JPH01265441A - Charged particle beam device - Google Patents
Charged particle beam deviceInfo
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- JPH01265441A JPH01265441A JP63092850A JP9285088A JPH01265441A JP H01265441 A JPH01265441 A JP H01265441A JP 63092850 A JP63092850 A JP 63092850A JP 9285088 A JP9285088 A JP 9285088A JP H01265441 A JPH01265441 A JP H01265441A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、パターンが形成された材料における任意の箇
所を簡単に観察出来る様にした荷電粒子ビーム装置に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a charged particle beam device that enables easy observation of any location in a patterned material.
［従来の技術］
近時、半導体デバイスの超高密度化に伴いパターンサイ
ズが小さくなった為、益々形成されたパターンの検査や
パターンサイズの測長等の測定が重要となって来ている
。[Prior Art] Recently, pattern sizes have become smaller with the ultra-high density of semiconductor devices, so inspection of formed patterns and measurements such as length measurement of pattern sizes have become increasingly important.
該測定ではパターンが描画された材料の測定すべき部分
の像を陰極線管の如き表示装置に表示させて測定すべき
パターンを観察している。例えば、材料上を電子ビーム
で走査する事により得られた二次電子に基づいて該走査
部分の像を表示する場合、電子ビームの光軸からの偏向
の大きさには許容値があるので、通常材料の一部分しか
表示出来ない。そこで、例えば、パターンサイズを測定
する場合を例に上げると、材料を電子ビーム測長機のス
テージ上に載せ、電子ビームで該材料上を倍率に応じた
一定振幅で走査し、該走査部分の像を表示手段に表示さ
せながら、ステージ移動させ、観察したい部分が表示装
置の画面に表示される様にしている。In this measurement, the pattern to be measured is observed by displaying an image of the portion to be measured of the material on which the pattern has been drawn on a display device such as a cathode ray tube. For example, when displaying an image of a scanned area based on secondary electrons obtained by scanning a material with an electron beam, there is a permissible value for the amount of deflection of the electron beam from the optical axis. Normally, only a portion of the material can be displayed. For example, when measuring the pattern size, a material is placed on the stage of an electron beam length measuring machine, and the material is scanned with an electron beam at a constant amplitude according to the magnification. While displaying the image on the display means, the stage is moved so that the part desired to be observed is displayed on the screen of the display device.
［発明が解決しようとしている課題］
しかし、上記の如くパターンが微細化及びパターンが形
成される材料が大形化している事からステージを移動さ
せながら表示装置の画面に観察したい部分を映し出すの
は大変面倒である。[Problem to be solved by the invention] However, as the patterns are becoming finer and the materials on which the patterns are formed are becoming larger as described above, it is difficult to project the part to be observed on the screen of the display device while moving the stage. It's very troublesome.
本発明はこの様な問題を解決し、パターンが形成された
材料における任意の箇所を簡単に観察出来る様にした荷
電粒子ビーム装置を実現する事を目的としたものである
。The object of the present invention is to solve these problems and to realize a charged particle beam device that can easily observe any location in a patterned material.
［課題を解決するための手段］
この様な目的を達成するために、本発明は、ステージに
載置された材料上を集束荷電粒子ビームで走査する事に
より該材料から得られた荷電粒子に基づいて、該材料の
走査部分の像を表示手段に表示させるように成した装置
において、上記材料と同形の材料全体をグラフィック表
示させたグラフィック表示手段か、又は、上記材料と同
形の材料上に座標軸を持つ透明な導電性板の何れかを設
け、更に、該グラフィック表示手段又は該透明導電性板
上で上記表示装置への表示位置を指定する手段、該指定
位置の座標を計算すると共に、該計算した座標に基づい
て上記ステージを移動させる事によって該指定位置を含
む荷電粒子走査部分を上記表示手段に表示させる制御手
段を設けた。[Means for Solving the Problems] In order to achieve such an object, the present invention scans a material placed on a stage with a focused charged particle beam to generate charged particles obtained from the material. In a device configured to display an image of a scanned portion of the material on a display means based on the above, the graphic display means graphically displays the entire material having the same shape as the above-mentioned material, or on a material having the same shape as the above-mentioned material. Providing any one of a transparent conductive plate having coordinate axes, furthermore, means for specifying a display position on the display device on the graphic display means or the transparent conductive plate, and calculating the coordinates of the specified position, Control means is provided for displaying a charged particle scanning portion including the specified position on the display means by moving the stage based on the calculated coordinates.
［実施例］
第１図は本発明の一実施例として示した電子ビーム測長
装置の概略図である。[Embodiment] FIG. 1 is a schematic diagram of an electron beam length measuring device shown as an embodiment of the present invention.
図中１は電子銃、２は集束レンズ、３Ｘ、３Ｙは夫々Ｘ
、Ｙ方向偏向レンズ、４はステージ、５は二次電子検出
器、６は陰極線管、７は電子計算機の如き制御装置（以
後、ＣＰＵと称する）、８はステージ駆動機構、９はラ
イトベンの如き入力装置、１０はモニター用陰極線管、
１１Ｘ、１１Ｙ、１２．１３はＤＡ変換器、１４はＡＤ
変換器である
先ず、測長すべき実際のウェハをホルダー（図示せず）
に正確にセットし、該ホルダをステージ４上の所定位置
に正確にセットする。そして、実際に１ＴｌｌＪ長する
材料（ウェハ）と同形（大きさは測長する材料より大き
くても同じでも良い）の材料（ウェハ）のサイズをＣＰ
Ｕ７に入力し、該ＣＰＵにより、該ＣＰＵに接続された
モニタ用陰極線管１０にウェハをグラフィック表示させ
る。ＣＰＵ７は、例えば、入力されたウェハサイズから
ウェハの直径（例えば、８インチなら２０ｃｍ）を出し
、第２図に示す様に、該材料の直線部、即ち、オリエン
テーションフラット（オリフラ）ＯＦの垂直二等分線と
直径との交点から、該ウェハの中心Ｏに座標（０，０）
を作り、該中心座標点をグラフィック表示されたウェハ
上に表示させる。In the figure, 1 is an electron gun, 2 is a focusing lens, and 3X and 3Y are X
, Y-direction deflection lens, 4 is a stage, 5 is a secondary electron detector, 6 is a cathode ray tube, 7 is a control device such as an electronic computer (hereinafter referred to as CPU), 8 is a stage drive mechanism, and 9 is a light vane etc. Input device, 10 is a monitor cathode ray tube,
11X, 11Y, 12.13 are DA converters, 14 is AD
The converter first holds the actual wafer to be measured (not shown).
and set the holder accurately at a predetermined position on the stage 4. Then, calculate the size of the material (wafer) that has the same shape (the size may be larger or the same as the material to be measured) with the actual length of 1TllJ by CP.
The CPU causes the wafer to be displayed graphically on the monitor cathode ray tube 10 connected to the CPU. For example, the CPU 7 calculates the diameter of the wafer (for example, 20 cm for 8 inches) from the input wafer size, and as shown in FIG. From the intersection of the equal dividing line and the diameter, set the coordinates (0,0) to the center O of the wafer.
, and display the central coordinate point on the graphically displayed wafer.
次に、該グラフィック表示されたウェハ上の観察したい
箇所をライトペン９にて指定する。上記ＣＰＵ７は、該
各指定箇所に、例えば、＋マークを表示させる。又、該
各指定位置の座標を計算し記憶する。Next, use the light pen 9 to specify a location on the graphically displayed wafer that you wish to observe. The CPU 7 displays, for example, a + mark at each specified location. Also, the coordinates of each specified position are calculated and stored.
尚、この時に、以前から市販されている座標軸が書かれ
、各Ｘ、Ｙ座標各々に対応して電極が設けられた透明な
導電性板（例えば、タッチパネル）を上記モニター用陰
極線管１０の代わりにＣＰＵ７に接続し、該導電性板を
ホルダの所定位置に取り付け、測長すべき実際のウェハ
と同形のウェハを、該透明な導電性板が上に載る様に該
ホルダーに装着しく尚、該ホルダは、該ウェハの装着に
より、該ウェハの中心と導電性板の中心が一致するよう
に作製されている）、該透明な導電性板を介してウェハ
上で観察箇所を例えば、押圧棒で押して指定しても良い
。該押圧棒で押された箇所は歪むので、該歪んだ箇所の
座標に対応した電極からＣＰＵ７に信号が送られ、該Ｃ
ＰＵは観察箇所の座標を検出して記憶する。At this time, a commercially available transparent conductive plate (for example, a touch panel) on which coordinate axes are written and electrodes are provided corresponding to each of the X and Y coordinates is used instead of the monitor cathode ray tube 10. Connect the conductive plate to the CPU 7, attach the conductive plate to a predetermined position on the holder, and attach a wafer of the same shape as the actual wafer whose length is to be measured to the holder so that the transparent conductive plate is placed on top. The holder is made so that when the wafer is mounted, the center of the wafer and the center of the conductive plate coincide with each other. You can also specify by pressing . Since the location pressed by the pressure rod is distorted, a signal is sent to the CPU 7 from the electrode corresponding to the coordinates of the distorted location, and the C
The PU detects and stores the coordinates of the observed location.
次に、該ＣＰＵは前記記憶した観察すべき各箇所の座標
に対応したＸ方向、Ｙ方向移動値を、順次間欠的に（観
察時間を考慮した時間）、ステージ駆動機構８に供給す
る。この時、電子銃１からの電子ビームは集束レンズ２
により試料上に集束されており、又、ＣＰＵ７からの倍
率に応じた走査信号の振幅に対応した試料上の領域を走
査している。さて、上記ステージ４は順次間欠的に、該
各移動値に対応した全移動するので、該各観察すべき箇
所がビーム光軸上にくるので、該各観察すべき箇所を中
心として前記走査振幅に対応した大きさの領域の試料像
が表示される。Next, the CPU sequentially and intermittently supplies the X-direction and Y-direction movement values corresponding to the stored coordinates of each location to be observed to the stage drive mechanism 8 (with observation time taken into consideration). At this time, the electron beam from the electron gun 1 is focused by the focusing lens 2.
The scanning signal is focused on the sample by the CPU 7, and an area on the sample corresponding to the amplitude of the scanning signal from the CPU 7 is scanned according to the magnification. Now, since the stage 4 is sequentially and intermittently moved by the total amount corresponding to each movement value, each of the points to be observed is on the beam optical axis, so the scanning amplitude is centered around each point to be observed. A sample image of an area corresponding to the size is displayed.
尚、新たに、観察したい箇所があったら、上記のように
、モニタ用陰極線管画面１０上にグラフィック表示され
たウェハ上に観察すべき箇所を指定する。そうすると、
ＣＰＵ７は該箇所の座標を計算し、該座標に基づいてス
テージ駆動機構８を制御するので、ステージ４は該箇所
がビーム光軸上にくるので、該観察すべき箇所を中心と
して前記走査振幅に対応した大きさの領域の試料像が表
示される。If there is a new location to be observed, the location to be observed is specified on the wafer graphically displayed on the monitor cathode ray tube screen 10, as described above. Then,
The CPU 7 calculates the coordinates of the location and controls the stage drive mechanism 8 based on the coordinates, so the stage 4 adjusts the scanning amplitude around the location to be observed, since the location is on the beam optical axis. A sample image of a correspondingly sized area is displayed.
尚、上記実施例ではパターン測長装置を例に上げたが、
走査電子顕微鏡等にも応用可能である。In the above embodiment, a pattern length measuring device was used as an example, but
It can also be applied to scanning electron microscopes, etc.
又、ライトベンで観察箇所の指定を行ったが、グラフィ
ックモニター上にカーソルを表示させ、マウスなどのポ
インティングデバイスを用いて該カーソルを移動させ、
観察箇所の指定を行うようにしても良い。In addition, although I specified the observation point with Light Ben, I displayed a cursor on the graphic monitor and moved the cursor using a pointing device such as a mouse.
The observation location may also be specified.
［発明の効果］
本発明によれば、材料と同形の材料全体をグラフィック
表示させるか、又は、材料と同形の材料上に座標軸を持
つ透明な導電性板を設け、該グラフィック表示されたモ
ニター上、又は、該透明導電性板上で観察すべき箇所を
指定し、該指定位置の座標を計算して、該計算した座標
に基づいてステージを移動させる事によって該指定位置
を含む荷電粒子走査部分の像を表示手段に表示させてい
るので、パターン等が形成された材料における任意の箇
所を簡単に観察する事が出来る。[Effects of the Invention] According to the present invention, the entire material having the same shape as the material is graphically displayed, or a transparent conductive plate having coordinate axes is provided on the material having the same shape, and the graphic is displayed on the monitor. Or, by specifying a point to be observed on the transparent conductive plate, calculating the coordinates of the specified position, and moving the stage based on the calculated coordinates, the charged particle scanning portion including the specified position can be scanned. Since the image is displayed on the display means, it is possible to easily observe any part of the material on which a pattern or the like is formed.
第１図は本発明の一実施例として示した電子ビーム７Ｉ
ｌｌｌ長装置の概略図、第２図はグラフィック表示のた
めのウェハの中心の求め方を示したものである。
１：電子銃 ２；集束レンズ ３Ｘ、３Ｙ：：Ｘ、
Ｙ方向偏向レンズ ４：ステージ５：二次電子検出器
６：陰極線管
７：制御装置 ８：ステージ駆動機構 ９二人力装
置 １０：モニター用陰極線管 １１Ｘ、ＩＩＹ、
１２，１３：ＤＡ変換器
１４：ＡＤ変換器
特許出願人 日本電子株式会社FIG. 1 shows an electron beam 7I shown as an embodiment of the present invention.
FIG. 2, a schematic diagram of the lll length device, shows how to determine the center of the wafer for graphical display. 1: Electron gun 2; Focusing lens 3X, 3Y::X,
Y direction deflection lens 4: Stage 5: Secondary electron detector 6: Cathode ray tube 7: Control device 8: Stage drive mechanism 9 Two-man power device 10: Cathode ray tube for monitor 11X, IIY,
12, 13: DA converter 14: AD converter Patent applicant JEOL Ltd.
Claims (1)
で走査する事により該材料から得られた荷電粒子に基づ
いて、該材料の走査部分の像を表示手段に表示させるよ
うに成した装置において、上記材料と同形の材料全体を
グラフィック表示させるグラフィック表示手段を設け、
更に、該グラフィック表示手段上で上記表示装置への表
示位置を指定する手段、該指定位置の座標を計算すると
共に、該計算した座標に基づいて上記ステージを移動さ
せる事によって該指定位置を含む荷電粒子走査部分を上
記表示手段に表示させる制御手段を設けた荷電粒子ビー
ム装置。 ２、ステージに載置された材料上を集束荷電粒子ビーム
で走査する事により該材料から得られた荷電粒子に基づ
いて、該材料の走査部分の像を表示手段に表示させるよ
うに成した装置において、上記材料と同形の材料上に座
標軸を持つ透明な導電性板を設け、更に、該透明導電性
板上で上記表示装置への表示位置を指定する手段、該指
定位置の座標を計算すると共に、該計算した座標に基づ
いて上記ステージを移動させる事によって該指定位置を
含む荷電粒子走査部分を上記表示手段に表示させる制御
手段を設けた荷電粒子ビーム装置。[Claims] 1. An image of a scanned portion of the material placed on a stage is displayed on a display means based on charged particles obtained from the material by scanning the material with a focused charged particle beam. The apparatus is provided with a graphic display means for graphically displaying the entire material having the same shape as the above-mentioned material,
Further, means for specifying a display position on the display device on the graphic display means, calculating the coordinates of the specified position, and moving the stage based on the calculated coordinates to display a charge including the specified position. A charged particle beam device comprising a control means for displaying a particle scanning portion on the display means. 2. A device configured to display an image of the scanned portion of the material on a display means based on charged particles obtained from the material by scanning the material placed on a stage with a focused charged particle beam. A transparent conductive plate having coordinate axes is provided on a material having the same shape as the above-mentioned material, and means for specifying a display position on the display device on the transparent conductive plate, and calculating the coordinates of the specified position. The charged particle beam apparatus further comprises a control means for displaying a charged particle scanning portion including the specified position on the display means by moving the stage based on the calculated coordinates.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63092850A JPH01265441A (en) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | Charged particle beam device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63092850A JPH01265441A (en) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | Charged particle beam device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01265441A true JPH01265441A (en) | 1989-10-23 |
Family
ID=14065903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63092850A Pending JPH01265441A (en) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | Charged particle beam device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01265441A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020007167A (en) * | 2000-07-14 | 2002-01-26 | 핫토리 쥰이치 | Wafer pattern observation method and device |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP63092850A patent/JPH01265441A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020007167A (en) * | 2000-07-14 | 2002-01-26 | 핫토리 쥰이치 | Wafer pattern observation method and device |
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