JPH01271930A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents
光ピツクアツプ装置Info
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- JPH01271930A JPH01271930A JP63099062A JP9906288A JPH01271930A JP H01271930 A JPH01271930 A JP H01271930A JP 63099062 A JP63099062 A JP 63099062A JP 9906288 A JP9906288 A JP 9906288A JP H01271930 A JPH01271930 A JP H01271930A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光記録再生装置、特に記録/再生/消去可能
な光磁気ディスク装置に適した光ピックアップ装置に関
する。
な光磁気ディスク装置に適した光ピックアップ装置に関
する。
従来技術
近年、半導体レーザからの光束を対物レンズで微小スポ
ットに絞り込み、情報の記録/再生又は記録/再生/消
去を行なう光ディスクが注目を集めている。これは、光
ディスクが大容量であり、ビット当りのコストが安く、
ディスクがリムーバルで取扱いが容易である等の利点を
持つからである。
ットに絞り込み、情報の記録/再生又は記録/再生/消
去を行なう光ディスクが注目を集めている。これは、光
ディスクが大容量であり、ビット当りのコストが安く、
ディスクがリムーバルで取扱いが容易である等の利点を
持つからである。
しかし、従前の磁気ディスク等のハードディスクに比べ
、アクセス時間が長いという欠点を持つ。
、アクセス時間が長いという欠点を持つ。
つまり、光ディスクで記録を行なう時には、命令がある
と、まずアクセスし、所望のアドレスにスポットが位置
する。次いで、記録を行ない、記録完了後に、書込んだ
情報を確認するために確認再生をする。このように光デ
ィスクの記録モードは記録子確認再生の2モードになっ
ているため、多くの時間を要する。
と、まずアクセスし、所望のアドレスにスポットが位置
する。次いで、記録を行ない、記録完了後に、書込んだ
情報を確認するために確認再生をする。このように光デ
ィスクの記録モードは記録子確認再生の2モードになっ
ているため、多くの時間を要する。
このような欠点を解決するため、マルチビーム光ピック
アップ装置が提案されている。即ち、複数のビームを同
一のトラック上に相前後させて集光させ、先行する一方
のビームで記録を行ない、後続の他方のビームで情報の
確認再生(RAW)を行なう。この方式によれば、記録
と再生とを1回転中に同時に行なうことができ、記録モ
ードの処理に要する時間を短縮できるという長所を持つ
。
アップ装置が提案されている。即ち、複数のビームを同
一のトラック上に相前後させて集光させ、先行する一方
のビームで記録を行ない、後続の他方のビームで情報の
確認再生(RAW)を行なう。この方式によれば、記録
と再生とを1回転中に同時に行なうことができ、記録モ
ードの処理に要する時間を短縮できるという長所を持つ
。
これは、例えば文献「昭和63年電子情報通信学会春季
全国大会予稿集「3.5インチ小型光磁気ディスク装置
の試作」」において報告されている。
全国大会予稿集「3.5インチ小型光磁気ディスク装置
の試作」」において報告されている。
このようなマルチビーム光ピックアップ装置の従来例を
第9図及び第1o図により説明する。まず、複数の発光
点を持つアレイ状の半導体レーザ(又は2波長ハイブリ
ツドレーザアレイ)1から射出された2つのレーザ光は
共通の光学系、即ちカップリングレンズ2、ビーム整形
プリズム3、ビームスプリッタ4、偏向プリズム5及び
対物レンズ6を通り、光デイスク7上の同一トラック8
上の近傍位置に相前後する2つのスポットとして集光さ
れる。そして、光ディスク7からの反射光は、再び対物
レンズ6、偏向プリズム5を通った後、ビームスプリッ
タ4により入射光と分離され、検出光学系に導かれる。
第9図及び第1o図により説明する。まず、複数の発光
点を持つアレイ状の半導体レーザ(又は2波長ハイブリ
ツドレーザアレイ)1から射出された2つのレーザ光は
共通の光学系、即ちカップリングレンズ2、ビーム整形
プリズム3、ビームスプリッタ4、偏向プリズム5及び
対物レンズ6を通り、光デイスク7上の同一トラック8
上の近傍位置に相前後する2つのスポットとして集光さ
れる。そして、光ディスク7からの反射光は、再び対物
レンズ6、偏向プリズム5を通った後、ビームスプリッ
タ4により入射光と分離され、検出光学系に導かれる。
ここに、検出光学系に向かう光束は、まず、集光レンズ
9を通った後、ナイフェツジプリズム1Oにより直進光
束と反射光束とに分けられる。直進光束は集光レンズ9
により2つのスポットに集光されるが、その途中に配置
されたλ/2板11により偏光面が略45°回転され、
ウォラストンプリズム12により、その各々がP成分と
S成分とに分離され、合計4つのスポットが6分割の受
光素子13上に形成される。一方、ナイフェツジプリズ
ム10による反射光束は、途中に配置されたシリンドリ
カルレンズ14により非点収差を生じ、4分割の受光素
子15上に2つの長円スポットができる。
9を通った後、ナイフェツジプリズム1Oにより直進光
束と反射光束とに分けられる。直進光束は集光レンズ9
により2つのスポットに集光されるが、その途中に配置
されたλ/2板11により偏光面が略45°回転され、
ウォラストンプリズム12により、その各々がP成分と
S成分とに分離され、合計4つのスポットが6分割の受
光素子13上に形成される。一方、ナイフェツジプリズ
ム10による反射光束は、途中に配置されたシリンドリ
カルレンズ14により非点収差を生じ、4分割の受光素
子15上に2つの長円スポットができる。
ついで、このような構成の光ピックアップにおいて、そ
の作用を第10図により説明する。
の作用を第10図により説明する。
まず、直進光の内、第1ビームは、第10図(b)中の
合焦時として示すように、A−Fなる6つの受光部を持
つ6分割受光素子13のB、Cの境界線上及びり、Eの
境界線に集光される。しかし、フォーカスずれがあると
、同図(b)中に前ピン又は後ピン時と示すようにスポ
ットがボケ、B。
合焦時として示すように、A−Fなる6つの受光部を持
つ6分割受光素子13のB、Cの境界線上及びり、Eの
境界線に集光される。しかし、フォーカスずれがあると
、同図(b)中に前ピン又は後ピン時と示すようにスポ
ットがボケ、B。
C又はり、E間に各々受光量の差が出る。即ち、対物レ
ンズ6が光ディスク7に近付き過ぎたり、遠ざかり過ぎ
た時、受光素子13の検出信号について、(B−C)又
は(D−E)又は(B+E)−(C+D)をとってやれ
ば、+、−が逆転するので、この差が0になるようにす
ればフォーカスサーボをかけることができる。これは、
従来のナイフェツジ法と同じといえる。この時、第1ビ
ームと第2ビームとのスポット間隔が受光素子サイズよ
り充分に大きければ、第2ビームがフォーカス検出・制
御に悪影響を及ぼすことはない。
ンズ6が光ディスク7に近付き過ぎたり、遠ざかり過ぎ
た時、受光素子13の検出信号について、(B−C)又
は(D−E)又は(B+E)−(C+D)をとってやれ
ば、+、−が逆転するので、この差が0になるようにす
ればフォーカスサーボをかけることができる。これは、
従来のナイフェツジ法と同じといえる。この時、第1ビ
ームと第2ビームとのスポット間隔が受光素子サイズよ
り充分に大きければ、第2ビームがフォーカス検出・制
御に悪影響を及ぼすことはない。
また、このような直進光の内、受光素子13の検出信号
について(B十C)−(D+E)をとれば、これは第1
ビームのP偏光成分とS偏光成分との差であるので、光
磁気信号を検知できる。同様に、(A−F)をとれば、
第2ビームの光磁気信号を検知できる。
について(B十C)−(D+E)をとれば、これは第1
ビームのP偏光成分とS偏光成分との差であるので、光
磁気信号を検知できる。同様に、(A−F)をとれば、
第2ビームの光磁気信号を検知できる。
一方、ナイフェツジプリズム1oによる反射光束に関し
ては、第10図(c)に示す如く、長円スポットの長軸
がトラック直交方向に対応するような位置にG−Jなる
4つの受光部を持つ4分割受光素子15を配置すれば、
同図中の合トラック時として示すように、H,Iは第1
ビームを、G。
ては、第10図(c)に示す如く、長円スポットの長軸
がトラック直交方向に対応するような位置にG−Jなる
4つの受光部を持つ4分割受光素子15を配置すれば、
同図中の合トラック時として示すように、H,Iは第1
ビームを、G。
Jは第2ビームを受光する。そして、トラックズレがあ
ると同図(c)中に示すようにトラックズレ方向に応じ
て光量差が生ずる。即ち、(H−I)により第1ビーム
のトラックエラー信号を検知でき、(G−J)により第
2ビームのトラックエラーを検知できる。これは、従来
周知のプッシュプル法に相当する。
ると同図(c)中に示すようにトラックズレ方向に応じ
て光量差が生ずる。即ち、(H−I)により第1ビーム
のトラックエラー信号を検知でき、(G−J)により第
2ビームのトラックエラーを検知できる。これは、従来
周知のプッシュプル法に相当する。
ところが、二のような従来のマルチビーム光ピックアッ
プ装置、即ち光源に半導体レーザアレイや複数の半導体
レーザを用い、同一の対物レンズを介してディスク上に
結像し、複数のスポットを得るものでは、ディスク上の
スポットの相対的な位置関係が、全て半導体レーザの特
性(チップ間隔、波長等)により決定され、かつ、複数
の発光点を持つ半導体レーザは高価である等の欠点があ
る。
プ装置、即ち光源に半導体レーザアレイや複数の半導体
レーザを用い、同一の対物レンズを介してディスク上に
結像し、複数のスポットを得るものでは、ディスク上の
スポットの相対的な位置関係が、全て半導体レーザの特
性(チップ間隔、波長等)により決定され、かつ、複数
の発光点を持つ半導体レーザは高価である等の欠点があ
る。
これらの点について、さらに詳細に検討する。
■ 半導体レーザアレイ使用の場合、ディスク上のスポ
ット間隔は、発光点の間隔により一義的に決定されてし
まう。
ット間隔は、発光点の間隔により一義的に決定されてし
まう。
この点を光学系を簡略化し模式的に示す第11図により
説明する。今、半導体レーザ1のチップ端面1aにおけ
る2つの発光点の間隔をΔX、ディスク7の集光面7a
上における2つのスポットの間隔をΔx′、対物レンズ
6の焦点距離をf。L、カップリングレンズ2の焦点距
離をf’ct、とすると、ΔX’ = (fOL/fc
t、LΔx °°−−−−−−−−−−(1)なる関
係式が成立する。例えば、f OL= 4 mm、fc
L=8nunとすれば、Δx’ =Δx / 2となる
。
説明する。今、半導体レーザ1のチップ端面1aにおけ
る2つの発光点の間隔をΔX、ディスク7の集光面7a
上における2つのスポットの間隔をΔx′、対物レンズ
6の焦点距離をf。L、カップリングレンズ2の焦点距
離をf’ct、とすると、ΔX’ = (fOL/fc
t、LΔx °°−−−−−−−−−−(1)なる関
係式が成立する。例えば、f OL= 4 mm、fc
L=8nunとすれば、Δx’ =Δx / 2となる
。
即ち、この時のディスク7上でのスポット間隔ΔX′は
、半導体レーザ1の発光点の間隔ΔXのl/2となる。
、半導体レーザ1の発光点の間隔ΔXのl/2となる。
例えば、Δx=100μmとすれば、スポット間隔Δx
’=50μmとなる。ここに、発光点間隔ΔXは半導体
レーザのチップ間の温度上昇が相互に影響し、発光波長
変動、出力変動などを生ずるため、ある程度以上に狭く
することはできない。故に、ディスク7上に形成できる
スポット間隔ΔX′の最小値が半導体レーザ1、即ちそ
の特性(発光点間隔ΔX)により規定されてしまうもの
である。
’=50μmとなる。ここに、発光点間隔ΔXは半導体
レーザのチップ間の温度上昇が相互に影響し、発光波長
変動、出力変動などを生ずるため、ある程度以上に狭く
することはできない。故に、ディスク7上に形成できる
スポット間隔ΔX′の最小値が半導体レーザ1、即ちそ
の特性(発光点間隔ΔX)により規定されてしまうもの
である。
また、ディスク7上のスポット間隔ΔX′のバラツキを
抑えるには、半導体レーザチップのチップ間隔の測定が
必要となり、さらにコスト高となる。
抑えるには、半導体レーザチップのチップ間隔の測定が
必要となり、さらにコスト高となる。
■ 半導体レーザアレイの場合、ディスク上の2つのス
ポットの合焦位置が、半導体レーザアレイの発光点位置
により異なってしまう。
ポットの合焦位置が、半導体レーザアレイの発光点位置
により異なってしまう。
この点を、光学系を簡略化し模式的に示す第12図によ
り説明する。いま、半導体レーザ1の取付は位置が正規
の位置、即ちカップリングレンズ2〜対物レンズ6の光
軸に対し半導体レーザlのチップ端面1aが垂直となる
位置から角度θ傾いている場合を考える。ここに、チッ
プの発光点間隔をΔXとすると、光軸方向に換算したチ
ップ発光点間隔Δyは、θ(1とすると、 Δy=Δx−81nθ斡ΔX・θ ・・・・・・・
・・・・・(2)として表される。この時、ディスク7
上での合焦位置の光軸方向のズレΔy′は、 Δy’ = (fot、/ fcL)” ・Δy# (
f OL/ f、ct、)” ・Δx”θ ・・・・・
・(3)となる。例えば、前述の場合と同様にfot、
=4mm、fcL=8Mとすると、Δy′=Δx−θ/
4となる。ここに、2つのスポットの合焦位置のズレ許
容値を0.25μm以下、即ち61250.25μmに
抑えるためには、ΔX・051μmとなる。
り説明する。いま、半導体レーザ1の取付は位置が正規
の位置、即ちカップリングレンズ2〜対物レンズ6の光
軸に対し半導体レーザlのチップ端面1aが垂直となる
位置から角度θ傾いている場合を考える。ここに、チッ
プの発光点間隔をΔXとすると、光軸方向に換算したチ
ップ発光点間隔Δyは、θ(1とすると、 Δy=Δx−81nθ斡ΔX・θ ・・・・・・・
・・・・・(2)として表される。この時、ディスク7
上での合焦位置の光軸方向のズレΔy′は、 Δy’ = (fot、/ fcL)” ・Δy# (
f OL/ f、ct、)” ・Δx”θ ・・・・・
・(3)となる。例えば、前述の場合と同様にfot、
=4mm、fcL=8Mとすると、Δy′=Δx−θ/
4となる。ここに、2つのスポットの合焦位置のズレ許
容値を0.25μm以下、即ち61250.25μmに
抑えるためには、ΔX・051μmとなる。
仮に、Δx=100μmとすれば、許容される傾き角θ
は34′以下とする必要がある。よって、現実には半導
体1の取付は角θには相当厳しさが要求されることにな
る。そして、この取付は角θが大きくなってしまうと、
■で述べたスポット間隔も変化してしまうことになる。
は34′以下とする必要がある。よって、現実には半導
体1の取付は角θには相当厳しさが要求されることにな
る。そして、この取付は角θが大きくなってしまうと、
■で述べたスポット間隔も変化してしまうことになる。
■ 発光点が独立なハイブリッドレーザアレイによる半
導体レーザの場合、ディスク上の2つのスポットの合焦
位置が発光点の位置により異なってしまう。
導体レーザの場合、ディスク上の2つのスポットの合焦
位置が発光点の位置により異なってしまう。
いま、ハイブリッドレーザアレイの発光点の光軸方向の
間隔をΔy、ディスク上のスポットの合焦位置のズレを
Δy′とすると、この場合も上記■についての第12図
と同様に、 Δy′=((foL/fcL)2・Δy −−−−
−−<4)となる。例えば、f(H,=4mm、fcL
=8mmとすると、Δy′=Δy/4となる。つまり、
2つのスポットの合焦位置のズレΔy′は、発光点の光
軸方向のズレΔyの1/4となる。ここに、ディスク上
の合焦位置のズレの許容値を61250.25μmとす
れば、ハイブリッドレーザアレイにおける発光点の光軸
方向のズレはΔy≦1μmとする必要がある。
間隔をΔy、ディスク上のスポットの合焦位置のズレを
Δy′とすると、この場合も上記■についての第12図
と同様に、 Δy′=((foL/fcL)2・Δy −−−−
−−<4)となる。例えば、f(H,=4mm、fcL
=8mmとすると、Δy′=Δy/4となる。つまり、
2つのスポットの合焦位置のズレΔy′は、発光点の光
軸方向のズレΔyの1/4となる。ここに、ディスク上
の合焦位置のズレの許容値を61250.25μmとす
れば、ハイブリッドレーザアレイにおける発光点の光軸
方向のズレはΔy≦1μmとする必要がある。
この結果、ディスク上の2つのスポットの合焦位置のバ
ラツキを許容値以下に抑えるためには、半導体レーザチ
ップの光軸方向の間隔のバラツキを極力抑える必要があ
り、コスト高につながるものとなる。また、前述した■
の場合のように、半導体レーザの取付けによっても発光
点の光軸方向位置にズレを生ずるため、組付は調整に厳
しさが要求される。
ラツキを許容値以下に抑えるためには、半導体レーザチ
ップの光軸方向の間隔のバラツキを極力抑える必要があ
り、コスト高につながるものとなる。また、前述した■
の場合のように、半導体レーザの取付けによっても発光
点の光軸方向位置にズレを生ずるため、組付は調整に厳
しさが要求される。
■ 半導体レーザの波長変動により、レンズの屈折率も
変動してしまう。
変動してしまう。
光速をC1周波数をV(一定)とすると、波長λと屈折
率nとの間には、 n=C/λV ・・・・・・・・・
(5)なる関係がある。これは、波長が大きくなる程、
屈折率が小さくなることを意味する。
率nとの間には、 n=C/λV ・・・・・・・・・
(5)なる関係がある。これは、波長が大きくなる程、
屈折率が小さくなることを意味する。
一方、一般に半導体レーザは、パワーが上がると波長が
大きくなる(例えば、数nm/10mWなる関係)とい
う特性を持つ。ここに、いま着目している複数発光点の
半導体レーザでは、これらの2つの発光点が同じ出力で
発光されるということはないので、各々の発光波長が異
なり、各々の波長に対するレンズの屈折率が変わり、デ
ィスク上の2つのスポットの合焦位置がずれてしまう。
大きくなる(例えば、数nm/10mWなる関係)とい
う特性を持つ。ここに、いま着目している複数発光点の
半導体レーザでは、これらの2つの発光点が同じ出力で
発光されるということはないので、各々の発光波長が異
なり、各々の波長に対するレンズの屈折率が変わり、デ
ィスク上の2つのスポットの合焦位置がずれてしまう。
ずれ方向は、■■で述べた両方向である。
特に、2波長ハイブリツドレーザアレイの場合には、も
ともと780nmと830nmの如く、2つの波長が異
なるので、この傾向はより顕著に現われる。
ともと780nmと830nmの如く、2つの波長が異
なるので、この傾向はより顕著に現われる。
ここに、波長変動をキャンセルするために色消しレンズ
を使用することも考えられるが、色消しは非球面等の単
レンズでは不可能であり、光ピックアップの大型化・コ
ストアップにつながってしまう。
を使用することも考えられるが、色消しは非球面等の単
レンズでは不可能であり、光ピックアップの大型化・コ
ストアップにつながってしまう。
目的
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、1つの
発光点のみを持つ半導体レーザ光源を用いて、媒体1回
転中での同時的な記録/再生/消去が可能なマルチビー
ム光ピックアップとして構成し、低コストで組付は性が
よく、アクセス時間も短縮できる光ピックアップ装置を
得ることを目的とする。
発光点のみを持つ半導体レーザ光源を用いて、媒体1回
転中での同時的な記録/再生/消去が可能なマルチビー
ム光ピックアップとして構成し、低コストで組付は性が
よく、アクセス時間も短縮できる光ピックアップ装置を
得ることを目的とする。
構成
本発明は、上記目的を達成するため、半導体レーザから
の光束を対物レンズにより光情報記録媒体上に微小スポ
ットに集光させ、情報の記録、再生又は消去を行なう光
ピックアップ装置において、単一の半導体レーザ光源と
単一の対物レンズとの間に配設されて前記半導体レーザ
光源からの光束に基づき複数の光束を形成して同一の対
物レンズを介して前記光情報記録媒体の同一トラック上
に照射させる光分割素子を設けたことを特徴とする。
の光束を対物レンズにより光情報記録媒体上に微小スポ
ットに集光させ、情報の記録、再生又は消去を行なう光
ピックアップ装置において、単一の半導体レーザ光源と
単一の対物レンズとの間に配設されて前記半導体レーザ
光源からの光束に基づき複数の光束を形成して同一の対
物レンズを介して前記光情報記録媒体の同一トラック上
に照射させる光分割素子を設けたことを特徴とする。
即ち、単一の半導体レーザ光源から射出された単一の光
束をその光路中で光分割素子により複数の光束に分割し
、対物レンズを介して光情報記録媒体に集光照射させる
マルチビーム光ピックアップ構成とする。
束をその光路中で光分割素子により複数の光束に分割し
、対物レンズを介して光情報記録媒体に集光照射させる
マルチビーム光ピックアップ構成とする。
この際、記録モード時には、同一トラック上の先行光束
の微小スポットにより情報の記録を行ない、同一トラッ
ク上の後行光束の微小スポットにより情報の確認再生、
即ちRAW動作を行なわせる。
の微小スポットにより情報の記録を行ない、同一トラッ
ク上の後行光束の微小スポットにより情報の確認再生、
即ちRAW動作を行なわせる。
また、光情報記録媒体を光磁気ディスクとし、この光磁
気ディスクに近接配置されて記録信号に応じて磁界変調
される磁気ヘッドを設ける。
気ディスクに近接配置されて記録信号に応じて磁界変調
される磁気ヘッドを設ける。
また、光情報記録媒体上に集光される複数の光束による
微小スポットの光強度を異ならせる。
微小スポットの光強度を異ならせる。
さらには、光分割素子を、ウォラストンプリズムやロー
ションプリズムのような複屈折性偏光子とする。そして
、複屈折性偏光子と対物レンズとの間に半導体レーザ光
源射出光と光情報記録媒体反射光とを分離する少なくと
も1つのビームスプリッタを設ける。また、複屈折性偏
光子に入射する半導体レーザ光源射出光の偏光面を、こ
の複屈折性偏光子の光学軸に対し相対的に傾けさせるこ
とにより、分割光束の光強度を異ならせる。或いは、半
導体レーザ光源と複屈折性偏光子との間に波長板を設け
る。
ションプリズムのような複屈折性偏光子とする。そして
、複屈折性偏光子と対物レンズとの間に半導体レーザ光
源射出光と光情報記録媒体反射光とを分離する少なくと
も1つのビームスプリッタを設ける。また、複屈折性偏
光子に入射する半導体レーザ光源射出光の偏光面を、こ
の複屈折性偏光子の光学軸に対し相対的に傾けさせるこ
とにより、分割光束の光強度を異ならせる。或いは、半
導体レーザ光源と複屈折性偏光子との間に波長板を設け
る。
以下、本発明の一実施例を第1図ないし第7図に基づい
て説明する。
て説明する。
本実施例による光磁気ディスク用の光ピックアップの概
略構成及び作用を第1図により説明する。
略構成及び作用を第1図により説明する。
まず、1つの発光点のみを持つ単一の半導体レーザ光源
21が設けられている。この半導体レーザ21から射出
されたレーザビームはカップリングレンズ22により平
行光束化され、ビーム整形プリズム23によりビーム整
形された後、ビームスプリッタ24を透過し、さらに、
対物レンズ25°を介して光情報記録媒体としての光磁
気ディスク26上に微小スポットとして集光照射される
。この光磁気ディスク26の背面側には磁気ヘッド37
が配設されている。
21が設けられている。この半導体レーザ21から射出
されたレーザビームはカップリングレンズ22により平
行光束化され、ビーム整形プリズム23によりビーム整
形された後、ビームスプリッタ24を透過し、さらに、
対物レンズ25°を介して光情報記録媒体としての光磁
気ディスク26上に微小スポットとして集光照射される
。この光磁気ディスク26の背面側には磁気ヘッド37
が配設されている。
ここに、本実施例では半導体レーザ21・対物レンズ2
5間の光路上に位置させて光分割素子を設け、1つの光
束を複数、ここでは2つの光束に分割して対物レンズ2
5を介して光磁気ディスク26の同一トラック上に照射
させるものである。
5間の光路上に位置させて光分割素子を設け、1つの光
束を複数、ここでは2つの光束に分割して対物レンズ2
5を介して光磁気ディスク26の同一トラック上に照射
させるものである。
この光分割素子としては、例えば複屈折性結晶を用いた
偏光子、例えばウォラストンプリズムやローションプリ
ズム等があるが、本実施例ではウォラストンプリズム2
8を用いる。・もちろん、光分割素子としては、ウォラ
ストンプリズム28のような複屈折性偏光子に限らず、
例えばグレーテイング板としてホログラム等の回折格子
でもよい。
偏光子、例えばウォラストンプリズムやローションプリ
ズム等があるが、本実施例ではウォラストンプリズム2
8を用いる。・もちろん、光分割素子としては、ウォラ
ストンプリズム28のような複屈折性偏光子に限らず、
例えばグレーテイング板としてホログラム等の回折格子
でもよい。
何れも、その製法により、2ビーム化、3ビーム化が可
能となる。即ち、各々の分割ビームを消去、記録、再生
に使用可能である。
能となる。即ち、各々の分割ビームを消去、記録、再生
に使用可能である。
ところで、半導体レーザ21の偏光面は第1図において
紙面垂直面内で角度θだけ傾いている。
紙面垂直面内で角度θだけ傾いている。
この結果、第2図(a)に示すようにウォラストンプリ
ズム28には■で示すようなP成分、S成分両方の偏光
成分が入射し、このウォラストンプリズム28透過によ
り実線■で示すP偏光成分のみの光束と破線◎で示すS
偏光成分のみの光束とに分離される。この2つの成分の
強度比は、同図(b)からも判るように、ウォラストン
プリズム28に入射させる半導体レーザ光の偏光面の角
度により任意に変えることができる。
ズム28には■で示すようなP成分、S成分両方の偏光
成分が入射し、このウォラストンプリズム28透過によ
り実線■で示すP偏光成分のみの光束と破線◎で示すS
偏光成分のみの光束とに分離される。この2つの成分の
強度比は、同図(b)からも判るように、ウォラストン
プリズム28に入射させる半導体レーザ光の偏光面の角
度により任意に変えることができる。
まず、ウォラストンプリズム28に入射するレーザ光の
偏光面の入射角を第2図に示すようにθとする。これに
より、ウォラストンプリズム28通過後のP偏光成分と
S偏光成分との強度比は、P : S =cos”θ:
sin”θ 、、、 、、・・・−・(6)と
なる。よって、P偏光■とS偏光◎なる2つのスポット
は、入射光■の偏光面の配置により任意に変更し得る。
偏光面の入射角を第2図に示すようにθとする。これに
より、ウォラストンプリズム28通過後のP偏光成分と
S偏光成分との強度比は、P : S =cos”θ:
sin”θ 、、、 、、・・・−・(6)と
なる。よって、P偏光■とS偏光◎なる2つのスポット
は、入射光■の偏光面の配置により任意に変更し得る。
例えば、強度比をP:S=1:3としたい場合であれば
、5in2θ= 3 cos”θにより、jan” e
= 3−*θ=jan−’J3 = 60 ’ とす
ればよい。
、5in2θ= 3 cos”θにより、jan” e
= 3−*θ=jan−’J3 = 60 ’ とす
ればよい。
ここに、偏光面の回転は、半導体レーザ21、カップリ
ングレンズ22、ビーム整形プリズム23を一体として
回転させる方式でもよく、又は、ウォラストンプリズム
28の前段に波長板(位相差板)を挿入して回転させる
方式等であってもよい。
ングレンズ22、ビーム整形プリズム23を一体として
回転させる方式でもよく、又は、ウォラストンプリズム
28の前段に波長板(位相差板)を挿入して回転させる
方式等であってもよい。
いずれにしても、これらの方式によれば、光のロスが殆
どなく、ウォラストンプリズム28に入射したレーザ光
を全て使用できる。ちなみに、2つのビームの光強度を
変える方式として、ビームスプリッタ24のP偏光成分
、S偏光成分の透過率を変える方式があるが、光利用効
率を考えると、好ましくない。
どなく、ウォラストンプリズム28に入射したレーザ光
を全て使用できる。ちなみに、2つのビームの光強度を
変える方式として、ビームスプリッタ24のP偏光成分
、S偏光成分の透過率を変える方式があるが、光利用効
率を考えると、好ましくない。
ウォラストンプリズム28を透過して2つに分けられた
レーザ光束は、前記ビームスプリッタ24及び対物レン
ズ25を通過し、光磁気ディスク26上に2つの微小ス
ポットが形成される。このような微小スポットは光磁気
ディスク26により反射される。反射された2つの光束
は再び対物レンズ25を通過した後、これらのディスク
反射光はビームスプリッタ24により半導体レーザ射出
光と分離され、検出光学系に向かう。
レーザ光束は、前記ビームスプリッタ24及び対物レン
ズ25を通過し、光磁気ディスク26上に2つの微小ス
ポットが形成される。このような微小スポットは光磁気
ディスク26により反射される。反射された2つの光束
は再び対物レンズ25を通過した後、これらのディスク
反射光はビームスプリッタ24により半導体レーザ射出
光と分離され、検出光学系に向かう。
まず、ビームスプリッタ24の射出面に取付けた検出レ
ンズ29により集束ビーム化され、ナイフェツジプリズ
ム30側に向かい、直進光束と反射光束とに分けられる
。まず、反射光束はシリンドリカルレンズ31により長
円スポット形状とされてトラック信号検出用の受光素子
32上に結像される。ここに、シリンドリカルレンズ3
1の母線はトラック直交方向に設定されており、第3図
に示す如く、長円スポットの上下の強度の差をとり、プ
ッシュプル法により、トラッキング信号とされる。即ち
、第3図に示すように受光部A−Dからなる4分割受光
素子32を用いることにより、光磁気ディスク26上の
2つのスポットのトラッキング情報を各々得ることがで
きる。
ンズ29により集束ビーム化され、ナイフェツジプリズ
ム30側に向かい、直進光束と反射光束とに分けられる
。まず、反射光束はシリンドリカルレンズ31により長
円スポット形状とされてトラック信号検出用の受光素子
32上に結像される。ここに、シリンドリカルレンズ3
1の母線はトラック直交方向に設定されており、第3図
に示す如く、長円スポットの上下の強度の差をとり、プ
ッシュプル法により、トラッキング信号とされる。即ち
、第3図に示すように受光部A−Dからなる4分割受光
素子32を用いることにより、光磁気ディスク26上の
2つのスポットのトラッキング情報を各々得ることがで
きる。
一方、ナイフェツジプリズム30の直進光束はλ/2板
33により偏光面が45°回転された後、第2のウォラ
ストンプリズム34によりP偏光成分とS偏光成分とに
分離される。ここで、この第2のウォラストンプリズム
34は、その光束分離方向が第1のウォラストンプリズ
ム28の光束分離方向に対し、模式的な第5図に示すよ
うに直交配置されている。これにより、最初のウォラス
トンプリズム28により2光束(P偏光成分とS偏光成
分)に分離され、光磁気ディスク26により反射された
(P+S)光束と(S十P)光束とが第2のウォラスト
ンプリズム34により各々P偏光成分とS偏光成分とに
分離され、ウォラストンプリズム34からの光束は合計
4光束となる。これらの4光束を受光する受光素子35
が設けられている。この受光素子はフォーカス検出用兼
光磁気信号検出用のものであり、第4図に示すようにE
−になる8受光部を備えた8分割受光素子構造とされて
いる。ここに、フォーカス検出信号はナイフェツジプリ
ズム30が光束を切る方向(第4図中、矢印f。信号と
して示す方向)の差により、ナイフェツジ法により検出
できる。一方、光磁気信号はこれに直交する方向(第4
図中、光磁気信号として矢印で示す方向)の差、即ち差
動出力により検出できる。
33により偏光面が45°回転された後、第2のウォラ
ストンプリズム34によりP偏光成分とS偏光成分とに
分離される。ここで、この第2のウォラストンプリズム
34は、その光束分離方向が第1のウォラストンプリズ
ム28の光束分離方向に対し、模式的な第5図に示すよ
うに直交配置されている。これにより、最初のウォラス
トンプリズム28により2光束(P偏光成分とS偏光成
分)に分離され、光磁気ディスク26により反射された
(P+S)光束と(S十P)光束とが第2のウォラスト
ンプリズム34により各々P偏光成分とS偏光成分とに
分離され、ウォラストンプリズム34からの光束は合計
4光束となる。これらの4光束を受光する受光素子35
が設けられている。この受光素子はフォーカス検出用兼
光磁気信号検出用のものであり、第4図に示すようにE
−になる8受光部を備えた8分割受光素子構造とされて
いる。ここに、フォーカス検出信号はナイフェツジプリ
ズム30が光束を切る方向(第4図中、矢印f。信号と
して示す方向)の差により、ナイフェツジ法により検出
できる。一方、光磁気信号はこれに直交する方向(第4
図中、光磁気信号として矢印で示す方向)の差、即ち差
動出力により検出できる。
つぎに、ウォラストンプリズム28の性質に基づく、光
磁気ディスク26の同一トラック上でのスポット間隔の
設定について第6図を参照して考える。
磁気ディスク26の同一トラック上でのスポット間隔の
設定について第6図を参照して考える。
まず、ウォラストンプリズム28通過後の2光束の分離
角は、ウォラストンプリズム28を構成する2つのプリ
ズム28a、28bの頂角Φによす決定される。また、
プリズム28a中ではP偏光は異常光線、S偏光は常光
線となり、プリズム28b中ではP偏光は常光線、S偏
光が異常光線となる。そして、no :常光線屈折率、
nE :異常光線屈折率とすると、P偏光に対しては、
nE・sinΦ=no−8inθ1P ・旧・・・・
・・・・・・・(7)n□−5inθ、P= 1− s
inθ3P ・・・・1旧・・・・・(8)Φ=θ8P
−θ2P ・・・・・・・・・・・・・
・・(9)なる式が成立する。一方、S偏光に対しては
no−8inΦ=nE−sinθ1S・・・・・・・・
・・旧・・(10)nE−8inθ、”= 1 ・si
nθ、S・・・・旧・・・・・・・・(11)Φ;θ、
S十〇、S ・・・・・・・旧・・・・
・(12)なる式が成立する。
角は、ウォラストンプリズム28を構成する2つのプリ
ズム28a、28bの頂角Φによす決定される。また、
プリズム28a中ではP偏光は異常光線、S偏光は常光
線となり、プリズム28b中ではP偏光は常光線、S偏
光が異常光線となる。そして、no :常光線屈折率、
nE :異常光線屈折率とすると、P偏光に対しては、
nE・sinΦ=no−8inθ1P ・旧・・・・
・・・・・・・(7)n□−5inθ、P= 1− s
inθ3P ・・・・1旧・・・・・(8)Φ=θ8P
−θ2P ・・・・・・・・・・・・・
・・(9)なる式が成立する。一方、S偏光に対しては
no−8inΦ=nE−sinθ1S・・・・・・・・
・・旧・・(10)nE−8inθ、”= 1 ・si
nθ、S・・・・旧・・・・・・・・(11)Φ;θ、
S十〇、S ・・・・・・・旧・・・・
・(12)なる式が成立する。
これらの(7)〜(12)式により、θsP+ θ3
Sは角度Φにより決定されることがら、結局、分離角ψ
=θ、P十θ、Sも角度Φの値により決定されることが
判る。
Sは角度Φにより決定されることがら、結局、分離角ψ
=θ、P十θ、Sも角度Φの値により決定されることが
判る。
いま、例えばn□=1.539、nE=1.548とし
た場合、頂角Φを適宜可変させた時の分離角ψは、 頂角Φ 分離角ψ 10’ → 0.182゜ 20° → 0.375’ 30’ → 0,595゜ 40’ → 0.865゜ 50″ → 1,229゜ の如くなる。
た場合、頂角Φを適宜可変させた時の分離角ψは、 頂角Φ 分離角ψ 10’ → 0.182゜ 20° → 0.375’ 30’ → 0,595゜ 40’ → 0.865゜ 50″ → 1,229゜ の如くなる。
また、対物レンズ25の焦点距離をf’ot、とすると
、光磁気ディスク26上でのスポット間隔Qは、Q=2
・f(H,−tan(ψ/2)であるので、頂角Φに
対しスポット間隔Qは、 頂角Φ スポット間隔Q 10° → 12.7μm 20’ → 26.2μm 30’ −+ 41.6μm 40″’ → 60.44m 50° → 85.8μm の如くなる。ただし、foL=4mmである。
、光磁気ディスク26上でのスポット間隔Qは、Q=2
・f(H,−tan(ψ/2)であるので、頂角Φに
対しスポット間隔Qは、 頂角Φ スポット間隔Q 10° → 12.7μm 20’ → 26.2μm 30’ −+ 41.6μm 40″’ → 60.44m 50° → 85.8μm の如くなる。ただし、foL=4mmである。
これらの例示からも判るように、ウォラストンプリズム
28の構成(頂角Φ)を変えるだけで、光デイスク26
上のスポット間隔を任意に変えることができる。
28の構成(頂角Φ)を変えるだけで、光デイスク26
上のスポット間隔を任意に変えることができる。
また、2分割されて光磁気ディスク26に入射した光束
は、各々光磁気ディスク26の磁性膜の記録ビット36
(第1図に示す磁化方向参照)におけるカー効果による
偏光面の回転作用を受け、偏光面が角θにだけ回転して
反射される。そして、対物レンズ25を透過しビームス
プリッタ24により分離反射された後は、従来の光磁気
信号検出法ないしはサーボ信号検出法に準じて処理され
る。
は、各々光磁気ディスク26の磁性膜の記録ビット36
(第1図に示す磁化方向参照)におけるカー効果による
偏光面の回転作用を受け、偏光面が角θにだけ回転して
反射される。そして、対物レンズ25を透過しビームス
プリッタ24により分離反射された後は、従来の光磁気
信号検出法ないしはサーボ信号検出法に準じて処理され
る。
このため、第3図及び第5図に示した受光素子32.3
5構成によれば、各信号はっぎのような演算により検出
される。
5構成によれば、各信号はっぎのような演算により検出
される。
P偏光スポット
トラッキング信号: D−C
フォーカス信号 : (r+J) −(L十K)光磁
気信号 : (I+L)−(J十K)S偏光スポ
ット トラッキング信号:A−B フォーカス信号 : (E+F)−(H十G)光磁気
信号 : (E十H)−(F+G)このような検
出動作に供されるレーザ光の各光学部品通過後の偏光状
態を第7図に示す。まず、同’II(a)は半導体レー
ザ21から射出されカップリングレンズ22、ビーム整
形プリズム23通過後の強度Zなる1つの光束(偏光面
入射角θ)を示す。この光束はウォラストンプリズム2
8通過後には同図(b)に示すようにP偏光(Z−CO
81G)とS偏光(z−sin”θ)との2光束に分割
される。
気信号 : (I+L)−(J十K)S偏光スポ
ット トラッキング信号:A−B フォーカス信号 : (E+F)−(H十G)光磁気
信号 : (E十H)−(F+G)このような検
出動作に供されるレーザ光の各光学部品通過後の偏光状
態を第7図に示す。まず、同’II(a)は半導体レー
ザ21から射出されカップリングレンズ22、ビーム整
形プリズム23通過後の強度Zなる1つの光束(偏光面
入射角θ)を示す。この光束はウォラストンプリズム2
8通過後には同図(b)に示すようにP偏光(Z−CO
81G)とS偏光(z−sin”θ)との2光束に分割
される。
ついで、P偏光強度透過率a、S偏光強度透過率すなる
ビームスプリッタ24を通過すると、同図(C)に示す
ようにP偏光はa z ” cos”θ、S偏光はb
z−sin”θとなる。そして、光磁気ディスク26に
照射され、カー回転角θk、反射率γなる条件下で反射
されると、同図(d)に示すようにカー回転角θにの回
転を伴いP偏光はγaz”cos2θ、S偏光はγbZ
−8in2θとなる。つまり、P偏光成分のみ、S偏光
成分のみで光磁気ディスク26に照射された後、カー効
果による回転を伴い反射されることにより、各々S偏光
成分、P偏光成分をも持つことになる。さらに、P偏光
強度反射率c、S偏光強度反射率dなるビームスプリッ
タ24により反射されると、見掛は上θkが増大されて
θに′となり、同図(e)に示すようにP偏光は7 a
z ’cos’θ、S偏光は7 b z−sin”θ
となる。さらに、λ/2板33を通過すると、45゜の
偏光面回転を伴い、同図(f)の如くなる。そして、第
2のウォラストンプリズム34を通過すると、2光東は
同図(g)に示すように各々P偏光成分、S偏光成分の
みの4光束に分割される。即ち、y a c z ”
cos”θ−5in” (45° +θに’)y a
c z −cos”θ・cos” (45° +θに
’)γb d z −cos2θ・sin” (45’
+θに’)y b d z −cos”θ−cos
” (45°十θに′)が得られる。
ビームスプリッタ24を通過すると、同図(C)に示す
ようにP偏光はa z ” cos”θ、S偏光はb
z−sin”θとなる。そして、光磁気ディスク26に
照射され、カー回転角θk、反射率γなる条件下で反射
されると、同図(d)に示すようにカー回転角θにの回
転を伴いP偏光はγaz”cos2θ、S偏光はγbZ
−8in2θとなる。つまり、P偏光成分のみ、S偏光
成分のみで光磁気ディスク26に照射された後、カー効
果による回転を伴い反射されることにより、各々S偏光
成分、P偏光成分をも持つことになる。さらに、P偏光
強度反射率c、S偏光強度反射率dなるビームスプリッ
タ24により反射されると、見掛は上θkが増大されて
θに′となり、同図(e)に示すようにP偏光は7 a
z ’cos’θ、S偏光は7 b z−sin”θ
となる。さらに、λ/2板33を通過すると、45゜の
偏光面回転を伴い、同図(f)の如くなる。そして、第
2のウォラストンプリズム34を通過すると、2光東は
同図(g)に示すように各々P偏光成分、S偏光成分の
みの4光束に分割される。即ち、y a c z ”
cos”θ−5in” (45° +θに’)y a
c z −cos”θ・cos” (45° +θに
’)γb d z −cos2θ・sin” (45’
+θに’)y b d z −cos”θ−cos
” (45°十θに′)が得られる。
ところで、本実施例における記R/再生/消去動作を考
える。
える。
まず、一般に、この種の光磁気ディスク装置では、まず
、ディスクに対し磁気ヘッドにより消去磁界(例えば、
−40000e)を与えつつ、−定パワーのレーザ光を
照射して磁化方向を一定方向にすることにより消去する
。ついで、磁気ヘッドに逆電流を流して逆の磁界(例え
ば、+40000e)を印加した状態で、情報信号に応
じた変調信号でレーザ光をオン/オフ制御し、ハイパワ
ーで記録した位置のみに光磁気ディスクに逆の磁束を与
え(レーザ光照射により磁化反転しやすくなっている)
、記録ピットを形成する。また、再生時には記録時より
もレーザ光のパワーを小さくして行なうことになる。
、ディスクに対し磁気ヘッドにより消去磁界(例えば、
−40000e)を与えつつ、−定パワーのレーザ光を
照射して磁化方向を一定方向にすることにより消去する
。ついで、磁気ヘッドに逆電流を流して逆の磁界(例え
ば、+40000e)を印加した状態で、情報信号に応
じた変調信号でレーザ光をオン/オフ制御し、ハイパワ
ーで記録した位置のみに光磁気ディスクに逆の磁束を与
え(レーザ光照射により磁化反転しやすくなっている)
、記録ピットを形成する。また、再生時には記録時より
もレーザ光のパワーを小さくして行なうことになる。
この点、本実施例によれば、2ビ一ム方式のメリットを
活かし、記録モード時には磁気ヘッド27を記録信号に
応じて変調させるようにすれば、記録/消去が同時に可
能なオーバライド方式にして、かつ、その直後に確認再
生(RAW)なだめ、1回転中で記録直後の情報のチエ
ツクができる。
活かし、記録モード時には磁気ヘッド27を記録信号に
応じて変調させるようにすれば、記録/消去が同時に可
能なオーバライド方式にして、かつ、その直後に確認再
生(RAW)なだめ、1回転中で記録直後の情報のチエ
ツクができる。
即ち、単一の半導体レーザ光源方式では、単純に考えた
場合、消去/記録/再生(確認再生)のためには、■ト
ラックについてディスク3回転を要しているが、本実施
例によれば1回転中に同時に処理できる。また、記録用
ビームと再生用ビームとについての光強度も、ウォラス
トンプリズム28利用により光量比を変えるだけで済み
、レーザ自体の変調は不要なため、単一なる同一の半導
体レーザ光源21にして再生動作も安定して行なわせる
ことができる。
場合、消去/記録/再生(確認再生)のためには、■ト
ラックについてディスク3回転を要しているが、本実施
例によれば1回転中に同時に処理できる。また、記録用
ビームと再生用ビームとについての光強度も、ウォラス
トンプリズム28利用により光量比を変えるだけで済み
、レーザ自体の変調は不要なため、単一なる同一の半導
体レーザ光源21にして再生動作も安定して行なわせる
ことができる。
なお、高速で変調を行なうことを考えた場合、磁気ヘッ
ド27は小型のものとし、かつ、実使用上は空気浮上型
として構成するのがよい。
ド27は小型のものとし、かつ、実使用上は空気浮上型
として構成するのがよい。
また、本実施例ではウォラストンプリズム28゜34の
光束分離方向を略直交させたが、第8図に示すように、
両ウォラストンプリズム28.34の光束分離方向を略
平行に設定してもよい。即ち、第8図によれば、ウォラ
ストンプリズム28により上下に2光束に分離された後
、光磁気ディスク26に照射され、反射されてウォラス
トンプリズム34を通過することにより、これらの2光
束は各々同一、即ち上下に光束に分離され、合計4光束
として受光素子35側に向かう。従って、この場合には
受光素子35の受光部構成を変えればよい。
光束分離方向を略直交させたが、第8図に示すように、
両ウォラストンプリズム28.34の光束分離方向を略
平行に設定してもよい。即ち、第8図によれば、ウォラ
ストンプリズム28により上下に2光束に分離された後
、光磁気ディスク26に照射され、反射されてウォラス
トンプリズム34を通過することにより、これらの2光
束は各々同一、即ち上下に光束に分離され、合計4光束
として受光素子35側に向かう。従って、この場合には
受光素子35の受光部構成を変えればよい。
効果
本発明は、上述したように発光点を1つのみ持つ単一の
半導体レーザを用い、その射出レーザ光を対物レンズ前
にて光分割素子により複数の光束に分割するように構成
したので、光情報記録媒体の同一トラック上に照射され
る複数の微小スポットにつき、同一光源光に起因するた
め波長変動等が影響することなく、また、光分割素子の
構成、例えばウォラストンプリズム等の複屈折性偏光子
の頂角や入射偏光面の角度等の構成を工夫ないしは変更
するだけで、両スポット間の間隔や光強度も任意に設定
でき、従来のマルチビーム射出半導体レーザ方式の如く
厳密な制約を受けることのない、安価なマルチビーム方
式光ピックアップを実現でき、また、光磁気ディスクに
対し記録信号に応じて磁界変調される磁気ヘッドを備え
ることにより、記R/消去が同時に可能なオーバーライ
ド型とし、かつ、記録直後に書込み情報を確認再生する
RAW動作も可能となり、記録モード時の処理時間を短
縮でき、また、複数の微小スポットの光強度を異ならせ
ることにより、半導体レーザ光源自体の変調を伴うこと
なく良好なる再生動作を行なわせることができ、さらに
、光分割素子としてウォラストンプリズム等の複屈折性
偏光子を用いることにより、光強度の可変、スポット間
隔の可変等を当該光学素子構造の変更により容易に達成
できる。
半導体レーザを用い、その射出レーザ光を対物レンズ前
にて光分割素子により複数の光束に分割するように構成
したので、光情報記録媒体の同一トラック上に照射され
る複数の微小スポットにつき、同一光源光に起因するた
め波長変動等が影響することなく、また、光分割素子の
構成、例えばウォラストンプリズム等の複屈折性偏光子
の頂角や入射偏光面の角度等の構成を工夫ないしは変更
するだけで、両スポット間の間隔や光強度も任意に設定
でき、従来のマルチビーム射出半導体レーザ方式の如く
厳密な制約を受けることのない、安価なマルチビーム方
式光ピックアップを実現でき、また、光磁気ディスクに
対し記録信号に応じて磁界変調される磁気ヘッドを備え
ることにより、記R/消去が同時に可能なオーバーライ
ド型とし、かつ、記録直後に書込み情報を確認再生する
RAW動作も可能となり、記録モード時の処理時間を短
縮でき、また、複数の微小スポットの光強度を異ならせ
ることにより、半導体レーザ光源自体の変調を伴うこと
なく良好なる再生動作を行なわせることができ、さらに
、光分割素子としてウォラストンプリズム等の複屈折性
偏光子を用いることにより、光強度の可変、スポット間
隔の可変等を当該光学素子構造の変更により容易に達成
できる。
第1図は本発明の一実施例を示す全体の概略正面図、第
2図はウォラストンプリズムの光束分割作用を示す説明
図、第3図は第1図中のA矢視による受光素子の平面図
、第4図は第1図中のB矢視による受光素子の平面図、
第5図は両ウォラストンプリズムの光束分離方向の関係
を模式的に示す斜視図、第6図はウォラストンプリズム
の正面図、第7図は各光学部品通過後の偏光状態を示す
説明図、第8図は両ウォラストンプリズムの光束分離方
向の関係の変形例を模式的に示す斜視図、第9図は従来
のマルチビーム方式を示す全体の概略斜視図、第10図
はその信号検出動作等を示す説明図、第11図及び第1
2図は従来方式の欠点を説明する模式図である。 21・・・半導体レーザ光源、25・・・対物レンズ、
26・・・光情報記録媒体、27・・・磁気ヘッド、2
8・・・ウォラストンプリズム(=複屈折性偏光子=光
分割素子) 出 願 人 株式会社 リ コ −、¥5Z図 (a) (b) 、J56図 一篤 7図 σnctoゴ51プ5’1u(4HプにノスCO3”x
の1プに)l)0図 屓ピコ 合禦、 壱〇ビコ
2図はウォラストンプリズムの光束分割作用を示す説明
図、第3図は第1図中のA矢視による受光素子の平面図
、第4図は第1図中のB矢視による受光素子の平面図、
第5図は両ウォラストンプリズムの光束分離方向の関係
を模式的に示す斜視図、第6図はウォラストンプリズム
の正面図、第7図は各光学部品通過後の偏光状態を示す
説明図、第8図は両ウォラストンプリズムの光束分離方
向の関係の変形例を模式的に示す斜視図、第9図は従来
のマルチビーム方式を示す全体の概略斜視図、第10図
はその信号検出動作等を示す説明図、第11図及び第1
2図は従来方式の欠点を説明する模式図である。 21・・・半導体レーザ光源、25・・・対物レンズ、
26・・・光情報記録媒体、27・・・磁気ヘッド、2
8・・・ウォラストンプリズム(=複屈折性偏光子=光
分割素子) 出 願 人 株式会社 リ コ −、¥5Z図 (a) (b) 、J56図 一篤 7図 σnctoゴ51プ5’1u(4HプにノスCO3”x
の1プに)l)0図 屓ピコ 合禦、 壱〇ビコ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体レーザからの光束を対物レンズにより光情報
記録媒体上に微小スポットに集光させ、情報の記録、再
生又は消去を行なう光ピックアップ装置において、単一
の半導体レーザ光源と単一の対物レンズとの間に配設さ
れて前記半導体レーザ光源からの光束に基づき複数の光
束を形成して同一の前記対物レンズを介して前記光情報
記録媒体の同一トラック上に照射させる光分割素子を設
けたことを特徴とする光ピックアップ装置。 2、記録モード時には、同一トラック上の先行光束の微
小スポットにより情報の記録を行ない、同一トラック上
の後行光束の微小スポットにより情報の確認再生を行な
うことを特徴とする請求項1記載の光ピックアップ装置
。 3、光情報記録媒体を光磁気ディスクとし、この光磁気
ディスクに近接配置されて記録信号に応じて磁界変調さ
れる磁気ヘッドを設けたことを特徴とする請求項2記載
の光ピックアップ装置。 4、光情報記録媒体上に集光される複数の光束による微
小スポットの光強度を異ならせたことを特徴とする請求
項1記載の光ピックアップ装置。 5、光分割素子を、ウオラストンプリズム又はローシヨ
ンプリズムなる複屈折性偏光子としたことを特徴とする
請求項1記載の光ピックアップ装置。 6、複屈折性偏光子と対物レンズとの間に半導体レーザ
光源射出光と光情報記録媒体反射光とを分離する少なく
とも1つのビームスプリッタを設けたことを特徴とする
請求項5記載の光ピックアップ装置。 7、複屈折性偏光子に入射する半導体レーザ光源射出光
の偏光面を、この複屈折性偏光子の光学軸に対し相対的
に傾けたことを特徴とする請求項5記載の光ピックアッ
プ装置。 8、半導体レーザ光源と複屈折性偏光子との間に波長板
を設けたことを特徴とする請求項5記載の光ピックアッ
プ装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63099062A JPH01271930A (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 光ピツクアツプ装置 |
US07/340,044 US5073888A (en) | 1988-04-21 | 1989-04-18 | Optical pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63099062A JPH01271930A (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 光ピツクアツプ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01271930A true JPH01271930A (ja) | 1989-10-31 |
Family
ID=14237259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63099062A Pending JPH01271930A (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 光ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01271930A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014181539A1 (ja) * | 2013-05-08 | 2014-11-13 | カラーリンク・ジャパン 株式会社 | 光学装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01248329A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | マルチビーム光ヘッド |
-
1988
- 1988-04-21 JP JP63099062A patent/JPH01271930A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01248329A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | マルチビーム光ヘッド |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014181539A1 (ja) * | 2013-05-08 | 2014-11-13 | カラーリンク・ジャパン 株式会社 | 光学装置 |
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