JPH01319965A - 基板の吸着装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子（ＬＳ　Ｉ、ＶＬＳ　Ｉ等）を製造
するための半導体ウェハ、もしくは液晶素子を製造する
ためのガラスプレート等の基板を平坦に吸着固定する装
置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、この種の基板を加工する装置、例えば投影型露出
装置、レーザリペア装置等においては、基板を真空吸着
して所定の平面内に平坦化矯正する真空吸着ホルダーが
使用されている。特にこの種の製造装置では、基板を高
い精度で平坦化する必要がある。投影型露光装置（ステ
ッパー）の場合、レチクルの回路パターンを等倍、１１
５、又は１／１０等の倍率で基板表面へ結像投影するた
めの投影レンズが設けられている。この投影レンズは広
い投影領域を確保しつつ、特に縮小投影しンズの場合は
１μｍ以下の高い解像力を得る必要があるため、年々高
Ｎ、　Ａ、化され、それに伴って焦点深度も浅（なって
きている、ある種の投影レンズでは、１５Ｘ１５■角の
フィールド内で±１μｍ程度の焦点深度しかなく、これ
に伴ってより高精度な焦点合わせの技術も要求されてき
ている。

一方、露光すべき１５Ｘ１５ａ＋ａ各内の領域、前面に
おいて±１μｍの焦点深度しかないため、基板上の露光
すべき１つの領域の全面は、投影レンズの最良結像面と
正確に一致させる必要がある。

ところがウェハやガラスプレートの表面には、局所的に
は数μｍ程度、全面では数十μｍ程度のそりや凹凸が存
在するため、そのままでは良好な解像特性でパターンを
露出することは困難である。

そこで、−例として第３図（Ａ）、（Ｂ）に示すような
ウェハホルダー（真空チャック）ｌによってウェハＷを
平坦化矯正することが考えられている。

このウェハホルダー１は、ステッパーのウェハステージ
の最上部に投影レンズと対向するように設けられ、ウェ
ハステージとともに、投影レンズの下を２次元移動（ス
テッピング等）する。

第３図（Ａ）はウェハホルダー１の平面図であり、第３
図（Ｂ）は第３図（Ａ）のＣ−３矢印断面図である。ウ
ェハホルダー１は、ウェハＷよりも十分に厚い金属、又
はセラミックス材で円板状に作られており、載置面の形
状は、ウェハＷの直径よりもわずかに小さい径の円形で
あるものとする。ウェハホルダーｌの中心部には、ウェ
ハＷの載置や取りはずしのためのウェハ受渡し昇降機構
２が上下動のときに貫通するような円形開口部１ａが形
成されている。またウェハホルダーｌの載置面には、ホ
ルダー１の中心から放射方向に同心円状の複数の環状凸
部１０が放射方向に一定ピッチでリム状に形成されてい
る。ここで載置面の最外周側に位置する環状凸部１０ａ
の半径は、ウェハＷの中心から直線的な切欠き（オリエ
ンテーションフラッ））ＯＦまでの半径よりもわずかに
小さく定められている。また各環状凸部１０の上端面の
幅（径方向の寸法）は極力小さくなるように作られてお
り、研削・ラッピングが処されたその各上端面によって
規定される面が、平坦化の基準平面となる。尚、最も内
側の環状凸部１０ｇは開口部１ａの周囲に形成され、こ
の凸部１０ｇと凸部１０ａによって雰囲気圧（大気圧）
とのリークが防止される。さらに各環状凸部１０の間の
各凹部（環状）１１には、真空吸着のための吸気孔ＩＣ
が径方向に並べて形成され、各吸気孔ＩＣはホルダ−１
内部に径方向に伸びたスリーブ状の孔１ｂと連通してい
る。この孔１ｂを真空源につなげて、減圧することによ
って、ウェハＷの裏面と輪帯状の各凹部１１とでかこま
れた空間が負圧になり、ウェハＷの裏面は複数の環状凸
部１０の上端面にならって平坦化矯正される。

〔発明が解決すべき問題点〕

このウェハホルダー１によると、同心円状の環状凸部１
０の径方向のピッチが大きい、すなわち凹部１１の径方
向の幅が大きいと、各凹部１１を減圧したときのウェハ
Ｗの変形（たわみ量）が、ステッパーで決定されている
焦点深度に対して無視できない程度になっている。これ
を防ぐためには環状凸部１０のピッチを小さく（凹部１
１の幅を小さく）すればよい訳であるが、このことは必
然的に、ウェハＷの裏面全面積に対する接触面積の割合
い（接触率）を大きくすることを意味する。

一般にウェハは、その両面に微小なゴミ粒子を伴って装
置に供給される場合が多く、ウェハホルダ７１の載置面
（凸部１０）とウェハ裏面との間にゴミを挟んだまま吸
着保持を行なった場合、ウェハ上面の平面度は、そのゴ
ミの大きさに応じた面積で局所的に悪化する。またその
ゴミの硬さによっては、最悪の場合、載置面の凸部１０
の上端面に損傷を与えることにもなる。

従って、ウェハ（基板）の吸着時における変形を小さく
押さえるために、凸部１０のピッチを小さくして、密に
配列した同心円タイプは、ゴミによる影響に対して致命
的な欠点を持っていると言える。

本発明は、上記のような問題点に鑑み、吸着時の基板の
変形（たわみ、そり等）を小さくしつつ、接触率も同時
に小さく押さえる構造の吸着装置を提供することを目的
とする。

〔問題点を解決する為の手段〕

本発明は、上記問題点を解決するために、ホルダーの載
置面には、基板裏面の複数の部分領域を減圧するために
、その部分領域を囲んで閉じた形状（輪帯状、あるいは
孤立状）の第１の凸部を複数形成し、さらに、第１の凸
部で囲まれた内側の凹部を雰囲気圧よりも小さい第１の
圧力に減圧する減圧手段と；複数の凸部の外側の凹部を
、第１の圧力と雰囲気圧との間の圧力にｔＦｉ節する圧
力調節手段とを設け、少なくとも前記基板の吸着開始時
には、減圧手段と圧力１１節手段とによって基板裏面の
ほぼ全体を減圧するように構成した。

〔作　　用〕

本発明では、ウェハ等の基板裏面の局所的な複数ケ所を
第１の圧力で真空吸着して確実な固定を行なうとともに
、真空吸着する複数の局所領域以外の部分を、第１の圧
力と大気圧との間の圧力に調整するため、圧力調整の働
く領域を広くしたとしても、基板の変形（たわみ）を全
体的に小さくすることができる。

ここで第３図に示したものと、本発明の趣旨に添ったも
のとの差異を第４図、第５図、第６図を参照して説明す
る。第６図は第３図に示した一部ピッチの環状凸部１０
を備えたホルダー１での吸着の様子を模式的に誇張して
示したもので、凸部１０のピッチを小さくして凹部１１
を減圧することで、ウェハＷ（直径３．５．６．８イン
チ程度）には局所的に極めて小さなたわみ量Δδ１が存
在するものの、はぼ均一な平面に矯正される。

ただし、この場合凸部１０の上端面（基準面）とウェハ
裏面との接触率がかなり大きくなるため、ウェハ裏面と
の間に塵介が挟み込まれる確率がそれだけ高くなる。ゴ
ミの大きさが数μｍ程度あると、ウェハ裏面には局所的
に大きな凹凸が生じ、投影レンズの焦点深度以上になる
ことがある。

そこで第４図に示したホルダー１の部分断面のように、
環状凸部のピッチを不等間隔にし、真空吸着すべき凹部
１１ａは、ピッチの狭い凸部１０ａ、１０ｂ、及び凸部
１０ｃ、１０ｄの夫りで囲み、その間の凹部１１ｂ（凸
部１０ｂと１０ｃの間）は、比較的広いピッチにしてお
く、ここで凹部１１ａ、ｌｌｂを吸気孔ＩＣを介して減
圧（−３００〜−７６０＋ｍＨｇ程度）すると、第４図
のように、凹部両側の凸部とウェハ裏面とが強固に圧接
するため、幅の広い凹部１１ｂのところではウェハＷが
上方にΔδ２だけそり上がってしまうこともある。また
凸部ｆｏｂ、１０ｃとウェハ裏面との間に、部分的にわ
ずかなすき間が生じていると、凹部１１ａから凹部１１
ｂへ真空圧のリークが生じることにもなる。このリーク
は時間的に徐々に進行し、やがて凹部１１ｂもかなり低
い圧力に減圧される。このため凹部１１ｂに対向するウ
ェハの一部も、大きく落ち込むようにたわむことになる
。ただし、凹部１１ｂを大気圧に解放するような構造に
した場合は、凹部１１ｂのリークによる減圧は生じない
ので、第４図のようにΔδ８だけそった状態で固定され
てしまうことになる。

そこで本発明では、ウェハが吸着されるときに、はぼ密
封状態にされる凹部１１ｂの圧力を大気圧よりもわずか
に小さい負圧に調整することで、第４図に示したウェハ
のたわみを、第５図に示したたわみ量Δδ、のように低
減するようにしたのである。その圧力調整は凹部１１ｂ
に形成された孔ｌｅを介して積極的あるいは消極的に行
なう圧力調節手段により実行される。

ここで第４図、第５図、第６図に示したたわみ量におい
て、凹部１１ｂの減圧を適当な値にすることで、はぼΔ
δ２〉Δδ、≧Δδ、にすることができ、ステフパーの
投影光学系統によって決定される焦点深度等の諸量に対
して、実用上、たわみ量Δδ、を十分小さく押さえるこ
とができる。

しかも、凸部１０ａ〜１０ｄの接触率を小さくできるこ
とから、ゴミを挟み込む確率はかなり小さなものになる
。

〔実　施　例〕

第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第１の実施例による吸
着装置（ウェハホルダー）の構造を示し、第３図と同じ
部材には同じ符号をつけである。ここで第１図（Ａ）は
ホルダー１の平面図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のＣ
−１矢視断面図である。

ウェハホルダー１の載置面の最外周には、リム状に環状
凸部１０ａが形成され、これとピッチ１２（実用上２〜
５ないし６請）で環状凸部１０ｂが形成される。またホ
ルダー１の中央の開口部１ａの周囲にも、ピッチｌｔで
２つの環状凸部１０ｅ、１０ｆが形成される。さらに、
環状凸部１０ｂと１０ｅの間のほぼ中央部にも、ピッチ
２！で２つの環状凸部１０ｃ、１０ｄが同心円に形成さ
れる。

この場合、環状凸部１０ｂと１０ｃのピッチと、環状凸
部１０ｄと１０ｅのピッチとはほぼ２．で等しくなって
いる。この実施例ではＩ−ｚ／ｌ＋　≦１／３程度に設
定されている。このため、環状凸部Ｊｏｂとｌｏｃでは
さまれた輪帯状の凹部１】ｂと、環状凸部１０ｄとｌＯ
ｅではさまれた輪帯状の凹部ｌｉｄとの径方向の幅（２
１）はかなり広くなっている。そこで本実施例では、こ
の幅２１の２つの輪帯状の凹部１１ｂ、ｌｉｄについて
は、本来の真空吸着力を発生する凹部１．１ａ、１１ｃ
、１１ｅと同じ吸着力が働かないように、第１図（Ｂ）
に示す如く、スリーブ状の孔１ｄと凹部内１１ｂ、ｌｉ
ｄに形成した孔１ｅとを介して、その凹部１１ｂ、ｌｉ
ｄ内を大気圧よりは低く、孔１ｂで引かれる真空圧より
は高い負圧にするようにした。従って、本実施例の場合
、環状凸部１０ａ、１０ｂで規定される幅ｌ！の輪帯状
の吸着面の内側、環状凸部１０ｅ、１０ｆで規定される
幅！！の輪帯状の吸着面、及び環状凸部１０ｃ、１０ｄ
で規定される幅１．の輪帯状の吸着面の内側と外側はい
ずれも弱い負圧に付勢されている。

本実施例では、３つの環状の真空吸着面を設けたが、こ
れはいくつにしてもよい。また環状吸着面の径方向のｌ
１ｉ（ピッチＩ！、□）も、３つとも等しくする必要は
ない。さらに弱い負圧に減圧する輪帯状の凹部１１ｂ、
ｌｉｄの幅（ピッチ２．）も、互いに等しく必要はなく
、適宜な寸法関係に定めることができる。

ところで第１図のホルダー１では、ウェハＷの外周部は
環状凸部１０ａよりもわずかにオーバーハングしており
、第４図に示したウェハの変形のし方から、ウェハ外周
は上方にそり上がることが予想される。このそり量は、
材料力学上のモデル弐からおおよそ求めることが可能で
あり、特に載置面内側での真空吸着面及び凸部の配置寸
法によって支配的に決定され得る。従って、外周部のそ
りが許容できる範囲内におさまるように、環状凸部１０
ａ、１０　ｂ、　１０　ｃ、　１０　ｄ等の配置、ピッ
チ７！＋、ｉｔ等を決定すればよい、また環状凸部１０
ａ〜１０ｆの各上端部は、わずかな幅をもつ平面となっ
ていることが望ましい。

さて、第７図は、第１図に示したウェハホルダー１とと
もに使用される圧力調節手段の一例を示すブロック図で
ある。吸排気源３０は約３００ｍｍＨＨの真空圧を発生
するとともに、加圧気体を発生することができる。真空
圧、又は加圧気体はバイブ３１を通ってホルダーｌの孔
１ｂにつながれている。圧力ｉｌ１節器３２は吸排気Ｓ
ａＯからの真空圧を入力して、バイブ３３を介して孔１
ｄへ所定の負圧（ただしバイブ３１を介して孔１ｂへ、
加えられる真空圧よりも高く、大気圧よりも低い）を供
給する。バイブ３２に供給される負圧の大きさは制御系
３４からの指令に応答して調整される。

また制御系３４は吸排気源３０も制御し、真空圧の供給
と加圧気体の供給との切り換え、その供給のタイミング
等をコントロールする。加圧気体の供給は、ウェハＷを
ホルダー１から取り出すとき、各凹部１１ａ、ｌｌｂ、
ｌｌｃ、ｌｉｄが負圧に保持され続けないようにするた
めである。

このため圧力調節器３２には制御系３４からの指令に応
じて、加圧気体をバイブ３３へ供給する機能も備えてい
る。この第７図の方法は、載１面内の輪帯状の凹部１１
ｂ、ｌｉｄの夫々を強制的に−様な負圧に保持するもの
であり、第１図に示したようにピッチ１１と！、が１：
３程度の場合凹部１１ｂ、ｌｉｄの減圧は凹部１１ａＳ
　Ｉｌｃ、ｌｉｅの減圧の１７２０〜１／３０程度で十
分な効果を得られることが実験によって確認された。

さて、第８図は圧力調節手段の他の変形例であって、第
７図のように凹部１１ｂ、ｌｉｄを強制約に減圧するの
ではなく、凹部１１ａ、ｌｌｃ、ｌｉｄの真空圧（約−
３００−〇ｇ程度）が、ウェハＷの裏面と各環状凸部の
上端面との部分的なわずかなすき間を通って凹部１１ｂ
、ｌｉｄヘリークする現象（実際上は好しくない現象）
を積極的に利用して、自然に凹部１１ｂ、ｌｉｄを減圧
させようとするものである。第８図はホルダー１の部分
断面を示し、孔１ｄと大気との間に、流量を半固定で調
整できるオリフィス４０を設けである。

オリフィス４０には、孔１ｄと大気とをつなぐニードル
穴を持つ円柱部材４０ａが回転自在に設けられ、この円
柱部材４０ａを適宜回転することによって、ニードル穴
を通る流量を調節することができる。

ウェハＷを載置して凹部１１ａに真空圧を供給すると、
環状凸部１０ｂ　（又は１０ｃ）の上端面とウェハ裏面
との間からリークが生じ、凹部１１ｂ（又は１０ｄ）、
吸気孔１ｅ、及び孔１ｄ内の空間も減圧し始める。とこ
ろが、オリフィス４０のニードル穴を通して孔】ｄは大
気圧にわずかにリークしているため、凹部１１ｂ（又は
１１ｄ）は凹部１１ａのような高い真空圧まで達するこ
となく、ある圧力状態で安定する。ここでオリフィス４
０のニードル穴の流量を絞っておけば、凹部１１ｂ（ｌ
ｉｄ）の圧力は、かなり高い真空圧（凹部１１ａに近い
値）にまで達することになり、流量を絞らなければ、大
気圧よりもわずかに低い圧力までしか達しないようにな
る。

従って、第８図のような構成の圧力１ｊ１節手段の場合
、ウェハＷの真空吸着の開始時には、凹部１１ａととも
に凹部１１ｂも瞬間的に高い真空圧になり、その後オリ
フィス４０の作用で凹部１１ｂは、凹部１１ａの圧力よ
りも高く大気圧よりも低い圧力に移行することになる。

尚、第８図に示したオリフィス４０は、手動又は電動に
よって適宜流量可変にして使ってもよい。

ところで理想的には、凹部１１ａ、ｌｌｃ、１１ｅの真
空圧と、凹部１１ｂ、１１ｄの圧力とはある所定の差が
安定して生じていることが望ましい。そこで第７図に示
した圧力調節手段を多少変形することが考えられる。例
えば、まずバイブ３１の一部、もしくはホルダー１の凹
部の１１ａ１１１ｃ、ｌｉｅのいずれかからパイプをひ
き出し、ここに第１の圧力センサーを設け、真空吸着時
の背圧をモニターする。そして圧力調節器３２は流量可
変のニードル弁等で構成し、さらにバイブ３３の一部か
らパイプをひき出し、ここに第２の圧力センサーを設け
る。そして第１の圧力センサーと第２の圧力センサーと
がモニターした圧力の差を演算し、その差が所定値にな
るようにニードル弁で流量を調整することもできる。あ
るいはパイプ３３とバイブ３１との間の差圧を直接、差
圧センサーで求めて、その差圧が所定値（吸着開始時と
吸着完了後とで異なってもよい）になるようにニードル
弁を制御してもよい。

尚、このように圧力センサー、差圧センサー等を用いる
場合、あるいは第７図に示した構成を用いる場合も、凹
部１１ａ、ｌｌｃ、ｌｉｅの　真空圧の時間的変化と凹
部１１ｂ、ｌｉｄの減圧の時間的変化とを適宜調整して
おくことができることは言うまでもない。

次に、第２図（Ａ）、（Ｂ）を参照して本発明の第２の
実施例による吸着装置について説明する。

第２図（Ａ）は、そのウェハホルダー１の平面図であり
、第２図（Ｂ）は、第２図（Ａ）のＣ−２矢視断面図で
ある。第２図（Ｂ）に示すように、本実施例ではホルダ
ー１をｉ３！１面を有する載置部ＩＡと、載置部ＩＡと
一体に底側に設けられる底部ＩＢとで構成する。載置部
ＩＡの載置面の外周部には、第１図の場合と同様に環状
凸部１０ａが形成され、ホルダーｌの中央を上下動する
ウェハ受渡し昇降機構２が通る開口部１ａの周囲にも、
環状凸部１０ｆが形成される。そしてこの２つの環状凸
部１０ａ、１０ｆではさまれた大きな輪帯状の凹部１１
の内には、２次元的にほぼ一定のピッチで微小円形凸部
１０ｇが複数配列される。

これら円形凸部１０ｇの径は２〜数圓程度であり、その
各上端面と環状凸部１０ａ、１０ｆの各上端面とは、基
準平面となるように研削、ラッピング加工等がなされて
いる。また各円形凸部Ｌｏｇの配列ピッチは数ｍ〜士数
−程度に設定される。さらに本実施例では第２図（Ａ）
でも示したように、互いに隣り合う３つの微小円形凸部
１０ｇをみたとき、それがどこでもほぼ正三角形の頂点
の位置になるように配列されている。

さて大きな輪帯状の凹部１１の内には、さらに孔１ｅが
設けられ、この孔１ｅは第２図（Ｂ）に示すように、載
置部ＩＡの裏面（底部ＩＢとの接合面）の開口部１ａの
周囲付近に形成された環状凹部１ｆにつながっている。

さらに載置部ＩＡの裏面で、各微小円形凸部Ｌｏｇの存
在する部分には、大きな輪帯状の凹部１ｇが同心円に形
成されており、この凹部１ｇは各微小円形凸部Ｌｏｇの
中心に形成された吸気孔ＩＣとつながっている。

その輪帯状の凹部１ｇは、内側の環状凹部１ｆとはつな
がっていない。

一方、底部ＩＢには、輪帯状の凹部１ｇとつながる孔１
ｂと、環状凹部１ｆとつながる孔１ｄとが形成され、こ
の底部ＩＢと載置部ＩＡとをリークが起こらないように
第２図（Ｂ）のように密着して一体化する。

また孔１ｂ、Ｉｄは、それぞれ例えば第７図に示したよ
うな吸排気源３０及び圧力調節器３２へつながれる。

このような構造において、孔１ｂに約−３００ｍｍＨｇ
以上の真空圧を供給すると、凹部１ｇ内を通じて全ての
孔１ｃに真空圧が供給される。このためウェハＷの裏面
は、全ての微小円形凸部Ｌｏｇの上端面（実際には微小
なリング状）に吸着固定される。そして、孔１ｄを介し
て凹部１ｆに負圧を供給すると、載置面の凹部１１全体
が孔１ｅを介して減圧される。

本実施例によれば、微小円形凸部Ｌｏｇの径を小さくで
きるため、ウェハ裏面との接触率をかなり小さく押さえ
ることが可能である。また第２図（Ａ）、（Ｂ）に示し
たホルダー１でも、真空吸着のための圧力制御、及び吸
着面以外の面を弱く減圧するための圧力制御等は先の第
１実施例で延べた各種方法をそのまま適用し得ることは
言うまでもない。

また本実施例では個々の微小円形凸部１０ｇが単独で局
所的な吸着力を発生するタイプ、所謂吸盤タイプを説明
したが、各吸盤の形状は円形以外に正方形（２〜数■角
）にしてもよい。

以上、本発明の各実施例では、構造上の特徴を活して、
ウェハ裏面と載置面との間に挟み込まれるゴミ粒子をス
タティック（機械的な運動をともなわず）に、除去する
ことが可能である。このことを簡単に説明するが、この
場合、ホルダー１の孔１ｂ、ｌｄには第７図のような強
制的な加減圧手段が接続されているものとする。

まず、ウェハ受渡し昇降機構２の載置面をホルダー１の
載置面よりも上方に突出させた状態で、ウェハＷを昇降
機構２の上に保持する。昇降機構２の上面には不図示で
はあるが真空吸着部が形成されている。そして昇降機構
２を降下させつつ、孔１ｂには高い真空圧（約−３００
ｍａｔ（ｇ）を供給し、孔１ｄにも比較的に高い真空圧
を同時に供給する。ウェハＷが載置面上に接触すると、
孔１ｂ。

又は１ｄの背圧が急激に低下するので、この変化を検出
して昇降機構２の吸着を中断する。その後昇降機構２は
第１図（Ｂ）、又は第２図（Ｂ）の位置まで降下して停
止する。

さてこの状態のとき環状凸部１０ａ〜１０ｆの上端面、
又は微小円形凸部１０ｇの上端面とウェハ裏面との間に
ゴミが挟み込まれたものとする。

次に、孔１ｂと１ｄのうち、いずれか一方に供給してい
る真空圧を加圧に切り替える。すると挟み込まれたゴミ
粒子のまわりでリーク（空気流）が生じ、ゴミ粒子は真
空圧が加わっている側へ力を受け、移動し得る。このた
めゴミ粒子は凸部１０ａ〜１０ｆ、１０ｇの上端面から
凹部側へ排除される。そこで孔１ｂと１ｄへ加える真空
圧と加圧とを複数回交互に繰り返すことによって、ウェ
ハ裏面に付着していたゴミ粒子を載置面の凹部に排除す
ることができる。この場合、ウェハ裏面の一部はかなら
ず吸着されていなければならない。

この操作の後、先に説明したように所定の圧力状態に保
持すればよい。従って、このようなゴミ除去を実施する
ことも考えると、各凸部１０ａ〜１Ｏｆ、Ｌｏｇの接触
面の幅を極力小さくした方が望ましいが、ホルダー１の
製造の容易さも考慮して０．２　ａｓｓ程度が限度と思
われる。

尚、ホルダー１の載置面の凸部（又は凹部）の高さは０
．１〜０．５　ｍ程度でよ（、またその平面形状も自由
に設定することができる。例えば第１図に示したホルダ
ー形状で、中央に形成した環状凸部１０ｄ、ＩＯＣを省
略し、環状凸部１０ｂと１０８の間の広い輪帯状の凹部
に、微小ドツト０．５〜２！ｌｌ１１程度の円形、また
は矩形）を規則的に所定ピッチで配列した構造にし、そ
の微小ドツトの各上端面を基準平面にしてもよい。この
場合も、環状凸部１０ｂと１０ｅの間の凹部を弱く減圧
すれば、同等の効果を得ることができる。

また吸着固定すべき基板は、角形のガラスプレートでも
よく、この場合、ガラスプレートの外形に合わせてホル
ダーの載置面の形状を作ればよい。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、基板を吸着固定する際、
基板の裏面と載置面との接触率を著しく低減できるため
、ゴミの影響を除去できるとともに、接触率が小さいこ
とによる基板の矯正力不足も十分補うことができ、基板
、特にウェハのたわみ量は、実用上十分に小さく押さえ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第１の実施例による吸
着装置の構造を示す平面図と断面図、第２図（Ａ）、（
Ｂ）は第２の実施例による吸着装置の構造を示す平面図
と断面図、第３図（Ａ）、（Ｂ）は従来考えられていた
吸着装置の構造を示す平面図と断面図、第４図、第５図
、第６図は従来考えられていたホルダーと本発明による
ホルダーとの各吸着の様子を模式的に誇張して示す部分
断面図、第７図は強制的な圧力調節手段の構成を示すブ
ロック図、第８図はオリフィスを用いた圧力調節手段を
組み込んだホルダーの構成を示す部分断面図である。 〔主要部分の符号の説明］ １・・・ウェハホルダー、 ｌｂ、ｌｄ・・・スリーブ状の孔、 １ｃ・・・吸気孔、 １ｅ・・・孔、 １０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ。 １０ｆ・・・環状凸部、 Ｌｏｇ・・・微小円形凸部、 １１、ｌｌａ、ｌｌｂ、ｌｌｃ、ｌｉｄ、１１ｅ・・・
輪帯状凹部、 ３０・・・吸排気源、 ３２・・・圧力調節手段、 ４０・・・オリフィス

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）平坦化矯正すべき薄い基板の外形と同等、もしく
   はそれよりも小さな形状の載置面を有し、該載置面には
   前記基板の裏面の一部と接触する複数の凸部が形成され
   、該凸部で囲まれた凹部を減圧することにより、前記基
   板の裏面を前記複数の凸部の先端面で規定される基準面
   にならわせて吸着固定する装置において、 前記載置面には、前記基板の裏面の複数の部分領域を減
   圧するために、該部分領域を囲んで閉じた形状の第１の
   凸部が複数形成されており；該第１の凸部で囲まれた内
   側の凹部を雰囲気圧よりも小さい第１の圧力に減圧する
   減圧手段と；前記複数の凸部の外側の凹部を、前記第１
   の圧力と雰囲気圧との間の圧力に調節する圧力調節手段
   とを設けたことを特徴とする基板の吸着装置。
2. （２）前記第１の凸部で囲まれた内側の凹部で規定され
   る全面積に対して、前記第１の凸部の外側の凹部で規定
   される全面積の方を大きく定めたことを特徴とする請求
   項第１項記載の装置。