JPH01295419A - Method and apparatus for electron beam lithography - Google Patents
Method and apparatus for electron beam lithographyInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ウェーハ直接露光又はマスク、レチクル露光をするため
に、複数の電子ビームを用いてパターン描画を行なう電
子ビーム露光方法及びその装置に関し、
微細パターンでもスルーブツトを落とさずに高精度なパ
ターン描画を行なうことを目的とし、単一の電子銃から
放射された電子ビームを、ブランキングアレーアパーチ
ャの複数のブランキング電極により複数の要素ビームが
直線状に整列されてなるラインビームに変換すると共に
、該複数の要素ビームの各々のビーム強度に反比例して
各ブランキング電極のビームオンパルス長を決定し、該
ラインビームを試料面上に照射してパターン描画を行な
うよう構成し、また、クロスオーバの作られた電子ビー
ムを放射する単一の電子銃と、該電子銃からの電子ビー
ムをその断面形状が長楕円形のライン状につぶされた電
子ビームに成形する４極ビームつぶしレンズと、直線状
に整列して設けられた複数の開口部に夫々ブランキング
電極が形成されており、該４極ビームつぶしレンズより
の電子ビームが照射されて該複数のブランキング電極の
各々から要素ビームを取り出すブランキングアレーアパ
ーチャと、該ブランキングアレーアパーチャからのライ
ン状に配列された複数の要素ビームのうち、ビームオフ
とされた要素ビームを遮断し、ビームオンとされた要素
ビームを通過させるブランキングアパーチャと、該ブラ
ンキングアパーチャを通過した要素ビームをパターンデ
ータに応じて偏向して試料面上に照射する偏向手段と、
該ブランキング電極を通過する該要素ビームのビーム強
度に反比例して該ブランキング電極のビームオンパルス
長を決定する手段とより構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] This invention relates to an electron beam exposure method and apparatus for drawing a pattern using a plurality of electron beams for direct wafer exposure or mask/reticle exposure, and an apparatus for the same, which does not reduce throughput even with fine patterns. The aim is to draw high-precision patterns on lines, and the electron beam emitted from a single electron gun is lined up by aligning multiple element beams in a straight line using multiple blanking electrodes of a blanking array aperture. beam, determines the beam-on-pulse length of each blanking electrode in inverse proportion to the beam intensity of each of the plurality of elemental beams, and irradiates the line beam onto the sample surface to draw a pattern. In addition, there is a single electron gun that emits an electron beam with a crossover, and a 4-shaped electron beam that shapes the electron beam from the electron gun into a line-shaped electron beam with an oblong cross-sectional shape. Blanking electrodes are formed in each of the polar beam crushing lens and a plurality of openings arranged in a straight line, and the electron beam from the quadrupole beam crushing lens is irradiated to the plurality of blanking electrodes. A blanking array aperture takes out the element beams from each of the blanking array apertures, and among the plurality of element beams arranged in a line from the blanking array aperture, the element beams that are turned off are cut off, and the element beams that are turned on are cut off. a blanking aperture for passing through; a deflection means for deflecting the element beam that has passed through the blanking aperture according to pattern data and irradiating it onto a sample surface;
and means for determining a beam on-pulse length of the blanking electrode in inverse proportion to the beam intensity of the element beam passing through the blanking electrode.
本発明は電子ビーム露光方法及びその装置に係り、特に
ウェーハ直接露光又はマスク、レチクル露光をするため
に、複数の電子ビームを用いてパターン描画を行なう電
子ビーム露光方法及びその装置に関する。The present invention relates to an electron beam exposure method and an apparatus thereof, and more particularly to an electron beam exposure method and apparatus for drawing a pattern using a plurality of electron beams for direct wafer exposure or mask or reticle exposure.
近年、電子ビーム露光方法による大規模集積回路（ＬＳ
Ｉ ）の直接露光が広く行なわれるようになってきた
。この場合に用いられている電子ビームは可変矩形ビー
ムが多く、その他にポイントビーム、固定矩形ビームも
あるが、これらは一般に研究用である。In recent years, large-scale integrated circuits (LS) have been developed using electron beam exposure methods.
I) Direct exposure has become widely used. Most of the electron beams used in this case are variable rectangular beams, and there are also point beams and fixed rectangular beams, but these are generally for research purposes.
可変矩形ビームを用いた電子ビーム露光方法は、電子ビ
ームを任意のサイズの矩形が形成できるために、電子ビ
ーム露光をより現実的なものとすることができたが、Ｌ
ＳＩが微細化するにつれてスルーブツトを落とさずに高
精度にパターン描画することが重要となる。The electron beam exposure method using a variable rectangular beam has been able to make electron beam exposure more realistic because the electron beam can form a rectangle of any size.
As SI becomes finer, it becomes important to draw patterns with high precision without reducing throughput.
（従来の技術）
第５図は従来の電子ビーム露光装置の一例のブロック図
を示す。同図中、１は中央処理装置１Ｗ（ＣＰＵ）、２
は磁気ディスク、３は磁気テープで、これらはバス４を
介して互いに接続され、かつ、バス４及びインターフェ
ース回路５を夫々介してデータメモリ６に接続されてい
る。これにより、ｃｐｕｉの命令に従ってパターンデー
タ群が磁気テープ３から再生されて磁気ディスク２に格
納され、更に磁気ディスク２からウェーハ２１（又はガ
ラス乾板）上のチップ配置情報に従って読み出され、バ
ス４．インタフェース回路５を夫々通してデータメモリ
６に供給され、ここに格納される。(Prior Art) FIG. 5 shows a block diagram of an example of a conventional electron beam exposure apparatus. In the figure, 1 is a central processing unit 1W (CPU), 2
3 is a magnetic disk, and 3 is a magnetic tape, which are connected to each other via a bus 4 and to a data memory 6 via the bus 4 and an interface circuit 5, respectively. As a result, a group of pattern data is reproduced from the magnetic tape 3 according to the commands of the CPU and stored on the magnetic disk 2, and further read from the magnetic disk 2 according to the chip arrangement information on the wafer 21 (or glass dry plate), and is read out from the magnetic disk 2 according to the chip arrangement information on the wafer 21 (or glass dry plate). The signals are supplied to the data memory 6 through the interface circuit 5 and stored therein.
データメモリ６にすべてのパターンデータが格納され終
ると、そのパターンデータはデータメモリ６から読み出
されてショット分解回路７に供給され、ショットサイズ
単位のデータに分解された後、パターン補正回路８に供
給される。When all the pattern data has been stored in the data memory 6, the pattern data is read out from the data memory 6 and supplied to the shot decomposition circuit 7. After being decomposed into data in shot size units, the pattern data is sent to the pattern correction circuit 8. Supplied.
パターン補正回路８により補正されたデータはＯＡコン
バータ（ＤＡＣ）及びアンプ９．１０゜１１に夫々供給
されてアナログ信号に変換される一方、ステージ制御回
路１２に供給される。ステージ制御回路１２の出力信号
はモータ１３を回転ｔｌｌｔｌＩシ、試料台（ステージ
）１４をＸ方向及びＹ方向へ移動制御する。The data corrected by the pattern correction circuit 8 is supplied to an OA converter (DAC) and an amplifier 9.10.11, where it is converted into an analog signal, and is then supplied to the stage control circuit 12. The output signal of the stage control circuit 12 controls the rotation of the motor 13 and the movement of the sample table (stage) 14 in the X and Y directions.
一方、図示しない筐体の内部には電子銃１５．１字形の
ナイフェツジ１６．１Ｂ、スリットデフレクタ用電極１
７、主偏向コイル１９、副偏向電極２０、試料台１４及
び試料としてのウェーハ２１が配置されており、ウェー
ハ２１は試料台１４上に載置されている。なお、ナイフ
ェツジ１６．１８の代りに２枚の矩形穴の開いたアパー
チャを使用することもできる。On the other hand, inside the casing (not shown) is an electron gun 15.1-shaped knife 16.1B and a slit deflector electrode 1.
7. A main deflection coil 19, a sub-deflection electrode 20, a sample stage 14, and a wafer 21 as a sample are arranged, and the wafer 21 is placed on the sample stage 14. Note that an aperture with two rectangular holes may be used instead of the knife 16, 18.
電子銃１５より放射された電子ビームはナイフェツジ１
６及び１８により矩形ビームに成形され、ナイフェツジ
１６及び１８一に置かれたスリットデフレクタ用電極１
７にＤＡＣ及びアンプ９の出力信号（偏向電圧）を供給
することにより、例えば３μ−平方以下の任意のショッ
トサイズに成形される。この任意の大きさの矩形状に成
形された電子ビームは、ＤＡＣ及びアンプ１０の出力偏
向電流が供給される主偏向コイル１９により例えば１０
履角以下程度の領域を低速で大偏向された後、ＤＡＣ及
びアンプ１１の出力偏向電圧が供給される副偏向電極２
０により例えば１００μ醜角以下程度の領域を高速で小
偏向され、更に図示しない投影レンズを通過してウェー
ハ２１の表面に照射され、パターンデータに基づくパタ
ーンが描画される。The electron beam emitted from the electron gun 15 is
The slit deflector electrode 1 is formed into a rectangular beam by 6 and 18 and placed on the knife edge 16 and 18.
By supplying the output signal (deflection voltage) of the DAC and amplifier 9 to 7, the shot size can be formed into an arbitrary shot size of, for example, 3 .mu.-square or less. This electron beam, which is shaped into a rectangular shape of an arbitrary size, is transmitted to
The sub-deflection electrode 2 is supplied with the output deflection voltage of the DAC and amplifier 11 after being largely deflected at low speed in an area that is less than the crawl angle.
0, the light is deflected small at high speed in an area having an angle of about 100 μm or less, and further passes through a projection lens (not shown) and is irradiated onto the surface of the wafer 21, thereby drawing a pattern based on the pattern data.
このような従来の電子ビーム露光装置において、ウェー
ハ２１の表面における電子ビームは主偏向コイル１９に
流す電流の大小により、第６図（Ａ）に示す約２〜１０
厘角のメインフィールド内を偏向し、副偏向電極２０に
印加する電圧の大小により、第６図（Ｂ）に示す約１０
０μ暑角のサブフィールド内を偏向し、スリットデフレ
クタ用電極１７に印加する電圧の大小により、電子ビー
ムの大きさ（ショットサイズ）が決まる。従って、可変
矩形電子ビームでは、入力されたパターンデータを複数
個のショットに分解して、それを１シヨツトずつ指定の
位置に照射して第６図（Ｃ）に示す如く所望のパターン
を形成することになる。なお、第６図（Ｃ）に示すよう
にパターンに応じて１つのショットサイズが異なる。In such a conventional electron beam exposure apparatus, the electron beam on the surface of the wafer 21 has a width of about 2 to 10, as shown in FIG.
The deflection is performed within the main field at an angle of about 10 mm, depending on the magnitude of the voltage applied to the sub-deflection electrode 20, as shown in FIG. 6(B).
The size of the electron beam (shot size) is determined by the magnitude of the voltage applied to the slit deflector electrode 17 after deflecting within a subfield with a heat angle of 0 μ. Therefore, with a variable rectangular electron beam, the input pattern data is broken down into multiple shots, and each shot is irradiated onto a designated position to form a desired pattern as shown in FIG. 6(C). It turns out. Note that, as shown in FIG. 6(C), one shot size differs depending on the pattern.
かかる可変矩形電子ビームを用いた従来の電子ビーム露
光装置では、描画しようとするパターンの大きさに応じ
てショットサイズを可変できるからスルーブツトの良好
なパターン描画ができるというメリットがある。A conventional electron beam exposure apparatus using such a variable rectangular electron beam has the advantage of being able to draw patterns with good throughput because the shot size can be varied depending on the size of the pattern to be drawn.
（発明が解決しようとする課題）
しかし、微細パターンを描画しようとすると、例えば線
幅０．２μ鍋という極めて小さい電子ビームを成形しな
ければならず、このような電子ビームはポイントビーム
と何ら大差なく、装置をこのような０．２μ−線幅の電
子ビームで描画するように構成すると、微細パターンは
高精度に描けるが、■電流密度の上限、■ＤＡＣ及びア
ンプ９．１０及び１１のアンプ整定に要する時間等のた
め、ゲートのような微細パターンだけでなく、ボンデイ
ングパッドなどの広い面積の領域も混在するために全体
として膨大なショツト数が必要なＬＳＩのパターンを描
画するには時間がかかりすぎ、スループットが極めて悪
くなってしまう。(Problem to be solved by the invention) However, in order to draw fine patterns, it is necessary to form an extremely small electron beam with a line width of 0.2μ, for example, and such an electron beam is no different from a point beam. If the device is configured to draw with such an electron beam with a line width of 0.2μ, fine patterns can be drawn with high precision, but there are problems with ■the upper limit of the current density, and ■the DAC and amplifiers of 9.10 and 11. Due to the time required for settling, it takes time to draw LSI patterns, which require a huge number of shots as a whole, as they include not only fine patterns such as gates but also large areas such as bonding pads. It takes too much time, and the throughput becomes extremely poor.
他方、可変矩形ビーム形成時にスループットを確保する
ためにショットサイズの可変範囲を大きくしようとする
と、線幅０．１μ−〜０．２μ−の電子ビームは２つの
スリットの重なりで得るため、相対的に小ビームでのド
ーズ量が不安定になるという欠点があった。On the other hand, when trying to increase the variable range of the shot size to ensure throughput during variable rectangular beam formation, the relative However, the drawback was that the dose in the small beam was unstable.
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、微細パター
ンでもスループットを落とさずに高精度なパターン描画
を行なうことができる電子ビーム露光方法及びその装置
を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide an electron beam exposure method and an apparatus therefor, which can perform highly accurate pattern drawing even with fine patterns without reducing throughput.
本発明の電子ビーム露光方法は、単一の電子銃から放射
された電子ビームをラインビームに変換すると共に、複
数の要素ビームの各々のビーム強度に反比例して各ブラ
ンキング電極のビームオンパルス長を決定し、ラインビ
ームを試料面上に照射してパターン描画を行なう。The electron beam exposure method of the present invention converts an electron beam emitted from a single electron gun into a line beam, and also changes the beam on-pulse length of each blanking electrode in inverse proportion to the beam intensity of each of a plurality of elemental beams. , and irradiate the sample surface with a line beam to draw a pattern.
また、本発明の電子ビーム露光装置は単一の電子銃、４
極ビームつぶしレンズ、ブランキングアレー７バーチヤ
、ブランキングアパーチャ、偏向手段及びビームオンパ
ルス長決定手段とからなる。Further, the electron beam exposure apparatus of the present invention includes a single electron gun, four
It consists of a polar beam crushing lens, a blanking array 7 vertices, a blanking aperture, a deflection means, and a beam on pulse length determining means.
上記の４極ビームつぶしレンズは断面形状が長楕円形の
ライン状につぶされた電子ビームに成形する。またブラ
ンキングアレーアパーチャは直線状に整列して設けられ
た複数の閉口部に夫々形成されたブランキング電極の各
々から要素ビームを取り出す。ブランキングアパーチャ
は上記の要素ビームのうちビームオンとされた要素ビー
ムだけを通過させる。The above-mentioned quadrupole beam crushing lens forms an electron beam crushed into a line shape with an oblong cross-sectional shape. Further, the blanking array aperture takes out the element beams from each of the blanking electrodes formed in the plurality of closed portions arranged in a linear manner. The blanking aperture allows only the beam-on element beam among the above-mentioned element beams to pass through.
また偏向手段はブランキングアパーチャを通過した要素
ビームを、パターンデータに応じて偏向して試料面上に
照射する。更に、上記ビームオンパルス長決定手段は、
要素ビームのビーム強度に反比例してブランキング電極
のビームオンパルス長を決定する。Further, the deflection means deflects the element beams that have passed through the blanking aperture according to the pattern data and irradiates them onto the sample surface. Furthermore, the beam-on-pulse length determining means includes:
The beam on-pulse length of the blanking electrode is determined in inverse proportion to the beam intensity of the element beam.
本発明の電子ビーム露光方法では、複数の要素ビームが
直線状に整列配置されたラインビームを用いてパターン
描画を行なうので、要素ビームの大きさを小さくするこ
とにより微細パターンが形成できる。また、要素ビーム
は複数あり、それらがラインビームを形成して同時に偏
向走査される。In the electron beam exposure method of the present invention, a line beam in which a plurality of elemental beams are linearly arranged is used to draw a pattern, so a fine pattern can be formed by reducing the size of the elemental beams. Further, there are a plurality of element beams, which form a line beam and are simultaneously deflected and scanned.
このとき、各要素ビームのビーム強度に反比例して各ブ
ランキング電極のビームオンパルス長を決定しているの
で、ラインビームを構成する個々の要素ビームのビーム
強度と、１個毎のビームオンの時間の積が一定値となる
。At this time, since the beam-on pulse length of each blanking electrode is determined in inverse proportion to the beam intensity of each element beam, the beam intensity of each element beam making up the line beam and the beam-on time of each The product of is a constant value.
なお、複数の電子ビームを用いてパターン描画を行なう
マルチビーム方式の電子ビーム露光方法も従来より知ら
れているが、このマルチビーム方式は電子銃の数と使用
電子ビーム数とが等しく、装置が大型で高価であるが、
本発明は電子銃は一つで安価、小型であり、また、各要
素ビーム毎にそのビームオン期間が個別に決定されてい
る。Note that a multi-beam electron beam exposure method has been known for drawing patterns using multiple electron beams, but in this multi-beam method, the number of electron guns and the number of electron beams used are equal, and the equipment is Although large and expensive,
The present invention uses only one electron gun, which is inexpensive and compact, and the beam-on period is individually determined for each element beam.
次に本発明の電子ビーム露光装置では、偏向手段により
複数の要素ビームからなるラインビームが偏向走査され
るので、ポイントビームと大差のない大きさの１つの可
変矩形ビームを偏向走査する場合に比べてスループット
の低下を除去できる。Next, in the electron beam exposure apparatus of the present invention, since a line beam consisting of a plurality of element beams is deflected and scanned by the deflection means, compared to a case where a single variable rectangular beam whose size is not much different from a point beam is deflected and scanned. can eliminate throughput degradation.
また、ブランキングアレーアパーチャは交換自在に構成
されているので、複数の要素ビームのうち極端にビーム
強度が小さな要素ビームがあっても、ブランキングアレ
ーアパーチャを交換するだけで、ビーム強度の差が小さ
い複数の要素ビームを得ることができる。In addition, the blanking array aperture is configured to be replaceable, so even if there is an element beam with an extremely low beam intensity among multiple element beams, simply replacing the blanking array aperture will eliminate the difference in beam intensity. Small multi-element beams can be obtained.
更に、アライメントコイルを４極ビームつぶしレンズと
ブランキングアレーアパーチャとの一に設け、その駆動
電流を制御することにより、複数の要素ビームによるビ
ーム強度分布が略平坦で、かつ、最大となるようにでき
る。Furthermore, by installing an alignment coil between the quadrupole beam crushing lens and the blanking array aperture and controlling its drive current, the beam intensity distribution of the plurality of element beams can be made substantially flat and maximized. can.
第１図は本発明の一実施例のブロック図を示す。 FIG. 1 shows a block diagram of one embodiment of the invention.
同図中、第５図と同一構成部分には同一符号を付し、そ
の説明を省略する。第１図において、２３はシーケンス
コントローラ、２４はビットマツプ発生回路、２５ｌ〜
２５？ｌはｎ個（ｎは例えば２５６）のブランキング発
生回路、２６はブランキング７１ＪＪｍ回路、２７はデ
フレクタ＆Ｊｔｌ１１回路、２８はブランキングアレー
アパーチャである。ブランキングアレー７バーチヤ２８
は本発明の要部をなしており、ブランキング発生回路２
５ｌ〜２５１の各出力ブランキング信号が１対１に対応
して供給され、かつ、互いに独立して制御されるｎ個の
ブランキング電極（セル）２９ｌ〜２９ｎが、試料台１
４の連続移動方向に対して略平行な方向に整列配置され
た構造とされている。In the figure, the same components as those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted. In FIG. 1, 23 is a sequence controller, 24 is a bitmap generation circuit, and 25l--
25? 1 is n blanking generation circuits (n is 256, for example), 26 is a blanking 71JJm circuit, 27 is a deflector & Jtl11 circuit, and 28 is a blanking array aperture. Blanking array 7 Virtia 28
constitutes the main part of the present invention, and the blanking generation circuit 2
n blanking electrodes (cells) 29l to 29n to which output blanking signals 5l to 251 are supplied in one-to-one correspondence and controlled independently from each other are connected to the sample stage 1.
The structure is arranged in a direction substantially parallel to the direction of continuous movement of 4.
次に第１図に示す実施例の動作について説明する。ｃｐ
ｕｉの命令によりパターンの露光が開始されると、大容
量のデータメモリ６からビットマツプ発生回路２４にパ
ターンデータが転送され、ここでビットマツプに展開さ
れた後ブランキング発生回路２５ｌ〜２５ＴＩに供給さ
れる。一方、これと同時にｃｐｕｉからインタフェース
回路５を経由してシーケンスコントローラ２３に供給さ
れる命令に基づいて、シーケンスコントローラ２３から
ブランキング制御回路２６へ制御信号が送出され、ブラ
ンキング信号が生成される。Next, the operation of the embodiment shown in FIG. 1 will be explained. cp
When pattern exposure is started in response to a command from ui, the pattern data is transferred from the large-capacity data memory 6 to the bitmap generation circuit 24, where it is developed into a bitmap and then supplied to the blanking generation circuits 25l to 25TI. . Meanwhile, at the same time, a control signal is sent from the sequence controller 23 to the blanking control circuit 26 based on a command supplied from the CPU to the sequence controller 23 via the interface circuit 5, and a blanking signal is generated.
このブランキング信号はブランキング発生回路２５ｌ〜
２５ＴＩに夫々供給され、そのうちビットマツプ発生回
路２４からの信号が所定値（例えば“１″又は“Ｏ”）
のブランキング発生回路だけを通過してブランキングア
レーアパーチャ２８の対応するブランキング電極に印加
され、電子銃１５からの電子ビームを遮断するよう偏向
する。This blanking signal is generated by the blanking generation circuit 25l~
25TI, of which the signal from the bitmap generation circuit 24 has a predetermined value (for example, "1" or "O").
The electron beam passes through only the blanking generating circuit of , is applied to the corresponding blanking electrode of the blanking array aperture 28, and is deflected to block the electron beam from the electron gun 15.
一方、ブランキング信号が供給されないブランキング電
極からは電子銃１５からの電子ビームが偏向されること
なく通過される。On the other hand, the electron beam from the electron gun 15 passes through the blanking electrode to which the blanking signal is not supplied without being deflected.
このようにして、ブランキングアレーアパーチャ２８か
らはライン状に並んだｎ本の電子ビーム（これを本明細
書では「要素ビーム」といい、またｎ本全体のビーム群
を「ラインビーム」というものとする）がブランキング
電極２９ｌ〜２９ｎにより互いに独立してブランキング
オン、オフ制御された後、主偏向コイル１９．副偏向電
極２０を夫々通してウェーハ２１（ガラス乾板でもよい
）の表面に照射されてパターンが形成される。In this way, n electron beams arranged in a line from the blanking array aperture 28 (these are referred to as "element beams" in this specification, and a group of n electron beams as a whole are referred to as "line beams"). ) are independently controlled on and off by the blanking electrodes 29l to 29n, then the main deflection coil 19. A pattern is formed by irradiating the surface of a wafer 21 (a glass dry plate may be used) through each of the sub-deflection electrodes 20.
ここで、本実施例のラインビームの配置とブランキング
信号との関係を第２図と共に更に詳細に説明する。第２
図（Ａ）は連続的に移動する試料台（ステージ）１４上
に載置されたウェーハ２１の表面におけるラインビーム
を示す。第２図（Ａ）に示す如く、ラインビーム３０ａ
、３０ｂはステージ移動方向と略平行な方向に整列して
おり、第６図（Ａ＞に示したメインフィールドの幅に相
当する有効ビームスキャン幅の走査開始位置では３０ａ
で示す位置にあり、ステージ移動方向と略直角方向に偏
向走査（スキャン）され、１回の走査終了位置では３０
ｂで示す位置に到る。この偏向走査は主偏向コイル１９
に流される電流により行なわれる。Here, the relationship between the line beam arrangement and the blanking signal in this embodiment will be explained in more detail with reference to FIG. 2. Second
Figure (A) shows a line beam on the surface of a wafer 21 placed on a sample stage 14 that moves continuously. As shown in FIG. 2(A), the line beam 30a
, 30b are aligned in a direction substantially parallel to the stage movement direction, and at the scan start position of the effective beam scan width corresponding to the width of the main field shown in FIG.
It is located at the position shown in , and is deflected and scanned in a direction approximately perpendicular to the stage movement direction, and at the end position of one scan, 30
The position indicated by b is reached. This deflection scanning is performed by the main deflection coil 19
This is done by applying a current to the
いま、ウェーハ２１上に第２図（Ａ）に３１及び３２で
示すパターンを形成するものとすると、ラインビームの
うちａ−ａ’線上を走査する要素ビームが取り出される
ブランキング電極へのブランキング信号は第２図（Ｂ）
にａ−ａ’ で示す如くになり、ハイレベルの期間その
要素ビームをオフ（遮断）し、そのローレベルの期間そ
の要素ビームをオン（通過）させる。Now, assuming that the patterns shown as 31 and 32 in FIG. 2(A) are to be formed on the wafer 21, blanking is performed on the blanking electrode from which the element beams scanning on the line aa' of the line beams are taken out. The signal is shown in Figure 2 (B)
The element beam is turned off (blocked) during the high level period, and turned on (passed through) during the low level period.
同様に、第２図（Ａ＞のｂ−ｂ’検線上Ｃ−Ｃ′線上及
びｄ−ｄ’線上を走査する各要素ビームは、対応するブ
ランキング電極へのブランキング信号が第２図（Ｂ）に
ｂ−ｂ’ 、ｃ−ｃ’及びｄ−ｄ’で示す如くになり、
ブランキング信号のハイレベルの期間オフ、ローレベル
の期間オンとされ、ローレベルの期間のみウェーハ２１
上に照射される。このようにｎ本の要素ビームは互いに
独立してブランキング信号によりオン／オフｔｎ御され
る。Similarly, each element beam scanning on the line C-C' and the line dd' on the bb' line of FIG. B) as shown by bb', c-c' and dd',
The blanking signal is off during the high level period and on during the low level period, and the wafer 21 is turned off only during the low level period.
irradiated on top. In this way, the n element beams are controlled on/off tn independently of each other by blanking signals.
なお、試料台１４の移動位置は逐次レーザ干渉計を用い
た公知の手段（図示せず）により制御位置と実際の位置
との誤差分が計測されており、その誤差分がフィードバ
ックされデフレクタ制御回路２７．ＤＡＣ及びアンプ１
１を経由して副偏向電極２０に供給され補正されている
。また、ラインビームは偏向の各位置毎に徐々に変化す
るフォーカス、歪み等の偏向収差補正をされる。Note that the movement position of the sample stage 14 is measured by a known means (not shown) using a sequential laser interferometer to measure the error between the control position and the actual position, and the error is fed back to the deflector control circuit. 27. DAC and amplifier 1
1 to the sub-deflection electrode 20 for correction. Further, the line beam is corrected for deflection aberrations such as focus and distortion, which gradually change at each deflection position.
次に、ブランキングアレーアパーチャ２８を要部とする
本実施例の電子ビーム光路系の一実施例について第３図
と共に更に詳細に説明する。同図中、３５はカソード、
３６はグリッド、３７はアノードで、これらは前記電子
銃１５を構成している。３８は４極ビームつぶしレンズ
、３９はりＯスオーバ拡大レンズである。前記ブランキ
ングアレーアパーチャ２８は収束レンズ４２内に配置さ
れている。５１は横走査デフレクタで、前記主偏向コイ
ル１９に相当し、またウェーハ２１の直ぐ上の位置に配
置されたステージフィードバック用８極デフレクタ５４
は前記副偏向電極２０に相当する。Next, an embodiment of the electron beam optical path system of this embodiment, which includes the blanking array aperture 28 as a main part, will be described in more detail with reference to FIG. In the figure, 35 is a cathode,
36 is a grid, and 37 is an anode, which constitute the electron gun 15. 38 is a quadrupole beam crushing lens, and 39 is an O-sovere enlarging lens. The blanking array aperture 28 is located within the converging lens 42. Reference numeral 51 denotes a horizontal scanning deflector, which corresponds to the main deflection coil 19, and an 8-pole deflector 54 for stage feedback located just above the wafer 21.
corresponds to the sub-deflection electrode 20.
かかる構成において、カソード３５から放射された電子
ビームはグリッド３６、アノード３７間でクロスオーバ
を形成された後、４極ビームつぶしレンズ３８によりそ
のビーム束断面形状が試料台１４の連続移動方向に平行
な方向を長軸とする長楕円形状に成形され、更にクロス
オーバ拡大レンズ３９により拡大され、第１リミテイン
グアバーチャ４０．アライメントコイル４１を夫々軽て
ブランキングアレーアパーチャ２８上に照射される。こ
れにより、ブランキングアレーアパーチャ２８上には第
３図に４３で示す如く、つぶされたクロスオーバ拡大像
が形成される。In this configuration, the electron beam emitted from the cathode 35 forms a crossover between the grid 36 and the anode 37, and then the quadrupole beam crushing lens 38 causes the cross-sectional shape of the beam to be parallel to the direction of continuous movement of the sample stage 14. It is formed into an elongated ellipse shape with its long axis in the direction of . The alignment coils 41 are individually irradiated onto the blanking array aperture 28 . As a result, a collapsed crossover enlarged image is formed on the blanking array aperture 28, as shown at 43 in FIG.
第１図と共に説明したように、ブランキングアレーアパ
ーチャ２８の上部には例えば１０μ■角の矩形状の開口
部が、試料台１４の連続移動方向に対して平行な方向に
例えば２５６個直線状に整列配置されており、その多穴
の下側にブランキング電極２９（第１図の２９＋〜２９
１）が夫々配設されている。従って、このクロスオーバ
拡大像２８は２５６本のライン状に並んだ要素ビームに
夫々分けられて取り出され、そのうちビームオンとされ
た要素ビームはブランキングＮ極２９により偏向される
ことなく、４６で示す如き直進する軌道を描いてラージ
ブランカ４４．縮小レンズ４５゜ブランキングアパーチ
ャ４８を夫々通過して縮小レンズ４９に入射される。As explained in conjunction with FIG. 1, the blanking array aperture 28 has, for example, 256 rectangular openings arranged in a straight line in a direction parallel to the direction of continuous movement of the sample stage 14 in the upper part of the blanking array aperture 28. The blanking electrodes 29 (29+ to 29 in FIG.
1) are provided respectively. Therefore, this crossover enlarged image 28 is divided into 256 elemental beams arranged in a line and taken out, and among them, the elemental beam that is turned on is not deflected by the blanking north pole 29 and is shown at 46. Draw a straight trajectory like Large Blanka 44. The light passes through the reduction lens 45° blanking aperture 48 and enters the reduction lens 49.
一方、上記の２５６本の要素ビームのうちビームオフと
された要素ビームは、ブランキング電極２９により偏向
されて４７で示す如き軌道を描いてラージブランカ４４
．縮小レンズ４５を通過し、大きく曲げられてブランキ
ングアパーチャ４８の開口部以外の部分に射突され、こ
こで遮られる。On the other hand, among the 256 element beams mentioned above, the element beams that have been turned off are deflected by the blanking electrode 29 and trace a trajectory as shown at 47 to the large blanker 44.
．． The light passes through the reduction lens 45, is bent greatly, and hits a portion other than the opening of the blanking aperture 48, where it is blocked.
なお、ブランキングアレーアパーチャ２８より漏れたビ
ームはラージブランカ４４により大きく偏向されて、や
はりブランキングアパーチャ４８により遮られる。Note that the beam leaking from the blanking array aperture 28 is largely deflected by the large blanker 44 and is also blocked by the blanking aperture 48 .
縮小レンズ４５及び４９はビームオンの要素ビームをイ
マージョンタイプレンズ５５との協働によりウェーハ２
１上に１００分の１のブランキングアレーアパーチャ２
８の縮小像を形成する。従って、各要素ビームによるウ
ェーハ２１上のビームスポット像は夫々０．１μ謡角の
矩形像となる。縮小レンズ４９の内部にあるリフオーカ
スコイル５０は、ビームサイズが大きくなるとクーロン
インタラクションによるビームのぼけが発生するので、
これを補正するため、ブランキングアレーアパーチャ２
８からの要素ビームのうち、ビームオンの要素ビームの
数の総和で決定されるフォーカス電流が流される。The reduction lenses 45 and 49 convert the beam-on element beams into the wafer 2 in cooperation with the immersion type lens 55.
1/100 blanking array aperture 2 on top
A reduced image of 8 is formed. Therefore, the beam spot image on the wafer 21 due to each element beam becomes a rectangular image with an angle of 0.1 μm. The refocus coil 50 inside the reduction lens 49 causes beam blurring due to Coulomb interaction when the beam size increases.
To correct this, blanking array aperture 2
A focus current determined by the sum of the number of beam-on element beams among the element beams from 8 is applied.
縮小レンズ４９及びリフオーカスコイル５０を通過した
要素ビームは横走査デフレクタ５１、ダイナミックリフ
オーカスコイル５２、ダイナミックスティグコイル５３
を経てステージフィードバック用８極コイル５４に入射
される。ダイナミックリフオーカスコイル５２、ダイナ
ミックスティグコイル５３は横走査デフレクタ５１によ
る横走査（試料台１４の連続移動方向と略直交する方向
への走査）に応じて、ビームの偏向ボケを補正する。The element beams that have passed through the reduction lens 49 and the refocus coil 50 are sent to a horizontal scanning deflector 51, a dynamic refocus coil 52, and a dynamic stigma coil 53.
The light is then input to the stage feedback 8-pole coil 54. The dynamic refocus coil 52 and the dynamic stigma coil 53 correct the deflection blur of the beam in accordance with the horizontal scanning by the horizontal scanning deflector 51 (scanning in a direction substantially orthogonal to the continuous movement direction of the sample stage 14).
ステージフィードバック用８極デフレクタ５４により偏
向歪み補正とステージ連続移動のフィードバック及び速
度補正が施されたラインビームは、解像度を上げるため
にイマージョンタイプレンズ５５の中にあるウェーハ２
１の表面上に照射される。ウェーハ２１は静電チャック
５６により試料台１４に吸着されており、試料台１４と
共に連続移動される。The line beam, which has been subjected to deflection distortion correction, continuous stage movement feedback, and velocity correction by an 8-pole deflector 54 for stage feedback, is directed to the wafer 2 in an immersion type lens 55 to increase resolution.
1 onto the surface. The wafer 21 is attracted to the sample stage 14 by an electrostatic chuck 56, and is continuously moved together with the sample stage 14.
このようにして、本実施例によれば、０．１μ−角の矩
形像を各々形成する要素ビームにより微細パターンが形
成でき、しかも単一の電子銃１５から２５６本の要素ビ
ームがライン状に配列されてこれらが同時に走査される
のでスループットの低下を抑えることができる。In this way, according to this embodiment, a fine pattern can be formed by the elemental beams each forming a rectangular image of 0.1μ square, and moreover, the 256 elemental beams from the single electron gun 15 can be formed in a line shape. Since they are arranged and scanned simultaneously, it is possible to suppress a decrease in throughput.
ところで、本実施例ではクロスオーバ像のクリティカル
照射において、クロスオーバを公知の４極ビームつぶし
レンズ３８によりライン状につぶし、ブランキングアレ
ーアパーチャ２８によりラインビームを得ている。しか
し、このラインビームを構成する２５６本の要素ビーム
のビーム強度の均一性がそのままでは８０〜９０％しか
得られず、同一の電子ビーム照射量を与えなければなら
ない電子ビーム露光装置としては使用不可である。By the way, in this embodiment, in the critical irradiation of the crossover image, the crossover is crushed into a line by a known quadrupole beam crushing lens 38, and a line beam is obtained by the blanking array aperture 28. However, the uniformity of the beam intensity of the 256 elemental beams that make up this line beam is only 80-90% as it is, and it cannot be used as an electron beam exposure device that must provide the same amount of electron beam irradiation. It is.
そこで、本実施例ではブランキングアレーアパーチャ２
８を構成する複数個のブランキング電極２９ｌ〜２９１
を順次１つずつオンとして、２５６本の要素ビームを１
つずつ順番に試料台１４のウェーハ２１が載置されてい
ない特定位置に照射する。この試料台１４の特定位置に
は穴が設けられており、その穴に照射された要素ビーム
のＮ流強度を微小電流計で測定し、その測定出力信号を
ＡＤ変換してｃｐｕｉに供給する。これにより、各要素
ビーム強度の測定結果は第４図（Ａ）に示す如くになり
、ブランキングアレーアパーチャ２８のブランキング電
極（セル）２９ｌ〜２９η （ここでは、ｎ＝２５６）
のうち、真中のブランキング電極を通過する要素ビーム
のビーム強度が最も大で、ブランキング電極が端になる
ほどそこを通過する要素ビームのビーム強度が小となり
、左端と右端のブランキング電極２９＋ 、２９ｎを通
過する各要素ビームのビーム強度が最小となる。Therefore, in this embodiment, the blanking array aperture 2
A plurality of blanking electrodes 29l to 291 forming 8
are turned on one by one, and 256 element beams are turned on one by one.
One by one, specific positions on the sample stage 14 where the wafer 21 is not placed are irradiated. A hole is provided at a specific position on the sample stage 14, and the N flow intensity of the element beam irradiated into the hole is measured with a microcurrent meter, and the measured output signal is AD converted and supplied to the CPU. As a result, the measurement results of each elemental beam intensity are as shown in FIG.
Among them, the beam intensity of the element beam passing through the blanking electrode in the middle is the highest, and the closer the blanking electrode is to the edge, the smaller the beam intensity of the element beam passing through it becomes. The beam intensity of each element beam passing through 29n becomes the minimum.
ＣＰＵ１はこの測定結束から各ブランキング電極個別の
ブランキング信号のビームオン期間（ビームオンパルス
長）を、所望ドーズ量（一定）と上記要素ビームの測定
ビーム強度との比が一定となるように決定する。従って
、各ブランキング電極（セル）２９ｌ〜２９１に個別に
供給されるビームオンパルス長は第４図（Ｂ）に示す如
くになる。From this measurement bundle, the CPU 1 determines the beam-on period (beam-on pulse length) of the blanking signal for each individual blanking electrode so that the ratio between the desired dose amount (constant) and the measurement beam intensity of the element beam is constant. do. Therefore, the beam on-pulse lengths individually supplied to each blanking electrode (cell) 29l-291 are as shown in FIG. 4(B).
これにより、ブランキング電極２９ｌ〜２９１を個別に
通過する各要素ビームのビーム強度と１個のビームオン
の時間との積（つまり、ドーズｍ）は第４図（Ｃ）に示
す如く略均−となる。As a result, the product of the beam intensity of each element beam that passes through the blanking electrodes 29l to 291 individually and the time when one beam is on (that is, the dose m) becomes approximately equal as shown in FIG. 4(C). Become.
なお、上記の各要素ビームのビーム強度の測定とビーム
オンパルス長の決定は、例えば実露光中に定期的に行な
うことができ、この場合はより高精度なパターン描画が
できる。Note that the measurement of the beam intensity of each elemental beam and the determination of the beam on-pulse length can be performed, for example, periodically during actual exposure, and in this case, a pattern can be drawn with higher precision.
また、第３図に示したアライメントコイル４１の駆動電
流を制御することにより、２５６本の要素ビームのビー
ム強度の総和を最大とし、かつ、２５６本の要素ビーム
の各ビーム強度のうち最大値と最小値との差が最も小さ
くなるように電子ビームが７ライメント照射される。Moreover, by controlling the drive current of the alignment coil 41 shown in FIG. Seven beams of electron beam are irradiated so that the difference from the minimum value is the smallest.
なお、ラインビームを構成する各要素ビームのうち著し
くビーム強度の小さい要素ビームがある場合は、ブラン
キングアレ−アパーチャ２８全体を交換する。Incidentally, if there is an element beam whose beam intensity is extremely low among the element beams constituting the line beam, the entire blanking array aperture 28 is replaced.
このようにして、本実施例によれば、ウェーハ２１上に
０．１μ回角の要素ビームを２５６本ライン状に並べて
、２０ＯＡ／ａＪの電流密度、ドーズ量５μＣ／ ｄの
高感度レジストに、各点で２５ ｎ５ｅｃのショツト時
間で照射し、制御系のクロック周波数を４０ＭＨ２とし
て有効ビームスキャン幅２朧のスキャンエリアを５０
ｍ／ ｓｅｃで連続移動し、１ｄ／Ｓｅｃの露光スピー
ドを得ることができた。In this way, according to this embodiment, 256 elemental beams of 0.1μ angle are arranged in a line on the wafer 21, and a high-sensitivity resist with a current density of 20OA/aJ and a dose of 5μC/d is applied. Each point was irradiated with a shot time of 25 n5ec, and the control system clock frequency was set to 40 MH2, and the scan area with an effective beam scan width of 2 was 50 mm.
It moved continuously at m/sec and was able to obtain an exposure speed of 1 d/sec.
なお、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく
、例えば試料台１４は間欠移動させるようにしてもよい
。また、要素ビームの数は２５６に限定されるものでは
ないことは勿論である。Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and for example, the sample stage 14 may be moved intermittently. Furthermore, it goes without saying that the number of element beams is not limited to 256.
上述の如く、本発明によれば、小なる線幅の電子ビーム
を要素ビームとし、これを複数ライン状に配列してなる
ラインビームにより微細パターンをスルーブツトを低下
させることなく試料上に描画することができ、また各要
素ビームのビームオンパルス長を測定ビーム強度に反比
例して決定しているので、試料上への各要素ビームによ
る実効ドーズ量を略一定にすることができる。また、本
発明によれば、ブランキングアレーアパーチャ全体を交
換することにより、ビーム強度の差が少ない要素ビーム
群を簡単に得ることができる等の特長を有するものであ
る。As described above, according to the present invention, a fine pattern can be drawn on a sample using a line beam formed by arranging an electron beam with a small line width as an element beam in a plurality of lines without reducing the throughput. Furthermore, since the beam-on-pulse length of each elemental beam is determined in inverse proportion to the measurement beam intensity, the effective dose of each elemental beam onto the sample can be made approximately constant. Further, according to the present invention, by replacing the entire blanking array aperture, a group of elementary beams with small differences in beam intensity can be easily obtained.
第１図は本発明の一実施例のブロック図、第２図は本発
明の一実施例のラインビームの配置とブランキング信号
との関係を示す図、第３図は第１図の要部の一実施例の
構成図、第４図は本発明のビーム強度とビームオンパル
ス長の関係を説明する図、
第５図は従来の一例のブロック図、
第６図はメインフィールド、サブフィールド及びショッ
トの関係を示す図である。
図において、
１は中央処理装置（ＣＰＵ）、
１４は試料台（ステージ）、
１５は電子銃、
１９は主偏向コイル、
２０は副偏向電極、
２３はシーケンスコントローラ、
２４はビットマツプ発生回路、
２５ｌ〜２５１はブランキング発生回路、２６はブラン
キング制御回路、
２８はブランキングアレーアパーチャ、２９＋〜２９η
、２９はブランキング電極、３８は４極ビームつぶしレ
ンズ、
３９はクロスオーバ拡大レンズ、
４１はアライメントコイル、
５１は横走査デフレクタ、
５４はステージフィードバック用８極デフレクタを示す
。
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く
＞ ２FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the relationship between line beam arrangement and blanking signals in an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a main part of FIG. 1. FIG. 4 is a diagram explaining the relationship between beam intensity and beam on-pulse length of the present invention. FIG. 5 is a block diagram of a conventional example. FIG. 6 is a block diagram of a conventional example. FIG. 3 is a diagram showing the relationship between shots. In the figure, 1 is a central processing unit (CPU), 14 is a sample stage, 15 is an electron gun, 19 is a main deflection coil, 20 is a sub-deflection electrode, 23 is a sequence controller, 24 is a bitmap generation circuit, 25l~ 251 is a blanking generation circuit, 26 is a blanking control circuit, 28 is a blanking array aperture, 29+ to 29η
, 29 is a blanking electrode, 38 is a quadrupole beam crushing lens, 39 is a crossover magnifying lens, 41 is an alignment coil, 51 is a horizontal scanning deflector, and 54 is an 8-pole deflector for stage feedback. Mouth LO℃ wealth ■1 toe 3. ″′I Xu, & Role C Ku> 2
Claims (5)
を、ブランキングアレーアパーチャ（２８）の複数のブ
ランキング電極（２９＿ｌ〜２９＿ｎ）により複数の要
素ビームが直線状に整列されてなるラインビームに変換
すると共に、該複数の要素ビームの各々のビーム強度に
反比例して各ブランキング電極（２９＿ｌ〜２９＿ｎ）
のビームオンパルス長を決定し、該ラインビームを試料
（２１）面上に照射してパターン描画を行なうことを特
徴とする電子ビーム露光方法。(1) An electron beam emitted from a single electron gun (15) is linearly aligned into a plurality of element beams by a plurality of blanking electrodes (29_l to 29_n) of a blanking array aperture (28). Each blanking electrode (29_l to 29_n) is converted into a line beam and is inversely proportional to the beam intensity of each of the plurality of element beams.
An electron beam exposure method characterized by determining the beam on-pulse length of the line beam and irradiating the line beam onto the surface of a sample (21) to draw a pattern.
ｎ）に順次ビームオンとするブランキング信号を供給し
て前記複数の要素ビームを１つずつ順番に得てそのビー
ム強度を測定し、その測定結果と所望ドーズ量とに基づ
いて前記ビームオンパルス長を決定することを特徴とす
る請求項１記載の電子ビーム露光方法。(2) The plurality of blanking electrodes (29_l to 29_
n) supplying a blanking signal to sequentially turn on the beam to obtain the plurality of elemental beams one by one and measure the beam intensity, and determine the beam-on pulse length based on the measurement result and the desired dose amount. 2. The electron beam exposure method according to claim 1, further comprising: determining the electron beam exposure method.
一の電子銃（１５）と、 該電子銃（１５）からの電子ビームをその断面形状が長
楕円形のライン状につぶされた電子ビームに成形する４
極ビームつぶしレンズ（３８）と、直線状に整列して設
けられた複数の開口部に夫々ブランキング電極（２９＿
ｌ〜２９＿ｎ）が形成されており、該４極ビームつぶし
レンズ（３８）よりの電子ビームが照射されて該複数の
ブランキング電極（２９＿ｌ〜２９＿ｎ）の各々から要
素ビームを取り出すブランキングアレーアパーチャ（２
８）と、 該ブランキングアレーアパーチャ（２８）からのライン
状に配列された複数の要素ビームのうち、ビームオフと
された要素ビームを遮断し、ビームオンとされた要素ビ
ームを通過させるブランキングアパーチャ（４８）と、 該ブランキングアパーチャ（４８）を通過した要素ビー
ムをパターンデータに応じて偏向して試料（２１）面上
に照射する偏向手段（１９、２０、５１、５４）と、 該ブランキング電極（２９＿ｌ〜２９＿ｎ）を通過する
該要素ビームのビーム強度に反比例して該ブランキング
電極（２９＿ｌ〜２９＿ｎ）のビームオンパルス長を決
定する手段とよりなることを特徴とする電子ビーム露光
装置。(3) A single electron gun (15) that emits an electron beam with crossover, and an electron beam from the electron gun (15) that is crushed into a line shape with an oblong cross-section. Form into a beam 4
A polar beam crushing lens (38) and a blanking electrode (29_
A blanking array aperture (1 to 29_n) is formed, and a blanking array aperture (29_1 to 29_n) is irradiated with the electron beam from the quadrupole beam crushing lens (38) to take out an elemental beam from each of the plurality of blanking electrodes (29_1 to 29_n). 2
8), and a blanking aperture (28) that blocks the element beams that are beam-off and allows the element beams that are beam-on to pass among the plurality of element beams arranged in a line from the blanking array aperture (28). 48); deflection means (19, 20, 51, 54) that deflects the element beam that has passed through the blanking aperture (48) according to pattern data and irradiates it onto the surface of the sample (21); An electron beam exposure apparatus comprising means for determining a beam on-pulse length of the blanking electrode (29_l to 29_n) in inverse proportion to the beam intensity of the element beam passing through the electrode (29_l to 29_n).
換自在に構成されていることを特徴とする請求項３記載
の電子ビーム露光装置。(4) The electron beam exposure apparatus according to claim 3, wherein the blanking array aperture (28) is configured to be replaceable.
とし、かつ、該複数の要素ビームの各ビーム強度のうち
最大値と最小値との差を最小とするように、該複数の要
素ビームを試料（２１）面上にアライメント照射するア
ライメントコイル（４１）を該４極ビームつぶしレンズ
（３８）と該ブランキングアレーアパーチャ（２８）と
の一に設けたことを特徴とする請求項３記載の電子ビー
ム露光装置。(5) The plurality of elemental beams are arranged so that the sum of the beam intensities of the plurality of elemental beams is maximized and the difference between the maximum value and the minimum value of each beam intensity of the plurality of elemental beams is minimized. 4. An alignment coil (41) for aligning and irradiating the sample (21) onto the surface of the sample (21) is provided at one of the quadrupole beam crushing lens (38) and the blanking array aperture (28). electron beam exposure equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12623688A JPH01295419A (en) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | Method and apparatus for electron beam lithography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12623688A JPH01295419A (en) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | Method and apparatus for electron beam lithography |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01295419A true JPH01295419A (en) | 1989-11-29 |
Family
ID=14930159
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12623688A Pending JPH01295419A (en) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | Method and apparatus for electron beam lithography |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01295419A (en) |
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