JPH01320211A - ホールバーニング物質及びその製造法 - Google Patents
ホールバーニング物質及びその製造法Info
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- JPH01320211A JPH01320211A JP63153044A JP15304488A JPH01320211A JP H01320211 A JPH01320211 A JP H01320211A JP 63153044 A JP63153044 A JP 63153044A JP 15304488 A JP15304488 A JP 15304488A JP H01320211 A JPH01320211 A JP H01320211A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ 発明の目的
(a)産業上の利用分野
次世代のメモリーとして、フォトクロミック効果、ホー
ルバーニング効果を利用した3次元光メモリーの研究が
進められている。本発明は、ホールバーニング効果を利
用したメモリー物質及び作製法に関するものである。
ルバーニング効果を利用した3次元光メモリーの研究が
進められている。本発明は、ホールバーニング効果を利
用したメモリー物質及び作製法に関するものである。
(b)従来の技術
従来の技術は、ホールバーニング物質として、ポルフィ
リンやキニザリン等の有機色素をn−ヘキサン等のマト
リックスに入れた物質を使用していた。(化学と工業
V o L 35. Nn9.1982 P633〜6
35)。この場合、ホールバーニング物質を液体ヘリウ
ム温度まで低下させ、使用させる必要が有った。又記憶
する為にホールを作製する時間が長くかかると言う問題
と、作成したホールの寿命が短いと言う欠点が有った。
リンやキニザリン等の有機色素をn−ヘキサン等のマト
リックスに入れた物質を使用していた。(化学と工業
V o L 35. Nn9.1982 P633〜6
35)。この場合、ホールバーニング物質を液体ヘリウ
ム温度まで低下させ、使用させる必要が有った。又記憶
する為にホールを作製する時間が長くかかると言う問題
と、作成したホールの寿命が短いと言う欠点が有った。
又有機色素以外に、アルカリハライド系化合物に、電子
線照射をしカラーセンターを作成し、ホールバーニング
物質として使用した例はあるが、上述の有機色素と同一
の問題点が有った。
線照射をしカラーセンターを作成し、ホールバーニング
物質として使用した例はあるが、上述の有機色素と同一
の問題点が有った。
さらにダイヤモンド中に各種のカラーセンター(GRI
、 N−v、H,、N、 )を作り、これをホールバー
ニング実験した例がある。この場合でも下記の問題点が
有った。
、 N−v、H,、N、 )を作り、これをホールバー
ニング実験した例がある。この場合でも下記の問題点が
有った。
(J 、 Phys、 C、5olid 5ta
te Physics、 Vol 17(198
4) P233−236. R,T、l1orl
ey etc)■温度が20に以下でないと、ホール
が消失する。
te Physics、 Vol 17(198
4) P233−236. R,T、l1orl
ey etc)■温度が20に以下でないと、ホール
が消失する。
■ホール寿命が15分程度である。
■マイクロ波でホールを検出する必要がある。
本発明は、上記■〜■の欠点を解決し、ダイヤモンドの
カラーセンターを用いたすぐれたホールバーニング物質
を提供するものである。
カラーセンターを用いたすぐれたホールバーニング物質
を提供するものである。
口 発明の構成
(a)問題点を解決するための手段
本発明では、ダイヤモンドのカラーセンターの内N−V
センターのゼロフォノンラインをホールバーニングする
。これは当該ラインがホールバーニングに適しているか
らである。この手段は、J 、 Phys 、
C、5olid 5tate Physics 、
Vol 17(1984) P233〜23
6に示唆されている。
センターのゼロフォノンラインをホールバーニングする
。これは当該ラインがホールバーニングに適しているか
らである。この手段は、J 、 Phys 、
C、5olid 5tate Physics 、
Vol 17(1984) P233〜23
6に示唆されている。
以下、初めに本発明によるホールバーニング素子の製造
法について述べ、次に物質の特性について述べる。
法について述べ、次に物質の特性について述べる。
本発明による製造法の特徴を下記に示す。
(ア)カラーセンターを作成するマトリックスとして、
合成Ib型ダイヤを用いる。(超高圧合成による単結晶
又は多結晶又は気相合成による多結晶又は単結晶) (イ)カラーセンターを作成するのに、中性子線を用い
、lXl×1017個/cd〜2×101s個/cdの
範囲で照射する。又電子線の場合にはlXl017〜I
X 1×1017electrons / alの範
囲で照射する。
合成Ib型ダイヤを用いる。(超高圧合成による単結晶
又は多結晶又は気相合成による多結晶又は単結晶) (イ)カラーセンターを作成するのに、中性子線を用い
、lXl×1017個/cd〜2×101s個/cdの
範囲で照射する。又電子線の場合にはlXl017〜I
X 1×1017electrons / alの範
囲で照射する。
(つ)温度範囲が600℃〜1400℃であり、1 t
orr以下の真空下で1時間以上アニーリングする。
orr以下の真空下で1時間以上アニーリングする。
上記の内、(ア)及び(つ)については規矩であり、本
発明の大きな特徴ではない。本発明の大きな特徴は(イ
)項の中性子線を用い比較的照射量の多い範囲で欠陥を
多く作る事にある。電子線を用いても良いが、この場合
LX 10′?〜lx 1×1017elect、ro
ns/ crlとかなり高い照射量を必要とする。
発明の大きな特徴ではない。本発明の大きな特徴は(イ
)項の中性子線を用い比較的照射量の多い範囲で欠陥を
多く作る事にある。電子線を用いても良いが、この場合
LX 10′?〜lx 1×1017elect、ro
ns/ crlとかなり高い照射量を必要とする。
前述の如き製造法で作成したN−Vセンター濃度は高い
ものとなる。特にゼロフォノンに対して、下記の特徴を
示し、優れたホールバーニング物質として用いられる事
が判明した。
ものとなる。特にゼロフォノンに対して、下記の特徴を
示し、優れたホールバーニング物質として用いられる事
が判明した。
(A)温度が2〜120にの範囲でも一度作成されたホ
ールは消失しない。
ールは消失しない。
(B)作成されたホールは半永久的に消失しない。
(C)作成されたホールは、時定数20秒程度及び50
0秒程程度び−時間以上の半永久的な成分とから成り立
つ。
0秒程程度び−時間以上の半永久的な成分とから成り立
つ。
(D) 5 XIQ−’w /cr1以上のエネルギ
ー密度を有するレーザー光であれば、ホールが作成出来
る。
ー密度を有するレーザー光であれば、ホールが作成出来
る。
ら)作 用
本発明による製造方法の作用について述べ、次に特性の
作用について述べる。本発明による製造方法の特徴は(
a)問題点を解決する為の手段の項で述べた如く、(7
) (イ) (つ)の3項が有る。以下順次説明する。
作用について述べる。本発明による製造方法の特徴は(
a)問題点を解決する為の手段の項で述べた如く、(7
) (イ) (つ)の3項が有る。以下順次説明する。
N−Vセンターは、ダイヤモンド中の窒素原子1個と、
空格子が結合したものである。この為マトリックスとし
ては、孤立分散型窒素からなるIb型ダイヤモンドが最
適である。rb型ダイヤは下記の5方法によって作製さ
れる。
空格子が結合したものである。この為マトリックスとし
ては、孤立分散型窒素からなるIb型ダイヤモンドが最
適である。rb型ダイヤは下記の5方法によって作製さ
れる。
i)天然ダイヤモンドを選別したもの
11)ダイヤモンド安定領域下で、温度差法によって合
成した単結晶。
成した単結晶。
iii )ダイヤモンド安定領域下で、焼結法によって
合成した多結晶。
合成した多結晶。
iv )ダイヤモンド安定領域下で、膜成長法によって
合成した砥粒用単結晶。
合成した砥粒用単結晶。
■)気相合成法により作成された単結晶又は多結晶。
この内、本発明ではii)、1ii)、v)が、大きな
品質の点で好ましい事を見い出した。又i)、iv)に
よる方法はあまり適していない。又気相合成法はマイク
ロ波CVD法、DCプラズマ法、レーザーPVD法、熱
フイラメント法、熱フイラメントCVD法、イオンビー
ム蒸着法等あるが、いずれの場合でも同様の結果が得ら
れた。
品質の点で好ましい事を見い出した。又i)、iv)に
よる方法はあまり適していない。又気相合成法はマイク
ロ波CVD法、DCプラズマ法、レーザーPVD法、熱
フイラメント法、熱フイラメントCVD法、イオンビー
ム蒸着法等あるが、いずれの場合でも同様の結果が得ら
れた。
ダイヤモンド中にN−Vセンターを作成するには、 (
ア)のマトリックス以外に空格子を生じさせる為のエネ
ルギー線を照射させる必要がある。この工程は非常に重
要で、本発明では下記の方法が適している事を見い出し
た。
ア)のマトリックス以外に空格子を生じさせる為のエネ
ルギー線を照射させる必要がある。この工程は非常に重
要で、本発明では下記の方法が適している事を見い出し
た。
l)エネルギー線として、中性子線を用いた場合lX1
016〜2X10′″個/cm2の範囲で照射する。
016〜2X10′″個/cm2の範囲で照射する。
Ii)エネルギー線として、電子線を用いた場合I X
1017〜I X 1020electrons /
aiの範囲で照射する。
1017〜I X 1020electrons /
aiの範囲で照射する。
この場合、i)、ii)の下限以下ではN−Vセンター
のゼロフォノンラインをホールバーニングしても、作成
されたホールが20Kを越えると変化する。又、ホール
の寿命が半永久的に安定ではなかった。
のゼロフォノンラインをホールバーニングしても、作成
されたホールが20Kを越えると変化する。又、ホール
の寿命が半永久的に安定ではなかった。
又、i)、ii)の上限以上では、エネルギー線による
ダイヤモンド格子の損傷が著しく、広い波長域で強い吸
収が生じる。この為N−Vセンターのゼロフォノンライ
ンが明瞭に検出出来ないと言う新たな問題点が生ずる。
ダイヤモンド格子の損傷が著しく、広い波長域で強い吸
収が生じる。この為N−Vセンターのゼロフォノンライ
ンが明瞭に検出出来ないと言う新たな問題点が生ずる。
アニーリングの作用は、 (ア)のマトリックス中の窒
素原子と (イ)によって生じた空格子とを結合させN
−Vセンターを作る。本発明では600℃〜1400℃
の温度範囲で1時間以上1 torr以下の真空下で実
施する事が、効果的である事を見い出した。
素原子と (イ)によって生じた空格子とを結合させN
−Vセンターを作る。本発明では600℃〜1400℃
の温度範囲で1時間以上1 torr以下の真空下で実
施する事が、効果的である事を見い出した。
600℃以下では照射損傷による吸収(GRIセンター
)が除去されず、N−Vセンターも形成されない。14
00℃以上ではN−Vセンターの破壊が生じた。又1時
間以下のアニーリングでは、照射損傷による吸収が除去
出来ない問題が生じた。又1torr以上の真空度では
ダイヤの表面が黒鉛化した。
)が除去されず、N−Vセンターも形成されない。14
00℃以上ではN−Vセンターの破壊が生じた。又1時
間以下のアニーリングでは、照射損傷による吸収が除去
出来ない問題が生じた。又1torr以上の真空度では
ダイヤの表面が黒鉛化した。
次に特性の作用について述べる。
本発明による特性は(a)問題を解決するための手段の
項で述べた様に(Δ)〜(D)まである。以下冬作用に
ついて説明する。
項で述べた様に(Δ)〜(D)まである。以下冬作用に
ついて説明する。
〔(Δ)(B))の作用)液体f(e温度から120に
の範囲でも第3図に示す如く、一度作成されたホールは
消失しない。120に以上になるとホールの消失が始ま
り、300にではかなり消失する。本作用によって従来
液体Heを用いなければ生じなかったホールバーニング
効果が、液体窒素温度でも生じる様になった。
の範囲でも第3図に示す如く、一度作成されたホールは
消失しない。120に以上になるとホールの消失が始ま
り、300にではかなり消失する。本作用によって従来
液体Heを用いなければ生じなかったホールバーニング
効果が、液体窒素温度でも生じる様になった。
又作成されたホールが半永久的に消失しない事により、
実用化に向は大きく進歩した。
実用化に向は大きく進歩した。
〔(C)の作用〕作成されたホールは、時定数の異なる
3戊分よりなる。この内−時間以上の半永久的な成分は
、レーザー光で検出が可能であった。
3戊分よりなる。この内−時間以上の半永久的な成分は
、レーザー光で検出が可能であった。
従来はマイクロ波による検出しか出来なかったが、本発
明の作用により2次元的に集積密度が高く、応答性の速
い光メモリーが作製可能となった。又、本発明によるホ
ールは、従来のホールと異なりマイクロ波に対して応答
せず、電磁的外乱にも耐え得る事が判った。
明の作用により2次元的に集積密度が高く、応答性の速
い光メモリーが作製可能となった。又、本発明によるホ
ールは、従来のホールと異なりマイクロ波に対して応答
せず、電磁的外乱にも耐え得る事が判った。
〔(D)の作用〕本作用により、微弱なレーザー光でホ
ールを作成する事が可能となった。又ホールの作成時間
も短く励起光に半導体レーザー他を用いた小型で安価な
光メモリーが可能となった。
ールを作成する事が可能となった。又ホールの作成時間
も短く励起光に半導体レーザー他を用いた小型で安価な
光メモリーが可能となった。
実施例−1
温度差法を用い、圧力5,4GPa、温度1400℃で
合成した。2ctの窒素含有ffi 90PPMのIb
型ダイヤモンドを6x 6X l mmのサイズに加工
した。
合成した。2ctの窒素含有ffi 90PPMのIb
型ダイヤモンドを6x 6X l mmのサイズに加工
した。
当該試料に5×101S〜5×10′′個/catの照
射量で中性子線を照射した後、10−”torrの真空
下で900℃X20時間のアニーリング処理を行なった
。可視分光分析装置によりN−Vセンターの存在を確認
した。又rb型ダイヤモンド中の窒素含有量は赤外分光
分析の1130am−’の吸収係数より求めた。図−1
に示す如き方法でN−Vセンターのゼロフォノンライン
にホールを開は観察した。図中レーザー1により試料6
にレーザー光7を当てホールを形成した。又、シャッタ
ー2によってレーザー光7の照射を0N−OFFさせた
。ホールの観察はレーザー3より発振したレーザー光8
を減衰フィルター4を通した後、試料を通過させディテ
クター5で透過光強度を測定する事により行なった。
射量で中性子線を照射した後、10−”torrの真空
下で900℃X20時間のアニーリング処理を行なった
。可視分光分析装置によりN−Vセンターの存在を確認
した。又rb型ダイヤモンド中の窒素含有量は赤外分光
分析の1130am−’の吸収係数より求めた。図−1
に示す如き方法でN−Vセンターのゼロフォノンライン
にホールを開は観察した。図中レーザー1により試料6
にレーザー光7を当てホールを形成した。又、シャッタ
ー2によってレーザー光7の照射を0N−OFFさせた
。ホールの観察はレーザー3より発振したレーザー光8
を減衰フィルター4を通した後、試料を通過させディテ
クター5で透過光強度を測定する事により行なった。
又、図−2に典型的な観察結果を示す。図−2中、11
0曲線は、図−1中の5に示すディテクターにより測定
した値を示す。横軸に時間 縦軸に透過光90強度を示
す。ホールバーニングする前の強度を図−2中■pに示
す。
0曲線は、図−1中の5に示すディテクターにより測定
した値を示す。横軸に時間 縦軸に透過光90強度を示
す。ホールバーニングする前の強度を図−2中■pに示
す。
シャッター2によりレーザー1より発振したレーザー光
7を試料に照射すると、時刻12においてホールが生じ
、透過光強度は増加する。時刻13でシャッター2によ
り照射光7をカットすると、−部ホールが回復するが、
半永久的に復帰しない強度ΔIpが存在する。このΔr
pを利用してメモリーとして用いる。
7を試料に照射すると、時刻12においてホールが生じ
、透過光強度は増加する。時刻13でシャッター2によ
り照射光7をカットすると、−部ホールが回復するが、
半永久的に復帰しない強度ΔIpが存在する。このΔr
pを利用してメモリーとして用いる。
本実施例ではレーザー1又は3として0.5mWのHe
−Neレーザーを用いた。又1/10.0の減衰率のフ
ィルター4を用いた。測定結果を表−1に示す。試料は
タライオスタットによって冷却した。
−Neレーザーを用いた。又1/10.0の減衰率のフ
ィルター4を用いた。測定結果を表−1に示す。試料は
タライオスタットによって冷却した。
第1表
* Ip、Δrpは図−2中の透過光強度及び増加分
をそれぞれ示す。
をそれぞれ示す。
実施例−2
気相合成したダイヤモンドに電子線を5MeVの、エネ
ルギーで101′〜1021電子/CIl+の範囲で照
射した。気相合成したダイヤモンドは、プラズマCVD
法で一30torrの圧力下で、2.4GHzの高周波
でプラズマを発生させ窒素元素をドープさせながら5μ
m/Hrの成長速度でSi基板上に100μm成長させ
、その後Si基板を酸処理して溶かしたものを用いた。
ルギーで101′〜1021電子/CIl+の範囲で照
射した。気相合成したダイヤモンドは、プラズマCVD
法で一30torrの圧力下で、2.4GHzの高周波
でプラズマを発生させ窒素元素をドープさせながら5μ
m/Hrの成長速度でSi基板上に100μm成長させ
、その後Si基板を酸処理して溶かしたものを用いた。
得られた薄膜は多結晶であった。又、DCプラズマ法、
マイクロ波プラズマ法、レーザーPVD法、熱フィラメ
ント法、熱フイラメントCVD法、イオンビーム蒸着法
によって合成したダイヤモンド薄膜を用いたが、本実施
例と同様な結果が得られた。又Si基板以外にMo、
W 、 Ti、 Zr。
マイクロ波プラズマ法、レーザーPVD法、熱フィラメ
ント法、熱フイラメントCVD法、イオンビーム蒸着法
によって合成したダイヤモンド薄膜を用いたが、本実施
例と同様な結果が得られた。又Si基板以外にMo、
W 、 Ti、 Zr。
Hf、 WC,5iOz、 SiC,MoC,TiC
,ZrC,IIfC。
,ZrC,IIfC。
U、O,及びダイヤモンド単結晶等を用いても同様な結
果が得られた。ダイヤモンド単結晶を基板に用いた場合
、単結晶が得られた。
果が得られた。ダイヤモンド単結晶を基板に用いた場合
、単結晶が得られた。
上記電子線照射した合成ダイヤモンドをl torrの
圧力下で、600″cx5時間アニーリングし、実施例
−1の如き方法で、ホールバーニングを行ない測定した
。結果を第2表に示す。
圧力下で、600″cx5時間アニーリングし、実施例
−1の如き方法で、ホールバーニングを行ない測定した
。結果を第2表に示す。
尚、測定に要したレーザー1及び3はA「−とDyeレ
ーザーを組み合わせて波長可変にしたものを用いた。出
力は5mWのものを用い、4のフィルターは、 1/1
000の減衰率のものを用いた。
ーザーを組み合わせて波長可変にしたものを用いた。出
力は5mWのものを用い、4のフィルターは、 1/1
000の減衰率のものを用いた。
実施例−3
実施例1中の実験Nα3と同一の条件で作製した試料を
3ケ用意し、実施例−1と同一の方法で透過光の強度と
温度依存性を調べた。温度は7.5K。
3ケ用意し、実施例−1と同一の方法で透過光の強度と
温度依存性を調べた。温度は7.5K。
120に、 300Kを選びそれぞれ測定した。結果を
図−3に示す。
図−3に示す。
図−3の各点線2]、、 22及び23は、実験Nn2
1(7,5にでの測定)、Nα22(120K )、
Nα23 (300K >のシャッター2を閉じた後の
時間に対する透過強度曲線を示す。縦軸に透過光強度、
横軸に時間をそれぞれ示す。図〜3中rpは図−1中7
に示されるレーザー光によってホールが形成される前の
透過光強度を示し、八hpは形成されたホールによって
生じた透過光の増加分をそれぞれ示す。
1(7,5にでの測定)、Nα22(120K )、
Nα23 (300K >のシャッター2を閉じた後の
時間に対する透過強度曲線を示す。縦軸に透過光強度、
横軸に時間をそれぞれ示す。図〜3中rpは図−1中7
に示されるレーザー光によってホールが形成される前の
透過光強度を示し、八hpは形成されたホールによって
生じた透過光の増加分をそれぞれ示す。
図−3中実験Nα21.22.23の結果より判る様に
7.5〜120にでは透過光の時間変化は同一であり、
ホールの形成は同一である。しかし300KになるとΔ
T p / T p ’−0,05程度となり、ホール
成分が著しく失われる事を示している。
7.5〜120にでは透過光の時間変化は同一であり、
ホールの形成は同一である。しかし300KになるとΔ
T p / T p ’−0,05程度となり、ホール
成分が著しく失われる事を示している。
実施例−4
実施例1中の実験Nα3と同一の条件で作製した試料を
1ケを用意し、実施例−1と同一の方法で透過光の強度
と時間変化を調べた。実験は80にの温度で実施した。
1ケを用意し、実施例−1と同一の方法で透過光の強度
と時間変化を調べた。実験は80にの温度で実施した。
尚、図−1中2で示されるシャッターを閉じた時点(ホ
ールバーニング終了時点)を測定開始時間とした。結果
を表−3に示す。10時間経過してもホールによる増加
分が半永久的に保存されている事が判かる。
ールバーニング終了時点)を測定開始時間とした。結果
を表−3に示す。10時間経過してもホールによる増加
分が半永久的に保存されている事が判かる。
実施例−5
実施例1中の実験Nα4で作製したものと同一条件で、
試料を4ケ作製した。図−1に示す如き装置で実施例−
1と同様の測定を行なった。本実施例では、図−2に示
す時刻12の位置でシャッターを開け、透過光11の強
度が、図−1に示すホール形成用レーザー光7の強度に
依存してどの様に変化するか調べた。その結果を表−4
に示す。
試料を4ケ作製した。図−1に示す如き装置で実施例−
1と同様の測定を行なった。本実施例では、図−2に示
す時刻12の位置でシャッターを開け、透過光11の強
度が、図−1に示すホール形成用レーザー光7の強度に
依存してどの様に変化するか調べた。その結果を表−4
に示す。
尚、ホールの形成時間とは、ホールバーニングによって
透過光強度が10%増加するのに要する時間を示す。(
図−2中ΔIH/Ip=0.10になる時間) この様にホールを形成する必要なレーザー光のエネルギ
ー強度は5 X 1O−5W / cut以上あれば良
い事が判った。
透過光強度が10%増加するのに要する時間を示す。(
図−2中ΔIH/Ip=0.10になる時間) この様にホールを形成する必要なレーザー光のエネルギ
ー強度は5 X 1O−5W / cut以上あれば良
い事が判った。
ハ 発明の効果
前述の如〈従来にない高い温度範囲(2〜120K)で
ホールバーニングが可能となり、かつ短時間でホールが
形成され、−旦出来たホールは半永久的に持続するよう
になった。
ホールバーニングが可能となり、かつ短時間でホールが
形成され、−旦出来たホールは半永久的に持続するよう
になった。
本発明によりホールバーニングによる3次元メモリーの
実用化が促進した。
実用化が促進した。
第1図はホールバーニングの測定方法を示す。
1.7はホール形成用レーザー及びレーザー光、3.8
は観測用レーザー及びレーザー光を示す。 又2はシャッター、4は減衰フィルター、5は測定用デ
ィテクター、6は試料をそれぞれ示す。 第2図は典型的な測定結果を示す。11は透過強度曲 置を示す。 第3図は、実験温度を7.5〜300 Kに変化させた
時の透過光強度と時間の関係を示す。点線21.22゜
23は7.5Kにおける測定結果、120Kにおける結
果、300Kにおける結果をそれぞれ示す。 二 〇 工j曹く獄りイ
は観測用レーザー及びレーザー光を示す。 又2はシャッター、4は減衰フィルター、5は測定用デ
ィテクター、6は試料をそれぞれ示す。 第2図は典型的な測定結果を示す。11は透過強度曲 置を示す。 第3図は、実験温度を7.5〜300 Kに変化させた
時の透過光強度と時間の関係を示す。点線21.22゜
23は7.5Kにおける測定結果、120Kにおける結
果、300Kにおける結果をそれぞれ示す。 二 〇 工j曹く獄りイ
Claims (5)
- (1)ダイヤモンド中に存在するN−Vセンターのゼロ
フォノンラインを用い、一度作成されたホールが2〜1
20Kの温度範囲で変化する事なく、かつ半永久的に持
続される事を特徴とする合成Ib型ダイヤモンドを用い
たホールバーニング物質。 - (2)ホールが5×10^−^5W/cm^2以上のレ
ーザー光で形成される事を特徴とする請求項第1項記載
のホールバーニング物質。 - (3)ホールが時定数約20秒及び500秒及び1時間
以上の半永久的な成分からなる事を特徴とする請求項第
1項記載のホールバーニング物質。 - (4)ホールバーニング物質を作成するのに、ダイヤモ
ンド安定領域下で合成したIb型単結晶又は多結晶又は
気相合成したIb型単結晶又は多結晶を用い、1×10
^1^5〜2×10^1^9個/cm^2の範囲で中性
子線照射した後、1torr以下の真空下かつ600℃
〜1400℃の温度範囲で1時間以上アニーリングする
事を特徴とする請求項第1項、第2項または第3項記載
のホールバーニング物質の製造方法。 - (5)ホールバーニング物質を作成するのに、ダイヤモ
ンド安定領域下で合成したIb型単結晶又は多結晶又は
気相合成したIb型単結晶又は多結晶を用い、1×10
^1^7〜2×10^2^0個/cm^2の範囲で電子
線照射した後、1torr以下の真空下かつ600℃〜
1400℃の温度範囲で1時間以上アニーリングする事
を特徴とする請求項第1項、第2項または第3項記載の
ホールバーニング物質の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63153044A JPH01320211A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | ホールバーニング物質及びその製造法 |
US07/366,655 US4985226A (en) | 1988-06-20 | 1989-06-15 | Hole-burning material and production thereof |
EP89110985A EP0347772B1 (en) | 1988-06-20 | 1989-06-16 | Hole-burnable material and production thereof |
DE68914037T DE68914037T2 (de) | 1988-06-20 | 1989-06-16 | Löcher ausbrennbares Material und seine Herstellung. |
KR1019890008471A KR960012109B1 (ko) | 1988-06-20 | 1989-06-20 | 호울-버어닝 물질과 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63153044A JPH01320211A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | ホールバーニング物質及びその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01320211A true JPH01320211A (ja) | 1989-12-26 |
Family
ID=15553745
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63153044A Pending JPH01320211A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | ホールバーニング物質及びその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01320211A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114046736A (zh) * | 2021-11-09 | 2022-02-15 | 北京理工大学 | 一种基于泵浦探测分析确定金属电子弹道深度的方法 |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP63153044A patent/JPH01320211A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114046736A (zh) * | 2021-11-09 | 2022-02-15 | 北京理工大学 | 一种基于泵浦探测分析确定金属电子弹道深度的方法 |
CN114046736B (zh) * | 2021-11-09 | 2023-02-28 | 北京理工大学 | 一种基于泵浦探测分析确定金属电子弹道深度的方法 |
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