JPH01276901A - Microwave transmission circuit device - Google Patents
Microwave transmission circuit deviceInfo
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- JPH01276901A JPH01276901A JP10630788A JP10630788A JPH01276901A JP H01276901 A JPH01276901 A JP H01276901A JP 10630788 A JP10630788 A JP 10630788A JP 10630788 A JP10630788 A JP 10630788A JP H01276901 A JPH01276901 A JP H01276901A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマイクロ波通信機器等に用いられる同軸線路と
マイクロストリップ線路の接続部におけるマイクロ波伝
送回路装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION FIELD OF INDUSTRIAL APPLICATION The present invention relates to a microwave transmission circuit device at a connection portion between a coaxial line and a microstrip line used in microwave communication equipment and the like.
従来の技術
近年マイクロ波通信機器等に用いられるマイクロ波伝送
路の主流はマイクロス） ＩＪツブ線路であ・るが、他
の機器との接続を考えると同軸線路との変換は不可欠で
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years, the mainstream microwave transmission line used in microwave communication equipment, etc. is the Micros) IJ tube line, but when considering connections with other equipment, it is essential to convert it to a coaxial line.
以下、図面を参照しながら上述したような従来の同軸線
路とマイクロストリップ線路の変換部について説明を行
う。Hereinafter, a conventional converter between a coaxial line and a microstrip line as described above will be explained with reference to the drawings.
第４図ム、Ｂは従来の前記同軸線路と前記マイクロスト
リップ線路との接続の一例を示すものである。第４図に
おいて、１は特性インピーダンス６０Ωなる同軸コネク
タで、２は内部からの電磁波漏洩を防止するケースであ
り、同軸コネクタ１の先端部はケース２の中空部も特性
インピーダンス６０Ωの同軸線路３として構成され、ケ
ース２内部に中心導体４のみ突出している。又、誘電体
基板６は金属板よりなるサブ基板６上に半田接続され、
サブ基板６とともにケース２にビス等で固定される。そ
して誘電体基板６上にマイクロストリップ線路により構
成されたマイクロ波集積回路は、入力部まで同軸線路３
と同じ特性インピーダンス５０Ωなるマイクロストリッ
プ線路７で引き延ばされ、前記同軸コネクタ１の中心導
体４と接続される。しかし、熱収縮率が小さいセラミッ
ク材料からなる誘電体基板３と金属よりなるケース′２
及びサブ基板６とでは熱収縮率に差があり、同軸コネク
・夕の中心導体４と特性インピーダンス６０Ωのマイク
ロストリップ線路７の間には大きなストレスを生じるた
め、単純に半田接続しただけでは前記マイクロストリッ
プ線路７と誘電体基板３との間の強度が十分ではない。Figures 4 and 4B show an example of a conventional connection between the coaxial line and the microstrip line. In Fig. 4, 1 is a coaxial connector with a characteristic impedance of 60Ω, 2 is a case that prevents leakage of electromagnetic waves from inside, and the tip of the coaxial connector 1 and the hollow part of the case 2 are also used as a coaxial line 3 with a characteristic impedance of 60Ω. Only the center conductor 4 protrudes inside the case 2. Further, the dielectric substrate 6 is soldered onto a sub-board 6 made of a metal plate,
It is fixed together with the sub-board 6 to the case 2 with screws or the like. The microwave integrated circuit, which is composed of a microstrip line on a dielectric substrate 6, has a coaxial line 3 up to the input section.
It is extended by a microstrip line 7 having the same characteristic impedance of 50Ω, and is connected to the center conductor 4 of the coaxial connector 1. However, the dielectric substrate 3 is made of a ceramic material with a low thermal shrinkage rate, and the case '2 is made of metal.
There is a difference in thermal contraction rate between the microstrip line 7 and the sub-board 6, and a large stress is generated between the center conductor 4 of the coaxial connector and the microstrip line 7 with a characteristic impedance of 60Ω. The strength between the strip line 7 and the dielectric substrate 3 is not sufficient.
たとえば、熱収縮によるストレスを特性インピーダンス
５０Ωのマイクロストリップ線路では吸収できないため
、ストリップ導体９パターン、はく離等を生じていた。For example, since stress due to thermal contraction cannot be absorbed by a microstrip line with a characteristic impedance of 50Ω, peeling of the nine strip conductor patterns occurred.
そのため同軸線路の中心導体４とマイクロストリップ線
路７の上部導体の接続部には、ワイヤボンディングや金
リボン１３による接続が不可欠であった。Therefore, the connection between the center conductor 4 of the coaxial line and the upper conductor of the microstrip line 7 requires wire bonding or connection using the gold ribbon 13.
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来のようにワイヤボンディングや金リ
ボン接続にすることは、マイクロ波伝送回路の一部に直
列にインダクタンスを挿入したことになり、伝送特性の
劣化を生じ、また微細な部品を接続するという作業上の
問題点を有していた。Problems to be Solved by the Invention However, using wire bonding or gold ribbon connection as in the past means inserting an inductance in series in a part of the microwave transmission circuit, which causes deterioration of transmission characteristics. There was a problem with the work involved in connecting minute parts.
本発明は上記間頂点に鑑み、同軸線路の中心導体とマイ
クロストリップ線路の上部導体を半田接続できるマイー
クロ波伝送回路装置を提供するものである。In view of the above points, the present invention provides a microwave transmission circuit device that can connect the center conductor of a coaxial line and the upper conductor of a microstrip line by soldering.
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明のマイクロ波伝送回路
は、同軸線路と誘電体基板上に構成されたマイクロスト
リップ線路の接続部に、前記同軸線路より特性インピー
ダンスの高いマイクロストリップ線路の前後に前記同軸
線路より特性インピーダンスの低いマイクロストリップ
線路を接続したことによりなる整合回路を設け、前記同
軸線路の中心導体に前記整合回路を半田接続したもので
ある。Means for Solving the Problems To achieve this object, the microwave transmission circuit of the present invention provides a connection section between a coaxial line and a microstrip line constructed on a dielectric substrate, which has a characteristic impedance higher than that of the coaxial line. A matching circuit is provided by connecting microstrip lines having a characteristic impedance lower than the coaxial line before and after the microstrip line, and the matching circuit is soldered to the center conductor of the coaxial line.
作用
本発明は上記した構成により、同軸線路の中心導体とマ
イクロストリップ線路の接続部に低インピーダンスの幅
広いマイクロストリップ線路を用いてマイクロストリッ
プ導体面と誘導体基板の接着強度を向上させ、同軸線路
の中心導体とマイクロストリップ線路の半田接続によっ
ても、熱ストレスによるはく離を減少せしめることとな
る。Effect of the Invention With the above-described configuration, the present invention improves the bonding strength between the microstrip conductor surface and the dielectric substrate by using a wide microstrip line with low impedance at the connection part between the center conductor of the coaxial line and the microstrip line. Solder connections between conductors and microstrip lines also reduce delamination due to thermal stress.
実施例
以、下水発明の一実施例のマイクロ波伝送回路について
図面を参照にしながら説明する。Embodiment Hereinafter, a microwave transmission circuit according to an embodiment of the sewage invention will be described with reference to the drawings.
第１図ム、Ｂは本発明の一実施例におけるマイクロ波伝
送回路の構成を示すものである。まず、特性インピーダ
ンス５０Ωの同軸コネクタ１の先端部は、ケース２の中
空部も特性インピーダンス５０Ωの同軸線路３で構成さ
れ、中心導体４のみケース２の内部に突出している。又
、誘電体基板、６は金属板よりなるサブ基板ｅ上に半田
接続され、サブ基板６とともにケース２にビス等で固定
される。なお同軸コネクタの中心導体４は、誘電体基板
Ｓ上に形成された特性インピーダンスが６０Ωよシ低い
マイクロストリップ線路９と半田接続されている。Figures 1 and 1B show the configuration of a microwave transmission circuit in an embodiment of the present invention. First, at the tip of the coaxial connector 1 having a characteristic impedance of 50Ω, the hollow portion of the case 2 is also constituted by a coaxial line 3 having a characteristic impedance of 50Ω, and only the center conductor 4 protrudes into the interior of the case 2. Further, the dielectric substrate 6 is soldered onto a sub-board e made of a metal plate, and fixed together with the sub-board 6 to the case 2 with screws or the like. The center conductor 4 of the coaxial connector is connected by solder to a microstrip line 9 formed on a dielectric substrate S and having a characteristic impedance lower than 60Ω.
さらに、前記特性インピーダンスが６０９より低いマイ
クロストリップ線路９は、特性インビー・ダンスが６０
Ωより高いマイクロストリップ線路８と別の特性インピ
ーダンスが５０Ωより低いマイクロストリップ線路１０
により構成される整合回路１１を介して、特性インピー
ダンスが５ｏΩのマイクロストリップ線路７に接続され
る。Furthermore, the microstrip line 9 whose characteristic impedance is lower than 609 has a characteristic impedance of 60.
A microstrip line 8 whose characteristic impedance is higher than Ω and another microstrip line 10 whose characteristic impedance is lower than 50Ω.
The microstrip line 7 having a characteristic impedance of 50Ω is connected to the microstrip line 7 through a matching circuit 11 configured by the following.
第２図は前記の接続部を構成するマイクロストリップ線
路導体パターンの拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of the microstrip line conductor pattern constituting the connection section.
例えば、誘電率ε＝９．９で厚さｔ ＝ ０．６３５羽
なる誘電体基板６の上で、特性インピーダンス５０Ωの
マイクロストリップ線路７の幅Ｗ。は約０．６順である
。その場合、整合回路１１を介さずに同軸コネクタ１の
中心導体４と半田接続すると、例えば−４０℃〜＋８６
℃のヒートサイクル試験を実施すると確実に導体パター
ンがはく離していた。一方、導体パターン面積が大きい
と導体面と誘電体基板の接着強度が大きくなることは、
実験的にも確かめられていたが、特性インピーダンスが
低くなるという問題があった。しかるにに０バンド帯の
マイ°クロ波機器で本発明の応用を考えた場合、例えば
使用帯域を１２．５ＧＨ２から１３．５ＧＨ２と限定す
ると、整合回路１１の寸法をｗ、＝ １．６Ｍ。For example, the width W of a microstrip line 7 having a characteristic impedance of 50Ω on a dielectric substrate 6 having a dielectric constant ε=9.9 and a thickness t=0.635. is approximately 0.6 order. In that case, if it is soldered to the center conductor 4 of the coaxial connector 1 without going through the matching circuit 11, the
When a heat cycle test at ℃ was performed, the conductor pattern definitely peeled off. On the other hand, when the conductor pattern area is large, the adhesive strength between the conductor surface and the dielectric substrate increases.
Although this has been confirmed experimentally, there is a problem in that the characteristic impedance becomes low. However, when considering the application of the present invention to 0-band microwave equipment, for example, if the usage band is limited to 12.5GH2 to 13.5GH2, the size of the matching circuit 11 is w, = 1.6M.
Ｗ２＝＝０．３７１ｆｆ 、 Ｌ、＝ ２ｕ 、 Ｌ２
＝０．２Ｉｎ１とすることにより伝送特性を前記使用帯
域内で劣化させることなく、前記特性インピーダンス６
０Ωのマイクロストリップ線路７０幅Ｗ。より広がりＷ
ｌの寸法で同軸コネクタ１の中心導体４と半田接続する
ことができる。W2==0.371ff, L,=2u, L2
=0.2In1, the characteristic impedance 6 can be reduced without deteriorating the transmission characteristics within the band used.
0Ω microstrip line 70 width W. More spacious W
It can be soldered connected to the center conductor 4 of the coaxial connector 1 with the dimension l.
第３図は、前記寸法からなる接続部の伝送特性を示す。FIG. 3 shows the transmission characteristics of a connection having the dimensions described above.
人は伝送ロスを、Ｂは反射ロスをそれぞれ示し、いずれ
も使用帯域（１２，５Ｇ）ｈ〜１３．６Ｇ）（ｚ）で極
めて小さくなっているものである。1 indicates transmission loss, and B indicates reflection loss, both of which are extremely small in the usage band (12.5G) h to 13.6G) (z).
なお整合回路１１は、分布定数型の低域通過フィルタを
構成しており、その寸法決定はフィルタ理論により容易
に設計が可能である。Note that the matching circuit 11 constitutes a distributed constant type low-pass filter, and its dimensions can be easily designed based on filter theory.
以上のよって本実施例によれば、同軸コネクタ１の中心
導体４との半田接続部面積を大きくし、さらに整合回路
１１を付加してやることによって、伝送特性の劣化なく
ヒートサイクルに強いマイクロストリップ線路と同軸線
路の接続が可能となる。As described above, according to this embodiment, by increasing the area of the solder connection part of the coaxial connector 1 to the center conductor 4 and adding the matching circuit 11, a microstrip line that is resistant to heat cycles can be achieved without deteriorating the transmission characteristics. It is possible to connect coaxial lines.
発明の効果
以上のように本発明によれば、同軸中心導体とマイクロ
ストリップ線路の接続部に、幅の広いマイクロス） Ｉ
Ｊツブ線路及び整合回路を構成することにより、祖送特
性を劣化させる金リボン接続を使用せず、ヒートサイク
ル等によってはく離しない強固なマイクロ波伝送回路の
接続ができ、その実用的効果は大きなものがある。Effects of the Invention As described above, according to the present invention, a wide microstrip is connected to the connection portion between the coaxial center conductor and the microstrip line.
By configuring the J-tube line and matching circuit, it is possible to connect a strong microwave transmission circuit that does not peel off due to heat cycles, etc., without using gold ribbon connections that deteriorate transmission characteristics, and its practical effects are significant. There is.
第１図ム、Ｂは、本発明の一実施例におけるマイクロ波
伝送回路装置の平面断面図および側面断面図、第２図は
本発明の一実施例図における接続部を構成するマイクロ
ストリップ線路導体パターンの拡大図、第３図は前記接
続部の伝送特性図、第４図ム、Ｂは従来の同軸線路とマ
イクロストリップ線路の接続部における構成を示す平面
断面図および側面断面図である。
１・・・・・・同軸コネクタ、２・・・・・・ケース、
３・・・・・・特性インピーダンス５０Ωの同軸線路、
４・・・・・・同軸コネクタの中心導体、５・・・・・
・誘電体基板、６・・・・・・サブ基板、７・・・・・
・特性インピーダンス５０Ωのマイクロストリップ線路
、８・・・・・・特性インピーダンスが６０Ωより高い
マイクロストリップ線路、９゜１０・・・・・・特性イ
ンピーダンスが６ｏΩより低いマイクロストリップ線路
、１１・・・・・・整合回路、１２・・・・・・半田接
続部。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
ｆ−・−周車山コキクタ
２−−一γ−ス
３−Ｗか五件乙°−タ５スタｏＨｙ）周粘禾系路４−・
−２阿身由コネクタの中曵場【外５−４舎４どｌ（蚤仮
６’−ｍ−“す′）戸【４（
！２−−−￥田刊１瞬〕ゆ
第２図
第３図
１−一周１１］ネ７り
十−一一周軸コネ７り／）申Ｉ亡婢４狐５・−療Ｉｉ五
艮隈
Ｅ、−一寸プ基版Figures 1 and 1B are a plan sectional view and a side sectional view of a microwave transmission circuit device according to an embodiment of the present invention, and Figure 2 is a microstrip line conductor constituting a connection section in an embodiment of the present invention. FIG. 3 is an enlarged view of the pattern, FIG. 3 is a transmission characteristic diagram of the connection portion, and FIG. 1... Coaxial connector, 2... Case,
3... Coaxial line with characteristic impedance 50Ω,
4... Center conductor of coaxial connector, 5...
・Dielectric substrate, 6... Sub board, 7...
・Microstrip line with characteristic impedance of 50Ω, 8...Microstrip line with characteristic impedance higher than 60Ω, 9゜10...Microstrip line with characteristic impedance lower than 6oΩ, 11... ...Matching circuit, 12...Solder connection part. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person No. 1
Figure f-・-Zhousha Yamakokikuta 2--1γ-su 3-W or 5 items O5-ta 5 star oHy) Zhouguhe system road 4-・
-2 Amiyu Connector Nakahikba [Outside 5-4 building 4 do l (flea 6'-m-"su') door [4 (!2---\denkan 1 shun] Yu Fig. 2 Figure 3 1-1 round 11] Ne 7ri 11-11 circumference axis connection 7ri /) Monkey I ghost 4 fox 5 - therapy Ii five-kuma E, - Issun Pu base version
Claims (1)
プ線路の接続部において、前記同軸線路より特性インピ
ーダンスの高いマイクロストリップ線路の前後に前記同
軸線路より特性インピーダンスの低いマイクロストリッ
プ線路を接続したことよりなる整合回路を設け、前記同
軸線路の中心導体を前記整合回路を介して前記マイクロ
ストリップ線路に半田接続したことを特徴とするマイク
ロ波伝送回路装置。At the connection between a coaxial line and a microstrip line constructed on a dielectric substrate, microstrip lines having a characteristic impedance lower than the coaxial line are connected before and after the microstrip line having a higher characteristic impedance than the coaxial line. A microwave transmission circuit device comprising: a matching circuit; and a center conductor of the coaxial line is soldered to the microstrip line via the matching circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10630788A JPH01276901A (en) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | Microwave transmission circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10630788A JPH01276901A (en) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | Microwave transmission circuit device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276901A true JPH01276901A (en) | 1989-11-07 |
Family
ID=14430341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10630788A Pending JPH01276901A (en) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | Microwave transmission circuit device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01276901A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004048617A (en) * | 2002-07-16 | 2004-02-12 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | Transmission line substrate for high frequency |
| JP2011119634A (en) * | 2009-10-28 | 2011-06-16 | Kyocera Corp | Package for electronic component mounting, and electronic device using the same |
| JPWO2015029942A1 (en) * | 2013-08-26 | 2017-03-02 | 京セラ株式会社 | High frequency circuit board, high frequency semiconductor package and high frequency semiconductor device using the same |
| WO2018116416A1 (en) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 三菱電機株式会社 | Waveguide-microstrip line converter and antenna device |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP10630788A patent/JPH01276901A/en active Pending
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