JPH01303779A - Semiconductor laser device - Google Patents
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザー装置に係り、とくに取付けが
容易で、表面実装を可能にし、かつ高集積度化に適した
半導体レーザー装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor laser device, and particularly to a semiconductor laser device that is easy to attach, allows surface mounting, and is suitable for high integration.
第１１図は従来の半導体レーザー装置の外形斜視図であ
る。図中、１は上面にチップ状の半導体レーザー素子及
びその半導体レーザー素子の光量を検出する光検出素子
を組付けたヒートシンク（いずれも図省略）を一体的に
固定した金属製のステム、２は上面に開口部２ａを有し
、つば部２ｂをステム１に溶接され、内部に上記画素子
及びヒートシンクを内蔵する金属製のキャップ、３はキ
ャップ２の開口部２ａを封じ、キャップ２内部の半導体
レーザー素子から発する光を矢印へ方向に導くガラス、
４は外部端子である。FIG. 11 is an external perspective view of a conventional semiconductor laser device. In the figure, 1 is a metal stem that is integrally fixed with a heat sink (both are not shown) on the top surface of which is assembled a chip-shaped semiconductor laser element and a photodetector element that detects the amount of light from the semiconductor laser element, and 2 is a metal stem. A metal cap having an opening 2a on the top surface, a collar 2b welded to the stem 1, and housing the pixel element and heat sink inside; 3 seals the opening 2a of the cap 2, and a semiconductor inside the cap 2; Glass that guides the light emitted from the laser element in the direction of the arrow.
4 is an external terminal.
上記構成の半導体レーザー装置は、いわゆるＴＯ型のパ
ッケージである。The semiconductor laser device having the above configuration is a so-called TO type package.
しかしながら、上記半導体レーザー装置においては、パ
ッケージの形状上、取付基板又は取付体への取付は作業
が煩雑であり、又取付基板等へ取付る際には取付基板に
形成された孔に外部端子を通して取付基板等の裏面で半
田付固定をするものであり、取付基板等の表面に取付け
る、いわゆる表面実装に適さず、更にはステムが金属製
であることあるいはヒートシンクを組付ける組付面に制
限があるため他の回路素子、例えば上記光検出素子と接
続される制御回路素子を組付けて集積度を高めることに
不適である等の問題点がある。However, due to the shape of the package, mounting the semiconductor laser device on the mounting board or mounting body is complicated, and when mounting the semiconductor laser device on the mounting board, external terminals must be passed through holes formed in the mounting board. It is fixed by soldering on the back side of the mounting board, etc., and is not suitable for so-called surface mounting, which is mounting on the surface of the mounting board, etc. Furthermore, the stem is made of metal, and there are restrictions on the mounting surface on which the heat sink can be mounted. Therefore, there are problems in that it is not suitable for increasing the degree of integration by assembling other circuit elements, for example, a control circuit element connected to the photodetecting element.
〔問題点を解決するための手段及び作用］上記問題点を
解決するために本発明では、チップ状の半導体レーザー
素子及びその光量を制御する光検出素子を有する半導体
レーザーユニットを電極配線された基板に組付けてなる
構成にした。[Means and effects for solving the problems] In order to solve the above problems, the present invention provides a substrate on which a semiconductor laser unit having a chip-shaped semiconductor laser element and a photodetector element for controlling the amount of light thereof is wired with electrodes. The configuration is such that it is assembled into a
半導体レーザー装置を上記構成とすることにより、取付
けを容易にし、表面実装を可能にし、かつ高集積度化に
適する。By configuring the semiconductor laser device as described above, it is easy to attach, enables surface mounting, and is suitable for high integration.
〔実 施 例］
次に本発明になる半導体レーザー装置の実施例について
説明する。第１図〜第５図は本発明に係る半導体レーザ
ー装置の第１実施例を示す図である。第１図〜第３図は
キャップを省略した半導体レーザー装置を示し、第１図
は平面図、第２図は底面図、第３図は第１図Ａ−Ａ ’
線断面図である。図中、５は孔５ａ〜５ｇが形成された
セラミック、ガラスエポキシ等の絶縁材あるいは絶縁被
覆されたＡＩ！、等の金属板からなる基板、６．７．８
．９は基板５の表面に形成された電極、１０．１１．１
２．１３は基板５の裏面に形成された電極、１４はチッ
プ状の半導体レーザー素子、１５はチップ状の光検出素
子（フォトダイオード、光電変換素子等）、１６はヒー
トシンクブロックである。ここで、半導体レーザー素子
１４の一方の電極は電極９に導通し、孔５ｇ内のスルー
ホール電極を介して更に電極１３に導通しており、又光
検出素子１５の一方の電極は電極７に導通し、孔５ｅ内
のスルーホール電極を介して更に電極１１に導通してお
り、又半導体レーザー素子１４及び光検出素子１５の夫
々の他方の電極はヒートシンクブロック１６を通って電
極８に導通し、孔５ｆ内のスルーホール電極を介して更
に電極１２に導通している。このように、半導体レーザ
ー素子１４及び光検出素子１５の電気的な取出しは基板
５の裏面に存在する。電極１２．１３間に電圧を印加す
ると基板５の面と直角な矢印Ｂ方向にレーザー光が発す
る。[Example] Next, an example of the semiconductor laser device according to the present invention will be described. 1 to 5 are diagrams showing a first embodiment of a semiconductor laser device according to the present invention. Figures 1 to 3 show a semiconductor laser device without a cap, where Figure 1 is a top view, Figure 2 is a bottom view, and Figure 3 is a line taken along the line A-A' in Figure 1.
FIG. In the figure, 5 is an insulating material such as ceramic or glass epoxy in which holes 5a to 5g are formed, or an insulating coated AI! 6.7.8 Substrates made of metal plates such as , etc.
．． 9 is an electrode formed on the surface of the substrate 5, 10.11.1
2.13 is an electrode formed on the back surface of the substrate 5, 14 is a chip-shaped semiconductor laser element, 15 is a chip-shaped photodetector element (photodiode, photoelectric conversion element, etc.), and 16 is a heat sink block. Here, one electrode of the semiconductor laser element 14 is electrically connected to the electrode 9 and further to the electrode 13 via a through-hole electrode in the hole 5g, and one electrode of the photodetector element 15 is electrically connected to the electrode 7. The conduction is conducted through the through-hole electrode in the hole 5e, and further to the electrode 11, and the other electrode of the semiconductor laser element 14 and the photodetection element 15 is connected to the electrode 8 through the heat sink block 16. , and is further electrically connected to the electrode 12 via the through-hole electrode in the hole 5f. In this way, the electrical outputs of the semiconductor laser element 14 and the photodetector element 15 are present on the back surface of the substrate 5. When a voltage is applied between the electrodes 12 and 13, laser light is emitted in the direction of arrow B perpendicular to the surface of the substrate 5.
第４図は半導体レーザー１４、光検出素子１５をヒート
シンクブロック１６に組付けた半導体レーザーユニット
５０の拡大図である。同図中、ヒートシンクブロック１
６は導体１６ａい １６ｃ、１６ｅ及び絶縁体１６ｂ、
１６ｄを交互に配設し、隣接する導体と絶縁体を貼合せ
てなり、導体１６Ｃにはチップ状の光検出素子１５及び
光検出素子１５上にチップ状の半導体レーザー素子１４
が固着され、導体１６ａは光検出素子１５の電極との間
にワイヤ１７によって導通接続され、導体１６ｅは半導
体レーザー素子１４の電極との間にワイヤ１８によって
導通接続されている。ヒートシンクブロック１６は導体
１６ａ、１６ｃ、１６ｅをそれぞれ基板５上の電極７．
８．９に当て溶接あるいは導電接着剤等による接着によ
って基板５に導通固着される。FIG. 4 is an enlarged view of a semiconductor laser unit 50 in which a semiconductor laser 14 and a photodetector element 15 are assembled to a heat sink block 16. In the same figure, heat sink block 1
6 is a conductor 16a, 16c, 16e and an insulator 16b,
The conductors 16d are arranged alternately and adjacent conductors and insulators are bonded together, and the conductor 16C has a chip-shaped photodetecting element 15 and a chip-shaped semiconductor laser element 14 is placed on the photodetecting element 15.
The conductor 16a is electrically connected to the electrode of the photodetector element 15 by a wire 17, and the conductor 16e is electrically connected to the electrode of the semiconductor laser element 14 by a wire 18. The heat sink block 16 connects the conductors 16a, 16c, 16e to the electrodes 7. on the substrate 5, respectively.
8.9, it is conductively fixed to the substrate 5 by contact welding or adhesion with a conductive adhesive or the like.
第５図は、キャップ封止した状態の半導体レーザー装置
の斜視図である。１９はキャップで、そのつば部１９ａ
が電極６を介して基板５に固定されている。つば部１９
ａと基板５との固定は接着剤あ′るいは電極６と孔５ａ
〜５ｄ内の各々のスルーホール電極を介して基板５の裏
面にある電極１０を使用して抵抗溶接される。キャップ
封止により、キャップ内部が気密に保たれる。このとき
孔５ｅ、５ｆ、５ｇはヒートシンクブロック１６の底面
によってふさがれる。FIG. 5 is a perspective view of the semiconductor laser device in a cap-sealed state. 19 is a cap, its brim 19a
is fixed to the substrate 5 via an electrode 6. Brim part 19
A and the substrate 5 are fixed with adhesive or with the electrode 6 and the hole 5a.
Resistance welding is performed using the electrode 10 on the back surface of the substrate 5 through each through-hole electrode within ~5d. Cap sealing keeps the inside of the cap airtight. At this time, the holes 5e, 5f, and 5g are closed by the bottom surface of the heat sink block 16.
上記構成において、基板５は取扱いを考慮して任意の形
状のものを使用でき、また取出し用の電極（外部端子）
がすべて基板５の裏面に存在してそのまま取付基板等の
表面に実装でき、また電極は基板５に印刷あるいはメツ
キにより形成されるので任意の配線ができて光検出素子
の信号による制御回路がヒートシンク１６等と共に基板
５に形成できる。In the above configuration, the substrate 5 can be of any shape considering handling, and the electrode for extraction (external terminal)
are all present on the back side of the board 5, and can be mounted directly on the surface of the mounting board, etc. Also, since the electrodes are formed on the board 5 by printing or plating, arbitrary wiring can be done, and the control circuit based on the signal of the photodetecting element can be connected to the heat sink. 16 etc. can be formed on the substrate 5.
第６図は本発明に係る半導体レーザー装置の第２実施例
を示す。ここで、第１実施例と同一部分は同一符号を付
しその説明を省略する。本実施例の場合は、半導体レー
ザー素子から発生するレーザー光が基板と平行に出るよ
うにしたものである。同図中、２０は絶縁製の基板、２
１．２２．２３は基板２０上に形成された電極、２４は
基板２０上に固定されたプリズムである。半導体レーザ
ー素子１４及び光検出素子１５を固定したヒートシンク
ブロック１６を電極２１．２２．２３に固定し、半導体
レーザー素子１４から発したレーザー光がプリズム２４
を通ってＣ方向に取出される。FIG. 6 shows a second embodiment of the semiconductor laser device according to the present invention. Here, the same parts as those in the first embodiment are given the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted. In this embodiment, the laser light generated from the semiconductor laser element is emitted parallel to the substrate. In the figure, 20 is an insulating substrate;
1, 22, and 23 are electrodes formed on the substrate 20, and 24 is a prism fixed on the substrate 20. The heat sink block 16 to which the semiconductor laser element 14 and the photodetector element 15 are fixed is fixed to the electrodes 21, 22, 23, and the laser light emitted from the semiconductor laser element 14 is transmitted to the prism 24.
It passes through and is taken out in the C direction.
なお、基板２０に形成される孔及び基板２０の裏面に形
成される取出し用の電極等は上述の第１実施例と同様な
ので図及び説明を省略する。Note that the holes formed in the substrate 20 and the extraction electrodes formed on the back surface of the substrate 20 are the same as those in the first embodiment described above, so illustrations and explanations thereof will be omitted.
第７図、第８図は本発明に係る半導体レーザー装置の第
３実施例を示す図である。本実施例は、複数の半導体レ
ーザーユニッ）５０を基板上に配設したものである。第
７７において、２４は絶縁製の基板で、２５．２６．２
７．２８．２９．３０．３１は基板２４上に形成された
電極、ヒートシンクブロック１６に上述の第３図と同様
に半導体レーザーユニット５０を構成し、３２．３３．
３４．３５．３６．３７．３８は各半導体レーザーユニ
ノ）５０を電気的に分離する絶縁体である。FIGS. 7 and 8 are diagrams showing a third embodiment of the semiconductor laser device according to the present invention. In this embodiment, a plurality of semiconductor laser units 50 are arranged on a substrate. In No. 77, 24 is an insulating board, 25.26.2
7.28.29.30.31 are electrodes formed on the substrate 24, and the semiconductor laser unit 50 is configured on the heat sink block 16 in the same manner as in FIG. 3 above, and 32.33.
34, 35, 36, 37, and 38 are insulators that electrically isolate each semiconductor laser unit 50.
半導体レーザーユニット５０は電極２６．２７．２８及
び２９．３０．３１（電極 ２８．２９間の電極は図を
省略しである。）に選択的に上述の実施例と同様導通固
着されている。基板２４上の電極３２は第８図の如く、
金属製のキャンプ４゜が固着され、キャンプ４０の上面
開口部にシリンドリカルレンズ４１が配設固定されて、
各半導体レーザーユニット５０が気密に封止されると共
に、半導体レーザー素子１４から発するレーザー光がシ
リンドリカルレンズ４１で波面整形されて外部に取り出
される。なお、シリンドリカルレンズ４１は、用途によ
り、平板ガラス、１７４波長板、プリズム等であっても
よい。又基＃Ｆｊ、２４に形成される孔及び基板２４の
裏面に形成される取出し用の電極等は上述の第１実施例
と同様なので図及びその説明を省略する。The semiconductor laser unit 50 is selectively conductively fixed to the electrodes 26, 27, 28 and 29, 30, 31 (the electrode between the electrodes 28, 29 is not shown) in the same manner as in the above embodiment. The electrode 32 on the substrate 24 is as shown in FIG.
A metal camp 4° is fixed, and a cylindrical lens 41 is arranged and fixed in the upper opening of the camp 40.
Each semiconductor laser unit 50 is hermetically sealed, and the laser beam emitted from the semiconductor laser element 14 is wavefront-shaped by the cylindrical lens 41 and taken out to the outside. Note that the cylindrical lens 41 may be a flat glass, a 174-wavelength plate, a prism, etc. depending on the purpose. Also, the holes formed in the base #Fj, 24, the extraction electrodes formed on the back surface of the substrate 24, etc. are the same as those in the first embodiment described above, so the drawings and explanation thereof will be omitted.
第９図は本発明に係る半導体レーザー装置の第４実施例
を示す図である。本実施例は、半導体レーザー装置を構
成するヒートシンクブロックに関するものである。同図
中、４２はセラミック等の絶縁材からなる板状体、４３
．４４．４５は板状体４２上に厚膜印刷あるいはメツキ
等により形成され互いに電気的に絶縁された電極である
。このヒートシンクブロック４６は上述した第４図の如
く、電極４４に半導体レーザー素子１４及び光検出素子
１５を固着し、画素子の一方の電極からそれぞれ電極４
３．４５ヘワイヤリングされ、形成された半導体レーザ
ーユニットは第１図の如く基板５に導通固着される。こ
の場合は、上述した第３実施例（第７図）に応用したと
き、互いの半導体レーザーユニット間を絶縁する絶縁体
３３〜３９が不要となる。FIG. 9 is a diagram showing a fourth embodiment of the semiconductor laser device according to the present invention. This embodiment relates to a heat sink block that constitutes a semiconductor laser device. In the figure, 42 is a plate-shaped body made of an insulating material such as ceramic;
．． Reference numerals 44 and 45 denote electrodes that are formed on the plate-shaped body 42 by thick film printing or plating, and are electrically insulated from each other. As shown in FIG. 4, this heat sink block 46 has the semiconductor laser element 14 and the photodetector element 15 fixed to the electrode 44, and the electrode 4 is connected to one electrode of the pixel element.
3.45, and the formed semiconductor laser unit is electrically fixed to the substrate 5 as shown in FIG. In this case, when applied to the third embodiment (FIG. 7) described above, the insulators 33 to 39 for insulating the semiconductor laser units from each other become unnecessary.
第１０図は本発明に係る半導体レーザー装置の第５実施
例を示す図である。本実施例は、半導体レーザー装置を
構成する半導体レーザーユニットに関するものである。FIG. 10 is a diagram showing a fifth embodiment of a semiconductor laser device according to the present invention. This embodiment relates to a semiconductor laser unit constituting a semiconductor laser device.
同図中、４６は光検出素子の受光面４６ａを有する半導
体基板、４７．４８．４９は半導体基板上に形成された
電極、５１は半導体基板１６上に固着されたチップ状の
半導体レーザー素子である。電極４７は光検出素子の一
方の電極である受光面側と導通し、電極４９は半導体レ
ーザー素子５１の一方の電極とワイヤ５２を介して導通
し、電極４８は光検出素子及び半導体レーザー素子５１
の他方の電極と導通する。In the figure, 46 is a semiconductor substrate having a light receiving surface 46a of a photodetecting element, 47, 48, 49 are electrodes formed on the semiconductor substrate, and 51 is a chip-shaped semiconductor laser element fixed on the semiconductor substrate 16. be. The electrode 47 is electrically connected to the light-receiving surface side which is one electrode of the photodetecting element, the electrode 49 is electrically connected to one electrode of the semiconductor laser element 51 via a wire 52, and the electrode 48 is electrically connected to the photodetecting element and the semiconductor laser element 51.
conducts with the other electrode.
こうして、半導体レーザーユニント５３が形成される。In this way, the semiconductor laser unit 53 is formed.
半導体レーザーユニット５３は第１図の如く基板５に導
通固着される。この場合は、上述した各実施例で使用さ
れたヒートシンクブロックを不要とし、又半導体基板上
にトランジスタ等の回路素子を形成することによりＩＣ
化された回路ユニットを形成することができる。The semiconductor laser unit 53 is electrically fixed to the substrate 5 as shown in FIG. In this case, the heat sink block used in each of the above-mentioned embodiments is not required, and the IC can be integrated by forming circuit elements such as transistors on the semiconductor substrate.
A standardized circuit unit can be formed.
なお、上記説明中、基板５．２０．２４の裏面に設けた
取出し用の電極１１．１２．１３等は、この基板に孔を
形成し、その孔内にスルーホール電極を形成して、その
スルーホール電極を介して表面に取出し用の電極を形成
してもよく、又基板５．２０．２４は単層の基板ではな
く多層の基板であってもよい。In the above description, the extraction electrodes 11, 12, 13, etc. provided on the back surface of the substrate 5, 20, 24 are made by forming a hole in this substrate, forming a through-hole electrode in the hole, and An electrode for extraction may be formed on the surface via a through-hole electrode, and the substrate 5, 20, 24 may be a multilayer substrate instead of a single layer substrate.
上述の如く、本発明になる半導体レーザー装置は、チッ
プ状の半導体レーザー素子及びその光量を制御する光検
出素子を存する半導体レーザーユニットを電極配線され
た基）反に組付けてなる構成のため、基板の形状を任意
に選択できるので取扱いが容易となり、又基板をそのま
ま取付基板に取付けることができるので、他の部品と共
に、同一基板上に表面実装が可能となり、更に基板上に
光検出素子の制御回路素子等を組付けることができるの
で、高集積化に適する等の効果を有する。As described above, the semiconductor laser device of the present invention has a structure in which a semiconductor laser unit including a chip-shaped semiconductor laser element and a photodetection element for controlling the amount of light thereof is assembled on a base wired with electrodes. Since the shape of the board can be selected arbitrarily, it is easy to handle, and since the board can be attached to the mounting board as is, it is possible to surface-mount it with other components on the same board. Since control circuit elements and the like can be assembled, it has the advantage of being suitable for high integration.
第１図〜第５図は本発明に係る半導体レーザー装置の第
１実施例を示し、第１図はキャップを省略した半導体レ
ーザー装置の平面図、第２図はキャンプを省略した半導
体レーザー装置の底面図、第３図は第１図Ａ−Ａ ’線
断面図、第４図は半導体レーザー装置の一部を構成する
半導体レーザーユニットの斜視図、第５図はキャップで
封止した半導体レーザー装置の斜視図、第６図は本発明
に係る半導体レーザー装置の第２実施例を示す要部斜視
図、第７図、第８図は本発明に係る半導体レーザー装置
の第３実施例を示し、第７図はキャンプを省略した半導
体レーザー装置の斜視図、第８図はキャップで封止した
半導体レーザー装置の斜視図、第９図は本発明に係る半
導体レーザー装置の第４実施例を示す半導体レーザー装
置を構成するヒートシンクブロックの斜視図、第１０図
は本発明に係る半導体レーザー装置の第５実施例を示す
半導体レーザー装置を構成する半導体レーザーユニット
の斜視図、第１１図は従来の半導体レーザー装置の斜視
図である。
５ 、 ２０ 、 ２４ ・ ・ ・ 基讐反６．
７．８．９．１０．１１，１２．１３．２１．２２．２
３．２６．２７．２８．２９３０．３１．３２．４３．
４４．４５．４７４８．４９・・・電極
１４．５１・・・半導体レーザー素子
１５・・・光検出素子
１６．４６・・・ヒートシンクブロック５０．５３・・
・半導体レーザーユニント１すｔ＝＋ｌｌ／ｌと ｄ
＋５ ソ １０−第 ７ 図
宵８図
第１０図1 to 5 show a first embodiment of the semiconductor laser device according to the present invention, FIG. 1 is a plan view of the semiconductor laser device without a cap, and FIG. 2 is a plan view of the semiconductor laser device without a camp. A bottom view, FIG. 3 is a sectional view taken along the line A-A' in FIG. 1, FIG. 4 is a perspective view of a semiconductor laser unit that constitutes a part of the semiconductor laser device, and FIG. FIG. 6 is a perspective view of a main part showing a second embodiment of a semiconductor laser device according to the present invention, FIGS. 7 and 8 show a third embodiment of a semiconductor laser device according to the present invention, FIG. 7 is a perspective view of a semiconductor laser device without a camp, FIG. 8 is a perspective view of a semiconductor laser device sealed with a cap, and FIG. 9 is a semiconductor laser device showing a fourth embodiment of the semiconductor laser device according to the present invention. A perspective view of a heat sink block constituting a laser device, FIG. 10 is a perspective view of a semiconductor laser unit constituting a semiconductor laser device showing a fifth embodiment of the semiconductor laser device according to the present invention, and FIG. 11 is a perspective view of a conventional semiconductor laser FIG. 2 is a perspective view of the device. 5, 20, 24 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・
7.8.9.10.11, 12.13.21.22.2
3.26.27.28.2930.31.32.43.
44.45.4748.49... Electrode 14.51... Semiconductor laser element 15... Photodetection element 16.46... Heat sink block 50.53...
・Semiconductor laser unit 1st=+ll/l and d
+5 So 10-Figure 7 Evening 8 Figure 10
Claims (1)
光検出素子を有する半導体レーザーユニットを電極配線
された基板に組付けてなる構成の半導体レーザー装置。A semiconductor laser device configured by assembling a semiconductor laser unit having a chip-shaped semiconductor laser element and a photodetection element for controlling the amount of light thereof onto a substrate with electrode wiring.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63134060A JPH01303779A (en) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63134060A JPH01303779A (en) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | Semiconductor laser device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01303779A true JPH01303779A (en) | 1989-12-07 |
Family
ID=15119427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63134060A Pending JPH01303779A (en) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | Semiconductor laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01303779A (en) |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP63134060A patent/JPH01303779A/en active Pending
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