JPH01259849A - Nmrシステム - Google Patents

Nmrシステム

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JPH01259849A
JPH01259849A JP63164085A JP16408588A JPH01259849A JP H01259849 A JPH01259849 A JP H01259849A JP 63164085 A JP63164085 A JP 63164085A JP 16408588 A JP16408588 A JP 16408588A JP H01259849 A JPH01259849 A JP H01259849A
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shaped
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、特に、膨大量のサンプルから少量物を選択す
るNMR分光学(核磁気共鳴スペクトロスコープ)及び
NMR画像装置、即ちNMRシステムの不要信号除去方
法に関する。
「従来の技術およびその問題点J 膨大量のサンプルから少量を選択するためには、連続空
間局在技術が回りの物質の多くの量から不要信号を除去
できなければならない。三軸線全部に沿って10倍大き
い見本内で組織の単位立方体(正6面体)を選択するこ
とは、立方体外部の物質からの信号分布が少なくとも1
0000の7アクタで減少できることが必要である。こ
の抑制比は、立方体内からの測定信号が誤差信号より1
0倍以上であることを保証している。実際、少なくとも
20θ00の抑制比は、生体内燐分光学に通常見いだせ
る雑音レベル以下に誤差信号を減少させるために望まし
い。
信号抑制用の公知の機構が技術で変化してる。
しかし、種々の方法は、一連の実験の応用に追従した信
号消去原理に頼ってでいる。l5IS技術(R,J、0
rdidle、 A、Connely及びJ、A、B、
Lohiae氏のJ、 Mac、 Re5o*、 6f
t巻283号!986年参照)及びVSE技術(W、 
P、 A++e、 S、 M++eller、 T、 
A、 Cross及びJ、 5ecli(氏のJ、 M
agm、 Re5on、 56巻3511号1984年
参照)は、この原理に頼り、目的の量に基づくかなり小
さい信号を検知するために、大きい信号振幅の正確な消
去が要求される。この消去は、主磁場、磁場勾配、核磁
気共鳴(NMR)分光計システム及びサンプルの動きを
不安定にさせがちである。
D、 D、 Doddrell、 G、 G、 G11
1ovxy、 W、 M、 Brancks、 J、 
M、 Ra1sin(、J、 C,Field、 M、
 G、 Irvinπ及びTi、 Biddcley氏
のMa(n、 Re5on、 1Jed、 3巻970
号1986年(以下、文献と言う)は、選択的π/2ス
ピン章動の応用によってサンプルの不要領域におけるス
ピン縦磁化を破壊する無線(RF)ブリパルスを記載し
た。従って、横磁化が好適な空間局在技術の適応前に減
衰することを許容する。この方法は、均一な送信コイル
を用いI;高電力選択RFパルスの印加に頼っている。
これは、不要スピン磁化の殆どが正確°に決定されたr
 / 2単動を受けることを保証する。実際、サングル
を完全に囲んだ高RF電力及び均−RFコイルの合同は
、生体内分光計システムに支持された小形の媒体にのみ
発見された。全身体体内分光学研究にとっては、RF電
力の要求が考慮でき、このような装置にとって電流安全
手引を越えてしまう。
LOGUS分光学と呼ばれる類似の技術は、A。
Haase氏のMB++、 Re5et、 Med、 
3巻963号19B6年で提案された。この方法におい
ては、不要磁化が選択π/2パルスの序列によって効果
的に除去される。このLocus技術には、高度に均一
なRFコイルが要求され、第2の実験がスピン格子緩和
法の影響を除去するために必要である。
本発明の目的は、必要な信号の向上を補助するために不
要信号を除去する方法を提供することである。
r問題点を解決するための手段」 本発明によれば、任意の周波数成分の少なくとも二領域
を備え、これら領域間にゼロ成分の少なくとも一領域が
配置された成型RFパルスを用いたNMRシステムにお
ける不要周波数帯域から信号を除去する方法が提供され
る。
本発明の更なる目的は、RF電力の使用に非常に有効で
、良好な選択性を形成する大規模サンプル内から少量の
物質を選択する方法を提供することを目的としている。
本発明によれば、勿論、選択量外部の全量における正味
スピン縦磁化を効果的に任意化する線形磁場勾配と結合
した成型RFパルスを適用した不要信号の除去によって
、NMRシステムにおける膨大量のサンプル内で少量物
質をより正確に定義する方法を提供することである。
選択ブリパルスは、l5IS或はVSEのような好適空
間局在技術によって追従される。
「実施例」 本発明の実施例は、以下に添付図面を参照して説明され
る。
選択RFプリパルスは、雑音から構成される。
任意雑音発生ルーチンは、所定の範囲に互って等しい発
生率を持つ任意数の序列を通常発生する殆どのコンピュ
ータにとって見いだせる。この論議を考慮する場合にと
って、512個の複合点からなる雑音序列は、実数部及
び虚数部を持って、ゼロの回りに集中する分布を持つよ
うに任意に選択される。この序列は、初期選択放射スペ
クトルを示すように使用された。もし、目標の中央スラ
イスにおけるNMRスピンが摂動されない状態にあるな
らば、放射スペクトルの対応の周波数成分が除去されな
ければならない。これは、放射スペクトルの中央におい
て、連続点にゼロを各々設定して達成される。従って、
対応の周波数帯域幅の非選択スライスは、パルスが磁場
勾配と関連して印加された時に摂動しない。好適な雑音
分布は、第1A図に示されるように、実数部及び虚数部
の周波数ドメインにゼロを設定した中央の20点を持っ
ている。
選択成型RFパルスは、放射スペクトルのフーリエ変換
によって発生され、第1B図に示される。
磁場勾配に関連した成型RFパルスの印加後、スピン磁
化が選択軸に沿った位置の関数として単動の変化度を実
施する。最小値より大きいRF電力レベルにとって、未
摂動スライスの外側の縦磁化が寸法及び極性で任意化さ
れ、共鳴空間同質性を持つ目標にとってゼロに平均化し
ている。その後、このパルスによって励起された横磁化
が次の実験の応用前に減衰することを許容する。目標の
NMRスピンが摂動しないので、好適な空間局在技術で
測定されたNMR信号は、選択スピンからの全信号分布
と、これら外側の領域から発生した非常に減少した誤差
信号とを含んでいる。
第1C図は、パルス期間に直に追従する縦磁化における
選択雑音パルスのコンピュータシュミレーションを示し
ている。選択軸に沿った均一スピン分布が仮定される。
パルスを印加中のNMRスピンの単動は、ブロッホ(B
loc&)式で特定された境界条件に従って連続マトリ
ックス操作子の適用によって計算された。R,J、 O
rdidge氏、D、 Thesis博士、ノッチンガ
ム大学、英国1981年参照。
非均−サンプルにとっては、残差の正味縦磁化が雑音励
起スペクトルの高度の周波数成分の故にゼロに平均化さ
れるべきである。印加されたRFパルス電力の僅かな変
動は、この状態がたどり着いたことを効果的に保証する
ために使用できる。lOミリ秒の選択パルスにとって、
未摂動スライスの周波数帯域幅は、残差の磁化が任意化
される51.2kHzの合計の周波数帯域幅と比較して
2kHzである。
全3個の空間軸に沿って縦磁化の完全任意化を達成する
ためには、3個の選択プリパルスが要求される。しかし
、これらパルスが第4図に示すように連続的に印加され
てもよい。
選択雑音パルスの影響が同じ帯域幅の選択π/2パルス
と比較できる。選択π/2パルスが全磁化を横断面に単
動(首振運動)し、その後前述の文献によって、磁場勾
配の影響下で脱位相化を許容する。この任意化工程は、
残差の縦磁化が任意化された選択雑音パルスの作用から
異なっている。
しかし、両者の場合において、正味の効果が次の収集期
間中にサンプルの不要領域から信号分布を除去すること
である。等周波数帯域幅のπ/2選択パルスと比較した
雑音パルスの利点は、現在少なくとも50の7アクタに
上るRF電力の考慮すべき節約である。雑音パルスが放
射スペクトルの故に非常に効率的である。これは、周波
数成分間で非常に僅かなコーヒレンスを持つ選択パルス
を発生する。従って、結果のRF変調関数は、個別の周
波数成分がコーヒレンスな位相にならないので、大形R
F振輻が要求される間中にどの間隔も含まない。
非選択RF方形パルスは、章動NMR磁化の最も効率的
な手段であり、他の全パルスが判定される標準として使
用でき、通常、時間の関数として印加されたRF振幅変
動の任意化序列として選択雑音パルスを考慮できる。こ
の波形の印加は、NMRスピンを任意符号及び寸法のN
種のRFパルスの正味効果を経験させる。但し、Nは、
選択バルス波形を示すのに使用された時間間隔の数であ
る。どの任意化平均雑音レベルが平均数の平方根で増加
するので、パルスの平均効果がパルス波形の単一時間間
隔中に発生するものより5倍単動をさせる。しかし、雑
音パルスは、等間隔のRF方形パルスと比較すると、7
1倍効率が落ちている。これは、雑音パルスが方形パル
スよりN倍大きい励起周波数帯域幅を持つ事実によって
補償される。同じ励起帯域幅を持つr / 2方形パル
スが雑音パルスよりより大きいRF電力を要求する。
しかし、雑音パルスは、±πまでのスピン単動を発生し
なければならず、従って、等価の周波数選択r/2パル
スよりRF振幅が、r玉;71倍効率的で、RF電力で
N/4倍以上効率的である。
雑音パルスの効率を表現する最も適宜方法は、非選択r
 / 2方形パルスの性能を比較することである。もし
、そのユニットが一定の持続期間の非選択π/2方形パ
ルスの振幅を示したならば、この場合ここで考慮すると
、492のRF振輻が要求されて、前述の文献に記載6
れたように単一選択パルスを用いて所望の効果を達成す
る。
第2図のグラフは、印加雑音パルスのRF振幅の関数と
して未摂動スライスの外側での残差の縦磁化の変動を示
している。第2のゼロクロスは69点の正規化振幅で発
生する。前述の理論は、雑音パルスが等持続期間及び励
起帯域幅の選択パルスより、/7’;”!−倍効率的で
あると予言している。
512回の間隔のパルスにとっては、これが45の相対
RF振輻でゼロ正味縦磁化を予言している。
従って、雑音発生の特定方法では、選択パルスがスピン
システムの任意化に相当貧弱な効率を発生する。より高
いRF振幅では、残差の縦磁化が減衰振幅を持つ極性で
発振するが、未摂動縦磁化の外郭が非選択スライスの端
部で悪化し始める。これら発振は、非均−サンプルによ
る不要信号の最大消去のためのRF@幅の最適化に有用
と検証された。正味残差の磁化のRFm幅の依存度はR
F振幅のより高いレベルで殆ど減少される。
不幸にして、雑音パルスがパルスの完全励起スペクトル
を交差したスピン単動角の等しい範囲に起因しない。こ
の特徴は、全選択パルスに普通であるが、連続関数より
むしろ離散成型RFパルスの応用に起因している。RF
波形の離散性の効果は、波形の個別の間隔に等しい持続
時間を持つに/2RFパルスの励起スペクトルを考慮し
て計算できる。従って、オフ共振スピンの摂動角は計算
されて、選択パルスにおける対応の周波数成分が調整さ
れてこの効果を補償する。要求された修正は、ラディア
ンの計算単動角によって割算された1r/2に等しいフ
ァクタによって関連の周波数成分を乗算する必要がある
。この修正関数C(ω)は、次の式で示される。
C(ω) = w / 2θ        [11但
し、 ω+(yr / 2τ)2 ωは初期放射スペクトル用の角度周波数オフセットであ
り、τが選択成をパルスにおける離散間隔の持続期間で
ある。
雑音スペクトルは、それ故、励起された帯域幅のパルス
に互って等しい周波数応答を維持するために大きい周波
数オフセットのために振幅がかなり増加しなければなら
ない。この変形は既に述べた結果の計算を含んでいる。
更に、選択パルスの精製は放射スペクトルにおける雑音
特性の変形によって達成できる。放射スペクトルの求積
成分を示すためには、2個の独立の雑音振幅を利用する
代わりに、任意雑音が任意位相角を持つ一定振幅を用い
て極座標システムで発生できる。結果の励起パルスが正
味の残差の磁化におけるゼロを達成するためにより少な
いRF電力が要求されるが、より高いRF振幅での残差
の磁化の発振がより大きくなる。第3図は、均一のサン
プル毎にRF振輻に対してプロットされた正味の残差の
縦磁化を示している。第1のセロクロスが45の理論値
と殆ど近い約50のRF振輻で発生している。等しい持
続期間及び同様の効果の−x / 2選択パルスに比較
してRF電力の節約は今約95の7アクタである。
雑音変調の他の形態が使用できる。RF振幅時の正味の
縦磁化の依存性は雑音特性を変化させることによって変
化できる。
選択ブリパルスは、選択されたスライスの外側の領域か
ら不要のスピン磁化を消去し、破壊させて記載される。
このような3個のパルスは、第4図に示す■SISのよ
うな空間局在技術を用いて次に検査できる物質量を摂動
させないために連続的に印加されてもよい。第4図を参
照すると、各勾配パルス毎に示された成型RFパルスを
持つ勾配Gx、Gy、Gz毎にパルス序列が示されてい
る。勾配及びRFパルスは、公知の方法の空間局在実験
或はNMRイメージング実験によって追従される。これ
らブリパルスの印加は、組織の不要量から誤差信号を膨
大に減少させて、l5IS技術の有用性を拡張する。
類似のパルスが標準8M1分光学における広い共鳴ライ
ンの除去に使用でき、勿論NMRイメージングにおける
ズーム像の発生に有用である。勿論、この技術は、NM
R研究中に動きを受ける感度を最小にする空間局在手順
を形成する。
誤差気味の信号は、実験手順中に移動する組織からの生
の信号応答によって起因できる。雑音パルスは、より効
果的な信号消去を形成する移動有機体内で縦磁化を任意
化させがちである。
この技術は、目標の領域の外側の組織の量から信号応答
を最小にさせるためにNMR序列に追加できる。これの
代わりに、信号周波数成分、例えば化学シフトスペクト
ルにおけるラインは、第5図に示すように選択雑音パル
スを持つブリ励起によって除去してもよい。SPI及び
SF3で識別されるスペクトルの雑音帯域を持つ一成型
パルスの印加によって第5図を参照して、スペクトルの
主要ピークP1及びP2は、本発明の技術を使用して除
去され、従って受信器の利得を増加でき、従って第5C
図のAD変換器の良好な使用によって主要ビークP3を
向上できる。
雑音パルスの形状は、2Nの実数点及び2Nの虚数点の
配列からなる初期放射スペクトルから発生され、但しN
が整数である。これら点のどの数或は分布はゼロに設定
され、残りが任意化雑音模様で満配になる。従って、雑
音スペクトルにおけるギャップの分布が発生し、選択R
Fパルスが放射スペクトルのフーリエ変換によって形成
される。
従って、これら周波数ギャップ内の信号は、このパルス
の印加後、未摂動となり、一方雑音パルスの影響を経験
しI;サンプルの部分が縦磁化の任意化を通してかなり
減少した信号を形成する。
サンプルのズームされた領域の像を形成するためには、
この技術がNMRイメージングに合同できる。勿論、こ
の技術は化学シフトイメージングと合同して、サンプル
内の内部容量の化学シフトイメージを作ることができる
。最終的に、方法は存在する空間局在手順に応用できる
【図面の簡単な説明】
第1A図は選択雑音パルス用の放射スペクトルを形成す
る実周波数ドメインの分布成分を示し、512点スペク
トルの中央の20点が実数及び虚数部ドメインにおいて
ゼロに設定されたグラフ図、第1B図は第1A図のデー
タのフーリエ変換によって得られた選択成WRFパルス
を示し、類似の関数が虚数時間ドメインで得られるグラ
フ図、第1C図は均一なスピン分布時の磁場勾配と協働
して印加された第1B図に示す選択パルスの効果のコン
ピュータシュミレー237図で、垂直軸カハルスに追従
する残差の縦磁化を示し、線形磁場勾配の位置関数とし
てプロットされ、RF振幅が未摂動スライスの外側で最
小の正味縦磁化が得られるように選択された図、第2図
は2個の独立の任意周波数成分を持つ求積選択パルスの
正規化RF振幅の関数としてプロットされた、未摂動ス
ライスの外側での正味残差の縦磁化の百分率を示すプロ
ット図で、RF振輻が等持続期間の非選択π/2RFパ
ルスに対応する図、第3図は極共座標で定義された周波
数成分を持つ求積選択パルスの正規化RF振幅の関数と
してプロットされた、未摂動スライスの外側での正味残
差の縦磁化の百分率を示すプロット図で、周波数成分が
一定の振幅及び±に間で変化できる任意位相角で特定さ
れ、RFti幅が等持続期間の非選択r / 2 RF
パルスに対応する図、第4図は三次元(X、Y、Z)に
おける空間局在及び除去用の本発明による原理を示す序
列タイミング図、第5図は少数ピークのより正確な評価
用のドメインピークを除去するために除去技術を適用し
た本発明による原理図である。 出願人  ナショナル リサーチ テヘロップメント コーポレーション Fig、 3 時間 Fig、 5 手続補正書(自発)

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)任意の周波数成分の少なくとも二領域を備え、こ
    れら領域間にゼロ成分の少なくとも一領域が配置された
    ことを特徴とする成型RFパルスを用いて不要周波数帯
    域からの信号を除去するNMRシステムの不要信号除去
    方法。
  2. (2)選択量外部の全量における正味スピン縦磁化を効
    果的に任意化する線形磁場勾配と結合した成型RFパル
    スを適用した不要信号の除去によって、NMRシステム
    における膨大量のサンプル内で少量物質をより正確に定
    義する方法。
  3. (3)1個の成型RFパルス及び勾配は、スライスを摂
    動させないように使用される特許請求の範囲第2項記載
    の方法。
  4. (4)2個のづつの成型RFパルス及び勾配は、カラム
    を摂動させないように使用される特許請求の範囲第2項
    記載の方法。
  5. (5)3個のづつの成型RFパルス及び勾配は、正6面
    体を摂動させないように使用される特許請求の範囲第2
    項記載の方法。
  6. (6)各成型RFパルスが定義期間に亙って任意である
    スペクトル成分を持ち、特定の周波数帯域にスペクトル
    成分を持たない特許請求の範囲第2項、第3項、第4項
    或は第5項記載の方法。
  7. (7)前記RFパルス及び勾配がNMR或は化学シフト
    イメージングを形成する特許請求の範囲第6項記載の方
    法。
  8. (8)各成型RFパルスは位相のみが任意であるスペク
    トル成分を持っている特許請求の範囲第2項から第7項
    までのいずれかに記載の方法。
  9. (9)どの特性の雑音信号も成型RFパルスの任意スペ
    クトル成分を発生する特許請求の範囲第2項から第7項
    までのいずれかに記載の方法。
  10. (10)前記成型RFパルスの印加が局所化空間技術と
    協働して、正確に定義された量を形成する特許請求の範
    囲第2項から第9項までのいずれかに記載の方法。
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GB8715302 1987-06-30
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