JPH01294332A - イオン源 - Google Patents
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- JPH01294332A JPH01294332A JP63124771A JP12477188A JPH01294332A JP H01294332 A JPH01294332 A JP H01294332A JP 63124771 A JP63124771 A JP 63124771A JP 12477188 A JP12477188 A JP 12477188A JP H01294332 A JPH01294332 A JP H01294332A
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
この発明は、炭素膜の成膜などに適用されるイオン源に
関するものである。 ゛【従来の技術〕 たとえば、ダイヤモンド膜を成膜対象に成膜する場合、
真空アーク放電型ＰＶＤ装置のアーク放電用の陰極に炭
素電極を設け、アーク放電によりその炭素を蒸発させ、
これによって成膜対象に蒸着していた（特願昭６２−４
３８６１号）。
関するものである。 ゛【従来の技術〕 たとえば、ダイヤモンド膜を成膜対象に成膜する場合、
真空アーク放電型ＰＶＤ装置のアーク放電用の陰極に炭
素電極を設け、アーク放電によりその炭素を蒸発させ、
これによって成膜対象に蒸着していた（特願昭６２−４
３８６１号）。
しかし、炭素電極を陰極としたアーク放電およびそのア
ーク放電による炭素の蒸発が非常に不安定である。その
ためアーク放電電力を大きくシ難いので蒸着速度を大き
くできない、また炭素電極が消耗品であるため連続運転
時間が短く連続ラインでの使用が困難であるという欠点
があった。
ーク放電による炭素の蒸発が非常に不安定である。その
ためアーク放電電力を大きくシ難いので蒸着速度を大き
くできない、また炭素電極が消耗品であるため連続運転
時間が短く連続ラインでの使用が困難であるという欠点
があった。
したがって、この発明の目的は、アーク放電を安定化で
き、成膜速度を大きくでき、かつ連続運転時間を長くす
ることができるイオン源を提供することである。
き、成膜速度を大きくでき、かつ連続運転時間を長くす
ることができるイオン源を提供することである。
この発明のイオン源は、ガス導入口およびイオン流出口
を有するとともに内壁をアノードとしたイオン源室と、
このイオン源室内において前記内壁に対して絶縁して配
設されたカソードと、前記アノードと前記カソードとの
間にアーク電圧を印加するアーク電源を有しかつ前記カ
ソードに接触離間可能に設けられたアーク点弧用のトリ
ガ電極を有するアーク放電手段と、前記アーク放電によ
りイオン化される原料ガスを前記ガス導入口より前記イ
オン源室内に供給するガス供給手段と、前記イオン流出
口に配設された引出電極を有し前記イオン源室内のイオ
ンを前記イオン流出口より流出させる電圧を前記引出電
極に印加する引出ｔａを有するイオン引出手段とを備え
たものである。
を有するとともに内壁をアノードとしたイオン源室と、
このイオン源室内において前記内壁に対して絶縁して配
設されたカソードと、前記アノードと前記カソードとの
間にアーク電圧を印加するアーク電源を有しかつ前記カ
ソードに接触離間可能に設けられたアーク点弧用のトリ
ガ電極を有するアーク放電手段と、前記アーク放電によ
りイオン化される原料ガスを前記ガス導入口より前記イ
オン源室内に供給するガス供給手段と、前記イオン流出
口に配設された引出電極を有し前記イオン源室内のイオ
ンを前記イオン流出口より流出させる電圧を前記引出電
極に印加する引出ｔａを有するイオン引出手段とを備え
たものである。
この発明の他のイオン源は、ガス導入口およびイオン流
出口を有し前記ガス導入口およびイオン流出口の間を連
通穴を有する仕切り板で仕切きるとともに前記仕切り板
の前記イオン流出口側の内壁をアノードとしたイオン源
室と、このイオン源室の前記仕切り板の前記ガス導入口
側で前記連通穴の縁部にすき間を残して塞ぐように配設
されたカソードと、前記アノードと前記カソードとの間
にアーク電圧を印加するアーク電源を有しかつ前記カソ
ードに接触離間可能に設けられたアーク点弧用のトリガ
電極を有するアーク放電手段と、前記アーク放電により
イオン化される原料ガスを前記ガス導入口より前記イオ
ン源室内に供給するガス供給手段と、前記イオン流出口
に配設された引出電極を有し前記イオン源室内のイオン
を前記イオン流出口より流出させる電圧を前記引出電極
に印加する引出電源を有するイオン引出手段とを備えた
ものである。
出口を有し前記ガス導入口およびイオン流出口の間を連
通穴を有する仕切り板で仕切きるとともに前記仕切り板
の前記イオン流出口側の内壁をアノードとしたイオン源
室と、このイオン源室の前記仕切り板の前記ガス導入口
側で前記連通穴の縁部にすき間を残して塞ぐように配設
されたカソードと、前記アノードと前記カソードとの間
にアーク電圧を印加するアーク電源を有しかつ前記カソ
ードに接触離間可能に設けられたアーク点弧用のトリガ
電極を有するアーク放電手段と、前記アーク放電により
イオン化される原料ガスを前記ガス導入口より前記イオ
ン源室内に供給するガス供給手段と、前記イオン流出口
に配設された引出電極を有し前記イオン源室内のイオン
を前記イオン流出口より流出させる電圧を前記引出電極
に印加する引出電源を有するイオン引出手段とを備えた
ものである。
この発明のさらに他のイオン源は、前記構成において、
前記イオン流出口の開口方向に磁界を発生するコイルを
前記イオン源室の外周に巻回している。
前記イオン流出口の開口方向に磁界を発生するコイルを
前記イオン源室の外周に巻回している。
この発明のイオン源によれば、原料ガスをアーク放電に
よりイオン化するため、電極の材料として高融点の低蒸
気圧のものを適用できるので、アーク放電を安定化する
ことができ、かつ連続運転が可能になる。またアーク放
電電力と原料ガスのガス圧およびガス流量により原料ガ
スの分解速度を容易に増すことができるため、成膜速度
を大きくすることができる。
よりイオン化するため、電極の材料として高融点の低蒸
気圧のものを適用できるので、アーク放電を安定化する
ことができ、かつ連続運転が可能になる。またアーク放
電電力と原料ガスのガス圧およびガス流量により原料ガ
スの分解速度を容易に増すことができるため、成膜速度
を大きくすることができる。
この発明の他のイオン源によれば、前記効果に加えて、
仕切り板によりアークがカソードの側面に移動するのを
防止できるとともにアーク放電の安定化を促進でき、仕
切り板とカソードとの間のすき間を通して放電領域に効
率的に原料ガスを供給できるので分解効率がよく、また
原料ガスがカソードの周囲を流れるのでカソードを冷却
でき、カソードの消耗を低減することができる。
仕切り板によりアークがカソードの側面に移動するのを
防止できるとともにアーク放電の安定化を促進でき、仕
切り板とカソードとの間のすき間を通して放電領域に効
率的に原料ガスを供給できるので分解効率がよく、また
原料ガスがカソードの周囲を流れるのでカソードを冷却
でき、カソードの消耗を低減することができる。
この発明のさらに他のイオン源によれば、前記作用効果
に加えて、コイルより発生した磁界によりイオンが加速
されるので原料ガスへの衝突により原料ガスの分解がよ
り促進されるとともに、アーク放電の陰極点の運動が速
くなるので局部的な温度上昇が抑えられ、さらにイオン
をイオン流出口より外部へ誘導できる。
に加えて、コイルより発生した磁界によりイオンが加速
されるので原料ガスへの衝突により原料ガスの分解がよ
り促進されるとともに、アーク放電の陰極点の運動が速
くなるので局部的な温度上昇が抑えられ、さらにイオン
をイオン流出口より外部へ誘導できる。
この発明の第１の実施例を第１図に基づいて説明する。
すなわち、このイオン源は、イオン源室１と、アーク放
電手段２と、ガス供給手段３と。
電手段２と、ガス供給手段３と。
イオン引出手段７からなる。
イオン源室ｌは、ガス導入口１９およびイオン流出口４
を有するとともに内壁をアノード１０としている。この
イオン源室１は筒状であって一端のイオン流出口４が成
膜チャンバ５の接続口に取付けられている。イオン流出
口４の口径はイオン源室１の内径よりも小さくしている
。またイオン源室ｌの他端はセラミック、テフロンシー
ト、パイトンゴム等の電気的な絶縁体６を介した導電性
を有する端板１３により閉塞されている。
を有するとともに内壁をアノード１０としている。この
イオン源室１は筒状であって一端のイオン流出口４が成
膜チャンバ５の接続口に取付けられている。イオン流出
口４の口径はイオン源室１の内径よりも小さくしている
。またイオン源室ｌの他端はセラミック、テフロンシー
ト、パイトンゴム等の電気的な絶縁体６を介した導電性
を有する端板１３により閉塞されている。
アーク放電手段２は、イオン源室ｌの内壁に対して絶縁
配設されたカソード９を有するとともにアノード１０と
カソード９との間にアーク電圧を印加するアーク電源２
ａを有しかつカソード９に接触離間可能に設けられたア
ーク点弧用のトリガ１ｆｉ１５を有する。カソード９は
平板状であって、端板１３の中央部に突出状態に取付け
られている。
配設されたカソード９を有するとともにアノード１０と
カソード９との間にアーク電圧を印加するアーク電源２
ａを有しかつカソード９に接触離間可能に設けられたア
ーク点弧用のトリガ１ｆｉ１５を有する。カソード９は
平板状であって、端板１３の中央部に突出状態に取付け
られている。
このカソード９はＭｏ、Ｗ等の高融点で低蒸気圧の金属
を実Ａｉｄ例としている。トリガ電極１５はイオン源室
１０周壁にシール部材１４を介して回転可能に貫通して
いる。トリガ電極１５は制御手段（図示せず）の制御に
より回転され、トリガ電極１５の回転によりトリガ電極
１５の先端がカソード９に接触したり離間する。トリガ
電極１５もカソード９と同電極材料を適用している。ア
ーク電源２ａの負掻側はカソード９のある端板１３に接
続され、正極側はアノードｌＯに接続されるとともに電
流制限抵抗２６を介してトリガ電極１５に接続されてい
る。なお、アノード１０は成膜チャンバ５の壁とともに
アースされている。
を実Ａｉｄ例としている。トリガ電極１５はイオン源室
１０周壁にシール部材１４を介して回転可能に貫通して
いる。トリガ電極１５は制御手段（図示せず）の制御に
より回転され、トリガ電極１５の回転によりトリガ電極
１５の先端がカソード９に接触したり離間する。トリガ
電極１５もカソード９と同電極材料を適用している。ア
ーク電源２ａの負掻側はカソード９のある端板１３に接
続され、正極側はアノードｌＯに接続されるとともに電
流制限抵抗２６を介してトリガ電極１５に接続されてい
る。なお、アノード１０は成膜チャンバ５の壁とともに
アースされている。
ガス供給手段３はアーク放電によりイオン化される原料
ガスをガス導入口１９よりイオン源室ｌ内に供給する。
ガスをガス導入口１９よりイオン源室ｌ内に供給する。
このガス供給手段３は、原料ガスを充填したボンベ１６
と、ガス圧およびガス流量Ｇ ＩＩ 御するマスフロー
コントローラ１７と、バルブ１８を有する。
と、ガス圧およびガス流量Ｇ ＩＩ 御するマスフロー
コントローラ１７と、バルブ１８を有する。
原料ガスの例として、つぎの表に示すものがある。
イオン引出手段７は、イオン流出口４に配設された引出
電極７ａを有しイオン源室１内のイオンをイオン流出口
４より流出させる電圧を引出電極７ａに印加する引出電
源８を有する。引出電極７ａはイオン流出口４に絶縁体
６と同様の材料からなる絶縁体１２を介して設けられ、
引出電源８によリイオン源室ｌに対して負にバイアスさ
れ、引出電圧を制御することによりイオン流出口４から
流出するイオンＸのエネルギを制御するものである。
電極７ａを有しイオン源室１内のイオンをイオン流出口
４より流出させる電圧を引出電極７ａに印加する引出電
源８を有する。引出電極７ａはイオン流出口４に絶縁体
６と同様の材料からなる絶縁体１２を介して設けられ、
引出電源８によリイオン源室ｌに対して負にバイアスさ
れ、引出電圧を制御することによりイオン流出口４から
流出するイオンＸのエネルギを制御するものである。
２０はイオン源室ｌの外周に巻かれてイオン流出口４の
開口方向に磁界を発生するコイルであり、原料ガスの分
解速度を促進し、カソード９の局部的な温度上昇を抑え
るものである。
開口方向に磁界を発生するコイルであり、原料ガスの分
解速度を促進し、カソード９の局部的な温度上昇を抑え
るものである。
成膜チャンバ５において、２１は基板などの成膜対象物
、３０は正および負の直流電源３１．３１’とその切換
スイッチ３２とからなる直流バイアス回路である。３３
はマツチングボックス３４と高周波電源３５とからなる
高周波バイアス回路である。
、３０は正および負の直流電源３１．３１’とその切換
スイッチ３２とからなる直流バイアス回路である。３３
はマツチングボックス３４と高周波電源３５とからなる
高周波バイアス回路である。
前記成膜対象物２１および堆積される膜が導電性の場合
には、直流バイアス回路３０のバイアス電圧を制御する
ことにより、イオンＸの成膜対象物２１への入射エネル
ギーを制御することができ′る。
には、直流バイアス回路３０のバイアス電圧を制御する
ことにより、イオンＸの成膜対象物２１への入射エネル
ギーを制御することができ′る。
他方、前記成膜対象物２１または堆積される膜の少なく
とも一方が半導体または絶縁物の場合にはイオンＸが成
膜対象物２１または堆積膜上べ照射されると、チャージ
アンプ現象が発生し、絶縁破壊やイオンＸのエネルギー
の制御が不可能となるので、前記高周波バイアス回路３
３を用いるのが好ましい、なお、３６は高周波フィルタ
で、直流電源３１．３１’に高周波電圧が印加され、こ
れが破壊されるのを防止するために設けるのが好ましい
、３７はスイッチである。イオン源室１およびカソード
９の周辺は、温度上昇を伴うため、必要に応じて冷却水
等により冷却することが望ましい。
とも一方が半導体または絶縁物の場合にはイオンＸが成
膜対象物２１または堆積膜上べ照射されると、チャージ
アンプ現象が発生し、絶縁破壊やイオンＸのエネルギー
の制御が不可能となるので、前記高周波バイアス回路３
３を用いるのが好ましい、なお、３６は高周波フィルタ
で、直流電源３１．３１’に高周波電圧が印加され、こ
れが破壊されるのを防止するために設けるのが好ましい
、３７はスイッチである。イオン源室１およびカソード
９の周辺は、温度上昇を伴うため、必要に応じて冷却水
等により冷却することが望ましい。
動作について説明する。バルブ１８を開き、マスフロー
コントローラ１７を制御して、たとえばメタンガス等の
炭化水素ガスあるいは炭化水素ガス＋Ｈ２ガスの混合ガ
スの原料ガスを、イオン源室１内に導入する。イオン源
室１内をｌ ＋ｗＴｏｒｒ〜５００Ｔｏｒｒのガス圧に
保持した状態で、アーク放電させる。これはトリガ電極
１５を電極９に接触させ、アーク電源２ａのアーク電圧
を印加して３０＾〜１００Ａ程度の電流を流し、ついで
トリガｔ８ｉ１５を回転してカソード９から引き離すと
、アークが点弧してアーク放電が発生する。このときカ
ソード９およびトリガ電極１５が高融点の低蒸気圧の金
属からなるためアーク放電の電力では蒸発せず、またア
ーク放電は原料ガス中での放電であるため安定化する０
発生したアーク放電はカソード９とアノードｌＯの間で
維持される。
コントローラ１７を制御して、たとえばメタンガス等の
炭化水素ガスあるいは炭化水素ガス＋Ｈ２ガスの混合ガ
スの原料ガスを、イオン源室１内に導入する。イオン源
室１内をｌ ＋ｗＴｏｒｒ〜５００Ｔｏｒｒのガス圧に
保持した状態で、アーク放電させる。これはトリガ電極
１５を電極９に接触させ、アーク電源２ａのアーク電圧
を印加して３０＾〜１００Ａ程度の電流を流し、ついで
トリガｔ８ｉ１５を回転してカソード９から引き離すと
、アークが点弧してアーク放電が発生する。このときカ
ソード９およびトリガ電極１５が高融点の低蒸気圧の金
属からなるためアーク放電の電力では蒸発せず、またア
ーク放電は原料ガス中での放電であるため安定化する０
発生したアーク放電はカソード９とアノードｌＯの間で
維持される。
このように、導入した原料ガス中でのアーク放電により
原料ガスが分解され、イオン引出手段７によりイオンＸ
がイオン流出口４より外部へ流出し、成膜チャンバ５内
に流入する。こうして成膜対象２１の表面に炭素が堆積
する成膜が行われる。
原料ガスが分解され、イオン引出手段７によりイオンＸ
がイオン流出口４より外部へ流出し、成膜チャンバ５内
に流入する。こうして成膜対象２１の表面に炭素が堆積
する成膜が行われる。
この場合、アーク放電中にコイル２０に通電し、イオン
流出口４の開口方向に磁界を発生することにより、イオ
ンが加速されて原料ガスに衝突するので、アーク放電に
よるプラズマの発生したがって原料ガスの分解がより促
進される。しかもカソード９上に発生するアーク放電の
陰極点の運動が速くなり、したがってカソード９上での
局部的な温度上昇が抑えられる。また発生したプラズマ
をイオン源室１の外側へ導く効果がある。
流出口４の開口方向に磁界を発生することにより、イオ
ンが加速されて原料ガスに衝突するので、アーク放電に
よるプラズマの発生したがって原料ガスの分解がより促
進される。しかもカソード９上に発生するアーク放電の
陰極点の運動が速くなり、したがってカソード９上での
局部的な温度上昇が抑えられる。また発生したプラズマ
をイオン源室１の外側へ導く効果がある。
さらに、イオン引出手段７によりイオン流出口４より流
出するプラズマ中のイオンＸのエネルギを制御すること
ができる。
出するプラズマ中のイオンＸのエネルギを制御すること
ができる。
この実施例によれば、原料ガスをアーク放電によりイオ
ン化するため、電極材料として高融点の低蒸気圧のもの
を適用できるので、７−り放電を安定化することができ
、かつ連続運転が可能になる。またアーク放電電力と原
料ガスのガス圧およびガス流量により原料ガスの分解速
度を容易に増すことができるため、成膜速度を大きくす
ることができる。
ン化するため、電極材料として高融点の低蒸気圧のもの
を適用できるので、７−り放電を安定化することができ
、かつ連続運転が可能になる。またアーク放電電力と原
料ガスのガス圧およびガス流量により原料ガスの分解速
度を容易に増すことができるため、成膜速度を大きくす
ることができる。
またこの実施例は、原料ガスが混合ガスの場合、混合ガ
スの流量比を変えることにより膜質を変化することがで
きる。
スの流量比を変えることにより膜質を変化することがで
きる。
またイオンの引出電極７ａの引出電圧を調整することに
よりイオン流出口４から流出するイオンのエネルギを変
えることができ、これにより膜質の制御が容易になる。
よりイオン流出口４から流出するイオンのエネルギを変
えることができ、これにより膜質の制御が容易になる。
この発明の第２の実施例を第２図に示す、すなわち、こ
のイオン源は、イオン源室１のガス導入口１９およびイ
オン流出口４の間を連通穴２７を有する仕切り板２日で
仕切っている。また仕切り板２８のイオン流出口４側の
内壁をアノード１０としている。さらにイオン源室１の
仕切り板２８のガス導入口１９側で連通穴２７の縁部に
約０．５〜３鶴程度のすき間２９を残して塞ぐようにカ
ソード９を配置している。
のイオン源は、イオン源室１のガス導入口１９およびイ
オン流出口４の間を連通穴２７を有する仕切り板２日で
仕切っている。また仕切り板２８のイオン流出口４側の
内壁をアノード１０としている。さらにイオン源室１の
仕切り板２８のガス導入口１９側で連通穴２７の縁部に
約０．５〜３鶴程度のすき間２９を残して塞ぐようにカ
ソード９を配置している。
この実施例では、仕切り板２８によりアークがカソード
９の側面に移動するのを防止できるとともにアーク放電
の安定化を促進でき、仕切り板２８とカソード９との間
のすき間を通して放電領域に効率的に原料ガスを供給で
きるので分解効率がよく、また原料ガスがカソード９の
周囲を流れるのでカソード９を冷却でき、カソード９の
消耗を低減することができる。
９の側面に移動するのを防止できるとともにアーク放電
の安定化を促進でき、仕切り板２８とカソード９との間
のすき間を通して放電領域に効率的に原料ガスを供給で
きるので分解効率がよく、また原料ガスがカソード９の
周囲を流れるのでカソード９を冷却でき、カソード９の
消耗を低減することができる。
なお、その他は第１の実施例と同様であるが、アーク電
源２ａの電流制限抵抗２６をカソード９側に接続し、引
出電極７ａを成膜チャンバ５の外側に設けている点が異
なる。
源２ａの電流制限抵抗２６をカソード９側に接続し、引
出電極７ａを成膜チャンバ５の外側に設けている点が異
なる。
この発明のイオン源によれば、原料ガスをアーク放電に
よりイオン化するため、電極の材料として高融点の低蒸
気圧のものを適用できるので、アーク放電を安定化する
ことができ、かつ連続運転が可能になる。またアーク放
電電力と原料ガスのガス圧およびガス流量により原料ガ
スの分解速度を容易に増すことができるため、成膜速度
を大きくすることができるという効果がある。
よりイオン化するため、電極の材料として高融点の低蒸
気圧のものを適用できるので、アーク放電を安定化する
ことができ、かつ連続運転が可能になる。またアーク放
電電力と原料ガスのガス圧およびガス流量により原料ガ
スの分解速度を容易に増すことができるため、成膜速度
を大きくすることができるという効果がある。
この発明の他のイオン源によれば、前記効果に加えて、
仕切り板によりアークがカソードの側面に移動するのを
防止できるとともにアーク放電の安定化を促進でき、仕
切り板とカソードとの間のすき間を通して放１１９Ｘ域
に効率的に原料ガスを供給できるので分解効率がよく、
また原料ガスがカソードの周囲を流れるのでカソードを
冷却でき、カソードの消耗を低減することができるとい
う効果がある。
仕切り板によりアークがカソードの側面に移動するのを
防止できるとともにアーク放電の安定化を促進でき、仕
切り板とカソードとの間のすき間を通して放１１９Ｘ域
に効率的に原料ガスを供給できるので分解効率がよく、
また原料ガスがカソードの周囲を流れるのでカソードを
冷却でき、カソードの消耗を低減することができるとい
う効果がある。
この発明のさらに他のイオン源によれば、前記作用効果
に加えて、コイルより発生した磁界によリイオンが加速
されるので原料ガスへの衝突により原料ガスの分解がよ
り促進されるとともに、アーク放電の陰極点の運動が速
くなるので局部的な温度上昇が抑えられ、さらにイオン
をイオン流出口より外部へ誘導できるという効果がある
。
に加えて、コイルより発生した磁界によリイオンが加速
されるので原料ガスへの衝突により原料ガスの分解がよ
り促進されるとともに、アーク放電の陰極点の運動が速
くなるので局部的な温度上昇が抑えられ、さらにイオン
をイオン流出口より外部へ誘導できるという効果がある
。
第１図はこの発明の第１の実施例の説明図、第２図は第
２の実り一例の説明図である。 ｌ・・・イオン源室、２・・・アーク放電手段、２ａ・
・・アーク電源、３・・・ガス供給手段、４・・・イオ
ン流出口、７・・・イオン引出手段、７ａ・・・引出電
極、８・・・引出電源、９・・・カソード、ｌＯ・・・
アノード、１５・・・トリガ電橋、１９・・・ガス導入
口４−ｍ−イオンは出口 ３０ ３丁 ／ ７ 第２図
２の実り一例の説明図である。 ｌ・・・イオン源室、２・・・アーク放電手段、２ａ・
・・アーク電源、３・・・ガス供給手段、４・・・イオ
ン流出口、７・・・イオン引出手段、７ａ・・・引出電
極、８・・・引出電源、９・・・カソード、ｌＯ・・・
アノード、１５・・・トリガ電橋、１９・・・ガス導入
口４−ｍ−イオンは出口 ３０ ３丁 ／ ７ 第２図
Claims (3)
- （１）ガス導入口およびイオン流出口を有するとともに
内壁をアノードとしたイオン源室と、このイオン源室内
において前記内壁に対して絶縁して配設されたカソード
と、前記アノードと前記カソードとの間にアーク電圧を
印加するアーク電源を有しかつ前記カソードに接触離間
可能に設けられたアーク点弧用のトリガ電極を有するア
ーク放電手段と、前記アーク放電によりイオン化される
原料ガスを前記ガス導入口より前記イオン源室内に供給
するガス供給手段と、前記イオン流出口に配設された引
出電極を有し前記イオン源室内のイオンを前記イオン流
出口より流出させる電圧を前記引出電極に印加する引出
電源を有するイオン引出手段とを備えたイオン源。 - （２）ガス導入口およびイオン流出口を有し前記ガス導
入口およびイオン流出口の間を連通穴を有する仕切り板
で仕切きるとともに前記仕切り板の前記イオン流出口側
の内壁をアノードとしたイオン源室と、このイオン源室
の前記仕切り板の前記ガス導入口側で前記連通穴の縁部
にすき間を残して塞ぐように配設されたカソードと、前
記アノードと前記カソードとの間にアーク電圧を印加す
るアーク電源を有しかつ前記カソードに接触離間可能に
設けられたアーク点弧用のトリガ電極を有するアーク放
電手段と、前記アーク放電によりイオン化される原料ガ
スを前記ガス導入口より前記イオン源室内に供給するガ
ス供給手段と、前記イオン流出口に配設された引出電極
を有し前記イオン源室内のイオンを前記イオン流出口よ
り流出させる電圧を前記引出電極に印加する引出電源を
有するイオン引出手段とを備えたイオン源。 - （３）前記イオン流出口の開口方向に磁界を発生するコ
イルを前記イオン源室の外周に巻回している特許請求の
範囲第（１）項または第（２）項記載のイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124771A JPH01294332A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124771A JPH01294332A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | イオン源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01294332A true JPH01294332A (ja) | 1989-11-28 |
Family
ID=14893709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63124771A Pending JPH01294332A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01294332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03194833A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Akira Oota | イオンビーム照射装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62165839A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-22 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源用ア−クチヤンバ−装置 |
| JPS6318056A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Nissin Electric Co Ltd | ア−ク式蒸発源 |
| JPS6386864A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオン源 |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63124771A patent/JPH01294332A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62165839A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-22 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源用ア−クチヤンバ−装置 |
| JPS6318056A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Nissin Electric Co Ltd | ア−ク式蒸発源 |
| JPS6386864A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオン源 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03194833A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Akira Oota | イオンビーム照射装置 |
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