JPH01282882A - 面発光型半導体レーザー装置 - Google Patents
面発光型半導体レーザー装置Info
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- JPH01282882A JPH01282882A JP63111489A JP11148988A JPH01282882A JP H01282882 A JPH01282882 A JP H01282882A JP 63111489 A JP63111489 A JP 63111489A JP 11148988 A JP11148988 A JP 11148988A JP H01282882 A JPH01282882 A JP H01282882A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は面発光型半導体レーザ装置に関するものである
。
。
従来、面発光型半導体レーザは、例えば昭和６０年度電
子通信学会半導体・材料部門全国大会予稿集（分冊１）
の第１−１１８頁に記載されているように第４図のよう
に構成されている。
子通信学会半導体・材料部門全国大会予稿集（分冊１）
の第１−１１８頁に記載されているように第４図のよう
に構成されている。
第４図において、基板１はｎ型ＧａＡｓからなり、該基
板には一生面から他主面に連通する２００ ｇ ｒａφ
の連通孔２が設けられている０発振層３は基板ｌの一生
面上に積層されており、該発振層３はｎ型Ａ１．）、３
ｃａｏ、７ Ａｓからなる第１クラッド層４と。
板には一生面から他主面に連通する２００ ｇ ｒａφ
の連通孔２が設けられている０発振層３は基板ｌの一生
面上に積層されており、該発振層３はｎ型Ａ１．）、３
ｃａｏ、７ Ａｓからなる第１クラッド層４と。
ｐ型Ａｌｏ、３ Ｇａ０．７ Ａｓからなる第２クラッ
ド層５とでｐ型ＧａＡｓからなる活性層６を挟装したも
のである。また上記第１．第２クラッド膜４．５および
活性層６の層厚は、それぞれ２．フルｍ、２．２ ｇ
ｔａおよび２．５ ｇ ｒａである。７はｐ型Ａ１６．
１ ｃａｏ、９ Ａｓからなる層厚０．１ｇｍのキャッ
プ層であり、該キャップ層は上記連通孔２の直下の第２
クラ７ド層５表面上に選択的に積層される。８は例えば
５ｉ０２からなる絶縁膜であり、該絶縁膜は、第５図に
も示されるように、上記キャップ層７表面の一部をリン
グ状に残して上記キャップ層７および第２クラッド層５
上に積層されている。 １０は、 Ａｕ−Ｚｎ−Ａｕの
３層からなる第２電極であり、該第２電極は上記キャッ
プ層７表面および絶縁膜８表面上に積層され、上記キャ
ップ層７とオーミックコンタクトをとる。１７はＳｎ層
であり、該Ｓｎ層は上記基板１の他主面平坦部に積層さ
れる。 １８はＡｕ層であり、該Ａｕ層は上記Ｓｎ層１
７表面、連通孔２内壁および連通孔２により露出される
第１クラッド層４表面に積層され、その層厚は約１０Ｏ
Ａである。
ド層５とでｐ型ＧａＡｓからなる活性層６を挟装したも
のである。また上記第１．第２クラッド膜４．５および
活性層６の層厚は、それぞれ２．フルｍ、２．２ ｇ
ｔａおよび２．５ ｇ ｒａである。７はｐ型Ａ１６．
１ ｃａｏ、９ Ａｓからなる層厚０．１ｇｍのキャッ
プ層であり、該キャップ層は上記連通孔２の直下の第２
クラ７ド層５表面上に選択的に積層される。８は例えば
５ｉ０２からなる絶縁膜であり、該絶縁膜は、第５図に
も示されるように、上記キャップ層７表面の一部をリン
グ状に残して上記キャップ層７および第２クラッド層５
上に積層されている。 １０は、 Ａｕ−Ｚｎ−Ａｕの
３層からなる第２電極であり、該第２電極は上記キャッ
プ層７表面および絶縁膜８表面上に積層され、上記キャ
ップ層７とオーミックコンタクトをとる。１７はＳｎ層
であり、該Ｓｎ層は上記基板１の他主面平坦部に積層さ
れる。 １８はＡｕ層であり、該Ａｕ層は上記Ｓｎ層１
７表面、連通孔２内壁および連通孔２により露出される
第１クラッド層４表面に積層され、その層厚は約１０Ｏ
Ａである。
また、上記平坦部上のＳｎ層１７およびＡｕ層１８は基
板１とオーミックコンタクトをとる第１電極となる。
板１とオーミックコンタクトをとる第１電極となる。
このような半導体レーザでは、第１．第２電極間に順方
向バイアスを印加すると、キャップ層７直下の活性層６
内（活性領域：図中斜線がほどこされた領域Ｄ）で発振
が生じ、連通孔２底部の第１クラッド層４表面よりレー
ザ光１８が出力されることとなる。
向バイアスを印加すると、キャップ層７直下の活性層６
内（活性領域：図中斜線がほどこされた領域Ｄ）で発振
が生じ、連通孔２底部の第１クラッド層４表面よりレー
ザ光１８が出力されることとなる。
上述した従来の問題点を第５図を参照して説明する。
第５図は第４図のＣ部分（図中、点線で囲まれて示され
ている）におけるレーザ発振の様子を説明するための図
である。
ている）におけるレーザ発振の様子を説明するための図
である。
同図かられかるように、金（Ａｕ）層１８と中心円絶縁
ｌｌｌ２（ＳｉＯｚ膜） ８ａとによりレーザ共振器が
形成されるが、発光領域である活性領域りは中心絶縁膜
８ａよりも幅広である。このため、中心円絶縁膜８ａの
存在する部分ではレーザ発振光ａが得られるが、これが
存在しない、そのまわりの部分では自然放出光すが強く
なる。すなわち、レーザ共振器に対応しレーザ発振光が
出射する部分ａと、自然放出光が出射するリング状の部
分すのように発光領域が２重構造となり、その発光スペ
クトルは第６図中破線Ｂのようにレーザ発振光以外の自
然放出光が比較的強く、発光する。このため１次のよう
な問題が生じる。
ｌｌｌ２（ＳｉＯｚ膜） ８ａとによりレーザ共振器が
形成されるが、発光領域である活性領域りは中心絶縁膜
８ａよりも幅広である。このため、中心円絶縁膜８ａの
存在する部分ではレーザ発振光ａが得られるが、これが
存在しない、そのまわりの部分では自然放出光すが強く
なる。すなわち、レーザ共振器に対応しレーザ発振光が
出射する部分ａと、自然放出光が出射するリング状の部
分すのように発光領域が２重構造となり、その発光スペ
クトルは第６図中破線Ｂのようにレーザ発振光以外の自
然放出光が比較的強く、発光する。このため１次のよう
な問題が生じる。
（１）注入電流の一部が自然放出光に寄与しているため
、外部微分量子効率が大きくならない。
、外部微分量子効率が大きくならない。
（２）発振光に比較してスペクトル幅が広い自然放出光
の割合いが端面発光型半導体レーザに比較して大きいた
め、単一縦モードの光を必要とする場合に適合しない。
の割合いが端面発光型半導体レーザに比較して大きいた
め、単一縦モードの光を必要とする場合に適合しない。
本発明の面発光型レーザは、光反射層は電流注入経路の
全面にわたって形成されている。
全面にわたって形成されている。
従来例では、活性層内で発光を生じさせるための電流注
入用電極と、発生した光の共振端面となる反射鏡とは別
個に設けられており、発光領域である活性領域と反射鏡
とを平面パターンで重ね合わせた場合に不一致が生じ、
この不一致部分で自然放出光が増大していた。
入用電極と、発生した光の共振端面となる反射鏡とは別
個に設けられており、発光領域である活性領域と反射鏡
とを平面パターンで重ね合わせた場合に不一致が生じ、
この不一致部分で自然放出光が増大していた。
本発明では、共振器端面となる光反射層を電流注入経路
の全幅にわたって設けることにより活性領域で生じた光
は、その発光面の全幅にわたって設けられた光反射層間
で増幅され、これにより、レーザ発振後の自然放出光の
減量、外部微分量子効率の白土を図れる。
の全幅にわたって設けることにより活性領域で生じた光
は、その発光面の全幅にわたって設けられた光反射層間
で増幅され、これにより、レーザ発振後の自然放出光の
減量、外部微分量子効率の白土を図れる。
支凰遺ユ
第１図は本発明の面発光型レーザ装置の第１の実施例の
斜視断面図である。
斜視断面図である。
同図において、１はｎ型ＧａＡｓからなる基板、２は該
基板の一生面から他主面に連通ずる２００ル履小の連通
孔、３は該基板１の一生面上に積層された発振層であり
、該発振層３はｎ型Ａ１゜、３ Ｇａ（、，７Ａｓから
なる第１クラッド層４とｐ型ＡＩ０．３ Ｇａ６，７Ａ
ｓからなる第２クラッド層５とでｐ型ＧａＡｓからなる
活性層６を挟装したものである。上記第１．第２クラツ
ド層４．５および活性層の層厚はそれぞれ３ｇｍ、２ｇ
ｍおよび３終履である。７はｐ型Ａｌ□、１ ｃａｏ、
９ Ａｓからなる層厚０．１ｇｍのキ’ｒ−／ブ層であ
り、該キャップ層７は上記連通孔２直下の第２クラッド
層５表面上に選択的に積層される。
基板の一生面から他主面に連通ずる２００ル履小の連通
孔、３は該基板１の一生面上に積層された発振層であり
、該発振層３はｎ型Ａ１゜、３ Ｇａ（、，７Ａｓから
なる第１クラッド層４とｐ型ＡＩ０．３ Ｇａ６，７Ａ
ｓからなる第２クラッド層５とでｐ型ＧａＡｓからなる
活性層６を挟装したものである。上記第１．第２クラツ
ド層４．５および活性層の層厚はそれぞれ３ｇｍ、２ｇ
ｍおよび３終履である。７はｐ型Ａｌ□、１ ｃａｏ、
９ Ａｓからなる層厚０．１ｇｍのキ’ｒ−／ブ層であ
り、該キャップ層７は上記連通孔２直下の第２クラッド
層５表面上に選択的に積層される。
８は例えば５ｉ０２からなる絶縁膜であり、該絶縁膜８
は上記キャップ層７表面の一部を円形状に残して上記キ
ャップ層７および第２クラッド層５上に積層される。９
は、例えば、Ｉ Ｔｏ （Ｉｎｄｉｕ＋ｓ ＴｉｎＯｘ
１ｄｅ）からなる透明電極層であり、上記絶縁層８お
よびキャップ層７上に積層される。１０は、例えば、Ａ
ｕ−Ｚｎ−Ａｕの３層からなる第２電極であり、該第２
電極は上記透明電極９表面上に積層され、キャップ層７
表面上の部分（第２電極１０内の斜線部Ａ２）がレーザ
共振器を構成する実効的反射鏡となる。１１は、例えば
ＩＴＯからなる透明電極であり、該透明電極層１１は上
記基板１表面、上記連通孔２の壁面ならびに上記連通孔
２底部の上記第１クラッド層表面に積層される。１２は
、例えばＡｕからなる第１電極兼反射鏡であり、該反射
鏡１２は上記透明電極層１１表面に積層されている。
は上記キャップ層７表面の一部を円形状に残して上記キ
ャップ層７および第２クラッド層５上に積層される。９
は、例えば、Ｉ Ｔｏ （Ｉｎｄｉｕ＋ｓ ＴｉｎＯｘ
１ｄｅ）からなる透明電極層であり、上記絶縁層８お
よびキャップ層７上に積層される。１０は、例えば、Ａ
ｕ−Ｚｎ−Ａｕの３層からなる第２電極であり、該第２
電極は上記透明電極９表面上に積層され、キャップ層７
表面上の部分（第２電極１０内の斜線部Ａ２）がレーザ
共振器を構成する実効的反射鏡となる。１１は、例えば
ＩＴＯからなる透明電極であり、該透明電極層１１は上
記基板１表面、上記連通孔２の壁面ならびに上記連通孔
２底部の上記第１クラッド層表面に積層される。１２は
、例えばＡｕからなる第１電極兼反射鏡であり、該反射
鏡１２は上記透明電極層１１表面に積層されている。
この構成の面発光型半導体レーザでは、第１゜第２電極
間に順方向バイアス電圧を印加すると、連通孔２底部か
ら活性領域（キャップ層７直下の活性層６内の斜線部分
Ｄ）を通りキャップ層７上で円形に接している透明電極
層９へ至る経路により活性領域へキャリアが注入され発
光が生じ、キャップ層７の直下、透明電極９表面の第２
電極１０の斜線部Ａ２と連通孔２底部の反射鏡１２とに
より構成される共振器の正帰還作用によりレーザ発振が
生じ、連通孔２の底部よりレーザ光１９が出力される。
間に順方向バイアス電圧を印加すると、連通孔２底部か
ら活性領域（キャップ層７直下の活性層６内の斜線部分
Ｄ）を通りキャップ層７上で円形に接している透明電極
層９へ至る経路により活性領域へキャリアが注入され発
光が生じ、キャップ層７の直下、透明電極９表面の第２
電極１０の斜線部Ａ２と連通孔２底部の反射鏡１２とに
より構成される共振器の正帰還作用によりレーザ発振が
生じ、連通孔２の底部よりレーザ光１９が出力される。
ここでは反射鏡が活性領域反射鏡側面と同じあるいは大
きい面積を持ち、かつ活性領域の直上および直下に位置
するので、その発光近視野像は第２図（ａ）、（ｂ）の
ように、活性領域に対応した円形状となる。また、その
発光スペクトルは第６図Ａのように自然放出光量が減少
して発振光量の０．１％以下となる。
きい面積を持ち、かつ活性領域の直上および直下に位置
するので、その発光近視野像は第２図（ａ）、（ｂ）の
ように、活性領域に対応した円形状となる。また、その
発光スペクトルは第６図Ａのように自然放出光量が減少
して発振光量の０．１％以下となる。
Ｘム■ユ
第３図は本発明の他の実施例である。
同図において、１はｎ型ＧａＡｓからなる基板、２は基
板１の一生面から他主面に連通する２００μＩφの連通
孔、３は基板１の一生面上に積層された発振層であり、
発振層３はｎ型Ａ１０．３ Ｇａｏ、７＾Ｓからなる第
１クラッド層４とｐ型ＡＩ６，３ Ｇａ６．７ Ａｓか
らなる第２クラッド層５とでｐ型ＧａＡｓからなる活性
層６を挟装したもので、上記第１．第２クラツド層４．
５および活性層の層厚はそれぞれ、３μｍ、２μｍおよ
び３μｍである。Ｉ３は、例えば発振波長の属の厚さの
Ｐ型Ａ１０、ＨＧａ６．９Ａｓと発振波長の属の厚さの
ｐ型Ａ１６．７ Ｇａｏ、３ Ａｓとで一対をなす層が
約２０対からなり、約９９％の反射率を持つ第２半導体
多層膜ブラッグ反射鏡であり、第２クラッド層５表面上
の連通孔２直下に選択的に積層される。１４はｎ型Ｇａ
Ａｓからなる電流ブロック層であり、第２クラッド層５
表面の第２半導体多層膜ブラッグ反射鏡１３以外の部分
に選択的に積層される。７はｐ型Ａ１０．１Ｇａ６．ｇ
Ａｓからなる層厚ｏ、ｉμｌのキャップ層であり、第
２半導体多層膜ブラッグ反射鏡１３ならびに電流ブロッ
ク層１４の表面上に積層される。ｌＯは、Ａｕ−Ｚｎ−
Ａｕの３層からなる第２電極であり、キャップ層７表面
上に積層される。Ｉ２は、発振波長のイの層膜からなる
ｎ型Ａｔ０．、 Ｇａ０．ｇ Ａｓおよび発振波長属の
層膜からなるｎ型Ａｔ０．７ Ｇａ６，３Ａｓとで一対
をなす層が約１５対からなり、約９５％の反射率を持つ
第１半導体多層膜ブラッグ反射鏡であり、基板１と第１
クラッド層４との間に形成されている。１１は、例えば
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）からなる
第１電極であり、基板１の他主面表面上、連通孔２壁面
および底部の第１半導体多層膜ブラッグ反射鏡１２表面
上に積層されている。
板１の一生面から他主面に連通する２００μＩφの連通
孔、３は基板１の一生面上に積層された発振層であり、
発振層３はｎ型Ａ１０．３ Ｇａｏ、７＾Ｓからなる第
１クラッド層４とｐ型ＡＩ６，３ Ｇａ６．７ Ａｓか
らなる第２クラッド層５とでｐ型ＧａＡｓからなる活性
層６を挟装したもので、上記第１．第２クラツド層４．
５および活性層の層厚はそれぞれ、３μｍ、２μｍおよ
び３μｍである。Ｉ３は、例えば発振波長の属の厚さの
Ｐ型Ａ１０、ＨＧａ６．９Ａｓと発振波長の属の厚さの
ｐ型Ａ１６．７ Ｇａｏ、３ Ａｓとで一対をなす層が
約２０対からなり、約９９％の反射率を持つ第２半導体
多層膜ブラッグ反射鏡であり、第２クラッド層５表面上
の連通孔２直下に選択的に積層される。１４はｎ型Ｇａ
Ａｓからなる電流ブロック層であり、第２クラッド層５
表面の第２半導体多層膜ブラッグ反射鏡１３以外の部分
に選択的に積層される。７はｐ型Ａ１０．１Ｇａ６．ｇ
Ａｓからなる層厚ｏ、ｉμｌのキャップ層であり、第
２半導体多層膜ブラッグ反射鏡１３ならびに電流ブロッ
ク層１４の表面上に積層される。ｌＯは、Ａｕ−Ｚｎ−
Ａｕの３層からなる第２電極であり、キャップ層７表面
上に積層される。Ｉ２は、発振波長のイの層膜からなる
ｎ型Ａｔ０．、 Ｇａ０．ｇ Ａｓおよび発振波長属の
層膜からなるｎ型Ａｔ０．７ Ｇａ６，３Ａｓとで一対
をなす層が約１５対からなり、約９５％の反射率を持つ
第１半導体多層膜ブラッグ反射鏡であり、基板１と第１
クラッド層４との間に形成されている。１１は、例えば
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）からなる
第１電極であり、基板１の他主面表面上、連通孔２壁面
および底部の第１半導体多層膜ブラッグ反射鏡１２表面
上に積層されている。
この構成の面発光型レーザでは、第１．第２電極間に順
方向バイアス電圧を印加すると、連通孔２底部から活性
領域（活性層６内の斜線部Ｄ）を通り第２半導体多層膜
ブラッグ反射鏡１３よりキャップ層７に至る経路を通っ
て活性領域へ電子・正孔が注入される。レーザ共振器を
構成する第２半導体多層膜ブラッグ反射鏡１３が正孔注
入面積と同一面積であるので、その発光近視野像はレー
ザー発振光だけで構成され、第２図に示す光強度分布と
なり、発光スペクトルは第６図のＡのように、自然放出
光が抑制された特性となる。
方向バイアス電圧を印加すると、連通孔２底部から活性
領域（活性層６内の斜線部Ｄ）を通り第２半導体多層膜
ブラッグ反射鏡１３よりキャップ層７に至る経路を通っ
て活性領域へ電子・正孔が注入される。レーザ共振器を
構成する第２半導体多層膜ブラッグ反射鏡１３が正孔注
入面積と同一面積であるので、その発光近視野像はレー
ザー発振光だけで構成され、第２図に示す光強度分布と
なり、発光スペクトルは第６図のＡのように、自然放出
光が抑制された特性となる。
（発明の効果〕
本発明の面発光型半導体レーザは、レーザ共振器を構成
する活性領域の直上、直下の共振器を構成する反射鏡を
、活性領域の結晶成長面の面積と同等またはそれ以上の
面積とすることにより、外部微分量子効率を向上させ、
かつ、発光光中の自然放出光の割合を低減させる効果が
ある。
する活性領域の直上、直下の共振器を構成する反射鏡を
、活性領域の結晶成長面の面積と同等またはそれ以上の
面積とすることにより、外部微分量子効率を向上させ、
かつ、発光光中の自然放出光の割合を低減させる効果が
ある。
第１図は本発明の面発光型半導体レーザ装置の第１の実
施例の斜視断面図、 第２図（ａ）、（ｂ）は本発明のレーザの光強度分布、 第３図は本発明の面発光型半導体レーザ装置の第２の実
施例の斜視断面図、 第４図は従来例の斜視断面図、 第５図は第４図の問題点を説明するための図、第６図は
発振スペクトル特性図である。 １・・・基板、 ２・・・連通孔、３・・・
発振層、 ４・・・第１クラッド層、５・・・
第２クラッド層、 ９．１１−・・透明電極、１０−・
・第２電極（兼第２反射鏡）、１２−・・第１電極（蓋
筒１反射鏡）。
施例の斜視断面図、 第２図（ａ）、（ｂ）は本発明のレーザの光強度分布、 第３図は本発明の面発光型半導体レーザ装置の第２の実
施例の斜視断面図、 第４図は従来例の斜視断面図、 第５図は第４図の問題点を説明するための図、第６図は
発振スペクトル特性図である。 １・・・基板、 ２・・・連通孔、３・・・
発振層、 ４・・・第１クラッド層、５・・・
第２クラッド層、 ９．１１−・・透明電極、１０−・
・第２電極（兼第２反射鏡）、１２−・・第１電極（蓋
筒１反射鏡）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）活性層と、該活性層を挟む第１導電型の第１のクラ
ッド層および第２導電型の第２のクラッド層と、該第１
および第２のクラッド層を挟む第１および第２の光反射
層とによりレーザ共振器が形成されており、電流注入に
よって前記活性層内の活性領域で発生した光を前記第１
および第２の光反射層間で共振、増幅してレーザ発振を
行なわせ、発生したレーザ光のうち、前記第１の光反射
層を透過したものをレーザ出力とする面発光型半導体レ
ーザ装置において、 前記第１および第２の光反射層は電流注入経路の全面に
わたって形成されていることを特徴とする面発光型半導
体レーザ装置。 ２）活性層と、該活性層を挟む第１導電型の第１のクラ
ッド層および第２導電型の第２のクラッド層と、該第１
のクラッド層上に形成され、レーザ共振器を構成する第
１の光反射層と、前記第２のクラッド層上に形成された
キャップ層と、該キャップ層上に形成された透明電極層
と、該透明電極層上において前記第１の光反射層と平行
に形成され、前記レーザ共振器を構成する第２の光反射
層とによりＰＮ接合を有する積層構造体が形成され、前
記積層構造体の各層の積層方向に沿ってキャリアを注入
し、前記活性層内の活性領域で発光した光を前記第１お
よび第２の光反射層との間で共振、増幅してレーザ発振
を行なわせ、発生したレーザ光のうち、前記第１の光反
射層を透過したものをレーザ出力とする面発光型半導体
レーザ装置。 ３）活性層と、該活性層を挟む第１導電型の第１のクラ
ッド層および第２導電型の第２のクラッド層と、該第１
のクラッド層上に形成され、レーザ共振器を構成する第
１の半導体多層膜ブラッグ反射鏡と、該第１のブラッグ
反射鏡上に形成された第１の電極と、前記第２のクラッ
ド層上に形成された第２の半導体多層膜ブラッグ反射鏡
と、該ブラッグ反射鏡上に形成されたキャップ層と、該
キャップ層上に形成された第２の電極とによりＰＮ接合
を有する積層構造体が形成され、前記第１および第２の
電極から前記積層構造体の各層の積層方向に沿ってキャ
リアを注入し、前記活性層内の活性領域で発光した光を
前記第１および第２の半導体多層膜ブラッグ反射鏡との
間で共振、増幅してレーザ発振を行なわせ、発生したレ
ーザ光のうち、前記第１の半導体多層膜ブラッグ反射鏡
および第１の電極を透過したものをレーザ出力とする面
発光型半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111489A JPH01282882A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 面発光型半導体レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111489A JPH01282882A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 面発光型半導体レーザー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01282882A true JPH01282882A (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=14562564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63111489A Pending JPH01282882A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 面発光型半導体レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01282882A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5457328A (en) * | 1993-06-21 | 1995-10-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device having strong directivity of light emission |
| JP2018129385A (ja) * | 2017-02-08 | 2018-08-16 | スタンレー電気株式会社 | 垂直共振器型発光素子 |
-
1988
- 1988-05-10 JP JP63111489A patent/JPH01282882A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5457328A (en) * | 1993-06-21 | 1995-10-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device having strong directivity of light emission |
| JP2018129385A (ja) * | 2017-02-08 | 2018-08-16 | スタンレー電気株式会社 | 垂直共振器型発光素子 |
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