JPH01304435A - 露出制御装置 - Google Patents
露出制御装置Info
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- JPH01304435A JPH01304435A JP63136440A JP13644088A JPH01304435A JP H01304435 A JPH01304435 A JP H01304435A JP 63136440 A JP63136440 A JP 63136440A JP 13644088 A JP13644088 A JP 13644088A JP H01304435 A JPH01304435 A JP H01304435A
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- NDDLLTAIKYHPOD-ISLYRVAYSA-N (2e)-6-chloro-2-(6-chloro-4-methyl-3-oxo-1-benzothiophen-2-ylidene)-4-methyl-1-benzothiophen-3-one Chemical compound S/1C2=CC(Cl)=CC(C)=C2C(=O)C\1=C1/SC(C=C(Cl)C=C2C)=C2C1=O NDDLLTAIKYHPOD-ISLYRVAYSA-N 0.000 description 2
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Landscapes
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は照射角度が可変のバウンスストロボに係り、
特に、その露出制御装置に関する。
特に、その露出制御装置に関する。
一般に、ストロボはカメラに内蔵されていたり、ホット
シューを介してカメラに接続されている。
シューを介してカメラに接続されている。
そのため、被写体に向けて照明光を直接照射して撮影を
行うと、ストロボの発光部と撮影レンズの光軸との間隔
が小さいため、いわゆる赤目現象が発生することがある
。また、直接照射の場合、被写体の後に壁があると、被
写体の影が壁に出てしまい、写真にもその影が写ってし
まう欠点がある。
行うと、ストロボの発光部と撮影レンズの光軸との間隔
が小さいため、いわゆる赤目現象が発生することがある
。また、直接照射の場合、被写体の後に壁があると、被
写体の影が壁に出てしまい、写真にもその影が写ってし
まう欠点がある。
これらの対策として、バウンスストロボによる間接照射
がある。バウンスストロボの照射角度は可変であるので
、天井や壁に向けてストロボを発光させ、その反射光で
被写体を間接照射して撮影を行なう。
がある。バウンスストロボの照射角度は可変であるので
、天井や壁に向けてストロボを発光させ、その反射光で
被写体を間接照射して撮影を行なう。
従来の間接照射の際の露出制御方法は、被写体からの反
射光を積分して、積分値が所定値に達した時点で発光を
停止する方法と、入射光式のフラッシュメータでテスト
発光させてから適正絞り値を求める方法があった。
射光を積分して、積分値が所定値に達した時点で発光を
停止する方法と、入射光式のフラッシュメータでテスト
発光させてから適正絞り値を求める方法があった。
前者の被写体からの反射光を積分する方法では、被写体
の反射率を考慮していないので、反射率によって積分値
が影響を受けてしまう。そのため、被写体が白い場合、
その反射率が標準の反射率よりも高いので、積分完了す
るまでの時間が短く、露出アンプになり、白色が灰色っ
ぽく写し込まれてしまう。逆に、被写体が黒い場合、そ
の反射率が低いので、積分完了するまでの時間が長く、
露出オーバになり、やはり黒色が灰色っぽく写し込まれ
てしまう。
の反射率を考慮していないので、反射率によって積分値
が影響を受けてしまう。そのため、被写体が白い場合、
その反射率が標準の反射率よりも高いので、積分完了す
るまでの時間が短く、露出アンプになり、白色が灰色っ
ぽく写し込まれてしまう。逆に、被写体が黒い場合、そ
の反射率が低いので、積分完了するまでの時間が長く、
露出オーバになり、やはり黒色が灰色っぽく写し込まれ
てしまう。
後者のテスト発光する方法では、入射光式のフラッシュ
メータという特別な測定器を用意する必要があり、一般
の撮影には向いていない。
メータという特別な測定器を用意する必要があり、一般
の撮影には向いていない。
この発明は上述した事情に対処すべくなされたもので、
バウンスストロボによる間接照射撮影の際の露出を被写
体の反射率によらず常に適正に制御できる簡単な構成の
露出制御装置を提供することである。
バウンスストロボによる間接照射撮影の際の露出を被写
体の反射率によらず常に適正に制御できる簡単な構成の
露出制御装置を提供することである。
この発明による露出制御装置はストロボと被写体との距
離、ストロボからの光を被写体に向けて反射する物体と
ストロボとの距離、物体の反射率を測定する測定部と、
これらの測定値から適正露出値を求める演算回路と、適
正露出値がカメラの制御可能な露出範囲以外の場合、警
告を発生、または撮影を禁止する警告/禁止部を具備す
る。
離、ストロボからの光を被写体に向けて反射する物体と
ストロボとの距離、物体の反射率を測定する測定部と、
これらの測定値から適正露出値を求める演算回路と、適
正露出値がカメラの制御可能な露出範囲以外の場合、警
告を発生、または撮影を禁止する警告/禁止部を具備す
る。
この発明によれば、ストロボと被写体との距離、ストロ
ボと反射物体との距離から間接照射の際のストロボから
の光の実際の光路長を求め、物体の反射率と直接照射の
際のガイドナンノくから間接照射の際のガイドナンバを
求め、これらから求めた間接照射の際の適正露出値がカ
メラの制御可能な露出範囲以外の場合、警告を発生、ま
たは撮影を禁止することにより、露出の不適正な撮影を
未然に防止することができる。
ボと反射物体との距離から間接照射の際のストロボから
の光の実際の光路長を求め、物体の反射率と直接照射の
際のガイドナンノくから間接照射の際のガイドナンバを
求め、これらから求めた間接照射の際の適正露出値がカ
メラの制御可能な露出範囲以外の場合、警告を発生、ま
たは撮影を禁止することにより、露出の不適正な撮影を
未然に防止することができる。
以下、図面を参照してこの発明による露出制御装置の実
施例を説明する。
施例を説明する。
一般に、フラッシュマチック撮影時の適正な絞り値FN
oはストロボのガイドナンノくをGN、被写体距離をD
とすると、次のように表わされる。
oはストロボのガイドナンノくをGN、被写体距離をD
とすると、次のように表わされる。
GN−FNo −D −(1
)第1図に間接照射の概念図を示す。間接照射の場合、
ストロボからの光は一度反射物体14で反射してから被
写体12に到達するので、(1)式における被写体距離
りはストロボ10と実際の被写体12との距MLaでは
なく、ストロボ10と仮想の被写体12aとの距離Lc
である。ここで、実際の被写体12と反射物体14との
距離と、仮想の被写体12aと反射物体14との距離は
ともに距離Lbである。距離Lcは次のように表わされ
る。
)第1図に間接照射の概念図を示す。間接照射の場合、
ストロボからの光は一度反射物体14で反射してから被
写体12に到達するので、(1)式における被写体距離
りはストロボ10と実際の被写体12との距MLaでは
なく、ストロボ10と仮想の被写体12aとの距離Lc
である。ここで、実際の被写体12と反射物体14との
距離と、仮想の被写体12aと反射物体14との距離は
ともに距離Lbである。距離Lcは次のように表わされ
る。
L c −L a / c o sθ ・
(2)−2Lb/sinθ −(2a)ストロ
ボ10の間接照射の際の照射角度θはLaとLbから次
のように表わされる。
(2)−2Lb/sinθ −(2a)ストロ
ボ10の間接照射の際の照射角度θはLaとLbから次
のように表わされる。
θ−t a n’ (2Lb/La) −(3)
また、間接照射時のガイドナンバGNnは直接照射の場
合のガイドナンバGNoに反射物体の反射率n(所定の
入射エネルギに対する反射エネルギの比)を乗じて求め
られ、次のように表される。
また、間接照射時のガイドナンバGNnは直接照射の場
合のガイドナンバGNoに反射物体の反射率n(所定の
入射エネルギに対する反射エネルギの比)を乗じて求め
られ、次のように表される。
直接照射の場合のガイドナンバGNoは予め決まってい
る。
る。
G N n = Ji X G N o
−(4)(1)式のDに(2)式、または(2a)式の
Lcを代入し、(1)式のGNに(4)式のGNnを代
入することにより、間接照射に於ける適正な絞り値FN
oは次のように表わされる。
−(4)(1)式のDに(2)式、または(2a)式の
Lcを代入し、(1)式のGNに(4)式のGNnを代
入することにより、間接照射に於ける適正な絞り値FN
oは次のように表わされる。
(2)式を代入した場合:
F N o −G N n / L c−fTxGNo
xcos θ+La −5X G N o + L a Xcos 1jan’ (2L b/ L a)l−
(5)(2a)式を代入した場合: F N o −G N n / L c−5XGNox
sinθ÷2Lb −(’;; x c、 N O+ 2 L bXsin
fjan’ (2L b/L a)l−(6)すな
わち、(5)式、または(6)式から間接照射時の適正
絞り値FNoは被写体距離La、反射物体距離Lb、反
射物体の反射率nと、ガイドナンバ(直接照射時)GN
oとから求めることができる。ガイドナンバ(直接照射
時)は既知であるため、間接照射時の適正絞り値FNo
を求めるためには、被写体距離La、反射物体距離Lb
。
xcos θ+La −5X G N o + L a Xcos 1jan’ (2L b/ L a)l−
(5)(2a)式を代入した場合: F N o −G N n / L c−5XGNox
sinθ÷2Lb −(’;; x c、 N O+ 2 L bXsin
fjan’ (2L b/L a)l−(6)すな
わち、(5)式、または(6)式から間接照射時の適正
絞り値FNoは被写体距離La、反射物体距離Lb、反
射物体の反射率nと、ガイドナンバ(直接照射時)GN
oとから求めることができる。ガイドナンバ(直接照射
時)は既知であるため、間接照射時の適正絞り値FNo
を求めるためには、被写体距離La、反射物体距離Lb
。
反射物体の反射率nがわかればよい。
次に、被写体距離La、反射物体距離Lb、反射物体の
反射率nの求め方を説明する。ここでは、PSD (光
位置検出素子)を(り用する方法を説明する。
反射率nの求め方を説明する。ここでは、PSD (光
位置検出素子)を(り用する方法を説明する。
第2図はPSDの断面構造を示す図である。
PSDは高比抵抗n層(1層)の表面に高比抵抗層のp
″″層を、裏面に高比抵抗層のn子局を配した構造にな
っている。PSD表面の一点Qに光スポットを照射した
ときに生成された電子−正孔対のうちpn接合に達した
ギヤリアは高比抵抗層のp−層で光の入射点Qから取出
し電極A、Bまでの距離に逆比例して分割され、それぞ
れの電極A。
″″層を、裏面に高比抵抗層のn子局を配した構造にな
っている。PSD表面の一点Qに光スポットを照射した
ときに生成された電子−正孔対のうちpn接合に達した
ギヤリアは高比抵抗層のp−層で光の入射点Qから取出
し電極A、Bまでの距離に逆比例して分割され、それぞ
れの電極A。
Bから取出される。従って、これらの電流値より光の入
射点Qの位置を求めることができる。
射点Qの位置を求めることができる。
光スポットの入射により半導体内に発生したキャリアは
空乏層内の電界でドリフトされ、正孔はp−層へ、電子
はn層(i層)へ達する。p−層に注入された正孔は抵
抗R1,R2を流れる成分に分割され、電流II、I2
として電極A、Bより取出される。
空乏層内の電界でドリフトされ、正孔はp−層へ、電子
はn層(i層)へ達する。p−層に注入された正孔は抵
抗R1,R2を流れる成分に分割され、電流II、I2
として電極A、Bより取出される。
電極A、Bの中点から光入射点Qまでの距離をX1点Q
から電極Aまでの抵抗をR1、点Qから電極Bまでの抵
抗をR2、電極A、B間の距離をΩ、電極A、B間の抵
抗をRpとすると、II。
から電極Aまでの抵抗をR1、点Qから電極Bまでの抵
抗をR2、電極A、B間の距離をΩ、電極A、B間の抵
抗をRpとすると、II。
I2は次のように表わされる。
11− (R2/Rp) I o ・・・(7
)I2= (R1/Rp)To ・・・(8)1
o−11+I2 −(9)表面抵抗層の比
抵抗の分布が一様であれば、抵抗R1,R2は点Qから
電極A、Bまでの距離に比例して、次のように表わすこ
とができる。
)I2= (R1/Rp)To ・・・(8)1
o−11+I2 −(9)表面抵抗層の比
抵抗の分布が一様であれば、抵抗R1,R2は点Qから
電極A、Bまでの距離に比例して、次のように表わすこ
とができる。
R1−(Rp/2)fl+ (2X/1))l・・・(
10)R2−(Rp/2)[1−(2X/42 ))・
・・(11)(10)、(11)式を(7)、(8)式
に代入すると、次の関係が得られる。
10)R2−(Rp/2)[1−(2X/42 ))・
・・(11)(10)、(11)式を(7)、(8)式
に代入すると、次の関係が得られる。
1 1 = (1/2)fl −(2X/R)11
。
。
・・・ (12)
12− (1/2)II + (2X/R月■0・・・
(13) ここで、光の入射点Qの位置と、電流Ioの値に影響さ
れないでXを検出するには、Xを出力電流II、12の
比として以下のような正規化演算で表わせばよい。
(13) ここで、光の入射点Qの位置と、電流Ioの値に影響さ
れないでXを検出するには、Xを出力電流II、12の
比として以下のような正規化演算で表わせばよい。
(12−11)/ (I2+I 1)
=(Ω/2)・X ・・・(14)(1
4)式から入射スポット光の大きさに依存せずに、入1
=1位置Xを知ることができる。
4)式から入射スポット光の大きさに依存せずに、入1
=1位置Xを知ることができる。
第3図はこのようなPSDを用いた距離Mj定の原理図
である。
である。
PSD38とI RED等の赤外線発光素子30とを互
いに基線長Sだけ離して配置し、I RED30、PS
D38の上に焦点距/!/l f (1) し> 7:
32 。
いに基線長Sだけ離して配置し、I RED30、PS
D38の上に焦点距/!/l f (1) し> 7:
32 。
36をそれぞれ設ける。ここで、レンズ36とPSD3
8の間隔はfである。
8の間隔はfである。
被測定物34までの距離をLとし、I RED30を点
灯させた時のPSD38の電極A、Bの電流値の変化量
を11.12とすると、(14)式から距離り、は次の
ように求めることができる。
灯させた時のPSD38の電極A、Bの電流値の変化量
を11.12とすると、(14)式から距離り、は次の
ように求めることができる。
L−5−f/X
−5−f・ (2/Ω)・
f(12−11)/(12+11)!
・・・ (15)
ここで、S、f、Ωは定数であるので、PSDの電流変
化all、I2のみでLを求めることができる。
化all、I2のみでLを求めることができる。
また、IREDを点灯させた時の電流変化量の和1 o
−I 1. + I 2はI REDの波長に対する
反射率nに比例した値になる。つまり、 1o−11+l2 clcn −(16)このよ
うに、PSDの出力電流)1.I2から被写体距離L
a %反射物体距離Lb、反射物体の反射率口を求める
ことができる。
−I 1. + I 2はI REDの波長に対する
反射率nに比例した値になる。つまり、 1o−11+l2 clcn −(16)このよ
うに、PSDの出力電流)1.I2から被写体距離L
a %反射物体距離Lb、反射物体の反射率口を求める
ことができる。
第4図は第1実施例のブロック図である。
被写体距離Laを測定する第1測距部40、反射物体距
離Lbを測定する第2測距部42、反射物体の反射率n
を測定する反射率測定部44の出力が絞り値演算回路4
6に入力される。第1測距部40、第211111距部
42、反射率測定部44はPSDを持つ必要があるが、
第2測距部42と反射率測定部44は共通のPSDを持
てばよい。
離Lbを測定する第2測距部42、反射物体の反射率n
を測定する反射率測定部44の出力が絞り値演算回路4
6に入力される。第1測距部40、第211111距部
42、反射率測定部44はPSDを持つ必要があるが、
第2測距部42と反射率測定部44は共通のPSDを持
てばよい。
さらに、第1、第2測距部40,42は独自にPSDを
持たないで、オートフォーカス回路用のPSDと共通で
もよい。
持たないで、オートフォーカス回路用のPSDと共通で
もよい。
絞り値演算回路46は(5)式、または(6)式に応じ
て適正絞り値FNoを求める。この演算は複雑であるの
で、La、Lb、nに基づくテーブルを用意しておいて
、これから求めてもよい。
て適正絞り値FNoを求める。この演算は複雑であるの
で、La、Lb、nに基づくテーブルを用意しておいて
、これから求めてもよい。
求められた適正絞り値データFNoは絞り制御機構50
に入力される。
に入力される。
絞り制御機構50は絞り値エンコーダ54の出力が適正
絞り値データFNoと一致するまで、絞り羽IJI 5
2を制御する。これにより、間接照射撮影の際の露出制
御が可能となる。
絞り値データFNoと一致するまで、絞り羽IJI 5
2を制御する。これにより、間接照射撮影の際の露出制
御が可能となる。
絞り値演算回路46には開放/最小絞り値入力部48、
警告/禁止部56も接続される。開放/最小絞り値入力
部48は絞り羽根52の開放絞り値、最小絞り値を絞り
値演算回路46に供給する。
警告/禁止部56も接続される。開放/最小絞り値入力
部48は絞り羽根52の開放絞り値、最小絞り値を絞り
値演算回路46に供給する。
ズームレンズにおいてズーミングによって開放絞り値が
変化する場合は、それに応じて入力値が変化する。
変化する場合は、それに応じて入力値が変化する。
絞り値演算回路46で求めた適正絞り値FN。
が絞り羽根52の開放絞り値よりも小さい場合は、絞り
を開放しても、露出アンプになる。逆に、適正絞り値F
Noが絞り羽根52の最小絞り値よりも大きい場合は、
絞りを最小に絞っても、露出オーバになる。そのため、
絞り値演算回路46は求めた絞り値FNoが「開放絞り
値」〜「最小絞り値」の範囲以外である場合は制御不可
能であるので、警告/M止部56を介してランプ、ブザ
ー等により警告を発生、絞り制ga機構50の動作を禁
止、またはレリーズロック等を行なう。これにより、適
正露出でない撮影を未然に防止できる。
を開放しても、露出アンプになる。逆に、適正絞り値F
Noが絞り羽根52の最小絞り値よりも大きい場合は、
絞りを最小に絞っても、露出オーバになる。そのため、
絞り値演算回路46は求めた絞り値FNoが「開放絞り
値」〜「最小絞り値」の範囲以外である場合は制御不可
能であるので、警告/M止部56を介してランプ、ブザ
ー等により警告を発生、絞り制ga機構50の動作を禁
止、またはレリーズロック等を行なう。これにより、適
正露出でない撮影を未然に防止できる。
第4図の各構成要素ブロックのうち絞り制御機構50、
絞り値エンコーダ54以外は、ス)0ボ側に設けられて
いても、カメラ側に設けられていてもよい。すなわち、
ストロボは単体のものでも、カメラに内蔵のものでもよ
い。ただし、ストロボをカメラ本体から離れた位置に設
ける場合は、測距部40,42、反射率測定部44はス
トロボ側に設ける必要がある。
絞り値エンコーダ54以外は、ス)0ボ側に設けられて
いても、カメラ側に設けられていてもよい。すなわち、
ストロボは単体のものでも、カメラに内蔵のものでもよ
い。ただし、ストロボをカメラ本体から離れた位置に設
ける場合は、測距部40,42、反射率測定部44はス
トロボ側に設ける必要がある。
このように第1実施例によれば、PSDを用いてストロ
ボと被写体との距離、ストロボと反射物体との距離、及
び反射物体の反射率を求めることにより、簡単な構成で
、間接照射の際のストロボから被写体までの実際の光路
長に応じた適正絞り値を求めることができるとともに、
これが制御可能な絞り値範囲以外の場合は、警告の発生
、または撮影動作を禁止することにより、露出制御の失
敗を未然に防止できる。
ボと被写体との距離、ストロボと反射物体との距離、及
び反射物体の反射率を求めることにより、簡単な構成で
、間接照射の際のストロボから被写体までの実際の光路
長に応じた適正絞り値を求めることができるとともに、
これが制御可能な絞り値範囲以外の場合は、警告の発生
、または撮影動作を禁止することにより、露出制御の失
敗を未然に防止できる。
次に、第2実施例を説明する。第1実施例では、ストロ
ボ10と反射物体14との距離、被写体12と反射物体
14との距離がともにLbであるとして(2)式、また
は(2a)式からストロボ10と仮想の被写体12aと
の距離(実際の光路長)Lcを求めたが、ストロボ10
と被写体12が反射物体14に対して等距離でない場合
もあり、第2実施例は・このような場合の実施例である
。
ボ10と反射物体14との距離、被写体12と反射物体
14との距離がともにLbであるとして(2)式、また
は(2a)式からストロボ10と仮想の被写体12aと
の距離(実際の光路長)Lcを求めたが、ストロボ10
と被写体12が反射物体14に対して等距離でない場合
もあり、第2実施例は・このような場合の実施例である
。
先ず、第5図に示すように、ストロボ1oと反射物体1
4との距離Lbが被写体12と反射物体14との距離L
d/2より短い場合を説明する。
4との距離Lbが被写体12と反射物体14との距離L
d/2より短い場合を説明する。
この場合、ストロボ10と仮想の被写体12aとの距i
!fILcは次のように求めることができる。
!fILcは次のように求めることができる。
L c −L f / c o sγ ・・・
(17)Lf−Laxcosδ −(18)7
=jan−1((2L b + L a X5lnδ
)/Lf+・・・(19) ここで、δは水平方向に対するカメラの撮影角度であり
、反射物体が天井である場合は、重力方向に対するカメ
ラの角度等を検出することにより検出できる。
(17)Lf−Laxcosδ −(18)7
=jan−1((2L b + L a X5lnδ
)/Lf+・・・(19) ここで、δは水平方向に対するカメラの撮影角度であり
、反射物体が天井である場合は、重力方向に対するカメ
ラの角度等を検出することにより検出できる。
(18)、(19)式を(17)式に代入すると、Lc
は次のように既知のLa、Lb、 δにより表わすこ
とができる。
は次のように既知のLa、Lb、 δにより表わすこ
とができる。
L c −L a X cos δ÷ co
s[tan ’ f(2L b + L
a X sin δ )/(LaXcos δ
)11 −(20)(20)式、(1)式、(
4)式から、適正絞り値は次のように求められる。
s[tan ’ f(2L b + L
a X sin δ )/(LaXcos δ
)11 −(20)(20)式、(1)式、(
4)式から、適正絞り値は次のように求められる。
F N o −G N n / L c= v’T’:
x G N O÷(L a X aos δ)X c
os[jan ” f(2L b + L a X s
in δ)/(LaXcosδ)+1 −(21)(
21)式においてδ−0とすると、(5)式が得られる
。
x G N O÷(L a X aos δ)X c
os[jan ” f(2L b + L a X s
in δ)/(LaXcosδ)+1 −(21)(
21)式においてδ−0とすると、(5)式が得られる
。
同様に、第6図に示すようなLb>Ld/2の場合は、
次のようにLcを求めることができる。
次のようにLcを求めることができる。
L c −L a X cos δ÷cos
[tan ’ ((2L b −L a X si
nδ)/(LaXcos δ))コ −(
22)(22)式、(1)式、(4)式から、最適絞り
値は次のように求められる。
[tan ’ ((2L b −L a X si
nδ)/(LaXcos δ))コ −(
22)(22)式、(1)式、(4)式から、最適絞り
値は次のように求められる。
F N o −G N n / L c−
5x G N o + (L a x cos δ
)X’cos[tan ’ ((2L b −L
a X sin δ)/(LaXcos δ)+1
−(23)(23)式においてδ−〇とすると
、(6)式が得られる。
5x G N o + (L a x cos δ
)X’cos[tan ’ ((2L b −L
a X sin δ)/(LaXcos δ)+1
−(23)(23)式においてδ−〇とすると
、(6)式が得られる。
(23)式はδに関する項の符号が(2])式と異なる
のみで、他は同じである。そのため、第5図の場合をδ
が正、第6図の場合をδが負とすると、適正絞り値FN
oは同一の(21)式で表わすことができる。
のみで、他は同じである。そのため、第5図の場合をδ
が正、第6図の場合をδが負とすると、適正絞り値FN
oは同一の(21)式で表わすことができる。
このため、第2実施例は、第4図に示した構成に重力方
向に対するカメラの角度を検出するセンサを付加すると
ともに、絞り値演算回路46の演算式を(21)式に変
えることにより実現できる。
向に対するカメラの角度を検出するセンサを付加すると
ともに、絞り値演算回路46の演算式を(21)式に変
えることにより実現できる。
このように、第2実施例によれば、ストロボ10と被写
体12が反射物体14に対して等距離でない場合でも、
正確に露出制御が行なえる。
体12が反射物体14に対して等距離でない場合でも、
正確に露出制御が行なえる。
なお、この発明は上述した実施例に限定されずに、種々
変更可能である。例えば、距離測定素子、反射率測定素
子はPSDに限定されない。露出制御は絞りにより行な
う場合に限らず、ストロボの発光時間により行なっても
よい。また、警告、撮影禁止は両方行なう必要はなく、
いずれか一方のみでもよ<、警告の種類も上述の説明に
限定されない。
変更可能である。例えば、距離測定素子、反射率測定素
子はPSDに限定されない。露出制御は絞りにより行な
う場合に限らず、ストロボの発光時間により行なっても
よい。また、警告、撮影禁止は両方行なう必要はなく、
いずれか一方のみでもよ<、警告の種類も上述の説明に
限定されない。
以」二説明したようにこの発明によれば、バウンススト
ロボによる間接照射撮影の際の露出を被写体の反射率に
よらず常に適正に制御できる簡単な(14成の露出制御
装置を提供することができる。
ロボによる間接照射撮影の際の露出を被写体の反射率に
よらず常に適正に制御できる簡単な(14成の露出制御
装置を提供することができる。
第1図はストロボの間接照射の概念図、第2図は距離、
反射率を測定するための光位置検出素子の断面構造を示
す図、第3図は距離71ξ]定の原理を示す図、第4図
はこの発明の第1実施例の構成を示すブロック図、第5
図、第6図は第2実施例の間接照射の概念図である。 10・・・ストロボ、12・・・被写体、12a・・・
仮想被写体、14・・・反射物体。 出願人代理人 弁理士 坪井 淳 第2図 h−−−−−一〇−−−−−M
反射率を測定するための光位置検出素子の断面構造を示
す図、第3図は距離71ξ]定の原理を示す図、第4図
はこの発明の第1実施例の構成を示すブロック図、第5
図、第6図は第2実施例の間接照射の概念図である。 10・・・ストロボ、12・・・被写体、12a・・・
仮想被写体、14・・・反射物体。 出願人代理人 弁理士 坪井 淳 第2図 h−−−−−一〇−−−−−M
Claims (1)
- ストロボからの照射光を物体に反射させてから被写体を
照射する際の露出を求める露出制御装置において、前記
ストロボと被写体との距離を測定する手段と、前記スト
ロボと前記物体との距離を測定する手段と、前記物体の
反射率を測定する手段と、被写体との距離、物体との距
離、物体の反射率に応じて適正露出値を求め、前記適正
露出値がカメラの制御可能な露出範囲以外の場合、警告
を発生、または撮影を禁止する手段を具備する露出制御
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63136440A JPH01304435A (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | 露出制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63136440A JPH01304435A (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | 露出制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01304435A true JPH01304435A (ja) | 1989-12-08 |
Family
ID=15175170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63136440A Pending JPH01304435A (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | 露出制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01304435A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013128880A1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-06 | パナソニック株式会社 | ストロボ装置およびストロボ装置を備えた撮像装置 |
WO2015019566A1 (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ストロボ装置およびストロボ装置を備えた撮像装置 |
JP2015060082A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ストロボ装置及びストロボ装置を備えた撮像装置 |
-
1988
- 1988-06-02 JP JP63136440A patent/JPH01304435A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013128880A1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-06 | パナソニック株式会社 | ストロボ装置およびストロボ装置を備えた撮像装置 |
JP2013178354A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Panasonic Corp | ストロボ装置及びストロボ装置を備えた撮像装置 |
WO2015019566A1 (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ストロボ装置およびストロボ装置を備えた撮像装置 |
JP2015060082A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ストロボ装置及びストロボ装置を備えた撮像装置 |
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