JPH01272126A - Apparatus for inspecting lead bend of semiconductor device - Google Patents
Apparatus for inspecting lead bend of semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。[Detailed description of the invention] The present invention will be described in the following order.
Ａ、産業上の利用分野
Ｂ９発明の概要
Ｃ９従来技術［第５図］
Ｄ１発明が解決しようとする問題点
Ｅ８問題点を解決するための手段
Ｆ９作用
Ｇ、実施例［第１図乃至第４図コ
Ｈ０発明の効果
（Ａ、産業上の利用分野）
本発明は半導体装置のリード曲り検査装置、特にリード
の半導体装置の平面方向における位置のずれである寄り
と、リードの高さ方向におけるずれである浮きについて
同時に検査することができる半導体装置のリード曲り検
査装置に関する。A. Industrial field of application B9 Summary of the invention C9 Prior art [Figure 5] D1 Problems to be solved by the invention E8 Means for solving the problems F9 Effects G. Examples [Figures 1 to 4 Figure H0 Effects of the Invention (A, Industrial Field of Application) The present invention is an apparatus for inspecting lead bending of semiconductor devices, and in particular, the deviation of the leads in the planar direction of the semiconductor device, and the deviation in the height direction of the leads. The present invention relates to a lead bending inspection device for semiconductor devices that can simultaneously inspect for looseness.
（Ｂ、発明の概要）
本発明は、半導体装置のリード曲り検査装置において、
各リード毎に寄りと浮きを高績度で高速に検査できるよ
うにするため、
リードの上下方向における位置を検出する変位センサと
、該変位センサと被検査半導体装置の間の位置関係を変
化させる移動手段とを設けたものである。(B. Summary of the Invention) The present invention provides a displacement sensor that detects the position of a lead in the vertical direction in order to enable high-performance, high-speed inspection of deviation and floating of each lead in a lead bending inspection device for semiconductor devices. and a moving means for changing the positional relationship between the displacement sensor and the semiconductor device to be inspected.
（Ｃ，従来技術）［第５図］
ＩＣの回路基板へのスムーズな接続にはリード曲りの有
無を検査してリード曲りの有るものについては組立工程
から一旦除外しリード曲りを直したうえで組立工程に戻
して回路基板に接続するようにする必要があり、そのた
め例えば特開昭５７−１２２５５７号公報に示すような
半導体装置のリード曲り検査装置を用いてリード曲りの
有無の検出が行われた。(C, Prior Art) [Figure 5] In order to smoothly connect the IC to the circuit board, inspect for bent leads. If the leads are bent, remove them from the assembly process and correct the bent leads. It is necessary to return the lead to the assembly process and connect it to the circuit board. Therefore, for example, the presence or absence of lead bending is detected using a semiconductor device lead bending inspection device as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 57-122557. Ta.
ところで、ＩＣのリード曲りには第５図に示すようにＩ
Ｃ２の平面方向における位置のずれと、上下方向におけ
る位置のずれとがあり、前者を寄りといい、後者を浮き
といい、いずれもＩＣの回路基板へのスムーズな取り付
けを妨げる要因となるので検出しなければならない。By the way, as shown in Figure 5, there is an I
There is a positional deviation of C2 in the plane direction and a positional deviation in the vertical direction.The former is called skewing, and the latter is called floating. Both are factors that prevent the IC from being smoothly installed on the circuit board, so they should be detected. Must.
そして、上記公報に示された半導体装置のリード曲り検
査装置は、デュアルインラインタイプのｔＣのリードの
先端より梢中央寄りの位置をレーザ等からの光で走査し
リードを挟んでレーザ等と反対側に配置したセンサでそ
の光を受光してそこに存在するリードの先端の数をカウ
ントすることによりリード曲りの有無を検出するもので
ある。The lead bending inspection device for semiconductor devices disclosed in the above publication uses light from a laser, etc. to scan a position near the center of the treetop from the tip of a dual-in-line type tC lead, and scans the position on the opposite side of the laser, etc. with the lead in between. The presence or absence of a bend in the lead is detected by receiving the light with a sensor placed in the area and counting the number of lead tips present there.
この半導体装置のリード曲り検査装置では、カウント値
が本来あるべきリードの本数よりも少ないと少ない数だ
けリード曲りがあると判断するのである。In this semiconductor device lead bending inspection apparatus, if the count value is less than the number of leads that should be present, it is determined that there is a bend in the leads by a smaller number.
また、従来のリード曲り検査装置として画像部、理によ
りリード自りを検出するものがある。これは並んだリー
ドｂ、ｂ、・・・の端面をビデオカメラにより撮像し、
各リードｂ、ｂ、・・−の各先端面が占める画面上の位
置の座標から各リードｂ、ｂ、・・・それぞれについて
寄りと浮きを求めるものである。Further, as a conventional lead bending inspection device, there is one that detects the lead itself using an image section. This is done by capturing images of the end faces of the leads b, b, etc. lined up with a video camera,
The shift and lift of each lead b, b, . . . are determined from the coordinates of the position on the screen occupied by the tip end surface of each lead b, b, .
また、透過方式によりリードの寄りと浮きの両方を検出
する半導体装置のリード曲り検査装置もある。この透過
式のリード曲り検査装置は、ＩＣのリード配置部の上側
にレーザを配置し、下側にフォトセンサを配置し、フォ
トセンサにレーザからのビームを受光させることにより
リードの寄りを検出し、また、リード配置部の一方の側
にレーザを配置し、他方の側にフォトセンサを配置して
レーザからのビームを受光させることによりリードの浮
きを検出するものである。There is also a lead bending inspection device for semiconductor devices that uses a transmission method to detect both lead deviation and floating. This transmission type lead bending inspection device has a laser placed above the IC lead placement area, a photosensor placed below, and detects lead deviation by having the photosensor receive a beam from the laser. In addition, a laser is disposed on one side of the lead placement section, a photosensor is disposed on the other side, and the floating of the lead is detected by receiving the beam from the laser.
また、表面粗さ測定方法によりリード曲りを測定する検
査装置もある。これは、測定子をＩＣリードに接触させ
ながら動かし測定子がそれによってどう変位するかによ
ってリード曲りを検出するものである。There is also an inspection device that measures lead bending using a surface roughness measuring method. This method detects lead bending by moving the probe while making contact with the IC lead and observing how the probe is displaced.
（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）ところで、特開
昭５７−１２２５５７号公報に示された半導体装置のリ
ード曲り検査装置によれば、何本のリードに寄りがあっ
たかは判定できてもどのリードに寄りがあったかは判定
できず、しかも、寄りが小さい場合にはその寄りのある
リードはカウントされてしまうので、小さい寄りは検出
できないという欠点がある。また、浮きは検出すること
ができない。(D. Problem to be Solved by the Invention) By the way, according to the semiconductor device lead bending inspection device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-122557, it is possible to determine how many leads are bent. It is not possible to determine which lead has a shift, and if the shift is small, the lead with that shift is counted, so a small shift cannot be detected. Furthermore, floating cannot be detected.
また、上記の画像処理によりリード曲りを検出するリー
ド曲り検出装置によれば、リードの寄りと浮きとを同時
に検出することができるけれども、検出装置としての分
解能が使用するカメラと、画像処理用のメモリの容量と
によって規定され、視野を広くすると分解能が悪くなり
、充分な測定精度が得られない。一般には分解能が４０
μｍであるがもっと分解能を良くする必要があり、その
要求には応えていないのが実情である。勿論、カメラの
視野を狭くすれば分解能は高くなるが、その代りに１列
のリードのリード曲り検査のために行うカメラによる撮
影及び画像処理の回数が増え、検査に要する時間が長く
なるので好ましくない。Furthermore, although the lead bending detection device that detects lead bending through image processing described above can simultaneously detect lead deviation and floating, the resolution of the detection device is limited by the camera used and the It is determined by the capacity of the memory, and as the field of view becomes wider, the resolution deteriorates, making it impossible to obtain sufficient measurement accuracy. Generally the resolution is 40
Although it is micrometer, it is necessary to improve the resolution, and the reality is that this demand is not met. Of course, if the field of view of the camera is narrowed, the resolution will increase, but this is preferable because the number of times the camera takes pictures and processes images to inspect lead bending in one row of leads increases, and the time required for the inspection increases. do not have.
次に、透過方式によりリードの寄りと浮きの両方を検出
する装置はレーザとフォトセンサのセットが２組必要で
あり、装置価格が高価になってしまう。そして、浮きの
測定に関しては各リード１本毎の浮きの絶対量を測定す
ることができないという問題もある。Next, a device that uses a transmission method to detect both lead deviation and floating requires two sets of lasers and photosensors, which increases the cost of the device. Furthermore, regarding the measurement of floating, there is a problem in that it is not possible to measure the absolute amount of floating for each lead.
そして、表面粗さ測定方法によりリード曲りを検査する
検査装置によれば、機械的な測定をするので高速性に乏
しく、検査時間が長くなるという問題がある。また、測
定のためにリードに測定子を接触させる必要があるが、
ＩＣリードにとってそれは余り好ましくないことではな
く、これも問題点となる。According to an inspection apparatus that inspects lead bending using a surface roughness measuring method, since the measurement is performed mechanically, there is a problem in that high speed is poor and the inspection time is long. Also, it is necessary to touch the probe to the lead for measurement.
This is not a bad thing for IC leads, but it is also a problem.
本発明はこのような事情に鑑みて為されたものであり、
各リード毎に寄りと浮きを高精度で高速に且つ簡単な構
造で検査できるようにすることを目的とする。The present invention has been made in view of these circumstances,
It is an object of the present invention to enable inspection of deviation and floating of each lead with high accuracy, high speed, and a simple structure.
（Ｅ、問題点を解決するための手段）
本発明半導体装置のリード曲り検査装置は上記問題点を
解決するため、リードの上下方向における位置を検出す
る変位センサと、該変位センサと被検査半導体装置の間
の位置関係を変化させる移動手段とを設けたことを特徴
とする。(E. Means for Solving the Problems) In order to solve the above-mentioned problems, the present invention semiconductor device lead bending inspection apparatus includes a displacement sensor that detects the vertical position of the lead, and a combination of the displacement sensor and the semiconductor to be inspected. The apparatus is characterized in that a moving means for changing the positional relationship between the apparatuses is provided.
（Ｆ、作用）
本発明半導体装置のリード曲り検査装置によれば、変位
センサのアナログ出力信号から直接ないし直接的に各リ
ードの浮きを順次に検出することができる。(F. Effect) According to the lead bending inspection device for a semiconductor device of the present invention, floating of each lead can be sequentially detected directly or directly from the analog output signal of the displacement sensor.
そして、上記変位センサのアナログ出力信号を適宜なレ
ベルの信号と比較する等してリードが存在する部分と存
在しない部分を２値化したディジタル信号をつくること
により、各リードの平面的位置関係を把握することがで
き、延いてはリードの寄りを検出することができる。Then, by comparing the analog output signal of the displacement sensor with a signal of an appropriate level, and creating a digital signal that binarizes the portion where the lead is present and the portion where the lead is not present, the two-dimensional positional relationship of each lead is determined. It is possible to grasp this, and in turn, detect the deviation of the lead.
（Ｇ、実施例）［第１図乃至第４図］
以下、本発明半導体装置のリード曲り検査装置を図示実
施例に従って詳細に説明する。(G. Embodiment) [FIGS. 1 to 4] Hereinafter, a lead bending inspection apparatus for a semiconductor device of the present invention will be described in detail according to the illustrated embodiment.
第１図乃至第４図は本発明半導体装置のリード曲り検査
装置の一つの実施例を説明するためのもので、第１図は
装置の概略を示す斜視図、第２図は要部を示す正面図、
第３図は回路図、第４図は動作を示すタイムチャートで
ある。1 to 4 are for explaining one embodiment of a lead bending inspection device for a semiconductor device according to the present invention. FIG. 1 is a perspective view showing the outline of the device, and FIG. 2 is a main part. Front view,
FIG. 3 is a circuit diagram, and FIG. 4 is a time chart showing the operation.
図面において、１はＩＣ２を支持するＩＣ支持台であり
、該ＩＣ支持台１の最上部はガラス板３ａからなり、該
ガラス板３ａの下側の部分は光反射性を有する例えばテ
フロン３ｂからなる。該テフロン３ｂは光を反射するた
めに設ける。また、該テフロン３ｂの上にガラス板３ａ
を設けるのは、リード１１の表面とテフロン３ｂの表面
との間に充分な高低差をつくるためである。このように
する理由は後で明らかになる。４はＩＣ支持台１を矢印
方向に移動する移動機構、５は該移動機構４の動力源で
あるステッピイングモータで、パルスゼネレータでつく
られたクロックパルスをドライブ回路で処理してつくっ
たモータ駆動パルスを受けて回転してＩＣ支持台１を移
動させる。In the drawing, reference numeral 1 denotes an IC support stand that supports the IC 2. The top of the IC support stand 1 is made of a glass plate 3a, and the lower part of the glass plate 3a is made of a light-reflecting material such as Teflon 3b. . The Teflon 3b is provided to reflect light. Moreover, a glass plate 3a is placed on the Teflon 3b.
The purpose of providing this is to create a sufficient height difference between the surface of the lead 11 and the surface of the Teflon 3b. The reason for doing this will become clear later. 4 is a moving mechanism that moves the IC support base 1 in the direction of the arrow; 5 is a stepping motor that is the power source for the moving mechanism 4; the motor is driven by processing clock pulses generated by a pulse generator in a drive circuit; The IC support stand 1 is moved by rotating in response to a pulse.
６はステッピイングモータ５が一定の回転角度回転する
毎に１パルスを発生するエンコーダである。Reference numeral 6 denotes an encoder that generates one pulse each time the stepping motor 5 rotates by a certain rotation angle.
７はＩＣ支持台１の上方に配置されたセンサ支持部で、
ＩＣ支持台１に対して平行な下面８ａに測定用ビーム９
を出射する例えば半導体レーザ等のレーザ１０が配置さ
れ、上記下面８ａに連なるところの斜め下向きの傾斜面
８ｂに、上記レーザ１０から出射されＩＣ２のリード１
１あるいはＩＣ支持台１のテフロン３ｂで反射されたレ
ーザビーム９を受光する変位センサ１２が配置されてい
る。該変位センサ１２は例えば光位置検出素子（ＰＳＤ
）からなり、受光面のどの位置に光を受光したかを検出
することができる。7 is a sensor support part placed above the IC support stand 1;
A measurement beam 9 is provided on the lower surface 8a parallel to the IC support 1.
A laser 10, such as a semiconductor laser, which emits light is disposed, and the laser 10 emits light from the lead 1 of the IC 2 on the diagonally downward inclined surface 8b that is connected to the lower surface 8a.
A displacement sensor 12 is arranged to receive the laser beam 9 reflected by the Teflon layer 3b of the IC support 1 or the IC support 1. The displacement sensor 12 is, for example, a optical position detection device (PSD).
), and it is possible to detect at which position on the light receiving surface the light is received.
上記レーザ１０はＩＣ支持台１の表面に対して垂直に測
定用ビーム９を照射するようにセンサ支持部７の下面８
ａに配置されており、そして、例えば第２図において実
線で示すように測定用ビーム９が浮きのあるリードｆｌ
ｂによって高い位置で反射された場合と、同じく２点鎖
線で示すようにガラス板３ａを透過してテフロン３ｂの
表面まで達し、該表面にて（即ち、低い位置にて）反射
された場合とで測定用ビーム９の変位センサ１２受光面
に入射する位置が異なる。即ち、レーザ１０から出射さ
れた測定用ビーム９の変位センサ１２側へ反射される場
所の高さによって変位セフサ１．２受光面の入射位置が
異なり、そして、その入射位置が変位センサ１２からア
ナログの信号として出力される。The laser 10 irradiates the lower surface 8 of the sensor support 7 with a measurement beam 9 perpendicular to the surface of the IC support 1.
a, and for example, as shown by the solid line in FIG.
There are two cases: the light is reflected at a high position by b, and the case where it passes through the glass plate 3a and reaches the surface of the Teflon 3b, as shown by the two-dot chain line, and is reflected at the surface (that is, at a low position). The position where the measurement beam 9 enters the light receiving surface of the displacement sensor 12 differs. That is, the position of incidence on the light-receiving surface of the displacement sensor 1.2 varies depending on the height of the place where the measurement beam 9 emitted from the laser 10 is reflected toward the displacement sensor 12. is output as a signal.
次に、第３図に示す回路の構成について説明する。Next, the configuration of the circuit shown in FIG. 3 will be explained.
１３は検査時にレーザ１０を点灯させ、点灯時に出力を
所定の値を保つように出力制御するレーザ駆動回路で、
演算及び制御回路１４により制御される。１５は変位セ
ンサ１２のアナログの出力信号Ｂをディジタル信号に変
換するＡ／Ｄコンバータで、演算及び制御回路１４から
サンプリングパルスＥを受けて動作する。１６は変位セ
ンサ１２のアナログ出力信号Ｂと基準信号Ｃを比較する
コンパレータ、１７はステッピイングモータ５を駆動す
るドライブ回路、１８はパルス発生回路である。13 is a laser drive circuit that lights up the laser 10 during inspection and controls the output to maintain a predetermined value when the laser is lit;
It is controlled by an arithmetic and control circuit 14. Reference numeral 15 denotes an A/D converter that converts the analog output signal B of the displacement sensor 12 into a digital signal, and operates upon receiving the sampling pulse E from the calculation and control circuit 14. 16 is a comparator that compares the analog output signal B of the displacement sensor 12 with the reference signal C, 17 is a drive circuit that drives the stepping motor 5, and 18 is a pulse generation circuit.
次に、第４図に従って回路動作を説明する。この図は、
ＩＣ支持台１を第１図における左斜め上方向に一定速度
で移動させることによりリード１１．１１、−の先端よ
りも稍内側（例えば２ｍｍ程度内側）のところをレーザ
１０から出力される測定用ビーム９で走査しながら測定
した場合の動作を示す。Next, the circuit operation will be explained according to FIG. This diagram is
By moving the IC support stand 1 at a constant speed diagonally upward to the left in FIG. The operation when measuring while scanning with beam 9 is shown.
ＩＣ支持台１をステッピイングモータ５によりて移動す
ると一定社移動する毎にエンコーダ６からパルスＡが出
力される。このパルスＡは演算及び制御回路１４に入力
され、該回路１４内蔵の図示しないカウンタにおいてカ
ウントされ、そのカウント値は検査位置を示す位置情報
として利用される。When the IC support stand 1 is moved by the stepping motor 5, a pulse A is output from the encoder 6 every time it moves a certain distance. This pulse A is input to the arithmetic and control circuit 14 and counted by a counter (not shown) built into the circuit 14, and the count value is used as position information indicating the inspection position.
変位センサ１２からは測定用ビーム９がリード１１ある
いはＩＣ支持台１のテフロン３ｂによって反射された位
置の高さに対応した大きさのアナログ信号Ｂが出力され
る。従って、検査位置、即ち、測定用ビーム９の走査位
置がリード１１の存在していないところであればテフロ
ン３ｂの表面という低い位置がビーム９の反射位置とな
りアナログ出力信号Ｂは低レベルになる。走査位置がリ
ード１１の存在しているところであれば高い位置で光が
反射されることになりそのアナログ出力信号Ｂは上記レ
ベルよりも高いレベルになり、そしてそのリードに浮き
があれば（リードｆｌｂがそれである）更に高いレベル
になる。従って、この変位センサ１２のアナログ出力信
号Ｂから浮きについて正確に検査できるのである。ただ
、信号処理上の必要性から上記アナログ出力信号Ｂを、
Ａ／Ｄコンバータ１５により変換して演算及び制
御回路１４に人力する。尚、Ａ／Ｄコンバータ１５のサ
ンプリングのタイミングは演算及び制御回路１４からサ
ンプリングパルスＥによって制御されるが、このサンプ
リングパルスＥの形成に関しては後で説明する。The displacement sensor 12 outputs an analog signal B having a magnitude corresponding to the height of the position where the measurement beam 9 is reflected by the lead 11 or the Teflon 3b of the IC support 1. Therefore, if the inspection position, ie, the scanning position of the measurement beam 9, is where the lead 11 is not present, the low surface of the Teflon 3b becomes the reflection position of the beam 9, and the analog output signal B becomes a low level. If the scanning position is where the lead 11 exists, the light will be reflected at a high position, and the analog output signal B will be at a higher level than the above level, and if the lead is floating (lead flb ) to a higher level. Therefore, it is possible to accurately test for floating from the analog output signal B of the displacement sensor 12. However, due to the necessity of signal processing, the analog output signal B is
The data is converted by the A/D converter 15 and input to the calculation and control circuit 14 manually. Note that the sampling timing of the A/D converter 15 is controlled by a sampling pulse E from the calculation and control circuit 14, and the formation of this sampling pulse E will be explained later.
変位、センサ１２のアナログ出力信号Ｂはコンパレータ
１６において基準信号Ｃと比較されてディジタル信号に
変換され、リードの寄りを示す情報として演算及び制御
回路１４において処理される。上記基準信号Ｃは、浮き
のないリード１１の表面より稍低い位置で測定用ビーム
９が反射されたとしたら変位センサ１２から出力される
アナログ出力信号Ｂと同じレベルに設定されており、従
って、コンパレータ１６の出力信号りはそのまま各リー
ド１１．１１、・−の上から見た位置を示す信号となり
、この信号からリードの寄りを把握することができるの
である。The analog output signal B of the displacement sensor 12 is compared with the reference signal C in the comparator 16, converted into a digital signal, and processed in the arithmetic and control circuit 14 as information indicating the deviation of the lead. The reference signal C is set to the same level as the analog output signal B that would be output from the displacement sensor 12 if the measurement beam 9 were reflected at a position slightly lower than the surface of the lead 11 without floating, and therefore, the comparator The output signal 16 directly becomes a signal indicating the position of each lead 11, 11, .
尚、このディジタル信号をつくり易くするためには、測
定用ビーム９がリード１１を走査しているときとり−ド
１１が存在していないところを走査しているときとで変
位センサ１２のアナ−ログ出力信号Ｂのレベルに充分な
差があることが好ましい。そこで、前述のよに支持台１
の表面部をテフロン３ｂの表面にガラス板３ａを配置し
た構造にしてリード１１の表面とテフロン３ｂの表面に
充分な高低差が生じるようにしたものである。このコン
パレータ１６の出力信号は演算及び制御回路１４に人力
され、該回路１４において処理されて寄りのデータがつ
くられる。In order to make it easier to create this digital signal, the analog of the displacement sensor 12 must be changed when the measurement beam 9 is scanning the lead 11 and when it is scanning an area where the lead 11 is not present. It is preferable that there is a sufficient difference in the level of the log output signal B. Therefore, as mentioned above, the support
The surface portion of the lead 11 has a structure in which a glass plate 3a is placed on the surface of the Teflon 3b, so that a sufficient height difference is created between the surface of the lead 11 and the surface of the Teflon 3b. The output signal of this comparator 16 is inputted to an arithmetic and control circuit 14, where it is processed and generated data.
尚、コンパレータ１６の出力信号りは上記サンプリング
パルスＥの発生タイミングを決めるのにも使用される。Incidentally, the output signal of the comparator 16 is also used to determine the generation timing of the sampling pulse E.
具体的には、コンパレータ１６の出力信号りの立ち上り
から出力信号りのパルス幅（ＩＣ支持台１の移動速度と
リード１１の幅によって自ずと決まり、既知数として演
算及び制御回路１４に記憶されている。）の例えば２分
の１時間経通したときにサンプリングパルスＥが発生す
るようにされている。このようにするのは、リートに寄
りがあっても支障なく浮きの検査ができるようにするた
めである。即ち、Ａ／Ｄ変換のためのサンプリングを常
にリード１１の幅方向における中央の位置を測定用ビー
ム９が走査したときに行われるようにするので、Ａ／Ｄ
コンバータ１５の出力は常にリード１１の幅方向におけ
る中央の位置の表面高さを示すディジタル信号となる。Specifically, the pulse width of the output signal from the rising edge of the output signal of the comparator 16 (which is naturally determined by the moving speed of the IC support 1 and the width of the lead 11, and is stored in the calculation and control circuit 14 as a known number) ), the sampling pulse E is generated when, for example, one-half hour has elapsed. This is done so that the float can be inspected without any problem even if the leat is biased. That is, since sampling for A/D conversion is always performed when the measurement beam 9 scans the center position in the width direction of the lead 11, the A/D conversion
The output of the converter 15 is always a digital signal indicating the surface height at the center position of the lead 11 in the width direction.
従って、リード１１の平面的位置がどのようにずれてい
ても（つまり寄りがあっても）支障なくリードの浮きを
把握することができるのである。Therefore, no matter how the planar position of the lead 11 deviates (that is, even if there is deviation), the floating of the lead can be detected without any problem.
このリード曲り検査装置によれば、レーザ１０と変位セ
ンサ１２の組み合せが一組しかないという簡東な機構で
あるにも拘らずリード１本１本について寄りと浮きを同
時に検出することができる。しかも、装置の回路系のク
ロックパルスとして周波数の高いパルスを使用すること
により高速で且つ高分解能を得ることが実現でき、画像
処理方式のリード曲り検査装置よりも高速で且つ高分解
能にすることが容易に為し得る。According to this lead bending inspection device, although it is a simple mechanism that includes only one combination of the laser 10 and the displacement sensor 12, it is possible to detect deviation and floating of each lead at the same time. In addition, by using high-frequency pulses as clock pulses for the device's circuit system, it is possible to achieve high speed and high resolution, and it is possible to achieve higher speed and higher resolution than image processing type lead bend inspection devices. It can be done easily.
（Ｈ，発明の効果）
以上に述べたように、本発明半導体装置のリード曲り検
査装置は、被検査半導体装置の一方の側に配置されそれ
のリードで反射された光を受光してリードの上下方向に
おける位置を検出する変位センサと、該変位センサと上
記被検査半導体装置の間の相対的位置を上記被検査半導
体装置の平面方向に移動させる移動機構を備えたことを
特徴とするものである。(H, Effect of the Invention) As described above, the lead bending inspection device for a semiconductor device of the present invention is placed on one side of a semiconductor device to be inspected, and receives light reflected by the leads of the semiconductor device to be inspected. The device is characterized by comprising a displacement sensor that detects a position in the vertical direction, and a movement mechanism that moves the relative position between the displacement sensor and the semiconductor device to be tested in a plane direction of the semiconductor device to be tested. be.
従って、本発明半導体装置のリード曲り検査装置によれ
ば、変位センサのアナログ出力信号から直接各リードの
浮きを順次に検出することができる。そして、変位セン
サのアナログ出力信号を適宜なレベルの信号と比較する
等して、リードが存在する部分と存在しない部分を２値
化したディジタル信号をつくることにより、各リードの
平面的位置関係を把握することができ、延いてはリード
の寄りを検出することができる。Therefore, according to the semiconductor device lead bending inspection apparatus of the present invention, it is possible to sequentially detect the floating of each lead directly from the analog output signal of the displacement sensor. Then, by comparing the analog output signal of the displacement sensor with a signal of an appropriate level, and creating a digital signal that binarizes the portion where the lead is present and the portion where the lead is not present, the two-dimensional positional relationship of each lead is determined. It is possible to grasp this, and in turn, detect the deviation of the lead.
第１図乃至第４図は本発明半導体装置のリード曲り検査
装置の一つの実施例を説明するためのもので、第１図は
装置の斜視図、第２図は要部を示す正面図、第３図は回
路図、第４図はタイムチャート、第５図被検査半導体装
置の斜視図である。
符号の説明
２・・・被検査半導体装置、
４・・・移動機構、１１・・・リード、１２・・・変位
センサ。
者ノ
怖 サ1 to 4 are for explaining one embodiment of a lead bending inspection device for a semiconductor device according to the present invention, FIG. 1 is a perspective view of the device, FIG. 2 is a front view showing main parts, FIG. 3 is a circuit diagram, FIG. 4 is a time chart, and FIG. 5 is a perspective view of a semiconductor device to be inspected. Explanation of symbols 2...Semiconductor device to be inspected, 4...Movement mechanism, 11...Lead, 12...Displacement sensor. Fear of others
Claims (1)
ードで反射された光を受光してリードの上下方向におけ
る位置を検出する変位センサと、上記変位センサと上記
被検査半導体装置の間の相対的位置を上記被検査半導体
装置の平面方向に移動させる移動機構と、を備えたこと
を特徴とする半導体装置のリード曲り検査装置(1) A displacement sensor placed on one side of the semiconductor device under test and detecting the position of the lead in the vertical direction by receiving light reflected by the leads thereof, and between the displacement sensor and the semiconductor device under test. A moving mechanism for moving the relative position of the semiconductor device in a plane direction of the semiconductor device to be inspected.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101740A JP2676780B2 (en) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | Semiconductor device lead bending inspection device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101740A JP2676780B2 (en) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | Semiconductor device lead bending inspection device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01272126A true JPH01272126A (en) | 1989-10-31 |
| JP2676780B2 JP2676780B2 (en) | 1997-11-17 |
Family
ID=14308648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63101740A Expired - Fee Related JP2676780B2 (en) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | Semiconductor device lead bending inspection device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2676780B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03203251A (en) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | Detector to detect bent lead of electronical components |
| US5162866A (en) * | 1989-12-25 | 1992-11-10 | Sony Corporation | Apparatus and method for inspecting IC leads |
| US5212390A (en) * | 1992-05-04 | 1993-05-18 | Motorola, Inc. | Lead inspection method using a plane of light for producing reflected lead images |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6279644A (en) * | 1985-10-02 | 1987-04-13 | Sanwa Electron Kk | Inspecting device for ic pin |
| JPS62195509A (en) * | 1986-02-24 | 1987-08-28 | Mitsubishi Electric Corp | Inspecting device for electronic parts shape |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP63101740A patent/JP2676780B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6279644A (en) * | 1985-10-02 | 1987-04-13 | Sanwa Electron Kk | Inspecting device for ic pin |
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| US5212390A (en) * | 1992-05-04 | 1993-05-18 | Motorola, Inc. | Lead inspection method using a plane of light for producing reflected lead images |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2676780B2 (en) | 1997-11-17 |
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