JPH01283371A

JPH01283371A - スパッタ装置

Info

Publication number: JPH01283371A
Application number: JP11310788A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Manabe; 由雄真鍋; Tsuneo Mitsuyu; 常男三露
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1988-05-10
Filing date: 1988-05-10
Publication date: 1989-11-14
Anticipated expiration: 2010-02-22
Also published as: JPH0715145B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、スパッタ装置に関するもので、とくにマイク
ロ波と磁場を用いたスパッタ装置に関するものである。

従来の技術従来、マイクロ波と磁場を用いて高電離のプラズマを形
成し、プラズマ中のイオンに電界を加えて、ターゲット
に高速のイオンを照射し２てスパッタリング現象を起こ
して簿膜形成をおこさせることは、　よく知られている
。　［ジャム　ンシ゛ぜナル　オフ゛アプライｌ−゛　
　フィシ゛フクス　（ＪＡＰＡＮ　　ＪＯＵＲＮＡＬ　
　ＯＦ　　ＡＰＰＬＩＥＤ　　ＰＨＹＳＩＣ３）Ｖｏｌ
、２３．Ｎｏ、８．Ａｔ１ＧＵＳＴ、１９８４．ｐｐ、
Ｌ５３４−Ｌ５３６、特開昭ＧＯ−５０１１３７号公報
コ従来例の−っとして、第５図に装置の（既略図を示す
。基本構成としては、プラズマを発生させるプラズマ室
１２と基板６上に薄膜を形成する膜形成室１３の二基構
成であり、さらに膜形成室１３内部にターゲット１４を
設けて装置を構成している。このような構成は、プラズ
マ室１２をイオンの発生源として用いることにより、プ
ラズマ室１２てのイオンの発生と膜形成室１３てのスパ
ッタリング現象とをそれぞれ独立に制御できるようにす
るためである。すなわち、プラズマ室１２に、マイクロ
波と電磁石８によって発生した電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ）条件の磁場（マイクロ波の周波数ｆＯ＝２．
４５ＧＩＩ　ｚ　）場合、ＥＣＲ条件ノ磁場ＢＯ＝０．
０８７５Ｔ）を印加することによって、プラズマを形成
する。このプラズマは、引出し窓１５を通して磁場の印
加方向１１に沿って、膜形成室１３へ流れ出す。流れ出
す途中で、プラズマに対して負電位にしたターゲット１
４にプラズマ中のイオンか照射されて、スパッタリング
現象を起こす。ここてターゲット１４は、直円筒状また
は円錐状のものを配置している。そして、スパッタリン
グされたターゲットの物質は、プラズマ中に入って、イ
オン化されながら、プラズマと一緒に基板６」二に到達
する。その結果ターゲットの物質またはプラズマ中の物
質と反応合成された化合物が、基板６」二に形成される
。

このような構成で、基板θ上にたとえば酸化アルミニウ
ム膜を形成すると、高速で緻密な膜を得ることかできる
。

発明が解決しようとする課題しかしながら上記のような構成では、マイクロ波と磁場
によってプラズマ室で形成された高電離のプラズマのう
ち、引出し窓から流れ出す一部のイオンのみを、ターゲ
ットのスパッタとして使うので、堆積速度は、低く抑え
られてしまうという課題かあった。また、磁場の印加方
向に沿って流れ出したイオンが磁場の印加方向へ進むほ
ど、イオン数か減少する。このため、直円筒状または円
錐状のターゲットを磁場の印加方向に配置した場合、プ
ラズマの流れ出した付近のみスパッタリング現象か起こ
り、ターゲットの一部のみか膜形成に寄与するため、堆
積速度は低く抑えられてしまうという課題かあった。

さらに、プラズマ室で高く励起された非常に反応性のあ
る粒子（通常、励起粒子の寿命は数十ナノ秒程度）が、
ターゲットや基板表面に達するまでに低い励起状態や準
安定状態に減衰しまい膜質の低下を生じるという課題か
あった。また、プラズマ室中のイオンや扁速中性粒子を
原因とする壁面のスパッタによって、壁面の構成側斜が
膜中に不純物として混入し、膜質の劣化を生じさせてし
まう課題があった。

上記のように、プラズマ室と膜形成室の二基構成でイオ
ンの発生源の制御とスパッタリング現象を含む膜形成の
制御を独立に行っていたか、かかる課題のため、本発明
は、真空４’１’Ｎ−室でもイオンの発生と膜形成を独
立に制御を可能にし、そして高速堆積でかつ良質な膜形
成を可能にするスパッタ装置を提供することを目的とし
ている。

課題を解決するための手段本発明は、真空槽内にマイクロ波と磁場を印加し、マイ
クロ波を真空槽内に導入させた周辺でかつ、磁場の印加
方向以外の真空槽内面の表面に少なくとも一種類のター
ゲットを配置し、マイクロ波の伝搬モードを少なくとも
一つに固定するモード変換器を真空槽外部に設け、伝搬
モードとして１Ｍモードを用いたスパッタ装置である。

本発明は、真空槽内にマイクロ波と磁場を印加し、磁場
の印加方向以外でかつ、マイクロ波を真空槽内に導入し
た周辺の真空槽内面に、一種類以上で複数個のターゲッ
トを配置し、マイクロ波の伝搬モードを少なく一つに固
定するモード変換器を真空槽外部に設け、モード変換器
の断面形状とターゲットの断面形状とをほぼ同等にした
スパッタ装置である。

作用本発明は、上記のような構成にして、高電離のプラズマ
を形成し、ターゲットにこのプラズマ中のイオンを照射
させて、スパッタリング現象を起こし、基板上に薄膜形
成を行うものである。

、　　すなわち、真空槽内にマイクロ波と磁場を印加す
ると、高電離のプラズマが発生する。この高電離のプラ
ズマは、マイクロ波を真空槽内に導入させた周辺はと高
電離であるので、導入周辺にイオンが多量に存在する。

故にこの周辺にターゲットを配置することにより、ター
ゲットに多量のイオンを供給できる。これによって、プ
ラズマの制御はマイクロ波のパワーと磁場密度によって
なされ、スパッタリング現象の制御は、ターゲットの電
位の制御によってなされる。以上より真空槽−室であっ
テモ、プラズマとスパッタリング現象を独立に制御でき
、二基構成のものと同等の作用をもつ。

また、プラズマの形成は、マイクロ波の伝搬方向に沿っ
ておこなわれる。すなわち、マイクロ波の電界強度の高
い位置はど、高密度のプラズマが形成できる。とくに、
１Ｍモードのマイクロ波の電界分布は真空槽の表面に沿
って形成するので、マイクロ波の伝搬方向以外にターゲ
ットを配置するとターゲットの表面付近に高密度のプラ
ズマを形成でき、ターゲットに多量のイオンを供給でき
る。

さらに、磁場の印加方向以外で真空槽内面の表面にター
ゲットを配置したことにより、従来のようにプラズマ室
の外部にターゲットを配置したものに比べ、明かにター
ゲットの表面積を増加できる。また、プラズマ中のイオ
ンを有効にターゲット上に照射できるので、堆積速度を
増加させることができる。

加えて、モード変換器を真空槽外部にもうけることによ
り、真空槽内のマイクロ波の伝搬モードを固定できる。

真空槽内の放電が発生した場合、マイクロ波の電界強度
の強い位置はどイオンの密度が高いので、マイクロ波の
伝搬モードを固定することは重要である。とくに、１Ｍ
モードのように真空槽の表面付近に電界強度の強い位置
がくることは、ターゲットを真空槽内の表面に配置する
場合、蒸着速度の向上を生む効果がある。

さらに、真空槽中で高く励起せれた非常に反応性のある
粒子は短い時間でターゲットや基板表面に達するため、
低い励起状態や準安定状態に減衰することなく、高励起
の粒子が、膜形成やスパッタリング現象に寄与できる。

また、負電位のターゲットが真空槽内面の表面に配置し
ているため、プラズマ中のイオンや高速中性粒子を原因
とする真空槽の壁面のスパッタによる膜中への不純物の
混入を防ぐことができる。

また、磁場の印加方向にターゲットを配置した場合、マ
イクロ波の導入周辺付近のみ、スパッタリング現象が起
こるが、複数個のターゲットの配置により、それぞれの
ターゲットの印加電圧を調整することで解決できる。異
種のターゲットによるスパッタ率の違いの場合等でも同
様ことで、複数個のターゲットの配置で解決できる。

実施例以下図面に基づき、本発明の一実施例を第１図について
説明する。第１図は本発明の一実施例の装置概略図であ
る。図中の番号で、第５図と同一のものは同じ番号を付
した。１は真空槽、３はターゲットである。

以下、マイクロ波としてｆＯ＝２．４５ＧＨｚのものを
用いる。

真空槽１は、内径２０ｃｍのマイクロ波の円形導波管を
用いた。モード変換器として、円形ＴＭ０１モードマイ
クロ波導波管２を用いて、マイクロ波を真空槽１内に導
入した。ＴＭ旧モードマイクロ波導波管２は、内径１１
ｃｍ　＋長さ２８．３ｃ＋ｎとした。円形１Ｍモードマ
イクロ波導波管２は、ＴＭｍｎ、　　ＴＥｍｎモードの
高次モード（ＴＭモードの場合、ｍ　十ｎ≧２．ＴＥモ
ードの場合、ｍ　＋ｎ≧３および円形ＴＥ０１モード）
を励振てきない内径にした。真空槽１とマイクロ波導波
管２とは、同一の中心軸をもつように配置した。ターゲ
ット３は、磁場の印加方向１１の外周方向に配置し、そ
してマイクロ波を真空槽１内に導入させた周辺でかつ磁
場の印加方向１１以外の真空槽内面の表面、すなわち真
空槽１と円形ＴＭ０１モードマイクロ波導波管２との内
径差部分１８付近に配置した。

第２図にターゲット３の周辺の詳細図を示す。

ターゲット３は、金属または導電性の材料を用いて、外
径１［ｉｃｍ、内径１３　ｃｍ、　　高さｌ０ｃｍの大
きさの形状とした。ターゲット３と内径差部分１８（真
空槽１）とは、絶縁層４によって、絶縁されている。

そして、ターゲット３の側面かスパッタされないように
、ンールド５がターゲット３と間隙をもって、ターゲッ
ト３の一部を覆っている。１９は絶縁パイプ、２０は水
冷用パイプである。スパッタされる部分はターゲット３
の内面側であり、シール１２５の部分を除いたスパッタ
される面積は３３００ばてあった。

円形ＴＭ０１モードの電界分布の最大の伺近に高密度の
プラズマが形成するので、ターゲット３をこの電界の最
大のイ」近に配置した。また、磁場の強度は、電磁石８
によってＥＣＲ条件を満たすように（ｆ　Ｏ＝２．４５
ＧＨｚの場合、ＢＯ＝０．０８７５Ｔ）　した。基板６
とターゲット３との距離は、１５ｃｍとした。

辺土のように構成された本実施例のスパッタ装置を用い
て、以下酸化アルミニウム膜の形成について説明する。

　　ターゲット３としてアルミニウムを用い、スパッタ
カスとしてアルゴンカスと酸素カスを用い、それぞれ５
ＳＣＣＭ流し、全圧力を０．２Ｐａとした。基板６とし
てカラス基板を用いた。り＝１２− 一ゲット３に、電源９を接続して、基板ホルダー７に対
して一１００ｖの直流電圧を印加した。マイクロ波電力
は、４００Ｗであった。この条件でターゲラ）・３に流
れる電流は、はぼ１．３Ａて、電流密度は４ｍＡ／ｃ＋
＋？　であった。この電流密度の値は、従来例より２倍
増加して、ターゲット３を磁場の印加方向１１以外で真
空槽内面の表面に配置し、マイクロ波の伝搬モードをＴ
Ｍモードにした効果を知ることかできる。

以上の条件で酸化アルミニウム膜が、毎分３０ｎｍの蒸
着速度で形成された。この酸化アルミニウム膜は、屈折
率１．７６、組成比Ａｌ：　Ｏ＝２：　３の良質な膜で
あった。また、酸化アルミニウム膜中には、不純物とな
るアルミニウム以外の金属を検出できなかった。このこ
とは、磁場の印加方向１１以外て真空槽１の内面の表面
をターゲット３で覆った効果を知ることができる。

なお、本実施例において電磁石８によってＥＣＲ条件を
７菌だす磁場強度を形成していたか必ずしもＥＣＲ条件
を描たさなくてもよい。また磁場を発生させる手段とし
て電磁石以外の永久磁石なとを用いてもよい。

本実施例では、ターゲット３を一つ用いて装置を構成し
ているか、複数個のターゲットを配置してもよい。

本実施例では、電源９として直流電源を用い、ターゲッ
ト３として金属または導電性＋４　ＭＥを用いているか
、直流電源以外の交流電源や高周波電源を用いてもよ（
、ターゲット３として酸化物、炭化物、窒化物等の化合
物を用いてもよい。例えばターゲットとして、酸化ビス
マス、炭酸バリウム。

酸化ストロンチウム、酸化第−銅等を用いて、複合酸化
物薄膜を形成することは、本発明に含まれる。

本実施例では、マイクロ波の伝搬モードとして円形Ｔ　
Ｍ０１モードを用いたか、他のモードを用いてもよい。

本実施例では、スパッタカスとして、アルゴンカスと酸
素カスを用いたが、アルゴンカス以外の不活性ガスであ
れば何でもよく、また酸化物を形成する場合酸素ガス以
外の酸素を含むカスであれば何でもよく、酸化物以外の
炭化物や窒化物等の化合物を形成する場合窒素や炭素を
含むカスであればよい。

本発明の他の実施例を第３図について説明する。

第３図は本発明の他の実施例の装置概略図である。

図中の番号で、第１図と同一のものは同じ番号を付した
。１は真空槽、２は円形ＴＭ０１マイクロ波導彼管、３
は第１ターゲツト、２３は第２ターゲツト、２９は第２
電源である。

以下、マイクロ波としてｆＯ＝２．４５Ｃｉ）ｌｚのも
のを用いる。

真空槽１は、内径２０ｃｍの円筒形のものを用いた。

モード変換器として円形ＴＭ０１モードマイクロ波導波
骨導波管いて、マイクロ波を真空槽１に導入した。円形
ＴＭ０１モードマイクロ波導波骨導波管内径１１ｃｍ、
　　長さ２８．３ｃｍとした。円形ＴＭ０１モードマイ
クロ波導波骨導波管円形ＴＭｍｒ＋、ＴＥｍｎモードの
高次モード（ＴＭモードの場合、ｍ　＋　ｎ≧２゜ＴＥ
モードの場合、ｍ＋ｎ≧３および円形ＴＥ０１モード）
を励振てきない内径にした。真空槽１と円形ＴＭ０１モ
ードマイクロ波導波骨導波管、同一の中心軸をもつよう
に配置した。第１．第２ターゲット３，２３は、マイク
ロ波を真空槽１内に導入させた周辺、ずなわち真空４１
乃１と円形ＴＭ０１モードマイクロ波導波骨導波管内径
差部分１２付近でかつ、磁場の印加方向１１に配置した
。

第４図に第１．第２ターゲツ）３．２３の周辺の詳細図
を示す。第１．第２ターゲツ）３．２３は、金属または
導電性の材料を用いて、中空円筒状の形状とした。第１
．第２ターゲット３，２３の断面形状と円形ＴＭＯ＋モ
ードマイクロ波導波管２の断面形状は、はぼ同等すなわ
ち第１．第２ターゲット３，２３の内径を円形ＴＭ０１
モードマイクロ波導波骨導波管径と同じｌ１ｃｍとし、
高さを両ターゲット３，２３も１０ｃｍとした。第１．
第２ターゲット３．２３と内径差部分１８（真空槽１）
とは、絶縁層４によって絶縁され、また第１．第２ター
ゲットも同様に絶縁されている。第１．第２ターゲッｌ
−３，２３のスパッタされる面積は、３４５ｃイであっ
た。

磁場の強度は、電磁石８によってＥＣＲ条件を満たすよ
うに（ｆＯ＝２．４５ＧＨｚの場合、ＢＯ＝０．０８７
５Ｔ）した。基板６と第２ターゲツトの端面との距離は
、１６ｃｍとした。

以上のように構成された本実施例のスパッタ装置を用い
て、以下酸化アルミニウム膜の形成について説明する。

第１．第２ターゲツ）３．２３ともにアルミニウムを用
い、スパッタガスとしてアルゴンカスと酸素ガスを用い
、それぞれ５３ＣＣＭ流し、全圧力を０．２Ｐａさした
。基板６としてガラス基板を用いた。第１ターゲツト３
に第１電源９を、第２ターゲツト２３に第２電源２９を
接続して、基板ホルダー６に対して−８０、−２００Ｖ
の直流電圧を印加した。マイクロ波電力は、はぼ３００
Ｗであった。マイクロ波の入射電力Ｐμ〜３００Ｗ、　
　反射電力Ｐ　ｒｅｆ二ＩＷそしてＶＳＷＲ＝１．　１
３であった。そしてこのＶＳＷＲの値は、放電あるなし
にかかわらずほぼ同してあった。このようにマイクロ波
パワーを真空槽１内に効率よく導入できたのは、モード
変換器の断面形状とターゲットの断面形状を同等にした
効果と理解できる。

この条件で第１．第２ターゲット３．２３に流れる電流
はほぼ１．４Ａで、電流密度は４ｍＡ／ｃｎＦ　てあっ
た。この電流密度の値は、従来例より３倍増加して第１
．第２ターゲット３．２３を、磁場の印加方向１１以外
て真空＄４１Ｗ　１内面の表面に配置し、マイクロ波の
伝搬モードをＴＭモードにした効果を知ることかできる
。また、複数個のターゲットを用ない場合、電流密度が
３ｍＡ／Ｃ＋＋Ｆであり、これ以−に増加させると（マ
イクロ波パワーは一定）、アーク放電へ移行することと
なり、複数個のターゲットの配置にした効果を知ること
ができる。

以」二の条件で酸化アルミニウム膜が、毎分５０ｎｍの
蒸着速度で形成された。この酸化アルミニウム膜は、屈
折率１．７６、組成比Ａｌ：　０＝２：　３の良質な膜
であった。また、酸化アルミニウム膜中には、不純物と
なるアルミニウム以外の金属を検出てきなかった。この
ことは、真空槽１の内面の表面に複数個のタープｙ　ト
３．．２’３を配置した効果を知ることができる。

なお、本実施例において電磁石８によってＥＣＲ条件を
満たす磁場強度を形成していたか必すしもＥＣＲ条件を
満たさなくてもよい。また磁場を発生させる手段として
電磁石以外の永久磁石なとを用いてもよい。

本実施例では、ターゲットの周辺にシールドを用いずに
構成しているが、シールドをターゲットの周辺に配置し
ても本発明に含まれる。

本実施例では、２個のターゲラｌ−３，２３を用いて装
置を構成しているか、３個以」二のターゲットを配置し
てもよい。

本実施例では、電源９，２９として直流電源を用い、タ
ーゲットとじて金属または導電性材料を用いているか、
直流電源以外の交流電源や高周波電源を用いてもよく、
ターゲットとして酸化物、炭化物、窒化物等の化合物を
用いてもよい。また、本実施例では同じ種類のターゲッ
トを複数個用いたが、異種のターゲットを使ってもよい
。例えばターゲットとして、酸化ビスマス、炭酸バリウ
ム。

本実施例では、マイクロ波の伝搬モードとして円形ＴＭ
Ｏ＋モードを用いたか、他のモードを用いてもよい。

本実施例では、スパッタカスとしてアルゴンカスと酸素
カスを用いたか、アルゴンカス以外の不活性カスであれ
ば何でもよく、また酸化物を形成する場合酸素カス以外
の酸素を含むカスであれば何でもよく、酸化物以外の炭
化物や窒化物等の化合物を形成する場合窒素や炭素を含
むカスであればよい。

発明の効果以−」−説明したように、本発明は、真空槽内にマイク
ロ波と磁場を印加し、マイクロ波を真空槽内に導入させ
た周辺でかつ、磁場の印加方向以外の真空４１１１．ｊ
ｉ内面の表面に少なくとも一種類のターゲットを配置し
、マイクロ波の伝搬モードを少なくとも一つに固定する
モード変換器を真空格外部に設け、伝搬モードとしてＴ
Ｍモードを用いた簡易な構成で、高電離のプラズマをタ
ーゲットの表面に形成するので、ターゲットに多量のイ
オンを照射てき、堆積速度を増加させる効果をもつ。さ
らに、真空槽中て高く励起ぜれた非常に反応性のある粒
子は短い時間でターゲットや基板表面に達するため、低
い励起状態や準安定状態に減衰することなく、高励起の
粒子が、膜形成やスパッタリング現象に寄与でき、膜質
向上に効果をもつ。

また、負電位のターゲットが真空槽内面の表面を被って
いるため、プラズマ中のイオンや高速中性粒子を原因と
する真空槽の壁面のスパッタによる膜中への不純物の混
入を防ぐ効果がある。

マイクロ波と磁場の関係をＥＣＲ条件を満たずようにす
ると、高電離のプラズマを得て、さらに堆積速度を向上
させる効果をもつ。

また、本発明は真空槽内にマイクロ波と磁場を印加し、
磁場の印加方向以外でかつマイクロ波を真空槽内に導入
した周辺の真空槽内面に、一種類基」−で複数個のター
ゲットを配置し、マイクロ波の伝搬モードを少なくとも
一つに固定するモード変換器を真空槽外部に設け、モー
ド変換器の断面形状とターゲットの断面形状とをほぼ同
等にした簡易な＋Ｍ成て、高電離のプラズマをターゲッ
トの表面に形成するので、ターゲラ）・に多量のイオン
を照射てきる。このため、蒸着速度を増加させる効果を
もつ。また、複数個のターゲットを配置したことにより
、ターゲットの一部のみかスパッタされることはなくな
った。これによって、蒸着速度を増加させる効果をもつ
。そして、マイクロ波の伝搬モードを一つに固定するこ
とにより、マイクロ波の電界強度の強い位置にイオンの
密度が高くてき、堆積速度の向上に効果かある。さらに
、モー１！変換器の断面形状とターゲットの断面形状を
同等にすることによって、マイクロ波パワーを真空イ・
ハｊ内に効率よく導入できる。

以」二のように本発明は優れた効果を有するものであり
、本発明の工業的価値は高い。

【図面の簡単な説明】第１図は本発明の−・実施例のスパッタ装置概略断面図
、第２図は本実施例のターゲット周辺の詳細な断面図、
第３図は本発明の他の実施例のスパッタ装置概略断面図
、第４図は本実施例のターゲット周辺の詳細な断面図、
第５図は従来のスパッタ装置の概略断面図である。１・・・真空槽、２・・・円形ＴＭ０１モードマイクロ
波導波管、３・・・第１ターゲッｌ−１２３・・・第２
ターゲツト、　６・・・基板、　８・・・電磁石、　９
．２９・・・電源、１５・・・引出し窓。代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　はか１名−２３＝憾０＼暫依　　　　　　　　　　　―

Claims

【特許請求の範囲】

（１）真空槽内に、マイクロ波と磁場を印加し、前記マ
イクロ波を前記真空槽内に導入させた周辺でかつ、前記
磁場の印加方向以外の前記真空槽内面の表面を少なくと
も一種類のターゲットを配置したことを特徴とするスパ
ッタ装置。
（２）マイクロ波の伝搬モードを少なくとも一つに固定
するモード変換器を真空槽外部に設けたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のスパッタ装置。
（３）マイクロ波の伝搬モードとして、ＴＭモードを用
いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のスパ
ッタ装置。
（４）少なくとも一種類のターゲットを磁場の印加方向
に対して外周方向に配置したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のスパッタ装置。
（５）磁場をマイクロ波の周波数で決まる電子サイクロ
トロン共鳴（ＥＣＲ）条件をほぼ満たすことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のスパッタ装置。
（６）真空槽内に、マイクロ波と磁場を印加し、前記磁
場の印加方向以外でかつ、前記マイクロ波を前記真空槽
内に導入した周辺の前記真空槽内面に、一種類以上で複
数個のターゲットを配置し、前記マイクロ波の伝搬モー
ドを少なくとも一つに固定するモード変換器を前記真空
槽外部に設け、前記モード変換器の断面形状と前記複数
個のターゲットの断面形状とをほぼ同等にしたことを特
徴とするスパッタ装置。
（７）複数個のターゲットを、磁場の印加方向にそれぞ
れ電気的に分離して配置したことを特徴とする特許請求
の範囲第６項記載のスパッタ装置。
（８）マイクロ波の伝搬モードとして、ＴＭモードを用
いたことを特徴とする特許請求の範囲第６項記載のスパ
ッタ装置。
（９）真空槽を円筒形とし、ターゲットを中空円筒状に
し、マイクロ波の伝搬モードとして、円形ＴＭ０１モー
ドをしたことを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の
スパッタ装置。
（１０）磁場をマイクロ波の周波数で決まる電子サイク
ロトロン共鳴（ＥＣＲ）条件をほぼ満たすことを特徴と
する特許請求の範囲第６項記載のスパッタ装置。