JPH01293358A - Exposing method for charge holding medium - Google Patents
Exposing method for charge holding mediumInfo
- Publication number
- JPH01293358A JPH01293358A JP12360088A JP12360088A JPH01293358A JP H01293358 A JPH01293358 A JP H01293358A JP 12360088 A JP12360088 A JP 12360088A JP 12360088 A JP12360088 A JP 12360088A JP H01293358 A JPH01293358 A JP H01293358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- light
- medium
- layer
- photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract 4
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 71
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 53
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 22
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 138
- 239000010408 film Substances 0.000 description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 23
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 21
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 11
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 7
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 7
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 7
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 6
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 6
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 6
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trinitrofluoren-1-one Chemical compound C1=CC=C2C3=C([N+](=O)[O-])C([N+]([O-])=O)=C([N+]([O-])=O)C(=O)C3=CC2=C1 FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000010582 Pisum sativum Nutrition 0.000 description 4
- 240000004713 Pisum sativum Species 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 4
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N [As].[Se] Chemical compound [As].[Se] QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 2
- SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N oxytitamium phthalocyanine Chemical compound [Ti+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical compound C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJYCALFJFALYAH-UHFFFAOYSA-N 4-[[2-chloro-4-[3-chloro-4-[[2-hydroxy-3-(phenylcarbamoyl)naphthalen-1-yl]diazenyl]phenyl]phenyl]diazenyl]-3-hydroxy-N-phenylnaphthalene-2-carboxamide Chemical compound OC1=C(N=NC2=CC=C(C=C2Cl)C2=CC(Cl)=C(C=C2)N=NC2=C(O)C(=CC3=C2C=CC=C3)C(=O)NC2=CC=CC=C2)C2=C(C=CC=C2)C=C1C(=O)NC1=CC=CC=C1 XJYCALFJFALYAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100021394 CST complex subunit CTC1 Human genes 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000894433 Homo sapiens CST complex subunit CTC1 Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical group [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910018162 SeO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- MPFUOCVWJGGDQN-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;1,2-xylene Chemical compound CCCCO.CC1=CC=CC=C1C MPFUOCVWJGGDQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- QPJDMGCKMHUXFD-UHFFFAOYSA-N cyanogen chloride Chemical compound ClC#N QPJDMGCKMHUXFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002681 hypalon Polymers 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000003863 metallic catalyst Substances 0.000 description 1
- LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N methyl(phenyl)silicon Chemical compound C[Si]C1=CC=CC=C1 LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002828 nitro derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LFGREXWGYUGZLY-UHFFFAOYSA-N phosphoryl Chemical class [P]=O LFGREXWGYUGZLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005559 polyacrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920006268 silicone film Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 230000029305 taxis Effects 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical group [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 239000001018 xanthene dye Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Landscapes
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
本発明は複写機等の記録装置における露光方法に係わり
、特に静電潜像形成媒体として安定して長期間潜像を保
持することができる電荷保持媒体を利用した記録装置の
露光方法に関するものである。[Detailed Description of the Invention] C. Industrial Application Field] The present invention relates to an exposure method in a recording device such as a copying machine, and in particular, it is capable of stably retaining a latent image for a long period of time as an electrostatic latent image forming medium. The present invention relates to an exposure method for a recording device using a charge retention medium.
一般に、従来の複写機においては、光導電層に電極を蒸
着し、暗所で光導電層上にコロナ帯電により全面帯電さ
せ、次いで強い光で露光して光の当たった部位の光導電
層を導電性にし、その部位の電荷をリークさせて除去す
ることにより静電荷潜像を光導電層の面上に光学的に形
成させ、その残留静電荷と逆極性の電荷（または同極性
の電荷）を有するトナーを付着させて現像するものが使
用されている。Generally, in conventional copying machines, electrodes are deposited on the photoconductive layer, the entire surface of the photoconductive layer is charged by corona charging in a dark place, and then exposed to strong light to remove the photoconductive layer in the exposed areas. By making the area conductive and removing the charge by leaking it, an electrostatic latent image is optically formed on the surface of the photoconductive layer, and a charge of opposite polarity (or charge of the same polarity) as the residual electrostatic charge is formed. A type of toner is used that is developed by attaching a toner having the following properties.
しかしながら従来の複写機における露光方法では、高電
圧で全面コロナ帯電させた後、強い光で露光して静電潜
像を形成しているため、高電圧、大電力を必要とすると
いう問題があり、また静電荷の保持時間が非常に短いた
めに静電潜像形成後、直ちにトナー現像する必要があり
、静電潜像形成後、任意の時点でトナー現像することは
不可能であった。However, in the exposure method used in conventional copying machines, the entire surface is corona-charged with high voltage and then exposed to strong light to form an electrostatic latent image, which poses the problem of requiring high voltage and power. Furthermore, since the retention time of electrostatic charge is very short, it is necessary to develop the toner immediately after forming the electrostatic latent image, and it has been impossible to develop the toner at any time after forming the electrostatic latent image.
本発明は上記問題点を解決するためのもので、高品質、
高解像であると共に、低電圧、低消費電力化を行うこと
ができ、露光方法を多様化することが可能な電荷保持媒
体露光方法を提供することを目的とする。The present invention is intended to solve the above problems, and has high quality,
It is an object of the present invention to provide a charge retention medium exposure method that provides high resolution, low voltage and low power consumption, and allows diversification of exposure methods.
第１図は本発明の静電画像記録再生方法における記録方
法を説明するための図で、図中、１は感光体、３は電荷
保持媒体、５は光導電層支持体、７は感光体電極、９は
光導電層、１１は絶縁層、１３は電荷保持媒体電極、１
５は絶縁層支持体、１７は電源である。FIG. 1 is a diagram for explaining the recording method in the electrostatic image recording and reproducing method of the present invention, in which 1 is a photoreceptor, 3 is a charge retention medium, 5 is a photoconductive layer support, and 7 is a photoreceptor. 9 is a photoconductive layer, 11 is an insulating layer, 13 is a charge retention medium electrode, 1
5 is an insulating layer support, and 17 is a power source.
第１図においては、感光体１側から露光を行う態様であ
り、まず１■厚のガラスからなる光導電層支持体５上に
１０００人厚のＡ１Ｏからなる透明な感光体電極７を形
成し、この上に１０μｍ程度の光導電Ｎ９を形成して感
光体１を構成している。この感光体１に対して、１０μ
ｍ程度の空隙を介して電荷保持媒体３が配置される。電
荷保持媒体３はｌａｓ厚のガラスからなる絶縁層支持体
Ｉ５上に１０００人厚のＡ１電１１３を蒸着により形成
し、この電極１３上に１０μｍ厚の絶縁層１１を形成し
たものである。In FIG. 1, exposure is carried out from the side of the photoreceptor 1. First, a transparent photoreceptor electrode 7 made of A1O with a thickness of 1000 mm is formed on a photoconductive layer support 5 made of glass with a thickness of 1. , on which a photoconductive layer N9 of about 10 μm is formed to constitute the photoreceptor 1. For this photoreceptor 1, 10μ
The charge retention medium 3 is arranged with a gap of about m. The charge retention medium 3 is made by forming an A1 electrode 113 with a thickness of 1,000 layers by vapor deposition on an insulating layer support I5 made of glass with a thickness of about 100 µm, and on this electrode 13 an insulating layer 11 with a thickness of 10 μm is formed.
先ず、第１図（イ）に示すように感光体１に対して、１
０μｍ程度の空隙を介して電荷保持媒体３をセットし、
第１図（ロ）に示すように電源１７により電極７．１３
間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層９は高抵抗
体であるため、電極間には何の変化も生じない、感光体
ｌ側より光が入射すると、光が入射した部分の光導電層
９は導電性を示し、絶縁層１１との間に放電が生じ、絶
縁Ｊ！５１１に電荷が蓄積される。First, as shown in FIG. 1(A), 1
The charge retention medium 3 is set through a gap of about 0 μm,
As shown in FIG. 1 (b), the electrodes 7.13 are
A voltage is applied between them. In the dark, the photoconductive layer 9 is a high-resistance material, so no change occurs between the electrodes.When light enters from the photoreceptor l side, the photoconductive layer 9 in the part where the light enters becomes conductive. The electric discharge occurs between the insulation layer 11 and the insulation J! Charge is accumulated in 511.
露光が終了したら、第１図（ハ）に示すように電圧をＯ
ＦＦにし、次いで、第１図（ニ）に示すように電荷保持
媒体３を取り出すことにより静電潜像の形成が終了する
。After the exposure is completed, the voltage is turned off as shown in Figure 1 (c).
The formation of the electrostatic latent image is completed by setting the FF to FF and then taking out the charge holding medium 3 as shown in FIG. 1(d).
なお、感光体ｌと電荷保持媒体３とは上記のように非接
触でなく接触式でもよく、接触式の場合には、感光体電
極７側から光導電層９の露光部に正または負の電荷が注
入され、この電荷は電荷保持媒体３例の電極１３に引か
れて光導電層９を通過し、絶縁層１１面に達した所で電
荷移動が停止し、その部位に注入電荷が蓄積される。そ
して、感光体１と電荷保持媒体３とを分離すると、絶縁
層１１は電荷を蓄積したままの状態で分離される。Note that the photoreceptor l and the charge holding medium 3 may be of a contact type instead of a non-contact type as described above, and in the case of a contact type, a positive or negative charge is applied from the photoreceptor electrode 7 side to the exposed portion of the photoconductive layer 9. Charge is injected, this charge is attracted by the electrode 13 of the three charge retention media, passes through the photoconductive layer 9, and when it reaches the surface of the insulating layer 11, the charge movement stops, and the injected charge is accumulated at that location. be done. Then, when the photoreceptor 1 and the charge holding medium 3 are separated, the insulating layer 11 is separated with the charges stored therein.
この記録方法は面状アナログ記録とした場合、銀塩写真
法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁層ｌ
ｌ上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は良好な
絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係なく放電
せず長期間保存される。When this recording method is used for planar analog recording, high resolution can be obtained similar to silver salt photography, and the insulating layer formed is
The surface charge on L is exposed to the air environment, but since air has good insulating properties, it can be stored for a long time without discharging regardless of whether it is in a bright or dark place.
この絶縁層１１上の電荷保存期間は、絶縁体の性質によ
って定まり、空気の絶縁性以外に絶縁体の電荷捕捉特性
が影響する。前述の説明では電荷は表面電荷として説明
しているが、注入電荷は単に表面に蓄積させる場合もあ
り、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、その
物質の構造内に電子またはホールがトラップされる場合
もあるので長期間の保存が行われる。また電荷保持媒体
の物理的損傷や湿度が高い場合の放電等を防ぐために絶
縁Ｉｔ！１１１の表面を絶縁性フィルム等で覆って保存
するようにしてもよい。The charge storage period on the insulating layer 11 is determined by the properties of the insulator, and is affected by the charge trapping properties of the insulator in addition to the insulating properties of air. In the above explanation, charge is explained as a surface charge, but injected charge may simply accumulate on the surface, or it may microscopically penetrate into the interior near the surface of an insulator, creating electrons or In some cases, holes may be trapped, resulting in long-term storage. In addition, it is insulated to prevent physical damage to the charge holding medium and discharge when humidity is high. 111 may be stored by covering the surface with an insulating film or the like.
以下、本別発明に用いられる感光体、および電荷保持媒
体の構成材料について説明する。Hereinafter, the constituent materials of the photoreceptor and charge retention medium used in the present invention will be explained.
光導電層支持体５としては、感光体を支持することがで
きるある程度の強度を有していれば、その材質、厚みは
特に制限がなく、例えば可撓性のあるプラスチックフィ
ルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシート、
金属板（電極を兼ねることもできる）等の剛体が使用さ
れる。但し、感光体側から光を入射して情報を記録する
装置に用いられる場合には、当然その光を透過させる特
性が必要となり、例えば自然光を入射光とし、感光体側
から入射するカメラに用いられる場合には、厚み１ｍｍ
程度の透明なガラス仮、或いはプラスチックのフィルム
、シートが使用される。The material and thickness of the photoconductive layer support 5 are not particularly limited as long as they have a certain level of strength to support the photoreceptor, such as flexible plastic film, metal foil, and paper. , or glass, plastic sheet,
A rigid body such as a metal plate (which can also serve as an electrode) is used. However, if it is used in a device that records information by entering light from the photoconductor side, it will naturally need to have the property of transmitting that light. For example, if it is used in a camera that uses natural light as incident light and enters from the photoconductor side. The thickness is 1mm.
A transparent glass or plastic film or sheet is used.
感光体電極７は、光導電層支持体５に金属のものが使用
される場合を除いて光導電層支持体５に形成され、その
材質は比抵抗値が１０６Ω・ｃｌＩ以下であれば限定さ
れなく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等であ
る。このような感光体電極７は、光導電層支持体５上に
、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティング、メツ
キ、ディッピング、電解重合等により形成される。また
その厚みは、感光体電極７を構成する材質の電気特性、
および情報の記録の際の印加電圧により変化させる必要
があるが、例えばアルミニウムであれば、１００〜３０
００人程度である。この感光体電極７も光導電層支持体
５と同様に、情報光を入射させる必要がある場合には、
上述した光学特性が要求され、例えば情報光が可視光（
４００〜７００Ωｍ）であれば、ＩＴ○（ＩｎｚＯｓ−
５ｎｏｗ） 、Ｓ ｎ Ｏ：等をスパッタリング、蒸着
、またはそれらの微粉末をバインダーと共にインキ化し
てコーティングしたような透明電極や、Ａｕ、Ａ！、Ａ
ｇ５Ｎｉ、Ｃｒ等を蒸着、またはスパッタリングで作製
する半透明ＴＬ極、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮ
Ｑ） 、ポリアセチレン等のコーティングによる有機透
明電極等が使用される。The photoreceptor electrode 7 is formed on the photoconductive layer support 5 except when metal is used for the photoconductive layer support 5, and the material thereof is limited as long as the specific resistance value is 106 Ω·clI or less. Rather, they are inorganic metal conductive films, inorganic metal oxide conductive films, etc. Such a photoreceptor electrode 7 is formed on the photoconductive layer support 5 by vapor deposition, sputtering, CVD, coating, plating, dipping, electrolytic polymerization, or the like. The thickness also depends on the electrical characteristics of the material that constitutes the photoreceptor electrode 7.
It is necessary to change the voltage depending on the applied voltage when recording information, but for example, in the case of aluminum, it is 100 to 30
Approximately 00 people. Similarly to the photoconductive layer support 5, when it is necessary to input information light to this photoreceptor electrode 7,
The above-mentioned optical properties are required, for example, when information light is visible light (
400~700Ωm), IT○(InzOs-
5now), S n O: etc. by sputtering or vapor deposition, or a transparent electrode coated with fine powder thereof and a binder as ink, Au, A! ,A
g5 Translucent TL electrode made by vapor deposition or sputtering of Ni, Cr, etc., tetracyanoquinodimethane (TCN)
Q) An organic transparent electrode coated with polyacetylene or the like is used.
また情報光が赤外（７００Ωｍ以上）光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカント
するために、着色された可視光吸収ＴＬ極も使用できる
。The above electrode material can also be used when the information light is infrared light (700 Ωm or more), but in some cases, colored visible light absorbing TL poles can also be used to cant visible light.
更に、情報光が紫外（４００ｎｍ以下）光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が
紫外光を吸収するもの（有機高分子材料、ソーダガラス
等）は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。Furthermore, when the information light is ultraviolet light (400 nm or less), the above electrode materials can basically be used, but electrode substrate materials that absorb ultraviolet light (organic polymer materials, soda glass, etc.) are not preferred. A material that transmits ultraviolet light, such as quartz glass, is preferred.
光導電層９は、光が照射されると照射部分で光キャリア
（電子、正孔）が発生し、それらのキャリアが層幅を移
動することができる導電性層であり、特に電界が存在す
る場合にその効果が顕著である層である。材料は無機光
ＩＩ材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材料
等で構成される。The photoconductive layer 9 is a conductive layer in which photocarriers (electrons, holes) are generated in the irradiated area when light is irradiated, and these carriers can move across the layer width, especially in the presence of an electric field. This is the layer where the effect is noticeable in some cases. The materials include inorganic photo II materials, organic photoconductive materials, organic-inorganic composite photoconductive materials, and the like.
以下、これら光導電材料、および光導電層の形成方法に
ついて説明する。Below, these photoconductive materials and methods of forming the photoconductive layer will be explained.
（Ａ）無機感光体（光導電体）
無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモル
ファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。(A) Inorganic photoreceptor (photoconductor) Inorganic photoreceptor materials include amorphous silicon, amorphous selenium, cadmium sulfide, zinc oxide, and the like.
（イ）アモルファスシリコン感光体
アモルファスシリコン感光体としては
■水素化アモルファスシリコン（ａ −３ｉ ： Ｈ）
■フッ素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｔ：Ｆ）・こ
れらに対して不純物をドーピングしないもの、
・Ｂ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉ ｎ５Ｔ１等をドーピングにより
Ｐ型（ホール輸送型）にしたもの、・Ｐ、Ａｇ％Ｓｂ、
Ｂｉ等をドーピングによりＮ型（電子輸送型）にしたも
の、
がある。(a) Amorphous silicon photoreceptor As an amorphous silicon photoreceptor, ■Hydrogenated amorphous silicon (a-3i: H)
■Fluorinated amorphous silicon (a-St:F)・These are not doped with impurities,・B, AI, Ga, In5T1, etc. are doped to make them P-type (hole transport type),・P, Ag%Sb,
There is a type in which Bi or the like is doped to make it N type (electron transport type).
感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガス
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく １０−”〜
Ｉ Ｔｏｒｒ） 、グロー放電により加熱、或いは加熱
しない電極基板上に堆積して成膜するが、単に加熱した
電極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体原
料を蒸着、スパンター法により成膜し、単層、或いは積
層で使用する。膜厚は１〜５０ｔ１ｍである。The method for forming the photoreceptor layer is to introduce silane gas and impurity gas together with hydrogen gas into a low vacuum.
I Torr), the film is formed by being deposited on an electrode substrate that is heated or not heated by glow discharge, but it is also possible to form a film by simply thermochemically reacting on a heated electrode substrate, or by vapor depositing a solid raw material and using the spunter method. It can be used as a single layer or in a laminated form. The film thickness is 1 to 50t1m.
また、透明電極７から電荷が注入され、露光してないの
にもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するため
に、感光体電極７の表面に電荷注入防止層を設けること
ができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と感
光体最上層（表面層）の一方或いは両方に、グロー放電
、蒸着、スパンター法等によりａ−５ｉＮ層、ａ−３ｉ
Ｃ層、５ｉＯ１層、Ｉ １．０．層等の絶縁層を設け
るとよい、この絶縁層を余り厚くしすぎると露光したと
き電流が流れないので、少なくとも１０００Å以下とす
る必要があり、作製し易さ等を考慮すると４００〜５０
０人程度が望ましい。Further, in order to prevent charge from being injected from the transparent electrode 7 and charging as if it were exposed to light even though it was not exposed, a charge injection prevention layer can be provided on the surface of the photoreceptor electrode 7. As this charge injection prevention layer, a-5iN layer, a-3iN layer, a-3i
C layer, 5iO1 layer, I 1.0. If this insulating layer is too thick, no current will flow when exposed to light, so it needs to be at least 1000 Å or less, and considering ease of fabrication, it should be 400 to 50 Å.
Approximately 0 people is desirable.
また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電極
基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能を
有する電荷輸送層を設けるとよ（、電極がマイナスの場
合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層を
設ける。例えば、Ｓｉにボロンをドープしたａ−３ｉ
： Ｈ（ｎ” ）は、ホールの輸送特性が上がって整流
効果が得られ、電荷注入防止層として機能する。In addition, as a charge injection prevention layer, a charge transport layer having a charge transport ability with a polarity opposite to that of the electrode substrate may be provided on the electrode substrate by utilizing a rectifying effect (if the electrode is negative, a hole transport layer, If the electrode is positive, an electron transport layer is provided.For example, a-3i in which Si is doped with boron.
: H(n'') improves hole transport properties, provides a rectifying effect, and functions as a charge injection prevention layer.
（ロ）アモルファスセレン感光体
アモルファスセレン感光体としては、
■アモルファスセレン（ａ−Ｓａ）
■アモルファスセレンテルル（ａ −３ｓ−Ｔｅ）■ア
モルフアスひ素セレン化合物（ａ −ＡｓｚＳｅｓ）■
アモルファスひ素セレン化合物＋Ｔｅがある。(b) Amorphous selenium photoreceptor The amorphous selenium photoreceptor includes: ■Amorphous selenium (a-Sa) ■Amorphous selenium tellurium (a-3s-Te) ■Amorphous arsenic selenium compound (a-AszSes)■
There is an amorphous arsenic selenium compound +Te.
この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また電
荷注入阻止層としてＳｉｎｇ、 Ａ １ｌｃｈ 、５ｉ
Ｃ１ＳｉＮ 層を蒸着、スパッター、グロー放電法等に
より電極７５板上に設けられる。また上記■〜■を組み
合わせ、積層型感光体としてもよい、感光体層のＦＪ、
厚はアモルファスシリコン感光体と同様である。This photoreceptor was manufactured by vapor deposition or sputtering, and a charge injection blocking layer was prepared by Sing, A1lch, 5i.
A C1SiN layer is provided on the electrode 75 plate by vapor deposition, sputtering, glow discharge method, or the like. Also, by combining the above ■ to ■, a laminated type photoreceptor may be made, FJ of the photoreceptor layer,
The thickness is similar to that of an amorphous silicon photoreceptor.
（ハ）硫化カドミウム（ＣｄＳ ）
この感光体は、コーティング、蒸着、スパッタリング法
により作製する。蒸着の場合はＣｄＳの固体粒をレング
ステンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、ＥＢ
（エレクトロンビーム）蒸着により行う、またスパッタ
リングの場合はＣｄＳターゲットを用いてアルゴンプラ
ズマ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモル
ファス伏皿でＣｄＳが堆積されるが、スパッタリング条
件を選択することにより結晶性の配向膜（膜厚方向に配
向）を得ることもできる。コーティングの場合は、Ｃｄ
Ｓ粒子（粒径１＝Ｉ００ｔＩｍ）をバインダー中に分散
させ、溶媒を添加して基板上にコーティングするとよい
、。(c) Cadmium sulfide (CdS) This photoreceptor is manufactured by coating, vapor deposition, and sputtering methods. In the case of vapor deposition, solid particles of CdS are placed on a lengthened board and vapor-deposited by resistance heating, or by EB.
(electron beam) evaporation or, in the case of sputtering, deposited on the substrate in an argon plasma using a CdS target. In this case, CdS is usually deposited in an amorphous plate, but a crystalline oriented film (oriented in the film thickness direction) can also be obtained by selecting sputtering conditions. For coating, Cd
It is preferable to disperse S particles (particle size 1=I00tIm) in a binder, add a solvent, and coat on the substrate.
（ニ）酸化亜鉛（Ｚｎ Ｏ）
この感光体はコーティング法、或いはＣＶＤ法で作製さ
れる。コーティング法としては、ＺｎＳ粒子（粒径１〜
１００ ｌ１ｍ）をバインダー中に分散させ、溶媒を添
加して基板上にコーティングを行って得られる。またＣ
ＶＤ法としては、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機
金属と酸素ガスを低真空中（１０−”−Ｉ Ｔｏｒｒ）
で混合し、加熱した電極基板（１５０〜４００°Ｃ）上
で化学反応させ、酸化亜鉛膜として堆積させる。この場
合も膜厚方向に配向した欣が得られる。(d) Zinc oxide (Zn 2 O) This photoreceptor is produced by a coating method or a CVD method. As a coating method, ZnS particles (particle size 1~
100 l1m) is dispersed in a binder, a solvent is added, and coating is performed on a substrate. Also C
The VD method uses organic metals such as diethylzinc and dimethylzinc and oxygen gas in a low vacuum (10-”-I Torr).
The zinc oxide film is deposited as a zinc oxide film through a chemical reaction on a heated electrode substrate (150 to 400°C). In this case as well, a shank oriented in the film thickness direction can be obtained.
（Ｂ）有機感光体
有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光体
とがある。(B) Organic photoreceptor Organic photoreceptors include single-layer photoreceptors and functionally separated photoreceptors.
（イ）単層系感光体
単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物か
らなっている。(a) Single-layer photoreceptor A single-layer photoreceptor is made of a mixture of a charge-generating material and a charge-transporting material.
〈電荷発生物質系〉
光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、アゾ
系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系Ｍｆ’４、ピリリウム染料系
、シアニン染料系、メチン染料系が使用される。<Charge-generating substance system> A substance that absorbs light and easily generates a charge, such as azo pigments, disazo pigments, trisazo pigments, phthalocyanine pigments, perylene Mf'4, pyrylium dyes, and cyanine dyes. , a methine dye system is used.
（電荷輸送物質系〉
電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒド
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、ナフ
タ、レン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミ
ン系、芳香族アミン系等がある。(Charge transport material system) A material with good transport properties for ionized charges, such as hydrazone type, pyrazoline type, polyvinylcarbazole type,
There are carbazole series, stilbene series, anthracene series, naphtha, ren series, tridiphenylmethane series, azine series, amine series, aromatic amine series, etc.
また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を形
成させ、電荷移動錯体としてもよい。Alternatively, a charge-transfer complex may be obtained by forming a complex with a charge-generating substance and a charge-transporting substance.
通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感光
特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール（ＰｖＫ）は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン（ＴＮＦ）は４００ｎｍ波長近傍
しか感じないが、ＰＶＫ−ＴＮＦＩＩ体は６５０ｎｍ波
長域まで怒しるようになる。Normally, photoreceptors have photosensitivity determined by the light absorption properties of the charge-generating substance, but when a charge-generating substance and a charge-transporting substance are mixed to form a complex, the light absorption properties change; for example, polyvinylcarbazole (PvK) Trinitrofluorenone (TNF) is only felt in the 400 nm wavelength range, but the PVK-TNF II body becomes angry up to the 650 nm wavelength range.
二のような単層系感光体の膜厚は、１０〜５０μｍが好
ましい。The film thickness of a single-layer photoreceptor such as No. 2 is preferably 10 to 50 μm.
（ロ）ａ能分離型怒光体
電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする性
質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、光
吸収特性はよぐない、そのため両者を分離し、それぞれ
の特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷発
生層と電荷輸送層を積層したタイプである。(b) A-separable photoreceptor charge-generating substances easily absorb light but have the property of trapping light, and charge-transporting substances have good charge-transporting properties but poor light-absorbing properties. It is a type in which a charge generation layer and a charge transport layer are laminated to separate the two and fully exhibit their respective characteristics.
く電荷発生層〉
電荷発生層を形成する物質としては、例えばアゾ系、ジ
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、ａ−５ｅ 、 ａ−３
ｔ 、アズレニウム塩系、スクアリウム塩基等がある。Charge generation layer> Examples of substances forming the charge generation layer include azo, disazo, trisazo, phthalocyanine, acidic xanthene dyes, cyanine, styryl dyes, pyrylium dyes, perylene, methine dyes, a-5e, a-3
t, azulenium salts, squalium bases, etc.
〈電荷輸送層〉
電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾン
系、ピラゾリン系、ＰＶＫ系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系
、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等がある
。<Charge Transport Layer> Examples of substances forming the charge transport layer include hydrazone, pyrazoline, PVK, carbazole, oxazole, triazole, aromatic amine, amine, triphenylmethane, and polycyclic aromatic materials. There are group compounds, etc.
機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生物
質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送層
を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を０
．１〜ｌ Ｏｐ ｍ−、電荷輸送層を１０〜５０μｍの
膜厚とするとよい。The method for manufacturing a functionally separated photoreceptor is to first dissolve the charge generating substance in a solvent and apply it on the electrode, then dissolve the charge transport layer in the solvent and apply it to the charge transport layer, and then remove the charge generating layer from zero.
．． 1 to 1 Op m-, the charge transport layer may have a thickness of 10 to 50 μm.
なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れの場合に
も、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタ
ジェン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽
和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニルアセタール樹脂、フェノール樹脂、ポリメ
チルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、メラミン樹脂
、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷発生材料各１
部に対し、０．１〜１０部添加して付着し易いようにす
る。コーティング法としては、ディッピング法、蒸着法
、スパッター法等を使用することができる。In addition, in the case of either a single-layer photoconductor or a functionally separated photoconductor, silicone resin, styrene-butadiene copolymer resin, epoxy resin, acrylic resin, saturated or unsaturated polyester resin, polycarbonate resin, polyvinyl is used as a binder. Acetal resin, phenol resin, polymethyl methacrylate (PMMA) resin, melamine resin, polyimide resin, etc. are used as charge-generating materials and charge-generating materials, respectively.
0.1 to 10 parts to make it easier to adhere. As the coating method, a dipping method, a vapor deposition method, a sputtering method, etc. can be used.
次ぎに、電荷注入防止層について詳述する。Next, the charge injection prevention layer will be described in detail.
電荷注入防止層は、光導電層９の両表面の少なくとも一
方か、両方の面に、光導電Ｊ！９の電圧印加時の暗ＴＬ
流（電極からの電荷注入）、すなわち露光していないに
もかかわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動
する現象を防止するために設けることができるものであ
る。The charge injection prevention layer is provided on at least one or both surfaces of the photoconductive layer 9 with photoconductive J! Dark TL when voltage 9 is applied
This can be provided to prevent a phenomenon in which charges move through the photosensitive layer as if it had been exposed even though it had not been exposed (charge injection from the electrode).
この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を利
用した層と整流効果を利用した層との二種類のものがあ
る。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したものは
、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導電
層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を入
射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層に
は光導電層で発生した電荷の一方（電子、またはホール
）が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起こ
して、電荷注入防止層を通過して電流が流れるものであ
る。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有機絶
縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいはこれ
らを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例えば
Ａｓ５ｅｓ 、Ｈｚ（ｈ、ＢｉｚＯｘ 、ＣｄＳ
、ＣａＯ、ＣｅＯ２、ＣｒｚＯｓ 、Ｃｏｏ 、Ｇ
ｅｍ、、ＨｆＯ！、Ｐｅ！（ｈ 、Ｌａ１Ｏ１、Ｍｇ
Ｏ、Ｍｎ０ｔｓ Ｎｄ２Ｏ２、Ｎｂｇｏｓ 、Ｐｂ
Ｏ，５ｂｚＯｘ 、Ｓｉｎｇ、ＳｅＯ２、Ｔａｘｅｓ
、Ｔｉ１ｔ。There are two types of charge injection prevention layers: a layer that utilizes a so-called tunneling effect and a layer that utilizes a rectification effect. First, in a device that utilizes the so-called tunneling effect, when only a voltage is applied, current does not flow to the photoconductive layer or the surface of the insulating layer due to this charge injection prevention layer, but when light is incident, the current does not flow to the surface of the photoconductive layer or the insulating layer. Since one of the charges (electrons or holes) generated in the photoconductive layer is present in the charge injection prevention layer, a high electric field is applied, causing a tunnel effect and current flowing through the charge injection prevention layer. . Such a charge injection prevention layer is formed of a single layer such as an inorganic insulating film, an organic insulating polymer film, an insulating monomolecular film, or a stack of these. Examples of the inorganic insulating film include As5es, Hz, etc. (h, BizOx, CdS
, CaO, CeO2, CrzOs, Coo, G
em,,HfO! , Pe! (h, La1O1, Mg
O, Mn0ts Nd2O2, Nbgos, Pb
O, 5bzOx, Sing, SeO2, Taxes
, Tilt.
Ｗ（ｈ 、 ＶｚＯｓ、 ’Ｉｔ’ｓ、 Ｙ！０３
、 ＺｒＯ２、Ｂａ丁＋０３、 Ａ１．Ｏ。W(h, VzOs, 'It's, Y!03
, ZrO2, Ba Ding+03, A1. O.
、ＲｉｚＴｉＯｓ 、ＣａＯ−５ｒＯ、Ｃａ０−Ｙ２
Ｏ２、Ｃｒ−３ｉＯ１ＬｉＴａＯ８、Ｉ’ｂＴｉＯ，、
ＰｂＺｒＯｓ、Ｚｒ０ｌ−Ｃｏ 、、Ｚｒ０ｌ−５ｉ
Ｏ２、ＡＩＮ 、、ＢＮ、ＮｂＮ 、５ｌｓＮａ
、ＴａＮ Ｓ ＴｉＮ 、ＶＮ、ＺｒＮ 。, RizTiOs, CaO-5rO, Ca0-Y2
O2, Cr-3iO1LiTaO8, I'bTiO,,
PbZrOs, Zr0l-Co,, Zr0l-5i
O2, AIN, BN, NbN, 5lsNa
, TaN S TiN , VN, ZrN.
ＳｉＣ、ＴｉＣ，、ＷＣＳＡｌ、Ｃ，等をグロー放電、
蒸着、スパッタリング等により形成される。尚、この層
の膜厚は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル効果
の点を考慮して使用される材質ごとに決められる。次ぎ
に整流効果を利用した電荷注入防止層は、整流効果を利
用して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有する電
荷輸送層を設ける。即ち、このような電荷注入防止層は
無機光導電層、有機光導電層、有機態４！！！複合型光
導電層で形成され、その膜厚は０．１〜１０μｍ程度で
ある。具体的には、電極がマイナスの場合はＢ、ＡＩ、
Ｃ；ａ、ｉｎ等をドープしたアモルファスシリコン光導
％ｊｌ！、アモルファスセレン、またはオキサジアゾー
ル、ピラゾリン、ポリビニルカルバゾール、スチルベン
、アントラセン、ナフタレン、トリジフェニルメタン、
トリフェニルメタン、アジン、アミン、芳香族アミン等
を樹脂中に分散して形成した有機光導電層、電極がプラ
スの場合は、Ｐ、Ｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｊ笠をドープした
アモルファスシリコン光導電層、ＺｎＯ光導電層等をグ
ロー放電、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティン
グ等の方法により形成される。Glow discharge of SiC, TiC, WCSAl, C, etc.
It is formed by vapor deposition, sputtering, etc. The thickness of this layer is determined depending on the material used, taking into account the insulating properties to prevent charge injection and the tunnel effect. Next, the charge injection prevention layer utilizing a rectifying effect is provided with a charge transporting layer having a charge transporting ability of opposite polarity to the polarity of the electrode substrate using a rectifying effect. That is, such a charge injection prevention layer may be an inorganic photoconductive layer, an organic photoconductive layer, or an organic photoconductive layer. ! ! It is formed of a composite photoconductive layer, and its film thickness is approximately 0.1 to 10 μm. Specifically, if the electrode is negative, B, AI,
C; Amorphous silicon photoconductive material doped with a, in, etc. %jl! , amorphous selenium, or oxadiazole, pyrazoline, polyvinylcarbazole, stilbene, anthracene, naphthalene, tridiphenylmethane,
An organic photoconductive layer formed by dispersing triphenylmethane, azine, amine, aromatic amine, etc. in a resin. If the electrode is positive, an amorphous silicon photoconductive layer doped with P, N, As, Sb, or Bj cap is used. ZnO photoconductive layer and the like are formed by methods such as glow discharge, vapor deposition, sputtering, CVD, and coating.
次ぎに、電荷保持媒体材料、および電荷保持媒体の作製
方法について説明する。Next, a charge retention medium material and a method for manufacturing the charge retention medium will be described.
電荷保持媒体３は感光体ｌと共に用いられて、電荷保持
媒体３を構成する絶縁層１１の表面、もしくはその内部
に情報を静電荷の分布として記録するものであるから、
電荷保持媒体自体が記録媒体として使用されるものであ
る。従って記録される情報、あるいは記録の方法により
この電荷保持媒体の形状は種々の形状をとることができ
る。The charge holding medium 3 is used together with the photoreceptor l to record information as a distribution of electrostatic charges on the surface or inside of the insulating layer 11 constituting the charge holding medium 3.
The charge retention medium itself is used as a recording medium. Therefore, the shape of this charge retention medium can take various shapes depending on the information to be recorded or the recording method.
絶縁層支持体１５は、上記のような電荷保持媒体３を強
度的に支持するものであるが、基本的には光導電層支持
体５と同様な材質で構成され、光透過性も同様に要求さ
れる場合がある。具体的には、電荷保持媒体３がフレキ
シブルなフィルム、テープ、ディスク形状をとる場合に
は、フレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使用
され、強度が要求される場合には剛性のあるシート、ガ
ラス等の無機材料等が使用される。The insulating layer support 15 strongly supports the charge holding medium 3 as described above, and is basically made of the same material as the photoconductive layer support 5, and has the same light transmittance. May be required. Specifically, when the charge retention medium 3 takes the form of a flexible film, tape, or disk, a flexible plastic film is used; when strength is required, a rigid sheet, glass, etc. is used. Inorganic materials etc. are used.
電荷保持媒体電極１３は、基本的には感光体電極７と同
じでよく、上述した感光体電極７と同様の形成方法によ
って、絶縁層支持体１５上に形成される。The charge retention medium electrode 13 may basically be the same as the photoreceptor electrode 7, and is formed on the insulating layer support 15 by the same formation method as the photoreceptor electrode 7 described above.
絶縁層１１は、その表面、もしくはその内部に情報を静
電荷の分布として記録するものであるから、電荷の移動
を抑えるため高絶縁性が必要であり、比抵抗で１０１４
Ω・Ｃ１１以上の絶縁性を有することが要求される。こ
のような絶縁Ｎ１１は、樹脂、ゴム類を溶剤に溶解させ
、コーティング、デインピングするか、またはＭｆｊ、
スパッタリング法により層形成させることができる。Since the insulating layer 11 records information as a distribution of static charges on its surface or inside it, it needs to have high insulation properties to suppress the movement of charges, and has a specific resistance of 1014.
It is required to have an insulation property of Ω·C11 or more. Such insulation N11 can be obtained by dissolving resin or rubber in a solvent, coating or deimping, or by applying Mfj,
The layer can be formed by a sputtering method.
ここで、上記樹脂、ゴムとしては、例えばポリエチレン
、ポリプロピレン、ビニル樹脂、スチロール樹脂、アク
リル樹脂、ナイロン６６、ナイロン６、ポリカーボネー
トアセタールホモポリマー１弗素樹脂、セルロース樹脂
、フェノール樹脂。Here, examples of the resin and rubber include polyethylene, polypropylene, vinyl resin, styrene resin, acrylic resin, nylon 66, nylon 6, polycarbonate acetal homopolymer 1-fluororesin, cellulose resin, and phenol resin.
ユリア樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂。Urea resin, polyester resin, epoxy resin.
可撓性エポキシ樹脂５メラミン樹脂、シリコン樹脂、フ
ェノオキシ樹脂、芳香族ポリイミド、ＰＰＯ，ポリスル
ホン等、またポリイソプレン、ポリブタジェン、ポリク
ロロプレン、イソブチレン。Flexible epoxy resins 5 Melamine resins, silicone resins, phenoxy resins, aromatic polyimides, PPO, polysulfone, etc., as well as polyisoprene, polybutadiene, polychloroprene, isobutylene.
極高ニトリル、ポリアクリルゴム、クロロスルホン化ポ
リエチレン２エチレン・プロピレンラバー。Extremely high nitrile, polyacrylic rubber, chlorosulfonated polyethylene diethylene propylene rubber.
弗素ゴム、シリコンラバー、多硫化系合成ゴム。Fluororubber, silicone rubber, polysulfide synthetic rubber.
ウレタンゴム等のゴムの単体、あるいは混合物が使用さ
れる。A single rubber such as urethane rubber or a mixture thereof is used.
またシリコンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリイ
ミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチレンフィルム
、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム等を電
荷保持媒体電極１３上に接着剤等を介して貼着すること
により層形成させるか、あるいは熱可塑性樹脂、熱硬化
性ＰＩＩ脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ゴ
ム等に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティング、
ディッピングすることにより層形成してもよい。Also silicone film, polyester film, polyimide film, fluorine-containing film, polyethylene film, polypropylene film, polyparabanic acid film,
A layer may be formed by pasting a polycarbonate film, a polyamide film, etc. on the charge holding medium electrode 13 via an adhesive, or a thermoplastic resin, thermosetting PII resin, ultraviolet curable resin, electron beam curable resin, etc. Coating by adding necessary curing agents, solvents, etc. to resin, rubber, etc.
Layers may be formed by dipping.
また絶縁層１１として、ラングミュア−・ブロジヱト法
により形成される単分子膜、または単分子累積膜も使用
することができる。Further, as the insulating layer 11, a monomolecular film or a monomolecular cumulative film formed by the Langmuir-Blodget method can also be used.
またこれら絶縁層１１には、電極面とのＵ、または絶縁
１１１上に電荷保持強化層を設けることができる。電荷
保持強化層とは、強電界（１０４Ｖ ／ ｃ ｍ以上）
が印加された時には電荷が注入するが、低電界（１０’
Ｖ／ｃｍ以下）では電荷が注入しない層のことをいう。Further, these insulating layers 11 can be provided with a charge retention reinforcing layer on the U of the electrode surface or on the insulating layer 111. The charge retention enhancement layer is a strong electric field (104V/cm or more)
is applied, charge is injected, but at a low electric field (10'
V/cm or less), this refers to a layer in which no charge is injected.
電荷保持強化層としては、例えばＳｉＯ鵞、Ａ１１０３
、ＳｉＣ、ＳｉＮ等が使用でき、有機系物質としては
例えばポリエチレン蒸着膜、ポリパラキシレン蒸着膜が
使用できる。As the charge retention reinforcing layer, for example, SiO porcelain, A1103
, SiC, SiN, etc. can be used, and as the organic material, for example, a polyethylene vapor deposited film or a polyparaxylene vapor deposited film can be used.
また静電荷をより安定に保持させるために、絶縁層１１
に、電子供与性を有する物質（ドナー材料）、あるいは
電子受容性を有する物質（アクセプター材料）を添加す
るとよい。ドナー材料さしてはスチレン系、ピレン系、
ナフタレン系、アンＩ・ラセン系、ピリジン系、アジン
系化合物があり、具体的にはテトラチオフルバレン（Ｔ
ＴＦ）、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、
ポリビニルアントラセン、ボリアジン、ポリビニルピレ
ン、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して
用いられる。またアクセプター材料としてはハロゲン化
合物、シアン化合物、ニトロ化合物等があり、具体的に
はテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）トリニトロフ
ルオレノン（ＴＮＦ）等が使用され、一種、または混合
して使用される。ドナー材料、アクセプター材料は、樹
脂等に対して０．００１〜１０％程度添加して使用され
る。In addition, in order to hold static charge more stably, the insulating layer 11
It is preferable to add a substance having electron-donating properties (donor material) or a substance having electron-accepting properties (acceptor material) to the material. Donor materials include styrene, pyrene,
There are naphthalene-based, anI/helix-based, pyridine-based, and azine-based compounds, specifically tetrathiofulvalene (T
TF), polyvinylpyridine, polyvinylnaphthalene,
Polyvinylanthracene, voriazine, polyvinylpyrene, polystyrene, etc. are used, and they may be used alone or in combination. Further, as the acceptor material, there are halogen compounds, cyan compounds, nitro compounds, etc., and specifically, tetracyanoquinodimethane (TCNQ), trinitrofluorenone (TNF), etc. are used, and they are used singly or as a mixture. The donor material and acceptor material are used by adding about 0.001 to 10% to the resin and the like.
さらに電荷を安定に保持させるために、電荷保持媒体中
に元素単体微粒子を添加することができる。元素単体と
しては周期律表第１Ａ族（アルカリ金属）、同ｒＢ族（
銅族）、同ＩＩＡ族（アルカリ土類金属）、同ＩＩＢ族
（亜鉛族）、同Ｉ［［、Ａ族（アルミニウム族）、同１
［［Ｂ族（希土類）、同■Ｂ族（チタン族）、同ＶＢ族
（バナジウム族）、同ＶＩＢ族（クロム族）、同■Ｂ族
（マンガン族）、同■族（鉄族、白金族）、また同ＴＶ
Ａ族（炭素族）としては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、
同ＶＡ族（ｔｒ素族）としてはアンチモン、ビスマス、
同ＶＩＡ族（酸素族）としては硫黄、セレン、テルルが
微細粉状で使用される。また上記元素単体のうち金属類
は金属イオン・、微細粉状の合金、有機金属、錯体の形
態としても使用することができる。Further, in order to stably retain the charge, elemental fine particles can be added to the charge retention medium. As a single element, Group 1A (alkali metals) of the periodic table, Group rB (
Copper group), IIA group (alkaline earth metals), IIB group (zinc group), I[[, A group (aluminum group), 1
[[B group (rare earth), B group (titanium group), VB group (vanadium group), VIB group (chromium group), B group (manganese group), same group B (iron group, platinum group) family), and the same TV
Group A (carbon group) includes silicon, germanium, tin, lead,
The VA group (tr group) includes antimony, bismuth,
As the VIA group (oxygen group), sulfur, selenium, and tellurium are used in fine powder form. Among the above elements, metals can also be used in the form of metal ions, fine powder alloys, organic metals, or complexes.
更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハロ
ゲン化物の形態で使用することができる。これらの添加
物は、上述した樹脂、ゴム等の電荷保持媒体にごく僅か
添加すればよく、添加量は電荷保持媒体に対して０．０
１〜１０重量％程度でよい。 また絶縁層１１は、絶縁
性の点からは少な（でも１０００人（０，１μｍ）以上
の厚みが必要であり、フレキシビル性の点からは１００
μｍ以下が好ましい。Furthermore, the above elements can be used in the form of oxides, phosphorus oxides, sulfides, and halides. These additives need only be added in a very small amount to the charge retention medium such as the resin or rubber mentioned above, and the amount added is 0.0% relative to the charge retention medium.
It may be about 1 to 10% by weight. In addition, the insulating layer 11 needs to have a small thickness (but more than 1000 μm) from the viewpoint of insulation, and from the viewpoint of flexibility, it needs to have a thickness of 100 μm or more.
It is preferably less than μm.
第２図は本発明による電荷保持媒体露光方法を示す図で
、１０１はミラー、１０４は現像機、１０５はペーパー
またはフィルム、１０６は転写装置、１０７は定着ロー
ル、１０８は供給ロール、１０９は巻き取りロール、１
１０はイレーザ−である。FIG. 2 is a diagram showing a method for exposing a charge-retaining medium according to the present invention, in which 101 is a mirror, 104 is a developer, 105 is paper or film, 106 is a transfer device, 107 is a fixing roll, 108 is a supply roll, and 109 is a winder. Take roll, 1
10 is an eraser.
図示しない原稿面を照射したレーザー光等の走査光また
はスリット光はミラー’１０１を介して感光体１に照射
される。感光体１は紙面に垂直に細長い形状をしており
、回転するドラム上の電荷保持媒体３との間には所定の
電圧が印加されている。Scanning light such as a laser beam or slit light that irradiates the document surface (not shown) is irradiated onto the photoreceptor 1 via a mirror '101. The photoreceptor 1 has an elongated shape perpendicular to the plane of the paper, and a predetermined voltage is applied between it and a charge holding medium 3 on a rotating drum.
その結果原稿の画像濃度に応してドラム状電荷保持媒体
３の上に静電潜像が記録される。形成された静電潜像は
現像機１０４でトナー現像され、さらにコロトロン等か
らなる転写装置１０Ｇによりペーパーまたはフィルム１
０５へ転写すれ、ヒーターを内蔵した定着ロール１０７
で定着される。As a result, an electrostatic latent image is recorded on the drum-shaped charge holding medium 3 in accordance with the image density of the original. The formed electrostatic latent image is developed with toner by a developing device 104, and is further transferred to a paper or film 1 by a transfer device 10G consisting of a corotron or the like.
05, a fixing roll 107 with a built-in heater
It is established in
転写後、残留している電荷保持媒体上の電荷はイレーザ
−１１０により消去され、次の露光に備えられる。イレ
ーザ−１１０は電荷保持媒体３上の電荷をリークするた
めのもので、液体状、固体状等任意の導電性のもので、
電荷保持媒体に接触させることにより電荷をリークでき
るものであればよく、また、ＡＣコロナで残留電荷をキ
ャンセルするようにしてもよい。After the transfer, the remaining charge on the charge holding medium is erased by an eraser 110 in preparation for the next exposure. The eraser 110 is for leaking the charge on the charge holding medium 3, and is of any conductivity such as liquid or solid.
Any material may be used as long as the charge can be leaked by contacting the charge holding medium, or the residual charge may be canceled by an AC corona.
本実施例における電荷保持媒体露光方法は電荷保持媒体
３上に画像情報を静電潜像として記録するようにしたの
で潜像は長時間安定に保持され、その結果従来の複写機
のような厳密な電位コントロールを必要とせず、しかも
微小な光量にも応答することができるので、露光装置の
低電圧化と低消費電力化を図ることができる。In the charge retention medium exposure method in this embodiment, image information is recorded as an electrostatic latent image on the charge retention medium 3, so the latent image is stably retained for a long time, and as a result, it is possible to Since the exposure apparatus does not require extensive potential control and can respond to minute amounts of light, it is possible to reduce the voltage and power consumption of the exposure apparatus.
第３図は本発明の他の実施例を示す図で、第２図と同一
番号は同一内容を示している。なお、１２０は磁気ブラ
シ現像装置、１２１は回転マグネット、１２２は？Ｉｔ
極である。FIG. 3 is a diagram showing another embodiment of the present invention, and the same numbers as in FIG. 2 indicate the same contents. In addition, 120 is a magnetic brush developing device, 121 is a rotating magnet, and 122 is ? It
It is extreme.
本実施例においては、電荷保持媒体はペーパーまたはフ
ィルム状の絶縁体からなり、紙面に垂直方向に細長い感
光体ｌに対向して同様に細長い形状の電１１２２を電荷
保持媒体３を介して別途配置し、感光体１と電極１２２
との間に所定の電圧を印加して画像をペーパーまたはフ
ィルム状の絶縁体に記録しようとするものである。In this embodiment, the charge retention medium is made of a paper or film-like insulator, and a similarly elongated electrode 1122 is separately arranged via the charge retention medium 3, facing the elongated photoreceptor l in the direction perpendicular to the plane of the paper. Then, the photoreceptor 1 and the electrode 122
The idea is to record an image on a paper or film-like insulator by applying a predetermined voltage between the two.
次に作用を説明すると、図示しない原稿面からのレーザ
ー走査光またはスリット光で細長い感光体１を照射する
。一方、ペーパー状の電荷保持媒体３は電極１２２と接
触しながら供給ロール１０８、巻き取りロール１０９で
連続的に搬送されており、感光体ｌと電極１２２との間
に電圧を印加することにより、電荷保持媒体３には画像
情報に応じた静電潜像が順次形成される。ペーパー状電
荷保持媒体に形成された静電潜像は、磁気ブラシ現像装
置１２０によりトナー現像され、第３図（ロ）に示すよ
うにトナー像が形成される。磁気ブラシ現像装置１２０
は回転マグネット１２１を有し、マグネットの回転によ
り磁性トナー粒子がブラシ状になって回転し、記録媒体
と接触して現像するようになっている。その後、図示し
ない定着装置により定着される。Next, the operation will be described. The elongated photoreceptor 1 is irradiated with laser scanning light or slit light from the document surface (not shown). On the other hand, the paper-like charge holding medium 3 is continuously conveyed by a supply roll 108 and a take-up roll 109 while being in contact with an electrode 122, and by applying a voltage between the photoreceptor l and the electrode 122, Electrostatic latent images are sequentially formed on the charge retention medium 3 in accordance with image information. The electrostatic latent image formed on the paper-like charge retention medium is developed with toner by a magnetic brush developing device 120, and a toner image is formed as shown in FIG. 3(b). Magnetic brush developing device 120
has a rotating magnet 121, and as the magnet rotates, magnetic toner particles rotate in the form of a brush and come into contact with the recording medium for development. Thereafter, the image is fixed by a fixing device (not shown).
本実施例では電荷保持媒体自体が複写媒体となるので、
転写プロセスを省略することができる。In this embodiment, the charge retention medium itself becomes the copying medium, so
The transfer process can be omitted.
勿論、ペーパー状電荷保持媒体からさらに他の用紙等に
転写するようにしてもよい、また、電荷保持媒体が長期
間安定に潜像電位を保持できれば、現像は任意の時点で
行うことができ、装置を構成する場合にも潜像電位形成
部分と現像部分等を分離して構成することも可能である
。Of course, it is also possible to transfer the image from the paper-like charge-retaining medium to another paper, etc., and if the charge-retaining medium can stably hold the latent image potential for a long period of time, development can be performed at any time. When configuring the apparatus, it is also possible to configure the latent image potential forming part, the developing part, etc. separately.
第４図は面露光するようにした本発明の他の実施例を示
す図である。FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the present invention in which surface exposure is performed.
本実施例においては、感光体ｌを面状に形成し、ペーパ
ーまたはフィルム状電荷保持媒体３を挟んで感光体１と
対向配置する電極１２２を感光体と同様面状に形成して
いる。そして、電荷保持媒体３を間欠送りして露光時、
所定位置で停止させ、順次露光を行っていく、このよう
に面露光であるので、露光時間を大幅に短縮することが
可能である。In this embodiment, the photoreceptor 1 is formed into a planar shape, and the electrode 122, which is placed opposite to the photoreceptor 1 with the paper or film-like charge holding medium 3 in between, is formed into a planar shape similar to the photoreceptor. Then, during exposure by intermittently feeding the charge holding medium 3,
Since this type of area exposure is performed by stopping at a predetermined position and sequentially performing exposure, it is possible to significantly shorten the exposure time.
第５図（イ）は磁気ブラシ現像装置１２０を電荷保持媒
体に対して感光体と対向配置した構成を示し、電荷保持
媒体３は第５図（ロ）に示すように電極がない単なる絶
縁フィルムであり、磁気ブラシ現像装置をアースし、感
光体１の電極に所定の電圧を印加する。そして、光源１
０２により原稿面を照射し、その反射光で感光体１を面
露光すると、フィルム状電荷保持媒体３に静電潜像が形
成され、同時に現像装置１２０でトナー現像される。現
像装置１２０は、回転マグネット１２１を有して磁性ト
ナー粒子を回転させ、磁性トナー粒子をブラシ状にして
電荷保持媒体３に接触させることにより露光と同時に現
像し、トナー像は露光装置と反対側に形成される。この
場合、現像装置は電極の機能も兼ね、磁性トナー粒子を
介して電荷保持媒体のチャージをアースしているので、
露光面全体にわたって電荷保持媒体と対向させるのが望
ましく、そのために必要に応じて複数の現像装置を配置
するようにする。こうして現像した後ヒーター１０７で
熱定着する。FIG. 5(a) shows a configuration in which a magnetic brush developing device 120 is arranged facing a photoconductor with respect to a charge-retaining medium, and the charge-retaining medium 3 is a mere insulating film without electrodes as shown in FIG. 5(b). The magnetic brush developing device is grounded, and a predetermined voltage is applied to the electrode of the photoreceptor 1. And light source 1
When the document surface is irradiated with 02 and the photoreceptor 1 is surface-exposed with the reflected light, an electrostatic latent image is formed on the film-like charge holding medium 3, and at the same time, the developing device 120 develops the toner image. The developing device 120 has a rotating magnet 121 to rotate the magnetic toner particles, makes the magnetic toner particles into a brush shape, and brings them into contact with the charge retention medium 3 to perform development at the same time as exposure, and the toner image is formed on the side opposite to the exposure device. is formed. In this case, the developing device also functions as an electrode, grounding the charge on the charge retention medium via the magnetic toner particles.
It is desirable that the entire exposed surface be opposed to the charge holding medium, and for this purpose a plurality of developing devices may be arranged as necessary. After developing in this manner, the image is thermally fixed by a heater 107.
なお、本実施例の場合には電荷保持媒体が単にフィルム
状絶縁体で電極を有していないため、現像装置に電極の
機能を兼ねさせ、その結果大きな現像装置、或いは複数
の現像装置を必要とする場合があるので、面露光でなく
スリット光、或いは走査ビーム光による露光方法を用い
、現像装置を細長い小型の形状とするのが好ましい。In the case of this example, since the charge retention medium is simply a film-like insulator and does not have an electrode, the developing device also has the function of an electrode, and as a result, a large developing device or multiple developing devices are required. Therefore, it is preferable to use an exposure method using slit light or scanning beam light instead of surface exposure, and to form the developing device into an elongated and compact shape.
第６図（イ）は磁気ブラシ現像装置１２０を電荷保持媒
体に対して感光体と同じ側に配置する場合で、電荷保持
媒体３は、第６図（ロ）に示すように絶縁層支持体１５
上に電極１３を、さらにその上に絶縁層が形成された通
常の構成とし、感光体の電極と電荷保持媒体の電極１３
との間に所定の電圧を印加して露光することにより静電
潜像を形成し、現像は露光後任意時間後に行えばよく、
トナー像は露光側に形成される。FIG. 6(a) shows a case where the magnetic brush developing device 120 is disposed on the same side of the charge-retaining medium as the photoreceptor, and the charge-retaining medium 3 has an insulating layer support as shown in FIG. 6(b). 15
The electrode 13 is formed on top of the electrode 13, and an insulating layer is formed on top of the electrode 13.
An electrostatic latent image is formed by applying a predetermined voltage between the two and exposing it to light, and development may be performed after an arbitrary period of time after exposure.
A toner image is formed on the exposed side.
次にカラー画像を形成するために使用するカラーフィル
タについて説明する。Next, a color filter used to form a color image will be explained.
第７図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図中
、３１．３３．３５はプリズムブロック、３７．３９．
４１はフィルタ、４３．４５は反射鏡である。FIG. 7 is a diagram showing a color separation optical system using a prism. In the figure, 31.33.35 is a prism block, 37.39.
41 is a filter, and 43.45 is a reflecting mirror.
色分解光学系は３つのプリズムブロックからなり、プリ
ズムブロック７１のａ面から入射した光情報は、５面に
おいて一部が分離反射され、さらに３面で反射されてフ
ィルタ３７からＢ色光成分が取り出される。残りの光情
報はプリズムブロック３３に入射し、０面まで進んで一
部が分離反射され、フィルタ３９からＧ色光成分、他は
直進してフィルタ４１からＲ色光成分が取り出される。The color separation optical system consists of three prism blocks, and a part of the light information incident from the a side of the prism block 71 is separated and reflected on five surfaces, further reflected on three surfaces, and the B color light component is extracted from the filter 37. It will be done. The remaining light information enters the prism block 33, travels to the 0th surface, where a portion is separated and reflected, the G color light component is taken out from the filter 39, and the rest goes straight, and the R color light component is taken out from the filter 41.
そして、Ｇ、 Ｂ色光成分を、反射鏡４３．４５で反射
させることにより、Ｒ，Ｇ、Ｂ光を平行光として取り出
すことができる。By reflecting the G and B color light components with the reflecting mirrors 43.45, the R, G, and B light can be extracted as parallel light.
このようなフィルタ５１を、第８図に示すように感光体
１の前面に配置してｔｉ影することにより、第８図（ロ
）のようにＲ，Ｇ、８分解した電荷保持媒体３セツトで
１コマを形成するか、また第８図（ハ）に示すように１
平面上にＲ，Ｇ、Ｂ像として並べて１セツトで１コマと
することもできる。By placing such a filter 51 on the front surface of the photoreceptor 1 as shown in FIG. 8 and applying a shadow, three sets of charge retention media divided into R, G, and 8 parts as shown in FIG. 8(b) can be created. to form one frame, or as shown in Figure 8 (c).
It is also possible to arrange them as R, G, and B images on a plane and make one set into one frame.
第９図は微細カラーフィルタの例を示す図で、例えば、
レジストをコーティングしたフィルムをマスクパターン
で露光してＲ，Ｇ、Ｂストライブパターンを形成し、そ
れぞれＲ，Ｇ、Ｂ染色することにより形成する方法、ま
たは第７図のような方法で色分解した光を、それぞれ細
いスリットに通すことにより生じるＲ、Ｇ、Ｂの干渉縞
をホログラム記録媒体に記録させることにより形成する
方法、または光導電体にマスクを密着させて露光し、静
電潜像によるＲ、Ｇ、Ｂストライプパターンを形成し、
これをトナー現像して３回転写することによりカラー合
成してトナーのストライプを形成する方法等により形成
する。このような方法で形成されたフィルタのＲ，Ｇ、
Ｂｌ＆ｔｌで１画素を形成し、１画素を１０μｍ程度の
微細なものにする。このフィルタを第８図のフィルタ５
１として使用することによりカラー静電潜像を形成する
ことができる。この場合、フィルタは感光体と離して配
置しても、あるいは感光体と一体に形成するようにして
もよい。FIG. 9 is a diagram showing an example of a fine color filter, for example,
A resist-coated film is exposed to light using a mask pattern to form R, G, and B stripe patterns, and the stripes are dyed with R, G, and B, respectively, or color separation is performed using the method shown in Figure 7. A method in which R, G, and B interference fringes are generated by passing light through narrow slits and are recorded on a hologram recording medium, or a method is formed by exposing a photoconductor with a mask in close contact with it, and an electrostatic latent image is formed. Form an R, G, B stripe pattern,
This is formed by a method of developing the toner and transferring it three times to combine colors and form toner stripes. R, G, of the filter formed by such a method,
One pixel is formed by Bl&tl, and one pixel is made as fine as about 10 μm. This filter is filter 5 in Fig. 8.
1, a color electrostatic latent image can be formed. In this case, the filter may be placed separately from the photoreceptor or may be formed integrally with the photoreceptor.
第１０図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み
合わせた例を示す図で、フレネルレンズによってＲ，Ｇ
、 Ｂパターンを縮小して記録することができ、また通
常のレンズに比べて薄くコンパクトなレンズ設計が可能
となる。Figure 10 shows an example of a combination of a fine color filter and a Fresnel lens.
, B pattern can be reduced and recorded, and it is also possible to design a lens that is thinner and more compact than a normal lens.
第１１図はＮＤ （Ｎｅｕｔｒａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ
）フィルタとＲ，Ｇ、Ｂフィルターを併用した３面分割
の例を示す図で、入射光をＮＤフィルター８１．８３及
び反射ミラー８５で３分割し、それぞれＲフィルター８
７、Ｇフィルター８９、Ｂフィルター９１を通すことに
より、Ｒ，Ｇ、Ｂ光を平行光として取り出すことができ
る。Figure 11 shows ND (Neutral Density)
) filter and R, G, and B filters, the incident light is divided into three by the ND filter 81, 83 and the reflection mirror 85, and the R filter 8 is used for each.
7. By passing through the G filter 89 and the B filter 91, the R, G, and B lights can be extracted as parallel lights.
本発明は、静Ｎ潜像形成媒体として電荷保持媒体を使用
し、原稿面からの情報光で直接電荷保持媒体上に静電潜
像を形成して該静電潜像をトナー現像して転写するもの
で、全面コロナ帯電をした後、静電潜像をしないので低
電圧化、低消費電力を図ることが可能であり、また面状
アナログ記録を行うことにより解像度を上げることがで
きる。The present invention uses a charge holding medium as a static N latent image forming medium, forms an electrostatic latent image directly on the charge holding medium with information light from the document surface, develops the electrostatic latent image with toner, and transfers the image. Since no electrostatic latent image is formed after the entire surface is corona charged, it is possible to achieve low voltage and low power consumption, and the resolution can be increased by performing planar analog recording.
さらに、電荷保持媒体を平面状、ドラム状に構成して従
来のような複写機を構成することができると共に、電荷
保持媒体を連続紙または連続フィルムから構成し、それ
自体を複写用紙として使用することにより転写プロセス
を省略して複写機の構成を簡素化する等複写機の多様化
を図るこ七が可能となる。Furthermore, a conventional copying machine can be constructed by configuring the charge-retaining medium in a flat or drum shape, and the charge-retaining medium can be constructed from continuous paper or continuous film, which itself can be used as copying paper. This makes it possible to diversify copying machines, such as by omitting the transfer process and simplifying the configuration of the copying machine.
以下、実施例を説明する。Examples will be described below.
〔実施例１〕・・・電荷保持媒体の作製方法メチルフヱ
ニルシリコン樹脂１０ｇ、キシレン−ブタノールｌ：１
溶媒１０ｇの組成を有する混合液に、硬化剤（金属触媒
）：商品名 ＣＲ−１５を１重量％（０，２ｇ）加えて
よ（撹拌し、Ａｌを１０００人Ｍ着したガラス基板上に
ドクターブレード４ミルを用いてコーティングを行った
。[Example 1]...Production method of charge retention medium 10 g of methylphenyl silicone resin, 1 xylene-butanol: 1
Add 1% by weight (0.2 g) of a curing agent (metallic catalyst) (trade name CR-15) to a mixed solution containing 10 g of solvent (stir and apply a doctor coat to a glass substrate on which 1000 M of Al has been deposited). Coating was done using a blade 4 mil.
その後１５０°Ｃ，ｌｈｒの乾燥を行ない、膜厚１０Ｉ
Ｉｍの電荷保持媒体（ａ）を得た。After that, drying was performed at 150°C for 1hr, and the film thickness was 10I.
A charge retention medium (a) of Im was obtained.
また上記混合液を、Ａｎを１０００人蒸着レム１００μ
ｍポリエステルフィルム上に同様の方法でコーディング
し、次いで乾燥し、フィルム状の電荷保持媒体（ｂ）を
得た。In addition, the above mixed solution was evaporated with 100 μm of An.
It was coated on a polyester film in the same manner and then dried to obtain a film-like charge retention medium (b).
また上記混合液を、ＡＩを１０００人蒸着レム４インチ
ディスク形状アクリル（１ｗｒ￥）基板上にスピンナー
２００Ｏｒｐｍでコーディングし、５０“Ｃ１３ｈｒ乾
燥させ、膜Ｗ、７μｍのディスク状電荷保持媒体（ｃ）
を得た。Further, the above mixed solution was coated with AI on a 4-inch disc-shaped acrylic (1wr￥) substrate deposited by 1000 people using a spinner of 200 rpm, and dried for 50"C13hr, forming a film W and a 7 μm disc-shaped charge retention medium (c).
I got it.
また上記混合液に、更にステアリン酸亜鉛を０゜１ｇ添
加し、同様のコーティング、乾燥を行い、１０ｔ１ｍの
膜厚を有する電荷保持媒体（ｄ）を得た。Furthermore, 0.1 g of zinc stearate was added to the above mixed solution, and the same coating and drying were performed to obtain a charge retention medium (d) having a film thickness of 10 t1 m.
〔実施例２〕
ポリイミド樹脂１０ｇ５Ｎ−メチルピロリドン１０ｇの
組成を有する混合液を、Ａｆｆｉを１０００人蒸着レム
ガラス基板上にスピンナーコーティング（１０００ｒｐ
ｍ、２０秒）した、溶媒を乾燥させるため１５０°Ｃで
３０分間、前乾燥を行った後、硬化させるため３５０°
Ｃ１２時間加熱した。[Example 2] A mixed solution having a composition of 10 g of polyimide resin and 10 g of N-methylpyrrolidone was spinner coated (1000 rp
m, 20 seconds), pre-dried at 150 °C for 30 minutes to dry the solvent, and then dried at 350 °C for curing.
C Heated for 12 hours.
膜厚８μｍを有する均一な被膜が形成された。A uniform film with a film thickness of 8 μm was formed.
〔実施例３〕・・・単層系有機感光体（ＰＶＫ −ＴＮ
Ｆ ）作製方法
ボ＋Ｊ−Ｎ−ビニルカルバゾール１０ ｇ （亜ｔ１１
香料（株）製Ｌ２，４．７−）リニトロフルオレノン１
０ｇ、ポリエステル樹脂２ｇ（バインダー：バイロン２
００東洋紡（株）製）、テトラハイドロフラン（ＴＨＦ
）９０ｇの組成を有する混合液を暗所で作製し、Ｉｎ２
Ｏ２−３ｎＯ１を約１０００人の膜厚でスパッターした
ガラス基板（ＩＩＩＩ１１厚）に、ドクターブレードを
用いて塗布し、６０°Ｃで約１時間通風乾燥し、膜厚約
１０μｍの先導ＴｔＮを有する感光層を得た。又完全に
乾燥を行うために、更に１日自然乾燥を行って用いた。[Example 3]...Single layer organic photoreceptor (PVK-TN
F) Preparation method Bo+JN-vinylcarbazole 10 g (subt11
L2,4.7-)linitrofluorenone 1 manufactured by Kaori Co., Ltd.
0g, polyester resin 2g (binder: Byron 2
00 Toyobo Co., Ltd.), tetrahydrofuran (THF)
) A mixed solution having a composition of 90 g was prepared in a dark place, and In2
O2-3nO1 was applied to a glass substrate (III11 thickness) sputtered to a film thickness of about 1000 nm using a doctor blade, dried with ventilation at 60°C for about 1 hour, and a photosensitive film with a leading TtN film thickness of about 10 μm was formed. Got layers. In addition, in order to completely dry the sample, it was further air-dried for one day before use.
（実施例４ ）・・・アモルファスシリコンａＳｉ：Ｈ
無機感光体の作製方法
■基板洗浄
Ｓｎｏｗの薄膜透明電極層を一方の表面に設けたコーニ
ング社７０５９ガラス（２３ｘ１６ｘ０゜９ｔ、光学研
磨済）をトリクロロエタン、アセトン、エタノール各液
中、この順番に各々１０分ずつ超音波洗浄する。(Example 4)...Amorphous silicon aSi:H
Manufacturing method of inorganic photoreceptor ■Substrate cleaning Corning 7059 glass (23x16x0°9t, optically polished) with a Snow thin film transparent electrode layer on one surface was soaked in trichloroethane, acetone, and ethanol for 10 min each in this order. Ultrasonic cleaning for minutes.
■装置の準備
洗浄の済んだ基板を第１２図の反応室２０４内のアノー
ド２０６上に熱伝導が十分であるようにセントした後反
応室内を１０−”Ｔｏｒｒ台までり、 Ｐにより真空
引きし、反応容器およびガス管の焼出しを１５０”Ｃ〜
３５０°Ｃで約１時間行い、焼出し後装置を冷却する。■ Preparation of the device After placing the cleaned substrate onto the anode 206 in the reaction chamber 204 in Fig. 12 to ensure sufficient heat conduction, the inside of the reaction chamber was lowered to 10-” Torr and evacuated with P. , bake out the reaction vessel and gas pipes at 150"C~
The process is carried out at 350°C for about 1 hour, and the apparatus is cooled after baking.
■ａ−３ｉ：Ｈ（ｎ”）の堆積
ガラス基板が３５０°Ｃになるようにヒーターを２０８
ｉｌｌ整、加熱し、予めタンク２０１内で混合してお
いたＰ Ｈ３／ Ｓ ｉ Ｈａ ＝ １０００ｐｐｍの
ガスをニードルバルブとＰＭＢの回転数を制御すること
によって反応室２０４の内圧が２００ｍＴ。■a-3i: Deposit H(n”) Set the heater to 208℃ so that the temperature of the glass substrate is 350℃.
The internal pressure of the reaction chamber 204 was brought to 200 mT by controlling the rotation speed of the needle valve and the PMB using a gas with P H3/S i Ha = 1000 ppm that had been prepared and heated and mixed in advance in the tank 201.
ｒｒになるように流し内圧が一定になった後、Ｍａ ｔ
ｃｈｉｎｇ Ｂｏｘ２０３を通じて、４０ＷのＲｆ Ｐ
ｏｗｅｒ ２０２ （１３，５６Ｋ）Ｔｚ）を投入し、
カソード・アノード間にプラズマを形成する。堆積は４
分間行い、Ｒｆの投入を止め、ニードルバルブを閉じる
。After the flow internal pressure becomes constant so as to become rr, Mat
40W Rf P through changing Box 203
power 202 (13,56K)Tz),
Plasma is formed between the cathode and anode. Deposition is 4
After a minute, stop supplying Rf and close the needle valve.
その結果、ブロッキング層を構成する約０． ２ｐｍの
ａ−３ｔ：Ｈ（ｎ’）ｆｆ＋が基板上に堆積された。As a result, approximately 0.0. 2 pm of a-3t:H(n')ff+ was deposited on the substrate.
■ａ−Ｓｉ：Ｈの堆積
５ｉｌｆ４１００％ガスを■と同じ方法で内圧が２００
丁ｏｒｒになるように流し、内圧が一定になったとこ
ろで、Ｍａｔｃｈｆｇ Ｂｏｘ２０３を通じて４０Ｗの
ＲｆＰｏｗｅｒ ２０２ （１３，５６ＫＨｚ）を投入
し、プラズマを形成して７０分間維持する。堆積終了は
Ｒｆの投入を止め、ニードルバルブを閉じる。 Ｈｅａ
ｔｅｒ２０ Ｂ １０ｆ後、基板が冷えているから取り
出す。■ a-Si:H deposition 5ilf4 100% gas in the same way as ■ until the internal pressure is 200
When the internal pressure became constant, 40W RfPower 202 (13,56KHz) was applied through Matchfg Box 203 to form plasma and maintain it for 70 minutes. When the deposition is completed, the input of Rf is stopped and the needle valve is closed. Hea
After ter20 B 10f, the board is cold so take it out.
この結果、約１８．８μｍの膜がａ−３ｉ：Ｈ（ｎ゛）
股上に堆積された。As a result, a film of approximately 18.8 μm is a-3i:H(n゛)
It was deposited on the crotch.
こうしてＳｎｏｗ ／ａ−３ｉ ：Ｈ（ｎ′″）ブロッ
キング層／ａ−３ｉ ：Ｈ（ｎｏｎ−ｄｏｐｅ）２０Ｉ
１ｍの感光体を作製することができた。Thus Snow /a-3i :H(n''') blocking layer/a-3i :H(non-dope)20I
A 1 m long photoreceptor could be manufactured.
（実ｍ例５）・・・アモルファスセレン−テルル無機感
光体の作製方法
セレン（Ｓｅ）に対しテルル（Ｔｅ）が１３重量％の割
合で混合された金属粒を用い、蒸着法によりａ−５ｅ−
Ｔｅ薄膜を真空度１０−’Ｔｏｒｒ、抵抗加熱法でＩＴ
Ｏガラス基板上に蒸着した。膜厚は１μｍとした。さら
に真空度を維持した状態で、同しく抵抗加熱法でＳｅの
みの蒸着を行いａ −５ｅ−Ｔｅ層上に１０μｍ ａ−
５ｅ層を積層した。(Example 5)...Method for producing an amorphous selenium-tellurium inorganic photoreceptor A-5e was produced using a vapor deposition method using metal particles in which tellurium (Te) was mixed at a ratio of 13% by weight to selenium (Se). −
IT is performed on a Te thin film using a resistance heating method at a vacuum level of 10-'Torr.
It was deposited on an O glass substrate. The film thickness was 1 μm. Further, while maintaining the degree of vacuum, Se alone was evaporated using the same resistance heating method to form a 10 μm a-5e-Te layer.
5e layers were laminated.
〔実施例６〕・・・機能分離型感光体の作製方法（電荷
発生層の形成方法）
クロロジアンブルー０．４ｇ、ジクロルエタン４０ｇの
組成を有する混合液を２５０ｍ／！容積のステンレス容
器に入れ、更にガラスピーズＮｏ３．１８０ｍｊ！を加
え、振動ミル（安用電機製作所ＫＥＤ９−４）により、
約４時間の粉砕を行い粒径〜５μｍのクロロシアンブル
ーを得る。ガラスピーズ１１過後、ポリカーボネート、
ニーピロンＥ−２０００（三菱ガス化学）を０．４ｇ加
え約４時間攪拌する。この溶液をＩｎ１Ｏｓ−３ｎＯ□
を約１０００人スパッターしたガラス基板（ｌ■厚）に
ドクターブレードを用いて塗布し、Ｖ、１約１μｍの電
荷発生層を得た。乾燥は室温で１日行った。[Example 6] Method for producing a functionally separated photoreceptor (method for forming a charge generation layer) A mixed solution having a composition of 0.4 g of chlorodiane blue and 40 g of dichloroethane was mixed at 250 m/! Put it in a stainless steel container with a volume of 180mj and glass beads No. 3.180mj! was added, and using a vibration mill (Yasuyo Denki Seisakusho KED9-4),
Pulverization is performed for about 4 hours to obtain chlorocyan blue with a particle size of ~5 μm. After glass beads 11 years, polycarbonate,
Add 0.4 g of Kneepilon E-2000 (Mitsubishi Gas Chemical) and stir for about 4 hours. This solution is In1Os-3nO□
The mixture was coated using a doctor blade onto a glass substrate (l thick) sputtered with about 1,000 sputters to obtain a charge generation layer with a thickness of about 1 .mu.m. Drying was carried out at room temperature for one day.
４−ジベンジルアミノ−２−メチルベンズアルデヒド−
１，１゛−ジフェニルヒドラゾン０．１ｇ。4-Dibenzylamino-2-methylbenzaldehyde-
0.1 g of 1,1゛-diphenylhydrazone.
ポリカーボネート（ユーピＣ１７Ｅ−２０００）０．
１ ｇ。Polycarbonate (Yupi C17E-2000) 0.
1 g.
ジクロルエタン２．０ｇの組成を有する混合液をドクタ
ーブレードにて、上記電荷発生層上に塗布し、約１０μ
ｍの電荷輸送層を得た。乾燥は６゜°Ｃで２時間行った
。A mixed solution having a composition of 2.0 g of dichloroethane was applied onto the charge generation layer using a doctor blade to form a layer of about 10 μm.
A charge transport layer of m was obtained. Drying was carried out at 6°C for 2 hours.
〔実施例７〕
（電荷発生層の形成方法）
酢酸ブチル１０ｇにブチラール樹脂（積木化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、下記の構造式を有するアズレニウムＣ
ＺＯ，塩、
０．５ｇ、ガラスピーズＮｏ、１３３ｇとを混合し、タ
ッチミキサーで１日間撹拌し、よく分散させものをドク
ターブレード、またはアプリケーターでガラス板上に積
層したＩＴＯ上に塗布し、６０℃、２時間以上乾燥させ
た。乾燥後の膜厚は１μｍ以下。[Example 7] (Method for forming charge generation layer) Butyral resin (Building Chemical, 5LE) was added to 10 g of butyl acetate.
C) 0.25g, azulenium C having the following structural formula
Mix 0.5 g of ZO, salt, and 133 g of glass peas, stir with a touch mixer for 1 day, disperse well, and apply with a doctor blade or applicator onto ITO layered on a glass plate. ℃ for 2 hours or more. The film thickness after drying is 1 μm or less.
（電荷輸送層の形成方法）
テトラヒドロフラン９．５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０゜５ｇと下記の構
造式で示されるヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１
９１）
０．５ｇとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生
層上に塗布し、６０゛Ｃ１２時間以上乾燥させた。膜厚
１０μｍ以下であった。(Method for forming a charge transport layer) 9.5 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., Nipiron E2000) and a hydrazone derivative represented by the following structural formula (Anan Perfume Co., Ltd., CTC1).
91) was mixed with 0.5 g, applied onto the charge generating layer using a doctor blade, and dried at 60°C for 12 hours or more. The film thickness was 10 μm or less.
（実施例８〕
（電荷発生層の形成方法）
テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（積木化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チタニルフタロシアニン０．２
５ｇ、４．１０−ジブロモアンスアンスロン０．２５ｇ
、ガラスピーズＮｏ、１を３３ｇ、タッチミキサーで１
日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターでガラス板上に積層したＩＴＯ上に
塗布し、６０″Ｃ１２時間以上乾燥させた。乾燥後の被
膜は、膜厚１μｍ以下であった。(Example 8) (Method for forming a charge generation layer) 20 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of butyral resin (Building Chemical, 5LEC), and 0.2 titanyl phthalocyanine.
5g, 4.10-dibromoanthrone 0.25g
, Glass Peas No. 1, 33g, 1 with a touch mixer
The mixture was stirred for several days, thoroughly dispersed, and applied with a doctor blade or applicator onto an ITO layered on a glass plate, and dried for over 12 hours at a 60"C. After drying, the film had a thickness of 1 μm or less.
（電荷輸送層の作製方法）
ジクロロエタン９．５ｇに、ポリカーボネート（三菱ガ
ス化学、ニーピロンＥ２０００）０．５ｇ、上記ヒドラ
ゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣＩ９１）０．５ｇを溶解
し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上に塗布、６
０’Ｃ，２時間以上乾燥させた。ｆｆ厚は１０μｍ以上
であった。(Preparation method of charge transport layer) Dissolve 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Nipiron E2000) and 0.5 g of the above hydrazone derivative (Anan Perfume, CTCI91) in 9.5 g of dichloroethane, and use a doctor blade to generate the above charge. Apply on layer, 6
It was dried at 0'C for 2 hours or more. The ff thickness was 10 μm or more.
【実施例９〕・・・電荷注入防止層を設けた機能分離型
感光体の作製方法
（電荷注入防止層の形成方法）
ガラス板上に積層したＩＴＯ上に可溶性ポリアミド（東
亜合成化学、ＦＳ−１７５ＳＶ１０）をスピンコーター
により０．５〜Ｉμｍ塗布、６０°Ｃ１２時間以上乾燥
させた。[Example 9]...Method for producing a functionally separated photoreceptor provided with a charge injection prevention layer (method for forming a charge injection prevention layer) Soluble polyamide (Toagosei Kagaku, FS- 175SV10) was applied to a thickness of 0.5 to 1 μm using a spin coater and dried at 60° C. for 12 hours or more.
（ＴＬ電荷発生層形成方法）
酢酸ブチルＬｏｇにブチラール樹脂（積木化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、前記したアズレニウムＣｆｆ１０．塩
０．５ｇ、ガラスピーズＮｏ５１３３ｇとを混合し、タ
ッチミキサーで１日間撹拌し、よく分散させものをドク
ターブレード、またはアプリケーターで上記電荷注入防
止層上に塗布し、６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。乾
燥後の被膜は、膜ｒ￥１μｍ以下であった。(TL charge generation layer forming method) Butyral resin (Building Chemical, 5LE
C) 0.25 g, azulenium Cff10. 0.5 g of salt and 133 g of Glass Peas No. 5 were mixed, stirred for 1 day with a touch mixer, dispersed well, and applied onto the charge injection prevention layer using a doctor blade or applicator, and dried at 60°C for 12 hours or more. . The film after drying had a film r\1 μm or less.
（電荷輸送層の形成方法）
テトラヒドロフラン９．５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンｐ！、２０００）０゜５ｇと前記
したヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１９１）０．
５ｇとを溶解させ、ドクターブレードで上記電荷発生層
上に塗布し、６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。膜厚１
０μｍ以下であった。(Method for Forming Charge Transport Layer) 9.5 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Nipiron p!, 2000), and 0.5 g of the above-mentioned hydrazone derivative (Anan Kaoryo, CTC191).
5 g was dissolved and applied onto the charge generation layer using a doctor blade, and dried at 60° C. for 12 hours or more. Film thickness 1
It was 0 μm or less.
〔実施例１０〕
（電荷注入防止層の形成方法）
ガラス板上に積層したＩＴＯ上に可溶性ポリアミド（東
亜合成化学、ＦＳ−１７５ＳＶ１０）をスピンコーター
により０．５〜ｌ〃ｍ！ｆｆｉ布、６０°Ｃ１２時間以
上乾燥させた。[Example 10] (Method for forming charge injection prevention layer) Soluble polyamide (Toagosei Kagaku, FS-175SV10) was coated on ITO layered on a glass plate by 0.5 to 1〃m using a spin coater! ffi cloth, dried at 60°C for 12 hours or more.
（電荷発生層の形成方法）
テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（種水化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チタニルフタロシアニン０．２
５ｇ、４．１０−ジブロモアンスアンスロン０．２５ｇ
、ガラスピーズＮｏ、１を３３ｇ１タツチミキサーで１
日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターで上記電荷注入防止層上に塗布し、
６０℃、２時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は、膜ｒ
￥−１μｍ以下であ、った。(Method for forming charge generation layer) 20 g of tetrahydrofuran, 0.5 g of butyral resin (Tanesui Kagaku, 5LEC), and 0.2 titanyl phthalocyanine.
5g, 4.10-dibromoanthrone 0.25g
, Glass Peas No. 1, 33g with 1 touch mixer
Stir for several days, disperse well, and apply the mixture onto the charge injection prevention layer using a doctor blade or applicator.
It was dried at 60°C for 2 hours or more. The film after drying is a film r
It was less than ¥-1 μm.
（電荷輸送層の形成方法）
溶媒であるジクロロエタン９．５ｇに、ポリカーボネー
ト（三菱ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０．５ｇ、
前記ヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１９１）０．
５ｇを溶解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上
に塗布、６０“Ｃ１２時間以上乾燥させた。１１５！厚
は１０μｍ以上であった。(Method for forming a charge transport layer) 0.5 g of polycarbonate (Mitsubishi Gas Chemical, Nipiron E2000) was added to 9.5 g of dichloroethane as a solvent.
The above hydrazone derivative (Anan Perfume, CTC191) 0.
5 g was dissolved and applied onto the above charge generation layer using a doctor blade, and dried for 12 hours or more on 60"C. 115! thickness was 10 μm or more.
（実施例１１） （感光体電極層の形成方法） 青板ガラス上に、酸化インジウム錫（ＩＴＯ。(Example 11) (Method for forming photoreceptor electrode layer) Indium tin oxide (ITO) on blue plate glass.
比抵抗１００Ω・ｃｍ”）をスパッタリング法により蒸
着させた。A film with a specific resistance of 100 Ω·cm” was deposited by sputtering.
また、ＥＢ法により同様に蒸着させることができる。Further, it can be similarly deposited by the EB method.
（を荷注入防止層の形成方法）
上記感光体電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング法
により蒸着させた。(Method for Forming Load Injection Prevention Layer) Silicon dioxide was deposited on the photoreceptor electrode layer by sputtering.
ＢＷは１００〜３０００人とすことができ、また二酸化
珪素の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、ま
たスパッタリング法の代わりにＥＢ法により同様に蒸着
させることができる。The BW can be between 100 and 3000, and aluminum oxide may be used instead of silicon dioxide, and the EB method can be similarly deposited instead of the sputtering method.
（を荷発生暦の形成方法）
上記電荷注入防止層上に、セレン−テルル（テルル含有
量１３重量％）を抵抗加熱により蒸着させた。膜厚は２
μｍ以下である。(Method for Forming Charge Generation Calendar) Selenium-tellurium (tellurium content: 13% by weight) was deposited on the charge injection prevention layer by resistance heating. Film thickness is 2
It is less than μm.
（電荷輸送層の形成方法）
上記電荷発生層上に粒状セレンを使用し、抵抗加熱法に
より蒸着させた。膜厚は１０μｍ以下である。(Method for Forming Charge Transport Layer) Granular selenium was used on the charge generation layer and deposited by resistance heating. The film thickness is 10 μm or less.
以上のように本発明によれば、走査光、スリット光によ
る露光、あるいは面露光も行うことができるので、露光
方法の多様化を可能にし、特に面露光の場合には露光速
度を大幅にアップすることができ、複写の高速化を行う
ことが可能となる。As described above, according to the present invention, exposure using scanning light, slit light, or surface exposure can be performed, making it possible to diversify exposure methods and greatly increasing the exposure speed, especially in the case of surface exposure. This makes it possible to speed up copying.
また、コロナ帯電を行わないので高電圧を必要とせず、
電荷保持媒体の潜像形成に要する光量は少なくて済むの
で、低電圧化、低消費電力化を図ることができると共に
、電荷保持媒体は長期間潜像電位を安定に保持するので
、任意の時点でトナー現像することができ、その結果露
光部分と現像部分等を分離した複写機を構成することも
可能となる。In addition, since no corona charging is performed, high voltage is not required.
Since the amount of light required to form a latent image on a charge retention medium is small, it is possible to reduce voltage and power consumption, and since the charge retention medium stably maintains the latent image potential for a long period of time, it can be used at any time. As a result, it is possible to construct a copying machine in which the exposed area and the developed area are separated.
第１図は本発明の複写装置に使用される電荷保持媒体を
説明するための図、第２図は本発明による電荷保持媒体
露光方法を示す図、第３図はペーパー状電荷保持媒体を
使用した本発明の他の実施例を示す図、第４図は面露光
を行うようにした本発明の他の実施例を示す図、第５図
は磁気ブラシ現像装置を電荷保持媒体に対して感光体と
対向配置する本発明の他の実施例を示す図、第６図は磁
気ブラシ現像装置を電荷保持媒体に対して感光体と同じ
側に配置する場合の実施例を示す図、第７図は色分解光
学系の構成を示す図、第８図はカラー静電潜像を形成す
る場合の説明図、第９月は微細カラーフィルタの例を示
す図、第１０図は微細カラーフィルタとフレネルレンズ
を組み合わせた例を示す図、第１１図はＮＤフィルタと
ＲＳＧ。
Ｂフィルタの併用による３面分割を示す図、第１２図は
ａ−３ｔ：Ｈ感光体の作製方法を説明するための図であ
る。
１・・・感光体、３・・・電荷保持媒体、１０１・・・
ミラー、１０４・・・現像機、１０５・・・ペーパーま
たはフィルム、１０６・・・転写装置、１０７・・・定
着ロール、１０８・・・供給ロール、１０９・・・巻キ
取りロール、１１０・・・イレーザ−０
出 願 人 大日本印刷株式会社代理人 弁理士
蛭 川 昌 信（外４名）第１図
（ハ）
１ （°）
ピ＝＝＝モヨー
第２図
起重クール ヤ吠釧にｌ
第３図
（イン
第３図
（ロジ
第４図
第５図
（イ）
第５図
第６図
（イ）
第６霞
（ロジ
］５
第９図
第１○図FIG. 1 is a diagram for explaining the charge retention medium used in the copying apparatus of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the charge retention medium exposure method according to the present invention, and FIG. 3 is a diagram showing the use of a paper-like charge retention medium. FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the present invention in which surface exposure is performed, and FIG. FIG. 6 is a diagram showing another embodiment of the present invention in which the magnetic brush developing device is disposed facing the body, and FIG. Figure 8 is a diagram showing the configuration of a color separation optical system, Figure 8 is an explanatory diagram when forming a color electrostatic latent image, Figure 9 is a diagram showing an example of a fine color filter, and Figure 10 is a diagram showing a fine color filter and Fresnel. A diagram showing an example of a combination of lenses, FIG. 11 is an ND filter and RSG. FIG. 12 is a diagram illustrating three-plane division using a B filter in combination, and is a diagram for explaining a method for manufacturing an a-3t:H photoreceptor. 1... Photoreceptor, 3... Charge retention medium, 101...
Mirror, 104... Developing machine, 105... Paper or film, 106... Transfer device, 107... Fixing roll, 108... Supply roll, 109... Winding take-up roll, 110...・Eraser-0 Applicant Dai Nippon Printing Co., Ltd. Agent Patent attorney Hirukawa Masanobu (4 others) Figure 1 (c) 1 (°) l Figure 3 (In Figure 3 (Logi Figure 4 Figure 5 (A) Figure 5 Figure 6 (A) Figure 6 Haze (Logi) 5 Figure 9 Figure 1 ○
Claims (3)
態で感光体に光を照射することにより電荷保持媒体上に
静電潜像を形成する電荷保持媒体露光方法であって、電
荷保持媒体をドラム状、感光体をスリット状に形成して
走査光またはスリット光で露光するようにしたことを特
徴とする電荷保持媒体露光方法。(1) A charge retention medium exposure method in which an electrostatic latent image is formed on a charge retention medium by irradiating the photoconductor with light while a voltage is applied between the photoconductor and the charge retention medium, the method comprising: 1. A method for exposing a charge holding medium, characterized in that the holding medium is formed into a drum shape, the photoreceptor is formed into a slit shape, and the holding medium is exposed with scanning light or slit light.
態で感光体に光を照射することにより電荷保持媒体上に
静電潜像を形成する電荷保持媒体露光方法であって、電
荷保持媒体を連続紙または連続フィルムで形成し、感光
体をスリット状に形成して走査光またはスリット光で露
光するようにして電荷保持媒体を連続送りしたことを特
徴とする電荷保持媒体露光方法。(2) A charge retention medium exposure method in which an electrostatic latent image is formed on the charge retention medium by irradiating the photoconductor with light while a voltage is applied between the photoconductor and the charge retention medium, the method comprising: A method for exposing a charge holding medium, characterized in that the holding medium is formed of continuous paper or a continuous film, and the charge holding medium is continuously fed by forming a photoreceptor into a slit shape and exposing the charge holding medium with scanning light or slit light.
態で感光体に光を照射することにより電荷保持媒体上に
静電潜像を形成する電荷保持媒体露光方法であって、電
荷保持媒体を連続紙または連続フィルムで形成し、感光
体を平面状に形成して面露光するようにして電荷保持媒
体を間欠送りするようにしたことを特徴とする電荷保持
媒体露光方法。(3) A charge retention medium exposure method in which an electrostatic latent image is formed on the charge retention medium by irradiating the photoconductor with light while a voltage is applied between the photoconductor and the charge retention medium, the method comprising: A method for exposing a charge-retaining medium, characterized in that the charge-retaining medium is formed of continuous paper or a continuous film, and the charge-retaining medium is intermittently fed by forming a planar photoreceptor and performing surface exposure.
Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123600A JP2891462B2 (en) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | Charge holding medium exposure recording method |
| US07/352,525 US5161233A (en) | 1988-05-17 | 1989-05-16 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
| ES96100346T ES2143097T3 (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | PROCEDURE FOR RECORDING AND PLAYING INFORMATION, DEVICE FOR THE SAME, AND RECORDING MEDIA. |
| DE68929129T DE68929129T2 (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Information recording and reproducing method, apparatus therefor and recording medium |
| ES89305010T ES2094728T3 (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | PROCEDURE FOR RECORDING AND REPRODUCING INFORMATION, DEVICE FOR EXECUTING THE INDICATED PROCEDURE AND MEANS OF RECORDING. |
| CA000599963A CA1339151C (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor andrecording medium |
| IL9032389A IL90323A (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Apparatus and medium for recording and reproducing information |
| EP96100346A EP0714093B1 (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
| DE68927280T DE68927280T2 (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Information recording and reproducing method, apparatus therefor and recording medium |
| EP89305010A EP0342968B1 (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
| US08/462,775 US5638103A (en) | 1988-02-20 | 1995-06-05 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
| US08/462,595 US5983057A (en) | 1988-05-17 | 1995-06-05 | Color imaging system with selectively openable optical shutter |
| US08/812,559 US6493013B2 (en) | 1988-05-17 | 1997-03-07 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123600A JP2891462B2 (en) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | Charge holding medium exposure recording method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293358A true JPH01293358A (en) | 1989-11-27 |
| JP2891462B2 JP2891462B2 (en) | 1999-05-17 |
Family
ID=14864626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63123600A Expired - Fee Related JP2891462B2 (en) | 1988-02-20 | 1988-05-20 | Charge holding medium exposure recording method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2891462B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5801741A (en) * | 1996-04-24 | 1998-09-01 | Minolta Co., Ltd. | Electrostatic recording apparatus |
| US5862443A (en) * | 1996-05-15 | 1999-01-19 | Minolta Co., Ltd. | Electrostatic recording apparatus having a floating electrode on a photoelectric transfer member |
| US5903296A (en) * | 1993-04-26 | 1999-05-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method |
| US5930565A (en) * | 1997-04-18 | 1999-07-27 | Minolta Co., Ltd. | Image forming apparatus |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56126857A (en) * | 1980-03-11 | 1981-10-05 | Toshiba Corp | Photoelectrostatic recording method |
| JPS56126856A (en) * | 1980-03-11 | 1981-10-05 | Toshiba Corp | Photoelectrostatic recording method |
| JPS56126855A (en) * | 1980-03-11 | 1981-10-05 | Toshiba Corp | Photoelectrostatic recording method |
| JPS56156840A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-03 | Toshiba Corp | Electrostatic light recording method |
| JPS5755140A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-01 | Tokyo Shibaura Electric Co | Cover for ultrasonic probe for catheterization |
| JPS59139061A (en) * | 1983-01-31 | 1984-08-09 | Toshiba Corp | Latent image forming method |
| JPS62291845A (en) * | 1986-06-11 | 1987-12-18 | Canon Inc | Image recording system |
| JPS631163A (en) * | 1986-06-19 | 1988-01-06 | Canon Inc | Picture recording system |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63123600A patent/JP2891462B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56126857A (en) * | 1980-03-11 | 1981-10-05 | Toshiba Corp | Photoelectrostatic recording method |
| JPS56126856A (en) * | 1980-03-11 | 1981-10-05 | Toshiba Corp | Photoelectrostatic recording method |
| JPS56126855A (en) * | 1980-03-11 | 1981-10-05 | Toshiba Corp | Photoelectrostatic recording method |
| JPS56156840A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-03 | Toshiba Corp | Electrostatic light recording method |
| JPS5755140A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-01 | Tokyo Shibaura Electric Co | Cover for ultrasonic probe for catheterization |
| JPS59139061A (en) * | 1983-01-31 | 1984-08-09 | Toshiba Corp | Latent image forming method |
| JPS62291845A (en) * | 1986-06-11 | 1987-12-18 | Canon Inc | Image recording system |
| JPS631163A (en) * | 1986-06-19 | 1988-01-06 | Canon Inc | Picture recording system |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5903296A (en) * | 1993-04-26 | 1999-05-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method |
| US5801741A (en) * | 1996-04-24 | 1998-09-01 | Minolta Co., Ltd. | Electrostatic recording apparatus |
| US5862443A (en) * | 1996-05-15 | 1999-01-19 | Minolta Co., Ltd. | Electrostatic recording apparatus having a floating electrode on a photoelectric transfer member |
| US5930565A (en) * | 1997-04-18 | 1999-07-27 | Minolta Co., Ltd. | Image forming apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2891462B2 (en) | 1999-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5981123A (en) | Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method | |
| US5439768A (en) | Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method | |
| EP0676752B1 (en) | Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method | |
| JP2891462B2 (en) | Charge holding medium exposure recording method | |
| JP2927516B2 (en) | Information recording medium and electrostatic information recording / reproducing method | |
| JPH01293359A (en) | Electrostatic copying device | |
| JP2891461B2 (en) | Toner image forming method | |
| JPH021693A (en) | High resolution electrostatic camera | |
| JP2667222B2 (en) | Electrostatic image recording medium | |
| JPH01296255A (en) | Electrostatic charge retaining medium | |
| JPH01290366A (en) | Electrostatic charge image recording and reproducing method | |
| JP2835368B2 (en) | Image forming method and image forming apparatus | |
| JP2853362B2 (en) | Method for manufacturing image holding member | |
| JP3034256B2 (en) | High resolution electrostatic camera | |
| JP2716975B2 (en) | Charge holding medium on which voice and image information are recorded, and method for recording and reproducing the same | |
| JP2732855B2 (en) | Electrostatic camera with voice information input function | |
| JP2667198B2 (en) | Charge retention medium | |
| JPH0470843A (en) | Information recording medium and method for recording and reproducing electrostatic information | |
| JP2912429B2 (en) | Information recording medium, electrostatic information recording method, and electrostatic information recording / reproducing method | |
| JPH02176765A (en) | Recording and reproducing method for electrostatic image | |
| JPH01295897A (en) | Static charge recording card | |
| JPH02262664A (en) | Internal accumulation type electrostatic image recording medium and electrostatic image recording method | |
| JP2795851B2 (en) | Electrostatic image recording medium and charge holding medium | |
| JPH02245759A (en) | Internal accumulation type electrostatic charge image recording medium | |
| JPH02245758A (en) | Internal accumulation type electrostatic charge image recording medium |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |