JPH01296529A - ランタンヘキサボライド・コーティング熱電子放出材 - Google Patents
ランタンヘキサボライド・コーティング熱電子放出材Info
- Publication number
- JPH01296529A JPH01296529A JP88128738A JP12873888A JPH01296529A JP H01296529 A JPH01296529 A JP H01296529A JP 88128738 A JP88128738 A JP 88128738A JP 12873888 A JP12873888 A JP 12873888A JP H01296529 A JPH01296529 A JP H01296529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lanthanum hexaboride
- coated
- melting point
- point metal
- lanthanum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 25
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 12
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- -1 e.g. Substances 0.000 abstract description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000309466 calf Species 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910025794 LaB6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005372 isotope separation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はランタンヘキサポライド （ＬａＢ６）をタン
グステン線等にコーティングした熱電子放出材に係り、
レーザによるウラン同位体分離の蒸発用の電子銃又は核
融合等に用いられる高イオン密度のイオン源のフィラメ
ントｔＪ、及び真空管、電子顕微鏡、加速器等のカーフ
Ｉ・材に関する。
グステン線等にコーティングした熱電子放出材に係り、
レーザによるウラン同位体分離の蒸発用の電子銃又は核
融合等に用いられる高イオン密度のイオン源のフィラメ
ントｔＪ、及び真空管、電子顕微鏡、加速器等のカーフ
Ｉ・材に関する。
一般に、真空管、電子顕微鏡、加速器等の電子線産業の
分野におけるカーソト材の主流はタングステン等の高融
点金属が利用されている。特殊な用途として高い熱電子
放出密度が要求される電子顕微鏡、或はイオン源等にお
いては、低消費電力で高い密度の熱電子を放出するラン
タンヘキサボライドが用いられている。
分野におけるカーソト材の主流はタングステン等の高融
点金属が利用されている。特殊な用途として高い熱電子
放出密度が要求される電子顕微鏡、或はイオン源等にお
いては、低消費電力で高い密度の熱電子を放出するラン
タンヘキサボライドが用いられている。
ところで、ランタンへキリ−ポライドは低消費電力、高
い熱電子放出密度、及び堅くてスパフタリングに強いと
いう長所を存している反面、脆いために熱電子放出材と
しての加工性に乏しく、また壊れ易くて使用中に破損す
るという問題点を有している。
い熱電子放出密度、及び堅くてスパフタリングに強いと
いう長所を存している反面、脆いために熱電子放出材と
しての加工性に乏しく、また壊れ易くて使用中に破損す
るという問題点を有している。
本発明は上記問題点を解決するだめのもので、ランタン
ヘキサボライドの低消費電力、高い熱電子放出密度、堅
くてスパフタリングに強いというｑ〜徴を・活かすと共
に、脆くて加工性に乏しく、壊れ易いという欠点を克服
したランタンヘキザポライト・コーティング熱電子放出
材を提供することを目的とする。
ヘキサボライドの低消費電力、高い熱電子放出密度、堅
くてスパフタリングに強いというｑ〜徴を・活かすと共
に、脆くて加工性に乏しく、壊れ易いという欠点を克服
したランタンヘキザポライト・コーティング熱電子放出
材を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段〕
そのために本発明のランタンへキサボライｌ−・コーテ
ィング熱電子放出材は、高融点金属の表面にランタンヘ
キ→ノーボライ１をコーティング処理したことを１５敗
とし、高融点金属としてタングステンを使用し、また高
融点金属材を細い直線状としてフィラメントを構成した
ことを特徴とする。
ィング熱電子放出材は、高融点金属の表面にランタンヘ
キ→ノーボライ１をコーティング処理したことを１５敗
とし、高融点金属としてタングステンを使用し、また高
融点金属材を細い直線状としてフィラメントを構成した
ことを特徴とする。
［作用］
本発明のランタンへキ勺ボライ］コーティング熱電千成
出祠は、タングステン等の同融点金属を母相とし、その
周囲ｔこランタンへ−１−サホライＩをコーティングす
ることにより、低消費電力、高い熱電子放出密度、堅く
てスパンクリングに強く、かつ加］、性にずくれた熱電
子放出材を作成することができる。
出祠は、タングステン等の同融点金属を母相とし、その
周囲ｔこランタンへ−１−サホライＩをコーティングす
ることにより、低消費電力、高い熱電子放出密度、堅く
てスパンクリングに強く、かつ加］、性にずくれた熱電
子放出材を作成することができる。
〔実施例〕
以下、実施例を図面に基づき説明する。
第１図は本発明によるランタンへ−１−ナボライＩ・コ
ーティング熱電千成（ｌ書Ａとしてのカーフ１−の一実
施例を示す図で、第１図（八）は側面及び断面を示す図
、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のａ−δ′凹断面示す図
、第２図は熱電子放出試験装置を示す図で、図中１はタ
ングステン母祠、２はランタンへキザボライｌ−１３は
カーソト、４はアノード、５ｔま高圧電源部、６は直流
電源、７１，１交流電源を示す。
ーティング熱電千成（ｌ書Ａとしてのカーフ１−の一実
施例を示す図で、第１図（八）は側面及び断面を示す図
、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のａ−δ′凹断面示す図
、第２図は熱電子放出試験装置を示す図で、図中１はタ
ングステン母祠、２はランタンへキザボライｌ−１３は
カーソト、４はアノード、５ｔま高圧電源部、６は直流
電源、７１，１交流電源を示す。
第１図において、ランタンへキ勺ポライ１′ コーティ
ングカーソトは高融点金属、例えばタングステンを直線
状とした母材１の周囲にランタンへキ勺ボライＩ２をニ
ノーティングした細い直線状のカッ−Ｉである。ランタ
ンへこトリボライトをコーティングする一例としてプラ
スマ溶躬を用い、直径１關のタングステン線母相につい
ての溶射条件を以下に示す。
ングカーソトは高融点金属、例えばタングステンを直線
状とした母材１の周囲にランタンへキ勺ボライＩ２をニ
ノーティングした細い直線状のカッ−Ｉである。ランタ
ンへこトリボライトをコーティングする一例としてプラ
スマ溶躬を用い、直径１關のタングステン線母相につい
ての溶射条件を以下に示す。
（１）使用カス
Ａｒ（液体アルゴン）Ａ／分
Ｈｅ （０２０，５ｐｐｍ、 ｎ点−７０℃以下）２Ｍ
／分（２）溶射時使用ガス推定温度 ２００°Ｃ以下 （３）プラズマ人力時の値 ８５０ Δ、３７Ｖ ［＝ｉｌ ［、、ａ Ｂ６粉末の組成、サイズ等〔組成
〕 Ｌａ６８．７％ ８３１．１％ Ｃ０，０５％ Ｆｅｄ、０５％ ００．０８％ Ｎｏ、０２％ （ＩＩ慢了刊イズ〕 ５〜８μｍ 〔バルク密度〕 ０．７３〜１．ｌｏｇ／印３ （ｌｓ（枚〕 紫色の粉末 （５） ？’４月・ｊ圧面（ ８ＣＩＩ＋ 次に、熱電子放出について説明する。
／分（２）溶射時使用ガス推定温度 ２００°Ｃ以下 （３）プラズマ人力時の値 ８５０ Δ、３７Ｖ ［＝ｉｌ ［、、ａ Ｂ６粉末の組成、サイズ等〔組成
〕 Ｌａ６８．７％ ８３１．１％ Ｃ０，０５％ Ｆｅｄ、０５％ ００．０８％ Ｎｏ、０２％ （ＩＩ慢了刊イズ〕 ５〜８μｍ 〔バルク密度〕 ０．７３〜１．ｌｏｇ／印３ （ｌｓ（枚〕 紫色の粉末 （５） ？’４月・ｊ圧面（ ８ＣＩＩ＋ 次に、熱電子放出について説明する。
第２図において、真空容器内にランタンへ−１−ザボラ
イドをコーティングしたカーソト３を包むような配置で
アノード４を設し）、アノード４に刻しカーフ１３の電
位を負に、例えば−１０ＫＶに高圧電源部５内の直流型
ｔＸ６で印加しておき、−力、カーソト３を両端から高
圧電源部５内の交流電源７を用いて抵抗加熱する。加熱
されたカーソド３の表面からアノ−Ｆ４に向かって熱電
子が放出される。
イドをコーティングしたカーソト３を包むような配置で
アノード４を設し）、アノード４に刻しカーフ１３の電
位を負に、例えば−１０ＫＶに高圧電源部５内の直流型
ｔＸ６で印加しておき、−力、カーソト３を両端から高
圧電源部５内の交流電源７を用いて抵抗加熱する。加熱
されたカーソド３の表面からアノ−Ｆ４に向かって熱電
子が放出される。
ランタンへ−１−サボライトをコーティングしたカーソ
ト３は１３００〜２０００°Ｃ程度の作動温度で、アノ
−１４に流入した熱電子によるエミッション電流の密度
がＯ，ｌ〜１００Ａ／ｃｍ２となる。
ト３は１３００〜２０００°Ｃ程度の作動温度で、アノ
−１４に流入した熱電子によるエミッション電流の密度
がＯ，ｌ〜１００Ａ／ｃｍ２となる。
また、熱電子放出に伴い生したイオンがカーソト表面を
Ｒ４ａＳさ一已る、所謂スパンクリングに対してランタ
ンへキリ°ボライ１−′ば比較的強い。しかし好ましく
は、真空度１０−１Ｐｒｒ （パスカル）より低い状態
で使用することが望ましい。
Ｒ４ａＳさ一已る、所謂スパンクリングに対してランタ
ンへキリ°ボライ１−′ば比較的強い。しかし好ましく
は、真空度１０−１Ｐｒｒ （パスカル）より低い状態
で使用することが望ましい。
以上のように本発明によれは、Ｃ，す電ｊ−放出能の高
いうンクンヘキリ゛ボライ１を高融点金属の１１”：Ａ
に′：１−ティングした熱電子放出材をカーフＩ或はフ
ィラメンＩ・として使用することにより、抵抗加熱する
ときの消費電力を軽減堪ることができ、さらにり〉′ゲ
ステン等に比較して同・温度で二指高い熱電子を放出す
ることができると共に、短所である脆さによる加二Ｆ形
状の乏しさを克服し、直線、コイル、板、リボン等の種
々の形状を作ることが可能となる。
いうンクンヘキリ゛ボライ１を高融点金属の１１”：Ａ
に′：１−ティングした熱電子放出材をカーフＩ或はフ
ィラメンＩ・として使用することにより、抵抗加熱する
ときの消費電力を軽減堪ることができ、さらにり〉′ゲ
ステン等に比較して同・温度で二指高い熱電子を放出す
ることができると共に、短所である脆さによる加二Ｆ形
状の乏しさを克服し、直線、コイル、板、リボン等の種
々の形状を作ることが可能となる。
そして、本発明によるカソードを用いて１０時間の連続
運転を行い、カソード温度１３００°Ｃ（（ｊ近でエミ
ノシコン電流０．１Ａであった。
運転を行い、カソード温度１３００°Ｃ（（ｊ近でエミ
ノシコン電流０．１Ａであった。
第１図は本発明によるランタンヘキサボライドコーティ
ング地電子放出材としてのカーソドの一実施例を示す図
で、同図（Ａ）は側面と断面を示す図、同図（［３）は
同図（Ａ）のａ−ａ’断面を示す図、第２図は払電子放
出試験装置を示す図である。 １・・タングステン母材、２・・・ランタンへ；１−勺
ポライ１−１３・・・カーソド、４・・アノード、５・
・高圧電源部、６・・・直流電源、７・交流電源。
ング地電子放出材としてのカーソドの一実施例を示す図
で、同図（Ａ）は側面と断面を示す図、同図（［３）は
同図（Ａ）のａ−ａ’断面を示す図、第２図は払電子放
出試験装置を示す図である。 １・・タングステン母材、２・・・ランタンへ；１−勺
ポライ１−１３・・・カーソド、４・・アノード、５・
・高圧電源部、６・・・直流電源、７・交流電源。
Claims (3)
- （１）高融点金属の表面にランタンヘキサボライドをコ
ーティング処理したことを特徴とするランタンヘキサボ
ライド・コーティング熱電子放出材。 - （２）高融点金属はタングステンである請求項１記載の
ランタンヘキサボライド・コーティング熱電子放出材。 - （３）高融点金属材を細い直線状とした請求項１記載の
ランタンヘキサボライド・コーティング熱電子放出材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP88128738A JPH01296529A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | ランタンヘキサボライド・コーティング熱電子放出材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP88128738A JPH01296529A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | ランタンヘキサボライド・コーティング熱電子放出材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01296529A true JPH01296529A (ja) | 1989-11-29 |
Family
ID=14992235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP88128738A Pending JPH01296529A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | ランタンヘキサボライド・コーティング熱電子放出材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01296529A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009142223A1 (ja) * | 2008-05-22 | 2009-11-26 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング用ターゲット、薄膜の製造法及び表示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5267562A (en) * | 1975-12-02 | 1977-06-04 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Method of fabricating thermally electron emitting cathode |
| JPS57128437A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-10 | Koichi Kanetani | Manufacture of lanthanum-boride thermionic emission electrode |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP88128738A patent/JPH01296529A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5267562A (en) * | 1975-12-02 | 1977-06-04 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Method of fabricating thermally electron emitting cathode |
| JPS57128437A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-10 | Koichi Kanetani | Manufacture of lanthanum-boride thermionic emission electrode |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009142223A1 (ja) * | 2008-05-22 | 2009-11-26 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング用ターゲット、薄膜の製造法及び表示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Broers | Electron gun using long‐life lanthanum hexaboride cathode | |
| US3625848A (en) | Arc deposition process and apparatus | |
| KR100944818B1 (ko) | 쇼트 아크 고압 방전 램프 | |
| US5433836A (en) | Arc source macroparticle filter | |
| US2339392A (en) | Cathode | |
| US20050208218A1 (en) | Method for depositing boron-rich coatings | |
| JP2003506826A (ja) | イオン源を用いる薄膜堆積システム用のエンハンスされた電子放出表面 | |
| GB1309423A (en) | Field-emission cathodes and methods for preparing these cathodes | |
| US5911919A (en) | Electron emission materials and components | |
| US3436584A (en) | Electron emission source with sharply defined emitting area | |
| US20160211130A1 (en) | Electrode for a short-arc high pressure lamp | |
| JPH01296529A (ja) | ランタンヘキサボライド・コーティング熱電子放出材 | |
| US5138645A (en) | Anode for x-ray tubes | |
| US3689798A (en) | Device for automatically controlling electrical conditions of an electron beam unit | |
| US2670451A (en) | Short arc high-pressure vapor discharge lamp | |
| US6869574B2 (en) | Apparatus and method of generating charged particles | |
| JP3717655B2 (ja) | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 | |
| JPS607335B2 (ja) | 熱電子放射陰極 | |
| EP0637046B1 (en) | Thermoionic emissive cathode method of fabricating the same thermoionic emissive cathode and electron beam apparatus | |
| JPH0757617A (ja) | 熱電子発生源 | |
| JP2002022899A (ja) | 電子線照射装置 | |
| US2952573A (en) | Carbide coated tungsten electrode | |
| JPS60177528A (ja) | 耐久性の優れたタンタルフイラメント及びその製造法 | |
| JPS594045Y2 (ja) | 薄膜生成用イオン化装置 | |
| RU2297069C2 (ru) | Прямонакальный импрегнированный катод |