JPH01253985A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、特に高出力動作が可能な半導体レーザおよ
びその製造方法に関するものである。
びその製造方法に関するものである。
近年、半導体レーザの結晶成長は、従来の液相成長法か
ら、層厚２組成の精密制御が可能で、しかも同時に多数
枚処理による大量生産が可能である等の特徴を持つ、Ｍ
Ｏ−ＣＶＤ法（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇ−ａｎｉｅ Ｃｈｅ
ｍｉｅａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ：有
機金属熱分解気相成長法）に移行しつつある。
ら、層厚２組成の精密制御が可能で、しかも同時に多数
枚処理による大量生産が可能である等の特徴を持つ、Ｍ
Ｏ−ＣＶＤ法（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇ−ａｎｉｅ Ｃｈｅ
ｍｉｅａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ：有
機金属熱分解気相成長法）に移行しつつある。
と（７）ＭＯ−ＣＶＤ法を適用した従来のレーザ構造と
して、例えばＪ、Ｊ、ＣｏｌｅｍａｎらがＡｐｐｌｉｅ
ｄ ＰｈｙｓｉＣｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ ３７
Ｎｏ、３ ｐ２６２ （１９８０）で提案した内部電流
狭窄型のレーザ構造を第４図に示す。
して、例えばＪ、Ｊ、ＣｏｌｅｍａｎらがＡｐｐｌｉｅ
ｄ ＰｈｙｓｉＣｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ ３７
Ｎｏ、３ ｐ２６２ （１９８０）で提案した内部電流
狭窄型のレーザ構造を第４図に示す。
この図において、２１はｎ形ＧａＡｓからなる基板、２
２はｎ形ＡｊＧａＡｓからなる第１クラッド層、２３は
ＡｌＧａＡｓからなる活性層、２４はｐ形Ａｊ）ＧａＡ
ｓからなる第２クラッド層、２５はｎ形ＧａＡｓからな
る電流ブロック層、２６はｐ形Ａ Ｉ Ｇ ａ 、Ａ
ｓからなる第３クラッド層、２７はｐ形ＧａＡｓからな
るコンタクト層、２８はストライプ状溝、２９はｎ電極
、３ｏはｐＴｓ極をそれぞれ示す。
２はｎ形ＡｊＧａＡｓからなる第１クラッド層、２３は
ＡｌＧａＡｓからなる活性層、２４はｐ形Ａｊ）ＧａＡ
ｓからなる第２クラッド層、２５はｎ形ＧａＡｓからな
る電流ブロック層、２６はｐ形Ａ Ｉ Ｇ ａ 、Ａ
ｓからなる第３クラッド層、２７はｐ形ＧａＡｓからな
るコンタクト層、２８はストライプ状溝、２９はｎ電極
、３ｏはｐＴｓ極をそれぞれ示す。
次に、この半導体レーザの製造方法について説明する。
まず、ＭＯ−ＣＶＤ法により、ｎ形ＧａＡｓからなる基
板２１上に、ｎ形ＡｌＧａＡｓからなる第１クラ・アト
層２２おふびＡｌＧａＡｓからなる活性層２３、ｐ形Ａ
ｌＧａＡｓからなる第２クラッド層２４、ｎ形ＧａＡｓ
からなる電流ブロック層２５を順次形成する。この成長
後、フォトリソグラフィ技術とエツチング技術により電
流ブロック層２５にストライプ状溝２８を形成する。こ
の時ストライプ状溝２８底部には第２クラッド層２４が
露出している。次にＭＯ−ＣＶＤ法による第２回目成長
で、さらにｐ形ＡｊＧａＡｓからなる第３クラッド層２
６．ｐ形Ｇ ａＡｓからなるコンタクト層２７をそれぞ
れ形成する。この成長後、基板２１側にｎ電極２９、コ
ンタクト層２７側にｐ電極３ｏを蒸着、スパッタ等によ
り形成すれば第４図に示した素子が完成する。
板２１上に、ｎ形ＡｌＧａＡｓからなる第１クラ・アト
層２２おふびＡｌＧａＡｓからなる活性層２３、ｐ形Ａ
ｌＧａＡｓからなる第２クラッド層２４、ｎ形ＧａＡｓ
からなる電流ブロック層２５を順次形成する。この成長
後、フォトリソグラフィ技術とエツチング技術により電
流ブロック層２５にストライプ状溝２８を形成する。こ
の時ストライプ状溝２８底部には第２クラッド層２４が
露出している。次にＭＯ−ＣＶＤ法による第２回目成長
で、さらにｐ形ＡｊＧａＡｓからなる第３クラッド層２
６．ｐ形Ｇ ａＡｓからなるコンタクト層２７をそれぞ
れ形成する。この成長後、基板２１側にｎ電極２９、コ
ンタクト層２７側にｐ電極３ｏを蒸着、スパッタ等によ
り形成すれば第４図に示した素子が完成する。
次に動作について説明する。
この半導体レーザにおいて、ｎｉ［ｉ２９に負（−）、
ｐ電極３ｏに正（＋）の電極を印加すると、電流は電流
ブロック層２５に形成されたストライプ状溝２８を流れ
、とのストライプ状溝２８下の活性領域に電流が狭窄さ
れる。この結果、上記の領域に電子とホールが注入され
レーザ発振が生じる。
ｐ電極３ｏに正（＋）の電極を印加すると、電流は電流
ブロック層２５に形成されたストライプ状溝２８を流れ
、とのストライプ状溝２８下の活性領域に電流が狭窄さ
れる。この結果、上記の領域に電子とホールが注入され
レーザ発振が生じる。
一般に半導体レーザでは、電流を増加して光出力を増す
と突然光出力が低下し、非可逆的な破壊（いわゆるＣ０
Ｄ）が生じる。これはレーザ光が端面近傍領域の表面準
位で吸収されて温度が上昇し、結晶が瞬時に溶融してし
まうからである。
と突然光出力が低下し、非可逆的な破壊（いわゆるＣ０
Ｄ）が生じる。これはレーザ光が端面近傍領域の表面準
位で吸収されて温度が上昇し、結晶が瞬時に溶融してし
まうからである。
上記のような従来の半導体レーザは、最大光出力が端面
破壊レベル（ＣＯＤレベル）で制限されるため、高々３
０ＩｒＩＷ程度の光出力しか得られないという問題点が
あった。
破壊レベル（ＣＯＤレベル）で制限されるため、高々３
０ＩｒＩＷ程度の光出力しか得られないという問題点が
あった。
この発明は、かかる課題を解決するためになされたもの
で、３０ｍＷ以上の光出力でも安定に動作する半導体レ
ーザおよびその製造方法を得ることを目的とする。
で、３０ｍＷ以上の光出力でも安定に動作する半導体レ
ーザおよびその製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体Ｌ・−ザは、ｎ形の半導体基板と
、この半導体基板上に形成されたｎ形の第１クラッド層
と、この第１クラッド層上に形成されたｎ形の活性層と
、この活性層上に形成されたｐ形の第２クラッド層と、
共振器端面には到達しないストライプ状溝が両共振器端
面間に形成されたｎ形の電流ブロック層と、この電流ブ
ロック層上およびストライプ状溝内の第２クラッド層上
に形成されたｐ形の第３クラッド層と、この第３クラッ
ド層上に形成されたｐ形のコンタクト層とからなり、活
性層の両共振器端面近傍を除く領域に反転領域を備えた
ものである。
、この半導体基板上に形成されたｎ形の第１クラッド層
と、この第１クラッド層上に形成されたｎ形の活性層と
、この活性層上に形成されたｐ形の第２クラッド層と、
共振器端面には到達しないストライプ状溝が両共振器端
面間に形成されたｎ形の電流ブロック層と、この電流ブ
ロック層上およびストライプ状溝内の第２クラッド層上
に形成されたｐ形の第３クラッド層と、この第３クラッ
ド層上に形成されたｐ形のコンタクト層とからなり、活
性層の両共振器端面近傍を除く領域に反転領域を備えた
ものである。
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法は、ｎ形
の半導体基板上にｎ形の第１クラッド層。
の半導体基板上にｎ形の第１クラッド層。
ｎ形の活性層、ｐ形の第２クラッド層およびｎ形の電流
ブロック層を順次形成する工程と、この電流ブロック層
の共振器方向に、共振器端面には到達しないようにスト
ライプ状溝を形成する工程と、このストライプ状溝から
拡散あるいはイオン注入を行って活性層内に反転領域を
形成する工程と、電流ブロック層上およびストライプ状
溝内の第２クラッド層上にｐ形の第３クラ・アト層およ
びｐ形のコンタクト層を順次形成する工程とを含むもの
である。
ブロック層を順次形成する工程と、この電流ブロック層
の共振器方向に、共振器端面には到達しないようにスト
ライプ状溝を形成する工程と、このストライプ状溝から
拡散あるいはイオン注入を行って活性層内に反転領域を
形成する工程と、電流ブロック層上およびストライプ状
溝内の第２クラッド層上にｐ形の第３クラ・アト層およ
びｐ形のコンタクト層を順次形成する工程とを含むもの
である。
この発明の半導体レーザにおいては、キャリア濃度が高
くなる程活性層の反転領域のバンドギャツブエネルギー
が小さくなるのに対し、共振器端面近傍の活性層のｎ形
の非反転領域では逆にノくンドギャップエネルギーが大
きくなるため、この非反転領域が窓構造領域となる。
くなる程活性層の反転領域のバンドギャツブエネルギー
が小さくなるのに対し、共振器端面近傍の活性層のｎ形
の非反転領域では逆にノくンドギャップエネルギーが大
きくなるため、この非反転領域が窓構造領域となる。
また、この発明の半導体レーザの製造方法においては、
電流ブロック層に形成されたストライプ状溝からの拡散
あるいはイオン注入によって、ｎ形の活性層の両共振器
端面近啼を除く領域に反転領域が形成される。
電流ブロック層に形成されたストライプ状溝からの拡散
あるいはイオン注入によって、ｎ形の活性層の両共振器
端面近啼を除く領域に反転領域が形成される。
第１図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明の半導体レーザの一実
施例を説明するための図で、第１図（ａ）は斜視図、第
１図（ｂ）は共振器に平行な方向のストライプ状溝を含
む断面図、第１図（ｅ）は共振器に垂直な方向のストラ
イプ状溝を含む断面図である。
施例を説明するための図で、第１図（ａ）は斜視図、第
１図（ｂ）は共振器に平行な方向のストライプ状溝を含
む断面図、第１図（ｅ）は共振器に垂直な方向のストラ
イプ状溝を含む断面図である。
これらの図において、１はｎ形ＧａＡｓからなる基板、
２はｎ形Ａ ｌ ６．４Ｇ ａ ６．６Ａ ｓからなる
第１クラッド層、３はｎ形Ａ ｌ ０． Ｉ Ｇ ａ
６． ｇ Ａ Ｓからなる活性層、４はｐ形Ａ ｌ ６
．４Ｇ ａ ０１ＩＩＡ Ｓからなる第２クラッド層、
５ばｎ形Ａ ｌ ｏ、 ３Ｇ ａ ６．７Ａ ｓからな
る電流ブロック層、６はｐ形Ａｊ、、、Ｇａ。、、Ａｓ
からなる第３クラッド層、７はｐ形ＧａＡｓからなるコ
ンククト層、８はストライプ状溝、９は反転領域として
のＺｎ拡散領域、１ｏはｎ電極、１１はｐ電極、１２は
素子端面をそれぞれ示す。
２はｎ形Ａ ｌ ６．４Ｇ ａ ６．６Ａ ｓからなる
第１クラッド層、３はｎ形Ａ ｌ ０． Ｉ Ｇ ａ
６． ｇ Ａ Ｓからなる活性層、４はｐ形Ａ ｌ ６
．４Ｇ ａ ０１ＩＩＡ Ｓからなる第２クラッド層、
５ばｎ形Ａ ｌ ｏ、 ３Ｇ ａ ６．７Ａ ｓからな
る電流ブロック層、６はｐ形Ａｊ、、、Ｇａ。、、Ａｓ
からなる第３クラッド層、７はｐ形ＧａＡｓからなるコ
ンククト層、８はストライプ状溝、９は反転領域として
のＺｎ拡散領域、１ｏはｎ電極、１１はｐ電極、１２は
素子端面をそれぞれ示す。
次に、この発明の半導体レーザの製造方法を第２図（ａ
）〜（ｄ）を参照して説明する。
）〜（ｄ）を参照して説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、ＭＯ−ＣＶＤ法、Ｍ
ＢＥ法あるいはＬＰＥ法等の結晶成長法によってｎ形Ｇ
ａＡｓからなる基板１上にｎ形Ａｌ （１，４Ｇ ａ
Ｏ，ＩＩＡ Ｓからなる第１クラッド層２゜ｎ形Ａ ｌ
６．ＩＧ ａ ６，９Ａ ｓからなる活性層３ｐｐ形
Ａｊ６，４Ｇａ０．ｓＡｓからなる第２クラッド層４゜
ｎ形Ａ４゜、３Ｇａ（、，７Ａｓからなる電流ブロック
層５を順次形成する。
ＢＥ法あるいはＬＰＥ法等の結晶成長法によってｎ形Ｇ
ａＡｓからなる基板１上にｎ形Ａｌ （１，４Ｇ ａ
Ｏ，ＩＩＡ Ｓからなる第１クラッド層２゜ｎ形Ａ ｌ
６．ＩＧ ａ ６，９Ａ ｓからなる活性層３ｐｐ形
Ａｊ６，４Ｇａ０．ｓＡｓからなる第２クラッド層４゜
ｎ形Ａ４゜、３Ｇａ（、，７Ａｓからなる電流ブロック
層５を順次形成する。
次に第２図（ｂ）に示すように１．フ第１・リソグラフ
ィ技術とエツチング技術を用いて電流ブロック層５中に
端面近傍を残してストライプ状溝８を形成する。この際
のエツチング液として、例えばアンモニア／過酸化水素
の混合溶液を用いれば、Ａ１組成比が０．３程度の場合
はエツチングされるが０．４以上ではエチングされない
という選択性が生じる。この結果、電流ブロック層５の
みが選択的にエツチングされるようになり、素子再現性
が飛躍的に向上する。
ィ技術とエツチング技術を用いて電流ブロック層５中に
端面近傍を残してストライプ状溝８を形成する。この際
のエツチング液として、例えばアンモニア／過酸化水素
の混合溶液を用いれば、Ａ１組成比が０．３程度の場合
はエツチングされるが０．４以上ではエチングされない
という選択性が生じる。この結果、電流ブロック層５の
みが選択的にエツチングされるようになり、素子再現性
が飛躍的に向上する。
このストライプ状溝８の形成後、第２図（Ｃ）。
（ｄ）に示すように、熱拡散あるいはイオン注入等の手
段を用いてｎ形Ａ ｌ ６． Ｉ Ｇ ａ ６． ＠
Ａ ｓからなる活性層３の電流ブロック層５に覆われて
ない部分にＺｎを拡散し、Ｚｎ拡散領域９を形成する。
段を用いてｎ形Ａ ｌ ６． Ｉ Ｇ ａ ６． ＠
Ａ ｓからなる活性層３の電流ブロック層５に覆われて
ない部分にＺｎを拡散し、Ｚｎ拡散領域９を形成する。
この結果、活性層３中のＺｎ拡散領域９はｐ形に反転す
る。なお、活性層３の電流ブロック層５に覆われている
部分はｎ形のままである。
る。なお、活性層３の電流ブロック層５に覆われている
部分はｎ形のままである。
そして、ＭＯ−ＣＶＤ法あるいはＭＢＥ法を用いて第２
回目成長を行い、ｐ形Ａ ｌ （、，４Ｇ ａ 、、。
回目成長を行い、ｐ形Ａ ｌ （、，４Ｇ ａ 、、。
Ａｓからなる第３クラッド層６ｐ ｐ形ＧａＡｓからな
るコンタクＩ・層７を形成し、この成長終了後、基板１
側にｎ電極１０、コンタクト層７側にｐ電極１１を形成
すれば第１図（ａ）〜（０）に示した素子が完成する。
るコンタクＩ・層７を形成し、この成長終了後、基板１
側にｎ電極１０、コンタクト層７側にｐ電極１１を形成
すれば第１図（ａ）〜（０）に示した素子が完成する。
次に動作について説明する。
この実施例の半導体レーザのレーザ発振も従来例とまっ
たく同じであるので、窓構造の機能について重点的に説
明する。
たく同じであるので、窓構造の機能について重点的に説
明する。
この実施例の半導体レーザの端面近傍の窓構造領域は第
３図に示すようになっており、活性層３中のｐ影領域、
すなわちＺｎ拡散領域９は、！（ンド・ティルの効果に
よりキャリア濃度が高くなる程、アンドープの場合に比
べてバンドギャップエネルギーが小さくなり、一方、窓
構造領域となる活性層３中のｎ形の非反転領域はキャリ
ア濃度が高くなる程、バースタイン・シフト効果により
、アンドープの場合に比べてバンドギャップエネルギー
が大きくなる。Ｌ・−ザ光の光子エネルギーは、レーザ
光を発する物質のバンドギャップエネルギーにほぼ等し
いため、上記の構造の半導体レーザ装置においては、ア
ンドープの場合よりもバンドギャップエネルギーが小い
Ｚｎ拡散領域９で発生したレーザ光は、アンドープの場
合よりもバンドギャップエネルギーが大きい活性層３中
のｎ影領域（窓構造領域）ではほとんど吸収を受けない
。
３図に示すようになっており、活性層３中のｐ影領域、
すなわちＺｎ拡散領域９は、！（ンド・ティルの効果に
よりキャリア濃度が高くなる程、アンドープの場合に比
べてバンドギャップエネルギーが小さくなり、一方、窓
構造領域となる活性層３中のｎ形の非反転領域はキャリ
ア濃度が高くなる程、バースタイン・シフト効果により
、アンドープの場合に比べてバンドギャップエネルギー
が大きくなる。Ｌ・−ザ光の光子エネルギーは、レーザ
光を発する物質のバンドギャップエネルギーにほぼ等し
いため、上記の構造の半導体レーザ装置においては、ア
ンドープの場合よりもバンドギャップエネルギーが小い
Ｚｎ拡散領域９で発生したレーザ光は、アンドープの場
合よりもバンドギャップエネルギーが大きい活性層３中
のｎ影領域（窓構造領域）ではほとんど吸収を受けない
。
つまり、活性Ｍ３中のｎ影領域はレーザ光に対して透明
であるといえる。そして、レーザ光がほとんど吸収され
ないので吸収熱が発生しない結果、端面の溶融という現
象が生じにくくなる。よって、より高い光出力で動作さ
せることが可能となる。
であるといえる。そして、レーザ光がほとんど吸収され
ないので吸収熱が発生しない結果、端面の溶融という現
象が生じにくくなる。よって、より高い光出力で動作さ
せることが可能となる。
また、端面近傍に残された電流ブロック層５は、活性層
３に隣接しているため、従来のようにｎ形ＧａＡｓで構
成されている場合にはかなリレーザ光を吸収するが、こ
の実施例では、活性層３よりも大きいバンドギャップエ
ネルギーを有する物質、すなわち活性層３よりもＡ１組
成の大きいＡ Ｉ ６，３Ｇ ａ Ｏ，、Ａ ｓ （
なぜなら、ＡｊＧａＡｓはＡ１組成比が大きくなるに従
ってバンドギャップエネルギーも大きくなるという性質
を有しているかである。）で電流ブロック層５を構成す
ることによって、この領域による吸収も低減させている
。
３に隣接しているため、従来のようにｎ形ＧａＡｓで構
成されている場合にはかなリレーザ光を吸収するが、こ
の実施例では、活性層３よりも大きいバンドギャップエ
ネルギーを有する物質、すなわち活性層３よりもＡ１組
成の大きいＡ Ｉ ６，３Ｇ ａ Ｏ，、Ａ ｓ （
なぜなら、ＡｊＧａＡｓはＡ１組成比が大きくなるに従
ってバンドギャップエネルギーも大きくなるという性質
を有しているかである。）で電流ブロック層５を構成す
ることによって、この領域による吸収も低減させている
。
なお、上記実施例ではｐ形拡散源にＺｎを用いたが、他
のｐ形拡散源、例えばＭｇやＢｅを用いても一向に差し
つかえない。
のｐ形拡散源、例えばＭｇやＢｅを用いても一向に差し
つかえない。
また、上記実施例では特にＡ／ＧａＡｓ系材料で構成さ
れている半導体レーザについてのみ言及したが、他のＩ
Ｎ−Ｖ族化合物半導体で構成された同様な構造の半導体
レーザについても適用可能であることはいうまでもない
。
れている半導体レーザについてのみ言及したが、他のＩ
Ｎ−Ｖ族化合物半導体で構成された同様な構造の半導体
レーザについても適用可能であることはいうまでもない
。
この発明の半導体レーザは以上説明したとおり、ｎ形の
半導体基板と、この半導体基板上に形成されたｎ形の第
１クラッド層と、この第１クラッド層上に形成されたｎ
形の活性層と、この活性層上に形成されたｐ形の第２ク
ラッド層と、共振器端面には到達しないストライプ状溝
が雨具振器端面間に形成されたｎ形の電流ブロック層と
、この電流ブロック層上およびストライプ状溝内の第２
クラッド層上に形成されたｐ形の第３クラッド層と、こ
の第３クラッド層上に形成されたｐ形のコンタクト層と
からなり、活性層の雨具振器端面近傍を除く領域に反転
領域を備えたので、共振器端面近傍の活性層のｎ形の非
反転領域が窓構造領域となり、ＣＯＤが生しにくくなる
ため、３０ｍＷ以上の高い光出力で動作させることが可
能になるという効果がある。
半導体基板と、この半導体基板上に形成されたｎ形の第
１クラッド層と、この第１クラッド層上に形成されたｎ
形の活性層と、この活性層上に形成されたｐ形の第２ク
ラッド層と、共振器端面には到達しないストライプ状溝
が雨具振器端面間に形成されたｎ形の電流ブロック層と
、この電流ブロック層上およびストライプ状溝内の第２
クラッド層上に形成されたｐ形の第３クラッド層と、こ
の第３クラッド層上に形成されたｐ形のコンタクト層と
からなり、活性層の雨具振器端面近傍を除く領域に反転
領域を備えたので、共振器端面近傍の活性層のｎ形の非
反転領域が窓構造領域となり、ＣＯＤが生しにくくなる
ため、３０ｍＷ以上の高い光出力で動作させることが可
能になるという効果がある。
また、この発明の半導体レーザの製造方法は、ｎ形の半
導体基板上に、ｎ形の第１クラッド層。
導体基板上に、ｎ形の第１クラッド層。
ｎ形の活性層、ｐ形の第２クラッド層およびｎ形の電流
ブロック層を順次形成する工程と、この電流ブロック層
の共振器方向に、共振器端面には到達しないようにスＩ
・ライブ状溝を形成する工程と、このストライプ状溝か
ら拡散あるいはイオン注入を行って活性層内に反転領域
を形成する工程と、電流ブロック層上およびストライプ
状溝内の第２クラッド層上にｐ形の第３クラッド層およ
びｐ形のコンタクト層を順次形成する工程とを含むので
、上記発明の半導体レーザを容易に、かつ再現性良く得
ることができるという効果がある。
ブロック層を順次形成する工程と、この電流ブロック層
の共振器方向に、共振器端面には到達しないようにスＩ
・ライブ状溝を形成する工程と、このストライプ状溝か
ら拡散あるいはイオン注入を行って活性層内に反転領域
を形成する工程と、電流ブロック層上およびストライプ
状溝内の第２クラッド層上にｐ形の第３クラッド層およ
びｐ形のコンタクト層を順次形成する工程とを含むので
、上記発明の半導体レーザを容易に、かつ再現性良く得
ることができるという効果がある。
第１図はこの発明の半導体レーザの一実施例を説明する
ための図、第２図はこの発明の半導体レーザの製造方法
の一実施例を示す図、第３図はこの発明における端面近
傍の窓構造領域を示す断面図、第４図は従来の半導体レ
ーザを示す斜視図である。 図において、１はｎ形ＧａＡｓからなる基板、２はｎ形
Ａ ｌ ６． ａＧ ａ Ｏ，＠ Ａ Ｓからなる第１
クラッド層、３はｎ形Ａ ｌ ６． ＩＧ ａ ａ、
＊Ａ ｓからなる活性層、４はｐ形Ａ ｌ （１，４Ｇ
ａ （１，＠Ａ ｓからなる第２クラッド層、５はｎ
形Ａ ｌ ６．、Ｇ ａ ６，７Ａ ｓからなる電流ブ
ロック層、６はｐ形Ａ ｌ ｇ、４Ｇ ａ ６，６Ａ
ｓ ｈ）らなる第３クラッド層、７はｐ形ＧａＡｓから
なるコンタクト層、８はストライプ状溝、９はＺｎ拡散
領域、１０はｎ電極、１１はｐ電極、１２は素子端面で
ある。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図（千の
１） １２ 素子票日加 第１図（干の２） 第２図（子の１） 第２図（千の２） 第３図 第４図 １、事件の表示 特願昭６３−８２６６２号２、発
明の名称 半導体レーザおよびその製造方法３、補正を
する者 代表者 志 岐 守 哉 ４、代理人 （連絡先０３ （２１３） ３４２１特許部＞ ”−’
−５゛り５、補正の対宗 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１１明細書第１０頁１２行の「小さくなり、」を、「
実効的に小さくなり、」と補正する。 （２） 同じく第１０頁１６行の「大きくなる。」を
、「実効的に大きくなる。」と補正する。 （３）同じく第１０頁２０行の「小い」を、「実効的に
小さい」と補正する。 （４）同じく第１１頁２行の「大きい」を、「実効的に
大きい」と補正する。 息上
ための図、第２図はこの発明の半導体レーザの製造方法
の一実施例を示す図、第３図はこの発明における端面近
傍の窓構造領域を示す断面図、第４図は従来の半導体レ
ーザを示す斜視図である。 図において、１はｎ形ＧａＡｓからなる基板、２はｎ形
Ａ ｌ ６． ａＧ ａ Ｏ，＠ Ａ Ｓからなる第１
クラッド層、３はｎ形Ａ ｌ ６． ＩＧ ａ ａ、
＊Ａ ｓからなる活性層、４はｐ形Ａ ｌ （１，４Ｇ
ａ （１，＠Ａ ｓからなる第２クラッド層、５はｎ
形Ａ ｌ ６．、Ｇ ａ ６，７Ａ ｓからなる電流ブ
ロック層、６はｐ形Ａ ｌ ｇ、４Ｇ ａ ６，６Ａ
ｓ ｈ）らなる第３クラッド層、７はｐ形ＧａＡｓから
なるコンタクト層、８はストライプ状溝、９はＺｎ拡散
領域、１０はｎ電極、１１はｐ電極、１２は素子端面で
ある。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図（千の
１） １２ 素子票日加 第１図（干の２） 第２図（子の１） 第２図（千の２） 第３図 第４図 １、事件の表示 特願昭６３−８２６６２号２、発
明の名称 半導体レーザおよびその製造方法３、補正を
する者 代表者 志 岐 守 哉 ４、代理人 （連絡先０３ （２１３） ３４２１特許部＞ ”−’
−５゛り５、補正の対宗 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１１明細書第１０頁１２行の「小さくなり、」を、「
実効的に小さくなり、」と補正する。 （２） 同じく第１０頁１６行の「大きくなる。」を
、「実効的に大きくなる。」と補正する。 （３）同じく第１０頁２０行の「小い」を、「実効的に
小さい」と補正する。 （４）同じく第１１頁２行の「大きい」を、「実効的に
大きい」と補正する。 息上
Claims (2)
- （１）ｎ形の半導体基板と、この半導体基板上に形成さ
れたｎ形の第１クラッド層と、この第１クラッド層上に
形成されたｎ形の活性層と、この活性層上に形成された
ｐ形の第２クラッド層と、共振器端面には到達しないス
トライプ状溝が両共振器端面間に形成されたｎ形の電流
ブロック層と、この電流ブロック層上および前記ストラ
イプ状溝内の前記第２クラッド層上に形成されたｐ形の
第３クラッド層と、この第３クラッド層上に形成された
ｐ形のコンタクト層とからなり、前記活性層の両共振器
端面近傍を除く領域に反転領域を備えたことを特徴とす
る半導体レーザ。 - （２）ｎ形の半導体基板上に、ｎ形の第１クラッド層、
ｎ形の活性層、ｐ形の第２クラッド層およびｎ形の電流
ブロック層を順次形成する工程と、この電流ブロック層
の共振器方向に、共振器端面には到達しないようにスト
ライプ状溝を形成する工程と、このストライプ状溝から
拡散あるいはイオン注入を行って前記活性層内に反転領
域を形成する工程と、前記電流ブロック層上および前記
ストライプ状溝内の前記第２クラッド層上にｐ形の第３
クラッド層およびｐ形のコンタクト層を順次形成する工
程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8266288A JPH01253985A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8266288A JPH01253985A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01253985A true JPH01253985A (ja) | 1989-10-11 |
Family
ID=13780648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8266288A Pending JPH01253985A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01253985A (ja) |
-
1988
- 1988-04-04 JP JP8266288A patent/JPH01253985A/ja active Pending
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