JPH01268120A - 半導体装置用ウェハの温度測定方法 - Google Patents
半導体装置用ウェハの温度測定方法Info
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- JPH01268120A JPH01268120A JP63097764A JP9776488A JPH01268120A JP H01268120 A JPH01268120 A JP H01268120A JP 63097764 A JP63097764 A JP 63097764A JP 9776488 A JP9776488 A JP 9776488A JP H01268120 A JPH01268120 A JP H01268120A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要］
半導体装置用ウェハの温度測定方法に関し、ウェハ温度
を止確に測定することを目的とし、半導体装置用のつＬ
凸表面にパターンを形成しないパターン非形成領域を設
け、アニールされている」−記つエバのＦ記パターン非
形成領域から輻射される光の輝度をパイロメータにより
検知するとともに、該パイロメータの検知量に対応する
温度を、予め測定したウェハの地肌又は該ウェハ上の膜
についての輝度−温度特性データから判定することによ
り構成する。
を止確に測定することを目的とし、半導体装置用のつＬ
凸表面にパターンを形成しないパターン非形成領域を設
け、アニールされている」−記つエバのＦ記パターン非
形成領域から輻射される光の輝度をパイロメータにより
検知するとともに、該パイロメータの検知量に対応する
温度を、予め測定したウェハの地肌又は該ウェハ上の膜
についての輝度−温度特性データから判定することによ
り構成する。
〔産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置用ウェハの温度測定方法に関し、
より詳しくは半導体装置製造工程におけるウェハの温度
測定精度を高める１１見度測定方法に関する。
より詳しくは半導体装置製造工程におけるウェハの温度
測定精度を高める１１見度測定方法に関する。
［従来の技術］
半導体装置の製造工程において、例えば酸化膜を形成す
る際やパッシベーション膜を形成する際にレーザアニー
ルやランプアニール等によってウェハを加熱するが、膜
の形成を最適なものにするためにウェハの温度を調整す
る必要があり、ウェハの裏面に熱電対を接触させたリパ
イロメークを対向させて温度を４１１］定するようにし
ている。
る際やパッシベーション膜を形成する際にレーザアニー
ルやランプアニール等によってウェハを加熱するが、膜
の形成を最適なものにするためにウェハの温度を調整す
る必要があり、ウェハの裏面に熱電対を接触させたリパ
イロメークを対向させて温度を４１１］定するようにし
ている。
しかし、熱電対により１１見度を測定する場合には応答
速度が遅く特に、ランプアニールなどにおいては温度の
微調整が困難で、均一な膜を形成できないといった不都
合がある。
速度が遅く特に、ランプアニールなどにおいては温度の
微調整が困難で、均一な膜を形成できないといった不都
合がある。
また、パイロメータし才、ウェハから輻射する光の輝度
を検知して温度を測定するものであるが、′ウェハの裏
面に形成される膜は均一ではなく、しかもウェハ毎にそ
の膜の状態が異なるために輻射率がウェハにより相違す
る結果、測定誤差が大きくなるといった問題がある。
を検知して温度を測定するものであるが、′ウェハの裏
面に形成される膜は均一ではなく、しかもウェハ毎にそ
の膜の状態が異なるために輻射率がウェハにより相違す
る結果、測定誤差が大きくなるといった問題がある。
もとより、ダミーウェハを使用して温度を測定すること
もできるが、被測定ウェハとダミーウェハとＬＪ初期温
度、取イマ１位置に違いがえトじるため、温度を正確に
測定することができないといった問題がある。
もできるが、被測定ウェハとダミーウェハとＬＪ初期温
度、取イマ１位置に違いがえトじるため、温度を正確に
測定することができないといった問題がある。
本発明はこの上・うな問題に鑑みてなされたものであっ
て、ウェハ温度を正確に測定することができる゛１′、
導体装置用ウェハの温度測定方法を堤供することを目的
とする。
て、ウェハ温度を正確に測定することができる゛１′、
導体装置用ウェハの温度測定方法を堤供することを目的
とする。
１課題を解決するための手段］
半導体装置用のウェハ１表面にパターンを形成しないパ
ターン非形成領域４を設ａｔ、アニールされている−１
−記つエバ１の」−記パターン非形成領域４から輻射さ
れる光の輝度をパイロメータ１２により検知するととも
に、該パイロメータ］２の検知部に対応する温度を、予
め測定したウェハの地肌又は該ウェハ」二の膜について
の輝度−温度特性データから判定することを特徴とする
半導体装置用ウェハの温度測定方法。
ターン非形成領域４を設ａｔ、アニールされている−１
−記つエバ１の」−記パターン非形成領域４から輻射さ
れる光の輝度をパイロメータ１２により検知するととも
に、該パイロメータ］２の検知部に対応する温度を、予
め測定したウェハの地肌又は該ウェハ」二の膜について
の輝度−温度特性データから判定することを特徴とする
半導体装置用ウェハの温度測定方法。
（作 川〕
ウェハ１表面のチップ形成領域には、第４図に見られる
ように半導体装置の各層がパターン化されるが、パター
ン非形成１ＪＱ域４＋にはパターンが形成されないので
、パターン非形成領域４にＳｉＯ２膜やＰＳＣ膜が形成
さ托てもその膜は手用であり、しかも予め形成される膜
厚がわかっているため、ウェハ１がアニールされた場合
に、パターン非形成領域４から輻射される光の輝度とウ
ェハ温度との関係は、予め測定した温度時１１に皓づい
て容易に測定でき、その精度を高くすることができる。
ように半導体装置の各層がパターン化されるが、パター
ン非形成１ＪＱ域４＋にはパターンが形成されないので
、パターン非形成領域４にＳｉＯ２膜やＰＳＣ膜が形成
さ托てもその膜は手用であり、しかも予め形成される膜
厚がわかっているため、ウェハ１がアニールされた場合
に、パターン非形成領域４から輻射される光の輝度とウ
ェハ温度との関係は、予め測定した温度時１１に皓づい
て容易に測定でき、その精度を高くすることができる。
第１〜３図は、本発明を実施する場合に使用する装置の
一例を示すものであって、図中符号１は′シリコンより
なるウェハで、その表面には格子状のスクライブライン
２により囲まれる複数のチップ領域３が設けられ、その
・うちの１つはパターン非形成領域４として構成されて
いる。
一例を示すものであって、図中符号１は′シリコンより
なるウェハで、その表面には格子状のスクライブライン
２により囲まれる複数のチップ領域３が設けられ、その
・うちの１つはパターン非形成領域４として構成されて
いる。
上述したチップ領域３には、−マスク５のパターンにし
たがってＳｉＯ２膜形成、不純物拡散等を形成すること
によりトランジスタやＩＣなどの個りのデイバイスが形
成される。
たがってＳｉＯ２膜形成、不純物拡散等を形成すること
によりトランジスタやＩＣなどの個りのデイバイスが形
成される。
またマスク５は、図示しないクロＪ、膜をバターニング
したもので、ウェハ１のパターン非形成領域４を覆う部
分に己、１１、パターン非形成領域６が同様に形成され
ている。
したもので、ウェハ１のパターン非形成領域４を覆う部
分に己、１１、パターン非形成領域６が同様に形成され
ている。
このマスク５のパターン非形成領域６は、ウェハ１に塗
布するレジスＩ・にポジ型を使用する場合には透明に形
成され、また、ネガ型を使用する場合にはクロム膜によ
り覆われていて、ウェハ６のパターン非形成領域４に半
導体装置用のパターンを形成しないように構成されてい
る。
布するレジスＩ・にポジ型を使用する場合には透明に形
成され、また、ネガ型を使用する場合にはクロム膜によ
り覆われていて、ウェハ６のパターン非形成領域４に半
導体装置用のパターンを形成しないように構成されてい
る。
これにより、ウェハ１」二に形成した各種の膜をパター
ン化する場合に、常にパターン非形成領域４がエツチン
グされてウェハ１の地肌を露出するように構成されてい
る。
ン化する場合に、常にパターン非形成領域４がエツチン
グされてウェハ１の地肌を露出するように構成されてい
る。
第１図において、図中符号７はウェハ１を熱処理するラ
ンプアニール装置で、ハロゲンランプや赤外線ランプの
ような加熱用ランプ８によって上下を挟まれたヂャンハ
９の上面には、はたる石（ｃａＦ２）よりなる透過窓１
０が設けられ、また、ランプアニール’！ｂ’Ｆ７のヂ
ャンハ９内底部には、ウェハ１を支持する支持ピン１１
が取伺けられている。
ンプアニール装置で、ハロゲンランプや赤外線ランプの
ような加熱用ランプ８によって上下を挟まれたヂャンハ
９の上面には、はたる石（ｃａＦ２）よりなる透過窓１
０が設けられ、また、ランプアニール’！ｂ’Ｆ７のヂ
ャンハ９内底部には、ウェハ１を支持する支持ピン１１
が取伺けられている。
さらに、このランプアニール装置７の上方には、放射計
型のパイロメータ１２が取４＝１けられていて、ウェハ
１のパターン非形成領域４から輻射した赤外線等を透過
窓１０を通して受光し、赤外線等の輝度を測定するよう
に構成されている。
型のパイロメータ１２が取４＝１けられていて、ウェハ
１のパターン非形成領域４から輻射した赤外線等を透過
窓１０を通して受光し、赤外線等の輝度を測定するよう
に構成されている。
１３は、輝度−温度特性データ記憶回路で、ウェハ１の
地肌やウェハ１トの膜の輝度−温度の特性を予め測定し
たデータを保持するもので、そのデータは温度判定量Ｆ
ｔＰｔ１４に出力してパイロメータ１２の出力計と比較
され、この温度判定回路１４によりウェハ１の温度が定
められる。
地肌やウェハ１トの膜の輝度−温度の特性を予め測定し
たデータを保持するもので、そのデータは温度判定量Ｆ
ｔＰｔ１４に出力してパイロメータ１２の出力計と比較
され、この温度判定回路１４によりウェハ１の温度が定
められる。
１５は、加熱用ランプ８の発熱量を調整するアニール温
度制御回路で、温度判定回路１４によって判別した温度
に基づいてランプ８の発熱量を制御するように構成され
ている。
度制御回路で、温度判定回路１４によって判別した温度
に基づいてランプ８の発熱量を制御するように構成され
ている。
次に本発明の一実施例を上記した装置を使用して説明す
る。
る。
うエバ１のチップ形成領域には第４．５図に見られるよ
うに半導体装置の各層１９がパターン化されるが、パタ
ーン非形成領域４−上の膜は、エツチング工程の際に除
去されるようにマスク５を設計しているため、パターン
非形成領域４に５ｉＯ７１２２０やＰＳＧ膜２１が形成
されても、その膜は平１０で、しかも予め形成される膜
厚がわかっているため、ウェハ１が加熱ランプ８により
アニールされた場合に、パターン非形成領域４から輻射
される光の輝度とウェハ温度との関係は、予め測定した
輝度−温度特性に基づいて精度良くウェハ１の温度が測
定される。
うに半導体装置の各層１９がパターン化されるが、パタ
ーン非形成領域４−上の膜は、エツチング工程の際に除
去されるようにマスク５を設計しているため、パターン
非形成領域４に５ｉＯ７１２２０やＰＳＧ膜２１が形成
されても、その膜は平１０で、しかも予め形成される膜
厚がわかっているため、ウェハ１が加熱ランプ８により
アニールされた場合に、パターン非形成領域４から輻射
される光の輝度とウェハ温度との関係は、予め測定した
輝度−温度特性に基づいて精度良くウェハ１の温度が測
定される。
次に、アニールによってシリコンウェハ１とＳｉ０，４
膜２０の界面性を向上する場合を例に揚げてさらに詳細
に説明する（第５図）。
膜２０の界面性を向上する場合を例に揚げてさらに詳細
に説明する（第５図）。
シリコン性うエバ１上に形成される５ｉ０２膜２０は、
ドライ０□酸化、ウェット０□酸化等によって設計通り
の厚さ、例えば１０００人に形成することができる。
ドライ０□酸化、ウェット０□酸化等によって設計通り
の厚さ、例えば１０００人に形成することができる。
そこで、試験用のウェハにＳｉＯ□膜を所定の厚さに形
成して予め輻射率を測定し、そのデータを輝度−温度特
性データ記憶回路１３に記憶しておく。
成して予め輻射率を測定し、そのデータを輝度−温度特
性データ記憶回路１３に記憶しておく。
そして、半導体装置の作成工程において、ウェハ１にＳ
ｉＯ□膜２０膜形０した後、ランプアニール装置７のチ
ャンバ９内にウェハ１を装着してアニールすると、パイ
ロメータ１２は、ウェハ１のパターン非形成領域４から
輻射された光の輝度を受光し、検出量を温度判定回路１
４に出力するため、この温度判定回路１４によって輝度
−温度特性データ記憶回路１３内のデータと、ｌｔ、較
されて、ウェハ１の正確な温度が求められる。
ｉＯ□膜２０膜形０した後、ランプアニール装置７のチ
ャンバ９内にウェハ１を装着してアニールすると、パイ
ロメータ１２は、ウェハ１のパターン非形成領域４から
輻射された光の輝度を受光し、検出量を温度判定回路１
４に出力するため、この温度判定回路１４によって輝度
−温度特性データ記憶回路１３内のデータと、ｌｔ、較
されて、ウェハ１の正確な温度が求められる。
さらに、ウェハ１上に形成したＰＳＧ膜２１を平坦化す
る場合を例にあげて説明する（第４図）。
る場合を例にあげて説明する（第４図）。
ＣＶＤ法によりウェハ１にＰＳＧ膜２１を形成・する際
、ウェハ１のパターン非形成領域４には前工程のエツチ
ングによりウェハ１の地肌が表れているため、パターン
非形成領域４には直接ＰＳＧ膜２１が形成される。
、ウェハ１のパターン非形成領域４には前工程のエツチ
ングによりウェハ１の地肌が表れているため、パターン
非形成領域４には直接ＰＳＧ膜２１が形成される。
この場合にも、ＣＶＤ法によりＰＳＧ膜２１を設計通り
の厚さ（例えば４０００人）に形成することができるた
め、予め輝度−温度特性データを測定して特性データ記
憶回路１３に保存しておりば、パターン非形成領域４か
ら輻射される輝度によりウェハ１の正確な温度が求まる
。
の厚さ（例えば４０００人）に形成することができるた
め、予め輝度−温度特性データを測定して特性データ記
憶回路１３に保存しておりば、パターン非形成領域４か
ら輻射される輝度によりウェハ１の正確な温度が求まる
。
なお、上述した実施例は、ウェハ１に設けた複数のチッ
プ形成領域３のうちの１つをパターン井形・底領域４と
し、これを温度測定専用領域に使用したものであるが、
チップ形成領域３内の一部を温度測定領域にすることも
可能である。
プ形成領域３のうちの１つをパターン井形・底領域４と
し、これを温度測定専用領域に使用したものであるが、
チップ形成領域３内の一部を温度測定領域にすることも
可能である。
以上述べたように本発明によれば、ウェハ表面にパター
ン非形成領域を設け、この領域から輻射される光の輝度
をパイロメータにより測定して温度を測定するようにし
たので、平坦かつ均一な膜から輻射した光を測定するこ
とができ、予め測定したン晶度特性に基づいて正確かつ
容易に温度を測定することができる。
ン非形成領域を設け、この領域から輻射される光の輝度
をパイロメータにより測定して温度を測定するようにし
たので、平坦かつ均一な膜から輻射した光を測定するこ
とができ、予め測定したン晶度特性に基づいて正確かつ
容易に温度を測定することができる。
第１図は、本発明に使用する装置の一例を示す概要構成
図、 第２図は、本発明に使用するウェハの一例を示す平面図
、 第３図は、本発明に使用するマスクの一例を示ず平面図
、 第４図は、本発明により測定するウェハの一例を示す断
面図、 第５図は、本発明により測定するウェハの他の例を示す
断面図である。 （符号の説明） １・・・ウェハ、 ３・・・ヂンプ領域、 ４・・・パターン非形成領域、 ５・・・マスク、 ６・・パターン非形成領域、 ７・・・ランプアニール装置、 ８・・・加熱用ランプ、 ９・・チャンバ、 １０・・・透過窓、 １３・・・輝度−温度時１１１′データ記憶回路。
図、 第２図は、本発明に使用するウェハの一例を示す平面図
、 第３図は、本発明に使用するマスクの一例を示ず平面図
、 第４図は、本発明により測定するウェハの一例を示す断
面図、 第５図は、本発明により測定するウェハの他の例を示す
断面図である。 （符号の説明） １・・・ウェハ、 ３・・・ヂンプ領域、 ４・・・パターン非形成領域、 ５・・・マスク、 ６・・パターン非形成領域、 ７・・・ランプアニール装置、 ８・・・加熱用ランプ、 ９・・チャンバ、 １０・・・透過窓、 １３・・・輝度−温度時１１１′データ記憶回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体装置用のウェハ（１）表面にパターンを形成し
ないパターン非形成領域（４）を設け、アニールされて
いる上記ウェハ（１）の上記パターン非形成領域（４）
から輻射される光の輝度をパイロメータ（１２）により
検知し、 該パイロメータ（１２）の検知量に対応する温度を、予
め測定したウェハの地肌又は該ウェハ上の膜についての
輝度−温度特性データから判定することを特徴とする半
導体装置用ウェハの温度測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63097764A JPH01268120A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 半導体装置用ウェハの温度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63097764A JPH01268120A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 半導体装置用ウェハの温度測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268120A true JPH01268120A (ja) | 1989-10-25 |
Family
ID=14200935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63097764A Pending JPH01268120A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 半導体装置用ウェハの温度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01268120A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04297054A (ja) * | 1990-04-09 | 1992-10-21 | Anelva Corp | 半導体ウエハーの処理方法および装置 |
| JP2014192277A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 半導体アニール装置及び温度測定方法 |
| JP2015502055A (ja) * | 2011-12-15 | 2015-01-19 | ソイテック | その場でのメトロロジ用に構成された反応チャンバを有する堆積システムおよび関連の方法 |
| US9070590B2 (en) | 2008-05-16 | 2015-06-30 | Mattson Technology, Inc. | Workpiece breakage prevention method and apparatus |
| US9627244B2 (en) | 2002-12-20 | 2017-04-18 | Mattson Technology, Inc. | Methods and systems for supporting a workpiece and for heat-treating the workpiece |
| US9644285B2 (en) | 2011-08-22 | 2017-05-09 | Soitec | Direct liquid injection for halide vapor phase epitaxy systems and methods |
| KR20210156199A (ko) * | 2020-06-17 | 2021-12-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 방법 및 성막 장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01105530A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP63097764A patent/JPH01268120A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01105530A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04297054A (ja) * | 1990-04-09 | 1992-10-21 | Anelva Corp | 半導体ウエハーの処理方法および装置 |
| US9627244B2 (en) | 2002-12-20 | 2017-04-18 | Mattson Technology, Inc. | Methods and systems for supporting a workpiece and for heat-treating the workpiece |
| US9070590B2 (en) | 2008-05-16 | 2015-06-30 | Mattson Technology, Inc. | Workpiece breakage prevention method and apparatus |
| US9644285B2 (en) | 2011-08-22 | 2017-05-09 | Soitec | Direct liquid injection for halide vapor phase epitaxy systems and methods |
| JP2015502055A (ja) * | 2011-12-15 | 2015-01-19 | ソイテック | その場でのメトロロジ用に構成された反応チャンバを有する堆積システムおよび関連の方法 |
| JP2014192277A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 半導体アニール装置及び温度測定方法 |
| KR20210156199A (ko) * | 2020-06-17 | 2021-12-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 방법 및 성막 장치 |
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