JPH01257821A - レーザマーカ - Google Patents
レーザマーカInfo
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- JPH01257821A JPH01257821A JP8509088A JP8509088A JPH01257821A JP H01257821 A JPH01257821 A JP H01257821A JP 8509088 A JP8509088 A JP 8509088A JP 8509088 A JP8509088 A JP 8509088A JP H01257821 A JPH01257821 A JP H01257821A
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- liquid crystal
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- Pending
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパルスレーザを用いたワンショットレーザマー
カに係り、特に、ワンショット毎に刻印内容を変更でき
る液晶マスクマーカに関する。
カに係り、特に、ワンショット毎に刻印内容を変更でき
る液晶マスクマーカに関する。
レーザマーカの刻印用パターンマスク部に透過形液晶素
子を用いることは、特開昭56−38888号公報に記
載されているが、液晶マスク部におけるレーザ吸収特性
を考慮した液晶マスク部構成の最適化については言及さ
れておらず、本発明者のこれまでの研究により液晶マス
ク部の冷却手段が考え出されている。
子を用いることは、特開昭56−38888号公報に記
載されているが、液晶マスク部におけるレーザ吸収特性
を考慮した液晶マスク部構成の最適化については言及さ
れておらず、本発明者のこれまでの研究により液晶マス
ク部の冷却手段が考え出されている。
上記従来技術は、主として、半導体素子モールドパッケ
ージ等の表面刻印用として考え出されたものである。金
属等の難加工材への適応を考えると、さらに高いレーザ
エネルギが必要とされ、液晶マスク部の冷却能力を増加
しなければならない。
ージ等の表面刻印用として考え出されたものである。金
属等の難加工材への適応を考えると、さらに高いレーザ
エネルギが必要とされ、液晶マスク部の冷却能力を増加
しなければならない。
そのためには、冷却油温を室温以下まで下げる方式が、
最も簡単であるが、液晶マスク部を構成しているガラス
表面が結露・汚損し、その寿命を著しく低下させるとい
う問題があった。
最も簡単であるが、液晶マスク部を構成しているガラス
表面が結露・汚損し、その寿命を著しく低下させるとい
う問題があった。
本発明は高エネルギをもつレーザの照射に伴う液晶の昇
温を抑制し、液晶マスクの耐久性を向上させ得るレーザ
マーカを提供することを目的とする。
温を抑制し、液晶マスクの耐久性を向上させ得るレーザ
マーカを提供することを目的とする。
上記目的は、液晶マスク強制冷却部の油温を室温より大
幅に下げ、冷却部の大気側には、室温以上に制御した高
温部を設けることにより達成される。
幅に下げ、冷却部の大気側には、室温以上に制御した高
温部を設けることにより達成される。
液晶マスク強制油冷温度を下げることにより、冷却能力
を大幅に向上させ、液晶マスク最外郭を形成するガラス
温度は、大気温度以上になるよう内部に設けた高温油に
より制御される。これにより、液晶マスク最外郭部への
結露を防止し、液晶マスクの耐久性を向上する。
を大幅に向上させ、液晶マスク最外郭を形成するガラス
温度は、大気温度以上になるよう内部に設けた高温油に
より制御される。これにより、液晶マスク最外郭部への
結露を防止し、液晶マスクの耐久性を向上する。
液晶マスク部構成が、中心部より外郭へ向かって、液晶
層、液晶封止ガラス、強制冷却用低温油層、低温油層形
成ガラス、高温油層、高温油層形成ガラスと多層構造に
なるが、それぞれのレーザ吸収は小さく、また、屈折率
もほぼ等しいため各層間でのフレネル反射も無視てきう
る。従って、レーザ利用率の点からは従来技術の場合と
同等である。
層、液晶封止ガラス、強制冷却用低温油層、低温油層形
成ガラス、高温油層、高温油層形成ガラスと多層構造に
なるが、それぞれのレーザ吸収は小さく、また、屈折率
もほぼ等しいため各層間でのフレネル反射も無視てきう
る。従って、レーザ利用率の点からは従来技術の場合と
同等である。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。
第1図において、1は可視から近赤外までの波長範囲の
なかに発振波長をもつパルスレーザであり、YAGレー
ザに代表される。パルスレーザ1から射出される直線偏
光のレーザ光2(ここではP偏光とする。)は、凹状お
よび凸状のシリンドリカルレンズを組み合わせたエキス
パンダ3により拡大され、液晶マスク4に照射される。
なかに発振波長をもつパルスレーザであり、YAGレー
ザに代表される。パルスレーザ1から射出される直線偏
光のレーザ光2(ここではP偏光とする。)は、凹状お
よび凸状のシリンドリカルレンズを組み合わせたエキス
パンダ3により拡大され、液晶マスク4に照射される。
液晶マスク4は液晶セル部5と冷却部6a。
6bとに分けられる。液晶セル部5は、一対のガラス基
盤7a、7bに透明電極(図示せず)を蒸着し、配向処
理したもので、ライス1−ネマティック液晶8を挾み込
む。液晶セル部5は、液晶駆動・制御部9に接続されて
いる。
盤7a、7bに透明電極(図示せず)を蒸着し、配向処
理したもので、ライス1−ネマティック液晶8を挾み込
む。液晶セル部5は、液晶駆動・制御部9に接続されて
いる。
液晶セル部5を包み込むようにガラス板10a。
10bを設け、さらに、外側にガラス板11a。
=3−
11bを設は二層の隔室を形成する。液晶セル部5とガ
ラス板10a、10b間には液晶8の冷却用の低温油1
2a、12bを流す。ガラス板10a。
ラス板10a、10b間には液晶8の冷却用の低温油1
2a、12bを流す。ガラス板10a。
10bとガラス板11a、llb間には室温共」二に、
温度制御された高温油13a、13bを流す。
温度制御された高温油13a、13bを流す。
液晶マスク4を通過したレーザ光14は、ビームスプリ
ッタ15によって、刻印用パターン情報を反映したP偏
光レーザ光16と、非刻印用レーザ光17とに分離され
る。このうち、P偏光レーザ光16はレンズ18で被加
工物19面上に結像され、刻印される。非刻印用レーザ
光17は吸収体20に向って吸収される。
ッタ15によって、刻印用パターン情報を反映したP偏
光レーザ光16と、非刻印用レーザ光17とに分離され
る。このうち、P偏光レーザ光16はレンズ18で被加
工物19面上に結像され、刻印される。非刻印用レーザ
光17は吸収体20に向って吸収される。
パルスレーザ光を液晶マスクに照射したとき、液晶温度
がどのように変化するのかを第2図に示す。横軸が時間
t、縦軸が各パルスレーザ照射時の液晶最高温度Tであ
る。半導体素子モールドパッケージ等を刻印する場合を
考えると、レーザエネルギ4J、繰り返し数毎秒十回、
程度の仕様が要求される。強制油冷部の温度を30℃と
すると、液晶の温度上昇特性は〔I〕の曲線で表され、
その最高温度は55℃とほぼ液晶動作限界(60°C)
の近くまで上る。従って、これ以上のレーザエネルギを
要求される難加工材への適応は難しくなっていた。
がどのように変化するのかを第2図に示す。横軸が時間
t、縦軸が各パルスレーザ照射時の液晶最高温度Tであ
る。半導体素子モールドパッケージ等を刻印する場合を
考えると、レーザエネルギ4J、繰り返し数毎秒十回、
程度の仕様が要求される。強制油冷部の温度を30℃と
すると、液晶の温度上昇特性は〔I〕の曲線で表され、
その最高温度は55℃とほぼ液晶動作限界(60°C)
の近くまで上る。従って、これ以上のレーザエネルギを
要求される難加工材への適応は難しくなっていた。
一方、本実施例では、液晶マスク最外郭ガラスの温度が
室温以上に保たれるため、結露の心配はなく、強制油冷
温度をこれまでより大幅に下げることが可能になる。油
温を10’Cとし、従来と同様の55℃までの温度上昇
を許容すると、そのときのレーザエネルギは約7Jまで
向上(き(特性[II) )、難加工材への適応範囲の
拡大、または、刻印面積増加といった効果がある。
室温以上に保たれるため、結露の心配はなく、強制油冷
温度をこれまでより大幅に下げることが可能になる。油
温を10’Cとし、従来と同様の55℃までの温度上昇
を許容すると、そのときのレーザエネルギは約7Jまで
向上(き(特性[II) )、難加工材への適応範囲の
拡大、または、刻印面積増加といった効果がある。
本発明によれば、液晶マスク最外郭ガラス表面への結露
が防げ、液晶冷却油温を室温以下に下げられ、液晶マス
クの耐久性が向」ニする。
が防げ、液晶冷却油温を室温以下に下げられ、液晶マス
クの耐久性が向」ニする。
第1図は本発明の一実施例の説明図、第2図は温度上昇
特性図である。 1・・パルスレーザ、4・・・液晶マスク、11a。 1 l b−ガラス板、12a、12b−低温油、13
a、]、3b・・高温油。
特性図である。 1・・パルスレーザ、4・・・液晶マスク、11a。 1 l b−ガラス板、12a、12b−低温油、13
a、]、3b・・高温油。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、外部から刻印すべきマークのパターン情報を与えた
透過形液晶セルと、可視波長から近赤外波長までの波長
範囲に属するレーザ光源から射出される直線偏光レーザ
光によつて前記透過形液晶セルを照射する手段と、前記
透過形液晶セルの強制油冷層と、前記透過形液晶セルを
透過した前記レーザ光を被加工面に結像させる光学系と
を備えたレーザマーカにおいて、 前記強制油冷層を挾み込むように、大気温度より高温に
制御された高温油層を設けたことを特徴とするレーザマ
ーカ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8509088A JPH01257821A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | レーザマーカ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8509088A JPH01257821A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | レーザマーカ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01257821A true JPH01257821A (ja) | 1989-10-13 |
Family
ID=13848904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8509088A Pending JPH01257821A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | レーザマーカ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01257821A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05196911A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Komatsu Ltd | レーザマーカの液晶素子 |
US5589955A (en) * | 1991-05-21 | 1996-12-31 | Seiko Epson Corporation | Optical device and optical machining system using the optical device |
-
1988
- 1988-04-08 JP JP8509088A patent/JPH01257821A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5589955A (en) * | 1991-05-21 | 1996-12-31 | Seiko Epson Corporation | Optical device and optical machining system using the optical device |
JPH05196911A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Komatsu Ltd | レーザマーカの液晶素子 |
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