ
ち、 (1) 前記配合組成テープを接続部補強絶縁体層４
上に巻回する。場合によつては本テープを巻回
した後、接続部補強絶縁体層４にこれを加熱融
着させる。 (2) 予め前記配合組成物からなるチユーブを、設
計した接続部補強絶縁体層４の外径に合わせて
作成し、補強絶縁体層４を成形後、この補強絶
縁体層４上に該チユーブを挿入被覆し加熱融着
する。 (3) 補強絶縁層成形後、この絶縁層上に金型を置
き、縁切り部の設計に合わせて、前記の配合組
成物を射出あるいは押出成形する。さらに絶縁
層に加熱融着させる。 ここで該高誘電率かつ高抵抗層の厚さ及び長さ
については、定格電圧級によつて異なるが、例え
ば66KV級のケーブルで、厚さは１〜３mm絶縁遮
蔽層間の離隔距離は50〜100mmが好ましい。 実施例 １ 600mm2154KV架橋ポリエチレン絶縁ケーブルの
絶縁体３，３を、鉛筆削りした後、圧縮スリーブ
（図示せず）で導体１，１′を接続後、半導電性テ
ープ（日本ユニカー株式会社製商品名DFDJ0580
をテープ化したもの）を、導体接続部上に巻回し
た後、温度150℃で４時間加熱成形した。その後、
形成した導電層２の周囲に金型（図示せず）を取
付け、30mm押出機から架橋剤入りポリエチレン組
成物〔HFDJ4201（日本ユニカー株式会社製商品
名）〕を金型内に押出し成形した。この押出機
（図示せず）の設定温度は120℃であつた。次に冷
却後前記金型を取外し、形成した接続部補強絶縁
体層４の第２図に示す高誘電率かつ高抵抗層には
次の第１表に示す組成物のテープを３mm厚さで、
縁切り部距離100mmその他の個所には上記の半導
電性テープをそれぞれ巻いた。而して得た接続部
を加硫管（図示せず）中に入れ、窒素ガス８Kg／
cm2雰囲気で温度210℃にて６時間加熱した後、ガ
ス加工下にて冷却した。尚、ジヨイント補強絶縁
体層４の厚さは25mmであつた。 接続部成形後、高誘電率かつ高抵抗層の交流で
の体積固有抵抗率、インパルス閃絡耐圧テストを
実施した後、導体温度90℃になるように200日間
毎日８時間通電した。ヒートサイクルテスト実施
後、高誘電率かつ高抵抗層の交流での体積固有抵
抗率、インパルス閃絡耐圧テストをおこなつた。
得られた結果を第１表に併記した。
【表】
第１表から明らかなように本実施例による絶縁
接続部は何れも従来のものに比して、ヒートサイ
クル熱履歴後の縁切り部の特性が比較例に比べ非
常に安定している。 実施例 ２ 250mm66KV架橋ポリエチレン絶縁ケーブルの
絶縁体３，３を鉛筆削りした後、圧縮スリーブ
（図示せず）で露出させた導体１，１′を接続後半
導電性テープ（日本ユニカー株式会社製
DFDJ0580をテープ化したもの）を、導体接続部
上に巻回した後、温度150℃で３時間加熱成形し
た。その後形成した導電層２の周囲に金型（図示
せず）を取付け、30mm押出機から架橋可能なポリ
エチレン組成物（日本ユニカー製HFDJ4201）を
絶縁厚12mmになるように金型内に押出し成形し
た。この押出機（図示せず）の設定は120℃であ
つた。次に冷却後、前記金型を取外し、形成した
接続部補強絶縁体層４の第２図に示す高誘電率か
つ高抵抗層には次の第２表に示す組成物のテープ
を２mm厚さで、縁切り部距離70mm、第２図の６の
個所には上記の半導電テープを巻いた。本接続部
を加硫管（図示せず）中に入れ、窒素ガス８Kg／
cm2、雰囲気温度210℃にて４時間加熱し、ガス加
工下にて冷却し接続部を成形した。 接続部成形後、高誘電率かつ高抵抗層の交流で
の体積固有抵抗率、インパルス閃絡耐圧テストを
実施した後、導体温度90℃になるように200日間
毎日８時間通電した。ヒートサイクルテスト実施
後、高誘電率、高抵抗層の交流での体積固有抵抗
率、インパルス閃絡耐圧テストをおこなつた。得
られた結果を第２表に併記した。 第２表から明らかなように本実施例による絶縁
接続部は何れも従来のものに比して、ヒートサイ
クル熱履歴後の縁切り部の特性が比較例に比べ非
常に安定していることがわかる。
接続部は何れも従来のものに比して、ヒートサイ
クル熱履歴後の縁切り部の特性が比較例に比べ非
常に安定している。 実施例 ２ 250mm66KV架橋ポリエチレン絶縁ケーブルの
絶縁体３，３を鉛筆削りした後、圧縮スリーブ
（図示せず）で露出させた導体１，１′を接続後半
導電性テープ（日本ユニカー株式会社製
DFDJ0580をテープ化したもの）を、導体接続部
上に巻回した後、温度150℃で３時間加熱成形し
た。その後形成した導電層２の周囲に金型（図示
せず）を取付け、30mm押出機から架橋可能なポリ
エチレン組成物（日本ユニカー製HFDJ4201）を
絶縁厚12mmになるように金型内に押出し成形し
た。この押出機（図示せず）の設定は120℃であ
つた。次に冷却後、前記金型を取外し、形成した
接続部補強絶縁体層４の第２図に示す高誘電率か
つ高抵抗層には次の第２表に示す組成物のテープ
を２mm厚さで、縁切り部距離70mm、第２図の６の
個所には上記の半導電テープを巻いた。本接続部
を加硫管（図示せず）中に入れ、窒素ガス８Kg／
cm2、雰囲気温度210℃にて４時間加熱し、ガス加
工下にて冷却し接続部を成形した。 接続部成形後、高誘電率かつ高抵抗層の交流で
の体積固有抵抗率、インパルス閃絡耐圧テストを
実施した後、導体温度90℃になるように200日間
毎日８時間通電した。ヒートサイクルテスト実施
後、高誘電率、高抵抗層の交流での体積固有抵抗
率、インパルス閃絡耐圧テストをおこなつた。得
られた結果を第２表に併記した。 第２表から明らかなように本実施例による絶縁
接続部は何れも従来のものに比して、ヒートサイ
クル熱履歴後の縁切り部の特性が比較例に比べ非
常に安定していることがわかる。
【表】
実施例 ３
250mm66KVエチレン―プロピレンラバー絶縁
ケーブルの絶縁体層３，３を鉛筆削りした後、圧
縮スリーブ（図示せず）で露出させた導体１，
１′を接続後、半導電テープ（日本ユニカー製
DFDJ0580をテープ化したもの）を導体接続部上
に巻回した後、温度150℃で３時間加熱成形した。
その後形成した半導電層２上にエチレン―プロピ
レン共重合体テープ（du pout社製ノーデル2722
をテープ化したもの）を、絶縁厚が20mmになるよ
うに巻回し、さらに絶縁体４上に第２図に示す縁
切り部７を作成するため、第２表１の組成物で作
つたテープを２mm厚さで、縁切り部距離70mm、第
２図６の箇所には半導電テープを巻いた。本接続
部を加硫管（図示せず）中に入れ、窒素ガス８
Kg／cm2、雰囲気温度210℃にて４時間加熱しガス
加圧下にて冷却し接続部を作成した。 接続部成形後、縁切り部の交流での体積固有抵
抗率は２×109Ω・cm、インパルス閃絡電圧は
140KVであつた。 本接続部を導体温度90℃８時間通電、16時間通
電停止の条件でヒートサイクルを200サイクル行
つた後、上記の試験を行つたが特性に変化はなか
つた。 実施例 ４ 600mm2154KV架橋ポリエチレン絶縁ケーブルの
絶縁体３，３を鉛筆削りした後、圧縮スリーブで
露出させた導体１，１′を接続後、この導体接続
部上に半導電性テープ（古河電工社製商品名導電
性Ｃテープ）を、巻回し、更にこの半導電層２上
にエチレンプロピレンゴムを基体にした絶縁テー
プ（古河電工社製商品名エフコ31号）を絶縁厚50
mmとなるまで巻回し、接続部補強絶縁体層４を形
成した。この補強絶縁層４上の第２図に示した縁
切り部７には、前記第１表のと同一組成物のテー
プを他の個所には上記半導電層２に用いたと同一
の半導電性テープをそれぞれ巻いた絶縁接続部を
作つた。 接続部作成後、縁切り部の交流での体積固有抵
抗率は２×109Ω・cm、インパルス閃絡電圧は
120KVであつた。 本接続部を導体温度が90℃になるように200日
間毎日８時間通電するヒートサイクルテストを行
つたが、縁切り部の特性は変化していなかつた。 実施例 ５ 66KV250mm2ポリエチレン絶縁ケーブルの絶縁
体３，３を鉛筆削りした後、圧縮スリーブで露出
させた導体１，１′を接続後、この導体接続部上
に半導電テープ（ポリエチレン（NUC9025）100
部にカーボンブラツク（VulcanXC72）70部を混
合したcompoundをテープ化したもの）を導体接
続部上に巻回し、温度120℃で１時間加熱成形し
て半導電層２を形成した。ついで絶縁テープ（ポ
リエチレン（NUC9025）をテープ化したもの）
を絶縁厚が12mmになるように巻回し、さらに第２
図に示す縁切り部７を作成するため実施例２の組
成４で作つたテープを２mm厚さで巻いた。次にこ
の接続部を窒素ガス８Kg／cm2、雰囲気温度130℃
で２時間加熱し絶縁接続部を形成した。 接続部作成後、縁切り部の交流での体積固有抵
抗率は２×107Ω・cm、インパルス閃絡電圧は
110KVであつた。 本接続部について実施例１と同様のヒートサイ
クル試験を実施したが、縁切り部の特性は何等変
化がなかつた。
ケーブルの絶縁体層３，３を鉛筆削りした後、圧
縮スリーブ（図示せず）で露出させた導体１，
１′を接続後、半導電テープ（日本ユニカー製
DFDJ0580をテープ化したもの）を導体接続部上
に巻回した後、温度150℃で３時間加熱成形した。
その後形成した半導電層２上にエチレン―プロピ
レン共重合体テープ（du pout社製ノーデル2722
をテープ化したもの）を、絶縁厚が20mmになるよ
うに巻回し、さらに絶縁体４上に第２図に示す縁
切り部７を作成するため、第２表１の組成物で作
つたテープを２mm厚さで、縁切り部距離70mm、第
２図６の箇所には半導電テープを巻いた。本接続
部を加硫管（図示せず）中に入れ、窒素ガス８
Kg／cm2、雰囲気温度210℃にて４時間加熱しガス
加圧下にて冷却し接続部を作成した。 接続部成形後、縁切り部の交流での体積固有抵
抗率は２×109Ω・cm、インパルス閃絡電圧は
140KVであつた。 本接続部を導体温度90℃８時間通電、16時間通
電停止の条件でヒートサイクルを200サイクル行
つた後、上記の試験を行つたが特性に変化はなか
つた。 実施例 ４ 600mm2154KV架橋ポリエチレン絶縁ケーブルの
絶縁体３，３を鉛筆削りした後、圧縮スリーブで
露出させた導体１，１′を接続後、この導体接続
部上に半導電性テープ（古河電工社製商品名導電
性Ｃテープ）を、巻回し、更にこの半導電層２上
にエチレンプロピレンゴムを基体にした絶縁テー
プ（古河電工社製商品名エフコ31号）を絶縁厚50
mmとなるまで巻回し、接続部補強絶縁体層４を形
成した。この補強絶縁層４上の第２図に示した縁
切り部７には、前記第１表のと同一組成物のテー
プを他の個所には上記半導電層２に用いたと同一
の半導電性テープをそれぞれ巻いた絶縁接続部を
作つた。 接続部作成後、縁切り部の交流での体積固有抵
抗率は２×109Ω・cm、インパルス閃絡電圧は
120KVであつた。 本接続部を導体温度が90℃になるように200日
間毎日８時間通電するヒートサイクルテストを行
つたが、縁切り部の特性は変化していなかつた。 実施例 ５ 66KV250mm2ポリエチレン絶縁ケーブルの絶縁
体３，３を鉛筆削りした後、圧縮スリーブで露出
させた導体１，１′を接続後、この導体接続部上
に半導電テープ（ポリエチレン（NUC9025）100
部にカーボンブラツク（VulcanXC72）70部を混
合したcompoundをテープ化したもの）を導体接
続部上に巻回し、温度120℃で１時間加熱成形し
て半導電層２を形成した。ついで絶縁テープ（ポ
リエチレン（NUC9025）をテープ化したもの）
を絶縁厚が12mmになるように巻回し、さらに第２
図に示す縁切り部７を作成するため実施例２の組
成４で作つたテープを２mm厚さで巻いた。次にこ
の接続部を窒素ガス８Kg／cm2、雰囲気温度130℃
で２時間加熱し絶縁接続部を形成した。 接続部作成後、縁切り部の交流での体積固有抵
抗率は２×107Ω・cm、インパルス閃絡電圧は
110KVであつた。 本接続部について実施例１と同様のヒートサイ
クル試験を実施したが、縁切り部の特性は何等変
化がなかつた。
第１図はゴム、プラスチツク絶縁ケーブルの従
来の絶縁接続部の一例を示す部分縦断面略図、第
２図は本発明の絶縁接続部の一実施例を示す部分
縦断面略図である。 １，１′……導体、２……内部半導電層、３…
…ケーブル絶縁体層、４……接続部補強絶縁体
層、５……接続部絶縁遮蔽層、６……接続部絶縁
遮蔽層、７……高誘電率、高抵抗層、８……スリ
ツト部（縁切り部）。
来の絶縁接続部の一例を示す部分縦断面略図、第
２図は本発明の絶縁接続部の一実施例を示す部分
縦断面略図である。 １，１′……導体、２……内部半導電層、３…
…ケーブル絶縁体層、４……接続部補強絶縁体
層、５……接続部絶縁遮蔽層、６……接続部絶縁
遮蔽層、７……高誘電率、高抵抗層、８……スリ
ツト部（縁切り部）。
Claims (1)
- １ ケーブル導体接続部を覆つた絶縁補強層の外
周に絶縁遮蔽層を設けてなるゴムまたはプラスチ
ツク絶縁電力ケーブルの接続部において、前記絶
縁遮蔽層を、プラスチツクを基体とし、その100
重量部に対して炭化硅素50〜700重量部およびカ
ーボンブラツク２〜60重量部を配合してなる混和
物からなる高誘電率、高抵抗層を介して長手方向
に左右対向した状態に設けたことを特徴とするゴ
ム、プラスチツク絶縁電力ケーブルの絶縁接続
部。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3697783A JPS59162709A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | ゴム、プラスチツク絶縁電力ケ−ブルの絶縁接続部 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3697783A JPS59162709A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | ゴム、プラスチツク絶縁電力ケ−ブルの絶縁接続部 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59162709A JPS59162709A (ja) | 1984-09-13 |
| JPH0132731B2 true JPH0132731B2 (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=12484811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3697783A Granted JPS59162709A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | ゴム、プラスチツク絶縁電力ケ−ブルの絶縁接続部 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59162709A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NO165007C (no) * | 1987-10-13 | 1990-12-05 | Alcatel Stk As | Fremgangsmaate for seksjonering av de ytre skjermer paa en kraftkabel. |
-
1983
- 1983-03-07 JP JP3697783A patent/JPS59162709A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59162709A (ja) | 1984-09-13 |
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